CN117316262A - 一种自动flash芯片检测机台 - Google Patents

Abstract

本发明属于芯片检测技术领域，具体是一种自动FLASH芯片检测机台，包括芯片输送机构、芯片检测机构和控制面板，其中，控制面板包括处理器、测试位姿判断模块、机台稳定性检测模块、测试环影决策模块、芯片质量评估模块以及显示预警模块；本发明通过对FLASH芯片进行自动ID测试、容量测试和速率测试，基于测试判断结果以准确判断对应FLASH芯片的品质状况，且在进行芯片检测前将位置姿态偏离程度判断、机台稳定性状况分析和检测区域环境分析相结合，能够对检测前的各项准备操作进行递进式合理分析，并准确评估对检测结果带来的负面影响状况，有利于保证FLASH芯片检测过程的稳定顺利进行，显著提升检测结果的精准性，自动化程度和智能化程度高。

Description

一种自动FLASH芯片检测机台

技术领域

本发明涉及芯片检测技术领域，具体是一种自动FLASH芯片检测机台。

背景技术

FLASH芯片是一种非易失性存储器，它基于闪存技术制造，主要用于在电子设备中存储数据，这种存储芯片的优点在于它的读写速度相对较快，功耗低，容量大；FLASH芯片非常适合需要频繁读取和写入数据的应用，被广泛应用于各种电子设备中，例如USB闪存驱动器、存储卡、固态硬盘以及各种移动设备中的内置存储器；在FLASH芯片的生产加工过程中，通过芯片检测机台对其进行性能质量检测是必不可少的一个环节；

现有芯片检测机台主要由芯片输送机构、芯片检测结构和显示屏组成，芯片检测机构对芯片输送机构送入的FLASH芯片进行检测，并将检测数据发送至显示屏进行显示，无法对检测前的各项准备操作进行递进式合理分析，并准确评估对检测结果带来的负面影响状况，不利于保证FLASH芯片检测过程的稳定顺利进行并提升检测结果的精准性，且难以对芯片检测机台的管控状况进行判断并及时反馈预警，自动化程度和智能化程度有待提升；

针对上述的技术缺陷，现提出一种解决方案。

发明内容

本发明的目的在于提供一种自动FLASH芯片检测机台，解决了现有技术无法对FLASH芯片检测前的各项准备操作进行递进式合理分析，不利于提升检测结果的精准性，且难以对芯片检测机台的管控状况进行准确判断并及时反馈预警，自动化程度和智能化程度低的问题。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种自动FLASH芯片检测机台，包括芯片输送机构、芯片检测机构和控制面板；芯片输送机构将封装完成的FLASH芯片送入到芯片检测机台的检测区域，芯片检测机构包括多个显微镜头和探针，显微镜头用于观察FLASH芯片的外观和内部结构，探针用于对FLASH芯片进行电性能测试；其中，控制面板包括处理器、测试位姿判断模块、机台稳定性检测模块、测试环影决策模块、芯片质量评估模块以及显示预警模块；

在芯片输送机构将FLASH芯片送入到检测区域后，测试位姿判断模块通过高精度相机拍摄FLASH芯片在检测区域的位置姿态图像并将其标记为位姿待测图像，并从处理器调取预设的位姿标准图像，将位姿待测图像和位姿标准图像相互重叠以得到两者的重合偏差数据，将重合偏差数据与预设重合偏差数据阈值进行数值比较，若重合偏差数据未超过预设重合偏差数据阈值，则生成位姿合格信号；若重合偏差数据超过预设重合偏差数据阈值，则生成位姿偏离预警信号，且将位姿偏离预警信号经处理器发送至显示预警模块；

在生成位姿合格信号时，机台稳定性检测模块将芯片检测机台的稳定性状况进行分析，据此以生成稳定性正常信号或稳定性异常信号，且将稳定性异常信号经处理器发送至显示预警模块；在生成稳定性正常信号时，测试环影决策模块将检测区域的环境状况进行分析，据此以生成测环正常信号或测环异常信号，且将测环异常信号经处理器发送至显示预警模块；在生成测环正常信号时通过芯片检测机构对检测区域的FLASH芯片进行检测，芯片质量评估模块基于FLASH芯片的相关测试结果以对其质量进行评估。

进一步的，芯片检测机构在进行芯片检测时，通过显微镜头观察FLASH芯片的外观和内部结构以获取FLASH芯片的ID信息，探针精确地对FLASH芯片进行电性能测试，以验证ID信息的正确性，实现自动ID测试；且通过显微镜头观察到FLASH芯片的存储单元，通过探针向存储单元写入大量数据，并验证数据的可读性，从而判断FLASH芯片的存储容量是否符合要求，实现容量测试；以及通过探针向FLASH芯片发送数据，并记录数据传输的时间，以计算出FLASH芯片的读取速度、写入速度和擦除速度的性能参数，实现速率测试。

进一步的，机台稳定性检测模块的具体运行过程包括：

在芯片检测机台上设定若干个检测点，采集到对应检测点的三向振频值和三向振幅值，将三向振频值和三向振幅值进行赋权求和计算得到三向振动值，将所有检测点的三向振动值进行求和计算并取均值以得到三向振况值，将三向振况值与预设三向振况阈值进行数值比较，若三向振况值超过预设三向振况阈值，则生成稳定性异常信号；

若三向振况值未超过预设三向振况阈值，则将对应检测点的三向振动值与预设三向振动阈值进行数值比较，若三向振动值超过预设三向振动阈值，则将对应检测点标记为振测影响点；获取到振测影响点的数量，并将其与检测点的数量进行比值计算得到振测影数占比值；将振测影数占比值与预设振测影数占比阈值进行数值比较，若振测影数占比值超过预设振测影数占比阈值，则生成稳定性异常信号。

进一步的，若振测影数占比值未超过预设振测影数占比阈值，则采集到振测影响点的位置，基于振测影响点的位置和检测区域中心点的位置以得到两者之间的距离并将其标记为振影点距值，将所有振测影响点的振影点距值进行求和计算并取均值以得到振影距表值，将数值最小的振影点距值标记为振影近距值；

将三向振况值、振测影数占比值、振影距表值和振影近距值进行数值计算得到机台稳测值，将机台稳测值与预设机台稳测阈值进行数值比较，若机台稳测值超过预设机台稳测阈值，则生成稳定性异常信号，若机台稳测值未超过预设机台稳测阈值，则生成稳定性正常信号。

进一步的，测试环境决策模块的具体运行过程包括：

采集到检测区域的光线颜色偏离值、光照亮度偏离值以及空气浑浊度数据，将光线颜色偏离值、光照亮度偏离值和空气浑浊度进行数值计算得到光气影响值，将光气影响值与预设光气影响阈值进行数值比较，若光气影响值超过预设光气影响阈值，则生成环测异常信号；

若光气影响值未超过预设光气影响阈值，则通过附加决策分析以得到附加决策值，将附加决策值与预设附加决策阈值进行数值比较，若附加决策值超过预设附加决策阈值，则生成环测异常信号，若附加决策值未超过预设附加决策阈值，则生成环测正常信号。

进一步的，附加决策分析的具体分析过程如下；

采集到检测区域中的环境温度数据、环境湿度数据、环境风速数据和环境气压数据，将环境温度数据与预设适宜测试环境温度值进行差值计算并取绝对值以得到测温表现值，同理获取到测湿表现值和测压表现值，将测温表现值、测湿表现值、测压表现值和环境风速数据进行归一化计算得到附加决策值。

进一步的，芯片检测机构通过ID测试、容量测试和速率测试以得到ID测试判断结果、容量测试判断结果和速率测试判断结果，并将相关测试判断结果经处理器发送至芯片质量评估模块，芯片质量评估模块在接收到对应FLASH芯片的ID测试、容量测试和速率测试均符合要求的测试判断结果时，将对应FLASH芯片标记为无异芯片，其余情况则将对应FLASH芯片标记为存异芯片，且将存异芯片的测试信息经处理器发送至显示预警模块；

芯片质量评估模块还用于采集到对应批次的所有FLASH芯片的评估结果，将对应批次中存异芯片的数量和无异芯片的数量分别标记为存异数表值和无异数表值，将存异数表值与无异数表值进行比值计算得到存异数占值，将存异数占值和存异数表值进行数值计算得到芯片加工检测值；将芯片加工检测值与预设芯片加工检测阈值进行数值比较，若芯片加工检测值超过预设芯片加工检测阈值，则生成批次加工预警信号，且将批次加工预警信号经处理器发送至显示预警模块。

进一步的，在进行对应FLASH芯片的检测前，若生成姿偏离预警信号、稳定性异常信号或测环异常信号，则生成测前判断符号CR-1；处理器与测试管控评估模块通信连接，测试管控通信模块采集到单位时间内测前判断符号CR-1的生成次数并将其标记为前置管控数表值，将前置管控数表值与单位时间内进行芯片检测分析过程的数量进行比值计算得到前置管控数占值；将前置管控数占值与前置管控数表值进行数值计算得到前置管控评估值，将前置管控评估值与预设前置管控评估阈值进行数值比较，若前置管控评估值超过预设前置管控评估阈值，则生成管控不合格信号；

若前置管控评估值未超过预设前置管控评估阈值，则采集到芯片检测机构进行对应FLASH芯片的初始检测时刻和结束检测时刻，将结束检测时刻减去初始检测时刻以得到检测分析时长，将检测分析时长与预设检测分析时长阈值进行数值比较，若检测分析时长超过对应预设检测分析时长阈值，则将对应检测分析过程标记为低效测析过程；

采集到单位时间内低效测析过程的数量并将其标记为低效数表值，将低效数表值与单位时间内进行芯片检测分析过程的数量进行比值计算得到低效数占值，将低效数表值与低效占比值进行数值计算得到测效评估值；将测效评估值与预设测效评估阈值进行数值比较，若测效评估值超过预设测效评估阈值，则生成管控不合格信号；若测效评估值未超过预设测效评估阈值，则生成管控合格信号；且将管控不合格信号经处理器发送至显示预警模块。

与现有技术相比，本发明的有益效果是：

1、本发明中，通过芯片输送机构将封装完成的FLASH芯片送入到芯片检测机台的检测区域，芯片检测机构对FLASH芯片进行自动ID测试、容量测试和速率测试，并将相关测试判断结果经处理器发送至芯片质量评估模块，芯片质量评估模块在接收到相应测试判断结果时，将对应FLASH芯片标记为无异芯片或存异芯片，并判断一定时间内所生产的FLASH芯片的批次质量状况，方便针对性的进行后续管理措施；

2、本发明中，在进行芯片检测前，通过测试位姿判断模块将检测区域的FLASH芯片的位置和姿态进行偏离程度判断，在生成位姿合格信号时通过机台稳定性检测模块将芯片检测机台的稳定性状况进行分析，在生成稳定性正常信号时通过测试环影决策模块将检测区域的环境状况进行分析，能够对检测前的各项准备操作进行递进式合理分析，并准确评估对检测结果带来的负面影响状况，有利于保证FLASH芯片检测过程的稳定顺利进行，显著提升检测结果的精准性，自动化程度和智能化程度高。

附图说明

为了便于本领域技术人员理解，下面结合附图对本发明作进一步的说明；

图1为本发明的整体结构框图；

图2为本发明中控制面板的系统框图；

图3为本发明中实施例二的系统框图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

实施例一：如图1-2所示，本发明提出的一种自动FLASH芯片检测机台，包括芯片输送机构、芯片检测机构和控制面板；芯片输送机构将封装完成的FLASH芯片送入到芯片检测机台的检测区域，芯片检测机构包括多个显微镜头和探针，显微镜头用于观察FLASH芯片的外观和内部结构，探针用于对FLASH芯片进行电性能测试；控制面板对芯片检测机构进行控制，以及对测试过程和测试数据进行分析，并用于进行显示显示和预警等；

具体而言，芯片检测机构在进行芯片检测时，通过显微镜头观察FLASH芯片的外观和内部结构以获取FLASH芯片的ID信息，探针精确地对FLASH芯片进行电性能测试，以验证ID信息的正确性，实现自动ID测试；且通过显微镜头观察到FLASH芯片的存储单元，通过探针向存储单元写入大量数据，并验证数据的可读性，从而判断FLASH芯片的存储容量是否符合要求，实现容量测试；以及通过探针向FLASH芯片发送数据，并记录数据传输的时间，以计算出FLASH芯片的读取速度、写入速度和擦除速度的性能参数，实现速率测试。

其中，控制面板包括处理器、测试位姿判断模块、机台稳定性检测模块、测试环影决策模块、芯片质量评估模块以及显示预警模块，且处理器与测试位姿判断模块、机台稳定性检测模块、测试环影决策模块、芯片质量评估模块以及显示预警模块均通信连接；在芯片输送机构将FLASH芯片送入到检测区域后，测试位姿判断模块通过高精度相机拍摄FLASH芯片在检测区域的位置姿态图像并将其标记为位姿待测图像，并从处理器调取预设的位姿标准图像；

将位姿待测图像和位姿标准图像相互重叠以得到两者的重合偏差数据，需要说明的是，重合偏差数据是表示两图像之间的偏差程度大小的数据量值，重合偏差数据的数值越大，表明两图像的重合度越低，芯片的位置和姿态越不符合要求；比如，当重合偏差数据的数值为零时，表明两图像完全重合，芯片的位置和姿态不存在任何偏差，完全符合要求；

将重合偏差数据与预设重合偏差数据阈值进行数值比较，若重合偏差数据未超过预设重合偏差数据阈值，则生成位姿合格信号；若重合偏差数据超过预设重合偏差数据阈值，则生成位姿偏离预警信号，且将位姿偏离预警信号经处理器发送至显示预警模块，显示预警模块对位姿偏离预警信号进行显示并发出相应预警，操作管理人员接收到相应预警时及时进行待检测的FLASH芯片的位置和姿态调整，以确保每个芯片在正确的位置和姿态下接受检测，从而有助于提升芯片检测结果的精准性并保证检测操作顺利稳定进行；

在生成位姿合格信号时，机台稳定性检测模块将芯片检测机台的稳定性状况进行分析，据此以生成稳定性正常信号或稳定性异常信号，且将稳定性异常信号经处理器发送至显示预警模块，显示预警模块将稳定性异常信号进行显示并发出相应预警，以提醒操作管理人员及时进行芯片检测机台及相关设备的检查维护，从而保证芯片检测操作的稳定进行，进一步提升芯片检测结果的精准性；机台稳定性检测模块的具体运行过程如下：

在芯片检测机台上设定若干个检测点，采集到对应检测点的三向振频值和三向振幅值，其中，三向振频值是表示检测点所受到的X向、Y向和Z向的振动频率的平均值，三向振幅值是表示检测点所受到的X向、Y向和Z向的振动幅度的平均值；通过公式SX=hk1*SF+hk2*SG将三向振频值SF和三向振幅值SG进行赋权求和计算得到三向振动值SX，其中，hk1、hk2为预设权重系数，hk2＞hk1＞0；并且，三向振动值SX的数值越大，表明对应检测点的振动表现越严重；将所有检测点的三向振动值进行求和计算并取均值以得到三向振况值，将三向振况值与预设三向振况阈值进行数值比较，若三向振况值超过预设三向振况阈值，表明芯片检测机台的整体振动状况表现越差，则生成稳定性异常信号；

若三向振况值未超过预设三向振况阈值，则将对应检测点的三向振动值与预设三向振动阈值进行数值比较，若三向振动值超过预设三向振动阈值，则将对应检测点标记为振测影响点；获取到振测影响点的数量，并将其与检测点的数量进行比值计算得到振测影数占比值；将振测影数占比值与预设振测影数占比阈值进行数值比较，若振测影数占比值超过预设振测影数占比阈值，则生成稳定性异常信号；

若振测影数占比值未超过预设振测影数占比阈值，则采集到振测影响点的位置，基于振测影响点的位置和检测区域中心点的位置以得到两者之间的距离并将其标记为振影点距值；需要说明的是，振影点距值的数值越小，表明对应振测影响点与检测区域中心点的距离越近，对检测结果准确性的不利影响越大，且越不利于检测过程的稳定进行；将所有振测影响点的振影点距值进行求和计算并取均值以得到振影距表值，将数值最小的振影点距值标记为振影近距值；

通过公式将三向振况值FP、振测影数占比值FG、振影距表值FR和振影近距值FD进行数值计算得到机台稳测值FX，其中，sq1、sq2、sq3、sq4为预设比例系数，sq1、sq2、sq3、sq4的取值均大于零；并且，机台稳测值FX的数值越大，表明整体而言机台稳定性状况越差；将机台稳测值FX与预设机台稳测阈值进行数值比较，若机台稳测值FX超过预设机台稳测阈值，表明整体而言机台稳定性状况较差，则生成稳定性异常信号，若机台稳测值FX未超过预设机台稳测阈值，表明整体而言机台稳定性状况较好，则生成稳定性正常信号。

在生成稳定性正常信号时，测试环影决策模块将检测区域的环境状况进行分析，据此以生成测环正常信号或测环异常信号，且将测环异常信号经处理器发送至显示预警模块，显示预警模块对测环异常信号进行显示并发出相应预警，以提醒操作管理人员及时对检测区域进行环境合理调控，使FLASH芯片所处的测试环境处于最适状态，从而进一步保证芯片检测结果的精准性；测试环境决策模块的具体运行过程如下：

采集到检测区域的光线颜色偏离值、光照亮度偏离值以及空气浑浊度数据，其中，空气浑浊度数据是表示空气中粉尘浓度的数据量值，粉尘浓度越大，表明空气透明度和洁净度越差，越不利于保证检测结果精准性，则空气浑浊度数据的数值越大；光线颜色偏离值是表示光线颜色相较于预设适宜光线颜色的偏离程度大小的数据量值，光照亮度偏离值是表示光照亮度相较于预设适宜光照亮度的偏离程度大小的数据量值；并且，光线颜色偏离值、光照亮度偏离值的数值越大，越不利于保证检测结果的准确性；

通过公式GT=rd1*GY+rd2*GF+rd3*GP将光线颜色偏离值GY、光照亮度偏离值GF和空气浑浊度GP进行数值计算得到光气影响值GT，其中，rd1、rd2、rd3为预设权重系数，rd3＞rd2＞rd1＞0；并且，光气影响值GT的数值越大，表明越不利于保证检测结果的精准性；将光气影响值GT与预设光气影响阈值进行数值比较，若光气影响值GT超过预设光气影响阈值，则生成环测异常信号；

若光气影响值GT未超过预设光气影响阈值，则采集到检测区域中的环境温度数据、环境湿度数据、环境风速数据和环境气压数据，将环境温度数据与预设适宜测试环境温度值进行差值计算并取绝对值以得到测温表现值，将环境湿度数据与预设适宜测试环境湿度值进行差值计算并取绝对值以得到测湿表现值，将环境气压数据与预设适宜测试环境气压值进行差值计算并取绝对值以得到测压表现值；需要说明的是，测温表现值、测湿表现值、测压表现值和环境风速数据的数值越大，则越不利于保证检测结果的精准性；

通过公式将测温表现值WK、测湿表现值WG、测压表现值WD和环境风速数据WF进行归一化计算得到附加决策值WQ；其中，rp1、rp2、rp3、rp4为预设比例系数，rp1、rp2、rp3、rp4的取值均大于零；并且，附加决策值WQ的数值越大，表明越不利于保证检测结果的准确性；将附加决策值WQ与预设附加决策阈值进行数值比较，若附加决策值WQ超过预设附加决策阈值，则生成环测异常信号，若附加决策值WQ未超过预设附加决策阈值，则生成环测正常信号。

并且，在生成测环正常信号时，表明芯片检测的前置准备操作无异常，能够保证当次检测操作的顺利稳定进行并保证检测结果准确性，通过芯片检测机构对检测区域的FLASH芯片进行检测，芯片质量评估模块基于FLASH芯片的相关测试结果以对其质量进行评估；芯片检测机构通过ID测试、容量测试和速率测试以得到ID测试判断结果、容量测试判断结果和速率测试判断结果，并将相关测试判断结果经处理器发送至芯片质量评估模块；

芯片质量评估模块在接收到对应FLASH芯片的ID测试、容量测试和速率测试均符合要求的测试判断结果时，表明对应FLASH芯片的各方面性能表现均较好，则将对应FLASH芯片标记为无异芯片，其余情况则表明对应FLASH芯片存在异常，并将对应FLASH芯片标记为存异芯片，且将存异芯片的测试信息经处理器发送至显示预警模块，以便操作管理人员详细掌握各个FLASH芯片的质量状况，并基于芯片质量状况对其进行针对性的处理，比如将存异芯片报废或进行其它改善措施；

进一步而言，芯片质量评估模块还用于采集到对应批次的所有FLASH芯片的评估结果，将对应批次中存异芯片的数量和无异芯片的数量分别标记为存异数表值和无异数表值，将存异数表值与无异数表值进行比值计算得到存异数占值，通过公式YF=ed1*YK+ed2*YP将存异数占值YK和存异数表值YP进行数值计算得到芯片加工检测值YF；其中，ed1、ed2为预设权重系数，ed1＞ed2＞0；并且，芯片加工检测值YF的数值大小与存异数占值YK以及存异数表值YP均呈正比关系，芯片加工检测值YF的数值越大，表明对应批次的芯片质量整体而言越差，相应生产线对应时间内的加工状况越差；

将芯片加工检测值YF与预设芯片加工检测阈值进行数值比较，若芯片加工检测值YF超过预设芯片加工检测阈值，表明对应批次的芯片质量整体而言较差，相应生产线对应时间内的加工状况较差，则生成批次加工预警信号，且将批次加工预警信号经处理器发送至显示预警模块，显示预警模块对批次加工预警信号进行显示并发出相应预警，以提醒操作管理人员，操作管理人员及时进行相应生产线的设备、人员调查，以保证相应生产线所生产的FLASH芯片的产品质量，减小瑕疵品的生产，降低生产成本。

实施例二：如图3所示，本实施例与实施例1的区别在于，在进行对应FLASH芯片的检测前，若生成姿偏离预警信号、稳定性异常信号或测环异常信号，则生成测前判断符号CR-1；处理器与测试管控评估模块通信连接，测试管控通信模块采集到单位时间内测前判断符号CR-1的生成次数并将其标记为前置管控数表值，将前置管控数表值与单位时间内进行芯片检测分析过程的数量进行比值计算得到前置管控数占值；

通过公式QZ=a1*QS+a2*QD将前置管控数占值QS与前置管控数表值QD进行数值计算得到前置管控评估值QZ，其中，a1、a2为预设权重系数，a1＞a2＞0；并且，前置管控评估值QZ的数值大小与前置管控数占值QS以及前置管控数表值QD均呈正比关系，前置管控评估值QZ的数值越大，表明测试前的准备操作的管控效果越差；将前置管控评估值QZ与预设前置管控评估阈值进行数值比较，若前置管控评估值QZ超过预设前置管控评估阈值，则生成管控不合格信号；

若前置管控评估值QZ未超过预设前置管控评估阈值，则采集到芯片检测机构进行对应FLASH芯片的初始检测时刻和结束检测时刻，将结束检测时刻减去初始检测时刻以得到检测分析时长，需要说明的是，检测分析时长的数值越大，表明对应检测分析过程的效率越低；将检测分析时长与预设检测分析时长阈值进行数值比较，若检测分析时长超过对应预设检测分析时长阈值，则将对应检测分析过程标记为低效测析过程；采集到单位时间内低效测析过程的数量并将其标记为低效数表值，将低效数表值与单位时间内进行芯片检测分析过程的数量进行比值计算得到低效数占值；

通过公式CX=b1*CF+b2*CY将低效数表值CF与低效占比值CY进行数值计算得到测效评估值CX；其中，b1、b2为预设权重系数，b2＞b1＞0；并且，测效评估值CX的数值大小与低效数表值CF以及低效占比值CY均呈正比关系，测效评估值CX的数值越大，表明芯片检测机构的操作表现越差，测试管控越不正常；将测效评估值CX与预设测效评估阈值进行数值比较，若测效评估值CX超过预设测效评估阈值，则生成管控不合格信号；若测效评估值CX未超过预设测效评估阈值，则生成管控合格信号。

进一步而言，测试管控评估模块在生成管控不合格信号时，将管控不合格信号经处理器发送至显示预警模块，显示预警模块将管控不合格信号进行显示并发出相应预警，以及时提醒操作管理人员，操作管理人员接收到相应预警时应当及时进行原因调查，并进行相应设备的检查维护，从而保证芯片检测操作的操作效率和检测结果精准性，并降低检测难度和检测异常发生频率，有助于FLASH芯片检测机台的高效且稳定运行。

本发明的工作原理：使用时，通过芯片输送机构将封装完成的FLASH芯片送入到芯片检测机台的检测区域，芯片检测机构对FLASH芯片进行自动ID测试、容量测试和速率测试，并将相关测试判断结果经处理器发送至芯片质量评估模块，芯片质量评估模块在接收到相应测试判断结果时，将对应FLASH芯片标记为无异芯片或存异芯片，并判断一定时间内所生产的FLASH芯片的批次质量状况，以便操作管理人员详细掌握各个FLASH芯片的品质和批次品质，方便针对性的进行后续管理措施；且在进行芯片检测前，通过测试位姿判断模块将检测区域的FLASH芯片的位置和姿态进行偏离程度判断，在生成位姿合格信号时通过机台稳定性检测模块将芯片检测机台的稳定性状况进行分析，在生成稳定性正常信号时通过测试环影决策模块将检测区域的环境状况进行分析，能够对检测前的各项准备操作进行递进式合理分析，并准确评估对检测结果带来的负面影响状况，有利于保证FLASH芯片检测过程的稳定顺利进行，显著提升检测结果的精准性，自动化程度和智能化程度高。

上述公式均是去量纲取其数值计算，公式是由采集大量数据进行软件模拟得到最近真实情况的一个公式，公式中的预设参数由本领域的技术人员根据实际情况进行设置。以上公开的本发明优选实施例只是用于帮助阐述本发明。优选实施例并没有详尽叙述所有的细节，也不限制该发明仅为的具体实施方式。显然，根据本说明书的内容，可作很多的修改和变化。本说明书选取并具体描述这些实施例，是为了更好地解释本发明的原理和实际应用，从而使所属技术领域技术人员能很好地理解和利用本发明。本发明仅受权利要求书及其全部范围和等效物的限制。

Claims (8)

1.一种自动FLASH芯片检测机台，其特征在于，包括芯片输送机构、芯片检测机构和控制面板；芯片输送机构将封装完成的FLASH芯片送入到芯片检测机台的检测区域，芯片检测机构包括多个显微镜头和探针，显微镜头用于观察FLASH芯片的外观和内部结构，探针用于对FLASH芯片进行电性能测试；其中，控制面板包括处理器、测试位姿判断模块、机台稳定性检测模块、测试环影决策模块、芯片质量评估模块以及显示预警模块；

在芯片输送机构将FLASH芯片送入到检测区域后，测试位姿判断模块通过高精度相机拍摄FLASH芯片在检测区域的位置姿态图像并将其标记为位姿待测图像，并从处理器调取预设的位姿标准图像，将位姿待测图像和位姿标准图像相互重叠以得到两者的重合偏差数据，将重合偏差数据与预设重合偏差数据阈值进行数值比较，若重合偏差数据未超过预设重合偏差数据阈值，则生成位姿合格信号；若重合偏差数据超过预设重合偏差数据阈值，则生成位姿偏离预警信号，且将位姿偏离预警信号经处理器发送至显示预警模块；

在生成位姿合格信号时，机台稳定性检测模块将芯片检测机台的稳定性状况进行分析，据此以生成稳定性正常信号或稳定性异常信号，且将稳定性异常信号经处理器发送至显示预警模块；在生成稳定性正常信号时，测试环影决策模块将检测区域的环境状况进行分析，据此以生成测环正常信号或测环异常信号，且将测环异常信号经处理器发送至显示预警模块；在生成测环正常信号时通过芯片检测机构对检测区域的FLASH芯片进行检测，芯片质量评估模块基于FLASH芯片的相关测试结果以对其质量进行评估。

2.根据权利要求1所述的一种自动FLASH芯片检测机台，其特征在于，芯片检测机构在进行芯片检测时，通过显微镜头观察FLASH芯片的外观和内部结构以获取FLASH芯片的ID信息，探针精确地对FLASH芯片进行电性能测试，以验证ID信息的正确性，实现自动ID测试；且通过显微镜头观察到FLASH芯片的存储单元，通过探针向存储单元写入大量数据，并验证数据的可读性，判断FLASH芯片的存储容量是否符合要求，实现容量测试；以及通过探针向FLASH芯片发送数据，并记录数据传输的时间，以计算出FLASH芯片的读取速度、写入速度和擦除速度的性能参数，实现速率测试。

3.根据权利要求2所述的一种自动FLASH芯片检测机台，其特征在于，机台稳定性检测模块的具体运行过程包括：

在芯片检测机台上设定若干个检测点，采集到对应检测点的三向振频值和三向振幅值，将三向振频值和三向振幅值进行赋权求和计算得到三向振动值，将所有检测点的三向振动值进行求和计算并取均值以得到三向振况值，若三向振况值超过预设三向振况阈值，则生成稳定性异常信号；

若三向振况值未超过预设三向振况阈值，则将对应检测点的三向振动值与预设三向振动阈值进行数值比较，若三向振动值超过预设三向振动阈值，则将对应检测点标记为振测影响点；获取到振测影响点的数量，并将其与检测点的数量进行比值计算得到振测影数占比值；若振测影数占比值超过预设振测影数占比阈值，则生成稳定性异常信号。

4.根据权利要求3所述的一种自动FLASH芯片检测机台，其特征在于，若振测影数占比值未超过预设振测影数占比阈值，则采集到振测影响点的位置，基于振测影响点的位置和检测区域中心点的位置以得到两者之间的距离并将其标记为振影点距值，将所有振测影响点的振影点距值进行求和计算并取均值以得到振影距表值，将数值最小的振影点距值标记为振影近距值；

将三向振况值、振测影数占比值、振影距表值和振影近距值进行数值计算得到机台稳测值，若机台稳测值超过预设机台稳测阈值，则生成稳定性异常信号，若机台稳测值未超过预设机台稳测阈值，则生成稳定性正常信号。

5.根据权利要求1所述的一种自动FLASH芯片检测机台，其特征在于，测试环境决策模块的具体运行过程包括：

采集到检测区域的光线颜色偏离值、光照亮度偏离值以及空气浑浊度数据，将光线颜色偏离值、光照亮度偏离值和空气浑浊度进行数值计算得到光气影响值，若光气影响值超过预设光气影响阈值，则生成环测异常信号；若光气影响值未超过预设光气影响阈值，则通过附加决策分析以得到附加决策值，若附加决策值超过预设附加决策阈值，则生成环测异常信号，若附加决策值未超过预设附加决策阈值，则生成环测正常信号。

6.根据权利要求5所述的一种自动FLASH芯片检测机台，其特征在于，附加决策分析的具体分析过程如下；

采集到检测区域中的环境温度数据、环境湿度数据、环境风速数据和环境气压数据，将环境温度数据与预设适宜测试环境温度值进行差值计算并取绝对值以得到测温表现值，同理获取到测湿表现值和测压表现值，将测温表现值、测湿表现值、测压表现值和环境风速数据进行归一化计算得到附加决策值。

7.根据权利要求2所述的一种自动FLASH芯片检测机台，其特征在于，芯片检测机构通过ID测试、容量测试和速率测试以得到ID测试判断结果、容量测试判断结果和速率测试判断结果，并将相关测试判断结果经处理器发送至芯片质量评估模块，芯片质量评估模块在接收到对应FLASH芯片的ID测试、容量测试和速率测试均符合要求的测试判断结果时，将对应FLASH芯片标记为无异芯片，其余情况则将对应FLASH芯片标记为存异芯片，且将存异芯片的测试信息经处理器发送至显示预警模块；

芯片质量评估模块还用于采集到对应批次的所有FLASH芯片的评估结果，将对应批次中存异芯片的数量和无异芯片的数量分别标记为存异数表值和无异数表值，将存异数表值与无异数表值进行比值计算得到存异数占值，将存异数占值和存异数表值进行数值计算得到芯片加工检测值；若芯片加工检测值超过预设芯片加工检测阈值，则生成批次加工预警信号，且将批次加工预警信号经处理器发送至显示预警模块。

8.根据权利要求1所述的一种自动FLASH芯片检测机台，其特征在于，在进行对应FLASH芯片的检测前，若生成姿偏离预警信号、稳定性异常信号或测环异常信号，则生成测前判断符号CR-1；处理器与测试管控评估模块通信连接，测试管控通信模块采集到单位时间内测前判断符号CR-1的生成次数并将其标记为前置管控数表值，将前置管控数表值与单位时间内进行芯片检测分析过程的数量进行比值计算得到前置管控数占值；将前置管控数占值与前置管控数表值进行数值计算得到前置管控评估值，若前置管控评估值超过预设前置管控评估阈值，则生成管控不合格信号；

若前置管控评估值未超过预设前置管控评估阈值，则采集到芯片检测机构进行对应FLASH芯片的初始检测时刻和结束检测时刻，将结束检测时刻减去初始检测时刻以得到检测分析时长，若检测分析时长超过对应预设检测分析时长阈值，则将对应检测分析过程标记为低效测析过程；

采集到单位时间内低效测析过程的数量并将其标记为低效数表值，将低效数表值与单位时间内进行芯片检测分析过程的数量进行比值计算得到低效数占值，将低效数表值与低效占比值进行数值计算得到测效评估值；若测效评估值超过预设测效评估阈值，则生成管控不合格信号；且将管控不合格信号经处理器发送至显示预警模块。