CN117371394B - 用于评估版图中目标栅极与图形集群位置关系的方法 - Google Patents

用于评估版图中目标栅极与图形集群位置关系的方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了用于评估版图中目标栅极与图形集群位置关系的方法，包括以下步骤：步骤一：获取版图信息，找出所有目标栅极图形，定义为gate层；找出所有目标刻蚀区域对应图形，定义为target层；步骤二：在版图中提取对边间距位于第一指定区间的一对平行边，所述平行边的一条边属于gate层，另一条边属于target层；沿所述目标栅极图形的各侧方向分别找到包含对应各侧侧边的平行边；步骤三：获取包含对应各侧侧边的平行边的对边间距，对应各侧分别取该侧平行边中对边间距的最小值；即获得目标栅极与图形集群的位置关系。本发明属于集成电路技术领域，可以提高栅极相对于指定图形集群位置关系的评估速度，有利于发现或避开相应刻蚀工艺的缺陷。

Description

用于评估版图中目标栅极与图形集群位置关系的方法
技术领域
本发明属于集成电路技术领域，具体涉及用于评估版图中目标栅极与图形集群位置关系的方法。
背景技术
在芯片的制造流程中，不成熟的刻蚀工艺可能会对目标刻蚀区域邻近的器件产生影响，从而影响对应器件的性能，而这种影响程度与器件和刻蚀区域图层的位置关系息息相关，由此产生了评估栅极和指定图层位置关系的需求。这种位置关系的评估不仅可以在测试芯片设计阶段辅助设计相应测试结构，用于检测对应刻蚀工艺是否成熟，而且也可以与测试阶段器件电性数据进行合并分析，判断位置关系与电性异常的相关性，从而判断对应刻蚀工艺的成熟度。
以往评估栅极相对于指定图形集群位置关系的方法无法快速完成查找、评估，进一步的还具有位置关系定义、距离范围和速度的局限性。首先在位置关系的定义上旧有方法只能判断上下左右正对方向的距离，而无法判断区分栅极到指定图形凸角/凹角的相对位置。其次在距离范围和速度上旧有方法无法兼顾，即在距离范围较大时速度十分缓慢，在速度处于可接受范围时距离范围很小，不能匹配实际刻蚀工艺影响的范围。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的全部或部分不足，本发明的目的在于：提供用于评估版图中目标栅极与图形集群位置关系的方法，可以提高栅极相对于指定图形集群位置关系的评估速度，有利于发现或避开相应刻蚀工艺的缺陷。
为实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：
本发明提供了一种用于评估版图中目标栅极与图形集群位置关系的方法，包括以下步骤：
步骤一：获取版图信息，找出所有目标栅极图形，定义为gate层；找出所有目标刻蚀区域对应图形，定义为target层；
步骤二：在版图中提取对边间距位于第一指定区间的一对平行边，所述平行边的一条边属于gate层，另一条边属于target层；沿所述目标栅极图形的各侧方向分别找到包含对应各侧侧边的平行边；
步骤三：获取包含对应各侧侧边的平行边的对边间距，对应各侧分别取该侧平行边中对边间距的最小值；
即获得目标栅极与图形集群的位置关系。
本发明通过寻找以目标栅极图形为中心的一定区域范围内的平行边，获取目标栅极图形各侧边与目标刻蚀区域对应图形的对边间距；通过对边间距取最小值，可知目标栅极图形与目标刻蚀区域对应图形之间的最小距离，从而获知目标栅极与图形集群的位置关系，可以提高栅极相对于指定图形集群位置关系的评估速度，有利于发现或避开相应刻蚀工艺的缺陷。
进一步地，步骤二中，沿所述目标栅极图形的各侧方向即沿上、下、左和右的方向分别找到包含对应上侧边、下侧边、左侧边和右侧边的平行边。
进一步地，所述平行边的两条边分别位于gate层和target层相对一侧。
进一步地，所述获取包含对应各侧侧边的平行边的对边间距包括：获取对应各侧侧边的平行边的对边间距，以数组形式传递至与之相交的目标栅极图形中并进行存储。
本发明还提供一种用于评估版图中目标栅极与图形集群位置关系的方法，包括以下步骤：
S1.获取版图信息，找出所有目标栅极图形；找出所有目标刻蚀区域对应图形，定义为target层；
S2.获取目标栅极图形与目标刻蚀区域对应图形一对边位于第一指定区间的对边间距，并取目标栅极图形各侧对边中对边间距的最小值为第一相对位置；
S3. 设定若干扩展距离，将target层在所有方向上按扩展距离依次进行扩展形成扩展距离target图形，所述扩展距离target图形为根据扩展距离扩展后新增图形区域的封闭图形；
S4. 获取目标栅极图形首次接触的所述扩展距离target图形所对应的扩展距离，根据获取到的扩展距离与上一组扩展距离，获得与target层的相对距离范围作为目标栅极图形与target层的距离区间，即获得第二相对位置；
步骤S2和步骤S3-S4同步或分步进行，根据获得的第一相对位置和/或第二相对位置确定目标栅极与图形集群的位置关系。
进一步地，所述设定若干扩展距离包括：
设定步长和目标区间，将目标区间断点形成依次增加的多个扩展距离组成的数组{N0,…,Nm,Nm+1，…NM}，0≤m＜M，0≤N0＜NM。值得说明的是，所述扩展距离target图形为第Nm+1组扩展距离扩展后图形区域与第 Nm组扩展距离扩展后图形区域相减得到的封闭图形。
当N0大于0时，第N0组扩展距离target图形为第N0组扩展距离扩展后图形区域与target层相减得到的封闭图形。如果目标栅极图形首次全部或部分落入所述第N0组扩展距离target图形，则所述第N0组扩展距离target图形对应的0至N0的范围为目标栅极图形与target层的距离区间。
当m大于0时，第N1组扩展距离target图形为第N1组扩展距离扩展后图形区域与第N0组扩展距离扩展后图形区域相减得到的封闭图形。如果目标栅极图形首次全部或部分落入所述第N1组扩展距离target图形，则所述第N1组扩展距离target图形对应的N0至N1的范围为目标栅极图形与target层的距离区间。
