CN117275858A - 一种厚膜电阻的激光调阻工艺方法及厚膜电阻制造工艺方法 - Google Patents
一种厚膜电阻的激光调阻工艺方法及厚膜电阻制造工艺方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN117275858A CN117275858A CN202311275124.6A CN202311275124A CN117275858A CN 117275858 A CN117275858 A CN 117275858A CN 202311275124 A CN202311275124 A CN 202311275124A CN 117275858 A CN117275858 A CN 117275858A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resistance
- resistor
- laser
- thick film
- ceramic substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 69
- 230000008569 process Effects 0.000 title claims abstract description 36
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 24
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims abstract description 25
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 95
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 30
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 22
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 claims description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 14
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 9
- 238000010344 co-firing Methods 0.000 claims description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 8
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 6
- 239000013039 cover film Substances 0.000 claims description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 238000010924 continuous production Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000009966 trimming Methods 0.000 description 2
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000005459 micromachining Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000007363 regulatory process Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
本申请提供一种厚膜电阻的激光调阻工艺方法及厚膜电阻制造工艺方法，所述厚膜电阻的激光调阻工艺方法包括：测试待调电阻，以得到所述待调电阻的测量阻值；根据所述测量阻值，预设激光模块的参数，所述参数包括调阻顺序、目标阻值、目标精度、切割刀型路径、预燃电流、空跳速度、占空比、激光功率、重复频率及调阻速度，其中，所述激光功率为0W～30W，所述重复频率为1.0KHz～10KHz，所述调阻速度为1um/s～10um/s；基于所述参数，对所述待调电阻进行切割。本申请提供的厚膜电阻的激光调阻工艺方法，实现了电阻阻值的精确调整。
