CN117388723B - 一种电流采样电路、芯片及电子设备 - Google Patents
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Abstract
本申请提出一种电流采样电路、芯片及电子设备,其中,主跨导单元分别连接于采样电阻的第一端和第一采样端口与采样电阻的第二端和第二采样端口,主跨导单元的输出端和辅助跨导单元的输出端相连接,并连接于积分器单元的输入端;积分器单元的第一输出端连接于NMOS管的栅极,第二输出端连接于辅助跨导单元的第二输入端;辅助跨导单元的第一输入端用于接入参考电压;NMOS管的漏极连接于主跨导单元的第一输入端,NMOS管的源极连接于第一电阻的一端,第一电阻的另一端接地;在NMOS管的源极和第一电阻之间引出第一接线端子,第一接线端子用于连接后级的采样器。本申请提供的电流采样电路可以实现校零功能,保障采样结果的准确性。
Description
技术领域
本申请涉及电路领域,具体而言,涉及一种电流采样电路、芯片及电子设备。
背景技术
在科技飞速发展的今天,电子设备被广泛地应用在各个方面,以提升生活、工作以及学习的便捷性。电子设备中的一个重要组成部分是电池,电池作为电子设备的能源供给者,其运行状态直接影响电子设备是否能稳定工作。为了保护电子设备,需要对电子设备中的电池进行监管。
因此,本领域技术人员开始关注如何对电池的状态信息进行采样,以监测电子设备中的电池状态。
发明内容
本申请的目的在于提供一种电流采样电路、芯片及电子设备,以至少部分改善上述问题。
为了实现上述目的,本申请实施例采用的技术方案如下:
第一方面,本申请实施例提供一种电流采样电路,所述电流采样电路包括:采样电阻、主跨导单元、辅助跨导单元、积分器单元、NMOS管以及第一电阻;
所述采样电阻的第一端连接于所述电流采样电路的第一采样端口,所述采样电阻的第二端连接于所述电流采样电路的第二采样端口;
所述主跨导单元的第一输入端连接于所述采样电阻的第一端,所述主跨导单元的第二输入端连接于所述采样电阻的第二端,所述主跨导单元的输出端和所述辅助跨导单元的输出端相连接;
所述积分器单元的输入端连接于所述主跨导单元的输出端和所述辅助跨导单元的输出端之间,所述积分器单元的第一输出端连接于所述NMOS管的栅极,所述积分器单元的第二输出端连接于所述辅助跨导单元的第二输入端;
所述辅助跨导单元的第一输入端用于接入参考电压;
所述NMOS管的漏极连接于所述主跨导单元的第一输入端,所述NMOS管的源极连接于所述第一电阻的一端,所述第一电阻的另一端接地;
在所述NMOS管的源极和所述第一电阻之间引出第一接线端子,所述第一接线端子用于连接后级的采样器。
第二方面,本申请实施例提供一种芯片,所述芯片包括上述的电流采样电路。
第三方面,本申请实施例提供一种电子设备,包括:上述的芯片。
相对于现有技术,本申请实施例所提供的一种电流采样电路、芯片及电子设备,电流采样电路包括:采样电阻、主跨导单元、辅助跨导单元、积分器单元、NMOS管以及第一电阻;采样电阻的第一端连接于电流采样电路的第一采样端口,采样电阻的第二端连接于电流采样电路的第二采样端口;主跨导单元的第一输入端连接于采样电阻的第一端,主跨导单元的第二输入端连接于采样电阻的第二端,主跨导单元的输出端和辅助跨导单元的输出端相连接;积分器单元的输入端连接于主跨导单元的输出端和辅助跨导单元的输出端之间,积分器单元的第一输出端连接于NMOS管的栅极,积分器单元的第二输出端连接于辅助跨导单元的第二输入端;辅助跨导单元的第一输入端用于接入参考电压;NMOS管的漏极连接于主跨导单元的第一输入端,NMOS管的源极连接于第一电阻的一端,第一电阻的另一端接地;在NMOS管的源极和第一电阻之间引出第一接线端子,第一接线端子用于连接后级的采样器。本申请提供的电流采样电路可以实现校零功能,保障采样结果的准确性。
为使本申请的上述目的、特征和优点能更明显易懂,下文特举较佳实施例,并配合所附附图,作详细说明如下。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例的技术方案,下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍,应当理解,以下附图仅示出了本申请的某些实施例,因此不应被看作是对范围的限定,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其它相关的附图。
图1为本申请实施例提供的电流采样电路的结构示意图之一;
