CN117337480A - 填充有液体金属填充物的高纵横比过孔 - Google Patents

Abstract

提供一种包括由玻璃材料制成的基板主体的基板，以及至少一个可至少延伸到基板主体中或穿过基板主体的电气过孔。过孔被在毛细作用下进入过孔的熔融并固化的金属金属化以形成电气连接。金属的熔化温度低于基板主体的转变温度和熔化温度。

Description

填充有液体金属填充物的高纵横比过孔

相关申请的交叉引用

本申请要求2021年4月9日提交的美国专利申请序列号63/173,135、2021年6月16日提交的美国专利申请序列号63/211,330，以及2022年1月20日提交的美国专利申请序列号63/301,425的优先权，其中每一个的公开内容均通过引用并入文本，如同在此完整阐述。

背景

1.技术领域

本文描述的实施例基本上涉及填充基板中的过孔。

2.其他技术方案

薄玻璃或光学透明电介质基板，如熔融硅英/石英、晶体硅、硼硅酸盐、蓝宝石或其他电介质基板，被制成为具有多个金属化过孔，以形成电路径。对于贯穿型过孔，电路径从基板的第一表面延伸到与第一表面相对的第二表面。集成电路封装行业将这些基板称为内插板，可在电气过孔相对的两端定义电气连接。制成于内插板的过孔通常非常小，例如，直径介于5μm及100μm并且从第一表面到第二表面的深度介于50μm及500μm。每平方厘米的过孔数量可达数百甚至数千个。在完成制作这些过孔所需的加工后，下一步就是对过孔进行金属化处理，以提供从一个电路平面或基板到另一个电路平面或基板的导电路径。

导电过孔可通过镀铜(Cu)或含铜、玻璃熔块或两者的导电浆料实现。其他方法包括将熔融金属引入基板。不过，这些方法包括在基板上加保护层，因而增加了制造工艺的成本和复杂性，而且还会产生两片基板结构。

美国专利号7,276,787、PCT公开号WO 2021/067330、美国专利号4,412,642和美国专利号6,294,745中描述了填充玻璃过孔的方法。其中每项专利的公开内容均以引用的方式并入本文，如同在本文中全部列出一样。

需要一种改进的方法，用于对基板的过孔进行金属化，以及由此产生的具有金属化过孔的基板。

发明概要

根据一个示例，熔融金属可至少部分填充基板的空过孔或中空过孔，这些空过孔或中空过孔至少延伸进入或穿过基板。熔融金属可填充至少约30％、至少约40％、至少约50％、至少约60％、至少约70％、至少约80％、至少约90％或至少约95％的孔。金属可以是纯金属，也可以是符合需要的金属合金。

因此，生产具有至少一个填充过孔的基板的方法可包括一个填充步骤，即用液态金属或熔融金属填充过孔容积的至少30％至至少95％。生产具有熔融金属填充过孔的基板的方法可包括将基板与熔融金属的接触角改变为小于90度的步骤。生产具有熔融金属填充过孔的基板的方法可包括以下步骤：在将熔融金属或熔融金属合金加入过孔或过孔的填充容积之前，润湿过孔的内部过孔侧壁。

生产填充过孔基板的方法可包括提供具有第一熔融温度或转变温度的基板，该基板设有至少一个过孔。该方法可进一步包括用粘合衬垫润湿至少一个过孔的内部过孔侧壁的步骤。该方法可进一步包括用粘合衬垫润湿第一过孔开口和与第一过孔开口相对的第二过孔开口中的任意一个或两个的步骤。该方法可进一步包括在粘合衬垫上部或上方添加额外导电第二层的步骤。该方法可进一步包括预热基板的步骤。该方法可进一步包括在基板的第一表面喷涂或涂抹助焊剂的步骤。该方法可进一步包括将基板浸入或浸没到熔融金属或熔融金属合金浴中的步骤，其中熔融金属或熔融金属合金的第二熔融或液相温度在数值上小于第一熔融温度或转变温度。

基板可包括具有第一熔融温度或转变温度的第一种材料和至少一个过孔。至少一个过孔内可填充导电材料，该材料以加热液态或熔融状态流入至少一个过孔。至少一个过孔中未被占用的空隙可以用导电材料填充，这种材料在加热、液态或熔融状态下流入至少一个过孔。

基板可包括具有第一熔融温度或转变温度的第一材料和至少一个过孔。除了通过毛细作用进入至少一个过孔的流体或加热或熔融金属或金属合金外，至少一个过孔还可包括铜沉积。

基板可包括具有第一熔融温度或转变温度的第一材料及至少一个过孔。至少一个过孔中至少50％可填充有熔融导电材料。

基板可包括具有第一熔融温度或转变温度的第一材料及至少一个过孔。至少一个过孔可同时包含沉积导电材料，例如粘附衬垫和第二层中的一层或两层，以及浇注或熔融或加热的金属或金属合金，其第二液相温度低于第一熔融或转变温度。

基板可包括设定至少一个过孔的第一种材料，以及固态的导电材料连续柱，该导电材料(i)从第一过孔开口延伸至相对的第二过孔开口，(ii)或许是通过毛细作用以液态进入第一过孔开口。

基板可包括第一种材料，该材料设定了至少一个具有长度和直径的过孔。至少一个过孔的长度与其直径的长宽比至少约为5。冷却的熔融金属或金属合金可填充至少一个过孔的至少30％。