Description
【技术领域】
本申请涉及电子元件领域，特别涉及一种厚膜电阻的激光调阻工艺方法及厚膜电阻制造工艺方法。
【背景技术】
随着高新技术和多学科技术的融合应用，新型传感器开始向小型化、集成化、低成本、高可靠、高性价比的方向发展。微机械加工、微电子工艺、厚膜混合电路等先进的制造技术以其特有的技术优势在传感器中的应用日益广泛，已成为传感器发展的主流趋势。而激光调阻技术是实现高性能厚膜混合电路的重要手段，是厚膜电路最精密的阻值调整方法，与其他调阻技术相比，激光调阻精度高、速度快、效率高，因此，广泛地应用于混合电路的制造工业中，具有举足轻重的作用。
其中厚膜电阻通常采用丝网印刷方式制作，其操作固有的不精确性、基板表面不均匀以及烧结条件的不重复性导致烧结后的电阻精度不高(阻值最大误差达30％～40％)，为此需对电阻阻值进行精确调整。目前市面上存在的激光调阻工艺方法，普遍存在电阻调阻精度低，往往需要进行二次调阻，且存在良率低的问题。
【发明内容】
本申请提供一种厚膜电阻的激光调阻工艺方法及厚膜电阻制造工艺方法，在特定工艺方法下实现了待调电阻阻值的精确一次调整，将待调电阻阻值目标精度最大误差控制在±0.5％。
本申请第一方面提供了一种厚膜电阻的激光调阻工艺方法，包括：
测试待调电阻，以得到所述待调电阻的测量阻值；
根据所述测量阻值，预设激光模块的参数，所述参数包括调阻顺序、目标阻值、目标精度、切割刀型路径、预燃电流、空跳速度、占空比、激光功率、重复频率及调阻速度，其中，所述激光功率为0W～30W，所述重复频率为1.0KHz～10KHz，所述调阻速度为1um/s～10um/s；
基于所述参数，对所述待调电阻进行切割。
本申请第二方面提供了一种厚膜电阻制造工艺方法，包括：
在陶瓷基片上印刷电阻浆料，以在所述陶瓷基片上形成湿膜；
对印刷后的所述陶瓷基片进行干燥，以将所述湿膜变成干膜；
对干燥后的所述陶瓷基片进行共烧，以将所述干膜形成厚膜电阻的烧结膜层；
在所述烧结膜层上涂覆包封釉；
干燥所述包封釉；
对所述包封釉进行烧结；
对所述厚膜电阻进行激光调阻。
相对于现有技术，本申请提供的激光调阻工艺应用于π型电阻，通过设定激光模块的参数，激光束按照预定的路径切割待调电阻，在瞬间产生极高温度，使局部待调电阻材料气化蒸发，在特定算法下实现了激光调阻的自动调阻功能，提高生产效率，定位准确，速度快，实现了待调电阻阻值的一次精确调整，将待调电阻阻值目标精度最大误差控制在±0.5％。
【附图说明】
图1为本申请实施例提供的激光调阻系统结构示意图；
图2为本申请实施例提供的厚膜电阻的激光调阻工艺方法的流程示意图；
图3为待调电阻组成的π型电阻模型图；
图4为厚膜电阻的激光调阻工艺方法S01的步骤方法流程示意图；
图5为厚膜电阻的激光调阻工艺方法S03的步骤方法流程示意图；
图6为本实施例提供的厚膜电阻制造工艺方法的方法流程示意图；
图7为厚膜电阻制造工艺方法S01的步骤方法流程示意图；
图8为厚膜电阻制造工艺方法S02的步骤方法流程示意图；及
图9为厚膜电阻制造工艺方法S03的步骤方法流程示意图。
【具体实施方式】
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。
请参阅图1，图1为本发明提供的激光调阻系统结构示意图。一种激光调阻系统包括激光模块1、聚焦光学模块2、探针3及工作盘4，所述激光模块1设于所述聚焦光学模块2一侧，所述工作盘4设于所述聚焦光学模块2的下方，将待调电阻5放置在所述工作盘4上，根据所述工作盘4的表层图形完成探针3与所述探针卡的焊接组装，调阻时所有所述探针3针尖均与所述工作盘4对应位置充分接触，以便所述激光模块1对所述工作盘4的所述待调电阻5进行实时测量与调节；对所述待调电阻5阻值进行测量，若在可调阻范围内，则将所述激光模块1打开按预设路径进行调阻，所述激光模块1打开后发出脉冲激光束聚焦成很小的光斑，对所述待调电阻5的有效区域进行切割，使之熔融、蒸发，通过改变所述待调电阻5的有效导电面积或有效长度来调整电阻阻值，使之达到设定值范围后关闭激光，调阻结束。
请参阅图2，图2为本申请实施例提供的厚膜电阻的激光调阻工艺方法的流程示意图。
一种厚膜电阻的激光调阻工艺方法包括如下步骤：
S01，测试待调电阻，以得到所述待调电阻的测量阻值；
