CN117353691B - 一种体声波滤波器的制造方法、体声波滤波器及通信设备 - Google Patents
一种体声波滤波器的制造方法、体声波滤波器及通信设备 Download PDFInfo
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Abstract
本申请实施例提供一种体声波滤波器的制造方法、体声波滤波器及通信设备，涉及电子器件技术领域。体声波滤波器的制造方法保证了滤波器优良性能的同时，降低了体声波滤波器的成本。体声波滤波器的制造方法包括：提供第一基底，第一基底的至少一侧具有交叠的高低声阻抗材料；提供支撑膜，支撑膜的第一侧设有凹陷部，凹陷部的位置和第一基底上的交叠的高低声阻抗材料相对应；将支撑膜转移到第一基底具有交叠的高低声阻抗材料侧，使支撑膜对准第一基底，将支撑膜与第一基底结合，使凹陷部和第一基底形成容置有交叠的高低声阻抗材料的谐振腔；提供第二基底；在第一基底与第二基底之间形成电连接；进行封装。
Description
技术领域
本申请涉及电子器件技术领域，尤其涉及一种体声波滤波器的制造方法、体声波滤波器及通信设备。
背景技术
随着技术的发展，射频前端朝着小型化，高集成度的方向发展。以手机为代表的射频设备也广受人们的欢迎，应用在射频前端的体声波滤波器出货量随之扩大。
现有的体声波滤波器可以分为固体装配型体声波滤波器（SMR）和支撑膜体声波滤波器（FBAR）。FBAR滤波器由于其低廉的成本已成为国内外各供应商的主流研究目标，而SMR滤波器虽然具有更好的特性，但其成本较高。
在保证与SMR滤波器相仿的优良特性同时，如何降低体声波滤波器成本，成为了目前的研究焦点。
发明内容
为了解决上述技术问题，本申请提供一种体声波滤波器的制造方法、体声波滤波器及通信设备，保证滤波器优良性能的同时，降低了体声波滤波器的成本。
第一方面，本申请实施例提供一种体声波滤波器的制造方法，包括：提供第一基底，第一基底的至少一侧具有交叠的高低声阻抗材料；提供支撑膜，支撑膜的第一侧设有凹陷部，凹陷部的位置和第一基底上的交叠的高低声阻抗材料相对应；将支撑膜转移到第一基底具有交叠的高低声阻抗材料侧，使支撑膜对准第一基底，将支撑膜与第一基底结合，使凹陷部和第一基底形成容置有交叠的高低声阻抗材料的谐振腔；提供第二基底；在第一基底与第二基底之间形成电连接；进行封装。
采用将支撑膜装配到第一基底的方式形成谐振腔，可以避免相关技术中一系列复杂工艺的使用，进而降低了成本。
在一些可能实现的方式中，提供第一基底包括，在第一基底的第一侧形成相互交叠的多层阻抗材料，其中奇数层阻抗材料的声波阻抗大于或小于偶数层阻抗材料的声波阻抗。上述结构能够较好的反射声波，与此同时还会使体声波滤波器具有优良的散热性能。
在一些可能实现的方式中，提供支撑膜包括：提供模具，模具的表面设有与凹陷部对应的凸起；在模具的表面形成磷酸盐层；在磷酸盐层远离模具的一侧形成硅酸盐层；将磷酸盐层和硅酸盐层整体取下并加热；得到硅酸盐材质的支撑膜。如果上述方式形成的支撑膜，不仅具有较好的硬度和耐热性能，借助磷酸盐层辅助硅酸盐支撑膜的生成方式，还具有较高的良品率，进一步降低了成本。
在一些可能实现的方式中，在模具的表面形成磷酸盐层包括，在模具的表面沉积磷酸盐材料；在磷酸盐层远离模具的一侧形成硅酸盐层包括，在磷酸盐层远离模具的一侧沉积硅酸盐材料。沉积工艺成熟稳定，利于批量化生产。
在一些可能实现的方式中，提供支撑膜包括：提供模具，模具的表面设有与凹陷部对应的凸起；提供聚酰胺酸溶液；使聚酰胺酸溶液在模具的表面形成凝胶层；将凝胶层取下并加热固化；得到聚酰亚胺材质的支撑膜。上述工艺简单可靠，能够进一步降低体声波滤波器的成本
在一些可能实现的方式中，提供聚酰胺酸溶液包括，将均苯四甲酸二酐和二氨基二苯醚加入到二甲基乙酰胺或二甲基甲酰胺中，聚合形成聚酰胺酸溶液。该工艺制作溶液的方式简单，不仅能够降低体声波滤波器的成本，更适合大批量生产。
