CN117371395B - 用于评估版图中目标栅极与图形集群相对位置关系的方法 - Google Patents

用于评估版图中目标栅极与图形集群相对位置关系的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN117371395B
CN117371395B CN202311657077.1A CN202311657077A CN117371395B CN 117371395 B CN117371395 B CN 117371395B CN 202311657077 A CN202311657077 A CN 202311657077A CN 117371395 B CN117371395 B CN 117371395B
Authority
CN
China
Prior art keywords
target
distance
graph
pattern
layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202311657077.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN117371395A (zh
Inventor
曾祥芮
万晶
杨璐丹
瞿屹超
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hangzhou Guangli Microelectronics Co ltd
Original Assignee
Hangzhou Guangli Microelectronics Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hangzhou Guangli Microelectronics Co ltd filed Critical Hangzhou Guangli Microelectronics Co ltd
Priority to CN202311657077.1A priority Critical patent/CN117371395B/zh
Publication of CN117371395A publication Critical patent/CN117371395A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN117371395B publication Critical patent/CN117371395B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F30/00—Computer-aided design [CAD]
    • G06F30/30—Circuit design
    • G06F30/39—Circuit design at the physical level
    • G06F30/398—Design verification or optimisation, e.g. using design rule check [DRC], layout versus schematics [LVS] or finite element methods [FEM]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Evolutionary Computation (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明公开了一种用于评估版图中目标栅极与图形集群相对位置关系的方法，包括以下步骤：S1.获取版图信息，找出所有目标栅极图形，找出所有目标刻蚀区域对应图形并定义为target层；S2.设定若干扩展距离，将target层在所有方向上按扩展距离依次进行扩展形成扩展距离target图形，扩展距离target图形为根据扩展距离扩展后新增图形区域的封闭图形；S3.获取目标栅极图形首次接触的扩展距离target图形所对应的扩展距离，根据获取到的扩展距离与上一组扩展距离，获得与target层的相对距离范围作为目标栅极图形与target层的距离区间；获得目标栅极与图形集群的相对位置关系。属于集成电路技术领域，兼顾相对位置关系评估中的距离范围和计算速度，有利于发现或避开相应刻蚀工艺的缺陷。

Description

用于评估版图中目标栅极与图形集群相对位置关系的方法
技术领域
本发明属于集成电路技术领域，具体涉及一种用于评估版图中目标栅极与图形集群相对位置关系的方法。
背景技术
在芯片的制造流程中，不成熟的刻蚀工艺可能会对目标刻蚀区域邻近的器件产生影响，从而影响对应器件的性能，而这种影响程度与器件和刻蚀区域图层的位置关系息息相关，由此产生了评估栅极和指定图层位置关系的需求。这种位置关系的评估不仅可以在测试芯片设计阶段辅助设计相应测试结构，用于检测对应刻蚀工艺是否成熟，而且也可以与测试阶段器件电性数据进行合并分析，判断位置关系与电性异常的相关性，从而判断对应刻蚀工艺的成熟度。
以往评估栅极相对于指定图形集群位置关系的方法具有位置关系定义、距离范围和速度的局限性。如在位置关系的定义上旧有方法只能判断上下左右正对方向的距离，而无法判断区分栅极到指定图形凸角/凹角的相对位置，而无法准确的评估栅极和指定图层的位置关系；或者在距离范围较大时速度十分缓慢，在速度处于可接受范围时距离范围很小，不能匹配实际刻蚀工艺影响的范围，亟需一种更有效用于评估版图中目标栅极与图形集群相对位置关系的方法。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的全部或部分不足，本发明的目的在于：提供一种用于评估版图中目标栅极与图形集群相对位置关系的方法，能够兼顾相对位置关系评估中的距离范围和计算速度，提高了距离范围较大时的计算速度，在保证计算速度的同时扩大了适用的距离范围，以匹配实际刻蚀工艺影响的范围，有利于发现或避开相应刻蚀工艺的缺陷。