图2为本申请实施例提供的电流采样电路的结构示意图之二;
图3为本申请实施例提供的调零模式下的电流采样电路的结构示意图;
图4为本申请实施例提供的采样模式下的电流采样电路的结构示意图。
图中:101-主跨导单元;102-辅助跨导单元;103-积分器单元;104-相位调节单元;105-采样器;106-微处理器;107-偏置电源单元。
具体实施方式
为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本申请实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此,以下对在附图中提供的本申请的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本申请的范围,而是仅仅表示本申请的选定实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
应注意到:相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项,因此,一旦某一项在一个附图中被定义,则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。同时,在本申请的描述中,术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述,而不能理解为指示或暗示相对重要性。
需要说明的是,在本文中,诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来,而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者设备不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者设备中还存在另外的相同要素。
在本申请的描述中,需要说明的是,术语“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,或者是该申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。
在本申请的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“设置”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言,可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
下面结合附图,对本申请的一些实施方式作详细说明。在不冲突的情况下,下述的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在电源管理系统中,需要对电池的状态信息进行采样,将采样信息通过输出级buffer(又称为,输出缓冲放大器)送到模数转换器(ADC),模数转换器将采样信息转换为数字信息,该数字信息被外部微处理器实时监测,以此来监管电池状态,从而达到保护系统的目的。在实际的应用过程中,因为电池是可以多节串联或者并联,所以电流采样电路需要能够承受高压,且用较小的外部采样电阻以达到减小导通损耗的目的,这样将会要求更高的采样精度。
为了实现上述目的,本申请实施例提供了一种电流采样电路,请参考图1,图1为本申请实施例提供的电流采样电路的结构示意图之一。
如图1所示,电流采样电路包括:采样电阻RS、主跨导单元101、辅助跨导单元102、积分器单元103、NMOS管以及第一电阻RCS。
可选地,本申请实施例中的NMOS管可以但不限定为耐高压NMOS晶体管(NLDMOS),第一电阻RCS可以但不限定为可编程的增益电阻。NMOS晶体管和第一电阻RCS可以搭配进行增益修调。
采样电阻RS的第一端连接于电流采样电路的第一采样端口(ISP),采样电阻RS的第二端连接于电流采样电路的第二采样端口(ISN)。
可选地,第一采样端口(ISP)用于连接待监测的电池的正极,第二采样端口(ISN)连接于后级负载电路,后级负载电路连接待监测的电池的负极或接地。
主跨导单元101的第一输入端连接于采样电阻RS的第一端,主跨导单元101的第二输入端连接于采样电阻RS的第二端,主跨导单元101的输出端和辅助跨导单元102的输出端相连接。
积分器单元103的输入端连接于主跨导单元101的输出端和辅助跨导单元102的输出端之间,积分器单元103的第一输出端连接于NMOS管的栅极,积分器单元103的第二输出端连接于辅助跨导单元102的第二输入端。
