CN117409828A - 一种存储器、控制装置、时钟处理方法和电子设备 - Google Patents
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Abstract
本公开实施例提供了一种存储器、控制装置、时钟处理方法和电子设备,存储器中的时钟处理电包括:占空比模块,配置为对数据时钟信号进行占空比调节,输出内部时钟信号;第一时钟产生模块,配置为接收内部时钟信号,基于内部时钟信号,输出第一读时钟信号;第一读时钟信号为脉冲信号;第二时钟产生模块,配置为产生并输出第二读时钟信号;第二读时钟信号仅存在一个电平状态变化沿;选择模块,配置为接收第一读时钟信号和第二读时钟信号,将第一读时钟信号和第二读时钟信号的两者之一输出为目标读时钟信号。这样,在内部时钟信号发生占空比畸变的情况下,可以选择具有单个电平变化沿的第二读时钟信号作为目标读时钟信号,避免数据锁存失败。
Description
技术领域
本公开涉及半导体存储器技术领域,尤其涉及一种存储器、控制装置、时钟处理方法和电子设备。
背景技术
在电子设备中,中央处理器(Central Processing Unit,CPU)向存储器发送读指令,然后接收存储器返回的读时钟信号和读数据信号,利用读时钟信号对读数据信号进行锁存处理,以便得到所需的数据。然而,在存储器对时钟信号进行占空比调整的过程中,中央处理器需要通过读取存储器中相应的模式寄存器获得时钟信号的占空比参数,然而这一过程中存储器内部的时钟信号可能是畸变的,进而存储器返回给中央控制器的读时钟信号也是畸变的,导致中央处理器获得错误的数据,最终导致时钟信号的占空比调整失败。
发明内容
本公开提供了一种存储器、控制装置、时钟处理方法和电子设备,在存储器的内部时钟信号占空比畸变的情况下,可以选择具有单个电平变化沿的第二读时钟信号作为目标读时钟信号,避免数据锁存失败。
本公开的技术方案是这样实现的:
第一方面,本公开实施例提供了一种存储器,所述存储器包括时钟处理电路,所述时钟处理电路包括:
占空比模块,配置为接收外部产生的数据时钟信号;对所述数据时钟信号进行占空比调节,输出内部时钟信号;
第一时钟产生模块,配置为接收所述内部时钟信号,基于所述内部时钟信号,输出第一读时钟信号;其中,所述第一读时钟信号为脉冲信号;
第二时钟产生模块,配置为在所述第一读时钟信号的存在期间,产生并输出第二读时钟信号;其中,所述第二读时钟信号仅存在一个电平状态变化沿;
选择模块,配置为接收所述第一读时钟信号和所述第二读时钟信号,将所述第一读时钟信号和所述第二读时钟信号的两者之一输出为目标读时钟信号。
在一些实施例中,所述时钟处理电路还包括检测模块和模式寄存器;其中,所述检测模块,配置为接收所述内部时钟信号,对所述内部时钟信号进行占空比检测,输出占空比参数;所述模式寄存器,配置为接收并存储所述占空比参数。
在一些实施例中,所述选择模块,具体配置为接收选择指示信号,在所述选择指示信号处于第一状态的情况下,将所述第一读时钟信号输出为目标读时钟信号;或者,在所述选择指示信号处于第二状态的情况下,将所述第二读时钟信号输出为目标读时钟信号。
在一些实施例中,所述存储器,配置为接收数据读指令;基于所述数据读指令,输出读数据信号,并通过所述时钟处理电路输出所述目标读时钟信号;其中,所述目标读时钟信号用于锁存所述读数据信号,且所述第二读时钟信号的电平状态变化沿指示所述读数据信号中有效数据的结束时刻。
在一些实施例中,所述存储器,还配置为在所述数据读指令为第一读指令的情况下,将所述选择指示信号置为第一状态;或者,在所述数据读指令为第二读指令的情况下,将所述选择指示信号置为第二状态;其中,所述第二读指令指示获取所述时钟处理电路中模式寄存器的占空比参数,所述第一读指令是指除所述第二读指令之外的数据读取指令。
在一些实施例中,所述存储器,还配置为在所述数据读指令为第一读指令的情况下,将所述选择指示信号置为第一状态;或者,在所述数据读指令为第二读指令且所述内部时钟信号的占空比处于预设范围的情况下,将所述选择指示信号置为第一状态;或者,在所述数据读指令为第二读指令且所述内部时钟信号的占空比并非处于预设范围的情况下,将所述选择指示信号置为第二状态。
在一些实施例中,所述第一读时钟信号包括8个时钟周期,所述第二读时钟信号的电平状态变化沿与所述第一读时钟信号中的第5个时钟周期的上升沿对齐;其中,所述第二读时钟信号的电平状态变化沿是指所述第二读时钟信号由低电平状态变化为高电平状态。
在一些实施例中,所述占空比模块包括:接收模块,配置为从外部接收并输出所述数据时钟信号;调节模块,配置为对所述数据时钟信号进行占空比调节,输出所述内部时钟信号。
在一些实施例中,所述数据时钟信号为写时钟信号。
第二方面,本公开实施例提供了一种控制装置,所述控制装置与存储器连接;其中,
所述控制装置,配置为向所述存储器发送数据读指令;以及,接收所述存储器返回的读数据信号和目标读时钟信号,利用所述目标读时钟信号对所述读数据信号进行锁存处理;
其中,所述目标读时钟信号为第一读时钟信号或者第二读时钟信号,所述第一读时钟信号为脉冲信号,所述第二读时钟信号仅存在一个电平状态变化沿。