基板可以包括金属预型件或预成型金属，其随后回流到基板中设定的过孔中。基板可以是玻璃基板，如硼硅酸盐、熔融石英/石英、蓝宝石等。

本发明的上述及其他特征、元素、特性、步骤及优点将在以下参照附图对本发明的实施例进行的详细描述中变得更加明显。

附图简要说明

图l是具有含有固化金属过孔的基板的截面图。

图2是图1所示基板的一部分的放大截面图。

图3A是基板的剖视侧视图，基板包括基板主体及延伸穿过基板主体的一对过孔，示出设置在基板主体上的预制固化金属体

图3B是图3A所示基板的剖视侧视图，示出金属转变为流入过孔的熔融金属；

图3C是图3B剖视侧视图的放大部分，示出熔融金属与基板主体外表面的接触角；

图3D是图3B所示基板在熔融金属流入过孔并固化后的剖视侧视图，其中基板包括再分布层；

图4A是根据另一示例的基板的剖视侧视图，其中包括设置于过孔中的粉末状金属；

图4B是图4A所示基板在粉末金属熔化并随后固化后的剖视侧视图；

图5是示意图，示出将基板置于熔融金属浴中，以将熔融金属吸入基板的过孔中；及

图6是使用激光等激发装置加热金属或金属合金的剖视侧视图。

详细说明

首先参阅图1-2，导电基板10设置为可解剖植入，因此具有生物相容性。在一个示例中，导电基板10可以设置为内插器，用于在一对电气设备之间建立电气连接。导电基板10可以包括单片基板主体11。基板主体11并且因此基板10可以定义有外部第一外表面24及与第一外表面24相对的外部第二外表面26。导电基板10可以进一步包括至少一个过孔12，它从第一端17延伸到与第一端17相对的第二端19。过孔12可以从第一、第二表面24、26中的至少一个表面朝向第一和第二表面24和26中的另一个表面延伸，穿过基板主体11。因此，过孔12的第一个开口18可以定义在第一外表面24中。过孔12的第二开口20可以定义在第二外表面26中。在一个示例中，过孔12可以设置为从第一外表面24延伸到第二外表面26的贯穿过孔(Through Via,TV)。当然，应该理解，过孔12可以根据需要以任何合适的替代方式设置，例如是仅有通向基板主体11外表面的一个开口的盲孔。基板主体11可以定义至少一个内表面16，该内表面定义了过孔12。内表面16可以从第一及第二表面24和26之一向第一及第二表面24和26中的另一个表面延伸。例如，内表面16可以从第一表面24延伸到第二表面26。

基板主体11可以是单片基板主体11，即基板主体11从第一外表面24到第二外表面26可以是同质的。基板主体11可以由任何合适的材料制成，并具有材料转变温度。材料可在材料转变温度下软化。材料可进一步确定材料熔化时的材料熔化温度。材料熔化温度可以高于材料转变温度。在一个例子中，材料可以是玻璃，因此材料转变温度可以是玻璃转变温度。例如，玻璃可以是光学透明玻璃。玻璃可以是硼硅酸盐、熔融硅石/石英、蓝宝石或任何合适的替代玻璃材料。在某些示例中，基板主体11的第一及第二外表面24、26也定义了基板10的第一及第二外表面。因此，在某些示例中，基板主体11在基板10的制造过程中及制造完成后都不会在第一及第二外表面24和26上支持保护层或牺牲层。此外，在某些示例中，基板主体11在基板10的制造过程中及基板10制造完成后都不在第一及第二外表面24和26上支持非玻璃保护层或牺牲层。

过孔12可包括金属28，金属28可处于固化状态，从而形成固体或固化金属27。固化金属27可以在第一表面24与第二表面26之间连续延伸，以在第一表面24与第二表面26之间形成导电路径。在一个例子中，固化金属27可以从第一表面24到第二表面26连续延伸。因此，固化金属27可以形成从第一表面24到第二表面26的导电路径。在某些示例中，固化金属27不超出第一表面24和第二表面26的任何一个或两个。例如，固化金属27可以分别在第一表面24及第二表面26收端。过孔12中的固化金属27处于固态，也称为固化金属。从下面的描述中可以了解，在基板10的制造过程中，金属28可以熔化为熔融状态，例如在炉29中产生熔融金属31。熔融金属31可以通过毛细作用(见图3B-3C)流入(例如，可以被拉入)过孔12，随后固化，形成图3D所示的固化金属27。根据欧拉方程，熔融金属31可通过毛细作用流入过孔12。由于基板10不包括保护层或牺牲层，熔融金属31只在毛细作用过程中进入穿过基板主体11的过孔12，而不会填充基板主体11未定义的其他过孔。

在其他示例中，如图4A-4B所示，可以通过将干金属粉末33引入过孔12来填充过孔12，然后根据需要使用任何合适的热源将过孔12中的金属粉末33液化或熔化。例如，可以提高图3A所示炉29中的环境温度。或者，感应加热,诸如射频/涡流35，可使粉末液化或熔化，从而使金属28熔化并随后固化，形成固化金属27(见图4A-4B)。图4A-4B中的过孔12可以包括施加于内表面16的粘合层14及施加于粘合层14的润湿衬垫22(如上所述)。或者，过孔12可以包括粘合层14，但不包括润湿层22，这样固化金属27就直接贴附在粘合层14上。或者，过孔12可以没有粘合层14及润湿层22，这样固化金属27就可以直接贴在内表面16上。在其他示例中，如图5所示，基板20可以放入熔融金属31的槽45中，然后从熔池45中取出，这样第一及第二表面24、26上的熔融金属31可以通过毛细作用使过孔12金属化。或者，也可以将基板20放入熔池45中，当基板设置在熔池45中时，熔融金属31填充过孔12。例如，熔池45中的熔融金属31同时设置于过孔12的两侧。或者，也可以将基板20放入熔池45中，使熔融金属31仅设置于过孔12的一侧。熔融金属31、干金属粉末33以及固化金属27可以是铜、银、金、铂、铝、钯中的一种或多种。在某些例子中，金属可以是纯金属，即没有与其他金属合金化。在其他例子中，金属可以是合金。

总体而言，在不受理论约束的情况下，本发明人发现基板主体11由一种或多种具有高熔点的材料制成，例如晶体硅(熔化温度(Tm)＝1414摄氏度)、A1₂O₃(熔化温度(Tm)＝2040摄氏度)、玻璃，例如熔融石英(玻璃转变温度(Tg)＝1200摄氏度)、硼硅酸盐(熔化温度(Tg)＝525摄氏度)。基板主体也可以是某些陶瓷种类中的陶瓷，这些陶瓷可以接受并成功耐受某些熔融金属。所谓“成功耐受”，是指基板主体11在接触熔融金属或液态金属的过程中不会熔化、变形或开裂。虽然公开了熔融金属，但本公开还设想了在环境温度或不超过475摄氏度的温度下呈液态的导电油墨和其他导电碳、金属和合金。术语“环境温度”可指从约20摄氏度到约40摄氏度范围的温度。

术语“近似”、“大致”及其派生词意指相当大的范围或大部分，但不一定是全部(但可以包括全部)指定的内容。如本文所使用的术语“大致”、“大约”、其派生词以及类似含义的词语，当用于描述尺寸、形状、方位、距离、空间关系或其他参数时，包括所述尺寸、形状、方位、距离、空间关系或其他参数，也可以包括比所述参数最多多10％和最多少10％的范围，包括多5％和少5％，包括多3％和少3％，包括多1％和少1％。

过孔12金属化的一种方法可以包括选择或提供由第一种材料制成的基板主体11的步骤。基板主体11或第一材料可以具有第一熔化温度或玻璃转变温度(或材料熔化或玻璃转变温度)，该温度(以摄氏度为单位)在数值上高于要引入过孔12的金属的第二或熔化或液相温度(或金属熔化或液相温度)(以摄氏度为单位)。在某些示例中，金属可以是非悬浮物。反之亦然，例如第二熔化或液相温度低于第一或熔化或玻璃转变温度。另一个方面或步骤可以包括选择或提供要导入过孔12的金属，其中金属的第二或熔化或液相温度(摄氏度)在数值上小于相应基板主体11的第一或熔化或玻璃转变温度(摄氏度)。因此，将金属和基板主体11加热到金属的熔化或液相温度不会损坏基板主体11。一般来说，当熔融金属或金属合金与基板发生物理接触时，或当基板主体11及金属的温度足以导致金属熔化或进入液相时，基板主体11不应解体或熔化。在这方面，应该理解的是，当熔融金属31流入过孔12时，基板主体11的至少一部分甚至整个都可以被加热到高于室温的温度。在某些示例中，当熔融金属31流入过孔12时，基板主体11的至少一部分乃至全部可被加热到高于室温约120摄氏度的温度。

总体参照图1-3D，应了解熔融金属31的温度可以低于基板主体11的玻璃转变温度或熔化温度。例如，熔融金属31的温度可以高于约90摄氏度但等于或低于1000摄氏度，高于150摄氏度但等于或低于1000摄氏度，高于250摄氏度但等于或低于1000摄氏度，高于350摄氏度但等于或低于1000摄氏度，高于100摄氏度但等于或低于500摄氏度，高于90或100摄氏度但等于或低于1500摄氏度，高于250摄氏度但等于或低于1500摄氏度，以及高于350摄氏度但低于1500摄氏度。在某些示例中，熔融金属31可以在高于约280摄氏度但低于基板主体11玻璃转变温度的温度下流入过孔12。在其他示例中，熔融金属31的温度可以在大约280摄氏度到大约1064摄氏度的范围内。特别是，熔融金属31的温度可以在大约700摄氏度到大约1061摄氏度的范围内。熔融金属31和粉末状金属33以及固化金属27可以不含熔块、玻璃熔块、酒精及异丙醇。熔融金属31和粉末状金属33以及固化金属27还可以不含锡或助焊剂。

在制造导电基板10时，需要使金属28进入过孔12，从而使固化金属27在第一表面24(或第一开口18)与第二表面26(或第二开口20)之间形成一条导电路径。例如，固化金属27可以形成从第一表面24(或第一开口18)到第二表面26(或第二开口20)的导电路径。因此，在某些示例中，需要使熔融金属31自始至终流经每个过孔12，例如从第一过孔开口18到盲孔末端或对置的第二开口20。氧化物、氮化物及碳化物基板上的熔融或液态金属或熔融金属合金的典型接触角大于90度，从而导致负的毛细高度。相应地，负毛细高度会阻碍熔融金属/金属合金流入相应的过孔。本发明人发现，可在内表面16上施加粘合层或衬垫14，并且，定义润湿层或衬垫22的第二导电层或衬垫，可以施加于粘合层14，以提供小于90度的接触角。随后可将金属18插入过孔12中。

粘合层14可以沿着过孔12的整个长度延伸。因此，在一个示例中，粘合层14可以从第一表面24延伸到第二表面26。粘合层14可以通过电镀、原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)等方式形成。粘合层14可以是导电的。例如，粘合层14可以由纯钛或钛合金制成。可以使用物理气相沉积法将钛沉积在内表面26上。在其他示例中，粘合层14可以由纯钽或氮化钽等钽合金制成。可以使用原子层沉积物理气相沉积法将钽沉积在内表面26上。粘合层14可根据需要不含锡或助焊剂。在其他示例中，粘合层14可以是不导电的。

润湿衬垫22可以施加在粘合层14上，使粘合层14设置于内表面16与润湿衬垫22之间。因此，粘合层14可以将润湿衬垫22粘附于内表面16上。粘合层14及润湿衬垫22可以至少沿着过孔12长度的一部分延伸，例如大部分到全部长度。例如，润湿衬垫22可以从第一表面24延伸到第二表面26。如下文所述，基板主体11及/或润湿衬垫22可与熔融金属31形成理想的接触角，以在熔融金属31进入过孔12时促进熔融金属31的毛细作用。润湿衬垫22可以是纯铜或铜合金。另外，润湿衬垫22也可以是金，可以是纯金，也可以是金合金。因此，润湿衬垫22可以与确定过孔12中导电路径的金属28采用相同的材料。在某些示例中，润湿衬垫22可以不含锡或助焊剂。润湿衬垫22可以通过电镀、原子层沉积(ALD)、化学气相沉积(CVD)或物理气相沉积(PVD)等方法应用到粘合层14上。在某些示例中，润湿衬垫22可以是不导电的。粘合层14及润湿衬垫22可以施加在基板主体11的所有暴露表面上，包括定义有各自过孔的内表面16以及第一及第二过孔18和20。粘合层14及润湿衬垫22的应用也可能导致部分粘合层材料及润湿衬垫材料被应用于第一和第二表面中的任何一个或两个表面上，但可以根据需要通过抛光或其他方法去除。

示例1开始：

如图1-2所示，晶圆或基板10可包括第一材料基板主体11，例如熔融硅石。基板10可以包括至少一个过孔或多个过孔12，这些过孔12延伸穿过基板主体11。过孔12可以是预钻孔、预蚀刻或以其他方式预成型的过孔。过孔12可以被设置为过孔、盲孔或两者，每个过孔都定义一个空腔。过孔可从基板主体11的第一表面24延伸至第二表面26。盲孔可从第一及第二表面24、26中的一个表面延伸至基板主体11，并在基板主体11内收端，从而不延伸至第一及第二表面24、26中的另一个表面。

一个、两个、两个或两个以上、三个或三个以上、四个或四个以上的过孔12可以具有高纵横比，纵横比以过孔长度除以过孔12最大横截面尺寸的比率衡量。每个过孔12可以沿中心轴线延伸。当过孔12是贯穿过孔时，中心轴线、即长度、可从第一表面24延伸到第二表面26。横截面尺寸可以在垂直于中心轴线的方向上测量。当过孔12实质呈圆柱形时，过孔12的最大横截面尺寸可以是过孔12的直径D。长宽比可以是约五、约六、约七、约八、约九、约十中的任意一个，也可以是所需的任何合适的替代比率。过孔12可以根据需要确定任何合适的长宽比，本发明人发现，当熔融金属流入过孔12时，较大的长宽比可以增加熔融金属的毛细作用。熔融金属在毛细作用下流入至少一个过孔12的流量可以增加，至少一个过孔12的长宽比可以增大。

在第一开口18或第一表面24及第二开口20或第二表面26上，直径或其他横截面尺寸可以实质恒定。在过孔12实质呈圆柱形的示例中，从第一开口18或第一表面24到第二开口20或第二表面26的直径或其他横截面尺寸可以实质恒定。在其他示例中，过孔12可以是沙漏形的，其中第一表面24及第二表面26之间的直径或其他横截面尺寸小于第一开口18及第二开口20中任何一个或两个的直径或其他横截面尺寸，因此也小于第一表面24及第二表面26中任何一个或两个的直径或其他横截面尺寸。

制成于基板主体11中的过孔12通常非常小。长度及最大横截面尺寸以μm(微米)为单位。过孔12的最大横截面尺寸可在直径约5μm到约100μm的范围内。在其他示例中，最大横截面尺寸可在约40μm至约3mm的范围内。因此，一个或多个过孔12的过孔直径可为约40μm(微米)。在另一个例子中，过孔的直径可以在约41μm(微米)到约3000μm(微米)的范围内。过孔12沿着中心轴的范围可以是约50微米到约500微米。基板10可以包括任意数量、任意密度的过孔12。例如，基板10可以包括每平方厘米数十个、数百个乃至数千个孔12。每个过孔12都可以按照本文描述的方式制造。

导电基板10可以包括沉积或以其他方式施加于内表面16上的粘合层14，以及以上述方式沉积或以其他方式施加到粘合层14上的润湿衬垫22。在一个示例中，粘合层14的厚度为约5000埃。粘合层14可以是钛合金，如钛-钨(TiW)。粘合层14可以是导电的。接下来，可按上述方式将润湿层22施加在粘合衬垫14上。在一个示例中，润湿层22的厚度可从约1微米到约6微米不等。润湿层22可以是一层铜。另外，润湿层22还可以包括纯银、金、铂、铝、钯、镍、钛、铬中的一种或多种，或作为它们的合金。虽然是可选的，但基板主体11随后可以进行化学机械抛光(CMP)，以去除可能沉积在第一及第二表面24、26上的粘合层14及润湿层22。或者，在粘合层14及润湿层的施加过程中，可以对第一及第二表面24、26中的一个或两个进行掩蔽，以防止施加到第一及/或第二表面24、26上。

然后可以对基板10进行预热，例如使用红外线(IR)灯。如果需要，可以在第一及第二表面24、26上喷涂助焊剂。否则，基板10可以不涂助焊剂或锡。然后，可以按照上述方式将基板10浸入熔融金属31的熔池45中(见图5)。熔融金属31可以按上述任何方式设置，也可以是SAC305、Sn96.5Ag3Cu0.5液体焊料，其熔点低于基板主体11的材料。应该理解，当基板10置于熔池45中时，熔融金属31可与第一及第二表面24、26中的一个或两个物理接触，熔池45中的一定量熔融金属31流入过孔12，流向第一及第二表面24、26中的另一个表面。

熔融金属31可通过毛细作用或仅通过毛细力或作用被吸入至少一个过孔12中。例如，熔融金属31可以通过毛细作用从第一表面24或第一开口18朝第二表面26或第二开口20进入过孔12。例如，熔融金属31可以从第一表面24或第一开口18向第二表面或第二开口20移动。或者，熔融金属31可以在过孔12中通过毛细作用从第二表面26或第二开口20向第一表面24或第一开口18移动。例如，熔融金属31可以从第二表面26或第二开口20向第一表面或第一开口18移动。一旦将基板10从熔池45中取出，在第一及第二表面24、26上会残留一定量的固化金属27，则制造方法可以包括从第一及第二表面24、26上去除多余的固化金属27的步骤，例如通过化学机械抛光(CMP)或所需的任何合适的替代方法。

一旦基板10及至少一个过孔12中包含的重新固化的焊料或其他金属或金属合金冷却，至少一个过孔12就可以按照体积递减的顺序填充冷却或固化的熔融金属/金属合金28、第二层22及粘合衬垫14。该过程同样适用于多个过孔12的其余部分。

如图1所示，冷却固化的金属27在横截面上可以形成一个柱体，该柱体沿着至少一个过孔12的大部分长度，从第一过孔开口18到第二过孔开口20延伸。柱体可以沿大部分长度具有相对均匀的横截面宽度W，它可以定义直径或任何合适的横截面尺寸。固化金属27可以从第一过孔开口18向第二过孔开口20延伸至过孔12中从第一表面24到第二表面26的距离的至少30％、至少40％、至少50％、至少60％、至少70％、至少80％、至少90％和大约100％之一。另外，固化金属27可以从第二过孔开口20向第一过孔开口18延伸至过孔12中从第二表面26到第一表面24的距离的至少30％、至少40％、至少50％、至少60％、至少70％、至少80％、至少90％和大约100％中的任意一个。固化金属27可以占据过孔总体积的至少50％。因此，固化金属27可以在至少一个过孔12中形成大部分导电填充物。

示例1结束。

根据某些实施例，具有高纵横比的过孔(如高纵横比贯穿硅过孔(TSV)或贯穿玻璃过孔(TGV))可在熔融相中使用毛细力以单一、快速、可扩展的步骤填充无空隙导电金属28。由于毛细力随着过孔直径的减小而增大，因此这种方法能很好地适应减小的内插器及及芯片尺寸。

现在将结合图3A-3D描述一种用金属28填充过孔的方法。特别是，可以将至少一定量51的金属28置于第一及第二表面24、26的一个或两个表面上(即与之物理接触)，其位置与至少一个过孔12至少部分对齐。例如，量51可以与至少一个过孔12完全对齐。因此，至少一个量51可以完全覆盖至少一个过孔12的第一开口18及第二开口20中的至少一个。金属28的每个量51可设置为金属28的预制块30，其大小可覆盖各自的至少一个过孔12。在一个示例中，金属28的预制块30只覆盖各自的单个过孔12。每个预制块30都可以熔化，从而使预制块30中的金属28通过毛细作用从各自的第一及/或第二表面流向或拉入过孔12中的第一及第二表面。在其他示例中，至少一个预制块30的尺寸可覆盖各自的多个过孔12，这样当预制块30熔化时，预制块的金属28会熔化并通过毛细作用流入各自的多个过孔中。

当预制块30仅覆盖过孔12开口18及20中的一个开口时，每个预制块30可具有足够量的金属，使固化金属27按所需程度填充过孔12。当第一及第二预制块30覆盖过孔12的第一及第二开口18和20时，第一及第二预制块30可以组合成足够量的金属28，使固化金属27按所需程度填充过孔。

至少一个过孔12可以是预涂覆或未涂覆的，并且可以定义在至少一个过孔12的两个相对的开口端17和19之间流体延伸的一个空隙。基板10可以包括至少一个过孔12，该过孔可以进一步包括上述润湿层14和粘合层22。在一个示例中，基板主体11及至少一个预制块30可以同时加热。例如，可将基板主体11及至少一个预制块置于炉45中，并将炉45加热至高于预制块30的熔化温度且低于基板主体11的转变温度及熔化温度的加热温度。因此，加热温度足以使预制块30的金属28从固态转变为熔融状态。由此产生的熔融金属31在毛细作用下流入过孔12。具体地，来自第一表面24上任何预制块30的熔融金属31会从第一表面24流入过孔12，流向或流至第二表面26。同样，来自第二表面26上任何预制块30的熔融金属31也会从第二表面26流入过孔12，流向或流至第一表面24。因此可以理解，所有预制块30都可以同时熔化，从而相应地使金属28同时流入过孔12。熔融金属31随后可冷却到低于金属28熔化温度的温度，从而使熔融金属31固化并形成固化金属27，如上文所述及图3D所示。

如图3C所示，熔融金属31相对于各自的第一表面24或第二表面26可以形成第一接触角Q1。具体地，当金属28熔化以形成熔融金属31时，熔融金属31在表面张力的作用下会趋向于形成一个球体，从而形成一个大于90度的接触角。然而，当熔融金属31沿着润湿衬垫22移动时，熔融金属会从球体改变形状，从而形成第一接触角Q1，该角度可测量为第一表面24或第二表面26的内表面与熔融金属31外表面及第一或第二表面24、26之间的界面处的直线相切所形成的角度。术语"第一"接触角是指沿第一及或第二表面24、26测量的接触角位置。这并不一定意味着所有的第一接触角Q1都是相同的。例如，熔融金属31在第一或第二表面24、26上的一侧的第一接触角Q1可以与熔融金属在第一或第二表面24、26上的另一侧的第一接触角Q1相同或不同。这样，过孔12外部的熔融金属31在毛细作用下被拉动流入过孔12。在一个例子中，熔融金属31在流入过孔12之前可以直接接触第一或第二表面24、26。另外，也可以根据需要将粘合层14及润湿衬垫22施加在第一和第二表面24和26上，然后通过化学机械抛光(CMP)将其去除。

熔融金属31可进一步确定相对于过孔12中润湿衬垫22的第二接触角Q2。具体而言，当熔融金属31沿着润湿衬垫22移动时，熔融金属从球形改变形状，从而形成第二接触角Q2，该接触角可测量为润湿衬垫22的内表面与熔融金属31的外表面与过孔12内的润湿衬垫22之间的界面处的直线相切所形成的角度。术语"第二"接触角是指沿过孔12润湿衬垫测量的接触角位置。这并不一定意味着所有的第二接触角Q2都是相同的。例如，过孔12一侧的第二接触角Q2可以与过孔12另一侧的第二接触角Q2相同或不同。接触角Q1和Q2可以小于90度，从而产生正毛细高度，促进熔融金属31流入相应的过孔12。

在另一个示例中，可以选择性地熔化一个或多个预制块30，而无需将整个基板主体11加热到金属28的熔化温度。例如，可将预制块30置于射频波35中(见图4A)，以在预制块30中诱发涡流并熔化相应的金属28，从而使由此产生的熔融金属31在毛细作用下流入各自的至少一个过孔12中。液态或熔化的金属/金属合金预制块或预制金属/金属合金30可在毛细作用力下被拉入至少一个过孔12，然后根据需要冷却或使其冷却。

现在参照图6，作为另一种选择，可以使用激发装置32、装置源或装置方法选择性地加热或回流预制块30。激发装置32可以设置为激光器，将激光束34射向预制块30。一束或多束激光34可根据需要同时照射到各自对应的一个或多个预制块30上，以使熔融金属31在毛细作用下同时流入各自的过孔12中。在不加热或烘烤整个基板主体11或不同时加热或烘烤基板主体11的两侧24和26的情况下，最好不熔化预制块30的金属28，在这种情况下，激发回流或激光回流可能是有益的。

因此，在玻璃基板10(如玻璃基板)中填充至少一个过孔12的方法可以包括以下任何一个或多个步骤：提供玻璃基板10，将一个或多个预制块30定位于第一及第二表面24、26的任一个或两个上。预制块30可以在有或没有助焊剂的情况下放置在第一及第二开口18和20中各自的一个或多个开口附近，例如使用拾取和放置机器。该方法可包括以下步骤：选择性地向预制块30施加激光束等激发装置，使固化金属28达到足以使固化金属熔化并形成熔融金属的熔化温度，从而使金属在毛细作用下从第一及第二表面24、26中的一个或两个流向第一及第二表面24、26中的另一个。有益的是，激发装置或激光束可以熔化一个或多个预制块30，而无需将激发装置或激光束对准整个基板主体11。因此，在某些示例中，基板主体11的至少一部分不会受到激发装置或激光束的照射。

再参照图3D，本文描述生产基板10的方法和设备，基板10具有基板主体11及多个过孔12，过孔12延伸到基板主体11中或穿过基板主体11，过孔12已被在毛细作用下流入过孔的熔融金属金属化。在某些示例中，熔融金属之前是与基板主体11接触的固化金属，随后被熔化以形成熔融金属。一旦过孔12被适当填充了所需量的金属28，就可以冷却金属28以产生固化金属27。该方法可进一步包括对第一表面24及第二表面26中的任何一个或两个进行抛光的步骤，例如使用CMP，以从第一表面24和第二表面26中的任何一个或两个去除多余的固化金属27。

继续参考图3D，该方法可进一步包括在过孔12金属化后将一个或多个再分布层49施加到第一和第二表面24和26的任一表面或两者上的步骤。再分布层49的施加可以使其与至少一个过孔12电接触。再分布层49可根据需要路由电信号。应该进一步理解的是，基板10可以包括一个或多个直接设置在第一及第二表面24、26上的接触垫。再分布层49及接触垫可以由不同于金属28的材料制成。另外，再分布层49及接触垫也可以由与金属28相同的材料制成。因此，基板10可以设置为内插器，与互补电气设备进行电气接触，这些互补电气设备与基板10的第一及第二表面24、26电气通信，并通过至少一个过孔相互电气通信。在这方面，基板10可以定义一个内插件，而不是定义一个半导体器件。

再次参阅图1，可以看出固化金属27可以在过孔12中形成空隙。过孔12可以包括填充材料47，将其引入过孔12以填充至少部分到全部空隙。填充材料47在一个例子中可以是聚合物。填充材料47可以包括或为玻璃熔块，玻璃熔块可以是无铅玻璃熔块、聚合物、其他合适的材料或它们的任意组合。固化金属27及/或填充材料47可以密封至少一个过孔12。

任何进行方法或结构均可纳入本文所述的预型件/预成型实施例中。

虽然已参照示例性实施例描述了本公开内容，但本领域技术人员可以理解，在不脱离本公开内容的范围的情况下，可以进行各种更改，并可以用等效物代替其中的要素。此外，在不脱离本公开的基本范围的前提下，还可以进行许多修改，以使特定系统、设备或组件适应本公开的教导。因此，本公开的目的并不局限于为实施本公开而公开的特定实施例，而是包括属于所附权利要求范围内的所有实施例。

本文中使用的术语仅用于描述特定的实施例，无意限制本公开内容。本文所用的单数形式“一”、“一”及“所述”也包括复数形式，除非上下文另有明确说明。反之，对复数形式的描述也同样适用于单数形式，除非上下文另有明确说明。术语“至少一个”既包括单数形式，也包括复数形式。应进一步理解的是，术语“包括”及/或“包含”在本说明书中使用时，指明存在所述特征、整数、步骤、操作、元素和/或组件，但不排除存在或增加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元素、组件和/或其组。

本公开的描述是为了说明和描述的目的而提出的，但并不旨在详尽穷举或仅限于所公开形式的公开内容。对于本领域的普通技术人员来说，许多修改和变化都是明显易懂的，而不会偏离本公开的范围。选择及描述所描述的实施例是为了最好地解释本公开的原理和实际应用，并使本领域普通技术人员能够理解本公开的各种实施例，以及适合所考虑的特定用途的各种修改。

Claims (116)

1.一种金属化单片基板主体的方法，包括以下步骤：

将金属与所述单片基板主体的、与所述单片基板主体的第二表面相对的第一表面物理接触，

使一定量的处于熔融状态的所述金属从所述第一表面朝向所述单片基板主体的所述第二表面、在从所述第一表面延伸到所述第二表面的过孔中流动；以及

将所述过孔中的所述熔融状态的所述金属固化以产生固化金属，所述固化金属设定所述第一表面与所述第二表面之间的导电路径。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述固化金属设定从所述第一表面到所述第二表面的电路径。

3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述熔融状态的所述金属通过毛细作用从所述第一表面向所述第二表面移动。

4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述熔融状态的所述金属通过毛细作用从所述第一表面行进入到所述第二表面。

5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括：在所述物理接触步骤之前，施加粘合层到所述单片基板主体的、从所述第一表面延伸到所述第二表面的内表面，其中所述内表面设定所述过孔。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述施加粘合层的步骤包括将所述粘合层物理气相沉积到所述内表面上。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述粘合层包括钛。

8.根据权利要求5所述的方法，其中所述施加粘合层的步骤包括将所述粘合层原子层沉积到所述内表面上。

9.根据权利要求8所述的方法，其中所述粘合层包括钽。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述粘合层包括纯钽。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述粘合层包括氮化钽。

12.根据权利要求5至11中任一项所述的方法，其中所述粘合层没有锡。

13.根据权利要求5至12中任一项所述的方法，还包括在所述熔化步骤之前将金属润湿衬垫施加到所述粘合层的步骤，使得所述粘合层设置在所述内表面与所述润湿衬垫之间。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述润湿衬垫包括铜或铜合金。

15.根据权利要求13所述的方法，其中所述润湿衬垫包括金或金合金。

16.根据权利要求13所述的方法，其中所述润湿衬垫包括与所述熔融状态的所述金属相同的材料。

17.根据权利要求13至16中任一项所述的方法，其中所述润湿衬垫不含锡。

18.根据权利要求13至17中任一项所述的方法，还包括使处于所述熔融状态的所述金属与所述润湿衬垫之间的接触角小于90度的步骤。

19.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述熔融状态的所述金属包括纯金属。

20.根据权利要求19所述的方法，其中所述纯金属包括金。

21.根据权利要求1至18中任一项所述的方法，其中所述熔融状态的所述金属包括金属合金。

22.根据权利要求21所述的方法，其中所述熔融状态的所述金属包括金合金。

23.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述金属不含锡。

24.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述固化金属在所述过孔中从所述第一表面连续地延伸到所述第二表面。

25.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述过孔具有至少约五的纵横比，其中所述纵横比是所述过孔沿中心轴从所述第一表面到所述第二表面的长度相对于所述过孔沿垂直于所述中心轴线的方向的最大横截面尺寸的比率。

26.根据权利要求25所述的方法，其中所述纵横比为大约五，大约六，大约七，大约八，大约九和大约十中的任何一个。

27.根据权利要求25至26中任一项所述的方法，其中所述过孔的所述最大横截面尺寸包括所述过孔的直径。

28.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述固化金属占据所述过孔的总体积的至少50％。

29.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述熔融状态的所述金属具有小于所述单片基板主体的玻璃化转变温度的温度。

30.根据权利要求29所述的方法，其中所述熔融状态的所述金属的温度在从大约280摄氏度到大约1064摄氏度的范围内。

31.根据权利要求30所述的方法，其中所述熔融状态的所述金属的温度在从约700摄氏度到约1061摄氏度的范围内。

32.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述单片基板主体包括玻璃。

33.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述玻璃是光学透明的。

34.根据权利要求1至31中任一项所述的方法，其中所述单片基板主体包括蓝宝石。

35.根据权利要求1至31中任一项所述的方法，其中所述单片基板主体包括熔融硅石。

36.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述基板主体在所述使一定量的处于熔融状态的所述金属从所述第一表面朝向所述单片基板主体的所述第二表面、在从所述第一表面延伸到所述第二表面的过孔中流动的步骤期间不支撑所述第一表面或所述第二表面中的任一表面上的保护层。

37.根据权利要求1至35中任一项所述的方法，其中所述基板主体在所述使一定量的处于熔融状态的所述金属从所述第一表面朝向所述单片基板主体的所述第二表面、在从所述第一表面延伸到所述第二表面的过孔中流动步骤期间不支撑所述第一表面或所述第二表面中的任一表面上的非玻璃保护层。

38.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括使所述金属从所述单片基板主体的所述第一表面流向所述第二表面的步骤。

39.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括将所述单片基板主体的至少一部分加热到高于室温的温度。

40.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括将所述单片基板主体的整体加热到高于室温的温度。

41.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括将所述单片基板主体加热到高于120摄氏度的温度。

42.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括将助焊剂喷射到所述基板主体的所述第一表面上的步骤。

43.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述接触步骤包括将一定量的处于固态的所述金属置于所述基板主体的所述第一表面上，使得所述一定量的处于固态的所述金属处于与所述单片基板主体的所述第一表面物理接触状态。

44.根据权利要求43所述的方法，还包括，在所述将一定量的处于固态的所述金属置于所述基板主体的所述第一表面上的步骤之后，将所述处于固态的所述金属熔化的步骤，以将所述固态的所述金属转变为处于所述熔融状态的所述金属。

45.根据权利要求44所述的方法，其中所述一定量的处于所述固态的所述金属仅覆盖所述基板主体的相应单个过孔，所述熔化步骤从而将所述处于熔融状态的所述的金属从所述第一表面朝向所述相应的单个过孔的所述第二表面流动。

46.根据权利要求44至45中任一项所述的方法，包括覆盖从所述第一表面延伸到所述第二表面的相应单个过孔的多个分立量的所述处于固态的所述金属，所述熔化步骤从而将每个分立量的所述金属转变为所述熔融状态，且在所述相应的单个过孔中从所述第一表面朝向所述第二表面流动。

47.根据权利要求44所述的方法，其中所述量的所述金属覆盖从所述第一表面延伸穿过所述基板主体到所述第二表面的多个过孔，并且所述熔化步骤使处于所述熔融状态的所述金属在所述多个过孔中从所述第一表面朝向所述第二表面流动。

48.根据权利要求44至47中任一项所述的方法，其中，处于所述固态的所述金属的所述量包括预制块。

49.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述金属仅从所述第一侧流入所述过孔。

50.根据权利要求1至48中任一项所述的方法，其中所述金属从所述第一侧和所述第二侧两者流入所述过孔。

51.根据权利要求44至50中任一项所述的方法，其中所述熔化步骤包括将热量同时施加到所述单片基板主体以及所述量的所述固化金属，到足以导致所述固态金属熔化的温度。

52.根据权利要求51所述的方法，其中所述熔化温度低于所述单片基板主体的玻璃化转变温度。

53.根据权利要求47至52中任一项所述的方法，其中所述熔化步骤使所述金属从所述第一表面流向所述第二表面。

54.根据权利要求47至53中任一项所述的方法，还包括在所述熔化步骤之前对所述基板主体进行预加热。

55.根据权利要求47至54中任一项所述的方法，还包括以下步骤：当所述一定量的固化金属与所述第一表面物理接触时将所述基板主体设置在炉中，以及将所述炉加热到所述金属的熔化温度。

56.根据权利要求44至50中任一项所述的方法，其中所述熔化步骤包括选择性地将激发装置施加到所述量的固化金属，足以使所述固体金属达到导致所述固体金属熔化的熔化温度。

57.根据权利要求56所述的方法，其中所述熔化温度低于所述单片基板主体的玻璃化转变温度。

58.根据权利要求56至57中任一项所述的方法，其中施加所述激发装置的步骤使所述金属从所述第一表面流向所述第二表面。

59.根据权利要求56至58中任一项所述的方法，还包括在所述施加步骤之前对所述基板主体进行预加热。

60.根据权利要求56至59中任一项所述的方法，其中所述激发装置是将激光束引导到所述量的固化金属的激光器。

61.根据权利要求60所述的方法，其中所述基板主体的一部分不接收所述激光束。

62.根据权利要求1至41中任一项所述的方法，其中所述接触步骤包括将所述基板主体放置在所述熔融状态下的所述金属的熔池中。

63.根据权利要求62所述的方法，其中所述熔融状态的所述金属具有低于所述基板主体的玻璃转变温度的温度。

64.根据权利要求62至63中任一项所述的方法，其中所述放置步骤使处于所述熔融状态的所述金属流入所述基板主体的、从所述第一表面延伸到所述第二表面的多个过孔中。

65.根据权利要求62至64中任一项所述的方法，其中所述金属流入所述第一表面及所述第二表面中的每一个所述过孔。

66.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述固化金属不延伸超过所述第一表面。

67.根据权利要求66所述的方法，其中所述固化金属不延伸超过所述第二表面。

68.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述固化金属收端于所述第一表面及所述第二表面中的每一表面处。

69.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括抛光所述第一表面以从所述第一表面移除过量的所述固化的熔融金属的步骤。

70.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中所述过孔具有从所述第一表面到所述第二表面的基本上恒定的直径。

71.根据权利要求1至69中任一项所述的方法，其中所述过孔在所述第一表面和所述第二表面中的每一个表面处具有基本上恒定的直径。

72.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括用聚合物填充所述过孔中的金属形成的空隙的步骤。

73.根据权利要求72所述的方法，其中所述聚合物是导电的。

74.根据权利要求72所述的方法，其中所述聚合物是不导电的。

75.根据前述权利要求中任一项所述的方法，还包括以下步骤：将再分布层施加到所述第一表面和所述第二表面中的至少一个或两个并且与所述过孔电连通。

76.根据前述权利要求中任一项所述的方法，包括接触焊盘，所述接触焊盘与所述单片基板主体接触并且与所述过孔电连通。

77.一种导电基板，包括：

单片基板主体，其设有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面，其中所述单片基板包括形成所述第一表面和所述第二表面的材料，所述材料具有材料转变温度；以及

至少一个过孔，所述至少一个过孔不延伸超过所述第一表面及所述第二表面中的任一个表面，其中所述至少一个过孔包含以高于约280摄氏度的熔融状态流入所述过孔中的固化金属。

78.根据权利要求77所述的导电基板，其中所述第一表面与所述第二表面沿着在从大约50μm到大约500μm的范围内的距离彼此间隔开。

79.根据权利要求77至78中任一项所述的导电基板，其中所述过孔包含一个层，所述层包括铜和金中的一者的沉积，并且所述金属通过毛细作用沿着所述层进入到过孔中。

80.根据权利要求79所述的导电基板，其中所述层没有锡。

81.根据权利要求79至80中任一项所述的导电基板，其中所述过孔还包含粘合层，其中包括铜和金中的一者的所述层沉积于所述粘合层上。

82.根据权利要求81所述的导电基板，其中所述粘合层包括钛。

83.根据权利要求81所述的导电基板，其中所述粘合层包括钽。

84.根据权利要求83所述的导电基板，其中所述粘合层包括纯钽。

85.根据权利要求83所述的导电基板，其中所述粘合层包括氮化钽。

86.根据权利要求81至85中任一项所述的导电基板，其中所述粘合层没有锡。

87.根据权利要求77至86中任一项所述的导电基板，其中所述金属具有低于所述材料转变温度的熔化温度。

88.根据权利要求77至87中任一项所述的导电基板，其中所述材料包括玻璃，并且所述材料转变温度是玻璃转变温度。

89.根据权利要求77至87中任一项所述的导电基板，其中所述玻璃是光学透明的。

90.根据权利要求77至87中任一项所述的导电基板，其中所述材料包括蓝宝石。

91.根据权利要求77至87中任一项所述的导电基板，其中所述材料包括熔融硅石。

92.根据权利要求77至91中任一项所述的导电基板，其中所述过孔具有大于约五的纵横比。

93.根据权利要求77至91中任一项所述的导电基板，其中所述纵横比为大约五，大约六，大约七，大约八，大约九和大约十中的任何一个。

94.根据权利要求77至93中任一项所述的导电基板，其中所述固化金属包括被液化以流入所述过孔并随后固化的预制固化金属。

95.根据权利要求77至94中任一项所述的导电基板，其中所述固化金属形成从所述第一表面到所述第二表面的电路径。

96.根据权利要求77至95中任一项所述的导电基板，其中所述固化金属包括纯金属。

97.根据权利要求96所述的导电基板，其中所述纯金属包括金。

98.根据权利要求77至95中任一项所述的导电基板，其中所述熔融金属包括金属合金。

99.根据权利要求98所述的导电基板，其中所述熔融金属包括金合金。

100.根据权利要求77至99中任一项所述的导电基板，其中所述金属没有锡。

101.根据权利要求77至100中任一项所述的导电基板，其中所述固化金属在所述过孔中从所述第一表面连续地延伸到所述第二表面。

102.根据权利要求77至101中任一项所述的导电基板，其中所述固化金属具有在从大约280摄氏度至大约1064摄氏度的范围内的熔化温度。

103.根据权利要求102所述的导电基板，其中所述熔化温度在从大约700摄氏度到大约1061摄氏度的范围内。

104.根据权利要求77至103中任一项所述的导电基板，在所述第一表面或所述第二表面中的任一个上没有保护层。

105.根据权利要求77至103中任一项所述的导电基板，在所述第一表面或所述第二表面中的任一个上没有非玻璃保护层。

106.根据权利要求77至105中任一项所述的导电基板，还包括设置在所述基板的所述第一表面上的助焊剂。

107.根据权利要求77至106中任一项所述的导电基板，其包括解剖学上可植入的内插器。

108.根据权利要求77至107中任一项所述的导电基板，其中所述导电基板不是半导体。

109.根据权利要求77至108中任一项所述的导电基板，其中所述过孔在所述第一表面和所述第二表面处具有基本上恒定的最大横截面尺寸。

110.根据权利要求109所述的导电基板，其中所述基本上恒定的最大横截面尺寸从所述第一表面延伸到所述第二表面。

111.根据权利要求109至110中任一项所述的导电基板，其中所述基本上恒定的最大横截面尺寸是直径。

112.根据权利要求77至111中任一项所述的导电基板，其中所述过孔中的金属形成空隙，所述空隙被聚合物填充。

113.根据权利要求112所述的导电基板，其中所述聚合物是导电的。

114.根据权利要求112所述的导电基板，其中所述聚合物是不导电的。

115.根据权利要求77至114中任一项所述的导电基板，还包括在所述第一表面及所述第二表面中的至少一个表面或两个表面上且与所述过孔电连通的再分布层。

116.如权利要求中任一项所述的导电基板，包括接触焊盘，所述接触焊盘与所述单片基板主体接触并且与所述过孔电连通。