CN117412621A - 电致发光显示器 - Google Patents

Abstract

根据本公开内容的电致发光显示器包括：包括显示区域和非显示区域的基板，非显示区域设置在显示区域周围，在显示区域和非显示区域上的平坦化层；堤部，所述堤部设置在显示区域和非显示区域中的平坦化层上；阴极电极，所述阴极电极设置在显示区域和非显示区域中的堤部上；沟槽，所述沟槽以围绕显示区域的方式设置在非显示区域中；以及公共电力线，所述公共电力线在沟槽的外侧围绕显示区域，并且连接至阴极电极。沟槽具有使设置在平坦化层下方的薄膜层的上部暴露的凹陷形状。

Description

电致发光显示器

技术领域

本公开内容涉及电致发光显示器。特别地，本公开内容涉及具有用于阻挡来自外部环境的水分的侵入或渗透的沟槽的电致发光显示器。

背景技术

在显示设备中，电致发光显示器是自发光类型并且具有优异的视角和对比度，以及具有诸如重量轻和厚度薄的优点。此外，由于电致发光显示器不需要任何额外背光单元，因此电致发光显示器具有功耗方面的优点。特别地，在电致发光显示器中，有机发光显示装置可以在低DC电压下被驱动，具有快的响应速度，并且具有低制造成本的优点。

电致发光显示器可以包括多个发光二极管。发光二极管可以包括阳极电极、阳极电极上的发光层和发光层上的阴极电极。当将高电位电压施加至阳极电极并且将低电位电压施加至阴极电极时，来自阳极电极的空穴和来自阴极电极的电子分别移动至发光层。随着空穴和电子在发光层中结合，在激发过程中形成激子，并且由于来自激子的能量而生成光。电致发光显示器通过对来自由堤部单独划分的多个发光二极管的发光层的光的亮度进行电控制来提供图像。

可能需要封装层来保护包括在电致发光显示器中的各种元件免受外部异物和水分的影响。封装层是用于覆盖其上形成有发光二极管的基板的上表面的结构元件，并且防止来自外部环境的异物的渗透。然而，由有机材料制成的层可能设置在被封装层覆盖的发光二极管层下方。例如，堤部或平坦化层可以是有机材料层。当诸如水分的异物从有机层的侧面渗透时，水分可能沿有机层向形成有发光二极管的内部传播。因此，有必要改进结构，使得从外部渗透的水分不会影响设置在内部的元件。

发明内容

为了解决上述问题，本公开内容的目的是提供一种具有沟槽的电致发光显示器，该沟槽用于防止从外部渗透的异物(诸如水分)通过有机层传播至显示元件中。

为了实现本公开内容的上述目的，根据本公开内容的电致发光显示器包括：包括显示区域和非显示区域的基板，非显示区域设置在显示区域周围；在显示区域和非显示区域上的平坦化层；堤部，堤部设置在显示区域和非显示区域中的平坦化层上；阴极电极，阴极电极设置在显示区域和非显示区域中的堤部上；沟槽，沟槽以围绕显示区域的方式设置在非显示区域中；以及公共电力线，公共电力线在沟槽的外侧围绕显示区域，并且连接至阴极电极。沟槽具有使设置在平坦化层下方的薄膜层的上部暴露的凹陷形状。

在示例性实施方式中，电致发光显示器还包括：钝化层，钝化层设置在显示区域和非显示区域中，并且接触平坦化层的底表面。

在示例性实施方式中，电致发光显示器还包括：金属保护层，金属保护层在平坦化层下方与沟槽交叠，并且包括与公共电力线相同的材料。

在示例性实施方式中，电致发光显示器还包括：连接图案，连接图案设置在平坦化层与设置有沟槽的堤部之间，并且电连接至公共电力线。连接图案包括：第一平面部分，第一平面部分设置在沟槽的靠近显示区域的第一侧处的平坦化层的上表面处；第二平面部分，第二平面部分设置在沟槽的靠近基板外侧的第二侧处的平坦化层的上表面处；以及连接部分，连接部分连接第一平面部分和第二平面部分并且设置在沟槽的内侧壁处。

在示例性实施方式中，阴极电极电连接至从沟槽暴露的连接图案。

在示例性实施方式中，堤部包括：第一接触孔，第一接触孔使第一平面部分的一部分暴露；以及第二接触孔，第二接触孔使第二平面部分的一部分暴露。除从沟槽暴露的连接部分之外，阴极电极经由第一接触孔连接至第一平面部分，并且经由第二接触孔连接至第二平面部分。

在示例性实施方式中，电致发光显示器还包括：公共线端子，公共线端子设置在非显示区域中的平坦化层上，并且经由使公共电力线的一些部分暴露的公共接触孔连接至公共电力线。阴极电极经由在堤部处形成的公共焊盘接触孔连接至公共线端子。

在示例性实施方式中，电致发光显示器还包括：薄膜晶体管，薄膜晶体管形成在基板的显示区域中；阳极电极，阳极电极形成在显示区域中的平坦化层上；以及发光层，发光层在显示区域中的阳极电极和堤部上。

此外，根据本公开内容的电致发光显示器包括：基板；在基板上的无机层；在无机层上的第一有机层；在第一有机层处形成的第一沟槽；在第一有机层上的覆盖第一沟槽的连接图案；在第一有机层和连接图案上的第二有机层；第二沟槽，第二沟槽形成在第二有机层处并且使连接图案暴露；第一接触孔，第一接触孔使第二有机层处的第二沟槽的一侧处的连接图案的第一部分暴露；第二接触孔，第二接触孔使第二有机层处的第二沟槽的另一侧处的连接图案的第二部分暴露；以及阴极电极，阴极电极经由第一接触孔连接至连接图案的第一部分，并且经由第二接触孔连接至连接图案的第二部分，以在第二沟槽处断开。

在示例性实施方式中，第一沟槽和第二沟槽在基板的垂直方向上彼此交叠。

在示例性实施方式中，电致发光显示器还包括：公共电力线，公共电力线设置在第二部分外侧的第一有机层下方。阴极电极电连接至公共电力线。

在示例性实施方式中，基板包括显示区域和非显示区域，非显示区域围绕显示区域。第一沟槽和第二沟槽以靠近显示区域的方式设置在非显示区域中。

在示例性实施方式中，第一沟槽和第二沟槽具有围绕显示区域的闭环形状。第一接触孔具有围绕显示区域的闭环形状，并且设置在显示区域与第一沟槽和第二沟槽之间。第二接触孔具有在第一沟槽和第二沟槽的外侧围绕第一沟槽和第二沟槽的闭环形状。

在示例性实施方式中，显示区域包括多个像素。每个像素包括驱动元件和连接至驱动元件的发光元件。发光元件包括：第一有机层上的阳极电极；阳极电极上的发光层；以及发光层上的阴极电极。

在示例性实施方式中，无机层包括硅氮化物材料。

在示例性实施方式中，无机层包括与公共电力线相同的材料，公共电力线设置在第二部分外侧的第一有机层下方。

在示例性实施方式中，电致发光显示器还包括：在无机层下方的缓冲层；以及形成在基板上、缓冲层下方的导电层。连接图案连接至导电层。

此外，根据本公开内容的电致发光显示器包括：基板；在基板上的无机层；在无机层上的第一有机层；在第一有机层处形成的第一沟槽；在第一有机层上的覆盖第一沟槽的连接图案；在第一有机层和连接图案上的第二有机层；第二沟槽，第二沟槽形成在第二有机层处并且使连接图案暴露；以及阴极电极，阴极电极连接至连接图案。

在示例性实施方式中，电致发光显示器还包括：金属保护层，金属保护层在第一有机层下方与第一沟槽和第二沟槽交叠。

根据本公开内容的电致发光显示器可以具有沟槽，该沟槽围绕显示区域并且通过去除有机层的与预定宽度相对应的一部分来形成。因此，可以切断异物从侧壁渗透至有机层中的传播路径。可以保护形成在显示区域中的元件免受诸如水分的异物的损坏。因此，本公开内容可以提供保护发光元件和驱动元件的显示器，以在长时间段内保持具有高显示质量的性能。