在一些可能实现的方式中，将支撑膜与第一基底结合包括，将支撑膜与第一基底之间通过键合工艺结合。键合工艺成熟稳定，利于保证体声波滤波器的可靠性。
在一些可能实现的方式中，将支撑膜与第一基底之间通过键合工艺结合包括，使用苯并环丁烯粘接剂键合支撑膜与第一基底。该粘接剂稳定可靠，使用过程无需加温加压，能够保证提升滤波器的稳定性。
在一些可能实现的方式中，在第一基底与第二基底之间形成电连接包括，去除覆盖第一基底的待电连接区域的支撑膜，在第一基底的待电连接区域表面形成凸点下金属化层，将锡球移植到凸点下金属化层上，将第一基底通过锡球焊接到第二基底。该封装方式稳定可靠，同时有利于体声波滤波器的小型化。
在一些可能实现的方式中，去除覆盖第一基底的待电连接区域的支撑膜包括，通过光刻工艺去除覆盖第一基底的待电连接区域的支撑膜。光刻工艺稳定可靠，有助于保证体声波滤波器的可靠性。
在一些可能实现的方式中，在第一基底与第二基底之间形成电连接之前，还包括在支撑膜远离第一基底的一侧形成钝化层。加入钝化层有利于保证体声波滤波器的可靠性。
第二方面，提供一种体声波滤波器，包括：第一基底，第一基底的至少一侧具有交叠的高低声阻抗材料；第二基底；支撑膜，支撑膜的第一侧设有凹陷部，凹陷部的位置和第一基底上的交叠的高低声阻抗材料相对应；凹陷部和第一基底形成容置有交叠的高低声阻抗材料的谐振腔；锡球与凸点下金属化层，与第一基底的待电连接区域相对应的支撑膜设有开窗，第一基底的待电连接区域表面设有凸点下金属化层，凸点下金属化层通过锡球连接到第二基底；封装层，封装层设置于体声波滤波器的外表面。该体声波滤波器结构简单，保证性能的同时成本较低。
第三方面，提供一种通信设备，包括上述体声波滤波器。该设备使用了本发明实施例提供的体声波滤波器，因此具有性能较高，成本较低的优点。
附图说明
图1为相关技术提供的一种固体装配型体声波滤波器的结构示意图；
图2为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中交叠的高低声阻抗材料形成结构示意图；
图3为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中二氧化硅材质支撑膜的第一制备过程示意图；
图4为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中二氧化硅材质支撑膜的第二制备过程示意图；
图5为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中二氧化硅材质支撑膜的第三制备过程示意图；
图6为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中二氧化硅材质支撑膜的第四制备过程示意图；
图7为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中聚酰亚胺材质支撑膜的第一制备过程示意图；
图8为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中聚酰亚胺材质支撑膜的第二制备过程示意图；
图9为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中支撑膜对位及键合过程结构示意图；
图10为键合准备阶段的图9中A区域放大示意图；
图11为键合完成后的图9中A区域放大示意图；
图12为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中支撑膜相应区域被去除后的结构示意图；
图13为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中形成UBM层后的结构示意图；
