CN117393683A - 发光二极管及发光装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种发光二极管，其包括半导体发光序列层和DBR结构，半导体发光序列层具有侧面、相对的第一表面和第二表面，DBR结构设置于半导体发光序列层的第一表面上，其中，DBR结构包括交替堆叠的m个第一子层和n个第二子层，m和n＞1且为正整数，第一子层与第二子层的材料不同，将相邻的一个第一子层与一个第二子层定义为一组叠层结构，在至少40％组的叠层结构中的一个子层的光学厚度大于所述半导体发光序列层发出的光的中心波长的1/3，另一个子层的光学厚度小于所述半导体发光序列层发出的光的中心波长的1/3。借此，可以降低蓝光LED和绿光LED的发光角，使得Mini RGB灯珠的发光角趋近一致，进而提升Mini RGB灯珠的光学性能，如影像分辨率等。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种发光二极管及发光装置。
背景技术
固态发光元件中的发光二极管(Light Emitting Diode，简称LED)具有低功率消耗、高亮度、高演色性、及体积小等优点，已广泛用于各式照明及发光装置。举例而言，发光元件作为发光装置的像素，可以取代传统液晶发光装置，并实现更高画质的显示效果。
目前，Mini LED直显产量逐年增加，并广泛应用于监控指挥、高清演播、高端影院、办公显示、会议交互、虚拟现实等领域，Mini RGB灯珠(直显)越来越受到市场重视，MiniRGB灯珠(该灯珠内同时包含红光LED、绿光LED以及蓝光LED)是直接作为显示像素点，以此提供成像的基本单位，从而实现图像显示。Mini RGB灯珠具有自发光、更薄、色域更广、对比度更高、可靠性更高，寿命更长等优点，因而Mini RGB灯珠成为全球各显示技术大厂争相布局的领域。
对于Mini RGB灯珠的出光角度的控制设计是其技术发展路线上的一个重要难点，因为出光角度的大小将直接决定灯珠的多项光学性能表现。由于Mini RGB灯珠是由三原色的LED芯粒组成一个像素点，目前的Mini RGB芯片存在红光芯粒的发光角远小于蓝光芯粒和绿光芯粒的发光角的问题，这一问题限制了Min RGB灯珠的光学性能的进一步提升，如无法进一步提升影像分辨率等。
如图11所示为传统的DBR结构的膜堆厚度分布情况，此种传统的倒装LED芯片的DBR结构能够实现芯片的发光角度范围是140度，存在发光角度过大，影响光学性能等问题。
发明内容
本发明提供一种发光二极管，其包括半导体发光序列层和DBR结构。
半导体发光序列层具有侧面、相对的第一表面和第二表面，DBR结构设置于半导体发光序列层的第一表面上，其中，DBR结构包括交替堆叠的m个第一子层和n个第二子层，m和n＞1且为正整数，第一子层与第二子层的材料不同，将相邻的一个第一子层与一个第二子层定义为一组叠层结构，在至少40％组的叠层结构中的一个子层的光学厚度大于所述半导体发光序列层发出的光的中心波长的1/3，另一个子层的光学厚度小于所述半导体发光序列层发出的光的中心波长的1/3。
在一些实施例中，至少40％m个第一子层的每一层的光学厚度与该40％m个第一子层中最厚的第一子层的光学厚度相差百分比小于等于20％。
在一些实施例中，至少40％n个第二子层的每一层的光学厚度与该40％n个第二子层中最厚的第二子层的光学厚度相差百分比小于等于20％。
在一些实施例中，在至少40％组的叠层结构中第一子层的光学厚度大于第二子层的光学厚度。
在一些实施例中，所述半导体发光序列层发出蓝光，在至少40％组的叠层结构中的一个子层的光学厚度大于150nm，另一个子层的光学厚度小于150nm。
在一些实施例中，所述半导体发光序列层发出绿光，在至少40％组的叠层结构中的一个子层的光学厚度大于174nm，另一个子层的光学厚度小于174nm。
在一些实施例中，m＞n，所述DBR结构具有相对的第一层和最后一层，所述第一层为第一子层，所述最后一层为第一子层。
在一些实施例中，所述第一子层的材料包括TiO2。
在一些实施例中，所述半导体发光序列层发出蓝光，所述第一子层的光学厚度范围为87.5～225nm，所述第二子层的光学厚度范围为87.5～225nm。
在一些实施例中，所述半导体发光序列层发出绿光，所述第一子层的光学厚度范围为101.5～261nm，所述第二子层的光学厚度范围为101.5～261nm。
在一些实施例中，所述第一子层的折射率的范围为2～2.7，所述第二子层的折射率的范围为1.35～1.7。