在一些实施例中,所述控制装置,具体配置为在所述数据读指令为第一读指令的情况下,接收所述存储器返回的第一读时钟信号,利用所述第一读时钟信号对所述读数据信号进行锁存处理;或者,在所述数据读指令为第二读指令的情况下,接收所述存储器返回的第二读时钟信号,利用所述第二读时钟信号的电平状态变化沿对所述读数据信号进行锁存处理;其中,所述存储器包括时钟处理电路,所述第二读指令指示获取所述时钟处理电路中模式寄存器的占空比参数,所述第一读指令指示除所述第二读指令之外的数据读取指令。
在一些实施例中,所述控制装置,还配置为在所述数据读指令为第二读指令的情况下,接收所述存储器返回的第一读时钟信号,利用所述第一读时钟信号的电平状态变化沿对所述读数据信号进行锁存处理。
第三方面,本公开实施例提供了一种时钟处理方法,应用于存储器,所述方法包括:
接收外部产生的数据时钟信号;对所述数据时钟信号进行占空比调节,确定内部时钟信号;
基于所述内部时钟信号,确定第一读时钟信号;其中,所述第一读时钟信号为脉冲信号;
在所述第一读时钟信号的存在期间,产生第二读时钟信号;其中,所述第二读时钟信号仅存在一个电平状态变化沿;
将所述第一读时钟信号和所述第二读时钟信号的两者之一输出为目标读时钟信号。
在一些实施例中,所述存储器包括模式寄存器,所述方法还包括:
对所述内部时钟信号进行占空比检测,得到占空比参数;将所述占空比参数存储至所述模式寄存器。
在一些实施例中,所述存储器与控制装置连接,所述将所述第一读时钟信号和所述第二读时钟信号的两者之一输出为目标读时钟信号,包括:
在接收到控制装置发送的第一读指令的情况下,基于所述第一读指令确定读数据信号,并将所述第一读时钟信号确定为目标读时钟信号;在接收到控制装置发送的第二读指令的情况下,基于所述第二读指令确定所述读数据信号,并将所述第二读时钟信号确定为目标读时钟信号;其中,所述目标读时钟信号用于锁存所述读数据信号,所述第二读指令指示获取所述模式寄存器的占空比参数,所述第一读指令指示除所述第二读指令之外的数据读取指令。
在一些实施例中,所述存储器与控制装置连接,所述将所述第一读时钟信号和所述第二读时钟信号的两者之一输出为目标读时钟信号,包括:
在接收到所述控制装置发送的第一读指令的情况下,基于所述第一读指令确定读数据信号,并将所述第一读时钟信号确定为目标读时钟信号;在接收到所述控制装置发送的第二读指令且所述占空比参数处于预设范围的情况下,基于所述第二读指令确定读数据信号,并将所述第一读时钟信号确定为目标读时钟信号;在接收到控制装置发送的第二读指令且所述占空比参数并非处于预设范围的情况下,基于所述第二读指令确定所述读数据信号,并将所述第二读时钟信号确定为目标读时钟信号;其中,所述目标读时钟信号用于锁存所述读数据信号,所述第二读指令指示获取所述模式寄存器的占空比参数,所述第一读指令指示除所述第二读指令之外的数据读取指令。
第四方面,本公开实施例提供了一种电子设备,所述电子设备至少包括如第一方面所述的存储器和如第二方面所述的控制装置。
本公开实施例提供了一种存储器、控制装置、时钟处理方法和电子设备,存储器包括时钟处理电路,时钟处理电路包括:占空比模块,配置为接收外部产生的数据时钟信号;对数据时钟信号进行占空比调节,输出内部时钟信号;第一时钟产生模块,配置为接收内部时钟信号,基于内部时钟信号,输出第一读时钟信号;其中,第一读时钟信号为脉冲信号;第二时钟产生模块,配置为在第一读时钟信号的存在期间,产生并输出第二读时钟信号;其中,第二读时钟信号仅存在一个电平状态变化沿;选择模块,配置为接收第一读时钟信号和第二读时钟信号,将第一读时钟信号和第二读时钟信号的两者之一输出为目标读时钟信号。这样,在存储器的内部时钟信号发生占空比畸变的情况下,可以选择具有单个电平变化沿的第二读时钟信号作为目标读时钟信号,避免数据锁存失败。
附图说明
图1为MRR指令的操作时序示意图;
图2为一种时钟处理电路的结构示意图;
图3为一种读时钟信号的波形示意图;
图4为本公开实施例提供的一种存储器的结构示意图;
图5为本公开实施例提供的一种时钟处理电路的局部结构示意图一;
图6为本公开实施例提供的一种时钟处理电路的局部结构示意图二;
图7为本公开实施例提供的一种数据锁存处理的信号波形示意图;
图8为本公开实施例提供的一种时钟处理电路的工作过程示意图;
图9为本公开实施例提供的一种控制装置的结构示意图;
图10为本公开实施例提供的一种时钟处理方法的流程示意图;
图11为本公开实施例提供的一种电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本公开实施例中的附图,对本公开实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。可以理解的是,此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关申请,而非对该申请的限定。另外还需要说明的是,为了便于描述,附图中仅示出了与有关申请相关的部分。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本公开的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中所使用的术语只是为了描述本公开实施例的目的,不是旨在限制本公开。