S02，根据所述测量阻值，预设激光模块的参数，所述参数包括调阻顺序、目标阻值、目标精度、切割刀型路径、预燃电流、空跳速度、占空比、激光功率、重复频率及调阻速度，其中，所述激光功率为0W～30W，所述重复频率为1.0KHz～10KHz，所述调阻速度为1um/s～10um/s；
S03，基于所述参数，对所述待调电阻进行切割。
请结合参阅图3及图4，图3为待调电阻组成的π型电阻模型图，标记三个所述待测电阻分别为R1、R2、R3，标记所述R1与所述R2之间的通道阻值为R12，标记所述R1与所述R3之间的通道阻值为R13，标记所述R2与所述R3之间的通道阻值为R23，所述R1与所述R3之间的相连位置标记为A，所述R1与所述R2之间的相连位置标记为B，所述R2与所述R3之间的相连位置标记为C；
S011，将电压施加在所述A和所述C之间，得到所述A和所述C之间的电压，标记为Vac，得到所述B和C之间的电压，标记为Vb；
S012，根据函数关系，得出所述R1和所述R2的电阻比，计算方法为：R1/R2＝f(Vac，Vb)；
S013，将电压施加在所述B和所述C之间，得到所述B和所述C之间的电压，标记为Vbc，得到所述A和C之间的电压，标记为Va；
S014，根据函数关系，得出所述R3和所述R2的电阻比，计算方法为：R3/R2＝f(Vbc，Va)；
S015，根据以下函数关系，得出所述R1、所述R2及所述R3的具体阻值，计算方法分别为：
R1＝f(R12，Vac，Vbc，Va，Vb)；
R2＝f(R23，Vac，Vbc，Va，Vb)；
R3＝f(R13，Vac，Vbc，Va，Vb)。
上述S02根据所述待调电阻的阻值，预设激光模块的参数的步骤方法还包括如下步骤：
所述激光模块的所述调阻顺序为对所述R1、所述R2、所述R3依次进行调阻，标记为“R1#R2#R3”；
所述激光模块对所述待调电阻调整的所述目标阻值为1mΩ；
所述激光模块对所述待调电阻调整的所述目标精度为±0.5％；
所述切割刀型路径为“I”型或“L”型或“II”型“U”型，可以理解的是，所述切割刀型路径可以根据电阻尺寸适配相应；
所述预燃电流为100％～350％；
所述空跳速度为300mm/s～400mm/s；
所述占空比为0.1～1。
请参阅图5，图5为厚膜电阻的激光调阻工艺方法S03的步骤方法流程示意图。
S031，将所述激光模块的激光束定位在加工的起始位置；
S032，基于所述激光模块的参数，所述激光束从所述起始位置按照预设路线行进；
S033，所述激光束将所述预设路线上的所述待调电阻烧灼气化，当所述待调电阻达到所述目标阻值后，所述激光束关闭。
实施例一：
根据所述厚膜电阻的激光调阻工艺方法步骤实施，测试待调电阻，以得到所述待调电阻的测量阻值；根据所述待调电阻的阻值，预设激光模块的参数；基于所述激光模块的参数，对所述待调电阻进行切割。
所述R1、所述R2、所述R3组成π型模型，设置所述激光模块的切割刀型路径为“I”型，对所述R1设置对应的目标值为1mΩ，目标精度为±0.5％，电压为6V，电流为3.2mA，耐压值为1.5V，波形为0，速度为2um/s，激光功率为5W，重复频率为1.0KHz，预燃电流为100％，空跳速度为300mm/s，占空比为0.2；同理，对所述R2及所述R3同样设置对应上述参数。可以理解的是，所述R1、所述R2及所述R3调阻过程为一个连续的过程，底层的计算也是连续的，如果中间有一个所述待调电阻调阻失败，如未达到所述目标值，就会影响下个所述待调电阻的计算精度，所以只要有一个所述待调电阻失败，即所述待调电阻不在所述目标精度范围内，整个调阻过程就会被打断。
实施例二：
根据所述厚膜电阻的激光调阻工艺方法步骤实施，测试待调电阻，以得到所述待调电阻的测量阻值；根据所述待调电阻的阻值，预设激光模块的参数；基于所述激光模块的参数，对所述待调电阻进行切割。
所述R1、所述R2、所述R3组成π型模型，设置所述激光模块的切割刀型路径为“I”型，对所述R1设置对应的目标值为1mΩ，目标精度为±0.5％，电压为6V，电流为3.2mA，耐压值为1.5V，波形为0，速度为4um/s，激光功率为10W，重复频率为3.0KHz，预燃电流为150％，空跳速度为320mm/s，占空比为0.4；同理，对所述R2及所述R3同样设置对应上述参数。可以理解的是，所述R1、所述R2及所述R3调阻过程为一个连续的过程，底层的计算也是连续的，如果中间有一个所述待调电阻调阻失败，如未达到所述目标值，就会影响下个所述待调电阻的计算精度，所以只要有一个所述待调电阻失败，即所述待调电阻不在所述目标精度范围内，整个调阻过程就会被打断。