在一些实施例中，所述DBR结构对所述半导体发光序列层发出的0～30°的入射光的反射率低于所述DBR结构对所述半导体发光序列层发出的30～60°的入射光的反射率。
在一些实施例中，所述半导体发光序列层的第二表面侧还设置有正极焊盘和负极焊盘。
在一些实施例中，所述半导体发光序列层的第一表面侧与所述DBR结构之间还设置有透明衬底。
在一些实施例中，所述发光二极管为倒装发光二极管。
在一些实施例中，在至少40％组的叠层结构中的第一子层的光学厚度与第二子层的光学厚度的差异范围为50～100nm或是-50～-100nm。
在一些实施例中，所述发光二极管的边长尺寸小于200μm，m+n≤20。
在一些实施例中，在至少40％组的叠层结构中的第一子层的光学厚度与第二子层的光学厚度的差异范围均为50～100nm或者在至少40％组的叠层结构中的第一子层的光学厚度与第二子层的光学厚度的差异范围均为-50～-100nm。
在一些实施例中，在至少40％组的叠层结构中，部分组的第一子层的光学厚度与第二子层的光学厚度的差异范围为50～100nm，部分组的第一子层的光学厚度与第二子层的光学厚度的差异范围为-50～-100nm。
本发明还提供一种发光装置，其可以采用如上述任一实施例所述的发光二极管。
本发明的一实施例提供的一种发光二极管及发光装置，通过对第一子层与第二子层的特殊设计，可以降低蓝光LED和绿光LED的发光角，使得Mini RGB灯珠的发光角趋近一致，进而提升Mini RGB灯珠的光学性能，如影像分辨率等。
本发明的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他有益效果可通过在说明书、权利要求书等内容中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；在下面描述中附图所述位置关系，若无特别指明，皆是图示中组件绘示的方向为基准。
图1A是本发明一实施例提供的发光二极管的结构示意图；
图1B是本发明一实施例提供的具有图1A所示的发光二极管的封装结构的结构示意图；
图2是本发明一实施例提供的DBR结构的结构示意图；
图3是本发明一实施例提供的DBR结构的光学厚度示意图；
图4是图3提供的DBR结构的反射特性示意图；
图5是本发明另一实施例提供的DBR结构的光学厚度示意图；
图6是图5提供的DBR结构的反射特性示意图；
图7是本发明又一实施例提供的DBR结构的光学厚度示意图；
图8是图7提供的DBR结构的反射特性示意图；
图9是现有的Mini RGB灯珠的光分布曲线示意图；
图10是使用本实施例的发光二极管的Mini RGB灯珠的光分布曲线示意图；
图11是传统的DBR结构的光学厚度分布示意图。
附图标记：
1-发光二极管；10-半导体发光序列层；101-第二表面；102-第一表面；103-侧面；104-正极焊盘；106-负极焊盘；12-基板；14-正极焊垫；16-负极焊垫；18-封装结构；20-DBR结构；201-第一子层；202-第二子层。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例；下面所描述的本发明不同实施方式中所设计的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合；基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“垂直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、或以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，皆为“至少包含”的意思。
请参阅图1A、图1B和图2，图1A是本发明一实施例提供的发光二极管1的结构示意图，图1B是本发明一实施例提供的具有图1A所示的发光二极管1的封装结构的结构示意图，图2是本发明一实施例提供的DBR结构20的结构示意图。为达所述优点至少其中之一或其他优点，本发明的一实施例提供一种发光二极管1。如图中所示，发光二极管1可以包括半导体发光序列层10和DBR结构20。发光二极管1可以是倒装发光二极管。
半导体发光序列层10具有第一表面102、第二表面101和侧面103，半导体发光序列层10用于发出具有中心波长的光。在一些实施例中，半导体发光序列层10包括N型半导体层、量子阱层和P型半导体层，量子阱层位于N型半导体层和P型半导体层之间。在电源作用下，N型半导体层向量子阱层提供电子，P型半导体层向量子阱层提供空穴，电子与空穴在量子阱层内结合而发出光。量子阱层可以为多重量子阱结构，多重量子阱结构包括以重复的方式交替设置的多个量子阱层和多个量子阻障层，例如可以是AlGaInP/Ga InP、GaN/AlGaN、InAlGaN/InAlGaN或InGaN/A lGaN的多量子阱结构。此外，量子阱层内的阱层的组成以及厚度决定生成的光的波长。为了提高量子阱层的发光效率，可通过在量子阱层中改变量子阱的深度、成对的量子阱和量子势垒的层数、厚度和/或其它特征来实现。