图14为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中移植锡球后的结构示意图；
图15为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中焊接第二基底后的结构示意图；
图16为本申请实施例提供的一种体声波滤波器封装完成后的结构示意图；
图17为本申请实施例提供的一种体声波滤波器的结构示意图；
图18为本申请实施例提供的另一种体声波滤波器的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。
本文中术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。
本申请实施例的说明书和权利要求书中的术语“第一”和“第二”等是用于区别不同的对象，而不是用于描述对象的特定顺序。例如，第一目标对象和第二目标对象等是用于区别不同的目标对象，而不是用于描述目标对象的特定顺序。
在本申请实施例中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本申请实施例中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其它实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
在本申请实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是指两个或两个以上。例如，多个处理单元是指两个或两个以上的处理单元；多个系统是指两个或两个以上的系统。
射频前端是例如手机等各类通信设备的重要组成部分，其核心作用是实现基带信号的射频收发转换，要求高效，低噪声，滤除干扰信号和低功耗。其中以手机为例的移动终端的射频前端功能器件主要包括功率放大器（PA）、低噪放大器（LNA），射频开关（Switch）、滤波器（Filter）、双工器（Duplexer）及天线调谐器（Antenna tuner）。其中功率放大器负责发射通道的射频信号放大。滤波器用于保留特定频段内的信号，滤除干扰不需要的信号。双工器由两组不同频率的带阻滤波器组成，用于发射和接收信号的隔离。射频开关用于实现射频信号接收与发射的切换、不同频段的切换。低噪声放大器主要用于接收通道中小信号的放大。天线调谐器使发射机和天线之间阻抗匹配，改善天线在特定频段上的效率。
取决于应用场景和设备集成度的需求，上述器件通常会按照收发功能要求和支持的频段范围进行一定程度的集成。在集成后的集成模块中，广泛分布着射频滤波器。射频滤波器本质上讲是一种声学滤波器，主要包括声表面波滤波器（SAW，Surface Acoustic Wavefilter）和体声波滤波器（BAW，Bulk Acoustic Wavefilter）两种。其原理是用压电转换材料将高频信号转为音频信号，通过控制音频信号在器件体表（SAW）或体内（BAW）的传输及反射，在输出端有选择的将目标信号通过压电转换材料恢复成电信号，从而实现信号滤波。相对SAW，BAW的工作频率更高，成本也更高。与SAW不同的是，声波在BAW里是垂直传播的。BAW的最基本结构是两个金属电极夹着压电支撑膜，声波在压电支撑膜里震荡形成驻波。为了把声波留在压电支撑膜里震荡，震荡结构和外部环境之间必须有足够的隔离才能得到最小损失函数和最大品质因数。声波在固体里传播速度约为5000m/s，也就是说固体的声波阻抗大约为空气的105倍，所以99.995%的声波能量会在固体和空气边界处反射回来，跟原来的波一起形成驻波。而震荡结构的另一面，压电材料的声波阻抗和其他基底材料的差别不大，所以不能把压电材料直接沉积在基底上。为此，相关技术中提供了两种实现方式，从而解决如何使压电材料在其两个面上反射的问题。