通过范围算法获取目标栅极图形与target层的距离区间，能够快速获得目标栅极与图形集群的初步位置关系，即可知目标栅极与图形集群之间的距离范围（此距离范围没有明显限制，且可明显提高计算速度），从而初步推断刻蚀工艺产生的影响。结合范围算法和准确值算法，在第一指定区间较小时，可以快速获知目标栅极图形与target层的具体距离值，更准确地表示栅极相对于指定图形集群的位置关系。本发明在保证计算速度的同时扩大了适用的距离范围，以匹配实际刻蚀工艺影响的范围，从而可以更准确、快速地判断对应工艺缺陷与位置关系的相关性，有利于发现或避开相应刻蚀工艺的缺陷。
进一步地，所述方法还包括：
所有目标栅极图形定义为gate层，在版图中提取对边间距位于第一指定区间的一对平行边，所述平行边的一条边属于gate层，另一条边属于target层；沿所述目标栅极图形的各侧方向分别找到包含对应各侧侧边的平行边。
进一步地，沿目标栅极图形的各侧方向即沿上、下、左和右的方向分别找到包含对应上侧边、下侧边、左侧边和右侧边的平行边。
进一步地，所述数组多个扩展距离形成第二指定区间，所述第二指定区间的范围大于所述第一指定区间的范围，如获得第一相对位置，则将对应的对边方向与对边间距的最小值作为位置关系，否则采用第二相对位置作为位置关系。在距离范围较小时采用准确值算法，在距离范围较大时采用范围算法，在需求距离范围较大时实现了精度与速度的平衡，即在小区间即第一指定区间实现高精度，在大区间即第二指定区间牺牲一部分精度实现高速度。
进一步地，所述数组中第Nm+1组扩展距离与第Nm组扩展距离的差值大于或等于第Nm组扩展距离与第Nm-1组扩展距离的差值，此时m≥1。由于刻蚀工艺缺陷的影响与到栅极距离呈负相关，故采用范围算法的方法中，距离范围设置可在小扩展距离区间采用小步长，大扩展距离区间采用大步长，数据精度与设定的断点步长呈负相关。
进一步地，对于每一个扩展距离扩展后形成的扩展距离target图形，记录与所述目标栅极接触即所述目标栅极图形全部或部分落入的扩展距离target图形的数量；遍历数组，第一次出现第Nm+1组扩展距离target图形的接触数量大于0，且第Nm组扩展距离target图形的接触数量等于0时，对应的Nm至Nm+1的范围为目标栅极图形与target层的距离区间，将该距离区间参数化。提供了如何获取目标栅极图形与target层的距离区间的方法。
进一步地，所述扩展距离target图形分割为拐角、x边和y边，拐角为x边与y边的衔接部分，获取目标栅极图形首次接触的所述扩展距离target图形、并判断与所述拐角、x边或y边的接触关系，获得目标栅极位于图形集群的拐角位置、x方向正对位置或y方向正对位置的相对关系。
进一步地，所述拐角分为外凸角和外凹角，目标栅极图形首次落入所述扩展距离target图形时，若其分别以全部或部分落入所述外凸角或外凹角，则目标栅极位于图形集群的凸角位置或凹角位置。
所述x边、y边、外凸角、外凹角（若存在）的构建方法如下：设定前后两组扩展距离为Nm与 Nm+1，第 Nm组扩展距离target图形在x方向、y方向分别按第Nm+1组扩展距离与第Nm组扩展距离的差值进行扩展，减去所述第Nm组扩展距离target图形分别得到所述x边、y边；所述第 Nm+1组扩展距离target图形减去所述x边和y边得到所述外凸角，所述x边和y边的交集为所述外凹角。
本发明增加了栅极位于图形集群的凸角/凹角位置的位置关系定义，扩展了栅极与图形集群相对位置关系的描述定义，更准确地表示了栅极相对于指定图形集群的位置关系，从而可以更准确地判断对应工艺缺陷与相对栅极位置关系的相关性，有利于发现或避开相应刻蚀工艺的缺陷。本发明中所述x方向可代表左右方向，y方向相应代表上下方向，也可颠倒，并不做具体方位的限定，仅表示交叉的两个方向。
进一步地，对于每一个扩展距离扩展后形成的扩展距离target图形，记录与所述目标栅极接触即所述目标栅极图形全部或部分落入的target层、外凸角、外凹角、x边和y边的数量，通过判断目标栅极首次接触的是target层、外凸角、外凹角（若存在）、x边或y边，得到方位关系，将该方位关系参数化。获取方位关系，可以更准确地获知栅极相对于指定图形集群的位置关系，从而可以更准确地判断对应工艺缺陷与相对栅极位置关系的相关性，有利于发现或避开相应刻蚀工艺的缺陷。
进一步地，进行如下逻辑判断以获取所述方位关系：如果满足target层、外凹角（若存在）、外凸角、x边或y边的接触数量大于0，则方位关系分别为目标栅极图形和target层相交、目标栅极图形位于target层的凹角位置、凸角位置、x方向正对位置或y方向正对位置；否则，在指定搜索范围内未找到与目标栅极图形邻近的target层；其中，外凹角的判断需在x边和y边的判断之前。提供了目标栅极图形与target层的方位关系的判断方法，亦提供了如何寻找并评估栅极位于图形集群的凹角位置和凸角位置的方法。
本发明还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现以上任一方案中所述的一种用于评估版图中目标栅极与图形集群位置关系的方法的步骤。
与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：
本发明提供的一技术方案，通过寻找以目标栅极图形为中心的一定区域范围内的平行边，获取目标栅极图形各侧边与目标刻蚀区域对应图形的对边间距；通过对边间距取最小值，可知目标栅极图形与目标刻蚀区域对应图形在上下左右四个方向之间的最小距离，即可得上下左右四个方向上正对距离准确值，从而获知目标栅极与图形集群在一定区域范围内（小范围距离区间内）的位置关系，可以提高栅极相对于指定图形集群位置关系的评估速度，有利于发现或避开相应刻蚀工艺的缺陷。
本发明提供的一技术方案，通过在目标刻蚀区域对应图形的外围按照设定的扩展距离进行图形范围扩散，根据与目标栅极图形的接触情况确定一个相对距离范围，以此针对大距离区间方案下的位置关系快速判断，同时本方案扩展了栅极相对于指定图形集群的位置关系定义，在传统的上下左右正对方向上新增拐角概念，拐角又可分为外凸角和外凹角，可在大距离区间位置判断需求上更准确地发现或避开相应刻蚀工艺的缺陷。
本发明提供的一技术方案，通过设计小距离区间（准确值算法）和大距离区间（范围算法）两种技术方案评估栅极相对于指定图形集群的相对位置关系，在不同距离区间结合范围算法和准确值算法，在目标距离区间较小时采用准确值算法，在目标距离区间较大时采用范围算法，可解决目前距离范围和速度的局限性问题。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的一种用于评估版图中目标栅极与图形集群位置关系的方法的流程示意图；