DBR结构20设置于半导体发光序列层10的第一表面102上，DBR结构20是由两种不同折射率的材料以ABAB的方式交替排列组成的周期结构。具体来说，DBR结构20包括交替堆叠的m个第一子层201和n个第二子层202，m和n＞1且为正整数。需要说明的是，根据实际情况的不同，DBR结构20中最接近于半导体发光序列层10的子层可以是第一子层201，也可以是第二子层202。第一子层201与第二子层202的材料不同，第一子层201与第二子层202的折射率也不同。在一些实施例中，DBR结构20也可覆盖至半导体发光序列层10的侧面103上。
从半导体发光序列层10的第一表面102开始起，将相邻的一个第一子层201与一个第二子层202定义为一组叠层结构，在至少40％组的叠层结构中的第一子层201的光学厚度大于第二子层202的光学厚度。
优选地，至少是40％～95％组的叠层结构中的第一子层201的光学厚度大于第二子层202的光学厚度。举例来说，m＝n＝5，则共有5组叠层结构，在至少2组叠层结构中的第一子层201的光学厚度大于第二子层202的光学厚度。借此设计，可以降低蓝光LED和绿光LED的发光角，使得MiniRGB灯珠的发光角趋近一致，进而提升Mini RGB灯珠的光学性能，如影像分辨率等。
需要说明的是，当m不等于n时，叠层结构的组数是以第一表面102为底按照自下向上的叠层顺序计算，最后一个子层不在叠层结构的组数计算范围内，举例来说，m＝6，n＝5，则第一个第一子层201是最接近第一表面102的，共计有5组叠层结构，最后一个第一子层201不在叠层结构的组数计算范围内。
在一些实施例中，至少40％m个第一子层201的每一层的光学厚度与该40％m个第一子层201中最厚的第一子层201的光学厚度相差百分比小于等于20％，也就是说，任意取至少40％m个第一子层201，以这至少40％m个第一子层201中最厚的一层作为参照，其中的每一个第一子层201与最厚的第一子层201的光学厚度相差百分比小于等于20％。
举例来说，共有5个第一子层201(m＝5)，取至少2个第一子层201中的最厚的第一子层201的光学厚度为150nm，则至少有2个第一子层201的光学厚度与150nm相差百分比小于等于20％，即至少2个第一子层201的光学厚度范围为120～150nm。进而可以进一步降低蓝光LED和绿光LED的发光角，使得Mini RGB灯珠的发光角更加趋近一致，提升Mini RGB灯珠的光学性能。
在一些实施例中，至少40％n个第二子层202的每一层的光学厚度与该40％n个第二子层202中最厚的第二子层202的光学厚度相差百分比小于等于20％，也就是说，任意取至少40％n个第二子层202，以这至少40％n个第二子层202中最厚的一层作为参照，其中的每一个第二子层202与最厚的第二子层202的光学厚度相差百分比小于等于20％。举例来说，共有5个第二子层202(n＝5)，取至少2个第二子层202中的最厚的第二子层202的光学厚度为150nm，则至少有2个第一子层201的光学厚度与150nm相差百分比小于等于20％，即至少2个第一子层201的光学厚度范围为120～150nm。进而可以进一步降低蓝光LED和绿光LED的发光角，使得Mini RGB灯珠的发光角更加趋近一致，提升Mini RGB灯珠的光学性能。
在一些实施例中，在至少40％组的叠层结构中的一个子层(可以是第一子层201也可以是第二子层202)的光学厚度大于半导体发光序列层10发出的光的中心波长的1/3，则另一个子层的光学厚度小于半导体发光序列层10发出的光的中心波长的1/3。举例来说，以光的中心波长是450nm为例，m＝n＝6，共有6组叠层结构，则在至少3组叠层结构中的第一子层201或第二子层202的光学厚度大于150nm，同一组叠层结构中另外的一个子层的光学厚度则小于150nm，借此进一步降低蓝光LED和绿光LED的发光角，使得Mini RGB灯珠的发光角更加趋近一致，提升Mini RGB灯珠的光学性能。优选地，当半导体发光序列层10发出蓝光时，在至少40％组的叠层结构中的一个子层的光学厚度大于150nm，另一个子层的光学厚度小于150nm。优选地，当半导体发光序列层10发出绿光时(中心波长为520nm)，在至少40％组的叠层结构中的一个子层的光学厚度大于174nm，另一个子层的光学厚度小于174nm。
在一些实施例中，m＞n，DBR结构20具有相对的第一层和最后一层，第一层和最后一层均是第一子层201。优选地，第一子层201的材料包括TiO2，第一层借由TiO2高粘附性以加强DBR结构20与相邻结构之间的连接，如加强与半导体发光序列层10的连接、或加强与衬底之间的连接等等，最后一层借由TiO2的高反射率，进一步降低蓝光LED和绿光LED的发光角，使得Mini RGB灯珠的发光角更加趋近一致，提升Mini RGB灯珠的光学性能。
在一些实施例中，第一子层201的光学厚度范围为75.6～252nm，第二子层202的光学厚度范围为87.5～438nm。优选地，当半导体发光序列层10发出蓝光时，第一子层201的光学厚度范围为87.5～225nm，第二子层202的光学厚度范围为87.5～225nm。
优选地，当半导体发光序列层10发出绿光时，第一子层201的光学厚度范围为101.5～261nm，第二子层202的光学厚度范围为101.5～261nm。
在一些实施例中，第一子层201的折射率的范围为2.0～2.7，第二子层202的折射率的范围为1.35～1.7。第一子层201的材料可以为TiO2、Ni2O5、Ta2O5、HfO2；第二子层202的材料可以为SiO2、MgF2、Al2O3、或SiOxNy，其中，2x+3y＝4，x和y均大于0。
在一些实施例中，DBR结构20对半导体发光序列层10发出的0～30°的入射光的反射率低于DBR结构20对半导体发光序列层10发出的30～60°的入射光的反射率。
在一些实施例中，DBR结构20对半导体发光序列层10发出的0～30°的光的反射率低于50％，DBR结构20对半导体发光序列层10发出的30～60°的入射光的反射率高于50％。
在一些实施例中，DBR结构20对半导体发光序列层10发出的0～10°的光的反射率低于10％，或者进一步的，DBR结构20对半导体发光序列层10发出的0～20°的光的反射率低于10％。
在一些实施例中，结构20对半导体发光序列层10发出的60～90°的光的反射率都能高于80％。
也就是说，DBR结构20可以让更多小角度的光线透射出去，并更多的反射大角度的光，进而降低蓝光LED和绿光LED的发光角，使得Mini RGB灯珠的发光角更加趋近一致。
在一些实施例中，在至少40％组的叠层结构中的第一子层201的光学厚度与第二子层202的光学厚度的差异范围为50～100nm或者-50nm～-100nm，例如40％组以上或者60％组以上或者70％以上或者80％组以上或者90％组以上，借由40％以上的相邻子层的一厚一薄的设计，可以让Mini RGB灯珠针对性的让小角度光保持高的亮度强度，进而降低发光角，使得Mini RGB灯珠的发光角更加趋近一致，提升Mini RGB灯珠的光学性能。
在一些实施例中，在至少40％组的叠层结构中的第一子层201的光学厚度与第二子层202的光学厚度的差异范围均为50～100nm。在一些实施例中，在至少40％组的叠层结构中的第一子层201的光学厚度与第二子层202的光学厚度的差异范围均为-50～-100nm。
在一些实施例中，在至少40％组的叠层结构中，部分组的第一子层201的光学厚度与第二子层202的光学厚度的差异范围为50～100nm，部分组的第一子层201的光学厚度与第二子层202的光学厚度的差异范围为-50～-100nm。
在一些实施例中，所述发光二极管1的边长尺寸小于200μm，m+n≤20，通过控制DBR结构20的厚度不能太厚，以避免影响芯片翘曲，切割容易破裂等危险情况发生。
发光二极管1还可以包括位于半导体发光序列层10的第一表面102与DBR结构20之间的衬底，位于第一表面102侧的衬底可以为透明衬底，以使得光线可以透过射出。透明衬底可以是蓝宝石衬底。优选蓝宝石衬底的厚度范围为60～150nm。
半导体发光序列层10的第二表面101侧还可以设置有绝缘层、正极焊盘104和负极焊盘106，正极焊盘104和负极焊盘106分别与半导体发光序列层10的N型半导体层和P型半导体层电性连接。
绝缘层可以是第二DBR结构，所述的第二DBR结构为一个高反射性的DBR层，其对于入射角范围为0～60°之间的光能够实现80％以上的高反射率。
在一些实施例中，包括发光二极管1的封装结构还可以包括基板12、正极焊垫14、负极焊垫16。半导体发光序列层10的正极与负极分别连接正极焊盘104和负极焊盘106。正极焊盘104连接正极焊垫14，负极焊盘106连接负极焊垫16，正极焊垫14与负极焊垫16设置在基板12上，封装结构18覆盖半导体发光序列层10和DBR结构20。
请参阅图3和图4，图3所示的DBR结构20的第一子层201为TiO2层，第二子层202为SiO2层，m＝8，n＝7。最左侧的第一层为最接近第一表面102的子层。有3组叠层结构中的第一子层201的光学厚度大于第二子层202的光学厚度。存在4个TiO2层的光学厚度与最厚的TiO2层的光学厚度相比相差百分比小于等于20％，存在4个SiO2层的光学厚度与最厚的SiO2的光学厚度相比相差百分比小于等于20％。有3组叠层结构中SiO2层的光学厚度大于150nm,TiO2层的光学厚度小于150nm，有2组叠层结构中TiO2层的光学厚度大于150nm,SiO2层的光学厚度小于150nm，拥有以上规律的叠层占有率为71.4％。如图4所示，此种搭配设计的DBR结构20对于中心波长为450nm的光(蓝光)在小角度(10～30°)方面具有高透射率，大角度方面具有高反射率，进而降低发光角，使得Mini RGB灯珠的发光角更加趋近一致。相较于传统的140度的大发光角，本实施例的发光二极管1则可以进一步缩小发光角范围，大约为107度，且增强该范围内的出光光强，达到提升光学性能的目的。
请参阅图5和图6，图5所示的DBR结构20的第一子层201为SiO2层，第二子层202为TiO2层，m＝7，n＝8。最左侧的第一层为最接近第一表面102的子层。在本实施例中，SiO2层的光学厚度全部大于TiO2层的光学厚度，且SiO2层的光学厚度大于150nm，TiO2层的光学厚度小于150nm。如图6所示，此种搭配设计的DBR结构20对于中心波长为450nm的光(蓝光)在小角度(10～30°)方面具有高透射率，大角度方面具有高反射率，进而降低发光角，使得MiniRGB灯珠的发光角更加趋近一致。
请参阅图7和图8，图7所示的DBR结构20的第一子层201为TiO2层，第二子层202为SiO2层，m＝8，n＝7。最左侧的第一层为最接近第一表面102的子层。在本实施例中，TiO2层的光学厚度全部大于SiO2层的光学厚度，且TiO2层的光学厚度大于150nm，SiO2层的光学厚度小于150nm。如图6所示，此种搭配设计的DBR结构20对于中心波长为450nm的光(蓝光)在小角度(10～30°)方面具有高透射率，大角度方面具有高反射率，进而降低发光角，使得MiniRGB灯珠的发光角更加趋近一致。补充说明的是，图4、图6和图8中的横坐标为入射角度，纵坐标为反射率。
请参阅图9和图10，图9是现有的Mini RGB灯珠的光分布曲线示意图，图10是使用本实施例的发光二极管1的Mini RGB灯珠的光分布曲线示意图。通过对比图9和图10，可知相较于现有的Mini RGB灯珠对于大部分光都具有高亮度强度而言，本案的发光二极管1，借由40％以上的相邻子层的一厚一薄的设计，可以让Mini RGB灯珠针对性的让小角度光保持高的亮度强度，进而降低发光角，使得Mini RGB灯珠的发光角更加趋近一致，提升Mini RGB灯珠的光学性能。需要说明的是，图9和图10的横坐标为亮度强度，是用极坐标示意，在-90度处和90度处为0.6的亮度强度，中心点为0的亮度强度。
本发明还一实施例提供一种发光装置，其采用上述任一实施例所述的发光二极管1。
综上所述，本发明的一实施例提供的一种发光二极管1及发光装置，通过对第一子层201与第二子层202的特殊设计，可以降低蓝光LED和绿光LED的发光角，使得Mini RGB灯珠的发光角趋近一致，进而提升Mini RGB灯珠的光学性能，如影像分辨率等。
另外，本领域技术人员应当理解，尽管现有技术中存在许多问题，但是，本发明的每个实施例或技术方案可以仅在一个或几个方面进行改进，而不必同时解决现有技术中或者背景技术中列出的全部技术问题。本领域技术人员应当理解，对于一个权利要求中没有提到的内容不应当作为对于该权利要求的限制。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (20)
1.一种发光二极管，其特征在于：所述发光二极管包括：
半导体发光序列层，具有侧面、相对的第一表面和第二表面；
DBR结构，设置于所述半导体发光序列层的第一表面上；