实施例三：
根据所述厚膜电阻的激光调阻工艺方法步骤实施，测试待调电阻，以得到所述待调电阻的测量阻值；根据所述待调电阻的阻值，预设激光模块的参数；基于所述激光模块的参数，对所述待调电阻进行切割。
所述R1、所述R2、所述R3组成π型模型，设置所述激光模块的切割刀型路径为“I”型，对所述R1设置对应的目标值为1mΩ，目标精度为±0.5％，电压为6V，电流为3.2mA，耐压值为1.5V，波形为0，速度为5um/s，激光功率为15W，重复频率为5.0KHz，预燃电流为200％，空跳速度为340mm/s，占空比为0.6；同理，对所述R2及所述R3同样设置对应上述参数。可以理解的是，所述R1、所述R2及所述R3调阻过程为一个连续的过程，底层的计算也是连续的，如果中间有一个所述待调电阻调阻失败，如未达到所述目标值，就会影响下个所述待调电阻的计算精度，所以只要有一个所述待调电阻失败，即所述待调电阻不在所述目标精度范围内，整个调阻过程就会被打断。
实施例四：
根据所述厚膜电阻的激光调阻工艺方法步骤实施，测试待调电阻，以得到所述待调电阻的测量阻值；根据所述待调电阻的阻值，预设激光模块的参数；基于所述激光模块的参数，对所述待调电阻进行切割。
所述R1、所述R2、所述R3组成π型模型，设置所述激光模块的切割刀型路径为“I”型，对所述R1设置对应的目标值为1mΩ，目标精度为±0.5％，电压为6V，电流为3.2mA，耐压值为1.5V，波形为0，速度为6um/s，激光功率为20W，重复频率为7.0KHz，预燃电流为250％，空跳速度为360mm/s，占空比为0.8；同理，对所述R2及所述R3同样设置对应上述参数。可以理解的是，所述R1、所述R2及所述R3调阻过程为一个连续的过程，底层的计算也是连续的，如果中间有一个所述待调电阻调阻失败，如未达到所述目标值，就会影响下个所述待调电阻的计算精度，所以只要有一个所述待调电阻失败，即所述待调电阻不在所述目标精度范围内，整个调阻过程就会被打断。
实施例五：
根据所述厚膜电阻的激光调阻工艺方法步骤实施，测试待调电阻，以得到所述待调电阻的测量阻值；根据所述待调电阻的阻值，预设激光模块的参数；基于所述激光模块的参数，对所述待调电阻进行切割。
所述R1、所述R2、所述R3组成π型模型，设置所述激光模块的切割刀型路径为“I”型，对所述R1设置对应的目标值为1mΩ，目标精度为±0.5％，电压为6V，电流为3.2mA，耐压值为1.5V，波形为0，速度为8um/s，激光功率为25W，重复频率为9.0KHz，预燃电流为300％，空跳速度为380mm/s，占空比为0.9；同理，对所述R2及所述R3同样设置对应上述参数。可以理解的是，所述R1、所述R2及所述R3调阻过程为一个连续的过程，底层的计算也是连续的，如果中间有一个所述待调电阻调阻失败，如未达到所述目标值，就会影响下个所述待调电阻的计算精度，所以只要有一个所述待调电阻失败，即所述待调电阻不在所述目标精度范围内，整个调阻过程就会被打断。
实施例六：
根据所述厚膜电阻的激光调阻工艺方法步骤实施，测试待调电阻，以得到所述待调电阻的测量阻值；根据所述待调电阻的阻值，预设激光模块的参数；基于所述激光模块的参数，对所述待调电阻进行切割。
所述R1、所述R2、所述R3组成π型模型，设置所述激光模块的切割刀型路径为“I”型，对所述R1设置对应的目标值为1mΩ，目标精度为±0.5％，电压为6V，电流为3.2mA，耐压值为1.5V，波形为0，速度为10um/s，激光功率为30W，重复频率为10.0KHz，预燃电流为350％，空跳速度为400mm/s，占空比为1.0；同理，对所述R2及所述R3同样设置对应上述参数。可以理解的是，所述R1、所述R2及所述R3调阻过程为一个连续的过程，底层的计算也是连续的，如果中间有一个所述待调电阻调阻失败，如未达到所述目标值，就会影响下个所述待调电阻的计算精度，所以只要有一个所述待调电阻失败，即所述待调电阻不在所述目标精度范围内，整个调阻过程就会被打断。
以上实施例对所述待调电阻进行激光切割后的所述待调电阻，经过大量实验数据统计，对调阻结果的总结如表1所示。
表1厚膜电阻的激光调阻后的调阻结果统计表