除上面提到的本公开内容的效果之外，本公开内容的其他特征和优点将由本公开内容所属领域的普通技术人员根据下面描述的内容或这样的描述清楚地理解。

附图说明

附图被包括以提供对本公开内容的进一步理解并且被并入本申请并构成本申请的一部分，附图示出了本公开内容的实施方式，并且与说明书一起用于说明本公开内容的原理。在附图中：

图1是示出根据本公开内容的电致发光显示器的平面图。

图2是示出根据本公开内容的电致发光显示器中的一个像素的结构的电路图。

图3是示出电致发光显示器的结构的放大平面图。

图4是示出根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示器的结构的沿图1中的切割线I-I’和II-II'的截面图。

图5是示出根据本公开内容的第二实施方式的电致发光显示器的结构的沿图1中的切割线I-I'和II-II'的截面图。

图6是示出根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示器的结构的沿图1中的切割线I-I'和II-II'的截面图。

图7是示出根据本公开内容的第四实施方式的电致发光显示器的结构的沿图1中的切割线I-I'和II-II'的截面图。

图8是示出根据本公开内容的第五实施方式的电致发光显示器的结构的沿图1中的切割线I-I'和II-II'的截面图。

图9是示出根据本公开内容的第六实施方式的电致发光显示器的结构的沿图1中的切割线I-I'和II-II'的截面图。

图10是示出根据本公开内容的第七实施方式的电致发光显示器的结构的平面图。

图11是示出根据本公开内容的第七实施方式的电致发光显示器的结构的沿图10中的切割线I-I'和II-II'的截面图。

具体实施方式

通过参照附图描述的以下实施方式，将阐明本公开内容的优点和特征及其实现方法。然而，本公开内容可以以不同的形式被实施，并且不应当被解释为限于本文中阐述的实施方式。相反，这些实施方式被提供，使得本公开内容可以足够全面和完整，以帮助本领域技术人员充分地理解本公开内容的范围。此外，本公开内容的保护范围由权利要求书及其等同物限定。

现在将详细参照本公开内容的示例性实施方式，示例性实施方式的示例在附图中被示出。在可能的任何地方，将在整个附图中使用相同的附图标记来指相同或相似的部件。在本说明书中，应当注意，在其他附图中已经用于表示相似元件的相似附图标记被用于可能的任何地方的元件。在以下描述中，当对于本领域的技术人员已知的功能和配置与本公开内容的基本配置无关时，将省略其详细描述。说明书中描述的术语应当如下被理解。

为了描述本公开内容的各种示例性实施方式而在附图中示出的形状、尺寸、比率、角度、数目等仅通过示例的方式给出。因此，本公开内容不限于所示的细节。除非另有说明，否则相似的附图标记在整个说明书中指相似的元件。在以下描述中，在相关已知功能或配置的详细描述可能不必要地模糊本公开内容的重点的情况下，可以省略对这样的已知功能或配置的详细描述。

在本说明书中，在使用术语“包括”、“具有”、“包含”等的情况下，除非使用诸如“仅”的术语，否则可以添加一个或更多个其他元件。除非上下文另有明确指示，否则以单数形式描述的元件旨在包括多个元件，反之亦然。

在解释元件时，该元件被解释为包括误差或公差范围，即使在未提供这样的误差或公差范围的明确描述的情况下亦是如此。

在本公开内容的各种实施方式的描述中，在描述位置关系的情况下，例如，在使用“上”、“上方”、“下方”、“上面”、“下面”、“旁边”、“靠近”等描述两个部件之间的位置关系的情况下，除非使用诸如“紧接(地)”、“直接(地)”或“接近(地)”的更具限制性的术语，否则一个或更多个其他部件可以位于这两个部件之间。例如，在元件或层被设置在另一元件或层“上”的情况下，第三层或第三元件可以插入其间。此外，如果第一元件被描述为位于第二元件“上”，这不一定意味着第一元件在图中位于第二元件上面。所关注的对象的上部和下部可以根据对象的取向而改变。因此，在第一元件被描述为位于第二元件“上”的情况下，该第一元件可以根据对象的取向而在图中或在实际配置中位于第二元件“下面”或第二元件“上面”。

在描述时间关系时，例如，当时间顺序被描述为“之后”、“随后”、“接下来”或“之前”时，除非使用诸如“刚好”、“紧接(地)”或“直接(地)”的更具限制性的术语，否则可以包括不连续的情况。

应当理解的是，尽管术语“第一”、“第二”等在本文中可以用于描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制，因为这些术语并不用于限定特定顺序。这些术语仅用于区分一个元件和其他元件。例如，在不脱离本公开内容的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，并且类似地，第二元件可以被称为第一元件。

在描述本公开内容中的各种元件时，可以使用诸如第一、第二、A、B、(a)和(b)的术语。这些术语仅用于区分一个元件与其他元件，而不用于限定元件的特定性质、顺序、次序或数目。在元件被描述为“链接至”、“耦接至”或“连接至”另一元件的情况下，除非另有说明，否则该元件可以直接或间接连接至该另一元件。应当理解的是，另外的一个或多个元件可以“插入”在被描述为彼此“链接”、“连接”或“耦接”的两个元件之间。

应当理解的是，术语“至少一个”应当被理解为包括相关联列出的项中的任一个以及一个或更多个的所有组合。例如，“第一元件、第二元件和第三元件中的至少一个”的含义涵盖所有三个列出的元件的组合、三个元件中的任意两个的组合以及每个单独的元件(第一元件、第二元件和第三元件)。

如本领域技术人员可以充分理解的，本公开内容的各种实施方式的特征可以部分地或全部地彼此结合或组合，并且可以以各种方式彼此互操作以及在技术上驱动。本公开内容的实施方式可以彼此独立地执行，或者可以以相互依赖的关系一起执行。

在下文中，将参照附图详细描述根据本公开内容的显示设备的示例。在可能的任何地方，将在整个附图中使用相同的附图标记来指相同或相似的部件。由于为便于描述，附图中所示的每个元件的比例可能与实际比例不同，因此本公开内容不限于附图中所示的比例。

在下文中，参照附图，将详细说明根据本公开内容的电致发光显示器。图1是示出根据本公开内容的电致发光显示器的平面图。在图1中，X轴指与扫描线平行的方向，Y轴指数据线的方向，以及Z轴指显示装置的高度方向。

参照图1，根据本公开内容的电致发光显示器包括基板110、像素P、沟槽TR、公共电极CAT、公共电力线VSS、驱动电流供应线VDS、栅极(或扫描)驱动器200、坝DM、焊盘部300、源极驱动IC(集成电路)410、柔性电路膜430、电路板450和定时控制器500。

基板110可以包括电绝缘材料或柔性材料。基板110可以由玻璃、金属或塑料制成，但不限于此。当电致发光显示器是柔性显示器时，基板110可以由诸如塑料的柔性材料制成。例如，基板110可以包括透明的聚酰亚胺材料。

基板110可以包括显示区域AA和非显示区域NDA。作为用于呈现视频图像的区域的显示区域AA可以被限定为基板110的大部分中间区域，但不限于此。在显示区域AA中，可以形成或设置多条扫描线(或栅极线)、多条数据线和多个像素。像素中的每一个可以包括多个子像素。子像素中的每一个分别包括扫描线和数据线。多个像素中的每一个可以包括扫描线和数据线。

在非显示区域NDA中，可以设置沟槽TR、公共电力线VSS、驱动电流供应线VDS、栅极驱动器200、坝DM、焊盘部300、源极驱动IC 410、柔性电路膜430、电路板450和定时控制器500。

沟槽TR可以具有沿显示区域AA的外周围绕显示区域AA的闭合弯曲环的形状。例如，当显示区域AA具有矩形形状时，沟槽TR可以具有矩形带形状。可以稍后说明沟槽TR的详细结构。