图2是本发明实施例1-4中栅极与图形集群位置关系的部分评估过程；
图3是本发明实施例2-4中p1测试用例的栅极与图形集群位置关系的评估过程；
图4是本发明实施例2-4中p2测试用例的栅极与图形集群位置关系的评估过程；
图5是本发明实施例2-4中p3测试用例的栅极与图形集群位置关系的评估过程；
图6是本发明实施例2-4中p4测试用例的栅极与图形集群位置关系的评估过程。
具体实施方式
下面将对本发明具体实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示的是采用本发明一种用于评估版图中栅极与图形集群位置关系的方法的流程示意图，需要说明的是，为了更加具体地描述技术方案，以下实施例中所描述的步骤并不严格和发明内容部分描述的步骤一一对应。
实施例1
本实施例提供一种用于评估版图中目标栅极与图形集群位置关系的方法，包括以下步骤（参照图1-图2）：
步骤一：获取版图信息，找出所有目标栅极图形，定义为gate层；找出所有目标刻蚀区域对应图形，定义为target层；
步骤二：在版图中提取对边间距位于第一指定区间的一对平行边，所述平行边的一条边属于gate层，另一条边属于target层。具体步骤为：定义error_edge为由一对平行边组成的图层类型，在版图内提取对边的其中一条边属于gate层，另一条边属于target层，且将对边距离位于第一指定区间内的error_edge定义为target_edge，若对边距离过大则忽略，即一般需要给定一个距离上限，且上限越大，算法的时间复杂度越大。本实施例中，第一指定区间即给定准确值算法的距离范围为[0，1]，单位μm。沿所述目标栅极图形的各侧方向即沿上、下、左和右的方向分别找到包含对应上侧边、下侧边、左侧边和右侧边的平行边。所述平行边的两条边分别位于gate层和target层相对一侧。分别定义包含栅极图形左侧边的target_edge为target_edge_left，包含栅极图形右侧边的target_edge为target_edge_right，包含栅极图形上侧边的target_edge为target_edge_top，包含栅极图形下侧边的target_edge为target_edge_bottom。
步骤三：获取包含对应各侧侧边的平行边的对边间距，以数组形式传递至与之相交的目标栅极图形中并进行存储。将每一个target_edge包含的一对边间距离的准确值作为property传递到target_edge中，并定义此参数为space；将target_edge_left、 target_edge_right、target_edge_top、target_edge_bottom的space参数以数组形式传递到与之相交的栅极图形中（target_edge会和栅极图形有图形相交关系），栅极图形分别用数组类型变量space_left、space_right、space_top、space_bottom接收。由于一个栅极图形可能相交多个target_edge图形，因此传入多个space参数。参照图2，其space_left={a}；space_right={c,d}；space_top={e}；space_bottom={b}。对应各侧分别取该侧平行边中对边间距的最小值：分别遍历栅极图形上捆绑的space_left、space_right、space_top和space_bottom数组中的每一个元素，取其最小值（一般只关心同一方向上距离的最小值，比如取space_right={d}），分别定义为target_left、target_right、target_top和target_bottom，即为最终输出。获得目标栅极与图形集群的位置关系。
该方法可以实现提取栅极到target层上下左右四个方向上正对距离准确值的功能，但在第一指定区间即目标距离范围较大（>1μm）时运行时间会急剧增加，比如当目标距离范围设置为r时，则需要对目标栅极图形附近πr^2的面积中进行搜索；随着r的增加，待计算面积也以r^2的速度增加，计算时间也会随之急剧增加。
实施例2
本实施例提供一种用于评估版图中目标栅极与图形集群位置关系的方法，旨在兼顾距离范围和查找速度的情况下获取位置关系，包括以下步骤（参照图1-图6）：
S1.获取版图信息，找出所有目标栅极图形，定义为gate层；找出所有目标刻蚀区域对应图形，定义为target层；结合参考图1至图6，如图2以及图3-图6中的p1_1、p2_1、p3_1、p4_1所示，图3-图6中仅以一个目标刻蚀区域对应图形为例，实际上目标栅极图形附近的目标刻蚀区域对应图形可能有多个，围绕在目标栅极图形外侧，例如上下左右侧。
S2.在版图中提取对边间距位于第一指定区间的一对平行边，所述平行边的一条边属于gate层，另一条边属于target层。具体步骤为：定义error_edge为由一对平行边组成的图层类型，在版图内提取对边的其中一条边属于gate层，另一条边属于target层，且将对边距离位于第一指定区间内的error_edge定义为target_edge，若对边距离过大则忽略，即一般需要给定一个距离上限，且上限越大，算法的时间复杂度越大。本实施例中，第一指定区间即给定准确值算法的距离范围为[0，1]，单位μm。沿所述目标栅极图形的各侧方向即沿上、下、左和右的方向分别找到包含对应上侧边、下侧边、左侧边和右侧边的平行边。所述平行边的两条边分别位于gate层和target层相对一侧。分别定义包含栅极图形左侧边的target_edge为target_edge_left，包含栅极图形右侧边的target_edge为target_edge_right，包含栅极图形上侧边的target_edge为target_edge_top，包含栅极图形下侧边的target_edge为target_edge_bottom。