在以下的描述中,涉及到“一些实施例”,其描述了所有可能实施例的子集,但是可以理解,“一些实施例”可以是所有可能实施例的相同子集或不同子集,并且可以在不冲突的情况下相互结合。
需要指出,本公开实施例所涉及的术语“第一\第二\第三”仅是用于区别类似的对象,不代表针对对象的特定排序,可以理解地,“第一\第二\第三”在允许的情况下可以互换特定的顺序或先后次序,以使这里描述的本公开实施例能够以除了在这里图示或描述的以外的顺序实施。
DRAM(Dynamic Random Access Memory):动态随机存取存储器
SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory):同步动态随机存储器
MRR(Mode Register Read):模式寄存器读指令
Mbps(Million bits per second):兆比特每秒
NMOS(N-Metal-Oxide-Semiconductor):N型沟道场效应晶体管
PMOS(P-Metal-Oxide-Semiconductor):N型沟道场效应晶体管
在存储器(例如DRAM)中,MRR指令和正常读指令采用完全一样的操作时序。参见图1,其示出了MRR指令的操作时序示意图。在图1中,T0、T1……用于标识不同的时钟周期,CK_c和CK_t是一对差分时钟信号,CS为片选信号,CA为命令地址信号,COMMAND指示操作指令,DQ[7:0]为8位存储器的数据信号,DQ[15:0]为16位存储器的数据信号,数据时钟信号WCK是电子设备的主机端(Host)发送给存储器的外部写时钟信号,在不同的电路位置可能表现为单个信号或者一对差分时钟信号WCK_c和WCK_t;读时钟信号RDQS是存储器向电子设备输出的时钟信号,在不同的电路位置可能表现为单个信号或者一对差分时钟信号RDQS_c和RDQS_t。具体来说,在存储器接收到CPU发送的MRR指令后,生成数据信号DQ(也可以称为读数据信号),以及利用从外部接收的数据时钟信号WCK产生读时钟信号RDQS。在数据读指令的执行过程中,存储器将读数据信号DQ和读时钟信号RDQS共同返回给CPU,然后CPU利用读时钟信号RDQS锁存读数据信号DQ,从而获得需要的数据。另外,图1为电子装置工程设计联合协会(JEDEC)标准规定的标准时序,其中各信号的含义、相关变化的原理以及未经提及的部分名词缩写均可参照行业标准文件JEDEC进行理解,且与本公开实施例的技术方案无关,不会影响技术人员对本公开实施例的理解,因此不作解释。
存储器中设置有时钟处理电路,用于对数据时钟信号WCK0(包括一对互补的信号WCK_c/WCK_t)的占空比进行调整,以使得数据时钟信号WCK0的占空比符合要求。参见图2,其示出了一种时钟处理电路的结构示意图。如图2所示,在时钟处理电路中,接收模块用于从外部接收数据时钟信号WCK0,调节模块对数据时钟信号WCK进行占空比调整以得到内部时钟信号WCK1,检测模块用于检测内部时钟信号WCK1的占空比参数并将其存储在模式寄存器中。同时,在存储器进行占空比调整的过程中,CPU发送MRR指令读取模式寄存器中的占空比参数,从而决定下一步的操作。在一种示例的情况中,如图2所示,假设外部输入的数据时钟信号WCK0的占空比为JEDEC规定的上限57%,在占空比调整的初始步骤中,占空比调节模块将数据时钟信号WCK0的占空比增加7个单位(JEDEC规定的上限,且每个单位为5皮秒),即增加了35皮秒,相当于在8533Mbps的速度下将占空比增加15%,此时存储器中的内部时钟信号WCK1的占空比将高达72%,利用其产生的读时钟信号RDQS的占空比也将高达72%。此时,参见图3,其示出了一种读时钟信号的波形示意图。如图3所示,占空比高达72%的读时钟信号RDQS在传输过程中经过通道衰减,在到达CPU接收端时会严重畸变,导致很难被CPU正确识别,即MRR指令可能得到错误的数据,最终导致占空比调整失败。如果存储器的速度更高,这一问题将更加严重。
基于此,本公开实施例提供了一种存储器,该存储器包括时钟处理电路,时钟处理电路包括:占空比模块,配置为接收外部产生的数据时钟信号;对数据时钟信号进行占空比调节,输出内部时钟信号;第一时钟产生模块,配置为接收内部时钟信号,基于内部时钟信号,输出第一读时钟信号;其中,第一读时钟信号为脉冲信号;第二时钟产生模块,配置为在第一读时钟信号的存在期间,产生并输出第二读时钟信号;其中,第二读时钟信号仅存在一个电平状态变化沿;选择模块,配置为接收第一读时钟信号和第二读时钟信号,将第一读时钟信号和第二读时钟信号的两者之一输出为目标读时钟信号。这样,在存储器的内部时钟信号发生占空比畸变的情况下,可以选择具有单个电平变化沿的第二读时钟信号作为目标读时钟信号,避免数据锁存失败。