公共电力线VSS设置在基板110上的非显示区域NDA处。在一些情况下，公共电力线VSS可以具有围绕显示区域AA的环形状。在一些示例中，如图1中所示，公共电力线VSS可以围绕显示区域AA的三个侧面，但可以在另一侧面上以部分断开的形状设置。在一个示例中，公共电力线VSS可以设置为沿与基板110的显示区域AA相邻的非显示区域NDA的左侧、上侧和右侧具有恒定线宽度，并且公共电力线VSS可以在非显示区域NDA的下侧处具有部分断开的形状。

公共电极CAT设置在显示区域AA的所有区域上，并且公共电极CAT可以从显示区域AA扩展至非显示区域NDA，以物理和电连接至公共电力线VSS的一些部分。例如，公共电极CAT可以覆盖显示区域AA，并且在沟槽TR和栅极驱动器200上，并且然后扩展至公共电力线VSS的一些部分。

驱动电流供应线VDS可以设置在公共电力线VSS与沟槽TR之间。特别地，优选的是驱动电流供应线VDS设置在距公共电极CAT的边缘的预定距离处。驱动电流供应线VDS是用于向驱动电流线(未示出)供应驱动电流的线。驱动电流供应线VDS可以延伸至在基板110的下侧处设置的焊盘部300，以连接至驱动电流焊盘VDP。

栅极驱动器200可以根据从定时控制器500接收的栅极控制信号向扫描线供应扫描(或栅极)信号。栅极驱动器200可以以GIP(面板内栅极驱动器)类型形成在基板110上的显示区域AA的任一外侧处的非显示区域NDA处。GIP类型意味着栅极驱动器200直接形成在基板110上。

焊盘部300可以是设置有焊盘端子的区域，焊盘端子接收供应至显示区域AA的各种电信号。例如，公共焊盘CPP、驱动电流焊盘VDP和数据焊盘(未示出)可以设置在焊盘部300上。数据焊盘根据从定时控制器500输入的数据控制信号接收要供应至数据线的数据信号。

坝DM可以具有在基板110的非显示区域NDA中设置的并围绕显示区域AA的闭合曲线形状。例如，坝DM可以位于基板110上的最外部分处，设置在公共电力线VSS外侧。优选的是，焊盘部300可以设置在坝DM的外部区域上。图1示出了坝DM设置在最外部分处的情况，但不限于此。对于另一示例，坝DM可以设置在公共电力线VSS与栅极驱动器200之间。对于另一示例，坝DM可以设置在显示区域AA与栅极驱动器200之间。

源极驱动IC 410可以从定时控制器500接收数字视频数据和源极控制信号。源极驱动IC 410可以根据源极控制信号将数字视频数据转换成模拟数据电压，并且然后将其供应至数据线。当源极驱动IC 410被制造为芯片类型时，其可以以COF(膜上芯片)或COP(塑料上芯片)类型安装在柔性电路膜430上，并且可以通过带式自动接合(TAB)方法附接至基板110的显示区域AA外侧的非显示区域NDA中设置的焊盘部300。

柔性电路膜430可以包括：多个第一链接线，所述多个第一链接线将焊盘部300连接至源极驱动IC 410；以及多个第二链接线，所述多个第二链接线将焊盘部300连接至电路板450。可以使用各向异性导电膜将柔性电路膜430附接在焊盘部300上，使得焊盘部300可以连接至柔性电路膜430的第一链接线。

电路板450可以附接至柔性电路膜430。电路板450可以包括定时控制器500。例如，电路板450可以是印制电路板或柔性印制电路板。

定时控制器500可以通过电路板450的线路线缆从外部系统板接收数字视频数据和定时信号。定时控制器500可以基于定时信号生成用于控制栅极驱动器200的操作定时的栅极控制信号和用于控制源极驱动IC 410的源极控制信号。定时控制器500可以将栅极控制信号供应至栅极驱动器200，并且将源极控制信号供应至源极驱动IC 410。根据产品类型，定时控制器500可以与源极驱动IC 410形成为一个芯片，并安装在基板110上。

图2是示出根据本公开内容的电致发光显示器中的一个像素的结构的电路图。图3是示出电致发光显示器的结构的放大平面图。

参照图1至图3，电致发光显示器的每个像素P可以包括扫描线SL、数据线DL和驱动电流线VDD。在非显示区域NDA的焊盘部300中形成的数据焊盘(未示出)设置在数据线DL的端部处。在非显示区域NDA的焊盘部300中形成的驱动电流焊盘VDP设置在驱动电流线VDD的端部处。尽管在图中没有示出，但扫描线SL的端部可以连接至栅极驱动器200。此外，电致发光显示器的每个像素P可以包括开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT、发光二极管OLE、和存储电容器Cst。驱动电流线VDD可以被供应有用于驱动发光二极管OLE的高电位电压。

开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT可以形成在基板110上。例如，开关薄膜晶体管ST可以设置在其中扫描线SL和数据线DL交叉的部分处。开关薄膜晶体管ST可以包括开关半导体层SA、开关栅电极SG、开关源电极SS和开关漏电极SD。开关半导体层SA可以首先形成在基板110上。栅极绝缘层GI沉积在整个基板110上以覆盖开关半导体层SA。开关栅电极SG可以连接至扫描线SL，并与开关半导体层SA交叠，开关栅电极SG与开关半导体层SA之间具有栅极绝缘层GI。开关源电极SS可以连接至数据线DL，并且开关漏电极SD可以连接至驱动薄膜晶体管DT。通过向驱动薄膜晶体管DT供应数据信号，开关薄膜晶体管ST可以起到选择将被驱动的像素的作用。

驱动薄膜晶体管DT可以起到驱动开关薄膜晶体管ST选择的像素的发光二极管OLE的作用。驱动薄膜晶体管DT可以包括驱动半导体层DA、驱动栅电极DG、驱动源电极DS和驱动漏电极DD。驱动半导体层DA可以首先形成在基板110上。栅极绝缘层GI沉积在整个基板110上以覆盖驱动半导体层DA。驱动栅电极DG可以经由漏极接触孔DH连接至开关薄膜晶体管ST的开关漏电极SD，并且与驱动半导体层DA交叠，驱动栅电极DG与驱动半导体层DA之间具有栅极绝缘层GI。驱动源电极DS可以连接至驱动电流线VDD，并且驱动漏电极DD可以连接至发光二极管OLE的阳极电极ANO。存储电容器Cst可以设置在驱动薄膜晶体管DT的驱动栅电极DG与发光二极管OLE的阳极电极ANO之间。

驱动薄膜晶体管DT可以设置在驱动电流线VDD与发光二极管OLE之间。驱动薄膜晶体管DT可以根据连接至开关薄膜晶体管ST的开关漏电极SD的驱动薄膜晶体管DT的驱动栅电极DG的电压电平来控制从驱动电流线VDD流至发光二极管OLE的电流的量。

<第一实施方式>

在下文中，参照图4，将说明根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示器。图4是示出根据本公开内容的第一实施方式的电致发光显示器的结构的沿图1中的切割线I-I'和II-II'的截面图。对于本公开内容的各种实施方式可以共同参照图1至图3。

图4示出了薄膜晶体管ST和DT由底栅结构形成的情况。底栅结构是首先在基板上形成栅电极，并且然后在覆盖栅电极的栅极绝缘层上形成半导体层。例如，首先在基板110上形成栅电极SG和DG，并且然后在覆盖栅电极SG和DG的栅极绝缘层GI上形成半导体层SA和DA。然而，不限于此。对于另一示例，薄膜晶体管可以形成为具有顶栅结构。顶栅结构是以下结构：首先形成半导体层，并且然后在覆盖半导体层的栅极绝缘层上形成栅电极。对于其他示例，薄膜晶体管可以形成为双栅结构，在该双栅极结构中栅电极形成在半导体层上面和半导体层下面。

开关栅电极SG和驱动栅电极DG形成在基板110上。此外，栅电极形成在栅极驱动器200处。栅极绝缘层GI以覆盖基板110的整个表面的方式沉积在栅电极SG和DG上。

半导体层SA和DA形成在栅极绝缘层GI上。例如，开关半导体层SA形成为与开关栅电极SG交叠，以及驱动半导体层DA形成为与驱动栅电极DG交叠。对于半导体层SA和DA由氧化物半导体材料制成的情况，优选的是栅极绝缘层GI由硅氧化物材料形成，以防止在制造过程期间氢粒子的渗透。

