CN117276387A - 异质结电池、制备方法及光伏组件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种异质结电池、制备方法及光伏组件，属于太阳能电池制造技术领域。异质结电池包括单晶硅片基底；单晶硅片基底的受光面上依次有第一非晶/微晶薄膜层、第一TCO薄膜导电层、第一金属化栅线、第一金属化主栅保护层和第一致密性薄膜层，第一金属化栅线包含第一金属化主栅和第一金属化细栅；单晶硅片基底的背光面上依次有第二非晶/微晶薄膜层、第二TCO薄膜导电层、第二金属化栅线、第二金属化主栅保护层和第二致密性薄膜层，第二金属化栅线包含第二金属化主栅和第二金属化细栅。本发明通过金属化主栅保护层和致密性薄膜层的引入，在增加电池效率的同时，提升了产品的可靠性和耐候性，实现了实验室提效技术到电池、组件技术的量产转移。

Description

异质结电池、制备方法及光伏组件
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造技术领域，尤其涉及一种异质结电池、制备方法及光伏组件。
背景技术
随着太阳能电池技术的发展，高效电池的开发越来越受重视。PERC电池经过多年的发展，转换效率已接近极限。而N型技术也逐步渗入，市场占比稳步提升。细数N型电池技术，Topcon电池和异质结电池(HJT)电池各具特点。在量产产线，HJT电池量产转换效率相较Topcon存在0.5％效率增益。而在实验室，HJT电池最高效率较Topcon电池最高效率还存在1％以上效率差异。对此，如何将实验室技术应用在量产产线，并得以有效实施，是提升HJT电池量产效率的有效手段，也是发展HJT电池产业的必经之路。实验室技术端，在硅片表面制备一层高致密性且存在减反射作用的薄膜，用以增加光的吸收，从而提升电池片转换效率。但在实际量产过程中，此类型高致密薄膜会导致组件焊接过程中，焊带熔锡差，无法进行串焊，导致此致密性膜层无法有效运用在量产产线。
此外，异质结电池表面为一层透明导电薄膜-TCO膜层。TCO膜层与传统封装胶膜粘结力弱，且无法对水汽进行有效阻隔，进而导致组件可靠性较差，易出现白斑、脱层、效率衰减等问题。为解决上述问题，当前行业采用改善封装膜材料、封装结构的方式来解决此类问题，例如在光伏组件边缘增加丁基胶条，来增加对水汽的阻隔性能。但这种方法带来的弊端也是显而易见的：1)丁基胶的引入会造成组件封装成本的显著提高；2)由于丁基胶封装中的缺口以及丁基胶与胶膜的重叠也会引入可靠性风险。
综上，需要开发一种新的电池/组件技术，来提高该类型光伏产品的转换效率和耐候性能。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供一种异质结电池、制备方法及光伏组件。本发明的技术方案如下：
第一方面，提供一种异质结电池，其包括单晶硅片基底；所述单晶硅片基底的受光面上沉积有第一非晶/微晶薄膜层，所述第一非晶/微晶薄膜层上沉积有第一TCO薄膜导电层，所述第一TCO薄膜导电层上形成有第一金属化栅线，所述第一金属化栅线包含第一金属化主栅和第一金属化细栅，所述第一金属化主栅上形成有第一金属化主栅保护层，所述第一TCO薄膜导电层、第一金属化细栅和第一金属化主栅保护层上形成有第一致密性薄膜层；所述单晶硅片基底的背光面上沉积有第二非晶/微晶薄膜层，所述第二非晶/微晶薄膜层上沉积有第二TCO薄膜导电层，所述第二TCO薄膜导电层上形成有第二金属化栅线，所述第二金属化栅线包含第二金属化主栅和第二金属化细栅，所述第二金属化主栅上形成有第二金属化主栅保护层，所述第二TCO薄膜导电层、第二金属化细栅和第二金属化主栅保护层上形成有第二致密性薄膜层。
可选地，所述第一金属化主栅保护层全部覆盖所述第一金属化主栅、部分覆盖所述第一金属化主栅或者超出所述第一金属化主栅；所述第二金属化主栅保护层全部覆盖所述第二金属化主栅、部分覆盖所述第二金属化主栅或者超出所述第二金属化主栅。
可选地，所述第一金属化主栅保护层和第二金属化主栅保护层在沿硅片垂直方向的厚度均为2nm-10μm。
可选地，所述第一致密性薄膜层和第二致密性薄膜层的膜层折射率均为1.2-2.3，厚度均为10-200nm。
可选地，所述第一致密性薄膜层和第二致密性薄膜层的材料均为SiNx、SiOx、MgF2和AlOx中的一种或两种材料的组合。
可选地，所述第一金属化主栅保护层和第二金属化主栅保护层的材料均为低熔点金属、低熔点聚合物、低熔点树脂、低玻璃化温度的聚合物、低黏流温度的聚合物、低玻璃化温度的树脂或低黏流温度的树脂。
第二方面，提供一种异质结电池的制备方法，所述制备方法包括如下步骤：
S1，对单晶硅片基底进行扩散；
S2，对扩散处理后的单晶硅片基底进行制绒清洗；
S3，分别在制绒清洗后的正面和背面沉积第一非晶/微晶薄膜层和第二非晶/微晶薄膜层，形成p-n结；
S4，分别在第一非晶/微晶薄膜层和第二非晶/微晶薄膜层上沉积第一TCO薄膜导电层和第二TCO薄膜导电层；
S5，分别在第一TCO薄膜导电层和第二TCO薄膜导电层上制备第一金属化栅线和第二金属化栅线，形成金属化电极图形，所述第一金属化栅线包含第一金属化主栅和第一金属化细栅，所述第二金属化栅线包含第二金属化主栅和第二金属化细栅；
S6，分别在第一金属化主栅和第二金属化主栅上制备第一金属化主栅保护层和第二金属化主栅保护层；
S7，在第一TCO薄膜导电层、第一金属化细栅和第一金属化主栅保护层上制备第一致密性薄膜层，在第二TCO薄膜导电层、第二金属化细栅和第二金属化主栅保护层上制备第二致密性薄膜层；
S8，对S7处理后的电池片进行固化和光注入处理，得到制备好的电池片。
可选地，所述S6制备第一金属化主栅保护层和第二金属化主栅保护层的方式为丝网印刷、喷涂或掩膜镀膜。
可选地，所述S7制备第一致密性薄膜层和第二致密性薄膜层的方式为APCVD、LPCVD、PECVD、PVD或ALD。
第三方面，提供一种光伏组件，所述光伏组件包括多片相互串联或并联的异质结电池，所述异质结电池为上述第一方面所述的异质结电池。
上述所有可选技术方案均可任意组合，本发明不对一一组合后的结构进行详细说明。
借由上述方案，本发明的有益效果如下：
通过设置第一致密性薄膜层和第二致密性薄膜层，可以有效降低电池表面的光发射，增强光子的吸收，提升异质结电池的转换效率，并隔绝水汽，减少水汽对非晶/微晶薄膜层、TCO薄膜导电层、TCO薄膜导电层与电极接触的影响，从而提升异质结电池的可靠性。又通过引入第一金属化主栅保护层和第二金属化主栅保护层，解决制备高致密薄膜后的焊接不熔锡问题，使主栅的焊接区域在后续工艺得到充分的裸露，保证其与焊接材料的充分接触。综上，本发明通过金属化主栅保护层和致密性薄膜层的引入，在增加电池效率的同时，提升了产品的可靠性和耐候性，实现了实验室提效技术到电池、组件技术的量产转移。
上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，并可依照说明书的内容予以实施，以下以本发明的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
附图说明
图1是本发明的结构示意图。
图2是本发明中第一金属化主栅、第一金属化主栅保护层和第一致密性薄膜层之间的第一种尺寸关系示意图。
图3是本发明中第一金属化主栅、第一金属化主栅保护层和第一致密性薄膜层之间的第二种尺寸关系示意图。
图4是本发明中第一金属化主栅、第一金属化主栅保护层和第一致密性薄膜层之间的第三种尺寸关系示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
如图1所示，本发明实施例提供的异质结电池，其包括单晶硅片基底1；所述单晶硅片基底1的受光面上沉积有第一非晶/微晶薄膜层2，所述第一非晶/微晶薄膜层2上沉积有第一TCO薄膜导电层3，所述第一TCO薄膜导电层3上形成有第一金属化栅线，第一金属化栅线包含有第一金属化主栅4和第一金属化细栅，所述第一金属化主栅4上形成有第一金属化主栅保护层5，所述第一TCO薄膜导电层3、第一金属化细栅和第一金属化主栅保护层5上形成有第一致密性薄膜层6；所述单晶硅片基底1的背光面上沉积有第二非晶/微晶薄膜层7，所述第二非晶/微晶薄膜层7上沉积有第二TCO薄膜导电层8，所述第二TCO薄膜导电层8上形成有第二金属化栅线，第二金属化栅线包含有第二金属化主栅9和第二金属化细栅，所述第二金属化主栅9上形成有第二金属化主栅保护层10，所述第二TCO薄膜导电层8、第二金属化细栅和第二金属化主栅保护层10上形成有第二致密性薄膜层11。
可选地，如图2所示，所述第一金属化主栅保护层5全部覆盖所述第一金属化主栅4；或者，如图3所示，所述第一金属化主栅保护层5部分覆盖所述第一金属化主栅4；或者，如图4所示，所述第一金属化主栅保护层5超出所述第一金属化主栅4。同理，所述第二金属化主栅保护层10全部覆盖所述第二金属化主栅9；或者，所述第二金属化主栅保护层10部分覆盖所述第二金属化主栅9；或者，所述第二金属化主栅保护层10超出所述第二金属化主栅9。
可选地，所述第一金属化主栅保护层5和第二金属化主栅保护层10在沿硅片垂直方向的厚度均为2nm-10μm。
可选地，所述第一致密性薄膜层6和第二致密性薄膜层11的膜层折射率均为1.2-2.3，厚度均为10-200nm。
可选地，所述第一致密性薄膜层6和第二致密性薄膜层11的材料均为SiNx、SiOx、MgF2或AlOx等中的一种或两种材料的组合。
可选地，所述第一金属化主栅保护层5和第二金属化主栅保护层10的材料均为低熔点金属、低熔点聚合物、低熔点树脂、低玻璃化温度的聚合物、低黏流温度的聚合物、低玻璃化温度的树脂或低黏流温度的树脂。其中，低熔点是指熔点低于270℃的金属或聚合物。低熔点金属包括但不限于为Sn、In、Bi、Pb等以及其合金物。所述低玻璃化温度的聚合物、低黏流温度的聚合物、低玻璃化温度的树脂或低黏流温度的树脂等有机物类材料，其特性应不与金属化浆料反应。第一金属化主栅保护层5和第二金属化主栅保护层10起到了在主栅上分裂的效果。
本发明实施例提供的异质结电池，通过设置第一致密性薄膜层6和第二致密性薄膜层11，可以有效降低电池表面的光发射，增强光子的吸收，提升异质结电池的转换效率，并隔绝水汽，减少水汽对非晶/微晶薄膜层、TCO薄膜导电层、TCO薄膜导电层与电极接触的影响，从而提升异质结电池的可靠性。又通过引入第一金属化主栅保护层5和第二金属化主栅保护层10，并在制备时固化后达到熔融状态，使得影响光伏组件焊接性能的高致密薄膜分裂，解决制备高致密薄膜后的焊接不熔锡问题，使主栅的焊接区域在后续工艺得到充分的裸露，保证其与焊接材料的充分接触。综上，本发明实施例通过金属化主栅保护层和致密性薄膜层的引入，在增加电池效率的同时，提升了产品的可靠性和耐候性，实现了实验室提效技术到电池、组件技术的量产转移。
本发明实施例还提供一种异质结电池的制备方法，所述制备方法用于制备上述异质结电池，所述制备方法包括如下步骤：
S1，对单晶硅片基底1进行扩散。
具体地，该步骤通过管式扩P或者链式涂覆P源后高温扩散。该步骤用于降低单晶硅片基底1中杂质含量，减少单晶硅片基底1中少数载流子的复合中心。
S2，对扩散处理后的单晶硅片基底1进行制绒清洗。
具体地，该步骤通过碱溶液对单晶硅片基底1的各向异性腐蚀，得到金字塔形状的绒面，并对绒面形貌进行圆滑处理后，利用RCA清洗使单晶硅片基底1表面达到高洁净度。
S3，分别在制绒清洗后的正面和背面沉积第一非晶/微晶薄膜层2和第二非晶/微晶薄膜层7，形成p-n结。
具体地，该步骤可以通过等离子体增强化学气相沉积方式来实现。
S4，分别在第一非晶/微晶薄膜层2和第二非晶/微晶薄膜层7上沉积第一TCO薄膜导电层3和第二TCO薄膜导电层8。
具体地，该步骤可以通过PVD或RPD方式来实现。第一TCO薄膜导电层3和第二TCO薄膜导电层8为高透光率的金属氧化物薄膜，它们能降低反射率，同时能将光生载流子传输到金属电极上。
S5，分别在第一TCO薄膜导电层3和第二TCO薄膜导电层8上制备第一金属化栅线和第二金属化栅线，形成金属化电极图形，所述第一金属化栅线包含第一金属化主栅4和第一金属化细栅，所述第二金属化栅线包含第二金属化主栅9和第二金属化细栅。
具体地，该步骤可以利用丝网印刷或铜电镀等技术来实现。
S6，分别在第一金属化主栅4和第二金属化主栅9上制备第一金属化主栅保护层5和第二金属化主栅保护层10。
可选地，所述S6制备第一金属化主栅保护层5和第二金属化主栅保护层10的方式为丝网印刷、喷涂或掩膜镀膜等方法，优选为丝网印刷。
S7，在第一TCO薄膜导电层3、第一金属化细栅和第一金属化主栅保护层5上制备第一致密性薄膜层6，在第二TCO薄膜导电层8、第二金属化细栅和第二金属化主栅保护层10上制备第二致密性薄膜层11。
可选地，所述S7制备第一致密性薄膜层6和第二致密性薄膜层11的方式为APCVD、LPCVD、PECVD、PVD或ALD等工艺方法。
S8，对S7处理后的电池片进行固化和光注入处理，得到制备好的电池片。
具体地，固化是通过一定温度(固化温度高于第一金属化主栅保护层5和第二金属化主栅保护层10的熔点或相变温度)和时间，对电池片进行固化，形成良好的欧姆接触，并对金属化主栅保护层进行熔融(或相变)，以确保光伏组件焊接正常。光注入处理是利用光注入技术，降低a-Si:H/c-Si界面复合，改善TCO及Ag接触。
为说明本发明实施例提供的制备方法的有益效果，下面提供如下对比例和实施例。其中，对比例为常规异质结电池的制备工艺流程，实施例一至实施例三为本发明实施例提供的异质结电池的制备工艺流程。
对比例，制备方法包括：
A、对N型厚度为110μm，电阻率为1Ω*cm的单晶硅片进行P扩散吸杂，吸杂温度为800℃；
B、对硅片进行制绒清洗处理，形成金字塔绒面，去除杂质离子及进行表面清洁，绒面大小为1μm；
C、通过等离子体化学气相沉积制备正背面的双本征非晶硅层及掺杂非晶/微晶硅层，正背面本征非晶硅层的厚度为8nm，P型非晶/微晶硅层的厚度为15nm，N型非晶/微晶硅层的厚度为20nm；
D、通过磁控溅射沉积ITO薄膜，正背面ITO薄膜的厚度均为100nm，采用载板上支撑硅片形成掩膜设计，掩膜宽度为1mm；
E、通过丝网印刷形成正、背面银金属电极，正面金属化主栅数目为10，主栅为焊点主栅，宽度为1.0mm，副栅线宽为0.025mm，副栅根数为114，正面银金属电极，主栅数目为10，宽度为0.8mm，主栅为焊点主栅，细栅线宽为0.025mm，细栅根数为84；
F、对硅片进行固化，固化温度为200℃，时间为15min；
G、对电池片进行光注入处理，温度为200℃，时间为20s；
H、进行测试电池的电性能；
I、使用上述电池片制作光伏组件，并测试其可靠性。
实施例一，制备方法包括：
A、对N型厚度为110μm，电阻率为1Ω*cm的单晶硅片进行P扩散吸杂，吸杂温度为800℃；
B、对硅片进行制绒清洗处理，形成金字塔绒面，去除杂质离子及进行表面清洁，绒面大小为1μm；
C、通过等离子体化学气相沉积制备正背面的双本征非晶硅层及掺杂非晶/微晶硅层，正背面本征非晶硅层的厚度为8nm，P型非晶/微晶硅层的厚度为15nm，N型非晶/微晶硅层的厚度为20nm；
D、通过磁控溅射沉积ITO薄膜，正背面ITO薄膜的厚度均为100nm，采用载板上支撑硅片形成掩膜设计，掩膜宽度为1mm；
E、通过丝网印刷形成正、背面银金属电极，正面金属化主栅数目为10，主栅为焊点主栅，宽度为1.0mm，细栅线宽为0.025mm，细栅根数为114，正面银金属电极，主栅数目为10，宽度为0.8mm，主栅为焊点主栅，细栅线宽为0.025mm，细栅根数为84；
F、使用丝网印刷技术，在主栅位置印刷环氧树脂，厚度为6μm；
G、使用等离子体增强化学气相沉积在电池片表面沉积100nm厚的SiO2薄膜；
H、对硅片进行固化，固化温度为200℃，时间为15min；
I、对电池片进行光注入处理，温度为200℃，时间为20s；
J、进行测试电池的电性能；
K、使用上述电池片制作光伏组件，并测试其可靠性。
实施例二，制备方法包括：
A、对N型厚度为110μm，电阻率为1Ω*cm的单晶硅片进行P扩散吸杂，吸杂温度为800℃；
B、对硅片进行制绒清洗处理，形成金字塔绒面，去除杂质离子及进行表面清洁，绒面大小为1μm；
C、通过等离子体化学气相沉积制备正背面的双本征非晶硅层及掺杂非晶/微晶硅层，正背面本征非晶硅层的厚度为8nm，P型非晶/微晶硅层的厚度为15nm，N型非晶/微晶硅层的厚度为20nm；
D、通过磁控溅射沉积ITO薄膜，正背面ITO薄膜的厚度均为100nm，采用载板上支撑硅片形成掩膜设计，掩膜宽度为1mm；
E、通过丝网印刷形成正、背面银金属电极，正面金属化主栅数目为10，主栅为焊点主栅，宽度为1.0mm，细栅线宽为0.025mm，细栅根数为114，正面银金属电极，主栅数目为10，宽度为0.8mm，主栅为焊点主栅，细栅线宽为0.025mm，细栅根数为84；
F、使用丝网印刷技术，在主栅位置印刷Sn浆料，厚度为1μm；
G、使用等离子体增强化学气相沉积在电池片表面沉积100nm厚的MgF2薄膜；
H、对硅片进行固化，固化温度为200℃，时间为15min；
I、对电池片进行光注入处理，温度为200℃，时间为20s；
J、进行测试电池的电性能；
K、使用上述电池片制作光伏组件，并测试其可靠性。
实施例三，制备方法包括：
A、对N型厚度为110μm，电阻率为1Ω*cm的单晶硅片进行P扩散吸杂，吸杂温度为800℃；
B、对硅片进行制绒清洗处理，形成金字塔绒面，去除杂质离子及进行表面清洁，绒面大小为1μm；
C、通过等离子体化学气相沉积制备正背面的双本征非晶硅层及掺杂非晶/微晶硅层，正背面本征非晶硅层的厚度为8nm，P型非晶/微晶硅层的厚度为15nm，N型非晶/微晶硅层的厚度为20nm；
D、通过磁控溅射沉积ITO薄膜，正背面ITO薄膜的厚度均为100nm，采用载板上支撑硅片形成掩膜设计，掩膜宽度为1mm；
E、通过丝网印刷形成正、背面银金属电极，正面金属化主栅数目为10，主栅为焊点主栅，宽度为1.0mm，细栅线宽为0.025mm，细栅根数为114，正面银金属电极，主栅数目为10，宽度为0.8mm，主栅为焊点主栅，细栅线宽为0.025mm，细栅根数为84；
F、使用掩膜镀膜技术，在主栅位置蒸镀金属Sn，厚度7nm；
G、使用等离子体增强化学气相沉积在电池片表面沉积100nm厚的SiN4薄膜；
H、对硅片进行固化，固化温度为200℃，时间为15min；
I、对电池片进行光注入处理，温度为200℃，时间为20s；
J、进行测试电池的电性能；
K、使用上述电池片制作光伏组件，并测试其可靠性。
将对比例和实施例进行对比，得到如下表1所示的实验结果。
表1
分组 转换效率/％ DH1000/％ DH2000/％ DH3000/％
对比例 25.0 1.25 2.09 3.53
实施例一 25.18 0.56 1.03 1.67
实施例二 25.20 0.63 1.06 1.58
实施例三 25.22 0.55 1.05 1.62
由表1可得，由上述对比例和实施例的数据结果可知，使用本发明实施例提供的方法，可以有效提升异质结电池的转换效率，降低异质结电池组件可靠性衰减，提升异质结电池的耐候性能。
综上，本发明实施例提供的制备方法，通过沉积第一致密性薄膜层6和第二致密性薄膜层11，可以有效降低电池表面的光发射，增强光子的吸收，提升异质结电池的转换效率，并隔绝水汽，减少水汽对非晶/微晶薄膜层、TCO薄膜导电层、TCO薄膜导电层与电极接触的影响，从而提升异质结电池的可靠性。又通过引入第一金属化主栅保护层5和第二金属化主栅保护层10，并在制备时固化后达到熔融状态，使得影响光伏组件焊接性能的高致密薄膜分裂，解决制备高致密薄膜后的焊接不熔锡问题，使主栅的焊接区域在后续工艺得到充分的裸露，保证其与焊接材料的充分接触。综上，本发明实施例通过引入金属化主栅保护层和致密性薄膜层，在增加电池效率的同时，提升了产品的可靠性和耐候性，实现了实验室提效技术到电池、组件技术的量产转移。
本发明实施例还提供一种光伏组件，所述光伏组件包括多片相互串联或并联的异质结电池，所述异质结电池为上述异质结电池。关于异质结电池的具体组成结构及制备方法已在上述实施例中进行了详细地解释说明，具体参见上述实施例中的内容，此处不再赘述。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，并不用于限制本发明，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明技术原理的前提下，还可以做出若干改进和变型，这些改进和变型也应视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种异质结电池，其特征在于，包括单晶硅片基底(1)；所述单晶硅片基底(1)的受光面上沉积有第一非晶/微晶薄膜层(2)，所述第一非晶/微晶薄膜层(2)上沉积有第一TCO薄膜导电层(3)，所述第一TCO薄膜导电层(3)上形成有第一金属化栅线，所述第一金属化栅线包含第一金属化主栅(4)和第一金属化细栅，所述第一金属化主栅(4)上形成有第一金属化主栅保护层(5)，所述第一TCO薄膜导电层(3)、第一金属化细栅和第一金属化主栅保护层(5)上形成有第一致密性薄膜层(6)；所述单晶硅片基底(1)的背光面上沉积有第二非晶/微晶薄膜层(7)，所述第二非晶/微晶薄膜层(7)上沉积有第二TCO薄膜导电层(8)，所述第二TCO薄膜导电层(8)上形成有第二金属化栅线，所述第二金属化栅线包含第二金属化主栅(9)和第二金属化细栅，所述第二金属化主栅(9)上形成有第二金属化主栅保护层(10)，所述第二TCO薄膜导电层(8)、第二金属化细栅和第二金属化主栅保护层(10)上形成有第二致密性薄膜层(11)。
2.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一金属化主栅保护层(5)全部覆盖所述第一金属化主栅(4)、部分覆盖所述第一金属化主栅(4)或者超出所述第一金属化主栅(4)；所述第二金属化主栅保护层(10)全部覆盖所述第二金属化主栅(9)、部分覆盖所述第二金属化主栅(9)或者超出所述第二金属化主栅(9)。
3.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一金属化主栅保护层(5)和第二金属化主栅保护层(10)在沿硅片垂直方向的厚度均为2nm-10μm。
4.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一致密性薄膜层(6)和第二致密性薄膜层(11)的膜层折射率均为1.2-2.3，厚度均为10-200nm。
5.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一致密性薄膜层(6)和第二致密性薄膜层(11)的材料均为SiNx、SiOx、MgF2和AlOx中的一种或两种材料的组合。
6.根据权利要求1所述的异质结电池，其特征在于，所述第一金属化主栅保护层(5)和第二金属化主栅保护层(10)的材料均为低熔点金属、低熔点聚合物、低熔点树脂、低玻璃化温度的聚合物、低黏流温度的聚合物、低玻璃化温度的树脂或低黏流温度的树脂。
7.一种异质结电池的制备方法，其特征在于，所述制备方法用于制备权利要求1至6中任一权利要求所述的异质结电池，所述制备方法包括如下步骤：
S1，对单晶硅片基底(1)进行扩散；
S2，对扩散处理后的单晶硅片基底(1)进行制绒清洗；
S3，分别在制绒清洗后的正面和背面沉积第一非晶/微晶薄膜层(2)和第二非晶/微晶薄膜层(7)，形成p-n结；
S4，分别在第一非晶/微晶薄膜层(2)和第二非晶/微晶薄膜层(7)上沉积第一TCO薄膜导电层(3)和第二TCO薄膜导电层(8)；
S5，分别在第一TCO薄膜导电层(3)和第二TCO薄膜导电层(8)上制备第一金属化栅线和第二金属化栅线，形成金属化电极图形，所述第一金属化栅线包含第一金属化主栅(4)和第一金属化细栅，所述第二金属化栅线包含第二金属化主栅(9)和第二金属化细栅；
S6，分别在第一金属化主栅(4)和第二金属化主栅(9)上制备第一金属化主栅保护层(5)和第二金属化主栅保护层(10)；
S7，在第一TCO薄膜导电层(3)、第一金属化细栅和第一金属化主栅保护层(5)上制备第一致密性薄膜层(6)，在第二TCO薄膜导电层(8)、第二金属化细栅和第二金属化主栅保护层(10)上制备第二致密性薄膜层(11)；
S8，对S7处理后的电池片进行固化和光注入处理，得到制备好的电池片。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述S6制备第一金属化主栅保护层(5)和第二金属化主栅保护层(10)的方式为丝网印刷、喷涂或掩膜镀膜。
9.根据权利要求7或8所述的制备方法，其特征在于，所述S7制备第一致密性薄膜层(6)和第二致密性薄膜层(11)的方式为APCVD、LPCVD、PECVD、PVD或ALD。
10.一种光伏组件，其特征在于，所述光伏组件包括多片相互串联或并联的异质结电池，所述异质结电池为权利要求1至6中任一权利要求所述的异质结电池。
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