下面将结合附图对本公开各实施例进行详细说明。
在本公开的一实施例中,参见图4,其示出了本公开实施例提供的一种存储器10的结构示意图。如图4所示,存储器10包括时钟处理电路20,时钟处理电路20包括:
占空比模块21,配置为接收外部产生的数据时钟信号;对数据时钟信号进行占空比调节,输出内部时钟信号;
第一时钟产生模块22,配置为接收内部时钟信号,基于内部时钟信号,输出第一读时钟信号;其中,第一读时钟信号为脉冲信号;
第二时钟产生模块23,配置为在第一读时钟信号的存在期间,产生并输出第二读时钟信号;其中,第二读时钟信号仅存在一个电平状态变化沿;
选择模块24,配置为接收第一读时钟信号和第二读时钟信号,将第一读时钟信号和第二读时钟信号的两者之一输出为目标读时钟信号。
需要说明的是,本公开实施例中存储器10可以为多种类型的半导体存储器,例如DRAM、SDRAM、双倍速率DRAM、低功率双倍速率DRAM等。
在存储器10中同时设置有第一时钟产生模块22和第二时钟产生模块23,第一时钟产生模块22可以根据从外部接收的数据时钟信号产生存在多个脉冲的第一读时钟信号,第二时钟产生模块23可以在产生仅存在一个电平状态变化沿的第二读时钟信号。这样,在不同的工作场景下,可以选择第一读时钟信号或者第二读时钟信号作为目标读时钟信号发送到CPU,以便实现数据锁存处理。特别地,由于第二读时钟信号并不会受到内部时钟信号发生占空比畸变的影响,在内部时钟信号的占空比畸变较大的场景中依然可以保证数据的正确锁存。
在这里,第二读时钟信号的具体波形和产生过程具有多种可能,本公开实施例后续仅作为示例而不构成具体限定。特别地,第二读时钟信号的电平变化沿与读数据信号中有效数据的结束时刻同步,或者第二读时钟信号的电平变化沿提前于读数据信号中有效数据的结束时刻,从而保证有效数据的正确锁存。另外,电平变化沿可以是上升沿(即第二读时钟信号由低电平变化为高电平)或下降沿(即第二读时钟信号由高电平变化为低电平)。
需要说明的是,如图5所示,占空比模块21包括接收模块211和调节模块212两个部分,具体实现可以参见后续描述;第一时钟产生模块22可以由逻辑器件和延迟单元构成,以实现延迟匹配且符合JEDEC标准规定的标准时序;第二时钟产生模块23可以由D型触发器和反相器组成的分频器构成,选择模块24可以通过二选一数据选择器实现。
在一些实施例中,数据时钟信号为从外部接收的写时钟信号,后续表示为WCK0;内部时钟信号为存储器内部经过占空比调整的写时钟信号,后续表示为WCK1;目标读时钟信号为读操作数据选通信号,后续表示为RDQS;读数据信号可以表示为DQ。
在一些实施例中,如图5所示,时钟处理电路20还包括检测模块25和模式寄存器26;其中,检测模块25,配置为接收内部时钟信号WCK1,对内部时钟信号WCK1进行占空比检测,输出占空比参数;模式寄存器26,配置为接收并存储占空比参数。
需要说明的是,检测模块25可以由逻辑门、传输门、电容以及信号比较器构成。
在一些实施例中,如图6所示,选择模块24,具体配置为接收选择指示信号,在选择指示信号处于第一状态的情况下,将第一读时钟信号输出为目标读时钟信号RDQS;或者,在选择指示信号处于第二状态的情况下,将第二读时钟信号输出为目标读时钟信号RDQS。
在这里,选择模块24可以为二选一数据选择器,从而根据选择指示信号的状态输出第一读时钟信号或者输出第二读时钟信号。
在一些实施例中,存储器10,配置为接收数据读指令;基于数据读指令,输出读数据信号DQ,并通过时钟处理电路20输出目标读时钟信号RDQS;其中,目标读时钟信号RDQS用于锁存读数据信号DQ,且第二读时钟信号的电平状态变化沿指示读数据信号DQ中有效数据的结束时刻。
也就是说,在包含存储器10的电子设备中,电子设备的CPU向存储器10下发操作指令,以便实现数据写入或者数据读出。在数据读出的过程中,CPU向存储器10发送数据读指令,存储器10根据数据读指令生成读数据信号DQ(携带有CPU所需要读取的参数),并通过时钟处理电路20产生目标读时钟信号RDQS。这样,读数据信号DQ和目标读时钟信号RDQS均被发送至CPU,以便CPU利用目标读时钟信号RDQS对读数据信号进行锁存,后续译码得到需要的参数。
在本公开实施例中,将数据读指令划分为两种类型,即第一读指令和第二读指令。第二读指令指示获取时钟处理电路20中模式寄存器26的占空比参数,第一读指令是指除第二读指令之外的数据读取指令。
在一种具体的实施例中,存储器10,还配置为在数据读指令为第一读指令的情况下,将选择指示信号置为第一状态;或者,在数据读指令为第二读指令的情况下,将选择指示信号置为第二状态。
如前述,在数据读指令用于读取模式寄存器26中的占空比参数的情况下,存储器10可能处于占空比调整的过程中,在某些情况下内部时钟信号WCK1已经发生畸变,例如内部时钟信号WCK1的占空比可能高达72%,此时第一读时钟信号也将发生畸变,CPU利用第一读时钟信号对读数据信号DQ进行锁存可能会得到错误结果。对于本公开实施例来说,在数据读指令用于读取模式寄存器26中的占空比参数的情况下,将第二读时钟信号输出为目标读时钟信号RDQS,由于第二读时钟信号仅有一个电平变化沿,并不会受到内部时钟信号WCK1的占空比畸变的影响,因此CPU可以利用第二读时钟信号中的电平变化沿对数据信号进行锁存,从而获得正确的占空比参数。
另外,为了节约功耗,在数据读指令为第一读指令的情况下,第二时钟产生模块23可以是不使能的,即第二时钟产生模块23不工作,从而达到减少电流和功耗的目的。
在另一种具体的实施例中,存储器10,还配置为在数据读指令为第一读指令的情况下,将选择指示信号置为第一状态;或者,在数据读指令为第二读指令且内部时钟信号WCK1的占空比处于预设范围的情况下,将选择指示信号置为第一状态;或者,在数据读指令为第二读指令且内部时钟信号WCK1的占空比并非处于预设范围的情况下,将选择指示信号置为第二状态。
也就是说,在数据读指令用于读取模式寄存器26中的占空比参数的情况下,如果内部时钟信号WCK1的占空比是符合要求的,此时第一读时钟信号并不会畸变,此时CPU仍然可以利用第一读时钟信号对读数据信号进行锁存。
以下以DRAM的突发长度为16,且具有16个DQ端作为示例,说明第二读时钟信号的具体波形和读数据信号的锁存过程。
针对第二读指令,读数据信号DQ的前8位携带有效数据,表示为DQ<7:0>。根据JEDEC标准的规定,在目标读时钟信号RDQS的前8拍(前4个时钟周期)传输模式寄存器的参数值(MR Content),后8拍(后4个时钟周期)传输不关心的数据(Valid)。此时,第一读时钟信号包括8个时钟周期,第二读时钟信号的电平状态变化沿与第一读时钟信号中的第5个时钟周期的上升沿对齐;其中,第二读时钟信号的电平状态变化沿是指第二读时钟信号由低电平状态变化为高电平状态。
也就是说,如图7中的(1)所示,如果利用第一读时钟信号作为目标读时钟信号RDQS,CPU将利用目标读时钟信号RDQS的信号沿对读数据信号DQ<7:0>进行锁存,前4个时钟周期锁存的数据为MR Content,后4个时钟周期锁存的数据Valid不作使用;如图7中的(2)所示,如果利用第二读时钟信号作为目标读时钟信号RDQS,CPU将利用第二读时钟信号中的上升沿对读数据信号DQ<7:0>进行锁存,得到MR Content。
在一些实施例中,如图5或者图6所示,占空比模块21包括:接收模块211,配置为从外部接收并输出数据时钟信号WCK0;调节模块212,配置为对数据时钟信号WCK0进行占空比调节,输出内部时钟信号WCK1。
需要说明的是,调节模块212用于占空比调节。在占空比调节开始时,调节模块212的默认设置会导致数据时钟信号WCK0的占空比增加一定值,根据JEDEC的规定,占空比增加的上限为7个单位(Step),即35皮秒。
接收模块211可以通过由NMOS和PMOS等器件构成的信号接收器实现,调节模块212可以通过级联的延迟单元组成,每个延迟单元由NMOS和PMOS构成,从而实现数据时钟信号WCK0中上升沿的向前/向后调整,和/或,实现数据时钟信号WCK0中下降沿的向前/向后调整,最终调整数据时钟信号WCK0的占空比。
以下提供一种可能出现的工作场景,对本公开实施例的技术效果进行说明。如图8中的(a)所示,外部产生的数据时钟信号WCK0的占空比为57%,在占空比调节过程开始时,默认将数据时钟信号WCK0的占空比增加7个单位(35皮秒),如果存储器的速度为8633Mbps,此时内部时钟信号WCK1的占空比将在数据时钟信号WCK0的基础上继续增加15%,即内部时钟信号WCK1的占空比将高达72%。如图8中的(b)所示,此时CPU向存储器发送第二读指令,选择指示信号将被置为第二状态,存储器10将具有单个信号沿的第二读时钟信号作为目标读时钟信号RDQS,从而CPU可以利用第二读时钟信号对读数据信号DQ<7:0>进行锁存,获得正确的占空比参数,保证占空比调整操作的成功。
综上所述,本公开实施例提供了一种存储器,该存储器包括时钟处理电路,时钟处理电路包括:占空比模块,配置为接收外部产生的数据时钟信号;对数据时钟信号进行占空比调节,输出内部时钟信号;第一时钟产生模块,配置为接收内部时钟信号,基于内部时钟信号,输出第一读时钟信号;其中,第一读时钟信号为脉冲信号;第二时钟产生模块,配置为在第一读时钟信号的存在期间,产生并输出第二读时钟信号;其中,第二读时钟信号仅存在一个电平状态变化沿;选择模块,配置为接收第一读时钟信号和第二读时钟信号,将第一读时钟信号和第二读时钟信号的两者之一输出为目标读时钟信号。这样,在内部时钟信号发生占空比畸变的情况下,可以选择具有单个电平变化沿的第二读时钟信号作为目标读时钟信号,避免数据锁存失败。
在本公开的另一实施例中,参见图9,其示出了本公开实施例提供的一种控制装置30的结构示意图。如图9所示,控制装置30与存储器10连接;其中,
控制装置30,配置为向存储器10发送数据读指令;以及,接收存储器10返回的读数据信号DQ和目标读时钟信号RDQS,利用目标读时钟信号RDQS对读数据信号DQ进行锁存处理;其中,目标读时钟信号RDQS为第一读时钟信号或者第二读时钟信号,第一读时钟信号为脉冲信号,第二读时钟信号仅存在一个电平状态变化沿。
需要说明的是,控制装置30可以为CPU。具体来说,控制装置30通过存储器10的内存控制器(Controller)发送指令,以读取存储器10中的模式寄存器/存储阵列的数据。具体来说,在读取存储器10的数据时,CPU通过命令总线和数据总线将数据读指令发送给存储器,存储器10对数据读指令进行解析并执行相应的读操作,以便得到读数据信号。除此之外,存储器还会产生目标读时钟信号,以便控制装置30利用目标读时钟信号RDQS对读数据信号DQ进行锁存处理,获得所需要的数据。
请结合图4~图6,在本公开实施例中,控制装置30从存储器10处接收到的目标读时钟信号RDQS可能具有多个脉冲或者仅存在一个电平状态变化沿。也就是说,在第一读时钟信号的占空比畸变时,存储器10将仅有一个电平状态变化沿的第二读时钟信号作为目标读时钟信号RDQS发送给控制装置30,以将读数据信号DQ进行正确锁存。
在一种具体的实施例中,控制装置30,具体配置为在数据读指令为第一读指令的情况下,接收存储器10返回的第一读时钟信号,利用第一读时钟信号对读数据信号DQ进行锁存处理;或者,在数据读指令为第二读指令的情况下,接收存储器10返回的第二读时钟信号,利用第二读时钟信号的电平状态变化沿对读数据信号DQ进行锁存处理。
需要说明的是,存储器10包括时钟处理电路20,第二读指令指示获取时钟处理电路20中模式寄存器的占空比参数,第一读指令指示除第二读指令之外的数据读取指令。
这样,在数据读指令为第二读指令的情况下,存储器10可能处于占空比调整的过程,存储器10中的内部时钟信号WCK1可能是畸变的,即第一读时钟信号是畸变的,可以采用第二读时钟信号作为目标读时钟信号RDQS,以便控制装置30能够获取正确的占空比参数。反之,在数据读指令为第一读指令的情况下,存储器中的内部时钟信号WCK1和第一读时钟信号均是正常的,因此,可以采用第一读时钟信号作为目标读时钟信号RDQS,控制装置30可以获得正确的结果。
在另一种具体的实施例中,控制装置30,还配置为在数据读指令为第二读指令的情况下,接收存储器10返回的第一读时钟信号,利用第一读时钟信号的电平状态变化沿对读数据信号DQ进行锁存处理。
这样,在数据读指令为第二读指令的情况下,存储器10中的内部时钟信号WCK1和第一读时钟信号仍然可能是正常的,所以存储器10仍然可以采用第一读时钟信号作为目标读时钟信号RDQS。
本公开实施例提供了一种控制装置,该控制装置与存储器连接;控制装置,配置为向存储器发送数据读指令;以及,接收存储器返回的读数据信号和目标读时钟信号,利用目标读时钟信号对读数据信号进行锁存处理;其中,目标读时钟信号为第一读时钟信号或者第二读时钟信号,第一读时钟信号为脉冲信号,第二读时钟信号仅存在一个电平状态变化沿。这样,在内部时钟信号发生占空比畸变的情况下,可以利用具有单个电平变化沿的第二读时钟信号对读数据信号进行锁存,避免数据锁存失败。
在本公开的又一实施例中,参见图10,其示出了本公开实施例提供的一种时钟处理方法的流程示意图。如图10所示,该方法包括:
S401:接收外部产生的数据时钟信号;对数据时钟信号进行占空比调节,确定内部时钟信号。
S402:基于内部时钟信号,确定第一读时钟信号;其中,第一读时钟信号为脉冲信号。
S403:在第一读时钟信号的存在期间,产生第二读时钟信号;其中,第二读时钟信号仅存在一个电平状态变化沿。
S404:将第一读时钟信号和第二读时钟信号的两者之一输出为目标读时钟信号。
需要说明的是,该方法应用于前述的存储器10。这样,存储器10可以同时产生第一读时钟信号和第二读时钟信号,在不同的工作场景下,可以选择第一读时钟信号或者第二读时钟信号作为目标读时钟信号RDQS发送到CPU,以便实现数据信号的锁存处理。特别地,由于第二读时钟信号并不会受到内部时钟信号WCK1的占空比畸变的影响,在内部时钟信号WCK1的占空比畸变较大的场景中依然可以保证数据信号的正确锁存。
在一些实施例中,如前述,存储器10包括模式寄存器26,该方法还包括:
对内部时钟信号进行占空比检测,得到占空比参数;将占空比参数存储至模式寄存器。
在一种具体的实施例中,如前述,存储器10与控制装置30连接,所述将第一读时钟信号和第二读时钟信号的两者之一输出为目标读时钟信号,包括:
在接收到控制装置发送的第一读指令的情况下,基于第一读指令确定读数据信号,并将第一读时钟信号确定为目标读时钟信号;在接收到控制装置发送的第二读指令的情况下,基于第二读指令确定读数据信号,并将第二读时钟信号确定为目标读时钟信号。
在这里,目标读时钟信号用于锁存读数据信号,第二读指令指示获取模式寄存器的占空比参数,第一读指令指示除第二读指令之外的数据读取指令。
在另一种具体的实施例中,所述将第一读时钟信号和第二读时钟信号的两者之一输出为目标读时钟信号,包括:
在接收到控制装置发送的第一读指令的情况下,基于第一读指令确定读数据信号,并将第一读时钟信号确定为目标读时钟信号;在接收到控制装置发送的第二读指令且占空比参数处于预设范围的情况下,基于第二读指令确定读数据信号,并将第一读时钟信号确定为目标读时钟信号;在接收到控制装置发送的第二读指令且占空比参数并非处于预设范围的情况下,基于第二读指令确定读数据信号,并将第二读时钟信号确定为目标读时钟信号。
本公开实施例提供了一种时钟处理方法,该方法包括:接收外部产生的数据时钟信号;对数据时钟信号进行占空比调节,确定内部时钟信号;基于内部时钟信号,确定第一读时钟信号;其中,第一读时钟信号为脉冲信号;在第一读时钟信号的存在期间,产生第二读时钟信号;其中,第二读时钟信号仅存在一个电平状态变化沿;将第一读时钟信号和第二读时钟信号的两者之一输出为目标读时钟信号。这样,在内部时钟信号发生占空比畸变的情况下,可以选择具有单个电平变化沿的第二读时钟信号作为目标读时钟信号,避免数据锁存失败。
在本公开的又一实施例中,参见图11,其示出了本公开实施例提供的一种电子设备50组成结构示意图。如图11所示,电子设备50至少包括前述的存储器10和前述的控制装置30。
由于存储器10能够输出具有多个脉冲的第一读时钟信号或者具有单个电平变化沿的第二读时钟信号,在存储器10中的内部时钟信号发生占空比畸变的情况下,可以选择具有单个电平变化沿的第二读时钟信号作为目标读时钟信号,控制装置30利用第二读时钟信号中的电平变化沿进行数据锁存,避免获得错误的数据。
以上,仅为本公开的较佳实施例而已,并非用于限定本公开的保护范围。需要说明的是,在本公开中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。上述本公开实施例序号仅仅为了描述,不代表实施例的优劣。本公开所提供的几个方法实施例中所揭露的方法,在不冲突的情况下可以任意组合,得到新的方法实施例。本公开所提供的几个产品实施例中所揭露的特征,在不冲突的情况下可以任意组合,得到新的产品实施例。本公开所提供的几个方法或设备实施例中所揭露的特征,在不冲突的情况下可以任意组合,得到新的方法实施例或设备实施例。以上,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (17)
1.一种存储器,其特征在于,所述存储器包括时钟处理电路,所述时钟处理电路包括:
占空比模块,配置为接收外部产生的数据时钟信号;对所述数据时钟信号进行占空比调节,输出内部时钟信号;
第一时钟产生模块,配置为接收所述内部时钟信号,基于所述内部时钟信号,输出第一读时钟信号;其中,所述第一读时钟信号为脉冲信号;
第二时钟产生模块,配置为在所述第一读时钟信号的存在期间,产生并输出第二读时钟信号;其中,所述第二读时钟信号仅存在一个电平状态变化沿;
选择模块,配置为接收所述第一读时钟信号和所述第二读时钟信号,将所述第一读时钟信号和所述第二读时钟信号的两者之一输出为目标读时钟信号。
2.根据权利要求1所述的存储器,其特征在于,所述时钟处理电路还包括检测模块和模式寄存器;其中,
所述检测模块,配置为接收所述内部时钟信号,对所述内部时钟信号进行占空比检测,输出占空比参数;
所述模式寄存器,配置为接收并存储所述占空比参数。
3.根据权利要求2所述的存储器,其特征在于,
所述选择模块,具体配置为接收选择指示信号,在所述选择指示信号处于第一状态的情况下,将所述第一读时钟信号输出为目标读时钟信号;或者,在所述选择指示信号处于第二状态的情况下,将所述第二读时钟信号输出为目标读时钟信号。
4.根据权利要求3所述的存储器,其特征在于,
所述存储器,配置为接收数据读指令;基于所述数据读指令,输出读数据信号,并通过所述时钟处理电路输出所述目标读时钟信号;
其中,所述目标读时钟信号用于锁存所述读数据信号,且所述第二读时钟信号的电平状态变化沿指示所述读数据信号中有效数据的结束时刻。
5.根据权利要求4所述的存储器,其特征在于,
所述存储器,还配置为在所述数据读指令为第一读指令的情况下,将所述选择指示信号置为第一状态;或者,在所述数据读指令为第二读指令的情况下,将所述选择指示信号置为第二状态;
其中,所述第二读指令指示获取所述时钟处理电路中模式寄存器的占空比参数,所述第一读指令是指除所述第二读指令之外的数据读取指令。
6.根据权利要求5所述的存储器,其特征在于,
所述存储器,还配置为在所述数据读指令为第一读指令的情况下,将所述选择指示信号置为第一状态;或者,
在所述数据读指令为第二读指令且所述内部时钟信号的占空比处于预设范围的情况下,将所述选择指示信号置为第一状态;或者,
在所述数据读指令为第二读指令且所述内部时钟信号的占空比并非处于预设范围的情况下,将所述选择指示信号置为第二状态。
7.根据权利要求1-6任一项所述的存储器,其特征在于,所述第一读时钟信号包括8个时钟周期,所述第二读时钟信号的电平状态变化沿与所述第一读时钟信号中的第5个时钟周期的上升沿对齐;
其中,所述第二读时钟信号的电平状态变化沿是指所述第二读时钟信号由低电平状态变化为高电平状态。
8.根据权利要求7所述的存储器,其特征在于,所述占空比模块包括:
接收模块,配置为从外部接收并输出所述数据时钟信号;
调节模块,配置为对所述数据时钟信号进行占空比调节,输出所述内部时钟信号。
9.根据权利要求8所述的存储器,其特征在于,所述数据时钟信号为写时钟信号。
10.一种控制装置,其特征在于,所述控制装置与存储器连接;其中,
所述控制装置,配置为向所述存储器发送数据读指令;以及,接收所述存储器返回的读数据信号和目标读时钟信号,利用所述目标读时钟信号对所述读数据信号进行锁存处理;
其中,所述目标读时钟信号为第一读时钟信号或者第二读时钟信号,所述第一读时钟信号为脉冲信号,所述第二读时钟信号仅存在一个电平状态变化沿。
11.根据权利要求10所述的控制装置,其特征在于,
所述控制装置,具体配置为在所述数据读指令为第一读指令的情况下,接收所述存储器返回的第一读时钟信号,利用所述第一读时钟信号对所述读数据信号进行锁存处理;或者,
在所述数据读指令为第二读指令的情况下,接收所述存储器返回的第二读时钟信号,利用所述第二读时钟信号的电平状态变化沿对所述读数据信号进行锁存处理;
其中,所述存储器包括时钟处理电路,所述第二读指令指示获取所述时钟处理电路中模式寄存器的占空比参数,所述第一读指令指示除所述第二读指令之外的数据读取指令。
12.根据权利要求10所述的控制装置,其特征在于,
所述控制装置,还配置为在所述数据读指令为第二读指令的情况下,接收所述存储器返回的第一读时钟信号,利用所述第一读时钟信号的电平状态变化沿对所述读数据信号进行锁存处理。
13.一种时钟处理方法,其特征在于,应用于存储器,所述方法包括:
接收外部产生的数据时钟信号;对所述数据时钟信号进行占空比调节,确定内部时钟信号;
基于所述内部时钟信号,确定第一读时钟信号;其中,所述第一读时钟信号为脉冲信号;
在所述第一读时钟信号的存在期间,产生第二读时钟信号;其中,所述第二读时钟信号仅存在一个电平状态变化沿;
将所述第一读时钟信号和所述第二读时钟信号的两者之一输出为目标读时钟信号。
14.根据权利要求13所述的时钟处理方法,其特征在于,所述存储器包括模式寄存器,所述方法还包括:
对所述内部时钟信号进行占空比检测,得到占空比参数;
将所述占空比参数存储至所述模式寄存器。
15.根据权利要求14所述的时钟处理方法,其特征在于,所述存储器与控制装置连接,所述将所述第一读时钟信号和所述第二读时钟信号的两者之一输出为目标读时钟信号,包括:
在接收到所述控制装置发送的第一读指令的情况下,基于所述第一读指令确定读数据信号,并将所述第一读时钟信号确定为目标读时钟信号;
在接收到所述控制装置发送的第二读指令的情况下,基于所述第二读指令确定所述读数据信号,并将所述第二读时钟信号确定为目标读时钟信号;
其中,所述目标读时钟信号用于锁存所述读数据信号,所述第二读指令指示获取所述模式寄存器的占空比参数,所述第一读指令指示除所述第二读指令之外的数据读取指令。
16.根据权利要求14所述的时钟处理方法,其特征在于,所述存储器与控制装置连接,所述将所述第一读时钟信号和所述第二读时钟信号的两者之一输出为目标读时钟信号,包括:
在接收到所述控制装置发送的第一读指令的情况下,基于所述第一读指令确定读数据信号,并将所述第一读时钟信号确定为目标读时钟信号;
在接收到所述控制装置发送的第二读指令且所述占空比参数处于预设范围的情况下,基于所述第二读指令确定读数据信号,并将所述第一读时钟信号确定为目标读时钟信号;
在接收到控制装置发送的第二读指令且所述占空比参数并非处于预设范围的情况下,基于所述第二读指令确定所述读数据信号,并将所述第二读时钟信号确定为目标读时钟信号;
其中,所述目标读时钟信号用于锁存所述读数据信号,所述第二读指令指示获取所述模式寄存器的占空比参数,所述第一读指令指示除所述第二读指令之外的数据读取指令。
17.一种电子设备,其特征在于,所述电子设备包括如权利要求1-9任一项所述的存储器和如权利要求10-12任一项所述的控制装置。
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US9053777B1 (en) * | 2012-10-26 | 2015-06-09 | Altera Corporation | Methods and apparatus for memory interface systems |
US9780768B2 (en) * | 2015-10-30 | 2017-10-03 | Texas Instruments Incorporated | Digital clock-duty-cycle correction |
US9437284B1 (en) * | 2015-12-02 | 2016-09-06 | Vanguard International Semiconductor Corporation | Memory devices and control methods thereof |
US10303200B2 (en) * | 2017-02-24 | 2019-05-28 | Advanced Micro Devices, Inc. | Clock divider device and methods thereof |
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