源电极SS和DS以及漏电极SD和DD形成在半导体层SA和DA上。例如，在开关半导体层SA上，开关源电极SS形成为接触开关半导体层SA的一部分，以及开关漏电极SD形成为接触开关半导体层SA的其他部分。此外，在驱动半导体层DA上，驱动源电极DS形成为接触驱动半导体层DA的一部分，以及驱动漏电极DD形成为接触驱动半导体层DA的其他部分。

钝化层PAS沉积在具有开关薄膜晶体管ST和驱动薄膜晶体管DT的基板110的整个表面上。钝化层PAS可以由诸如硅氮化物的无机材料制成。平坦化层PL沉积在钝化层PAS上。

其上形成有薄膜晶体管ST和DT的基板110的表面具有水平差，因此平坦化层PL是用于使表面粗糙度平坦化的薄膜。为了使水平差均匀，平坦化层PL可以由有机材料形成。由有机材料制成的平坦化层PL以使平坦化层PL和钝化层PAS之间表面接触的方式堆叠在由无机材料制成的钝化层PAS上，因此在它们的界面处可能出现剥落现象。例如，诸如硅氧化物的无机层与有机膜具有差的界面属性，因此，堆叠在氧化层上的有机膜可以被容易地剥落。然而，诸如硅氮化物的氮化物层与有机层具有优异的界面特性，使得堆叠在氮化物层上的有机层未剥落，而是具有优异的接触属性。因此，优选的是，与平坦化层PL表面接触的钝化层PAS由硅氮化物形成。

另一方面，硅氮化物在制造过程期间可能产生大量的氢粒子。在半导体层SA和DA由氧化物半导体材料制成的情况下，氢粒子可能过多地扩散至半导体层SA和DA中，并且因此半导体层SA和DA的沟道区域的特性可能劣化。为了防止这个问题，钝化层PAS优选地由硅氧化物材料形成。然而，如上所述，由于平坦化层PL形成在钝化层PAS上，优选地使用氮化物层以确保优异的界面属性。因此，优选的是钝化层PAS可以形成为包括在下层的由硅氧化物制成的氧化层和其上的由硅氮化物材料制成的氮化物层。用于暴露驱动薄膜晶体管DT的漏电极DD的一部分的像素接触孔PH形成在钝化层PAS和平坦化层PL处。

发光二极管OLE可以包括阳极电极ANO、发光层EL和阴极电极CAT。发光二极管OLE可以根据由驱动薄膜晶体管DT控制的电流的量来发光。换言之，发光二极管OLE可以由通过驱动薄膜晶体管DT控制的低电平电压和高电平电压之间的电压差来驱动。发光二极管OLE的阳极电极ANO可以连接至驱动薄膜晶体管DT的驱动漏电极DD，以及阴极电极CAT可以连接至供应低电平电压的低电平电压线VSS。也就是，发光二极管OLE可以由通过驱动薄膜晶体管DT控制的高电平电压和从低电平电压线VSS供应的低电平电压来驱动。

在平坦化层PL的上表面上，可以形成阳极电极ANO。阳极电极ANO可以经由像素接触孔PH连接至驱动薄膜晶体管DT的漏电极DD。对于其中发射的光可以被提供至与基板110相反的方向的顶部发光型，优选的是阳极电极ANO可以包括具有优异反射率的金属材料。例如，阳极电极ANO可以包括银(Ag)、铝(Al)、钼(Mo)、金(Au)、镁(Mg)、钙(Ca)和钡(Ba)中的至少任一种或包括它们中的任何两种的合金金属。

在超高分辨率电致发光显示器的情况下，优选具有顶部发光型。在顶部发光型中，优选的是阳极电极ANO在由数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL限定的像素区域中具有最大面积。因此，薄膜晶体管ST和DT可以设置在阳极电极ANO的下方，以与阳极电极ANO交叠。此外，数据线DL、驱动电流线VDD和扫描线SL的一些部分可以与阳极电极ANO交叠。

在阳极电极ANO上形成堤部BA。堤部BA可以覆盖阳极电极ANO的边缘(或周缘)部分，并且使阳极电极ANO的大部分中央部分暴露。由堤部BA暴露的阳极电极ANO的中央部分可以被限定为发光区域EA。

发光层EL可以沉积在阳极电极ANO和堤部BA上。发光层EL可以沉积在基板110上的显示区域AA的整个表面上，以覆盖阳极电极ANO和堤部BA。对于一个示例，发光层EL可以包括两个或更多个堆叠的发光部分，以用于发射白光。详细地，发光层EL可以包括提供第一颜色光的第一发光层和提供第二颜色光的第二发光层，以用于通过组合第一颜色光和第二颜色光来发射白光。

对于另一示例，发光层EL可以包括蓝光发光层、绿光发光层以及红光发光层中的至少任一个，以与分配至像素的颜色相对应。在这种情况下，发光层EL可以仅设置在由堤部BA限定的发光区域内部。此外，发光二极管OLE还可以包括用于增强发光层EL的发光效率和/或使用寿命的至少一个功能层。

可以在发光层EL上设置阴极电极CAT。阴极电极CAT可以以彼此表面接触的方式堆叠在发光层EL上。阴极电极CAT可以在基板110的整个区域上形成为一个片状元件以共同连接至设置在所有像素处的整个发光层EL。在底部发光型的情况下，阴极电极CAT可以包括具有优异光反射率的金属材料。例如，阴极电极CAT可以由包括铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料制成。

在显示区域AA中，可以以矩阵方式设置多个像素P。每个像素P可以包括开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT以及发光二极管OLE。

在非显示区域NDA中形成沟槽TR、栅极驱动器200、公共电力线VSS和坝DM。例如，栅极驱动器200还可以包括具有与形成在显示区域AA中的开关薄膜晶体管ST和/或驱动薄膜晶体管DT相同结构的薄膜晶体管。公共电力线VSS可以设置为围绕显示区域AA的外侧的栅极驱动器200。公共电力线VSS用于向公共电极CAT供应公共电压(或低电平电压)，因此，优选的是公共电力线VSS由具有相对低的电阻的金属材料制成。例如，公共电力线VSS可以由与源电极SS和DS以及漏电极SD和DD相同的材料制成，并且设置在与源电极SS和DS以及漏电极SD和DD相同的层处。

通过去除由有机材料制成的堤部BA和平坦化层PL的一些部分形成沟槽TR。在平面图中，沟槽TR可以设置为围绕显示区域AA的闭环形状。堤部BA和平坦化层PL可以通过沟槽TR断开，以从显示区域AA扩展至非显示区域NDA。当水分从基板110的外侧通过平坦化层PL和堤部BA侵入，并且然后朝向显示区域AA传播时，由于有机层的连续性被沟槽TR断开，因此水分不会传播至显示区域AA。

阴极电极CAT设置为从显示区域AA覆盖至非显示区域NDA。为了将公共电压供应至阴极电极CAT，阴极电极CAT应当物理和/或电连接至公共电力线VSS。因此，优选的是将阴极电极CAT延伸至设置在基板110的最外侧的公共电力线VSS。在显示区域AA中，阴极电极CAT与发光层EL和/或堤部BA表面接触。在非显示区域NDA中，阴极电极CAT延伸为覆盖沟槽TR的凹表面和栅极驱动器200，并且然后连接至公共电力线VSS。

例如，公共电力线VSS经由通过去除平坦化层PL的一些部分而形成的公共接触孔CPH暴露。在平坦化层PL上，公共线端子VST由与阳极电极ANO相同的材料形成并形成在与阳极电极ANO相同的层处。公共线端子VST经由公共接触孔CPH连接至公共电力线VSS。堤部BA沉积在公共线端子VST上。阴极电极CAT沉积在堤部BA上。公共线端子VST经由通过去除堤部BA的一些部分而形成的公共焊盘接触孔VTH连接至阴极电极CAT。

坝DM形成在公共电力线VSS外侧的堤部BA上。坝DM是用于限定下面描述的封装层ENC的范围的元件。坝DM可以沿围绕显示区域AA的公共电力线VSS的外侧具有预定宽度的屏障肋结构。

在通过沉积阴极电极CAT形成发光二极管OLE之后，封装层ENC沉积在阴极电极CAT上。封装层ENC可以包括顺序堆叠的第一无机层PA1、有机层PCL和第二无机层PA2。第一无机层PA1可以直接沉积在阴极电极CAT上，以与阴极电极CAT形成表面接触。第一无机层PA1沿沟槽TR的凹形状被堆叠、覆盖栅极驱动器200，并且在坝DM上延伸。有机层PCL沉积在第一无机层PA1上，并设置成限于内部区域而不超过坝DM。第二无机层PA2沉积在有机层PCL上。第二无机层PA2覆盖有机层PCL的整个表面，并且在坝DM上延伸。第二无机层PA2在坝DM的上表面和外壁表面上与第一无机层PA1表面接触。因此，有机层PCL可以在第一无机层PA1和第二无机层PA2之间具有密封结构。

对于根据第一实施方式的电致发光显示器，围绕显示区域AA的沟槽TR设置在靠近显示区域AA的非显示区域NDA中。通过去除在显示区域和非显示区域NDA之间连续堆叠的由有机材料制成的堤部BA和平坦化层PL来形成沟槽TR。沟槽TR可以切断从基板110的侧面渗透的异物(诸如水分)从非显示区域NDA扩散至显示区域AA的路径。因此，设置在显示区域AA中的发光元件和驱动元件的性能可以在长时间段内被保护。

<第二实施方式>

在下文中，参照图5，将说明根据第二实施方式的电致发光显示器。图5是示出根据本公开内容的第二实施方式的电致发光显示器的结构的沿图1中的切割线I-I'和II-II'的截面图。图5中所示的电致发光显示器的结构与图4中所示的第一实施方式的结构几乎相同。对附图进行比较，在图5中，存在以下不同之处：没有堆叠钝化层PAS而是在沟槽TR下方还形成有金属保护层PT。

在第二实施方式的描述中，将说明在没有形成钝化层PAS的情况下的沟槽TR的结构。在这种情况下，当在形成有薄膜晶体管ST和DT的基板110的表面上形成平坦化层PL和堤部BA之后形成沟槽TR时，栅极绝缘层GI在沟槽TR的底表面处暴露。

对于栅极绝缘层GI由诸如硅氧化物的氧化物层制成的情况，在沟槽TR的底表面处暴露的栅极绝缘层GI和平坦化层PL之间可能发生剥离现象，这可能导致整个区域上的平坦化层PL的剥落问题。因此，显示器可能被损坏。

为了防止这个问题，优选地在沟槽TR的底部上形成金属保护层PT。在沟槽TR的底部处形成具有氧化层和有机层之间的优异界面特性的金属保护层PT，从而可以防止作为有机层的平坦化层PL的剥落。金属保护层PT直接沉积在平坦化层PL的下方。因此，优选的是金属保护层PT由与源电极SS和DS以及漏电极SD和DD相同的金属材料制成。例如，金属保护层PT可以由与公共电力线VSS相同的材料形成在与公共电力线VSS相同的层上。

在该结构中，金属保护层PT可以具有如下结构：金属保护层PT连接至沿沟槽TR的表面堆叠的阴极电极CAT。因此，当需要时，金属保护层PT可以被配置成连接至公共电力线VSS。

在该结构中，阴极电极CAT连接至围绕基板110的最外周的公共电力线VSS。此外，阴极电极CAT连接至具有与平面图中的沟槽TR基本上相同的宽度和形状的金属保护层PT。特别地，在顶部发光型的情况下，通过应用金属保护层PT，可以通过降低由具有比金属材料高的电阻的透明导电材料形成的阴极电极CAT的电阻来获取优异的图像质量。

在根据第二实施方式的电致发光显示器中，在非显示区域NDA中设置与显示区域AA相邻的沟槽TR以围绕显示区域AA。通过去除由有机材料制成并且在显示区域AA和非显示区域NDA上连续堆叠的堤部BA和平坦化层PL形成沟槽TR。沟槽TR可以切断从基板110的侧面渗透的异物(诸如水分)从非显示区域NDA扩散至显示区域AA的路径。因此，设置在显示区域AA中的发光元件和驱动元件的性能可以在长时间段内被保护。

在上述第一实施方式和第二实施方式中，可以防止从外面渗透的异物(诸如水分)扩散至显示区域AA中。参照沟槽TR的截面结构，沟槽TR可以具有与平坦化层PL和堤部BA的厚度之和相对应的深度。平坦化层PL和堤部BA包括有机材料，并且与其他无机层相比，可以具有相对厚的厚度。因此，当阴极电极CAT沿沟槽TR的形状堆叠时，阴极电极CAT可能薄地堆叠在沟槽TR的侧壁上。

当阴极电极CAT的厚度薄地堆积在围绕显示区域AA的外周的整个沟槽TR的侧壁上时，可能发生以下问题：由于在该薄地沉积的部分处的电阻增加，导致公共电力线VSS的电压增加。可替选地，可能发生发热或由于热而导致的损失。因此，显示器的元件可能被损坏，从而导致可靠性下降，或者可能出现图像的颜色变黄的现象。

在下文中，在第三实施方式和第四实施方式中，将描述包括沟槽TR并且具有如下结构的电致发光显示器：该结构能够通过确保堆叠在沟槽TR的内侧壁上的阴极电极CAT的恒定厚度而通常保持公共电压。

<第三实施方式>

在下文中，参照图6，将说明根据第三实施方式的电致发光显示器。图6是示出根据本公开内容的第三实施方式的电致发光显示器的结构的沿图1中的切割线I-I'和II-II'的截面图。图6中所示的电致发光显示器的结构与图4中所示的第一实施方式的结构几乎相同。对附图进行比较，在沟槽TR的形状方面存在不同之处，并且存在另一不同之处：还包括用于连接至阴极电极CAT的连接图案MT。在下面的描述中，将主要描述具有第三实施方式的主要特性的沟槽TR。下文中未描述但通过附图标记描述的元件的描述与上述描述相同。

沟槽TR包括第一沟槽TR1和第二沟槽TR2。第一沟槽TR1通过去除与预定宽度相对应的平坦化层PL来形成。第二沟槽TR2通过去除堤部BA来形成，该第二沟槽TR2具有等于或大于第一沟槽TR1的宽度的宽度。

特别地，优选地通过在形成有沟槽TR的部分中降低平坦化层PL和堤部BA的高度来形成沟槽TR中的低台阶部分。例如，当形成第一沟槽TR1时，与第一沟槽TR1的宽的宽度相对应的平坦化层PL被去除至一定深度以形成低台阶部分，并且与窄的宽度相对应的剩余平坦化层PL被从低台阶部分去除以暴露设置在平坦化层PL下方的钝化层PAS的一些部分。此后，当形成第二沟槽TR2时，与第二沟槽TR2的宽的宽度相对应的堤部BA被去除至一定深度，以形成低台阶部分，并且与窄的宽度相对应的剩余堤部BA被从低台阶部分去除，以与第一沟槽TR1一起使钝化层PAS的一些部分暴露。

例如，平坦化层PL的水平差可以与平坦化层PL的整个厚度的1/2相对应。此外，堤部BA的水平差可以形成为从钝化层PAS的上表面至低台阶部分的高度对应于从钝化层PAS至平坦化层PL的最上层的高度。

此外，在平坦化层PL处形成的第一沟槽TR1可以包括宽宽度区域和窄宽度区域。同时，在堤部BA处形成的第二沟槽TR2可以包括宽宽度区域和窄宽度区域。第一沟槽TR1的窄宽度区域可以与第二沟槽TR2的窄宽度区域交叠，以形成沟槽TR。

因此，包括第一沟槽TR1和第二沟槽TR2的总沟槽TR的深度可以与平坦化层PL的厚度相对应。在这种情况下，当阴极电极CAT沉积在沟槽TR上时，阴极电极CAT被堆叠，同时覆盖第二沟槽TR2的宽宽度区域，以覆盖沟槽TR。与图4中所示的根据第一实施方式的沟槽TR相比，根据第三实施方式的沟槽TR的侧壁具有低的深度。因此，施加至沟槽TR的侧壁的阴极电极CAT的厚度变薄的问题不会发生。因此，防止了诸如阴极电极CAT的电阻增加、热量的生成或由于热而导致耗散的问题。

此外，在第三实施方式中，还可以在第一沟槽TR1和第二沟槽TR2之间形成连接图案MT。由于连接图案MT形成在平坦化层PL上，因此优选的是，连接图案MT由与阳极电极ANO相同的材料制成。连接图案MT可以设置成与沟槽TR相对应。尽管图中没有示出，但连接图案MT可以与沟槽TR交叠。例如，在平面图中，沟槽TR可以具有围绕显示区域AA的闭环形状。在第三实施方式中，连接图案MT不是必要的元件，并且当需要时可以省略连接图案MT。

此外，连接图案MT可以具有通过物理和电连接至阴极电极CAT来降低阴极电极CAT的电阻的功能。例如，在顶部发光型的情况下，由于阴极电极CAT由透明导电材料制成，因此阴极电极CAT的片状电阻比金属材料的电阻高。同时，连接图案MT由具有与阳极电极ANO相同的高光反射率和低片状电阻的金属材料形成。因此，当阴极电极CAT通过沟槽TR电连接至连接图案MT时，阴极电极CAT的电阻可以降低。

此外，连接图案MT沉积在第一沟槽TR1的内壁和底表面上。因此，当从外面渗透的水分通过平坦化层PL传播至显示区域AA时，水分可以被连接图案MT吸收，同时被第一沟槽TR1阻挡。因此，连接图案MT具有阻挡或延迟水分的传播的效果。

<第四实施方式>

在下文中，参照图7，将说明根据第四实施方式的电致发光显示器。图7是示出根据本公开内容的第四实施方式的电致发光显示器的结构的沿图1中的切割线I-I'和II-II'的截面图。图7中所示的电致发光显示器的结构与图6中所示的结构几乎相同。对附图进行比较，存在以下不同之处：不存在钝化层PAS，但在沟槽TR下方还包括金属保护层PT。下文中未描述但通过附图标记描述的元件的描述与上述描述相同。

如在第四实施方式中，当没有形成钝化层PAS时，在其上形成有薄膜晶体管ST和DT的基板110的表面上形成平坦化层PL和堤部BA。这之后，当形成沟槽TR时，沟槽TR的底表面使栅极绝缘层GI暴露。当栅极绝缘层GI由诸如硅氧化物的氧化物膜制成时，在栅极绝缘层GI和在沟槽TR的底表面上暴露的平坦化层PL之间发生剥离，并且然后发生剥落。使得整个显示器可能被损坏。

为了防止这个问题，优选的是可以在沟槽TR的底部处形成金属保护层PT。在沟槽TR的底部处形成具有氧化物层和有机层之间的优异界面特性的金属保护层PT。因此，可以防止作为有机层的平坦化层PL被剥落。金属保护层PT可以设置在平坦化层PL的下方。因此，优选的是金属保护层PT可以由与源电极SS和DS以及漏电极SD和DD相同的金属材料制成。例如，金属保护层PT可以由与公共电力线VSS相同的材料形成，并且与公共电力线VSS设置在相同层上。

通过这种结构，金属保护层PT可以连接至沿沟槽TR的表面堆叠的阴极电极CAT。因此，当需要时，金属保护层PT可以连接至公共电力线VSS。

在还包括连接图案MT的结构中，金属保护层PT物理和电连接至连接图案MT。在这种情况下，阴极电极CAT可以通过连接图案MT电连接至金属保护层PT。另外，在这种情况下，金属保护层PT可以连接至公共电力线VSS。

在根据第四实施方式的电致发光显示器中，在非显示区域NDA中，沟槽TR设置成与显示区域AA相邻，并且围绕显示区域AA。通过去除由有机材料制成并且连续沉积在显示区域AA和非显示区域NDA上的堤部BA和平坦化层PL来形成沟槽TR。沟槽TR可以切断从基板110的侧面渗透的异物(诸如水分)可以从非显示区域NDA扩散至显示区域AA的路径。此外，通过用连接图案MT覆盖沟槽TR的内壁和用金属保护层PT覆盖沟槽TR的底表面，可以阻挡通过有机材料进行传播的水分路径。此外，由于沟槽TR，可以防止平坦化层PL的剥落。因此，设置在显示区域AA中的发光元件和驱动元件的性能可以在长时间段内被保护。

<第五实施方式>

在下文中，参照图8，将说明根据第五实施方式的电致发光显示器。图8是示出根据本公开内容的第五实施方式的电致发光显示器的结构的沿图1中的切割线I-I'和II-II'的截面图。图8中所示的电致发光显示器的结构与图4中所示的第一实施方式的结构几乎相同。对附图进行比较，在沟槽TR的形状方面存在不同之处，以及在连接图案MT和阴极电极CAT之间的连接结构方面存在不同之处。在下面的描述中，将主要描述第五实施方式的主要特性。下文未描述但通过附图标记描述的元件的描述与上述描述相同。

沟槽TR包括第一沟槽TR1、连接图案MT和第二沟槽TR2。第一沟槽TR1可以通过去除平坦化层PL的与预定宽度相对应的一些部分来形成。第二沟槽TR2可以以从第一沟槽TR1延伸的方式通过去除堤部BA来形成。连接图案MT设置在平坦化层PL与堤部BA之间，并且具有用于覆盖第一沟槽TR1的形状。

例如，第一沟槽TR1可以通过去除平坦化层PL的与预定宽度相对应的一些部分来形成，以使平坦化层PL下方设置的钝化层PAS的一些部分暴露。第二沟槽TR2以与第一沟槽TR1交叠的方式通过去除堤部BA来形成，以与第一沟槽TR1一起使钝化层PAS的一些部分暴露。

连接图案MT可以包括第一平面部分M1、第二平面部分M2和连接部分ML。第一平面部分M1可以设置在第一沟槽TR1的第一侧处设置的平坦化层PL的上表面处，其中，第一侧靠近显示区域AA。第二平面部分M2可以设置在第一沟槽TR1的第二侧处设置的平坦化层PL的上表面上，其中，第二侧靠近基板110的外侧。连接部分ML可以连接第一平面部分M1和第二平面部分M2。特别地，连接部分ML可以沿第一沟槽TR1的内侧壁和底表面沉积。

连接图案MT形成在平坦化层PL上。堤部BA可以包括第二沟槽TR2、第一接触孔H1和第二接触孔H2。第二沟槽TR2可以以第二沟槽TR2从第一沟槽TR1扩展的方式通过去除堤部BA中的一些来形成。第一接触孔H1可以使连接图案MT的第一平面部分M1中的一些暴露。第二接触孔H2可以使连接图案MT的第二平面部分M2中的一些暴露。

当阴极电极CAT沉积在具有沟槽TR结构的基板110上时，阴极电极CAT以沉积在基板110上的方式从显示区域AA延伸至非显示区域NDA。阴极电极CAT通过第一接触孔H1接触连接图案MT的第一平面部分M1，以及通过第二接触孔H2接触连接图案MT的第二平面部分M2。然而，优选地不将阴极电极CAT沉积在沟槽TR中。

例如，在阴极电极CAT沉积在整个基板110上之后，堆叠在沟槽TR中的阴极电极CAT可以被蚀刻并被去除。对于另一示例，可以使用阻挡沟槽TR的掩模将阴极电极CAT沉积在整个基板110上。

因此，由于阴极电极CAT没有沉积在沟槽TR的侧壁上，所以在沟槽TR的侧壁处不会发生阴极电极CAT的厚度变薄的问题。另一方面，阴极电极CAT通过第一接触孔H1和第二接触孔H2连接至连接图案MT，使得阴极电极CAT可以连接至设置在非显示区域NDA中的公共电力线VSS。因此，从基板110的显示区域AA延伸至非显示区域NDA的阴极电极CAT可以在没有形成在沟槽TR的侧壁上的情况下保持连续性。因此，通过不形成可能增加阴极电极CAT的电阻的部分，可以防止诸如热生成或由于热而导致的损失的问题。

连接图案MT可以通过物理和电连接至阴极电极CAT来起到降低阴极电极CAT的电阻的作用。例如，在顶部发光型的情况下，由于阴极电极CAT由透明导电材料制成，因此阴极电极CAT的片状电阻高于金属材料的电阻。同时，连接图案MT由具有与阳极电极ANO相同的高光反射率和低片状电阻的金属材料形成。因此，当阴极电极CAT通过第一接触孔H1和第二接触孔H2电连接至连接图案MT时，阴极电极CAT的电阻可以降低。

此外，连接图案MT沉积在第一沟槽TR1的内壁和底表面上。因此，当从外面渗透的水分通过平坦化层PL传播至显示区域AA时，水分可以被连接图案MT吸收并且被第一沟槽TR1阻挡。因此，连接图案MT具有阻挡或延迟水分的传播的效果。

<第六实施方式>

在下文中，参照图9，将说明根据第六实施方式的电致发光显示器。图9是示出根据本公开内容的第六实施方式的电致发光显示器的结构的沿图1中的切割线I-I'和II-II'的截面图。图9中所示的电致发光显示器的结构与图8中所示的结构几乎相同。对附图进行比较，存在以下不同之处：不存在钝化层PAS，但在沟槽TR的下部处形成金属保护层PT。下文未描述但通过附图标记描述的元件的描述与上述描述相同。

如第六实施方式中，当没有形成钝化层PAS时，在其上形成有薄膜晶体管ST和DT的基板110的表面上形成平坦化层PL和堤部BA。在这之后，当形成沟槽TR时，沟槽TR的底表面使栅极绝缘层GI中的一些暴露。当栅极绝缘层GI由诸如硅氧化物的氧化物膜制成时，栅极绝缘层GI和在沟槽TR的底表面上暴露的平坦化层PL之间发生剥离，并且然后发生剥落。因此整个显示器可能被损坏。

为了防止该问题，优选的是可以在沟槽TR底部处形成金属保护层PT，在沟槽TR的底部处形成具有氧化物层与有机层之间的优异界面特性的金属保护层PT。从而可以防止作为有机层的平坦化层PL被剥落。金属保护层PT可以设置在平坦化层PL下方。因此，优选的是金属保护层PT可以由与源电极SS和DS以及漏电极SD和DD相同的金属材料制成。例如，金属保护层PT可以由与公用电力线VSS相同的材料形成并且设置在与公用电力线VSS相同的层上。

通过这种结构，金属保护层PT可以连接至沿第一沟槽TR1的表面堆叠的连接图案MT。由于连接图案MT连接至阴极电极CAT，因此金属保护层PT电连接至阴极电极CAT。因此，当需要时，金属保护层PT可以连接至公共电力线VSS。

在根据第六实施方式的电致发光显示器中，在非显示区域NDA中沟槽TR设置成与显示区域AA相邻，并且围绕显示区域AA。通过去除由有机材料制成并且连续沉积在显示区域AA和非显示区域NDA上的堤部BA和平坦化层PL来形成沟槽TR。沟槽TR可以切断从基板110的侧面渗透的异物(诸如水分)可以从非显示区域NDA扩散至显示区域AA的路径。此外，通过用连接图案MT覆盖沟槽TR的内壁和用金属保护层PT覆盖沟槽TR的底表面，可以阻挡通过有机材料进行传播的水分路径。此外，由于沟槽TR，因此可以防止平坦化层PL的剥落。因此，设置在显示区域AA中的发光元件和驱动元件的性能可以在长时间段内被保护。

<第七实施方式>

在下文中，参照图10和图11，将说明根据第七实施方式的电致发光显示器。图10是示出根据本公开内容的第七实施方式的电致发光显示器的结构的平面图。图11是示出根据本公开内容的第七实施方式的电致发光显示器的结构的沿图10中的切割线I-I'和II-II'的截面图。参照图10和图11中所示的电致发光显示器的结构，其具有与图1或图9的结构非常相似的结构。存在以下不同之处：在基板110上还包括辅助线LS。下文未描述但通过附图标记描述的元件的描述与上述描述相同。

参照图10，在显示区域AA中，还包括内公共线IVS。内公共线IVS可以具有从基板110的上侧延伸至下侧的段的形状。例如，内公共线IVS可以设置为与数据线DL和驱动电流线VDD平行。数据线DL和驱动电流线VDD可以设置在每个像素列处。然而，可以针对若干像素列中的每一列设置一条内公共线IVS。

例如，数据线DL可以延伸至焊盘部300，以及数据焊盘可以设置在数据线DL的端部处。驱动电流线VDD可以连接至驱动电流供应线VDS，该驱动电流供应线VDS设置为靠近基板110的下侧处设置的沟槽TR的外侧。内公共线IVS可以与驱动电流线VDD平行，并且延伸至沟槽TR。为了使内公共线IVS经由驱动电流供应线VDS连接至公共电力线VSS，优选地使用设置在另一层上的连接线。

参照图11，内公共线IVS可以由与源电极SS和DS以及漏电极SD和DD相同的材料形成在相同的层上。例如，内公共线IVS可以设置成与显示区域AA中的数据线DL平行。在这种情况下，优选地将设置在显示区域AA的内公共线IVS连接至设置在非显示区域NDA的公共电力线VSS。

首先在基板110上形成用于连接设置在显示区域AA中的内公共线IVS和设置在非显示区域NDA中的公共电力线VSS的辅助线LS。在辅助线LS上，缓冲层BUF可以沉积为覆盖基板110的整个表面。

在缓冲层BUF上，可以形成如图9中所示的元件。例如，在显示区域AA中形成开关薄膜晶体管ST、驱动薄膜晶体管DT和发光二极管OLE。在非显示区域NDA中形成沟槽TR、栅极驱动器200和公共电力线VSS。

此外，在像素P的一些列的一侧处，内公共线IVS还设置在显示区域AA中。如图10中所示，内公共线IVS可以从设置在基板110的上侧处的沟槽TR延伸至设置在基板110的下侧处的沟槽TR。特别地，如图11中所示，金属保护层PT可以形成在沟槽TR的底表面上。内公共线IVS可以形成为用于连接金属保护层PT的图案。

对于另一示例，内公共线IVS可以由辅助线LS形成。在这种情况下，作为内公共线的辅助线LS可以经由穿透金属保护层PT下方设置的栅极绝缘层GI和缓冲层BUF的接触孔连接至形成在沟槽TR处的金属保护层PT。

对于用于将金属保护层PT连接至公共电力线VSS的另一示例，可以使用辅助线LS。金属保护层PT可以设置在与沟槽TR相同的位置处。为了将形成为与沟槽TR交叠的金属保护层PT连接至设置在基板110的最外侧的公共电力线VSS，连接线应当跨栅极驱动器200和/或驱动电流线VDS。因此，使用形成在缓冲层BUF下方的辅助线LS，金属保护层PT可以连接至公共电力线VSS。

在第七实施方式中，通过将形成在沟槽TR处的金属保护层PT和内公共线IVS连接至公共电力线VSS，阴极电极CAT可以经由各种接触点连接至公共电力线VSS。以这种方式，由于阴极电极CAT用大量的接触点连接至公共电力线VSS，因此接触电阻可以尽可能地减小，并且因此，阴极电极CAT的电阻可以稳定地降低。

在根据第七实施方式的电致发光显示器中，在非显示区域NDA中，沟槽TR设置成与显示区域AA相邻，并且围绕显示区域AA。通过去除由有机材料制成并且连续沉积在显示区域AA和非显示区域NDA上的堤部BA和平坦化层PL来形成沟槽TR。沟槽TR可以切断从基板110的侧面渗透的异物(诸如水分)可以从非显示区域NDA扩散至显示区域AA的路径。此外，通过用连接图案MT覆盖沟槽TR的内壁和用金属保护层PT覆盖沟槽TR的底表面，可以阻挡通过有机材料进行传播的水分路径。此外，由于沟槽TR，因此可以防止平坦化层PL的剥落。因此，设置在显示区域AA中的发光元件和驱动元件的性能可以在长时间段内被保护。

在本公开内容的上面示例性实施方式中所描述的特征、结构、效果等被包括在本公开内容的至少一个示例性实施方式中，并且不一定只限于一个示例性实施方式。此外，可以由本公开内容所涉及的领域中的技术人员在相对于其他示例性实施方式的组合或修改中实现至少一个示例性实施方式中所说明的特征、结构、效果等。因此，这样的组合和变型应当被解释为包括在本公开内容的范围内。

对于本领域技术人员将明显的是在不脱离本公开内容的精神和范围的情况下，在本公开内容的范围内可以进行各种替换、修改以及变型。因此，本公开内容的实施方式旨在涵盖本公开内容的各种替换、修改以及变型，只要替换、修改以及变型落在所附权利要求及其等同物的范围内。根据上面详细描述，可以对实施方式进行这些和其他改变。一般，在所附权利要求中，使用的术语不应当被解释为将权利要求限制在说明书和权利要求中公开的具体示例实施方方式，而应当被解释为包括所有可能的实施方式以及这样的权利要求有权获得的等同物的完整范围。因此，权利要求不受本公开内容限制。

Claims (19)

1.一种电致发光显示器，包括：

包括显示区域和非显示区域的基板，所述非显示区域设置在所述显示区域周围；

在所述显示区域和所述非显示区域中的平坦化层；

堤部，所述堤部设置在所述显示区域和所述非显示区域中的所述平坦化层上；

阴极电极，所述阴极电极设置在所述显示区域和所述非显示区域中的所述堤部上；

沟槽，所述沟槽以围绕所述显示区域的方式设置在所述非显示区域中；以及

公共电力线，所述公共电力线在所述沟槽的外侧围绕所述显示区域，并且连接至所述阴极电极，

其中，所述沟槽具有使设置在所述平坦化层下方的薄膜层的上部暴露的凹陷形状。

2.根据权利要求1所述的电致发光显示器，还包括：

钝化层，所述钝化层设置在所述显示区域和所述非显示区域中，并且接触所述平坦化层的底表面。

3.根据权利要求1所述的电致发光显示器，还包括：

金属保护层，所述金属保护层在所述平坦化层下方与所述沟槽交叠，并且包括与所述公共电力线相同的材料。

4.根据权利要求1所述的电致发光显示器，还包括：

连接图案，所述连接图案设置在所述平坦化层与设置有所述沟槽的所述堤部之间，并且电连接至所述公共电力线，

其中，所述连接图案包括：

第一平面部分，所述第一平面部分设置在所述沟槽的靠近所述显示区域的第一侧处的所述平坦化层的上表面处；

第二平面部分，所述第二平面部分设置在所述沟槽的靠近所述基板外侧的第二侧处的所述平坦化层的上表面处；以及

连接部分，所述连接部分连接所述第一平面部分和所述第二平面部分并且设置在所述沟槽的内侧壁处。

5.根据权利要求4所述的电致发光显示器，其中，所述阴极电极电连接至从所述沟槽暴露的所述连接图案。

6.根据权利要求4所述的电致发光显示器，其中，所述堤部包括：

第一接触孔，所述第一接触孔使所述第一平面部分的一部分暴露；以及

第二接触孔，所述第二接触孔使所述第二平面部分的一部分暴露，

其中，除从所述沟槽暴露的所述连接部分之外，所述阴极电极经由所述第一接触孔连接至所述第一平面部分，并且经由所述第二接触孔连接至所述第二平面部分。

7.根据权利要求1所述的电致发光显示器，还包括：

公共线端子，所述公共线端子设置在所述非显示区域中的所述平坦化层上，并且经由使所述公共电力线的部分暴露的公共接触孔连接至所述公共电力线，

其中，所述阴极电极经由在所述堤部处形成的公共焊盘接触孔连接至所述公共线端子。

8.根据权利要求1所述的电致发光显示器，还包括：

薄膜晶体管，所述薄膜晶体管形成在所述基板的所述显示区域中；

阳极电极，所述阳极电极形成在所述显示区域中的所述平坦化层上；以及

发光层，所述发光层在所述显示区域中的所述阳极电极和所述堤部上。

9.一种电致发光显示器，包括：

基板；

在所述基板上的无机层；

在所述无机层上的第一有机层；

在所述第一有机层处形成的第一沟槽；

在所述第一有机层上的覆盖所述第一沟槽的连接图案；

在所述第一有机层和所述连接图案上的第二有机层；

第二沟槽，所述第二沟槽形成在所述第二有机层处并且使所述连接图案暴露；

第一接触孔，所述第一接触孔使所述第二有机层处的所述第二沟槽的一侧处的所述连接图案的第一部分暴露；

第二接触孔，所述第二接触孔使所述第二有机层处的所述第二沟槽的另一侧处的所述连接图案的第二部分暴露；以及

阴极电极，所述阴极电极经由所述第一接触孔连接至所述连接图案的第一部分，并且经由所述第二接触孔连接至所述连接图案的第二部分，以在所述第二沟槽处断开。

10.根据权利要求9所述的电致发光显示器，其中，所述第一沟槽和所述第二沟槽在所述基板的垂直方向上彼此交叠。

11.根据权利要求9所述的电致发光显示器，还包括：

公共电力线，所述公共电力线设置在所述第二部分外侧的所述第一有机层下方，

其中，所述阴极电极电连接至所述公共电力线。

12.根据权利要求9所述的电致发光显示器，其中，所述基板包括显示区域和非显示区域，所述非显示区域围绕所述显示区域，以及

其中，所述第一沟槽和所述第二沟槽以靠近所述显示区域的方式设置在所述非显示区域中。

13.根据权利要求12所述的电致发光显示器，其中，所述第一沟槽和所述第二沟槽具有围绕所述显示区域的闭环形状，

其中，所述第一接触孔具有围绕所述显示区域的闭环形状，并且设置在所述显示区域与所述第一沟槽和所述第二沟槽之间，以及

其中，所述第二接触孔具有在所述第一沟槽和所述第二沟槽的外侧围绕所述第一沟槽和所述第二沟槽的闭环形状。

14.根据权利要求12所述的电致发光显示器，其中，所述显示区域包括多个像素，

其中，每个像素包括驱动元件和连接至所述驱动元件的发光元件，以及

其中，所述发光元件包括：

在所述第一有机层上的阳极电极；

在所述阳极电极上的发光层；以及

在所述发光层上的阴极电极。

15.根据权利要求9所述的电致发光显示器，其中，所述无机层包括硅氮化物材料。

16.根据权利要求9所述的电致发光显示器，其中，所述无机层包括与公共电力线相同的材料，所述公共电力线设置在所述第二部分外侧的所述第一有机层下方。

17.根据权利要求16所述的电致发光显示器，还包括：

在所述无机层下方的缓冲层；以及

形成在所述基板上、所述缓冲层下方的导电层，

其中，所述连接图案连接至所述导电层。

18.一种电致发光显示器，包括：

基板；

在所述基板上的无机层；

在所述无机层上的第一有机层；

在所述第一有机层处形成的第一沟槽；

在所述第一有机层上的覆盖所述第一沟槽的连接图案；

在所述第一有机层和所述连接图案上的第二有机层；

第二沟槽，所述第二沟槽形成在所述第二有机层处并且使所述连接图案暴露；以及

阴极电极，所述阴极电极连接至所述连接图案。

19.根据权利要求18所述的电致发光显示器，还包括：

金属保护层，所述金属保护层在所述第一有机层下方与所述第一沟槽和所述第二沟槽交叠。