为实现上述发明目的，本发明提供以下技术方案：
本发明提供了一种用于评估版图中目标栅极与图形集群相对位置关系的方法，包括以下步骤：
S1.获取版图信息，找出所有目标栅极图形，找出所有目标刻蚀区域对应图形并定义为target层；
S2.设定若干（target层的）扩展距离，将target层在所有方向上按扩展距离依次进行扩展形成扩展距离target图形，所述扩展距离target图形为根据扩展距离扩展后新增图形区域的封闭图形；
S3.获取目标栅极图形首次接触的所述扩展距离target图形所对应的扩展距离，根据获取到的扩展距离与上一组扩展距离，获得与target层的相对距离范围作为目标栅极图形与target层的距离区间；
即获得目标栅极与图形集群的相对位置关系。
本发明通过范围算法获取目标栅极图形与target层的距离区间，能够快速获得目标栅极与图形集群的初步相对位置关系，即可知目标栅极与图形集群之间的距离范围，从而初步推断刻蚀工艺影响。本发明提高了距离范围较大时的计算速度，在保证计算速度的同时扩大了适用的距离范围，以匹配实际刻蚀工艺影响的范围，有利于发现或避开相应刻蚀工艺的缺陷。
所述设定若干扩展距离包括：
设定步长和目标区间，将目标区间断点形成依次增加的多个扩展距离组成的数组{N0,…,Nm,Nm+1，…NM}，0≤m＜M，0≤N0＜NM；所述数组中第Nm+1组扩展距离与第Nm组扩展距离的差值大于或等于第Nm组扩展距离与第Nm-1组扩展距离的差值，此时m≥1。由于刻蚀工艺缺陷的影响与到栅极距离呈负相关，故采用范围算法的方法中，距离范围设置可在小扩展距离区间采用小步长，大扩展距离区间采用大步长，数据精度与设定的断点步长呈负相关。
对于每一个扩展距离扩展后形成的扩展距离target图形，记录与所述目标栅极接触即所述目标栅极图形全部或部分落入的扩展距离target图形；遍历数组，第一次出现第Nm+1组扩展距离target图形的接触数量大于0，且第Nm组扩展距离target图形的接触数量等于0时，对应的Nm至Nm+1的范围为目标栅极图形与target层的距离区间，将该距离区间参数化。提供了如何获取目标栅极图形与target层的距离区间的方法。
所述扩展距离target图形分割为拐角、x边和y边，拐角为x边与y边的衔接部分，获取目标栅极图形首次接触的所述扩展距离target图形、并判断与所述拐角、x边或y边的接触关系，获得目标栅极位于图形集群的拐角位置、x方向正对位置或y方向正对位置的相对关系。通过将扩展距离target图形分割为多个组成部分，将拐角考虑到相对位置关系判断中，可以更准确的评估栅极和指定图层的位置关系。
所述拐角分为外凸角和外凹角，目标栅极图形首次落入所述扩展距离target图形时，若其分别以全部或部分落入所述外凸角或外凹角，则目标栅极位于图形集群的凸角位置或凹角位置。
所述x边、y边、外凸角、外凹角（若存在）的构建方法如下：设定前后两组扩展距离为Nm与 Nm+1，第 Nm组扩展距离target图形在x方向、y方向分别按第Nm+1组扩展距离与第Nm组扩展距离的差值进行扩展，减去所述第Nm组扩展距离target图形分别得到所述x边、y边；第Nm+1组扩展距离target图形减去所述x边和y边得到所述外凸角，所述x边和y边的交集为所述外凹角。
对于每一个扩展距离扩展后形成的扩展距离target图形，记录与所述目标栅极接触即所述目标栅极图形全部或部分落入的target层、外凸角、外凹角（若存在）、x边和y边的数量；通过判断目标栅极首次接触的是target层、外凸角、外凹角（若存在）、x边或y边，得到方位关系，将该方位关系参数化。获取方位关系，可以更准确地获知栅极相对于指定图形集群的位置关系，从而可以更准确地判断对应工艺缺陷与相对栅极位置关系的相关性，有利于发现或避开相应刻蚀工艺的缺陷。
进行如下逻辑判断以获取所述方位关系：如果满足target层、外凹角（若存在）、外凸角、x边或y边的接触数量大于0，则方位关系分别为目标栅极图形和target层相交、目标栅极图形位于target层的凹角位置、凸角位置、x方向正对位置或y方向正对位置；否则，在指定搜索范围内未找到与目标栅极图形邻近的target层；其中，外凹角的判断需在x边和y边的判断之前。提供了目标栅极图形与target层的方位关系的判断方法，亦提供了如何寻找并评估栅极位于图形集群的凹角位置和凸角位置的方法。
还包括计算目标栅极图形与target层之间的具体距离值。
还提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述任一方案中所述的一种用于评估版图中目标栅极与图形集群相对位置关系的方法的步骤。
与现有技术相比，本发明至少具有以下有益效果：本发明通过范围算法获取目标栅极图形与target层的距离区间，能够快速获得目标栅极与图形集群的初步相对位置关系，即可知目标栅极与图形集群之间的距离范围，从而初步推断刻蚀工艺影响。本发明提高了距离范围较大时的计算速度，在保证计算速度的同时扩大了适用的距离范围，以匹配实际刻蚀工艺影响的范围，有利于发现或避开相应刻蚀工艺的缺陷。
附图说明
为了更清楚地说明本发明具体实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明提供的一种用于评估版图中目标栅极与图形集群相对位置关系的方法的流程示意图；
图2是本发明实施例1-实施例3中p1测试用例的栅极与图形集群相对位置关系的评估过程；
图3是本发明实施例1-实施例3中p2测试用例的栅极与图形集群相对位置关系的评估过程；
图4是本发明实施例1-实施例3中p3测试用例的栅极与图形集群相对位置关系的评估过程；
图5是本发明实施例1-实施例3中p4测试用例的栅极与图形集群相对位置关系的评估过程。
具体实施方式