通过表1可以看出，本发明提供的所述厚膜电阻的激光调阻工艺方法通过控制所述激光模块的电压、电流、耐压值、波形、速度，并对所述激光模块的速度、激光功率、重复频率、预燃电流、空跳速度及占空比进行细分，使得经一次激光调阻后的所述R1、所述R2及所述R3的目标精度范围满足±0.5％，其中实施例三的调阻结果最好，调阻后使得所述厚膜电阻具有较好的稳定性，降低不良率，性能较好，可以满足各类厚膜电路的需求。
请参阅图6，图6为本实施例提供的厚膜电阻制造工艺方法的方法流程示意图。
一种厚膜电阻制造工艺方法，包括如下方法：
S01，在陶瓷基片上印刷电阻浆料，以在所述陶瓷基片上形成湿膜；
S02，对印刷后的所述陶瓷基片进行干燥，以将所述湿膜变成干膜；
S03，对干燥后的所述陶瓷基片进行共烧，以将所述干膜形成厚膜电阻的烧结膜层；
S04，在所述烧结膜层上涂覆包封釉；
S05，干燥所述包封釉；
S06，对所述包封釉进行烧结；
S07，对所述厚膜电阻进行激光调阻。
需要说明的是，在上述步骤中，还包括对所述厚膜电阻进行印刷保护层。
请参阅图7，图7为厚膜电阻制造工艺方法S01的步骤方法流程示意图。
S011，在所述陶瓷基片上覆盖片膜，在所述片膜上印刷图形；
S012，移出所述片膜，观察所述图形在所述陶瓷基片上的位置是否符合预设要求，以完成调整印刷前的对位尺寸；
S013，基于所述对位尺寸，在陶瓷基片上印刷第一次电阻浆料，以形成所述湿膜的第一层电阻；
S014，检查所述印刷电阻浆料的第一次印刷情况；
S015，若判断合格或停止印刷30分钟后，则循环上述步骤进行印刷，以得到所述湿膜的第二层电阻和第三层电阻。
需要说明的是，检查所述印刷电阻浆料的第一次印刷情况；所述第一次印刷情况表面是否光滑、有无针孔，印刷图形是否完整，印刷图形有无缺口和重影，印刷图形的分辨率和清晰度是否清晰,如果不清晰，则需要重新调试。
请参阅图8，图8为厚膜电阻制造工艺方法S02的步骤方法流程示意图。
S021，将所述厚膜电阻的电阻厚度调节至19～26μm；
S022，检查所述对位尺寸；
S023，基于所述电阻厚度和所述电阻厚度，对印刷后的所述陶瓷基片进行干燥，以将所述湿膜变成干膜。
请参阅图9，图9为厚膜电阻制造工艺方法S03的步骤方法流程示意图。
S031，对经干燥后的所述陶瓷基片固定在加热设备中；
S032，设置所述加热设备的加热温度及加热时间；
S033，根据所述加热温度和所述加热时间，对所述陶瓷基片的所述第一层电阻、第二层电阻及第三次电阻进行共烧；
S034，在共烧完成后，对所述陶瓷基片的所述第一层电阻、第二层电阻及第三次电阻进行冷却和卸载，以将所述干膜形成所述厚膜电阻的烧结膜层。
需要说明的是，加热时间为60min～65min，加热温度为100℃～900℃。
相对于现有技术，本申请提供的激光调阻工艺应用于π型电阻，通过设定激光模块的参数，激光束按照预定的路径切割待调电阻，在瞬间产生极高温度，使局部待调电阻材料气化蒸发，在特定算法下实现了激光调阻的自动调阻功能，提高生产效率，定位准确，速度快，实现了电阻阻值的一次精确调整，将电阻阻值精度最大误差控制在±0.5％。
以上所述实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种厚膜电阻的激光调阻工艺方法，其特征在于，包括：
测试待调电阻，以得到所述待调电阻的测量阻值；
根据所述测量阻值，预设激光模块的参数，所述参数包括调阻顺序、目标阻值、目标精度、切割刀型路径、预燃电流、空跳速度、占空比、激光功率、重复频率及调阻速度，其中，所述激光功率为0W～30W，所述重复频率为1.0KHz～10KHz，所述调阻速度为1um/s～10um/s；
基于所述参数，对所述待调电阻进行切割。
2.如权利要求1所述的厚膜电阻的激光调阻工艺方法，其特征在于，测量待调电阻，以得到所述待调电阻的测量阻值，包括：
标记三个所述待测电阻分别为R1、R2、R3，标记所述R1与所述R2之间的通道阻值为R12，标记所述R1与所述R3之间的通道阻值为R13，标记所述R2与所述R3之间的通道阻值为R23，所述R1与所述R3之间的相连位置标记为A，所述R1与所述R2之间的相连位置标记为B，所述R2与所述R3之间的相连位置标记为C；
将电压施加在所述A和所述C之间，得到所述A和所述C之间的电压，标记为Vac，得到所述B和C之间的电压，标记为Vb；
根据函数关系，得出所述R1和所述R2的电阻比，计算方法为：R1/R2＝f(Vac，Vb)；
将电压施加在所述B和所述C之间，得到所述B和所述C之间的电压，标记为Vbc，得到所述A和C之间的电压，标记为Va；
根据函数关系，得出所述R3和所述R2的电阻比，计算方法为：R3/R2＝f(Vbc，Va)；
根据以下函数关系，得出所述R1、所述R2及所述R3的具体阻值，计算方法分别为：
R1＝f(R12，Vac，Vbc，Va，Vb)；
R2＝f(R23，Vac，Vbc，Va，Vb)；
R3＝f(R13，Vac，Vbc，Va，Vb)。
3.如权利要求2所述的厚膜电阻的激光调阻工艺方法，其特征在于，根据所述待调电阻的阻值，预设激光模块的参数，还包括：
所述激光模块的所述调阻顺序为对所述R1、所述R2、所述R3依次进行调阻，标记为“R1#R2#R3”；
所述激光模块对所述待调电阻调整的所述目标阻值为1mΩ；
所述激光模块对所述待调电阻调整的所述目标精度为±0.5％。
4.如权利要求3所述的厚膜电阻的激光调阻工艺方法，其特征在于，根据所述待调电阻的阻值，预设激光模块的参数，还包括：
所述切割刀型路径为“I”型或“L”型或“II”型“U”型；
所述预燃电流为100％～350％；
所述空跳速度为300mm/s～400mm/s；
所述占空比为0.1～1。
5.如权利要求1所述的厚膜电阻的激光调阻工艺方法，其特征在于，基于所述激光模块的参数，对所述待调电阻进行切割，包括：
将所述激光模块的激光束定位在加工的起始位置；
基于所述激光模块的参数，所述激光束从所述起始位置按照预设路线行进；
所述激光束将所述预设路线上的所述待调电阻烧灼气化，当所述待调电阻达到所述目标阻值后，所述激光束关闭。
6.一种厚膜电阻制造工艺方法，其特征在于，包括：
在陶瓷基片上印刷电阻浆料，以在所述陶瓷基片上形成湿膜；
对印刷后的所述陶瓷基片进行干燥，以将所述湿膜变成干膜；
对干燥后的所述陶瓷基片进行共烧，以将所述干膜形成厚膜电阻的烧结膜层；
在所述烧结膜层上涂覆包封釉；
干燥所述包封釉；
对所述包封釉进行烧结；
利用如权利要求1～5所述的厚膜电阻的激光调阻工艺方法对所述厚膜电阻进行激光调阻。
7.如权利要求6所述的厚膜电阻制造工艺方法，其特征在于，在陶瓷基片上印刷电阻浆料，以在所述陶瓷基片上形成湿膜，包括：
在所述陶瓷基片上覆盖片膜，在所述片膜上印刷图形；
移出所述片膜，观察所述图形在所述陶瓷基片上的位置是否符合预设要求，以完成调整印刷前的对位尺寸；
基于所述对位尺寸，在陶瓷基片上印刷第一次电阻浆料，以形成所述湿膜的第一层电阻；
检查所述印刷电阻浆料的第一次印刷情况；
若判断合格或停止印刷30分钟后，则循环上述步骤进行印刷，以得到所述湿膜的第二层电阻和第三层电阻。
8.如权利要求7所述的厚膜电阻制造工艺方法，其特征在于，对所述陶瓷基片进行干燥，以将所述湿膜变成干膜，包括：
将所述厚膜电阻的电阻厚度调节至19～26μm；
检查所述对位尺寸；
基于所述电阻厚度和所述电阻厚度，对印刷后的所述陶瓷基片进行干燥，以将所述湿膜变成干膜。
9.如权利要求6所述的厚膜电阻制造工艺方法，其特征在于，对干燥后的所述陶瓷基片进行共烧，以将所述干膜形成厚膜电阻的烧结膜层，包括：
对经干燥后的所述陶瓷基片固定在加热设备中；
设置所述加热设备的加热温度及加热时间；
根据所述加热温度和所述加热时间，对所述陶瓷基片的第一层电阻、第二层电阻及第三次电阻进行共烧；
在共烧完成后，对所述陶瓷基片的所述第一层电阻、第二层电阻及第三次电阻进行冷却和卸载，以将所述干膜形成所述厚膜电阻的烧结膜层。
10.如权利要求6所述的厚膜电阻制造工艺方法，其特征在于，还包括：
对所述厚膜电阻进行印刷保护层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311275124.6A CN117275858B (zh) | 2023-09-28 | 2023-09-28 | 一种厚膜电阻的激光调阻工艺方法及厚膜电阻制造工艺方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202311275124.6A CN117275858B (zh) | 2023-09-28 | 2023-09-28 | 一种厚膜电阻的激光调阻工艺方法及厚膜电阻制造工艺方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN117275858A true CN117275858A (zh) | 2023-12-22 |
| CN117275858B CN117275858B (zh) | 2024-05-14 |
Family
ID=89211963
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202311275124.6A Active CN117275858B (zh) | 2023-09-28 | 2023-09-28 | 一种厚膜电阻的激光调阻工艺方法及厚膜电阻制造工艺方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN117275858B (zh) |
Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102496436A (zh) * | 2011-12-12 | 2012-06-13 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 大功率厚膜片式电阻器的制造方法 |
| CN102709014A (zh) * | 2012-06-19 | 2012-10-03 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 片式薄膜分压器制作方法 |
| CN204131531U (zh) * | 2014-09-30 | 2015-01-28 | 云南电网公司电力科学研究院 | 一种用于通信性能测试的衰减器 |
| CN106739442A (zh) * | 2017-01-06 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种丝网印刷工艺的对位方法和对位装置 |
| CN109994295A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-07-09 | 深圳市杰普特光电股份有限公司 | 电阻体的调阻方法及系统 |
| CN110993229A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-10 | 深圳市杰普特光电股份有限公司 | 激光调阻方案的获取方法、激光调阻方案和片式电阻 |
| CN218497013U (zh) * | 2022-07-25 | 2023-02-17 | 上海瑞浦青创新能源有限公司 | 一种分流器及电流采集系统 |
| CN115966358A (zh) * | 2022-12-26 | 2023-04-14 | 青岛海泰新光科技股份有限公司 | 一种基于激光调阻的精密电压转换器校正的控制方法及装置 |
-
2023
- 2023-09-28 CN CN202311275124.6A patent/CN117275858B/zh active Active
Patent Citations (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102496436A (zh) * | 2011-12-12 | 2012-06-13 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 大功率厚膜片式电阻器的制造方法 |
| CN102709014A (zh) * | 2012-06-19 | 2012-10-03 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 片式薄膜分压器制作方法 |
| CN204131531U (zh) * | 2014-09-30 | 2015-01-28 | 云南电网公司电力科学研究院 | 一种用于通信性能测试的衰减器 |
| CN106739442A (zh) * | 2017-01-06 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种丝网印刷工艺的对位方法和对位装置 |
| CN109994295A (zh) * | 2019-04-18 | 2019-07-09 | 深圳市杰普特光电股份有限公司 | 电阻体的调阻方法及系统 |
| CN110993229A (zh) * | 2019-12-31 | 2020-04-10 | 深圳市杰普特光电股份有限公司 | 激光调阻方案的获取方法、激光调阻方案和片式电阻 |
| CN218497013U (zh) * | 2022-07-25 | 2023-02-17 | 上海瑞浦青创新能源有限公司 | 一种分流器及电流采集系统 |
| CN115966358A (zh) * | 2022-12-26 | 2023-04-14 | 青岛海泰新光科技股份有限公司 | 一种基于激光调阻的精密电压转换器校正的控制方法及装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN117275858B (zh) | 2024-05-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6875950B2 (en) | Automated laser trimming of resistors | |
| EP3251844B1 (en) | Real time inspection and correction techniques for direct writing systems | |
| US6967312B2 (en) | Semiconductor manufacturing/testing ceramic heater, production method for the ceramic heater and production system for the ceramic heater | |
| CN108489627B (zh) | 一种嵌入多层pcb板的薄膜热电偶温度传感器、瞬态温度监测系统和方法 | |
| JP2002524884A (ja) | 電気的な構成群の製作装置に設けられた保持装置の移動距離及び／又は角度位置を校正するための方法及び装置並びに校正基板 | |
| CN117275858B (zh) | 一种厚膜电阻的激光调阻工艺方法及厚膜电阻制造工艺方法 | |
| KR100548672B1 (ko) | 전기 조립체 제작용 장치를 측정하기 위한 방법 및 장치 | |
| CN112038027A (zh) | 一种高精度转角传感器及其电阻敏感元件的制备方法 | |
| CN109852936A (zh) | 原位制备高通量薄膜并原位至微纳加工的装置及方法 | |
| JP2017514318A (ja) | 低温及び高温におけるレーザートリミング方法 | |
| KR101763768B1 (ko) | 엑스레이 드릴홀 가공 정확도 검증에 적합한 타겟 보드 | |
| KR100911365B1 (ko) | 영상 처리를 이용한 레이저 트리밍 장치 및 그 방법 | |
| CN113473718B (zh) | 一种电路板阻焊图案的制作方法 | |
| Li et al. | 3D laser trimming technology for regulating embedded thick-film carbon resistors on a random access memory module | |
| JP4777817B2 (ja) | チップサーミスタの製造方法 | |
| JP7213220B2 (ja) | 積層造形装置の較正方法 | |
| CN213366297U (zh) | 一种激光调阻系统 | |
| JP2001307912A (ja) | 電子回路のトリミング方法と電子回路装置 | |
| TWI606469B (zh) | 電阻元件之阻值修整方法 | |
| JPH07211507A (ja) | 抵抗部品及びその製造方法 | |
| Naumov et al. | Implementation of embedded resistor trimming for PCB manufacturing | |
| Alafogianni | An Investigation of Varying Laser Trim Pattern Characteristics on the Performance and Reliability of Discrete Resistive Components | |
| JPH10189308A (ja) | 厚膜サーミスタの抵抗値調整方法及び厚膜サーミスタ | |
| JPS6119102A (ja) | 厚膜印刷基板の製造方法 | |
| JPH0864407A (ja) | 抵抗部品の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |