CN117393682A - 微显示装置、微显示阵列结构及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种微显示装置、微显示阵列结构及其制备方法，其中，微显示装置包括：驱动电路板及通过键合层键合于驱动电路板表面的微显示单元，包括：半导体发光结构，表面包括一电极区域；形成于第一半导体层和键合层之间的反射金属结构；形成于半导体发光结构四周的第一钝化结构，至少绕中心区域半导体发光结构中的第二半导体层一圈设置；自第一钝化结构侧壁刻蚀至键合层，于未被刻蚀的部分键合层表面形成的台面；自第一钝化结构表面延伸至台面表面的第一钝化层；至少由台面表面延伸至驱动电路板的第二钝化层；第一钝化层和第二钝化层至少在半导体发光结构表面的电极区域形成有开口，能有效解决因金属离子迁移导致的Micro LED漏电等技术问题。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，尤其是一种微显示装置、微显示阵列结构及其制备方法。
背景技术
微显示芯片（Micro LED）是AR（增强现实）/VR（虚拟现实）等设备的核心芯片，相较于LCOS（硅基液晶）和OLED（有机发光二极管）等技术，Micro LED因其高分辨率、低功耗、高亮度、长寿命等优势，被视为最佳解决方案。为满足AR/VR中芯片小型化、高分辨率、高亮度等要求，Si基GaN（氮化镓）外延结构与COMS晶圆级键合成为一种较为优选的技术方案。
为提高Micro LED的亮度，通常会在键合金属与GaN结构之间形成反射金属结构，但是，在后续的加工工艺中，容易因金属离子迁移导致Micro LED漏电、相邻Micro LED连接后LED产品失效等问题。
发明内容
为了克服以上不足，本发明提供了一种微显示装置、微显示阵列结构及其制备方法，有效解决因金属离子迁移导致Micro LED漏电等技术问题。
本发明提供的技术方案为：
一方面，本发明提供了一种微显示装置，包括：
驱动电路板，所述驱动电路板表面配置有用于驱动所述微显示装置的驱动电路；及
通过键合层键合于所述驱动电路板表面的微显示单元，所述微显示单元包括：
半导体发光结构，从下到上依次包括第一半导体层、发光层及第二半导体层；所述第二半导体层表面包括一电极区域；
形成于所述第一半导体层和键合层之间的反射金属结构；
形成于半导体发光结构四周的第一钝化结构，所述第一钝化结构通过于半导体发光结构的周边区域进行离子注入形成，至少绕中心区域半导体发光结构中的第二半导体层一圈设置；
自第一钝化结构侧壁刻蚀至键合层，于未被刻蚀的部分键合层表面形成的台面；
自第一钝化结构表面延伸至所述台面的表面的第一钝化层；及
至少由台面表面延伸至驱动电路板的第二钝化层，所述第一钝化层和第二钝化层至少在所述第二半导体层表面的电极区域形成有开口。
另一方面，本发明提供了一种微显示阵列结构，包括阵列排布在同一驱动电路板表面的多个微显示装置，且各微显示装置对应的驱动电路板为一整体结构，表面配置有用于驱动各微显示装置的驱动电路，还包括：
沉积于整个驱动电路板表面的透明电流扩展层，及
沉积于各微显示单元之间的连接金属层。
另一方面，本发明提供了一种微显示阵列结构制备方法，包括：
在生长衬底表面形成半导体发光结构及反射金属结构，半导体发光结构从下到上依次包括第二半导体层、发光层及第一半导体层；
通过键合层将半导体发光结构翻转键合于驱动电路板上，并去除生长衬底；所述驱动电路板上配置阵列驱动线路；
于驱动电路板表面，预先配置的微显示单元之间的半导体发光结构处注入离子，于各所述微显示单元中形成至少绕中心区域半导体发光结构中第二半导体层一圈的第一钝化结构；
沿各微显示单元的第一钝化结构的侧边刻蚀至键合层，在未被刻蚀的部分键合层表面形成台面；
于整个驱动电路板表面沉积第一钝化层；
沿各微显示单元台面的侧边刻蚀至驱动电路板；
于整个驱动电路板表面沉积第二钝化层；
于各微显示单元第二半导体层表面的电极区域上形成电极通孔；
