CN117406821A - 低压差线性稳压电路 - Google Patents

低压差线性稳压电路 Download PDF

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Abstract

本申请涉及一种低压差线性稳压电路，该电路包括：连接于电压输入端和电压输出端之间的调整管、用于根据采样输出电压产生基准电压，并转换成基准电流的转换电路，以及用于根据基准电流的变化以驱动调整管的电流比较兼驱动电路；其中，转换电路包括第一增强型NMOS管和第二增强型PMOS管；其中，第一增强型NMOS管的栅极与采样电路的输出端连接，源极接地，漏极与第二增强型PMOS管的漏极连接；第二增强型PMOS管的源极与电压输入端连接，漏极和栅极短接后与电流比较兼驱动电路的输入端连接。以解决相关技术中的低压线性稳压电路存在无法兼顾低功耗和高电路性能的技术问题。

Description

低压差线性稳压电路
技术领域
本申请涉及低压稳压技术领域，特别是涉及一种低压差线性稳压电路。
背景技术
线性稳压器是电路中常见的设备，用于提供稳定的电压，传统的稳压器要求输入电压要比输出电压至少高出2V~3V，否则就无法正常工作。但是在相关技术中，尤其是便携式电子设备，都需要输入电压和输出电压之间的压差更小的稳压设备，这就是低压差线性稳压器LDO（Low DropOut Regulator ）。
相关技术中，常见的LDO包括基准源，放大器，调整管，而基准源和放大器的功耗较高，也导致了整个电路的功耗较高的问题。这种电路结构的电路功耗与电路性能同步变化，电路性能通常包括电源抑制比，响应速度，噪声等。电路功耗越高，电路性能越好，电路功耗越低，电路性能越差。而通常考虑到功耗原因，需要电路保持较低电源抑制比和响应速度，导致电路性能变差，在需要更好的电路性能时，则需要更高的功耗。因此，相关技术存在无法兼顾低功耗和高性能的问题。
针对相关技术中的低压线性稳压电路存在无法兼顾低功耗和高电路性能的技术问题，目前尚未提出有效的解决方案。
发明内容
本发明实施例提供的一种低压差线性稳压电路，至少解决相关技术中的低压线性稳压电路存在无法兼顾低功耗和高电路性能的技术问题。
本发明实施例提供的一种低压差线性稳压电路，包括：连接于电压输入端和电压输出端之间的调整管、用于采样电压输出端的输出电压的采样电路、用于根据采样输出电压产生基准电压，并转换成基准电流的转换电路，以及用于根据基准电流的变化以驱动调整管的电流比较兼驱动电路；其中，所述转换电路包括第一增强型NMOS管N1和第二增强型PMOS管P2；其中，所述第一增强型NMOS管N1的栅极与所述采样电路的输出端连接，源极接地，漏极与所述第二增强型PMOS管P2的漏极连接；所述第二增强型PMOS管P2的源极与所述电压输入端连接，漏极和栅极短接后与所述电流比较兼驱动电路的输入端连接。
作为一种可选的实施例，所述电流比较兼驱动电路包括耗尽型NMOS管DN1和第一增强型PMOS管P1，所述第一增强型PMOS管P1的栅极与所述转换电路的所述第二增强型PMOS管P2的栅极连接，所述第一增强型PMOS管P1的源极与所述输入电压端连接，所述耗尽型NMOS管DN1的漏极与所述调整管的栅极和所述第一增强型PMOS管P1的漏极连接，所述耗尽型NMOS管DN1的源极和栅极短接后接地。
作为一种可选的实施例，所述采样电路包括：第一电阻R1和第二电阻R2；所述第一电阻R1和所述第二电阻R2串联在所述输出电压端和接地端之间，所述第一电阻R1的一端与所述输出电压端连接，所述第一电阻R1的另一端与所述第二电阻连接，并输出所述输出电压；所述第二电阻R2的一端与所述第一电阻R1的所述另一端连接，所述第二电阻R2的另一端接地。