辅助跨导单元102的第一输入端用于接入参考电压Vref(图1中未示出)。
NMOS管的漏极连接于主跨导单元101的第一输入端, NMOS管的源极连接于第一电阻RCS的一端,第一电阻RCS的另一端接地。
在NMOS管的源极和第一电阻RCS之间引出第一接线端子,第一接线端子用于连接后级的采样器105,采样器105可以将第一接线端子输出的模拟电压信号Vcs转换为数字信号,并将转换后的数字信号向后传递。
可选地,采样器105可以但不限定为数模转换器。
请继续参考图1,在一种可选的实施方式中,电流采样电路还包括:相位调节单元104。
相位调节单元104分别与主跨导单元101、积分器单元103连接。
相位调节单元104用于在输出第一类指令时,控制主跨导单元101基于其内部的失调电压输出信号,并控制积分器单元103将接收到的信号传递给辅助跨导单元102。
辅助跨导单元102用于对积分器单元103传递的与主跨导单元101的失调电压的关联信号进行存储。
可选地,可以存储在其中的存储电荷电容C0中。
相位调节单元104还用于在输出第二类指令时,控制主跨导单元101基于其第一输入端和第二输入端的电压差输出信号。
辅助跨导单元102用于基于其存储的关联信号对主跨导单元101的输出信号进行校零。
相位调节单元104还用于在输出第二类指令时,控制积分器单元103将接收到的信号传递给NMOS管的栅极。
采样器105用于在相位调节单元104输出第二类指令时,对第一接线端子进行采样。
可选地,当相位调节单元104输出第一类指令时,电流采样电路处于调零模式,对应的相位为ph1,此时第一接线端子输出的模拟电压信号Vcs无效。当相位调节单元104输出第二类指令时,电流采样电路处于采样模式,对应的相位为ph2,此时第一接线端子输出的模拟电压信号Vcs有效。
可选地,相位调节单元104为一个时钟模块,当相位调节单元104输出的第一类指令为高电平时,相位调节单元104输出第二类指令为低电平;当相位调节单元104输出的第一类指令为低电平时,相位调节单元104输出第二类指令为高电平。相位调节单元104按照预设的频率和周期,有序地输出第一类指令和第二类指令。
在图1的基础上,关于电流采样电路中各个单元的具体结构,本申请实施例还提供了一种可选的实施方式,请参考图2,图2为本申请实施例提供的电流采样电路的结构示意图之二。
如图2所示,主跨导单元101的包括:第一开关管T1和第一跨导放大器Gm Main。
第一开关管T1的第一端连接于第一跨导放大器Gm Main的正相输入端,在二者的连接处引出第二接线端子,作为主跨导单元101的第一输入端,连接于采样电阻RS的第一端。
第一开关管T1的第二端作为主跨导单元101的第二输入端,连接于采样电阻RS的第一端。
第一开关管T1的第三端连接于第一跨导放大器Gm Main的负相输入端。
可选地,相位调节单元104连接于第一开关管T1的控制端,图中未示出。
当相位调节单元104输出第一类指令时,第一开关管T1的第一端与第三端导通,第一跨导放大器Gm Main的正相输入端和负相输入端短路连接。
此时,第一跨导放大器Gm Main的失调电压VOS的关联信号可以存储在辅助跨导单元102,可选地,可以存储在其中的存储电荷电容C0中。
当相位调节单元104输出第二类指令时,第一开关管T1的第二端与第三端导通。第一跨导放大器Gm Main的负相输入端连接于采样电阻RS的第二端和电流采样电路的第二采样端口(ISN)之间。电池的负载电流IL从第一采样端口(ISP)流入采样电阻RS,又从第二采样端口(ISN)流出。
请继续参考图2,在一种可选的实施方式中,辅助跨导单元102包括:第二跨导放大器Gm AUX、存储电荷电容C0以及第二电阻Rout。
可选地,第二电阻Rout可以作为输出电阻。
第二跨导放大器Gm AUX的输出端作为辅助跨导单元102的输出端,与主跨导单元101的输出端相连接。
第二电阻Rout的一端连接于第二跨导放大器Gm AUX的输出端,第二电阻Rout的另一端接地。
存储电荷电容C0的一端接地,存储电荷电容C0的另一端连接于第二跨导放大器GmAUX的负相输入端,在二者的连接处引出第三接线端子,作为辅助跨导单元102的第二输入端,连接于积分器单元103的第二输出端。
第二跨导放大器Gm AUX的正相输入端作为辅助跨导单元102的第一输入端,用于接入参考电压Vref。
请继续参考图2,在一种可选的实施方式中,积分器单元103包括:第二开关管T2、第三开关管T3、第四开关管T4、第一积分器INT1以及第二积分器INT2。
可选地,第一积分器INT1和第二积分器INT2均可以为积分放大器,用于增加增益和保障信号的连续性。
第二开关管T2的第一端作为积分器单元103的输入端,连接于主跨导单元101的输出端和辅助跨导单元102的输出端之间。
第二开关管T2的第二端连接于第一积分器INT1的输入端,第二开关管T2的第三端连接于第二积分器INT2的输入端。
第一积分器INT1的输出端连接于第三开关管T3的一端,第三开关管T3的另一端作为积分器单元103的第一输出端,连接于NMOS管的栅极。
第二积分器INT2的输出端连接于第四开关管T4的一端,第四开关管T4的另一端作为积分器单元103的第二输出端,连接于辅助跨导单元102的第二输入端。
可选地,相位调节单元104分别与第二开关管T2的控制端、第三开关管T3的控制端以及第四开关管T4的控制端连接,图中未示出。
当相位调节单元104输出第一类指令时,即处于调零模式,第二开关管T2的第一端与第三端导通,并且第三开关管T3切换为断开状态,第四开关管T4切换为导通状态。
当相位调节单元104输出第二类指令时,即处于采样模式,第二开关管T2的第一端与第二端导通,并且第三开关管T3切换为导通状态,第四开关管T4切换为断开状态。
下面对于调零模式和采样模式具体说明,请参考图3和图4,图3为本申请实施例提供的调零模式下的电流采样电路的结构示意图,图4为本申请实施例提供的采样模式下的电流采样电路的结构示意图。
如图3所示,当相位调节单元104输出第一类指令时,即处于调零模式,第一开关管T1的第一端与第三端导通,第一跨导放大器Gm Main的正相输入端和负相输入端短路连接,第二开关管T2的第一端与第三端导通,并且第三开关管T3切换为断开状态,第四开关管T4切换为导通状态。
此时,存储电荷电容C0存储的关联信号,为电容的电压信号VC0。
;
其中,为第一跨导放大器Gm Main的跨导,/>为第二跨导放大器GmAUX的跨导,/>为第二积分器INT2的增益,/>为第二跨导放大器Gm AUX的正相输入端接入的参考电压。
由于,上式简化后:
。
需要说明的是,当电流采样电路处于调零模式,对应的相位为ph1,此时第一接线端子输出的模拟电压信号Vcs无效。
如图4所示,当相位调节单元104输出第二类指令时,即处于采样模式,第一开关管T1的第二端与第三端导通。第一跨导放大器Gm Main的负相输入端连接于采样电阻RS的第二端和电流采样电路的第二采样端口(ISN)之间。电池的负载电流IL从第一采样端口(ISP)流入采样电阻RS,又从第二采样端口(ISN)流出。第二开关管T2的第一端与第二端导通,并且第三开关管T3切换为导通状态,第四开关管T4切换为断开状态。
需要说明的是,当处于调零模式时,存储电荷电容C0存储有关联信号,为电容的电压信号VC0。在切换为采样模式后,电流采样电路的输入电压Vin为:
;
此时,第一接线端子输出的模拟电压信号Vcs有效,结合ph1,可以得到其值为:
;
最终第一接线端子输出的模拟电压信号Vcs的输出值只与输入电压Vin以及增益有关,从而实现了自动校零功能,即使失调电压发生变化,也不会影响测量结果的准确性。
需要说明的是,在采集到Vcs后,可以推导出输入电压Vin和对应的输入电流。
在一种可选的实施方式中,在第一接线端子与后级的采样器105之间,还设置有输出级跨导放大器以驱动后续电路。当相位为ph1时,输出级跨导放大器处于保持状态;当相位为ph2时,输出级跨导放大器处于采样状态,以此实现连续采样。在前文的基础上,关于如何对电流采样电路进行自测,以保障电流采样电路的通路功能正常,本申请实施例还提供了一种可选的实施方式,请继续参考图4,电流采样电路还包括微处理器106、第三电阻Rb2、偏置电源单元107以及采样器105。
微处理器106分别与偏置电源单元107和采样器105连接。
第三电阻Rb2的一端连接于采样电阻RS的第二端,第三电阻Rb2的另一端连接于主跨导单元101的第二输入端。
可选地,电流采样电路还包括第四电阻Rb1,第四电阻Rb1的一端连接于采样电阻RS的第一端,第四电阻Rb1的另一端连接于主跨导单元101的第一输入端。
偏置电源单元107的一端接地,偏置电源单元107的另一端连接于第三电阻Rb2和主跨导单元101的第二输入端之间。
可选地,偏置电源单元107包括偏置电源Iself和第五开关管T5,偏置电源Iself的负极接地,偏置电源Iself的正极连接于第五开关管T5的一端,第五开关管T5的另一端连接于第三电阻Rb2和主跨导单元101的第二输入端之间。
微处理器106用于控制偏置电源单元107输出电流,并结合采样器105的采样数据变化量,确定采样电路是否异常。
可选地,微处理器106可以控制第五开关管T5的通断状态,从而控制偏置电源单元107输出电流。
可选地,微处理器106向第五开关管T5发送自测指令,第五开关管T5切换为导通状态,电流采样电路进行自测模式,自测模式持续大约10us,前5us用于转换输入端的电压差。
其原理是:偏置电源单元107内部提供一个电流沉Iself下拉第二采集端口(ISN)端的第三电阻Rb2,产生一个固定压差Vself:
;
微处理器106可以获取采样器105的采样数据,可选地,通过读取采样器105的ADC输出寄存器,获取采样数据。通过比较采样模式下的采样数据和自测模式下的采样数据,确定二者的差值与对应增加的固定压差Vself是否匹配,若匹配,则确定采样电路无异常,若不匹配,则确定采样电路异常。
本申请方案附图中,Iout,main +为第一跨导放大器Gm Main对应的电流定义方向,不代表具体电流走向;Iout,aux +为第二跨导放大器Gm Aux对应的电流定义方向,不代表具体电流走向。 Isp_src便是电池电源第四电阻Rb1的电源信号。VS表示第一跨导放大器Gm Main和第二跨导放大器Gm Aux的供电源。
经对本申请实施例提供的电流采样电路进行测试:
当=1mV时,电流采样电路输出电压精度范围±2%,即偏差范围为20uV。
当2mV<≤6mV时,电流采样电路输出电压精度范围±1%。
当8mV≤时,电流采样电路输出电压精度范围±0.6%。
可选地,本申请实施例还提供了一种芯片,该芯片包括上述的电流采样电路。
在一种可选的实施方式中,电流采样电路中的采样电阻RS可以部署于芯片之外。
可选地,本申请实施例还提供了一种电子设备,该电子设备包括上述的芯片。
综上所述,本申请实施例提供的一种电流采样电路、芯片及电子设备,电流采样电路包括:采样电阻、主跨导单元、辅助跨导单元、积分器单元、NMOS管以及第一电阻;采样电阻的第一端连接于电流采样电路的第一采样端口,采样电阻的第二端连接于电流采样电路的第二采样端口;主跨导单元的第一输入端连接于采样电阻的第一端,主跨导单元的第二输入端连接于采样电阻的第二端,主跨导单元的输出端和辅助跨导单元的输出端相连接;积分器单元的输入端连接于主跨导单元的输出端和辅助跨导单元的输出端之间,积分器单元的第一输出端连接于NMOS管的栅极,积分器单元的第二输出端连接于辅助跨导单元的第二输入端;辅助跨导单元的第一输入端用于接入参考电压;NMOS管的漏极连接于主跨导单元的第一输入端,NMOS管的源极连接于第一电阻的一端,第一电阻的另一端接地;在NMOS管的源极和第一电阻之间引出第一接线端子,第一接线端子用于连接后级的采样器。本申请提供的电流采样电路可以实现校零功能,保障采样结果的准确性。
以上所述仅为本申请的优选实施例而已,并不用于限制本申请,对于本领域的技术人员来说,本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原则之内,所作的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本申请的保护范围之内。
对于本领域技术人员而言,显然本申请不限于上述示范性实施例的细节,而且在不背离本申请的精神或基本特征的情况下,能够以其它的具体形式实现本申请。因此,无论从哪一点来看,均应将实施例看作是示范性的,而且是非限制性的,本申请的范围由所附权利要求而不是上述说明限定,因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本申请内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
Claims (9)
1.一种电流采样电路,其特征在于,所述电流采样电路包括:采样电阻、主跨导单元、辅助跨导单元、积分器单元、NMOS管以及第一电阻;
所述采样电阻的第一端连接于所述电流采样电路的第一采样端口,所述采样电阻的第二端连接于所述电流采样电路的第二采样端口;
所述主跨导单元的第一输入端连接于所述采样电阻的第一端,所述主跨导单元的第二输入端连接于所述采样电阻的第二端,所述主跨导单元的输出端和所述辅助跨导单元的输出端相连接;
所述积分器单元的输入端连接于所述主跨导单元的输出端和所述辅助跨导单元的输出端之间,所述积分器单元的第一输出端连接于所述NMOS管的栅极,所述积分器单元的第二输出端连接于所述辅助跨导单元的第二输入端;
所述辅助跨导单元的第一输入端用于接入参考电压;
所述NMOS管的漏极连接于所述主跨导单元的第一输入端,所述NMOS管的源极连接于所述第一电阻的一端,所述第一电阻的另一端接地;
在所述NMOS管的源极和所述第一电阻之间引出第一接线端子,所述第一接线端子用于连接后级的采样器;
所述电流采样电路还包括:相位调节单元;
所述相位调节单元分别与所述主跨导单元、所述积分器单元连接;
所述相位调节单元用于在输出第一类指令时,控制所述主跨导单元基于其内部的失调电压输出信号,并控制所述积分器单元将接收到的信号传递给所述辅助跨导单元;
所述辅助跨导单元用于对所述积分器单元传递的与所述主跨导单元的失调电压的关联信号进行存储;
所述相位调节单元还用于在输出第二类指令时,控制所述主跨导单元基于其第一输入端和第二输入端的电压差输出信号;
所述辅助跨导单元用于基于其存储的所述关联信号对所述主跨导单元的输出信号进行校零;
所述相位调节单元还用于在输出第二类指令时,控制所述积分器单元将接收到的信号传递给所述NMOS管的栅极;
所述采样器用于在所述相位调节单元输出第二类指令时,对所述第一接线端子进行采样。
2.如权利要求1所述的电流采样电路,其特征在于,所述主跨导单元的包括:第一开关管和第一跨导放大器;
所述第一开关管的第一端连接于所述第一跨导放大器的正相输入端,在二者的连接处引出第二接线端子,作为所述主跨导单元的第一输入端;
所述第一开关管的第二端作为所述主跨导单元的第二输入端;
所述第一开关管的第三端连接于所述第一跨导放大器的负相输入端。
3.如权利要求2所述的电流采样电路,其特征在于,所述相位调节单元连接于所述第一开关管的控制端;
当所述相位调节单元输出所述第一类指令时,所述第一开关管的第一端与第三端导通;
当所述相位调节单元输出所述第二类指令时,所述第一开关管的第二端与第三端导通。
4.如权利要求1所述的电流采样电路,其特征在于,所述辅助跨导单元包括:第二跨导放大器、存储电荷电容以及第二电阻;
所述第二跨导放大器的输出端作为所述辅助跨导单元的输出端;
所述第二电阻的一端连接于所述第二跨导放大器的输出端,所述第二电阻的另一端接地;
所述存储电荷电容的一端接地,所述存储电荷电容的另一端连接于所述第二跨导放大器的负相输入端,在二者的连接处引出第三接线端子,作为所述辅助跨导单元的第二输入端;
所述第二跨导放大器的正相输入端作为所述辅助跨导单元的第一输入端。
5.如权利要求1所述的电流采样电路,其特征在于,所述积分器单元包括:第二开关管、第三开关管、第四开关管、第一积分器以及第二积分器;
所述第二开关管的第一端作为所述积分器单元的输入端,所述第二开关管的第二端连接于所述第一积分器的输入端,所述第二开关管的第三端连接于所述第二积分器的输入端;
所述第一积分器的输出端连接于所述第三开关管的一端,所述第三开关管的另一端作为所述积分器单元的第一输出端;
所述第二积分器的输出端连接于所述第四开关管的一端,所述第四开关管的另一端作为所述积分器单元的第二输出端。
6.如权利要求5所述的电流采样电路,其特征在于,所述相位调节单元分别与所述第二开关管的控制端、所述第三开关管的控制端以及所述第四开关管的控制端连接;
当所述相位调节单元输出所述第一类指令时,所述第二开关管的第一端与第三端导通,并且所述第三开关管切换为断开状态,所述第四开关管切换为导通状态;
当所述相位调节单元输出所述第二类指令时,所述第二开关管的第一端与第二端导通,并且所述第三开关管切换为导通状态,所述第四开关管切换为断开状态。
7.如权利要求1所述的电流采样电路,其特征在于,所述电流采样电路还包括微处理器、第三电阻、偏置电源单元以及采样器;
所述微处理器分别与所述偏置电源单元和所述采样器连接;
所述第三电阻的一端连接于所述采样电阻的第二端,所述第三电阻的另一端连接于所述主跨导单元的第二输入端;
所述偏置电源单元的一端接地,所述偏置电源单元的另一端连接于所述第三电阻和所述主跨导单元的第二输入端之间;
所述微处理器用于控制所述偏置电源单元输出电流,并结合所述采样器的采样数据变化量,确定所述采样电路是否异常。
8.一种芯片,其特征在于,所述芯片包括权利要求1-7中任一项所述的电流采样电路。
9.一种电子设备,其特征在于,包括:权利要求8所述的芯片。
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Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5381054A (en) * | 1993-12-07 | 1995-01-10 | Rockwell International Corporation | Multiple input comparator circuit for a switched resistive network |