于整个驱动电路板表面沉积透明电流扩展层；
于各微显示单元之间沉积连接金属层。
本发明提供的微显示装置、微显示阵列结构及其制备方法，通过在微显示单元四周形成第一钝化结构，及在第一钝化结构、反射金属结构及键合层侧壁分别形成第一钝化层和第二钝化层的方式抑制反射金属结构中的金属离子迁移。通过分段刻蚀设置多钝化层的方式进一步提升产品的良率及稳定性。
附图说明
图1为本发明中微显示装置示意图；
图2为本发明中在生长衬底表面形成半导体发光结构及反射金属结构示意图；
图3为本发明中键合至驱动电路板并去除生长衬底示意图；
图4为本发明中于预先配置的微显示单元之间的半导体发光结构处注入离子示意图；
图5为本发明中沿各微显示单元的第一钝化结构的侧边刻蚀至键合层在未被刻蚀的部分键合层表面形成的台面示意图；
图6为本发明中于整个驱动电路板表面沉积第一钝化层示意图；
图7为本发明中沿各微显示单元台面的侧边刻蚀至驱动电路板示意图；
图8为本发明中于整个驱动电路板表面沉积第二钝化层示意图；
图9为本发明中于各微显示单元第二半导体层表面的电极区域上形成电极通孔示意图；
图10为本发明中微显示阵列结构俯视示意图；
图11为本发明中图10中A-A处剖面示意图；
图12为本发明中于整个驱动电路板表面沉积透明电流扩展层示意图；
图13为本发明中于各微显示单元之间沉积连接金属层示意图。
附图标记：
10-驱动电路板，20-微显示单元，21-第一半导体层，22-发光层，23-第二半导体层，24-电极区域，25-反射金属结构，26-键合层，27-第一钝化结构，28-第一钝化层，29-第二钝化层，30-透明电流扩展层，40-连接金属层，50-生长衬底，60-台面。
具体实施方式
为了更清楚地说明本发明实施案例或现有技术中的技术方案，下面将对照附图说明本发明的具体实施方式。显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，并获得其他的实施方式。
本发明的第一种实施例，一种微显示装置，如图1所示，包括：驱动电路板10，驱动电路板表面配置有用于驱动微显示装置的驱动电路；及通过键合层键合于驱动电路板表面的微显示单元20，微显示单元包括：半导体发光结构，从下到上依次包括第一半导体层21、发光层22及第二半导体层23；第二半导体层23表面包括一电极区域24；形成于第一半导体层和键合层之间的反射金属结构25；形成于半导体发光结构四周的第一钝化结构27，第一钝化结构27通过于半导体发光结构的周边区域进行离子注入形成，至少绕中心区域半导体发光结构中的第二半导体层23一圈设置；自第一钝化结构27侧壁刻蚀至键合层26，于未被刻蚀的部分键合层表面形成的台面60；自第一钝化结构表面延伸至台面表面的第一钝化层28；及至少由台面表面延伸至驱动电路板的第二钝化层29，第一钝化层28和第二钝化层29至少在第二半导体层表面的电极区域24形成有开口。
本实施例中，驱动电路板10用于驱动邦定于其表面的微显示单元20，通常为表面配置有CMOS驱动电路的印刷电路板，表面配置的线路根据具体的应用需求设计。半导体发光结构可以选用各种波段的二元、三元、四元材料进行制备，这里不做具体限定。第一半导体层21和第二半导体层23的类型同样可以根据应用需求确定，如一实例中，第一半导体层为N型GaN层，第二半导体层为P型GaN层等。
半导体发光结构通过键合金属键合至驱动电路板上，在进行键合操作之前，在半导体发光结构的第一半导体层一侧形成第一键合结构，在驱动电路板表面的驱动线路上形成第二键合结构，以此，通过第一键合结构和第二键合结构将半导体发光结构键合至驱动电路板表面。第一键合结构/第二键合结构可以由Ti、Pt、Au、Sn等合金形成，二者任意一层的厚度在0.3 µm~0.5 µm（微米）之间。