作为一种可选的实施例，所述调整管为PMOS管P3；第三增强型PMOS管P3的栅极与所述耗尽型NMOS管DN1的漏极和所述第一增强型PMOS管P1的漏极连接，所述第三增强型PMOS管P3的源极与所述输入电压端连接，所述第三增强型PMOS管P3的漏极与所述输出电压端连接。
作为一种可选的实施例，还包括软启动控制电路，所述软启动控制电路与所述调整管的栅极连接，用于在电路启动时，控制所述调整管软导通以使低压差线性稳压电路软启动。
作为一种可选的实施例，所述软启动控制电路包括发生电路，运算放大器，第四增强型PMOS管P4；所述发生电路设置在所述输入电压端和接地端之间，用于发生斜坡电压信号；所述运算放大器的正负输入端分别与所述输出电压端和所述发生电路连接，用于比较所述输出电压端和所述发生电路的电压大小，所述运算放大器的输出端与所述第四增强型PMOS管P4的栅极连接。
作为一种可选的实施例，所述发生电路包括电流源和电容C1；所述电流源设置在所述输入电压端与所述运算放大器之间的电路上，所述电容C1的一端与所述电流源和所述运算放大器连接，所述电容C1的另一端接地；第四增强型PMOS管P4的栅极与所述运算放大器的输出端连接，所述第四增强型PMOS管P4的源极与所述输入电压端连接，所述第四增强型PMOS管P4的漏极与所述调整管的栅极连接。
作为一种可选的实施例，还包括限流电路；所述限流电路的输入端与所述电流比较兼驱动电路的输出端和所述调整管的栅极连接，所述限流电路的输出端与所述转换电路连接，用于根据实际输出的电流对产生输出电流的转换电路的电流进行调节，使得实际输出的电流不超过预设电流。
作为一种可选的实施例，所述限流电路包括第五增强型PMOS管P5，设定电阻Rs，第二增强型NMOS管N2；所述第五增强型PMOS管P5的栅极与所述电流比较兼驱动电路的输出端和所述调整管的栅极连接，所述第五增强型PMOS管P5的源极与所述输入电压端连接，所述第五增强型PMOS管P5的漏极与所述第二增强型NMOS管N2的栅极连接；所述设定电阻Rs的一端与所述第五增强型PMOS管P5的漏极连接，所述设定电阻Rs的另一端接地；所述第二增强型NMOS管N2的源极接地，所述第二增强型NMOS管N2的漏极与所述转换电路连接。
作为一种可选的实施例，在所述转换电路包括第一增强型NMOS管N1和第二增强型PMOS管P2的情况下，所述第二增强型NMOS管N2的漏极与所述第一增强型NMOS管N1的漏极和第二增强型PMOS管P2的漏极连接。
本发明实施例提供的低压差线性稳压电路，通过转换电路产生基准电压和基准电流，通过电流比较兼驱动电路根据基准电流选取合适的驱动电流驱动调整管，不再采用高功耗的基准源，以降低功耗，并提高电源抑制比和响应速度，进而使得低压差线性稳压电路在保证低功耗的同时，可以保证较高的电路性能，从而解决相关技术中的低压线性稳压电路存在无法兼顾低功耗和高电路性能的技术问题。
本发明的一个或多个实施例的细节在以下附图和描述中提出，以使本发明的其他特征、目的和优点更加简明易懂。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的实施例。
图1是本发明实施例的一种低压差线性稳压电路的示意图。
图2是本发明实施例的配合软启动电路的低压差线性稳压电路的示意图。
图3是本发明实施例的配合限流电路的低压差线性稳压电路的示意图。
附图标记说明：
DN1—耗尽型NMOS管；P1—第一增强型PMOS管；P2—第二增强型PMOS管；P3—第三增强型PMOS管；P4—第四增强型PMOS管；P5—第五增强型PMOS管；N1—NMOS管；N2—第二增强型NMOS管；R1—第一电阻；R2—第二电阻；Rs—设定电阻；
具体实施方式