图1为相关技术提供的一种固体装配型体声波滤波器的结构示意图。参见图1，一种方式是在压电材料远离谐振腔的一侧形成交叠的高低声阻抗材料，利用这一材料把声波反射到压电材料里面。交叠的高低声阻抗材料由多层相互交替的阻抗层组成，比如第一层的声波阻抗大，第二层的声波阻抗小，第三层声波阻抗大，以此类推。而且每层的厚度可以是声波的λ/4，这样大部分波会反射回来和原来的波叠加。这种结构整体效果相当于和空气接触，大部分声波被反射回来。形成该结构需要在基底形成有交叠的高低声阻抗材料一侧，通过光刻工艺在交叠的高低声阻抗材料之间形成挡墙01，以及位于挡墙远离基底一侧的顶部层02。使得设置在交叠的高低声阻抗材料一侧的顶部层02和挡墙01在基底的配合下形成谐振腔。可以将压电材料设置在交叠的高低声阻抗材料与谐振腔之间，利于形成驻波。在进行封装时，还需穿过挡墙01和顶部层02并注入铜，形成能够电连接的铜柱03（CuP，Copperpillar）。这种结构称为固体装配型体声波滤波器（SMR）。
另一种方式是在基底上逐层形成各功能模层，这其中包括悬浮的支撑膜层，以及位于支撑膜层两侧的谐振腔。由于空气的声波阻抗远低于压电层的声波阻抗，大部分声波都会反射回来。同时需保证支撑膜结构需要足够坚固以至于在后续工艺中不受影响。但是，相比固体装配型体声波滤波器（SMR），这种结构贴附在支撑膜层上的压电材料层等功能层两侧都是谐振腔，产生的热量不利于通过固体材料传导到外侧，不好散热。这种结构称为支撑膜体声波滤波器（FBAR）。
SMR滤波器相比FBAR滤波器有着更好的功率耐受性和热可靠性。但与此同时，制作SMR滤波器的过程中，通过光刻工艺在交叠的高低声阻抗材料之间形成挡墙，以及位于挡墙远离基底一侧的顶部层的步骤，成本均较高。成本过高的问题限制了SMR滤波器的使用，不利于技术的发展。
基于上述问题，本发明实施例提供了一种体声波滤波器的制造方法。图2为本申请实施例提供的一种体声波滤波器中交叠的高低声阻抗材料形成示意图。参见图2，可以以加工后的硅晶圆作为第一基底1，在第一基底1上利用剥离（lift-off）工艺形成交叠的高低声阻抗材料2。交叠的高低声阻抗材料2由多层相互交替的阻抗层组成，比如第一层的声波阻抗较大，第二层的声波阻抗较小，第三层声波阻抗较大，以此类推。可选的，可以设置每层的厚度是声波波长λ的1/4，这样大部分波会反射回来和原来的波叠加。具体而言，剥离工艺是在硅晶圆第一基底1上用光刻工艺获得图案化的光刻胶结构或者金属等掩膜（shadowmask），利用镀膜工艺在掩膜上镀上目标涂层，再利用去胶液（又称剥离液）溶解光刻胶或者机械去除金属硬掩膜的方式获得与图案一致的目标图形结构。其中目标图形结构可以根据实际所需的阻抗材料图案确定。这种工艺具有剥离过程无物理和化学损伤，晶片表面不易污染等优点。至此初步形成SMR滤波器结构。
还需提供一侧凸起有若干预设图形的支撑膜，该支撑膜的凹陷一侧用来与具有交叠的高低声阻抗材料2一侧的硅晶圆第一基底1结合，从而形成谐振腔。预设图形可以是多边形，多边形的每一条边均不相互平行。支撑膜的材质可以根据实际需要确定，例如可以是硅酸盐支撑膜，还可以是聚酰亚胺（PI，Polyimide）支撑膜。
在一些实施例中，支撑膜的材质可以为硅酸盐，例如二氧化硅（SiO2），则可以通过如下方式制备。图3为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中二氧化硅材质支撑膜的第一制备过程示意图。参见图3，准备一特定形状的模具3，该模具3表面上设置有与最终需要得到的支撑膜5图案相对应的凸起。首先将磷酸盐材料，例如五氧化二磷（P2O5）沉积在模具3上，形成五氧化二磷层4。图4为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中二氧化硅材质支撑膜的第二制备过程示意图。