CN203423834U (zh) * | 2013-09-12 | 2014-02-05 | 杭州士兰微电子股份有限公司 | Led驱动电路及其跨导放大器 |
CN203504817U (zh) * | 2013-09-12 | 2014-03-26 | 杭州士兰微电子股份有限公司 | 跨导放大器及led恒流驱动电路 |
CN107703351A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-02-16 | 成都兴睿宝电子科技有限公司 | 一种大动态微电流检测电路 |
US10161974B1 (en) * | 2018-04-02 | 2018-12-25 | Cadence Design Systems, Inc. | Frequency to current circuit |
CN109639261A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-04-16 | 无锡芯朋微电子股份有限公司 | 比较电路、延时消除方法 |
CN109900950A (zh) * | 2019-04-04 | 2019-06-18 | 上海南芯半导体科技有限公司 | 一种高精度的连续时间双向电流采样电路及实现方法 |
CN209911984U (zh) * | 2017-12-18 | 2020-01-07 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 一种电流采样保持电路及传感器 |
US10615750B1 (en) * | 2018-11-28 | 2020-04-07 | Nxp B.V. | Preamplifier circuit with floating transconductor |
CN112180141A (zh) * | 2019-07-02 | 2021-01-05 | 意法半导体股份有限公司 | 用于电流监测应用的高速afe |
CN212845568U (zh) * | 2020-07-30 | 2021-03-30 | 红光电气集团有限公司 | 一种用于远传型故障指示器的电流采样电路 |
CN112968434A (zh) * | 2021-03-15 | 2021-06-15 | 无锡众享科技有限公司 | 一种高精度过流保护电路 |
CN114204623A (zh) * | 2021-11-08 | 2022-03-18 | 上海慧能泰半导体科技有限公司 | 一种电压电流控制电路与集成芯片 |
CN114994392A (zh) * | 2022-07-19 | 2022-09-02 | 成都市易冲半导体有限公司 | 一种芯片内部接近无损的高精度电流采样电路及方法 |
CN218412681U (zh) * | 2022-07-25 | 2023-01-31 | 深圳市恒运昌真空技术有限公司 | 电信号检测电路与电子设备 |
CN115684696A (zh) * | 2022-10-31 | 2023-02-03 | 深圳数马电子技术有限公司 | 电流检测电路 |
CN219697330U (zh) * | 2023-04-26 | 2023-09-15 | 成都市易冲半导体有限公司 | 充电电流检测电路、充电电路、控制芯片、系统及设备 |
CN117013845A (zh) * | 2023-10-08 | 2023-11-07 | 成都市易冲半导体有限公司 | 斜坡补偿电路、dcdc转换器及充电芯片 |
WO2023232718A2 (en) * | 2022-05-29 | 2023-12-07 | Dukosi Limited | Battery management system and monitoring devices |
-
2023
- 2023-12-12 CN CN202311695596.7A patent/CN117388723B/zh active Active
Patent Citations (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5381054A (en) * | 1993-12-07 | 1995-01-10 | Rockwell International Corporation | Multiple input comparator circuit for a switched resistive network |
CN203423834U (zh) * | 2013-09-12 | 2014-02-05 | 杭州士兰微电子股份有限公司 | Led驱动电路及其跨导放大器 |
CN203504817U (zh) * | 2013-09-12 | 2014-03-26 | 杭州士兰微电子股份有限公司 | 跨导放大器及led恒流驱动电路 |
CN107703351A (zh) * | 2017-09-27 | 2018-02-16 | 成都兴睿宝电子科技有限公司 | 一种大动态微电流检测电路 |
CN209911984U (zh) * | 2017-12-18 | 2020-01-07 | 深圳市汇顶科技股份有限公司 | 一种电流采样保持电路及传感器 |
US10161974B1 (en) * | 2018-04-02 | 2018-12-25 | Cadence Design Systems, Inc. | Frequency to current circuit |
CN109639261A (zh) * | 2018-11-16 | 2019-04-16 | 无锡芯朋微电子股份有限公司 | 比较电路、延时消除方法 |
US10615750B1 (en) * | 2018-11-28 | 2020-04-07 | Nxp B.V. | Preamplifier circuit with floating transconductor |
CN109900950A (zh) * | 2019-04-04 | 2019-06-18 | 上海南芯半导体科技有限公司 | 一种高精度的连续时间双向电流采样电路及实现方法 |
CN112180141A (zh) * | 2019-07-02 | 2021-01-05 | 意法半导体股份有限公司 | 用于电流监测应用的高速afe |
CN212845568U (zh) * | 2020-07-30 | 2021-03-30 | 红光电气集团有限公司 | 一种用于远传型故障指示器的电流采样电路 |
CN112968434A (zh) * | 2021-03-15 | 2021-06-15 | 无锡众享科技有限公司 | 一种高精度过流保护电路 |
CN114204623A (zh) * | 2021-11-08 | 2022-03-18 | 上海慧能泰半导体科技有限公司 | 一种电压电流控制电路与集成芯片 |
WO2023232718A2 (en) * | 2022-05-29 | 2023-12-07 | Dukosi Limited | Battery management system and monitoring devices |
CN114994392A (zh) * | 2022-07-19 | 2022-09-02 | 成都市易冲半导体有限公司 | 一种芯片内部接近无损的高精度电流采样电路及方法 |
CN218412681U (zh) * | 2022-07-25 | 2023-01-31 | 深圳市恒运昌真空技术有限公司 | 电信号检测电路与电子设备 |
CN115684696A (zh) * | 2022-10-31 | 2023-02-03 | 深圳数马电子技术有限公司 | 电流检测电路 |
CN219697330U (zh) * | 2023-04-26 | 2023-09-15 | 成都市易冲半导体有限公司 | 充电电流检测电路、充电电路、控制芯片、系统及设备 |
CN117013845A (zh) * | 2023-10-08 | 2023-11-07 | 成都市易冲半导体有限公司 | 斜坡补偿电路、dcdc转换器及充电芯片 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
低杂散、低相噪的电荷泵锁相环设计;蒲明臻;《固体电子学研究与进展》;20210831;第41卷(第4期);285-290 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN117388723A (zh) | 2024-01-12 |
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