为了提高微显示装置的出光效率，在第一半导体层21和键合层26之间形成有反射金属结构25，该反射金属结构中包括高反射率金属，如Ag、Al等。实际应用中，为了保护该高反射率金属，还可以在反射金属结构中形成保护金属层、电流扩展层，如在高反射率金属层和第一键合结构之间形成多层Ti、Ni金属层得到金属保护层，在高反射率金属层和第一半导体层之间形成ITO层等。
为了抑制反射金属结构中的金属离子从侧面迁移，通过离子注入的方式在半导体发光结构四周形成一圈第一钝化结构27，保留中心区域的半导体发光结构（通常为圆柱形结构）。该第一钝化结构通过离子注入，至少钝化半导体发光结构周边区域的第二半导体层23形成，第一钝化结构27至少绕中心区域半导体发光结构中的第二半导体层23一圈设置。在其他实施例中，第一钝化结构也可以通过钝化周边区域的第一半导体层、发光层、第二半导体层形成；或是钝化至部分发光层等，只要保证周边的第二半导体层被完全钝化即可。
为了进一步抑制反射金属结构中的金属离子从侧面往下迁移，之后在半导体发光结构、反射金属结构25及键合层26侧壁形成沿第一钝化结构27，自第一钝化结构侧壁刻蚀至键合层26，刻蚀部分键合层26后在余下未被刻蚀的键合层26表面形成台面；之后沿着台面进一步刻蚀至驱动电路板10，于微显示单元20侧壁形成台阶状结构。沿第一钝化结构27侧壁刻蚀中，保留部分第一钝化结构27，即台阶状结构形成后，中间区域的半导体发光结构四周依然形成有第一钝化结构27，且该台阶状结构中，包括3个台阶平面，分别为第一钝化结构27表面（同第二半导体层23表面）、台面及驱动电路板10表面。基于该结构，形成由第一钝化结构27延伸至台面的第一钝化层28，及至少由台面延伸至驱动电路板10的第二钝化层29，两层钝化层至少在台面上重叠，且重叠区域第二钝化层29位于第一钝化层28表面，以此进一步抑制金属离子向驱动电路板10一侧迁移。这里，由于第一钝化层28直接与反射金属结构25的侧壁接触，为了防止该第一钝化层28氧化其中的高反射率金属，限定第一钝化层28为不含氧离子的SiN、AlN等膜层；第二钝化层29可以为SiO2、SiN、AlN等任意绝缘膜层。另外，图1所示中，第二钝化层29覆盖第一钝化层28，自第二半导体层延伸至驱动电路板，在其他实施例中，第二钝化层至少由台面延伸至驱动电路板即可。每一钝化层和第二钝化层的厚度为100nm-200nm。第一钝化层28和第二钝化层29至少在第二半导体层表面的电极区域24形成有开口。
与上述微显示装置对应的，本发明的另一实施例提供了一种微显示制备方法，包括，
S11、在生长衬底50表面形成半导体发光结构及反射金属结构25，半导体发光结构从下到上依次包括第二半导体层23、发光层22及第一半导体层21，如图2所示；
S12、通过键合层26将半导体发光结构翻转键合于驱动电路板10上，并去除生长衬底50，如图3所示；驱动电路板表面配置有用于驱动微显示装置的驱动电路；
S13、于驱动电路板10表面，对半导体发光结构的周边区域注入离子形成第一钝化结构27，第一钝化结构至少绕中心区域半导体发光结构中的第二半导体层一圈设置，如图4所示；
S14、沿微显示单元的第一钝化结构27的侧边刻蚀至键合层26，在未被刻蚀的部分键合层表面形成台面60，如图5所示；
S15、于驱动电路板10表面沉积第一钝化层28，如图6所示；
S16、沿各微显示单元台面的侧边刻蚀至驱动电路板，如图7所示；
S17、于驱动电路板表面沉积第二钝化层29，如图8所示；
S18、于第二半导体层表面的电极区域24上形成电极通孔，如图9所示。
本实施例中，驱动电路板用于驱动邦定于其表面的微显示单元，通常为表面配置有CMOS驱动电路的印刷电路板，表面配置的线路根据具体的应用需求设计。半导体发光结构可以选用各种波段的二元、三元、四元材料进行制备，这里不做具体限定。第一半导体层和第二半导体层的类型同样可以根据应用需求确定，如一实例中，第一半导体层为N型GaN层，第二半导体层为P型GaN层等。