获取包含对应各侧侧边的平行边的对边间距，以数组形式传递至与之相交的目标栅极图形中并进行存储。将每一个target_edge包含的一对边间距离的准确值作为property传递到target_edge中，并定义此参数为space；将target_edge_left、 target_edge_right、target_edge_top、target_edge_bottom的space参数以数组形式传递到与之相交的栅极图形中（target_edge会和栅极图形有图形相交关系），栅极图形分别用数组类型变量space_left、space_right、space_top、space_bottom接收。由于一个栅极图形可能相交多个target_edge图形，因此传入多个space参数。参照图2，其space_left={a}；space_right={c,d}；space_top={e}；space_bottom={b}。对应各侧分别取该侧平行边中对边间距的最小值：分别遍历栅极图形上捆绑的space_left、space_right、space_top和space_bottom数组中的每一个元素，取其最小值（一般只关心同一方向上距离的最小值，比如取space_right={d}），分别定义为target_left、target_right、target_top和target_bottom，即为最终输出。获得目标栅极与图形集群的位置关系，目标栅极图形各侧对边中对边间距的最小值为第一相对位置。
S3.设定若干target层的扩展距离，本实施例示例性的采用数组形式，例如由若干距离区间断点形成依次增加的若干扩展距离组成的数组{N0,…,Nm,Nm+1，…NM}，0≤m＜M，（m和M均为整数），0≤N0＜NM。所述数组形成第二指定区间，所述第二指定区间的范围大于所述第一指定区间的范围。具体步骤为：设定步长和距离区间，将距离区间断点以数组形式保存到array变量中（形成依次增加的若干扩展距离），所述数组记为@array数组。定义$n为数组元素在数组中的元素索引，记@array数组最后一个元素索引（或数组长度）为array_size，0<$n≤$array_size。本实施例中的第二指定区间为[0，4]，单位μm。在此实施例中，示例性的将所述数组设置为：第Nm+1组扩展距离与第Nm组扩展距离的差值大于或等于第Nm组扩展距离与第Nm-1组扩展距离的差值，此时m≥1；亦可根据不同工艺条件下目标栅极与图形集群的具体情况，将前后扩展距离的差值设置不同形式，如差值均相等、逐渐增加、前面相等后中间逐渐变大再后面相等的多种形式。本实施例中N0取值为0，NM取值为4，m大于0。由于刻蚀工艺缺陷的影响与到栅极距离呈负相关，故第二指定区间设置可在小扩展距离区间采用小步长（如0.2μm），大扩展距离区间采用大步长（如1μm）。 HYPERLINK"mailto:本实施例中给定第二指定区间的距离区间数组@array=(0，0.2，0.4，0.6，0.8，1.0，1.5，2.0，3.0" 本实施例中给定第二指定区间的距离区间数组@array=(0，0.2，0.4，0.6，0.8，1.0，1.5，2.0，3.0，4.0)，单位μm。定义$array[$n]为数组元素即扩展距离，扩展距离依次增加，对target层进行扩展。在本实施例中，例如$n=1时，$array[1]=0.2μm，$n=2时，$array[2]=0.4μm，$array[2]- $array[1]=0.2μm。例如$n=$array_size时，$array[9]=4.0μm。target层是目标层，不随着第二指定区间的设定改变，上述数据也可根据实际场景设置。
将target层在所有方向上按所述数组中的扩展距离依次进行扩展形成扩展距离target图形，所述扩展距离target图形为第Nm+1组扩展距离扩展后图形区域与第 Nm组扩展距离扩展后图形区域相减得到的封闭图形即根据扩展距离扩展后新增图形区域的封闭图形。具体步骤为：重复定义target层为target_0_temp层和target_0层（对应N0等于0）；对于每一个$array[$n]（0<$n≤$array_size），定义target层在所有方向上扩展$array[$n]μm后产生的图形为target_$n_temp层，target_($n+1)_temp层减去target_$n_temp层得到target_($n+1)层（对应第Nm+1组扩展距离target图形）。结合参考图3至图6，如其中的p1_2、p2_2、p3_2、p4_2所示，四张图中的target_$n层和target_($n+1)层不代表经过相同的扩展距离形成的两个相同的封闭图形，仅表示四个示例采用相同的扩展方式，但具体的扩展距离不同，虽目标栅极与target_($n+1)层均接触，但不代表四张图中的target_($n+1)层为同一扩展距离对应的封闭图形。
S4.对于每一个扩展距离扩展后形成的扩展距离target图形，记录与所述目标栅极接触即所述目标栅极图形全部或部分落入的所述扩展距离target图形的数量。如果目标栅极图形首次全部或部分落入所述扩展距离target图形，则所述扩展距离target图形对应的Nm至Nm+1的范围为目标栅极图形与target层的距离区间，其中Nm+1为目标栅极图形首次接触的所述扩展距离target图形所对应的扩展距离，Nm为上一组扩展距离。即遍历数组，第一次出现第Nm+1组扩展距离target图形的接触数量大于0，且第Nm组扩展距离target图形的接触数量等于0时，对应的Nm至Nm+1的范围为目标栅极图形与target层的距离区间，将该距离区间参数化，即获得第二相对位置。具体包括以下步骤：
第一步，将栅极图形接触的target_$n层数量记为count_target_$n，将栅极图形接触的target_($n+1)层数量记为count_target_($n+1)；将上述参数传递并捆绑到所属的栅极图形上。
第二步，对n从0至array_size开始遍历，将第一次出现count_target_($n+1)>0并且count_target_$n=0时（即目标栅极图形首次全部或部分落入第Nm+1组扩展距离target图形）对应的n值记为ntar；将字符串$array[$ntar]_$array[$ntar+1]赋值给最终输出参数target_space_region即距离区间参数，确定栅极图形相对于target层的距离范围，所述距离范围根据相邻两个扩展距离$array[$ntar]、$array[$ntar+1]确定。
步骤S2和步骤S3-S4同步或分步进行，根据获得的第一相对位置和/或第二相对位置确定目标栅极与图形集群的位置关系。如获得第一相对位置，则将对应的对边方向与对边间距的最小值作为位置关系，否则采用第二相对位置作为位置关系。
实施例3
在位置关系的定义上，旧有方法只能判断上下左右正对方向的距离，而无法判断区分栅极到指定图形凸角/凹角的相对位置，本实施例将提供一种可评估凸角/凹角的相对位置的方法，在以上实施例2技术方案的步骤S1-S3基础上，还包括：
扩展距离target图形可分割为拐角、x边和y边，拐角为x边与y边的衔接部分，拐角根据目标刻蚀区域对应图形的形式可能存在外凸角和/或外凹角，即可能为外凸角、外凹角、x边和y边中的一部分，例如外凹角可能不存在的情况，则后续无需进行外凹角位置的判断。所述第 Nm组扩展距离target图形在x方向、y方向分别按第Nm+1组扩展距离与第Nm组扩展距离的差值进行扩展，减去所述第Nm组扩展距离target图形分别得到所述x边、y边；所述第Nm+1组扩展距离target图形减去所述x边和y边得到所述外凸角，所述x边和y边的交集为所述外凹角。所述外凸角、外凹角、x边和y边的构建方法的具体步骤如下：对于每一个$array[$n]（0<$n≤$array_size），定义target_$n层在x方向扩展$array[$n+1]-$array[$n]后产生的图形为target_($n+1)_x_temp层，target_$n层在y方向扩展$array[$n+1]-$array[$n]后产生的图形为target_($n+1)_y_temp层；target_($n+1)_x_temp层减去target_$n层得到所述target_($n+1)_x层（即x边），target_($n+1)_y_temp层减去target_$n层得到所述target_($n+1)_y层（即y边）。定义target_($n+1)_x层和target_($n+1)_y层的交集为target_($n+1)_xy层（即外凹角），target_($n+1)_x层和target_($n+1)_y层的并集为target_($n+1)_xory层，target_($n+1)层减去target_($n+1)_xory层后得到target_($n+1)_corner层（即外凸角）。结合参考图3至图6，如其中的p1_3、p2_3、p3_3、p4_3所示，四张图中的target_($n+1)_x层、target_($n+1)_y层、target_($n+1)_xy层和target_($n+1)_corner层不代表经过相同的扩展距离形成的图形区域，仅表示四个示例采用相同的扩展方式，但具体的扩展距离不同。
对于每一个扩展距离扩展后形成的扩展距离target图形，记录与所述目标栅极接触即所述目标栅极图形全部或部分落入的所述target层、外凸角、外凹角、x边和y边的数量。具体包括以下步骤：
将栅极图形接触的各层数量参数化，将栅极图形接触的target层数量记为count_target，将栅极图形接触的target_($n+1)_x层数量记为count_target_($n+1)_x，将栅极图形接触的target_($n+1)_y层数量记为count_target_($n+1)_y，将栅极图形接触的target_($n+1)_xy层数量记为count_target_($n+1)_xy，将栅极图形接触的target_($n+1)_corner层数量记为count_target_($n+1)_corner；将上述参数传递并捆绑到所属的栅极图形上。
如果目标栅极图形首次落入所述扩展距离target图形时，若其分别以全部或部分落入所述外凸角、外凹角、x边或y边，则目标栅极分别位于图形集群的凸角位置、凹角位置、x方向正对位置或y方向正对位置。通过判断目标栅极首次接触的是target层、外凸角、外凹角、x边或y边，得到方位关系，将该方位关系参数化。进行如下逻辑判断以获取所述方位关系：如果满足target层、外凹角、外凸角、x边或y边的接触数量大于0，则方位关系分别为目标栅极图形和target层相交、目标栅极图形位于target层的凹角位置、凸角位置、x方向正对位置或y方向正对位置；否则，在指定搜索范围内未找到与目标栅极图形邻近的target层；其中，外凹角的判断需在x边和y边的判断之前。在本实施例中，外凸角的判断需在x边和y边的判断之后，在其他实施例中也可采用其他逻辑限定。本实施例的具体步骤如下：
如果满足count_target>0，则target_location=INSIDE，表示栅极图形与target层相交；
否则如果满足count_target_($n+1)_xy>0，则target_location=XY，表示栅极图形位于target层的凹角位置；
否则如果满足count_target_($n+1)_x>0，则target_location=X，表示栅极图形位于target层的x方向正对位置；
否则如果满足count_target_($n+1)_y>0，则target_location=Y，表示栅极图形位于target层的y方向正对位置；
否则如果满足count_target_($n+1)_corner>0，则target_location=CORNER，表示栅极图形位于target层的凸角位置；
否则target_location=NA，表示在指定搜索范围内未找到与栅极图形邻近的target层；target_location 为最终输出参数即方位关系参数，进一步确定栅极图形与target层的位置关系。
实施例4
在位置关系的定义上，旧有方法只能判断上下左右正对方向的距离，而无法判断区分栅极到指定图形凸角/凹角的相对位置，本实施例将提供一种可同时获取凸角/凹角的相对位置和相对距离范围的方法，在以上实施例2技术方案的基础上，还包括：
扩展距离target图形可分割为拐角、x边和y边，拐角为x边与y边的衔接部分，拐角根据目标刻蚀区域对应图形的形式可能存在外凸角和/或外凹角，即可能为外凸角、外凹角、x边和y边中的一部分，例如外凹角可能不存在的情况，则后续无需进行外凹角位置的判断。所述第 Nm组扩展距离target图形在x方向、y方向分别按第Nm+1组扩展距离与第Nm组扩展距离的差值进行扩展，减去所述第Nm组扩展距离target图形分别得到所述x边、y边；所述第Nm+1组扩展距离target图形减去所述x边和y边得到所述外凸角，所述x边和y边的交集为所述外凹角。所述外凸角、外凹角、x边和y边的构建方法的具体步骤如下：对于每一个$array[$n]（0<$n≤$array_size），定义target_$n层在x方向扩展$array[$n+1]-$array[$n]后产生的图形为target_($n+1)_x_temp层，target_$n层在y方向扩展$array[$n+1]-$array[$n]后产生的图形为target_($n+1)_y_temp层；target_($n+1)_x_temp层减去target_$n层得到所述target_($n+1)_x层（即x边），target_($n+1)_y_temp层减去target_$n层得到所述target_($n+1)_y层（即y边）。定义target_($n+1)_x层和target_($n+1)_y层的交集为target_($n+1)_xy层（即外凹角），target_($n+1)_x层和target_($n+1)_y层的并集为target_($n+1)_xory层，target_($n+1)层减去target_($n+1)_xory层后得到target_($n+1)_corner层（即外凸角）。结合参考图3至图6，如其中的p1_3、p2_3、p3_3、p4_3所示，四张图中的target_($n+1)_x层、target_($n+1)_y层、target_($n+1)_xy层和target_($n+1)_corner层不代表经过相同的扩展距离形成的图形区域，仅表示四个示例采用相同的扩展方式，但具体的扩展距离不同。
对于每一个扩展距离扩展后形成的扩展距离target图形，记录与所述目标栅极接触即所述目标栅极图形全部或部分落入的所述扩展距离target图形、target层、外凸角、外凹角、x边和y边的数量。如果目标栅极图形首次全部或部分落入所述扩展距离target图形，则所述扩展距离target图形对应的Nm至Nm+1的范围为目标栅极图形与target层的距离区间。即遍历数组，第一次出现第Nm+1组扩展距离target图形的接触数量大于0，且第Nm组扩展距离target图形的接触数量等于0时，对应的Nm至Nm+1的范围为目标栅极图形与target层的距离区间，将该距离区间参数化。即获得目标栅极与图形集群的位置关系。具体包括以下步骤：
第一步，将栅极图形接触的各层数量参数化，将栅极图形接触的target层数量记为count_target，将栅极图形接触的target_($n+1)_x层数量记为count_target_($n+1)_x，将栅极图形接触的target_($n+1)_y层数量记为count_target_($n+1)_y，将栅极图形接触的target_($n+1)_xy层数量记为count_target_($n+1)_xy，将栅极图形接触的target_($n+1)_corner层数量记为count_target_($n+1)_corner，将栅极图形接触的target_$n层数量记为count_target_$n，将栅极图形接触的target_($n+1)层数量记为count_target_($n+1)；将上述参数传递并捆绑到所属的栅极图形上。
第二步，对n从0至array_size开始遍历，将第一次出现count_target_($n+1)>0并且count_target_$n=0时（即目标栅极图形首次全部或部分落入第Nm+1组扩展距离target图形）对应的n值记为ntar；将字符串$array[$ntar]_$array[$ntar+1]赋值给最终输出参数target_space_region即距离区间参数，确定栅极图形相对于target层的距离范围，所述距离范围根据相邻两个扩展距离$array[$ntar]、$array[$ntar+1]确定。
如果目标栅极图形首次落入所述扩展距离target图形时，若其分别以全部或部分落入所述外凸角、外凹角、x边或y边，则目标栅极分别位于图形集群的凸角位置、凹角位置、x方向正对位置或y方向正对位置。通过判断目标栅极首次接触的是target层、外凸角、外凹角、x边或y边，得到方位关系，将该方位关系参数化。进行如下逻辑判断以获取所述方位关系：如果满足target层、外凹角、外凸角、x边或y边的接触数量大于0，则方位关系分别为目标栅极图形和target层相交、目标栅极图形位于target层的凹角位置、凸角位置、x方向正对位置或y方向正对位置；否则，在指定搜索范围内未找到与目标栅极图形邻近的target层；其中，外凹角的判断需在x边和y边的判断之前。在本实施例中，外凸角的判断需在x边和y边的判断之后，在其他实施例中也可采用其他逻辑限定。本实施例的具体步骤如下：
对n=ntar，顺次进行如下逻辑判断，target_location为最终输出参数，即方位关系参数：
如果满足count_target>0，则target_location=INSIDE，表示栅极图形与target层相交；
否则如果满足count_target_($n+1)_xy>0，则target_location=XY，表示栅极图形位于target层的凹角位置；
否则如果满足count_target_($n+1)_x>0，则target_location=X，表示栅极图形位于target层的x方向正对位置；
否则如果满足count_target_($n+1)_y>0，则target_location=Y，表示栅极图形位于target层的y方向正对位置；
否则如果满足count_target_($n+1)_corner>0，则target_location=CORNER，表示栅极图形位于target层的凸角位置；
否则target_location=NA，表示在指定搜索范围内未找到与栅极图形邻近的target层；target_location 为最终输出参数即方位关系参数，进一步确定栅极图形与target层的相对位置关系。
该方法用距离区间参数target_space_region对位置关系进行进一步限制，确定栅极图形相对于target层的距离范围。该方法优点是速度快，扩展了栅极与target层位置关系的描述定义，可以更准确地发现或避开相应刻蚀工艺的缺陷，数据精度与设定的断点步长呈负相关。
本实施例同时采用准确值算法和范围算法从版图中提取栅极与target层的相对位置信息，并以六个参数target_left、target_right、target_top、target_bottom、target_location、target_space_region进行表示。其中target_left、target_right、target_top、target_bottom为准确值算法结果，仅表示在[0，1] μm区间搜索范围内，栅极与target层在上下左右正对方向位置距离的准确值，target_location、target_space_region为范围算法结果，分别表示在 [0，4]μm区间搜索范围内，栅极与target层的位置关系，和该相对位置关系对应的距离区间。
p*_1（*取值为1-4）所示的四个测试用例p*，其输出结果如下表1所示：
表1 四个测试用例的输出结果
对p1来看，target_top=0.28μm表明栅极与正上方target层距离为0.28μm，准确值算法获得位置信息；
对p2来看，target_left=0.74表明栅极与左侧target层距离为0.74μm，准确值算法获得位置信息；
对p3来看，x/y方向距离均超过1μm，故准确值算法无法获得位置信息。target_location表明栅极位于target层的凹角处，target_space_region表明栅极与target层最近凹角距离所在区间为 [2.0，3.0] μm，范围算法获得位置信息；
对p4来看，x/y方向距离均超过1μm且不是正对关系，故准确值算法无法获得位置信息。target_location表明栅极位于target层的凸角处，target_space_region表明栅极与target层最近凸角距离所在区间为 [1.0，1.5] μm，范围算法获得位置信息。
图3-图6中的距离仅为示例，不以图中显示长度间隔作为限定。本实施例不仅扩展了栅极相对于指定图形集群的位置关系定义，包含NA/X/Y/XY/CORNER/INSIDE六种位置关系。在不同距离范围结合范围算法和准确值算法，在距离范围大时采用速度较快的范围算法，在距离范围小时采用精度较高的准确值算法，有效解决了以往技术的缺陷。更准确的表示栅极相对于指定图形集群的位置关系，从而可以更准确的判断对应工艺缺陷与相对栅极位置关系的相关性。在需求距离范围较大时实现了精度与速度的平衡，即在小区间实现高精度，在大区间牺牲一部分精度实现高速度。
实施例5
本实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现实施例1-4中所述的用于评估版图中目标栅极与图形集群位置关系的方法的步骤。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求保护的范围内。

Claims (16)

1.一种用于评估版图中目标栅极与图形集群位置关系的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一：获取版图信息，找出所有目标栅极图形，定义为gate层；找出所有目标刻蚀区域对应图形，定义为target层；
步骤二：在版图中提取对边间距位于第一指定区间的一对平行边，所述平行边的一条边属于gate层，另一条边属于target层；沿所述目标栅极图形的各侧方向分别找到包含对应各侧侧边的平行边；
步骤三：获取包含对应各侧侧边的平行边的对边间距，对应各侧分别取该侧平行边中对边间距的最小值；
即获得目标栅极与图形集群的位置关系。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤二中，沿所述目标栅极图形的各侧方向即沿上、下、左和右的方向分别找到包含对应上侧边、下侧边、左侧边和右侧边的平行边。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述平行边的两条边分别位于gate层和target层相对一侧。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述获取包含对应各侧侧边的平行边的对边间距包括：
获取对应各侧侧边的平行边的对边间距，以数组形式传递至与之相交的目标栅极图形中并进行存储。
5.一种用于评估版图中目标栅极与图形集群位置关系的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.获取版图信息，找出所有目标栅极图形；找出所有目标刻蚀区域对应图形，定义为target层；
S2.获取目标栅极图形与目标刻蚀区域对应图形一对边位于第一指定区间的对边间距，并取目标栅极图形各侧对边中对边间距的最小值为第一相对位置；
S3.设定若干扩展距离，将target层在所有方向上按扩展距离依次进行扩展形成扩展距离target图形，所述扩展距离target图形为根据扩展距离扩展后新增图形区域的封闭图形；
S4.获取目标栅极图形首次接触的所述扩展距离target图形所对应的扩展距离，根据获取到的扩展距离与上一组扩展距离，获得与target层的相对距离范围作为目标栅极图形与target层的距离区间，即获得第二相对位置；
步骤S2和步骤S3-S4同步或分步进行，根据获得的第一相对位置和/或第二相对位置确定目标栅极与图形集群的位置关系。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：
所有目标栅极图形定义为gate层，在版图中提取对边间距位于第一指定区间的一对平行边，所述平行边的一条边属于gate层，另一条边属于target层；沿所述目标栅极图形的各侧方向分别找到包含对应各侧侧边的平行边。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述设定若干扩展距离包括：
设定步长和目标区间，将目标区间断点形成依次增加的多个扩展距离组成的数组{N0,…,Nm,Nm+1，…NM}，0≤m＜M，0≤N0＜NM。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于,所述数组多个扩展距离形成第二指定区间，所述第二指定区间的范围大于所述第一指定区间的范围，如获得第一相对位置，则将对应的对边方向与对边间距的最小值作为位置关系，否则采用第二相对位置作为位置关系。
9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述数组中第Nm+1组扩展距离与第Nm组扩展距离的差值大于或等于第Nm组扩展距离与第Nm-1组扩展距离的差值，此时m≥1。
10.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，对于每一个扩展距离扩展后形成的扩展距离target图形，记录与所述目标栅极接触即所述目标栅极图形全部或部分落入的扩展距离target图形的数量；遍历数组，第一次出现第Nm+1组扩展距离target图形的接触数量大于0，且第Nm组扩展距离target图形的接触数量等于0时，对应的Nm至Nm+1的范围为目标栅极图形与target层的距离区间，将该距离区间参数化。
11.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述扩展距离target图形分割为拐角、x边和y边，拐角为x边与y边的衔接部分，获取目标栅极图形首次接触的所述扩展距离target图形、并判断与所述拐角、x边或y边的接触关系，获得目标栅极位于图形集群的拐角位置、x方向正对位置或y方向正对位置的相对关系。
12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于，所述拐角分为外凸角和外凹角，目标栅极图形首次落入所述扩展距离target图形时，若其分别以全部或部分落入所述外凸角或外凹角，则目标栅极位于图形集群的凸角位置或凹角位置。
13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，所述x边、y边、外凸角、外凹角的构建方法如下：
设定前后两组扩展距离为Nm与Nm+1，第 Nm组扩展距离target图形在x方向、y方向分别按第Nm+1组扩展距离与第Nm组扩展距离的差值进行扩展，减去所述第Nm组扩展距离target图形分别得到所述x边、y边；第 Nm+1组扩展距离target图形减去所述x边和y边得到所述外凸角，所述x边和y边的交集为所述外凹角。
14.根据权利要求12所述的方法，其特征在于，对于每一个扩展距离扩展后形成的扩展距离target图形，记录与所述目标栅极接触即所述目标栅极图形全部或部分落入的target层、外凸角、外凹角、x边和y边的数量，通过判断目标栅极首次接触的是target层、外凸角、外凹角、x边或y边，得到方位关系，将该方位关系参数化。
15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，进行如下逻辑判断以获取所述方位关系：如果满足target层、外凹角、外凸角、x边或y边的接触数量大于0，则方位关系分别为目标栅极图形和target层相交、目标栅极图形位于target层的凹角位置、凸角位置、x方向正对位置或y方向正对位置；否则，在指定搜索范围内未找到与目标栅极图形邻近的target层；其中，外凹角的判断需在x边和y边的判断之前。
16.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-4任一项所述的一种用于评估版图中目标栅极与图形集群位置关系的方法的步骤，或权利要求5-15任一项所述的一种用于评估版图中目标栅极与图形集群位置关系的方法的步骤。
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Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112838021A (zh) * 2020-12-31 2021-05-25 杭州广立微电子股份有限公司 一种判断器件与切断层相对位置的方法
CN114692560A (zh) * 2020-12-30 2022-07-01 杭州广立微电子股份有限公司 一种z型走线图形及集群的识别方法
CN114764852A (zh) * 2020-12-30 2022-07-19 杭州广立微电子股份有限公司 一种识别栅极上连续排列的m0图形集群的方法
WO2023284065A1 (zh) * 2021-07-12 2023-01-19 长鑫存储技术有限公司 一种半导体集成电路设计方法及装置

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6519759B2 (en) * 2000-04-19 2003-02-11 Nec Corporation Photomask pattern shape correction method and corrected photomask

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114692560A (zh) * 2020-12-30 2022-07-01 杭州广立微电子股份有限公司 一种z型走线图形及集群的识别方法
CN114764852A (zh) * 2020-12-30 2022-07-19 杭州广立微电子股份有限公司 一种识别栅极上连续排列的m0图形集群的方法
CN112838021A (zh) * 2020-12-31 2021-05-25 杭州广立微电子股份有限公司 一种判断器件与切断层相对位置的方法
WO2023284065A1 (zh) * 2021-07-12 2023-01-19 长鑫存储技术有限公司 一种半导体集成电路设计方法及装置

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Chip Package Interaction analysis for Cu/Ultra low-k large die Flip Chip Ball Grid Array;Chihiro J. Uchibori等;IEEE;全文 *
层次版图连接关系提取;吴松涛;侯劲松;王国庆;;中国集成电路(第05期);全文 *
标准单元电路-版图设计自动优化技术;方山;吴玉平;陈岚;张学连;张琦;;半导体技术(第10期);全文 *

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