CN117320332A - 一种hdi内层电路板的制造方法及hdi电路板 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种HDI内层电路板的制造方法及HDI电路板,制造方法包括获取设有线路层的基板;对基板上的线路层进行超粗化处理;于基板上叠压ABF膜得到第一电路板,于第一电路板上叠压铜箔以使其朝向第一电路板的端面上布有的铜牙与ABF膜嵌合得到第二电路板,对第二电路板进行定位孔打孔及边废料裁切以得到第三电路板;对第三电路板表面的铜箔进行显影蚀刻脱膜而去除以得到第四电路板,其包括的ABF膜背离基板的膜面保留有铜箔铜牙的印痕;将第四电路板依定位孔为导向镭射成孔;对第四电路板上镭射出的成孔除胶渣,继而利用沉铜工艺金属化第四电路板的板面及成孔;对沉铜后的第四电路板进行干膜压合以制作与线路层连通的图形线路以得到HDI内层电路板。

Description

一种HDI内层电路板的制造方法及HDI电路板
技术领域
本发明属于电路板加工技术领域,尤其涉及一种HDI内层电路板的制造方法及HDI电路板。
背景技术
伴随着便携电子产品的迅猛发展,印刷电路板向以高密度互连技术(HDI:HighDensity Interconnection)为主体的密、薄、平的方向发展,即趋向于细线路、微小孔、薄介电层的高密度互连电路板(即HDI电路板),目前使用传统的Tenging减成法工艺已无法满足HDI板的精细要求,特别是IC封装基板对线宽线距要求越来越小的前提下,多使用全加成工艺来进行加工:内层电路板AOI→超粗化→压ABF膜/整平/烘烤→Xray打靶成型定位孔→裁边废料→镭射成孔→Plasma除成孔胶渣→Desmear除成孔胶渣→沉铜,但在该全加成工艺加工出的电路板,最大的问题点在于产品短路不良率高以及线路附着差等,其产生的主要原因在于:
(1)ABF膜叠压后无附着力,其与后续沉铜步骤所形成的化铜层之间的结合力差,易分离;
(2)化铜层的表面粗糙度由ABF膜的表面粗糙度决定,故化铜层背离ABF膜的一侧的粗糙度不够,其后续与干膜结合力差。
发明内容
鉴于上述现有电路板加工技术中存在的问题,本发明的主要目的在于提供一种HDI内层电路板的制造方法及HDI电路板,于所述基板的线路层表面上叠压ABF膜后增加传统压合,借由铜箔表面铜牙在ABF膜上形成粗糙的织密印痕,利于后续化铜层与ABF膜及外侧干膜的结合,确保电路板的线路附着质量佳,产品件不易短路,成品质量优良。
本发明的目的通过如下技术方案得以实现:
本发明提供一种HDI内层电路板的制造方法,包括以下步骤:
获取设有线路层的基板;
对所述基板上的线路层进行超粗化处理,以使其表面粗糙;
于所述基板上叠压ABF膜,使所述线路层包覆于所述ABF膜内,得到第一电路板;
于所述第一电路板上叠压铜箔,以使所述铜箔朝向所述第一电路板的端面上布有的铜牙与所述ABF膜嵌合,得到第二电路板;
对所述第二电路板进行定位孔打孔以及边废料裁切,以得到第三电路板;
对所述第三电路板表面的铜箔进行显影蚀刻脱膜而去除,得到第四电路板;所述第四电路板包括的ABF膜背离所述基板的膜面保留有所述铜箔的铜牙成型的印痕;
将所述第四电路板依所述定位孔为导向,镭射出所需成孔;
对所述第四电路板上镭射出的所述成孔进行胶渣去除;
对去除胶渣后的所述第四电路板进行沉铜,以金属化所述第四电路板的板面及所述成孔;
对沉铜后的所述第四电路板进行干膜压合以制作与所述线路层连通的图形线路,以得到所述HDI内层电路板。
作为上述技术方案的进一步描述,在步骤“于所述第一电路板上叠压铜箔,以使所述铜箔朝向所述第一电路板的端面上布有的铜牙与所述ABF膜嵌合,得到第二电路板”中,所述铜箔采用真空压合,所述铜箔所承受的压力值为460psi。
作为上述技术方案的进一步描述,在步骤“对所述基板上的线路层进行超粗化处理,以使其表面粗糙”前,还包括对获取的设有线路层的所述基板进行AOI自动光学检测。
作为上述技术方案的进一步描述,在步骤“在所述基板上叠压ABF膜,使所述线路层包覆于所述ABF膜内,得到第一电路板”中,所述ABF膜采用真空热压。
作为上述技术方案的进一步描述,在对ABF膜进行真空热压前,还对所述ABF膜进行整平处理。
作为上述技术方案的进一步描述,在步骤“对所述第四电路板上镭射出的所述成孔进行胶渣去除”中,包括对所述第四电路板进行Plasma除胶制程以清洁所述成孔内的PI胶渣。
作为上述技术方案的进一步描述,对所述第四电路板进行Plasma制程以清洁所述成孔内的PI胶渣后,还对所述第四电路板进行Desmear除胶制程以清洁所述成孔内的PP胶渣。
本发明还提供一种HDI内层电路板,采用如上所述的HDI内层电路板的制造方法制造而成。
借由以上的技术方案,本发明的突出效果为:
利用本发明所提供的HDI内层电路板的制造方法制造HDI内层电路板时,于基板的线路层表面上叠压ABF膜后增加传统压合,借由铜箔表面铜牙在ABF膜上形成粗糙的织密印痕粗糙化ABF膜的膜面,利于后续化铜层与ABF膜膜面的结合,而化铜层覆设于ABF膜的膜面后,其表面也会承接ABF膜的膜面粗糙度,从而利于其与外侧干膜的结合,由此,确保了终成型出的电路板的线路附着质量佳,产品件不易短路,成品质量优良。
实施方式
下面将对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
本发明公开了一种HDI内层电路板的制造方法,包括以下步骤:
获取设有线路层的基板;
对所述基板上的线路层进行超粗化处理,以使其表面粗糙;
于所述基板上叠压ABF膜,使所述线路层包覆于所述ABF膜内,得到第一电路板;
于所述第一电路板上叠压铜箔,以使所述铜箔朝向所述第一电路板的端面上布有的铜牙与所述ABF膜嵌合,得到第二电路板;
对所述第二电路板进行定位孔打孔以及边废料裁切,以得到第三电路板;
对所述第三电路板表面的铜箔进行显影蚀刻脱膜而去除,得到第四电路板;所述第四电路板包括的ABF膜背离所述基板的膜面保留有所述铜箔的铜牙成型的印痕;
将所述第四电路板依所述定位孔为导向,镭射出所需成孔;
对所述第四电路板上镭射出的所述成孔进行胶渣去除;
对去除胶渣后的所述第四电路板进行沉铜,以金属化所述第四电路板的板面及所述成孔;
对沉铜后的所述第四电路板进行干膜压合以制作与所述线路层连通的图形线路,以得到所述HDI内层电路板。
借由上述方法,首先对提供获取的设有线路层的所述基板进行超粗化处理,以增加所述线路层的表面粗糙度从而增加其与后续覆于其上的化铜层及ABF膜的结合力;继而在所述基板上叠压ABF膜而得到第一电路板,在所述第一电路板中,所述ABF膜包覆于所述线路层外以能起到绝缘作用;然后,在所述第一电路板上叠压铜箔,由于所述铜箔表面布有铜牙,在预设的压合动作后,铜箔朝向所述ABF膜一侧的端面上所布有的铜牙与所述ABF膜紧密嵌合而得到第二电路板;接着对所获得的所述第二电路板进行定位孔打孔以及边废料裁切,得到带有定位孔且大小符合预设尺寸的所述第三电路板,而后对所述第三电路板表面的铜箔进行DES处理,即对其进行显影蚀刻脱模,以将其全部去除得到所述的第四电路板,所述第四电路板与所述第二电路板相比,其构成介质层相同,区别点在于,所述第四电路板中的ABF膜背离所述基板的膜面保留了所述铜箔铜牙受压而压出的印痕,该印痕织密,故此时的ABF膜的膜面相对更粗糙;之后所述第四电路板经定位孔导向镭射成孔并进行除胶渣处理后再利用沉铜工艺金属化其板面及所述成孔,沉铜步骤中所形成的化铜层就会与粗糙度更佳的所述ABF膜的膜面以及除胶渣后的成孔具有良好的结合力,而所述化铜层在附着于所述ABF膜的膜面后,其也会承接所述ABF膜的粗糙度,有效降低沉铜参数控制难度的同时,也利于后续干膜的压合,使所述干膜与其之间的结合力达到预设要求,从而再对所述干膜进行后续的例如曝光、显影及蚀刻等步骤从而制作出与所述线路层通过成孔内线路连通的图形线路,得到各介质层紧密结合,线路附着质量佳,不易短路的所述HDI内层电路板。
其中一个实施例,包括以下步骤:
首先,获取设有线路层的基板;
其次,对获取的设有线路层的所述基板进行AOI自动光学检测,以避免设有线路层的基板不良品再进行后续工序而最终出货残次成品件;
接着,对通过AOI自动光学检测的所述基板上的线路层进行超粗化处理,使所述线路层表面成型均匀织密的超粗化微观面,相当于使所述线路层表面的粗糙度增加而利于后续与化铜层及ABF膜的结合。
然后,于所述基板上叠压ABF膜,使所述线路层包覆于所述ABF膜内,得到第一电路板;在该步骤中,所述ABF膜采用真空热压的方式叠压于所述基板上,优选的,在对所述ABF膜进行加热加压使其与所述基板结合前,还对其进行整平处理,保证了所述ABF膜与所述基板结合质量。
随后,于所述第一电路板上叠压铜箔,以使所述铜箔朝向所述第一电路板的端面上布有的铜牙与所述ABF膜嵌合,得到第二电路板;在此步骤中,所述铜箔采用真空压合,所述铜箔所承受的压力值为460psi,该压力值的设置,保证了所述铜箔内端面(即其朝向所述第一电路板的端面)布有的铜牙能够在所述ABF膜的外膜面上产生织密的印痕,从而增加ABF膜的粗糙度,此外,也保证了所述ABF膜的膜面均匀性而不会影响最终成型的产品件的预设厚度。
继而,再使用X-ray打靶机对所述第二电路板进行定位孔打孔作业,以及使用裁边机对其裁切边废料,从而得到带有定位孔且大小符合预设尺寸的第三电路板。
接下来,再对所述第三电路板表面的铜箔进行显影蚀刻脱膜而去除,得到第四电路板;所述第四电路板包括的ABF膜背离所述基板的膜面保留有所述铜箔的铜牙在其上压出的印痕,因此所述ABF的外膜面呈微观凹凸面,其粗糙度增加,便于与后续附着于其上的介质层结合。所述的第四电路板与所述第二电路板相比,其构成介质层相同,区别点在于,所述第四电路板中的ABF膜背离所述基板的膜面保留了所述铜箔铜牙受压而压出的印痕,该印痕织密,故此时的ABF膜的膜面相对更粗糙。
而后,将所述第四电路板依所述定位孔为导向,将所述ABF膜镭射出所需成孔,并对所述第四电路板上镭射出的所述成孔进行胶渣去除,包括对所述第四电路板进行Plasma除胶制程以清洁所述成孔内的PI胶渣,以及对所述第四电路板进行Desmear除胶制程以清洁所述成孔内的PP胶渣,两次除胶渣的具体处理条件和参数应当在确保达到完全清除所述成孔的孔壁残存的胶渣成分的同时,而最小限度地损伤所述成孔孔壁,应当理解的是,所述成孔依实际需要而在其孔壁布设线路图形以连通所述基板线路层和后续覆设于所述第四电路板板面上的导电介质层。
最后,就可以对去除胶渣后的所述第四电路板进行沉铜,以金属化所述第四电路板的板面及所述成孔,使所述第四电路板的板面及所述成孔的孔壁上附着一层化铜层,由于所述第四电路板的板面(即ABF膜的膜面)粗糙度足够,所述成孔的孔壁两次除胶渣,清洁度足够,故所述第四电路板的板面及所述成孔金属化后均与化铜层紧密的结合。而所述化铜层的背离所述第四电路板的板面的外侧面也会承接所述ABF膜的粗糙度,从而也保证了后续压合于其上的干膜与其两者之间的结合力,在对所述干膜进行曝光、显影及蚀刻等步骤制作与所述线路层连通的图形线路,最终就可得到质量良好的所述HDI内层电路板。
具体的,本实施例中还提供了一种HDI内层电路板,采用如上所述的HDI内层电路板的制造方法制造而成,其线路附着质量佳,在与HDI外层电路板结合后不易短路,成品质量优良。
最后应说明的是:以上所述仅为本发明的优选实施例而已,并不限于限制本发明,尽管参照前述实施例对本发明进行了详细说明,对于本领域的技术人员来说,其仍然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换,凡在本发明的精神和原则之内,所作的任何更改、等同替换、改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种HDI内层电路板的制造方法,其特征在于,包括以下步骤:
获取设有线路层的基板;
对所述基板上的线路层进行超粗化处理,以使其表面粗糙;
于所述基板上叠压ABF膜,使所述线路层包覆于所述ABF膜内,得到第一电路板;
于所述第一电路板上叠压铜箔,以使所述铜箔朝向所述第一电路板的端面上布有的铜牙与所述ABF膜嵌合,得到第二电路板;
对所述第二电路板进行定位孔打孔以及边废料裁切,以得到第三电路板;
对所述第三电路板表面的铜箔进行显影蚀刻脱膜而去除,得到第四电路板;所述第四电路板包括的ABF膜背离所述基板的膜面保留有所述铜箔的铜牙成型的印痕;
将所述第四电路板依所述定位孔为导向,镭射出所需成孔;
对所述第四电路板上镭射出的所述成孔进行胶渣去除;
对去除胶渣后的所述第四电路板进行沉铜,以金属化所述第四电路板的板面及所述成孔;
对沉铜后的所述第四电路板进行干膜压合以制作与所述线路层连通的图形线路,以得到所述HDI内层电路板。
2.根据权利要求1所述的HDI内层电路板的制造方法,其特征在于,在步骤“于所述第一电路板上叠压铜箔,以使所述铜箔朝向所述第一电路板的端面上布有的铜牙与所述ABF膜嵌合,得到第二电路板”中,所述铜箔采用真空压合,所述铜箔所承受的压力值为460psi。
3.根据权利要求1所述的HDI内层电路板的制造方法,其特征在于,在步骤“对所述基板上的线路层进行超粗化处理,以使其表面粗糙”前,还包括对获取的设有线路层的所述基板进行AOI自动光学检测。
4.根据权利要求1所述的HDI内层电路板的制造方法,其特征在于,在步骤“在所述基板上叠压ABF膜,使所述线路层包覆于所述ABF膜内,得到第一电路板”中,所述ABF膜采用真空热压。
5.根据权利要求4所述的HDI内层电路板的制造方法,其特征在于,在对ABF膜进行真空热压前,还对所述ABF膜进行整平处理。
6.根据权利要求1所述的HDI内层电路板的制造方法,其特征在于,在步骤“对所述第四电路板上镭射出的所述成孔进行胶渣去除”中,包括对所述第四电路板进行Plasma除胶制程以清洁所述成孔内的PI胶渣。
7.根据权利要求6所述的HDI内层电路板的制造方法,其特征在于,对所述第四电路板进行Plasma制程以清洁所述成孔内的PI胶渣后,还对所述第四电路板进行Desmear除胶制程以清洁所述成孔内的PP胶渣。
8.一种HDI内层电路板,其特征在于,采用如权利要求1-7任一项所述的HDI内层电路板的制造方法制造而成。
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