下面将对本发明具体实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如图1所示的是采用本发明一种用于评估版图中目标栅极与图形集群相对位置关系的方法的流程示意图，需要说明的是，为了更加具体地描述技术方案，以下实施例中所描述的步骤并不严格和发明内容部分描述的步骤一一对应。
实施例1
本实施例提供一种用于评估版图中目标栅极与图形集群相对位置关系的方法，旨在实现大距离范围下快速获取相对位置关系，包括以下步骤（参考图1-图5）：
S1.获取版图信息，找出所有目标栅极图形，定义为gate层；找出所有目标刻蚀区域对应图形，定义为target层。结合参考图2至图5，如其中的示图p1_1、示图p2_1、示图p3_1、示图p4_1所示，图2-图5中仅以一个目标刻蚀区域对应图形为例，实际上目标栅极图形附近的目标刻蚀区域对应图形可能有多个，围绕在目标栅极图形外侧，例如上下左右侧。
S2.设定若干target层的扩展距离，本实施例示例性的采用数组形式，例如设定由若干距离区间断点形成依次增加的若干扩展距离组成的数组{N0,…,Nm,Nm+1，…NM}，0≤m＜M，（m和M均为整数），0≤N0＜NM。所述数组形成指定区间，具体步骤为：设定步长和距离区间，将距离区间断点以数组形式保存到array变量中（形成依次增加的若干扩展距离），所述数组记为@array数组。定义$n为数组元素在数组中的元素索引，记@array数组最后一个元素索引（或数组长度）为array_size，0<$n≤$array_size。本实施例中的指定区间为[0，4]，单位μm。在此实施例中，示例性的将所述数组设置为：第Nm+1组扩展距离与第Nm组扩展距离的差值大于或等于第Nm组扩展距离与第Nm-1组扩展距离的差值，此时m≥1；亦可根据不同工艺条件下目标栅极与图形集群的具体情况，将前后扩展距离的差值设置不同形式，如差值均相等、逐渐增加、前面相等后中间逐渐变大再后面相等的多种形式。本实施例中N0取值为0，NM取值为4，m大于0。由于刻蚀工艺缺陷的影响与到栅极距离呈负相关，故指定区间设置可在小扩展距离区间采用小步长（如0.2μm），大扩展距离区间采用大步长（如1μm）。HYPERLINK"mailto:本实施例中给定指定区间的距离区间数组@array=(0，0.2，0.4，0.6，0.8，1.0，1.5，2.0，3.0" 本实施例中给定指定区间的距离区间数组@array=(0，0.2，0.4，0.6，0.8，1.0，1.5，2.0，3.0，4.0)，单位μm。定义$array[$n]为数组元素即扩展距离，扩展距离依次增加，对target层进行扩展。在本实施例中，例如$n=1时，$array[1]=0.2μm，$n=2时，$array[2]=0.4μm，$array[2]- $array[1]=0.2μm。例如$n=$array_size时，$array[9]=4.0μm。target层是目标层，不随着指定区间的设定改变，上述数据也可根据实际场景设置。
将target层在所有方向上按所述数组中的扩展距离依次进行扩展形成扩展距离target图形，所述扩展距离target图形为第Nm+1组扩展距离扩展后图形区域与第 Nm组扩展距离扩展后图形区域相减得到的封闭图形即根据扩展距离扩展后新增图形区域的封闭图形。具体步骤为：重复定义target层为target_0_temp层和target_0层（对应N0等于0）；对于每一个$array[$n]（0<$n≤$array_size），定义target层在所有方向上扩展$array[$n]μm后产生的图形为target_$n_temp层，target_($n+1)_temp层减去target_$n_temp层得到target_($n+1)层（对应第Nm+1组扩展距离target图形）。结合参考图2至图5，如其中的示图p1_2、示图p2_2、示图p3_2、示图p4_2所示，四个示图中的target_$n层和target_($n+1)层不代表经过相同的扩展距离形成的两个相同的封闭图形，仅表示四个示例采用相同的扩展方式，但具体的扩展距离不同，虽目标栅极与target_($n+1)层均接触，但不代表四个示图中的target_($n+1)层为同一扩展距离对应的封闭图形。
S3.对于每一个扩展距离扩展后形成的扩展距离target图形，记录与所述目标栅极接触即所述目标栅极图形全部或部分落入的所述扩展距离target图形的数量。如果目标栅极图形首次全部或部分落入所述扩展距离target图形，则所述扩展距离target图形对应的Nm至Nm+1的范围为目标栅极图形与target层的距离区间，其中Nm+1为目标栅极图形首次接触的所述扩展距离target图形所对应的扩展距离，Nm为上一组扩展距离。即遍历数组，第一次出现第Nm+1组扩展距离target图形的接触数量大于0，且第Nm组扩展距离target图形的接触数量等于0时，对应的Nm至Nm+1的范围为目标栅极图形与target层的距离区间，将该距离区间参数化。即获得目标栅极与图形集群的相对位置关系。具体包括以下步骤：
第一步，将栅极图形接触的target_$n层数量记为count_target_$n，将栅极图形接触的target_($n+1)层数量记为count_target_($n+1)；将上述参数传递并捆绑到所属的栅极图形上；
第二步，对n从0至array_size开始遍历，将第一次出现count_target_($n+1)>0并且count_target_$n=0时（即目标栅极图形首次全部或部分落入第Nm+1组扩展距离target图形）对应的n值记为ntar；将字符串$array[$ntar]_$array[$ntar+1]赋值给最终输出参数target_space_region即距离区间参数，确定栅极图形相对于target层的距离范围，所述距离范围根据相邻两个扩展距离$array[$ntar]、$array[$ntar+1]确定。
实施例2