其中，所述DBR结构包括交替堆叠的m个第一子层和n个第二子层，m和n＞1且为正整数，所述第一子层与所述第二子层的材料不同，将相邻的一个第一子层与一个第二子层定义为一组叠层结构，在至少40％组的叠层结构中的一个子层的光学厚度大于所述半导体发光序列层发出的光的中心波长的1/3，另一个子层的光学厚度小于所述半导体发光序列层发出的光的中心波长的1/3。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：至少40％m个第一子层的每一层的光学厚度与该40％m个第一子层中最厚的第一子层的光学厚度相差百分比小于等于20％。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：至少40％n个第二子层的每一层的光学厚度与该40％n个第二子层中最厚的第二子层的光学厚度相差百分比小于等于20％。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：在至少40％组的叠层结构中第一子层的光学厚度大于第二子层的光学厚度。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述半导体发光序列层发出蓝光，在至少40％组的叠层结构中的一个子层的光学厚度大于150nm，另一个子层的光学厚度小于150nm。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述半导体发光序列层发出绿光，在至少40％组的叠层结构中的一个子层的光学厚度大于174nm，另一个子层的光学厚度小于174nm。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：m＞n，所述DBR结构具有相对的第一层和最后一层，所述第一层为第一子层，所述最后一层为第一子层。
8.根据权利要求7所述的发光二极管，其特征在于：所述第一子层的材料包括TiO2。
9.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述半导体发光序列层发出蓝光，所述第一子层的光学厚度范围为87.5～225nm，所述第二子层的光学厚度范围为87.5～225nm。
10.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述半导体发光序列层发出绿光，所述第一子层的光学厚度范围为101.5～261nm，所述第二子层的光学厚度范围为101.5～261nm。
11.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一子层的折射率的范围为2.0～2.7，所述第二子层的折射率的范围为1.35～1.7。
12.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述DBR结构对所述半导体发光序列层发出的0～30°的入射光的反射率低于所述DBR结构对所述半导体发光序列层发出的30～60°的入射光的反射率。
13.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述半导体发光序列层的第二表面侧还设置有正极焊盘和负极焊盘。
14.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述半导体发光序列层的第一表面侧与所述DBR结构之间还设置有透明衬底。
15.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管为倒装发光二极管。
16.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：在至少40％组的叠层结构中的第一子层的光学厚度与第二子层的光学厚度的差异范围为50～100nm或是-50～-100nm。
17.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：在至少40％组的叠层结构中的第一子层的光学厚度与第二子层的光学厚度的差异范围均为50～100nm，或者在至少40％组的叠层结构中的第一子层的光学厚度与第二子层的光学厚度的差异范围均为-50～-100nm。
18.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：在至少40％组的叠层结构中，部分组的第一子层的光学厚度与第二子层的光学厚度的差异范围为50～100nm，部分组的第一子层的光学厚度与第二子层的光学厚度的差异范围为-50～-100nm。
19.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管的边长尺寸小于200μm，m+n≤20。
20.一种发光装置，其特征在于：采用如权利要求1-19中任一项所述的发光二极管。
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