下面将参照附图更详细地描述本实施例的实施例。虽然附图中显示了本实施例的某些实施例，然而应当理解的是，本实施例可以通过各种形式来实现，而且不应该被解释为限于这里阐述的实施例，相反提供这些实施例是为了更加透彻和完整地理解本实施例。应当理解的是，本实施例的附图及实施例仅用于示例性作用，并非用于限制本实施例的保护范围。
相关技术中，常见的LDO包括基准源，放大器，调整管，基准源和放大器的功耗较高，也导致了整个电路的功耗较高的问题。其电路结构的电路功耗与电路性能同步变化，电路功耗越高，电源抑制比越大，响应速度越快，噪声越低，电路性能越好。电路功耗越低，电源抑制比越小，响应速度越慢，噪声越高，电路性能越差。也即是相关技术存在无法兼顾低功耗和高性能的问题。
本申请实施例提供了一种低压差线性稳压电路，通过转换电路产生基准电压和比较电压，不再采用高功耗的基准源，以降低功耗和噪声，通过电流比较兼驱动电路选取合适的驱动电流，提高电源抑制比和响应速度，进而使得低压差线性稳压电路在保证低功耗的同时，可以保证较高的电路性能，从而解决相关技术中的低压线性稳压电路存在无法兼顾低功耗和高电路性能的技术问题。
图1是本发明实施例的一种低压差线性稳压电路的示意图，如图1所示，本发明实施例所提供的一种低压差线性稳压电路，包括：输入电压端，输出电压端，调整管，电流比较兼驱动电路，转换电路，采样电路。
采样电路与输出电压端连接，用于采集输出电压端的输出电压；转换电路分别与输入电压端和采样电路连接，用于产生基准电压与将之转换成基准电流。
电流比较兼驱动电路与转换电路和调整管的栅极连接，调整管的源极与输入电压端连接，调整管的漏极与输出电压端连接，电流比较兼驱动电路用于根据转换电路输出的基准电压驱动调整管工作，以调节输出电压端的输出电压。
上述调整管可以为PMOS管或者NMOS管，根据具体需求进行选择。在本实施例中，上述调整管可以为PMOS管。
转换电路包括第一增强型NMOS管N1和第二增强型PMOS管P2；其中，第一增强型NMOS管N1的栅极与采样电路的输出端连接，源极接地，漏极与第二增强型PMOS管P2的漏极连接；第二增强型PMOS管P2的源极与电压输入端连接，漏极和栅极短接后与电流比较兼驱动电路的输入端连接。
本发明实施例提供的低压差线性稳压电路，通过转换电路产生基准电压和比较电流，不再采用高功耗的基准源，以降低功耗和噪声，通过电流比较兼驱动电路选取合适的驱动电流，提高电源抑制比和响应速度，进而使得低压差线性稳压电路在保证低功耗的同时，可以保证较高的电路性能，从而解决相关技术中的低压线性稳压电路存在无法兼顾低功耗和高电路性能的技术问题。
上述采样电路与输出电压端连接，采集低压差线性稳压电路的输出电压，由于输出电压根据负载实时变化，因此需要进行采样，依据采样的电压对后续的输出电压进行调整。
转换电路分别与输入电压端和采样电路连接，采样电路采样到输出电压后，将输出电压传输给转换电路，产生基准电压并将基准电压转换成基准电流，基准电压也即是希望后续输出电压经采样后达到的电压值，基准电流也即是基准电压对应的电流。
转换电路可以产生基准电流并比较电流，不再采用高功耗的基准源，以降低功耗和噪声，通过电流比较兼驱动电路选取合适的驱动电流，提高电源抑制比和响应速度。
上述转换电路与电流比较兼驱动电路连接，将得到的基准电流发送给电流比较兼驱动电路，电流比较兼驱动电路根据基准电流的变化，控制连接在输入电压端与输出电压端之间的调整管的导通状态，进而调整输出电压端的电压。上述电流比较兼驱动电路可以选取合适的驱动电流，提高电源抑制比和响应速度。
转换电路包括：第一增强型NMOS管N1和第二增强型PMOS管P2；第一增强型NMOS管N1的栅极与采样电路的输出端连接，用于接收采样的输出电压；第一增强型NMOS管N1的源极接地，第一增强型NMOS管N1的漏极与第二增强型PMOS管P2的漏极连接；第二增强型PMOS管P2的漏极和栅极短接，第二增强型PMOS管P2的源极与输入电压端连接。