参见图4，然后在五氧化二磷层4上继续沉积二氧化硅，形成二氧化硅层051。其中沉积的方式多种多样，例如可以是物理与化学气相方法、分子束外延方法、旋转涂覆或喷涂方法等。图5为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中二氧化硅材质支撑膜的第三制备过程示意图。参见图5，将沉积完成的五氧化二磷层4和二氧化硅层051整体从模具3上取下。利用五氧化二磷的特性，即在特定温度下分解失去粘性这一特性。对五氧化二磷层4和二氧化硅层051整体进行加热或烘烤，从而使五氧化二磷层4和二氧化硅层051之间失去粘性，相互分离。图6为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中二氧化硅材质支撑膜的第四制备过程示意图。参见图6，得到二氧化硅材质的支撑膜5。
在一些实施例中，支撑膜5的材质可以为聚酰亚胺。图7为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中聚酰亚胺材质支撑膜的第一制备过程示意图。参见图7，在制作支撑膜5时，可以以均苯四甲酸二酐和二氨基二苯醚为原材料，在极性溶剂二甲基乙酰胺或二甲基甲酰胺中聚合形成聚酰胺酸溶液，然后在模具3上流涎形成凝胶层052。图8为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中聚酰亚胺材质支撑膜的第二制备过程示意图。参见图8，流涎形成凝胶层052并未完全固化，在模具3上形成相应形状后，可以经过加热或烘烤使凝胶层052固化，从而得到聚酰亚胺材质的支撑膜5。
图9为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中支撑膜对位及键合过程结构示意图。参见图9，应当注意的是，体声波滤波器内往往在一个水平面上具有多个相邻设置的谐振腔。为了便于说明和读者理解，图上仅示意出一个谐振腔。在制备得到支撑膜5后，需要将支撑膜5对位到第一基底1上具有交叠的高低声阻抗材料2的一侧，而后采用键合工艺将支撑膜5与第一基底1相结合。其中对位可以采用标记点或定位孔的方式进行精准对位。如果采用标记点定位方式，可以在支撑膜5的对应位置，以及第一基底1上具有交叠的高低声阻抗材料2的一侧对应位置分别设置标记点。将支撑膜5放置在第一基底1上后，试图使支撑膜5与第一基底1的标记点相重合。如果能够重合，则说明对位成功。如果采用定位孔定位方式，可以在支撑膜5的对应位置，以及第一基底1上具有交叠的高低声阻抗材料2的一侧对应位置分别钻出定位孔。将支撑膜5放置在第一基底1上后，试图使支撑膜5与第一基底1的定位孔相重合。如果能够重合，则说明对位成功。在对位成功后，需要使支撑膜5与第一基底1相结合。本发明实施例不针对支撑膜5与第一基底1的结合工艺进行限定。例如可以采用任意一种键合工艺，将支撑膜5与第一基底1进行键合。图10为键合准备阶段的图9中A区域放大示意图，图11为键合完成后的图9中A区域放大示意图。参见图10和图11，示例性的，可以采用粘接剂键合法实现支撑膜5与晶圆之间的键合，可以选用苯并环丁烯（BCB）粘接剂键合。可以分别在第一基底1朝向支撑膜5的一侧，以及支撑膜5朝向第一基底1的一侧形成粘接剂层6，而后通过粘接剂层6将第一基底1和支撑膜5粘合。此方法键合温度较低，不需要任何压力或预处理，价格低廉，工艺简单。
还可以在支撑膜5上制备钝化层（图中未示出），从而起到进一步密封和绝缘的作用。可以采用氮化硅（SiN）材料，通过沉积工艺在支撑膜5远离第一基底1的一侧形成钝化层。沉积的方式多种多样，例如可以是物理与化学气相方法、分子束外延方法、旋转涂覆或喷涂方法等。物理气相沉积（physical vapour deposition，PVD）包括热蒸发沉积和等离子体溅射沉积。热蒸发沉积又可按蒸发方法不同，分为电阻蒸发沉积与电子束蒸发沉积。等离子体溅射沉积也可以根据等离子体产生的方法不同，分为直流溅射、射频溅射和磁控射频溅射。化学气相沉积（chemical vapour deposition,CVD）包括低压型（LPCVD）、常压型（APCVD）、等离子体增强型（PECVD）和金属有机化合物型（MOCVD）。或者还可以选用原子层沉积（atomic layer deposition，ALD）技术。本发明实施例不针对沉积的具体方式进行限定，任意一种能够在支撑膜5远离第一基底1的一侧形成钝化层的沉积方法均可使用。
为了实现第一基底1的电路连接，还需在第一基底1上需要与其他电路连接的相应位置形成凸点下金属化层7（UBM）。因此需要去掉形成谐振腔的支撑膜5以外的部分支撑膜，露出需要形成UBM层7的第一基底1位置。图12为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中支撑膜相应区域被去除后的结构示意图。参见图12，示例性的，可以使用光刻工艺将阻碍UBM层7形成的支撑膜5去掉。即在支撑膜5的表面涂敷光刻胶。通过曝光和显影，在需要去除部分以外的位置上保留光刻胶。然后通过刻蚀工艺将未覆盖有光刻胶的部分蚀刻掉，暴露出第一基底1上需要与其他电路连接的相应位置。图13为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中形成UBM层后的结构示意图。参见图13，在该位置形成UBM层7。UBM的制作可以由物理气相沉积（Physical Vapor Deposition，PVD）工艺完成，PVD可分为蒸镀（Evaporation）和溅射（Sputtering）两种，前者利用高温将金属熔融蒸发后镀覆于晶圆上，后者利用高速粒子冲击靶材激发出的靶材表面原子或分子落在晶圆上，两种工艺均需在真空条件下完成。UBM层7的材质可以是钛（Ti）、镍（Ni）或铜（Cu）。
在另一些实施方式中，UBM层7包括设置于第一基底1上的粘接层；位于粘接层的一侧，远离第一基底1设置的阻挡层；位于阻挡层的一侧，远离第一基底1的润湿层；以及位于润湿层一侧，远离第一基底1的抗氧化层。其中，粘接层能够增强凸点和芯片金属化层、芯片钝化层之间的粘接力，提供牢固的键合界面，典型的粘接层材料有铬（Cr）、钛（Ti）、镍（Ni）、钨（W）、钨化钛（TiW）和锌酸盐等。阻挡层的作用是防止金属、污染离子向芯片金属层和粘接层扩散，阻挡层材料常采铬（Cr）、钛（Ti）、钨（W）、钨化钛（TiW）或镍（Ni）等。紧邻阻挡层的是润湿层，可以为其上的凸点提供润湿对象，与凸点发生反应并形成键合，典型的润湿层金属有铜（Cu）或镍（Ni）等。UBM的最外层是可选择使用的抗氧化层，目的是防止润湿层的氧化，主要材料为很薄的金（Au）层。UBM层7的形成为后续工艺做好了准备。
图14为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中移植锡球后的结构示意图，图15为本申请实施例提供的一种体声波滤波器制造过程中焊接第二基底后的结构示意图。参见图14和图15，在形成UBM层7之后，需要在UBM层7上移植焊锡球8，使得每个UBM层7焊盘上均移植有锡球8。在一些实施例中，还可以对第一基底1进行加热，使锡球8粘结在UBM层7上。然后通过倒装（Flip Chip，FC）工艺，将上表面设有UBM层7和支撑膜5的第一基底1倒扣在第二基底9上，利用回流焊工艺将第一基底1和第二基底9通过锡球8焊接在一起，形成电连接。其中第二基底9可以是加工后的硅晶圆。当然，上文仅示例性的介绍了一种使第一基底1和第二基底9之间形成电连接的方式。其他任何一种能够使第一基底1和第二基底9之间形成电连接的方式均可替代本方式。
在完成第一基底1与第二基底9之间的焊接后，需要对器件进行封装。图16为本申请实施例提供的一种体声波滤波器封装完成后的结构示意图。参见图16，可以采用任意一种封装工艺完成器件的封装，例如采用模塑法（C-molding）封装器件，从而形成封装层10。模塑法主要包括在将封装膜覆盖在裸晶圆的外围，形成封装层10，从而得到塑封后的体声波滤波器。
图17为本申请实施例提供的一种体声波滤波器的结构示意图。参见图17，本发明实施例还提供了一种体声波滤波器，该体声波滤波器包括第一基底1，以及形成在第一基底1表面的交叠的高低声阻抗材料2，和位于第一基底表面的支撑膜5。支撑膜5向远离第一基底1的方向外凸，使支撑膜5与第一基底1之间具有谐振腔，谐振腔内容置有交叠的高低声阻抗材料2。在支撑膜5与第一基底1贴合的位置，支撑膜5上设置有开窗，开窗所暴露出的第一基底1上形成有UBM层7。UBM层7的表面焊接有锡球8，第二基底9与第一基底1具有锡球8的一侧相对设置，锡球8与第二基底9焊接，使第一基底1与第二基底9之间形成电连接。封装层10设置于体声波滤波器的外围，具有防止内部结构被水氧侵蚀等作用。
当然，上述内容仅作为示例，本申请实施例并不局限于上述示例。图18为本申请实施例提供的另一种体声波滤波器的结构示意图。参见图18，例如，还可以在第一基底1的两侧均设置交叠的高低声阻抗材料2，以及与交叠的高低声阻抗材料2相对应的支撑膜5。换句话说，可以制成“背对背”结构，将两个滤波器单体共同集成在一个第一基底1上，实现更复杂的多工器形式。大幅度减少了滤波器的二维方向尺寸，满足目前滤波器的小型化需求。
本发明实施例还提供了一种通信设备，该通信设备内设置有上述任意一种体声波滤波器。
上面结合附图对本申请的实施例进行了描述，但是本申请并不局限于上述的具体实施方式，上述的具体实施方式仅仅是示意性的，而不是限制性的，本领域的普通技术人员在本申请的启示下，在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下，还可做出很多形式，均属于本申请的保护之内。
Claims (18)
1.一种体声波滤波器的制造方法，其特征在于，包括：
提供第一基底，所述第一基底的至少一侧具有交叠的高低声阻抗材料；
提供支撑膜，所述支撑膜的第一侧设有凹陷部，所述凹陷部的位置和所述第一基底上的所述交叠的高低声阻抗材料相对应；
将所述支撑膜转移到所述第一基底具有所述交叠的高低声阻抗材料侧，使所述支撑膜对准所述第一基底，将所述支撑膜与所述第一基底结合，使所述凹陷部和所述第一基底形成容置有所述交叠的高低声阻抗材料的谐振腔；
提供第二基底；
在所述第一基底与所述第二基底之间形成电连接；
进行封装；
其中，所述提供支撑膜包括：
提供模具，所述模具的表面设有与所述凹陷部对应的凸起；
在所述模具的表面形成磷酸盐层；
在所述磷酸盐层远离所述模具的一侧形成硅酸盐层；
将所述磷酸盐层和所述硅酸盐层整体取下并加热；
得到硅酸盐材质的所述支撑膜。
2.根据权利要求1所述的体声波滤波器的制造方法，其特征在于，所述提供第一基底包括，在所述第一基底的第一侧形成相互交叠的多层阻抗材料，其中奇数层阻抗材料的声波阻抗大于或小于偶数层阻抗材料的声波阻抗。
3.根据权利要求1所述的体声波滤波器的制造方法，其特征在于，在所述模具的表面形成所述磷酸盐层包括，在所述模具的表面沉积磷酸盐材料；
在所述磷酸盐层远离所述模具的一侧形成所述硅酸盐层包括，在所述磷酸盐层远离所述模具的一侧沉积硅酸盐材料。
4.根据权利要求1所述的体声波滤波器的制造方法，其特征在于，将所述支撑膜与所述第一基底结合包括，将所述支撑膜与所述第一基底之间通过键合工艺结合。
5.根据权利要求4所述的体声波滤波器的制造方法，其特征在于，将所述支撑膜与所述第一基底之间通过键合工艺结合包括，使用苯并环丁烯粘接剂键合所述支撑膜与所述第一基底。
6.根据权利要求1所述的体声波滤波器的制造方法，其特征在于，在所述第一基底与所述第二基底之间形成电连接包括，去除覆盖所述第一基底的待电连接区域的所述支撑膜，在所述第一基底的待电连接区域表面形成凸点下金属化层，将锡球移植到所述凸点下金属化层上，将所述第一基底通过锡球焊接到所述第二基底。
7.根据权利要求6所述的体声波滤波器的制造方法，其特征在于，去除覆盖所述第一基底的待电连接区域的所述支撑膜包括，通过光刻工艺去除覆盖所述第一基底的待电连接区域的所述支撑膜。
8.根据权利要求1所述的体声波滤波器的制造方法，其特征在于，在所述第一基底与所述第二基底之间形成电连接之前，还包括在所述支撑膜远离所述第一基底的一侧形成钝化层。
9.一种体声波滤波器的制造方法，其特征在于，包括：
提供第一基底，所述第一基底的至少一侧具有交叠的高低声阻抗材料；
提供支撑膜，所述支撑膜的第一侧设有凹陷部，所述凹陷部的位置和所述第一基底上的所述交叠的高低声阻抗材料相对应；
将所述支撑膜转移到所述第一基底具有所述交叠的高低声阻抗材料侧，使所述支撑膜对准所述第一基底，将所述支撑膜与所述第一基底结合，使所述凹陷部和所述第一基底形成容置有所述交叠的高低声阻抗材料的谐振腔；
提供第二基底；
在所述第一基底与所述第二基底之间形成电连接；
进行封装；
其中，所述提供支撑膜包括：
提供模具，所述模具的表面设有与所述凹陷部对应的凸起；
提供聚酰胺酸溶液；
使所述聚酰胺酸溶液在所述模具的表面形成凝胶层；
将所述凝胶层取下并加热固化；
得到聚酰亚胺材质的所述支撑膜。
10.根据权利要求9所述的体声波滤波器的制造方法，其特征在于，所述提供第一基底包括，在所述第一基底的第一侧形成相互交叠的多层阻抗材料，其中奇数层阻抗材料的声波阻抗大于或小于偶数层阻抗材料的声波阻抗。
11.根据权利要求9所述的体声波滤波器的制造方法，其特征在于，提供所述聚酰胺酸溶液包括，将均苯四甲酸二酐和二氨基二苯醚加入到二甲基乙酰胺或二甲基甲酰胺中，聚合形成聚酰胺酸溶液。
12.根据权利要求9所述的体声波滤波器的制造方法，其特征在于，将所述支撑膜与所述第一基底结合包括，将所述支撑膜与所述第一基底之间通过键合工艺结合。
13.根据权利要求12所述的体声波滤波器的制造方法，其特征在于，将所述支撑膜与所述第一基底之间通过键合工艺结合包括，使用苯并环丁烯粘接剂键合所述支撑膜与所述第一基底。
14.根据权利要求9所述的体声波滤波器的制造方法，其特征在于，在所述第一基底与所述第二基底之间形成电连接包括，去除覆盖所述第一基底的待电连接区域的所述支撑膜，在所述第一基底的待电连接区域表面形成凸点下金属化层，将锡球移植到所述凸点下金属化层上，将所述第一基底通过锡球焊接到所述第二基底。
15.根据权利要求14所述的体声波滤波器的制造方法，其特征在于，去除覆盖所述第一基底的待电连接区域的所述支撑膜包括，通过光刻工艺去除覆盖所述第一基底的待电连接区域的所述支撑膜。
16.根据权利要求9所述的体声波滤波器的制造方法，其特征在于，在所述第一基底与所述第二基底之间形成电连接之前，还包括在所述支撑膜远离所述第一基底的一侧形成钝化层。
17.一种体声波滤波器，其特征在于，通过权利要求9-16中的任意一种体声波滤波器的制造方法制得，包括：
第一基底，所述第一基底的至少一侧具有交叠的高低声阻抗材料；
第二基底；
支撑膜，所述支撑膜的第一侧设有凹陷部，所述凹陷部的位置和所述第一基底上的所述交叠的高低声阻抗材料相对应；所述凹陷部和所述第一基底形成容置有所述交叠的高低声阻抗材料的谐振腔；
锡球与凸点下金属化层，与所述第一基底的待电连接区域相对应的所述支撑膜设有开窗，所述第一基底的待电连接区域表面设有所述凸点下金属化层，所述凸点下金属化层通过所述锡球连接到所述第二基底；
封装层，所述封装层设置于所述体声波滤波器的外表面；
其中，所述支撑膜的材质为聚酰亚胺材质。
18.一种通信设备，其特征在于，包括权利要求17所述的体声波滤波器。
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