半导体发光结构通过键合金属键合至驱动电路板上，在进行键合操作之前，在半导体发光结构的第一半导体层一侧形成第一键合结构，在驱动电路板表面的驱动线路上形成第二键合结构，以此，通过第一键合结构和第二键合结构将半导体发光结构键合至驱动电路板表面。第一键合结构/第二键合结构可以由Ti、Pt、Au、Sn等合金形成，二者任意一层的厚度在0.3 µm~0.5 µm（微米）之间。
为了提高微显示装置的出光效率，在第一半导体层和键合层之间形成有反射金属结构，该反射金属结构中包括高反射率金属，如Ag、Al等。实际应用中，为了保护该高反射率金属，还可以在反射金属结构中形成保护金属层、电流扩展层，如在高反射率金属层和第一键合结构之间形成多层Ti、Ni金属层得到金属保护层，在高反射率金属层和第一半导体层之间形成ITO层等。
为了抑制反射金属结构中的金属离子从侧面迁移，通过离子注入的方式在半导体发光结构四周形成一圈第一钝化结构，保留中心区域的半导体发光结构（通常为圆柱形结构）。该第一钝化结构通过离子注入，钝化周边区域的第二半导体层形成，至少绕中心区域半导体发光结构中的第二半导体层一圈设置。这一过程中，由于尚未对半导体发光结构下方的反射金属结构和键合层进行刻蚀，即反射金属结构没有暴露在外，以此能够有效防止反射金属结构中的金属离子向上迁移至第二半导体层，导致短路。在其他实施例中，第一钝化结构也可以通过钝化周边区域的第一半导体层、发光层、第二半导体层形成；或是钝化至部分发光层等，只要保证第二半导体层被完全钝化即可。
为了进一步抑制反射金属结构中的金属离子从侧面往下迁移至驱动电路板一侧，之后在半导体发光结构、反射金属结构及键合层侧壁沿第一钝化结构侧壁刻蚀至键合层，并刻蚀部分键合层后在余下未被刻蚀的键合层表面形成台面；之后沿着台面进一步刻蚀至驱动电路板，于微显示单元侧壁形成台阶状结构。沿第一钝化结构侧壁刻蚀中，保留部分第一钝化结构，即台阶状结构形成后，中间区域的半导体发光结构四周依然形成有第一钝化结构，且该台阶状结构中，包括3个台阶平面，分别为第一钝化结构表面（同第二半导体层表面）、台面及驱动电路板表面。基于该结构，形成由第一钝化结构延伸至台面的第一钝化层，由第一钝化结构延伸至至驱动电路板的第二钝化层，由于在刻蚀至驱动电路板之前，刻蚀至键合层并形成第一钝化层，通过该第一钝化层将反射金属结构中的金属离子包裹住，确保后续刻蚀至驱动电路板沉积第二钝化层的过程中，不会出现金属离子向下迁移的情况出现。相比于仅在微显示单元侧边形成一钝化层的结构来说（一次刻穿至驱动电路板并形成钝化层的过程中，会出现金属离子向上或向下迁移导致芯片失效），本实施例的方法形成的微显示单元结构更加的稳定。
这里，由于第一钝化层直接与反射金属结构的侧壁接触，为了防止该第一钝化层氧化其中的高反射率金属，限定第一钝化层为不含氧离子的SiN、AlN等膜层；第二钝化层可以为SiO2、SiN、AlN等任意绝缘膜层。每一钝化层和第二钝化层的厚度为100nm-200nm。
本发明的另一实施例，一种微显示阵列结构，如图10和图11所示（图10为俯视示意图，图11为图10中A-A处剖面示意图），包括阵列排布在同一驱动电路板10表面的多个微显示装置，还包括：沉积于各微显示装置表面的透明电流扩展层30，及沉积于各微显示单元20之间的连接金属层40。
本实施例中，一整块驱动电路板10表面配置有可驱动阵列排布的微显示单元20的驱动电路，将微显示单元20键合于驱动电路板10后，进一步整面沉积透明电流扩展层30（ITO），及在微显示单元20之间的沟槽内沉积连接金属层40，实现微显示单元20之间的互联。这里，连接金属层40可以为任意导电金属，如Ti、Pt、Au等。厚度可以根据实际情况进行配置，优选0.5 µm~1 µm。
本发明的另一实施例，一种微显示阵列结构制备方法，包括：
S21、在生长衬底表面形成半导体发光结构及反射金属结构，半导体发光结构从下到上依次包括第二半导体层、发光层及第一半导体层；
S22、通过键合层将半导体发光结构翻转键合于驱动电路板上，并去除生长衬底；驱动电路板上配置阵列驱动线路；
S23、于驱动电路板表面，预先配置的微显示单元之间的半导体发光结构处注入离子，于各微显示单元中形成至少绕中心区域半导体发光结构中第二半导体层一圈的第一钝化结构；
S24、沿各微显示单元的第一钝化结构的侧边刻蚀至键合层，在未被刻蚀的部分键合层表面形成的台面；
S25、于整个驱动电路板表面沉积第一钝化层；
S26、沿各微显示单元台面的侧边刻蚀至驱动电路板；
S27、于整个驱动电路板表面沉积第二钝化层；
S28、于各微显示单元第二半导体层表面的电极区域上形成电极通孔；
S29、于整个驱动电路板表面沉积透明电流扩展层；
S30、于各微显示单元之间沉积连接金属层。
本实施例中，驱动电路板用于驱动邦定于其表面的微显示单元，通常为表面配置有CMOS驱动电路的印刷电路板，表面配置的线路根据具体的应用需求设计。半导体发光结构可以选用各种波段的二元、三元、四元材料进行制备，这里不做具体限定。第一半导体层和第二半导体层的类型同样可以根据应用需求确定，如一实例中，第一半导体层为N型GaN层，第二半导体层为P型GaN层等。
外延生长形成的半导体发光结构通过键合金属键合至驱动电路板上，在进行键合操作之前，在半导体发光结构的第一半导体层一侧形成第一键合结构，在驱动电路板表面的驱动线路上形成第二键合结构，以此，通过第一键合结构和第二键合结构将半导体发光结构键合至驱动电路板表面。第一键合结构/第二键合结构可以由Ti、Pt、Au、Sn等合金形成，二者任意一层的厚度在0.3 µm~0.5 µm之间。
为了提高各微显示单元的出光效率，在第一半导体层和键合层之间形成有反射金属结构，该反射金属结构中包括高反射率金属，如Ag、Al等。实际应用中，为了保护该高反射率金属，还可以在反射金属结构中形成保护金属层、电流扩展层，如在高反射率金属层和第一键合结构之间形成多层Ti、Ni金属层得到金属保护层，在高反射率金属层和第一半导体层之间形成ITO层等。
为了抑制反射金属结构中的金属离子从侧面迁移，在预先配置的微显示单元之间的半导体发光结构处注入离子，以此在各微显示单元中的半导体发光结构四周形成一圈第一钝化结构，保留中心区域的半导体发光结构（通常为圆柱形结构）。该第一钝化结构通过离子注入，至少钝化半导体发光结构中周边区域的第二半导体层，至少绕中心区域半导体发光结构中的第二半导体层一圈设置。这一过程中，由于尚未对半导体发光结构下方的反射金属结构和键合层进行刻蚀，即反射金属结构没有暴露在外（下方仍为一整体结构），以此能够有效防止反射金属结构中的金属离子向上迁移至第二半导体层，导致短路。在其他实施例中，第一钝化结构也可以通过钝化周边区域的第一半导体层、发光层、第二半导体层形成；或是钝化至部分发光层等，只要保证第二半导体层被完全钝化即可。
为了进一步抑制反射金属结构中的金属离子从侧面往下迁移至驱动电路板一侧，之后在半导体发光结构、反射金属结构及键合层侧壁沿第一钝化结构侧壁刻蚀至键合层，并刻蚀部分键合层后在余下未被刻蚀的键合层表面形成台面；并沿着台面进一步刻蚀至驱动电路板，于微显示单元侧壁形成台阶状结构。沿第一钝化结构侧壁刻蚀中，保留部分第一钝化结构，即台阶状结构形成后，中间区域的半导体发光结构四周依然形成有第一钝化结构，且该台阶状结构中，包括3个台阶平面，分别为第一钝化结构表面（同第二半导体层表面）、台面及驱动电路板表面。基于该结构，形成由第一钝化结构延伸至台面的第一钝化层，由第一钝化结构延伸至至驱动电路板的第二钝化层，由于在刻蚀至驱动电路板之前，刻蚀至键合层并形成第一钝化层，通过该第一钝化层将反射金属结构中的金属离子包裹住，确保后续刻蚀至驱动电路板沉积第二钝化层的过程中，不会出现金属离子向下迁移的情况出现。相比于仅在微显示单元侧边形成一钝化层的结构来说（一次刻穿至驱动电路板并形成钝化层的过程中，会出现金属离子向上或向下迁移导致芯片失效），本实施例的方法形成的微显示单元结构更加的稳定。
这里，由于第一钝化层直接与反射金属结构的侧壁接触，为了防止该第一钝化层氧化其中的高反射率金属，限定第一钝化层为不含氧离子的SiN、AlN等膜层；第二钝化层可以为SiO2、SiN、AlN等任意绝缘膜层。每一钝化层和第二钝化层的厚度为100nm-200nm。
形成了各微显示单元电极区域上方的电极通孔后，于整个驱动电路板表面沉积透明电流扩展层30（ITO），如图12；并于各微显示单元之间沉积连接金属层40，如图13。实现微显示单元20之间的互联。这里，连接金属层40可以为任意导电金属，如Ti、Pt、Au等。厚度可以根据实际情况进行配置，优选0.5 µm~1 µm。
应当说明的是，上述实施例均可根据需要自由组合。以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种微显示装置，其特征在于，包括：
驱动电路板，所述驱动电路板表面配置有用于驱动所述微显示装置的驱动电路；及
通过键合层键合于所述驱动电路板表面的微显示单元，所述微显示单元包括：
半导体发光结构，从下到上依次包括第一半导体层、发光层及第二半导体层；所述第二半导体层表面包括一电极区域；
形成于所述第一半导体层和键合层之间的反射金属结构；
形成于半导体发光结构四周的第一钝化结构，所述第一钝化结构通过于半导体发光结构的周边区域进行离子注入形成，至少绕中心区域半导体发光结构中的第二半导体层一圈设置；
自第一钝化结构侧壁刻蚀至键合层，于未被刻蚀的部分键合层表面形成的台面；
自第一钝化结构表面延伸至所述台面的表面的第一钝化层；及
至少由所述台面的表面延伸至驱动电路板的第二钝化层，所述第一钝化层和第二钝化层至少在所述第二半导体层表面的电极区域形成有开口。
2.如权利要求1所述的微显示装置，其特征在于，所述第一钝化结构绕中心区域半导体发光结构一圈设置，通过对半导体发光结构四周第二半导体层表面开始注入离子至反射金属结构表面形成。
3.如权利要求1所述的微显示装置，其特征在于，所述第一钝化层中不含氧离子。
4.如权利要求1-3任意一项所述的微显示装置，其特征在于，所述第一钝化层和第二钝化层至少在所述第二半导体层表面的电极区域形成有开口中，所述第一钝化层和第二钝化层覆盖半导体发光结构表面除电极区域的其他区域。
5.一种微显示阵列结构，其特征在于，包括阵列排布在同一驱动电路板表面的多个如权利要求1-3任意一项所述的微显示装置，且各所述微显示装置对应的驱动电路板为一整体结构，表面配置有用于驱动各所述微显示装置的驱动电路，还包括：
沉积于整个驱动电路板表面的透明电流扩展层，及
沉积于各微显示单元之间的连接金属层。
6.一种微显示阵列结构制备方法，其特征在于，包括：
在生长衬底表面形成半导体发光结构及反射金属结构，半导体发光结构从下到上依次包括第二半导体层、发光层及第一半导体层；
通过键合层将半导体发光结构翻转键合于驱动电路板上，并去除生长衬底；所述驱动电路板上配置阵列驱动线路；
于驱动电路板表面，预先配置的微显示单元之间的半导体发光结构处注入离子，于各所述微显示单元中形成至少绕中心区域半导体发光结构中第二半导体层一圈的第一钝化结构；
沿各微显示单元的第一钝化结构的侧边刻蚀至键合层，在未被刻蚀的部分键合层表面形成台面；
于整个驱动电路板表面沉积第一钝化层；
沿各微显示单元台面的侧边刻蚀至驱动电路板；
于整个驱动电路板表面沉积第二钝化层；
于各微显示单元第二半导体层表面的电极区域上形成电极通孔；
于整个驱动电路板表面沉积透明电流扩展层；
于各微显示单元之间沉积连接金属层。
7.如权利要求6所述的微显示阵列结构制备方法，其特征在于，所述于驱动电路板表面，预先配置的微显示单元之间的半导体发光结构处注入离子，于各所述微显示单元中形成至少绕中心区域半导体发光结构中第二半导体层一圈的第一钝化结构中，包括：
于驱动电路板表面，预先配置的微显示单元之间的半导体发光结构处注入离子至反射金属结构表面，于各所述微显示单元中形成至少绕中心区域半导体发光结构一圈的第一钝化结构。
8.如权利要求6所述的微显示阵列结构制备方法，其特征在于，所述第一钝化层中不含氧离子。
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