增强型第一增强型NMOS管N1和代表耗尽型NMOS管DN1的电流第二增强型PMOS管P2构成基准电压产生电路，基准电压产生电路原理是，代表耗尽型NMOS管DN1的电流第二增强型PMOS管P2的栅极和漏极短接后，与增强型第一增强型NMOS管N1的漏极接到一起，则可得到基准电压：
；
式中，VN1跟VDN1分别代表增强型第一增强型NMOS管N1和耗尽型NMOS管DN1的阈值电压，k N1＝μnCOX(W/L)N1，kDN1＝μnCOX(W/L)DN1，耗尽型NMOS的阈值为负数，且耗尽型NMOS跟增强型NMOS的阈值均呈负温度系数，通过合理选择增强型第一增强型NMOS管N1的宽长比(W/L)N1以及耗尽型NMOS管DN1的宽长比 (W/L)DN1，即可得到零温度系数的基准电压Vref。本实施例中，基准电压产生电路兼有电压比较作用，减小了版图面积。
增强型第一增强型NMOS管N1的栅极作为转换电路的输入端连接到电阻R1跟电阻R2之间，增强型第一增强型NMOS管N1的栅极电压VN1S＝R2*VOUT/(R1+R2)；如果VN1S低于基准电压Vref，则转换电路的输出电流，也即是第二增强型PMOS管P2的漏极电流降低，漏极电压VP2L和栅极电压VP2S(即为误差信号)升高，VP2S控制增强型第一增强型PMOS管P1的栅极，VP2S升高则第一增强型PMOS管P1的漏极和输出PMOS管P3的栅极电压VP3S降低（电流镜原理，让第一增强型PMOS管P1的电流降低，与DN1的电流比较后，使得输出PMOS管P3的栅极电压VP3S降低），VP3S降低将使输出电压VOUT电压升高，则输出电压VOUT的采样电压VN1S跟着升高；反之若采样电压VN1S高于基准电压Vref，则VP2L降低，VP3S升高，从而降低VOUT电压使VN1S电压稳定在基准电压值Vref。
作为一种可选的实施例，电流比较兼驱动电路包括耗尽型NMOS管DN1和第一增强型PMOS管P1，第一增强型PMOS管P1的栅极与转换电路的输出端连接，用于接收基准电流，第一增强型PMOS管P1的源极与输入电压端连接，耗尽型NMOS管DN1的漏极与MOS管的栅极和第一增强型PMOS管P1的漏极连接，耗尽型NMOS管DN1的源极和栅极短接后接地。
需要说明的是，此处的耗尽型NMOS管DN1才能实现替代隔离式耗尽型NMOS管实现电路目的，本实施例中其他的元件可以为隔离型也可以为非隔离型，并不作为保护范围的限定。
此基准电压产生是让耗尽型NMOS管DN1栅极与源极相连所产生的电流，流过第一增强型NMOS管N1，第一增强型NMOS管N1的Vgs电压就是基准电压。P1与P2彼此作用就是电流镜的功能，所以可以实现耗尽型NMOS管DN1所代表的电流源大小流过第一增强型NMOS管N1，以产生基准电压。耗尽型NMOS管DN1既是NMOS管，同时源极又直接接地，所以耗尽型NMOS管DN1可以使用非隔离式器件，与其他NMOS管共用P井，减少了电路通过PN结隔离所需的布图面积。
作为一种可选的实施例，采样电路包括：第一电阻R1和第二电阻R2；第一电阻R1和第二电阻R2串联在输出电压端和接地端之间，第一电阻R1的一端与输出电压端连接，第一电阻R1的另一端与第二电阻连接，并输出上述输出电压；第二电阻R2的一端与第一电阻R1的另一端连接，第二电阻R2的另一端接地。
上述采样电路包括：第一电阻R1和第二电阻R2。第一电阻R1和第二电阻R2串联在输出电压端和接地端之间，第一电阻R1和第二电阻R2的连接处输出采样电压。
作为一种可选的实施例，调整管为第三增强型PMOS管P3；第三增强型PMOS管P3的栅极与耗尽型NMOS管DN1的漏极和第一增强型PMOS管P1的漏极连接，第三增强型PMOS管P3的源极与输入电压端连接，第三增强型PMOS管P3的漏极与输出电压端连接。
通过第三增强型PMOS管P3的栅极接入电流比较兼驱动电路，根据基准电流控制第三增强型PMOS管P3的状态，来调整输出电压，具有更好的控制效果。
图2是本发明实施例的配合软启动电路的低压差线性稳压电路的示意图，如图2所示，图2中的虚线框即为软启动电路的部分，作为一种可选的实施例，上述低压差线性稳压电路还包括软启动控制电路，软启动控制电路与调整管的栅极连接，用于在电路启动时，控制MOS管软导通以使低压差线性稳压电路软启动。
具体的，软启动电路从输入电压端获取输入电流，并传输给运算放大器的输入正极，并从输出电压端获取输出电压，传输给运算放大器的输入负极，通过运算放大器比较二者的大小，并根据比较结果，作用在调整管的栅极处，使得调整管在电路启动时软导通，从而实现低压差线性稳压电路的软启动，进一步实现了保护输出电压端的电源或复杂的目的，提高了可靠性。
作为一种可选的实施例，软启动控制电路包括发生电路，运算放大器，第四增强型PMOS管P4；发生电路设置在输入电压端和接地端之间，用于发生斜坡电压信号；运算放大器的正负输入端分别与输出电压端和发生电路连接，用于比较输出电压端和发生电路的电压大小，运算放大器的输出端与第四增强型PMOS管P4的栅极连接。
软启动电路从输入电压端获取输入电流并产生斜波电压后，并传输给运算放大器的输入正极，并从输出电压端获取输出电压，传输给运算放大器的输入负极，通过运算放大器比较二者的大小，并根据比较结果，作用在第四增强型PMOS管P4的栅极，使得调整管在电路启动时软导通。
作为一种可选的实施例，发生电路包括电流源和电容C1；电流源设置在输入电压端与运算放大器之间的电路上，电容C1的一端与电流源和运算放大器连接，电容C1的另一端接地；第四增强型PMOS管P4的栅极与运算放大器的输出端连接，第四增强型PMOS管P4的源极与输入电压端连接，第四增强型PMOS管P4的漏极与调整管的栅极连接。
第四增强型PMOS管P4的栅极与运算放大器的输出端连接，第四增强型PMOS管P4的源极与输入电压端连接，第四增强型PMOS管P4的漏极与调整管的栅极连接。从而根据比较结果，作用在第四增强型PMOS管P4的栅极，使得调整管在电路启动时软导通。
发生电路是为了根据电容C1产生输入电压端的电压斜坡信号Ramp。设置电流源的目的时为了通过将电流源的固定电流流进电容C1产生斜坡信号，也即是电压斜坡信号Ramp。利用上述发生电路的电流源和电容C1，获取到电压斜坡信号Ramp，进而实现对调整管在电路启动时软导通，以及低压差线性稳压电路软启动。
图3是本发明实施例的配合限流电路的低压差线性稳压电路的示意图，如图3所示，图3中的虚线框即为限流电路部分。作为一种可选的实施例，上述低压差线性稳压电路还包括限流电路；限流电路的输入端与电流比较兼驱动电路的输出端和调整管的栅极连接，限流电路的输出端与转换电路连接，用于根据实际输出的电流对产生输出电流的转换电路的电流进行调节，使得实际输出的电流不超过预设电流。
限流电路的原理就是通过电路的配合将某个电路位置的电流限定在预设的电流值之内。从而实现保护电路以及电路上的元件的安全的效果。从而提高低压差线性稳压电路的安全性和可靠性。
作为一种可选的实施例，限流电路包括第五增强型PMOS管P5，设定电阻Rs，第二增强型NMOS管N2；第五增强型PMOS管P5的栅极与电流比较兼驱动电路的输出端和MOS管的栅极连接，第五增强型PMOS管P5的源极与输入电压端连接，第五增强型PMOS管P5的漏极与第二增强型NMOS管N2的栅极连接；设定电阻Rs的一端与第五增强型PMOS管P5的漏极连接，设定电阻Rs的另一端接地；第二增强型NMOS管N2的源极接地，第二增强型NMOS管N2的漏极与转换电路连接。
第五增强型PMOS管P5侦测调整管的栅极的电流，并通过设定电阻Rs以电压的形式输入到第二增强型NMOS管N2的栅极，通过第二增强型NMOS管N2的调节输出电流。
作为一种可选的实施例，在转换电路包括第一增强型NMOS管N1和第二增强型PMOS管P2的情况下，第二增强型NMOS管N2的漏极与第一增强型NMOS管N1的漏极和第二增强型PMOS管P2的漏极连接。
上述通过第二增强型NMOS管N2的调节输出电流，可以在第五增强型PMOS管P5侦测调整管的漏极的电流过大时，利用第二增强型NMOS管N2的漏极调整第二增强型PMOS管P2的漏极和栅极的电流增加，进而增加第一增强型PMOS管P1的漏极电流，提升调整管栅极的电压也即是减小调整管的漏极的输出电流。从而实现限流作用。
需要说明的是，本发明实施例使用的术语“包括”及其变形是开放性包括，即“包括但不限于”。术语“基于”是“至少部分地基于”。术语“一个实施例”表示“至少一个实施例”；术语“另一实施例”表示“至少一个另外的实施例”；术语“一些实施例”表示“至少一些实施例”。本发明实施例中提及的“一个”、“多个”的修饰是示意性而非限制性的，本领域技术人员应当理解，除非在上下文另有明确指出，否则应该理解为“一个或多个”。
本发明实施例所涉及的用户信息（包括但不限于用户设备信息、用户个人信息等）和数据（包括但不限于用于分析的数据、存储的数据、展示的数据等），均为经用户授权或者经过各方充分授权的信息和数据，并且相关数据的收集、使用和处理需要遵守相关国家和地区的相关法律法规和标准，并提供有相应的操作入口，供用户选择授权或者拒绝。
“实施例”一词在本说明书中指的是结合实施例描述的具体特征、结构或特性可以包括在本发明的至少一个实施例中。该短语出现在说明书中的各个位置并不一定意味着相同的实施例，也不意味着与其它实施例相互排斥而具有独立性或可供选择。本说明书中的各个实施例均采用相关的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见。尤其，对于装置、设备、系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对专利保护范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (10)

1.一种低压差线性稳压电路，其特征在于，包括：
连接于电压输入端和电压输出端之间的调整管、用于采样电压输出端的输出电压的采样电路、用于根据采样输出电压产生基准电压，并转换成基准电流的转换电路，以及用于根据基准电流的变化以驱动调整管的电流比较兼驱动电路；其中，
所述转换电路包括第一增强型NMOS管（N1）和第二增强型PMOS管（P2）；其中，所述第一增强型NMOS管（N1）的栅极与所述采样电路的输出端连接，源极接地，漏极与所述第二增强型PMOS管（P2）的漏极连接；所述第二增强型PMOS管（P2）的源极与所述电压输入端连接，漏极和栅极短接后与所述电流比较兼驱动电路的输入端连接。
2.根据权利要求1所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述电流比较兼驱动电路包括耗尽型NMOS管（DN1）和第一增强型PMOS管（P1），所述第一增强型PMOS管（P1）的栅极与所述转换电路的所述第二增强型PMOS管（P2）的栅极连接，所述第一增强型PMOS管（P1）的源极与所述输入电压端连接，所述耗尽型NMOS管（DN1）的漏极与所述调整管的栅极和所述第一增强型PMOS管（P1）的漏极连接，所述耗尽型NMOS管（DN1）的源极和栅极短接后接地。
3.根据权利要求2所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述采样电路包括：第一电阻（R1）和第二电阻（R2）；
所述第一电阻（R1）和所述第二电阻（R2）串联在所述输出电压端和接地端之间，所述第一电阻（R1）的一端与所述输出电压端连接，所述第一电阻（R1）的另一端与所述第二电阻连接，并输出所述输出电压；
所述第二电阻（R2）的一端与所述第一电阻（R1）的所述另一端连接，所述第二电阻（R2）的另一端接地。
4.根据权利要求3所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述调整管为第三增强型PMOS管（P3）；
第三增强型PMOS管（P3）的栅极与所述耗尽型NMOS管（DN1）的漏极和所述第一增强型PMOS管（P1）的漏极连接，所述第三增强型PMOS管（P3）的源极与所述输入电压端连接，所述第三增强型PMOS管（P3）的漏极与所述输出电压端连接。
5.根据权利要求1所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，还包括软启动控制电路，所述软启动控制电路与所述调整管的栅极连接，用于在电路启动时，控制所述调整管软导通以使低压差线性稳压电路软启动。
6.根据权利要求5所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述软启动控制电路包括发生电路，运算放大器，第四增强型PMOS管（P4）；
所述发生电路设置在所述输入电压端和接地端之间，用于发生斜坡信号；
所述运算放大器的正负输入端分别与所述输出电压端和所述发生电路连接，用于比较所述输出电压端和所述发生电路的电压大小，所述运算放大器的输出端与所述第四增强型PMOS管（P4）的栅极连接。
7.根据权利要求6所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述发生电路包括电流源和电容（C1）；
所述电流源设置在所述输入电压端与所述运算放大器之间的电路上，所述电容（C1）的一端与所述电流源和所述运算放大器连接，所述电容（C1）的另一端接地；
所述第四增强型PMOS管（P4）的栅极与所述运算放大器的输出端连接，所述第四增强型PMOS管（P4）的源极与所述输入电压端连接，所述第四增强型PMOS管（P4）的漏极与所述调整管的栅极连接。
8.根据权利要求1或5所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，还包括限流电路；
所述限流电路的输入端与所述电流比较兼驱动电路的输出端和所述调整管的栅极连接，所述限流电路的输出端与所述转换电路连接，用于根据实际输出的电流对产生输出电流的转换电路的电流进行调节，使得实际输出的电流不超过预设电流。
9.根据权利要求8所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，所述限流电路包括第五增强型PMOS管（P5），设定电阻（Rs），第二增强型NMOS管（N2）；
所述第五增强型PMOS管（P5）的栅极与所述电流比较兼驱动电路的输出端和所述调整管的栅极连接，所述第五增强型PMOS管（P5）的源极与所述输入电压端连接，所述第五增强型PMOS管（P5）的漏极与所述第二增强型NMOS管（N2）的栅极连接；
所述设定电阻（Rs）的一端与所述第五增强型PMOS管（P5）的漏极连接，所述设定电阻（Rs）的另一端接地；
所述第二增强型NMOS管(N2)的源极接地，所述第二增强型NMOS管（N2）的漏极与所述转换电路连接。
10.根据权利要求9所述的低压差线性稳压电路，其特征在于，在所述转换电路包括NMOS管（N1）和第二增强型PMOS管（P2）的情况下，所述第二增强型NMOS管（N2）的漏极与所述NMOS管（N1）的漏极和第二增强型PMOS管（P2）的漏极连接。
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