在位置关系的定义上，旧有方法只能判断上下左右正对方向的距离，而无法判断区分栅极到指定图形凸角/凹角的相对位置，本实施例将提供一种可评估凸角/凹角的相对位置的方法，在以上实施例1技术方案的步骤S1、S2基础上，还包括：
扩展距离target图形可分割为拐角、x边和y边，拐角为x边与y边的衔接部分，拐角根据目标刻蚀区域对应图形的形式可能存在外凸角和/或外凹角，即可能为外凸角、外凹角、x边和y边中的一部分，例如外凹角可能不存在的情况，则后续无需进行外凹角位置的判断。所述第 Nm组扩展距离target图形在x方向、y方向分别按第Nm+1组扩展距离与第Nm组扩展距离的差值进行扩展，减去所述第Nm组扩展距离target图形分别得到所述x边、y边；所述第Nm+1组扩展距离target图形减去所述x边和y边得到所述外凸角，所述x边和y边的交集为所述外凹角。所述外凸角、外凹角、x边和y边的构建方法的具体步骤如下：对于每一个$array[$n]（0<$n≤$array_size），定义target_$n层在x方向扩展$array[$n+1]-$array[$n]后产生的图形为target_($n+1)_x_temp层，target_$n层在y方向扩展$array[$n+1]-$array[$n]后产生的图形为target_($n+1)_y_temp层；target_($n+1)_x_temp层减去target_$n层得到所述target_($n+1)_x层（即x边），target_($n+1)_y_temp层减去target_$n层得到所述target_($n+1)_y层（即y边）。定义target_($n+1)_x层和target_($n+1)_y层的交集为target_($n+1)_xy层（即外凹角），target_($n+1)_x层和target_($n+1)_y层的并集为target_($n+1)_xory层，target_($n+1)层减去target_($n+1)_xory层后得到target_($n+1)_corner层（即外凸角）。结合参考图2至图5，如其中的示图p1_3、示图p2_3、示图p3_3、示图p4_3所示，四个示图中的target_($n+1)_x层、target_($n+1)_y层、target_($n+1)_xy层和target_($n+1)_corner层不代表经过相同的扩展距离形成的图形区域，仅表示四个示例采用相同的扩展方式，但具体的扩展距离不同。
对于每一个扩展距离扩展后形成的扩展距离target图形，记录与所述目标栅极接触即所述目标栅极图形全部或部分落入的所述target层、外凸角、外凹角、x边和y边的数量。具体包括以下步骤：
将栅极图形接触的各层数量参数化，将栅极图形接触的target层数量记为count_target，将栅极图形接触的target_($n+1)_x层数量记为count_target_($n+1)_x，将栅极图形接触的target_($n+1)_y层数量记为count_target_($n+1)_y，将栅极图形接触的target_($n+1)_xy层数量记为count_target_($n+1)_xy，将栅极图形接触的target_($n+1)_corner层数量记为count_target_($n+1)_corner；将上述参数传递并捆绑到所属的栅极图形上。
如果目标栅极图形首次落入所述扩展距离target图形时，若其分别以全部或部分落入所述外凸角、外凹角、x边或y边，则目标栅极分别位于图形集群的凸角位置、凹角位置、x方向正对位置或y方向正对位置。通过判断目标栅极首次接触的是target层、外凸角、外凹角、x边或y边，得到方位关系，将该方位关系参数化。进行如下逻辑判断以获取所述方位关系：如果满足target层、外凹角、外凸角、x边或y边的接触数量大于0，则方位关系分别为目标栅极图形和target层相交、目标栅极图形位于target层的凹角位置、凸角位置、x方向正对位置或y方向正对位置；否则，在指定搜索范围内未找到与目标栅极图形邻近的target层；其中，外凹角的判断需在x边和y边的判断之前。在本实施例中，外凸角的判断需在x边和y边的判断之后，在其他实施例中也可采用其他逻辑限定。本实施例的具体步骤如下：
如果满足count_target>0，则target_location=INSIDE，表示栅极图形与target层相交；
否则如果满足count_target_($n+1)_xy>0，则target_location=XY，表示栅极图形位于target层的凹角位置；
否则如果满足count_target_($n+1)_x>0，则target_location=X，表示栅极图形位于target层的x方向正对位置；
否则如果满足count_target_($n+1)_y>0，则target_location=Y，表示栅极图形位于target层的y方向正对位置；
否则如果满足count_target_($n+1)_corner>0，则target_location=CORNER，表示栅极图形位于target层的凸角位置；
否则target_location=NA，表示在指定搜索范围内未找到与栅极图形邻近的target层；target_location 为最终输出参数即方位关系参数，进一步确定栅极图形与target层的相对位置关系。
实施例3
在位置关系的定义上，旧有方法只能判断上下左右正对方向的距离，而无法判断区分栅极到指定图形凸角/凹角的相对位置，本实施例将提供一种可同时获取凸角/凹角的相对位置和相对距离范围的方法，在以上实施例1技术方案的基础上，还包括：
扩展距离target图形可分割为拐角、x边和y边，拐角为x边与y边的衔接部分，拐角根据目标刻蚀区域对应图形的形式可能存在外凸角和/或外凹角，即可能为外凸角、外凹角、x边和y边中的一部分，例如外凹角可能不存在的情况，则后续无需进行外凹角位置的判断。所述第 Nm组扩展距离target图形在x方向、y方向分别按第Nm+1组扩展距离与第Nm组扩展距离的差值进行扩展，减去所述第Nm组扩展距离target图形分别得到所述x边、y边；所述第Nm+1组扩展距离target图形减去所述x边和y边得到所述外凸角，所述x边和y边的交集为所述外凹角。所述外凸角、外凹角、x边和y边的构建方法的具体步骤如下：对于每一个$array[$n]（0<$n≤$array_size），定义target_$n层在x方向扩展$array[$n+1]-$array[$n]后产生的图形为target_($n+1)_x_temp层，target_$n层在y方向扩展$array[$n+1]-$array[$n]后产生的图形为target_($n+1)_y_temp层；target_($n+1)_x_temp层减去target_$n层得到所述target_($n+1)_x层（即x边），target_($n+1)_y_temp层减去target_$n层得到所述target_($n+1)_y层（即y边）。定义target_($n+1)_x层和target_($n+1)_y层的交集为target_($n+1)_xy层（即外凹角），target_($n+1)_x层和target_($n+1)_y层的并集为target_($n+1)_xory层，target_($n+1)层减去target_($n+1)_xory层后得到target_($n+1)_corner层（即外凸角）。结合参考图2至图5，如其中的示图p1_3、示图p2_3、示图p3_3、示图p4_3所示，四个示图中的target_($n+1)_x层、target_($n+1)_y层、target_($n+1)_xy层和target_($n+1)_corner层不代表经过相同的扩展距离形成的图形区域，仅表示四个示例采用相同的扩展方式，但具体的扩展距离不同。
对于每一个扩展距离扩展后形成的扩展距离target图形，记录与所述目标栅极接触即所述目标栅极图形全部或部分落入的所述扩展距离target图形、target层、外凸角、外凹角、x边和y边的数量。如果目标栅极图形首次全部或部分落入所述扩展距离target图形，则所述扩展距离target图形对应的Nm至Nm+1的范围为目标栅极图形与target层的距离区间。即遍历数组，第一次出现第Nm+1组扩展距离target图形的接触数量大于0，且第Nm组扩展距离target图形的接触数量等于0时，对应的Nm至Nm+1的范围为目标栅极图形与target层的距离区间，将该距离区间参数化。即获得目标栅极与图形集群的相对位置关系。具体包括以下步骤：
第一步，将栅极图形接触的各层数量参数化，将栅极图形接触的target层数量记为count_target，将栅极图形接触的target_($n+1)_x层数量记为count_target_($n+1)_x，将栅极图形接触的target_($n+1)_y层数量记为count_target_($n+1)_y，将栅极图形接触的target_($n+1)_xy层数量记为count_target_($n+1)_xy，将栅极图形接触的target_($n+1)_corner层数量记为count_target_($n+1)_corner，将栅极图形接触的target_$n层数量记为count_target_$n，将栅极图形接触的target_($n+1)层数量记为count_target_($n+1)；将上述参数传递并捆绑到所属的栅极图形上。
第二步，对n从0至array_size开始遍历，将第一次出现count_target_($n+1)>0并且count_target_$n=0时（即目标栅极图形首次全部或部分落入第Nm+1组扩展距离target图形）对应的n值记为ntar；将字符串$array[$ntar]_$array[$ntar+1]赋值给最终输出参数target_space_region即距离区间参数，确定栅极图形相对于target层的距离范围，所述距离范围根据相邻两个扩展距离$array[$ntar]、$array[$ntar+1]确定。
如果目标栅极图形首次落入所述扩展距离target图形时，若其分别以全部或部分落入所述外凸角、外凹角、x边或y边，则目标栅极分别位于图形集群的凸角位置、凹角位置、x方向正对位置或y方向正对位置。通过判断目标栅极首次接触的是target层、外凸角、外凹角、x边或y边，得到方位关系，将该方位关系参数化。进行如下逻辑判断以获取所述方位关系：如果满足target层、外凹角、外凸角、x边或y边的接触数量大于0，则方位关系分别为目标栅极图形和target层相交、目标栅极图形位于target层的凹角位置、凸角位置、x方向正对位置或y方向正对位置；否则，在指定搜索范围内未找到与目标栅极图形邻近的target层；其中，外凹角的判断需在x边和y边的判断之前。在本实施例中，外凸角的判断需在x边和y边的判断之后，在其他实施例中也可采用其他逻辑限定。本实施例的具体步骤如下：
对n=ntar，顺次进行如下逻辑判断，target_location为最终输出参数，即方位关系参数：
如果满足count_target>0，则target_location=INSIDE，表示栅极图形与target层相交；
否则如果满足count_target_($n+1)_xy>0，则target_location=XY，表示栅极图形位于target层的凹角位置；
否则如果满足count_target_($n+1)_x>0，则target_location=X，表示栅极图形位于target层的x方向正对位置；
否则如果满足count_target_($n+1)_y>0，则target_location=Y，表示栅极图形位于target层的y方向正对位置；
否则如果满足count_target_($n+1)_corner>0，则target_location=CORNER，表示栅极图形位于target层的凸角位置；
否则target_location=NA，表示在指定搜索范围内未找到与栅极图形邻近的target层；target_location 为最终输出参数即方位关系参数，进一步确定栅极图形与target层的相对位置关系。
该方法用距离区间参数target_space_region对位置关系进行进一步限制，确定栅极图形相对于target层的距离范围。该方法优点是速度快，扩展了栅极与target层相对位置关系的描述定义，可以更准确地发现或避开相应刻蚀工艺的缺陷，数据精度与设定的断点步长呈负相关。
本实施例采用范围算法从版图中提取栅极与target层的相对位置信息，并以两个参数target_location和target_space_region进行表示，分别表示在 [0，4] μm区间搜索范围内，栅极与target层的相对位置关系，和该相对位置关系对应的距离区间。
示图p*_1（*取值为1-4）所示的四个测试用例p*，其输出结果如下表1所示：
表1 四个测试用例的输出结果
target_location target_space_region
p1 Y 0.2_0.4
p2 X 0.6_0.8
p3 XY 2.0_3.0
p4 CORNER 1.0_1.5
对p1来看，target_location=Y，表明目标栅极位于target层的y方向正对位置，且间距区间为[0.2，0.4]，单位μm；
对p2来看，target_location=X，表明目标栅极位于target层的x方向正对位置，且间距区间为[0.6，0.8]，单位μm；
对p3来看，target_location=XY，表明目标栅极位于target层的凹角位置，且与最近凹角的间距区间为[2.0，3.0]，单位μm；
对p4来看，target_location=CORNER，表明目标栅极位于target层的凸角位置，且与最近凸角的间距区间为[1.0，1.5]，单位μm。
图2-图5中的距离仅为示例，不以图中显示长度间隔作为限定。本实施例扩展了栅极相对于指定图形集群的位置关系定义，包含NA/X/Y/XY/CORNER/INSIDE六种位置关系。在距离范围大时采用速度较快的范围算法，有效解决了以往技术的缺陷。更准确的表示栅极相对于指定图形集群的位置关系，从而可以更准确的判断对应工艺缺陷与相对栅极位置关系的相关性。
在其他实施例中还包括计算目标栅极图形与target层之间的具体距离值。
实施例4
本实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现实施例1-实施例3中任一所述的一种用于评估版图中目标栅极与图形集群相对位置关系的方法的步骤。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求保护的范围内。

Claims (10)

1.一种用于评估版图中目标栅极与图形集群相对位置关系的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1.获取版图信息，找出所有目标栅极图形，找出所有目标刻蚀区域对应图形并定义为target层；
S2.设定若干扩展距离，将target层在所有方向上按扩展距离依次进行扩展形成扩展距离target图形，所述扩展距离target图形为根据扩展距离扩展后新增图形区域的封闭图形；
S3.获取目标栅极图形首次接触的所述扩展距离target图形所对应的扩展距离，根据获取到的扩展距离与上一组扩展距离，获得与target层的相对距离范围作为目标栅极图形与target层的距离区间；
即获得目标栅极与图形集群的相对位置关系。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述设定若干扩展距离包括：
设定步长和目标区间，将目标区间断点形成依次增加的多个扩展距离组成的数组{N0,…,Nm,Nm+1，…NM}，0≤m＜M，0≤Nm＜NM；所述数组中第Nm+1组扩展距离与第Nm组扩展距离的差值大于或等于第Nm组扩展距离与第Nm-1组扩展距离的差值，此时m≥1。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，对于每一个扩展距离扩展后形成的扩展距离target图形，记录与所述目标栅极接触即所述目标栅极图形全部或部分落入的扩展距离target图形的数量；遍历数组，第一次出现第Nm+1组扩展距离target图形的接触数量大于0，且第Nm组扩展距离target图形的接触数量等于0时，对应的Nm至Nm+1的范围为目标栅极图形与target层的距离区间，将该距离区间参数化。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述扩展距离target图形分割为拐角、x边和y边，拐角为x边与y边的衔接部分，获取目标栅极图形首次接触的所述扩展距离target图形、并判断与所述拐角、x边或y边的接触关系，获得目标栅极位于图形集群的拐角位置、x方向正对位置或y方向正对位置的相对关系。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述拐角分为外凸角和外凹角，目标栅极图形首次落入所述扩展距离target图形时，若其分别以全部或部分落入所述外凸角或外凹角，则目标栅极位于图形集群的凸角位置或凹角位置。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述x边、y边、外凸角、外凹角的构建方法如下：设定前后两组扩展距离为Nm与 Nm+1，第 Nm组扩展距离target图形在x方向、y方向分别按第Nm+1组扩展距离与第Nm组扩展距离的差值进行扩展，减去所述第Nm组扩展距离target图形分别得到所述x边、y边；第 Nm+1组扩展距离target图形减去所述x边和y边得到所述外凸角，所述x边和y边的交集为所述外凹角。
7.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，对于每一个扩展距离扩展后形成的扩展距离target图形，记录与所述目标栅极接触即所述目标栅极图形全部或部分落入的target层、外凸角、外凹角、x边和y边的数量；通过判断目标栅极首次接触的是target层、外凸角、外凹角、x边或y边，得到方位关系，将该方位关系参数化。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，进行如下逻辑判断以获取所述方位关系：如果满足target层、外凹角、外凸角、x边或y边的接触数量大于0，则方位关系分别为目标栅极图形和target层相交、目标栅极图形位于target层的凹角位置、凸角位置、x方向正对位置或y方向正对位置；否则，在指定搜索范围内未找到与目标栅极图形邻近的target层；其中，外凹角的判断需在x边和y边的判断之前。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括计算目标栅极图形与target层之间的具体距离值。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，所述计算机程序被处理器执行时实现权利要求1-9中任一项所述的一种用于评估版图中目标栅极与图形集群相对位置关系的方法的步骤。
CN202311657077.1A 2023-12-06 2023-12-06 用于评估版图中目标栅极与图形集群相对位置关系的方法 Active CN117371395B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311657077.1A CN117371395B (zh) 2023-12-06 2023-12-06 用于评估版图中目标栅极与图形集群相对位置关系的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311657077.1A CN117371395B (zh) 2023-12-06 2023-12-06 用于评估版图中目标栅极与图形集群相对位置关系的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN117371395A CN117371395A (zh) 2024-01-09
CN117371395B true CN117371395B (zh) 2024-02-02

Family

ID=89391346

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311657077.1A Active CN117371395B (zh) 2023-12-06 2023-12-06 用于评估版图中目标栅极与图形集群相对位置关系的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117371395B (zh)

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4300357A1 (en) * 1992-01-18 1993-07-22 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device of DRAM structure - comprising substrate, impurity regions formed on substrate, and conducting layers
CN203288598U (zh) * 2012-11-19 2013-11-13 宁波比亚迪半导体有限公司 一种具有终端耐压结构的沟槽mosfet
CN103824883A (zh) * 2012-11-19 2014-05-28 比亚迪股份有限公司 一种具有终端耐压结构的沟槽mosfet的及其制造方法
DE102020111378A1 (de) * 2020-04-15 2021-10-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Reduzierte rc-verzögerung in halbleitervorrichtungen
CN114764852A (zh) * 2020-12-30 2022-07-19 杭州广立微电子股份有限公司 一种识别栅极上连续排列的m0图形集群的方法
WO2023015664A1 (zh) * 2021-08-13 2023-02-16 长鑫存储技术有限公司 一种虚拟图形填充方法和半导体器件版图
DE102023101602A1 (de) * 2022-03-03 2023-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Metallgatestruktur und verfahren zu deren herstellung

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6519759B2 (en) * 2000-04-19 2003-02-11 Nec Corporation Photomask pattern shape correction method and corrected photomask
US9695472B2 (en) * 2005-03-04 2017-07-04 Intel Corporation Sensor arrays and nucleic acid sequencing applications

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4300357A1 (en) * 1992-01-18 1993-07-22 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device of DRAM structure - comprising substrate, impurity regions formed on substrate, and conducting layers
CN203288598U (zh) * 2012-11-19 2013-11-13 宁波比亚迪半导体有限公司 一种具有终端耐压结构的沟槽mosfet
CN103824883A (zh) * 2012-11-19 2014-05-28 比亚迪股份有限公司 一种具有终端耐压结构的沟槽mosfet的及其制造方法
DE102020111378A1 (de) * 2020-04-15 2021-10-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Reduzierte rc-verzögerung in halbleitervorrichtungen
CN114764852A (zh) * 2020-12-30 2022-07-19 杭州广立微电子股份有限公司 一种识别栅极上连续排列的m0图形集群的方法
WO2023015664A1 (zh) * 2021-08-13 2023-02-16 长鑫存储技术有限公司 一种虚拟图形填充方法和半导体器件版图
DE102023101602A1 (de) * 2022-03-03 2023-09-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Metallgatestruktur und verfahren zu deren herstellung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
自适应不规则形状扩展目标跟踪算法;陈辉;杜金瑞;韩崇昭;;控制理论与应用(08);全文 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN117371395A (zh) 2024-01-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6066179A (en) Property estimation of an integrated circuit
US7818694B2 (en) IC layout optimization to improve yield
US6598211B2 (en) Scaleable approach to extracting bridges from a hierarchically described VLSI layout
US20040049722A1 (en) Failure analysis system, failure analysis method, a computer program product and a manufacturing method for a semiconductor device
US7392496B1 (en) Device for avoiding timing violations resulting from process defects in a backfilled metal layer of an integrated circuit
CN112800716B (zh) 一种集成电路版图布线中线网开路检测方法
CN115797418B (zh) 一种基于改进icp的复杂机械零件测量点云配准方法及系统
US7735043B2 (en) Wiring layout apparatus, wiring layout method, and wiring layout program for semiconductor integrated circuit
TWI537760B (zh) 積體電路設計與製造方法
CN111243094A (zh) 一种基于点灯法的三维模型精确体素化方法
CN109410183A (zh) 基于点云数据的平面提取方法、系统、装置及存储介质
CN117272914B (zh) 基于四叉树快速确定覆铜形状形成拓扑结构的方法及装置
CN117371395B (zh) 用于评估版图中目标栅极与图形集群相对位置关系的方法
Papadopoulou The Hausdorff Voronoi diagram of point clusters in the plane
CN117151021B (zh) 基于覆铜形状拓扑结构诊断集成电路版图设计缺陷的方法
JP2006019690A (ja) パターン解析方法及びパターン解析装置並びに歩留まり算出方法及び歩留まり算出装置
CN114442438B (zh) 一种变网格的芯粒排布寻优算法
TWI460680B (zh) 密度式資料分群方法
CN117371394B (zh) 用于评估版图中目标栅极与图形集群位置关系的方法
Xu et al. Adaptive Multi-Modal Cross-Entropy Loss for Stereo Matching
CN106951918A (zh) 一种用于冷冻电镜分析的单颗粒图像聚类方法
US9015645B1 (en) Hierarchical electromigration analysis using intelligent connectivity
CN113990777A (zh) 良率晶圆图的形成方法及装置、可读存储介质、终端
Hamamura et al. Repair yield simulation with iterative critical area analysis for different types of failure
CN111027014B (zh) type-2直觉模糊决策的TSK模糊模型粒子滤波方法及系统

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant