CN117262490A - 杜瓦组件及其加工方法和探测设备 - Google Patents

杜瓦组件及其加工方法和探测设备 Download PDF

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CN117262490A CN202311203167.3A CN202311203167A CN117262490A CN 117262490 A CN117262490 A CN 117262490A CN 202311203167 A CN202311203167 A CN 202311203167A CN 117262490 A CN117262490 A CN 117262490A
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张奇功
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Abstract

本申请公开一种杜瓦组件及其加工方法和探测设备,杜瓦组件包括封装器件和多个功能器件,所述封装器件具有密封腔,多个所述功能器件均安装于所述密封腔内,各所述功能器件均为非吸气专用件,且多个所述功能器件中的一者或几者可作为吸气结构的承载部,和/或所述封装器件作为吸气结构的承载部;所述吸气结构还包括设置于所述承载部的表面中与所述密封腔连通的部分上的吸气剂层,所述吸气结构利用所述吸气剂层吸收所述密封腔内的气体。上述杜瓦组件中,封装器件的密封腔的容积相对较小,从而使得杜瓦组件内真空环境的形成难度较小,且可以大幅降低杜瓦组件的漏率,进而提升杜瓦组件的真空可靠性。

Description

杜瓦组件及其加工方法和探测设备
技术领域
本申请属于制冷设备技术领域,具体涉及一种杜瓦组件及其加工方法和探测设备。
背景技术
红外探测器等低温探测器通常安装在杜瓦组件上,以利用杜瓦组件提供真空环境。当前的杜瓦组件为了保持其真空环境的持续性,通常在壳体内部设置柱状或管状的吸气结构,这些吸气结构的设置使得杜瓦组件的壳体的尺寸相对较大,一方面会进一步增大杜瓦组件内真空环境的形成难度,另一方面,还会使杜瓦组件的漏率大幅增大,导致当前的杜瓦组件的真空可靠性相对较低。
发明内容
本申请实施例的目的是提供一种杜瓦组件及其加工方法和探测设备,该杜瓦组件中,封装器件的密封腔的容积相对较小,从而使得杜瓦组件内真空环境的形成难度较小,且可以大幅降低杜瓦组件的漏率,进而提升杜瓦组件的真空可靠性。
第一方面,本申请实施例公开一种杜瓦组件,其包括封装器件和多个功能器件,所述封装器件具有密封腔,多个所述功能器件均安装于所述密封腔内,各所述功能器件均为非吸气专用件,且多个所述功能器件中的一者或几者可作为吸气结构的承载部,和/或所述封装器件作为吸气结构的承载部;
所述吸气结构还包括设置于所述承载部的表面中与所述密封腔连通的部分上的吸气剂层,所述吸气结构利用所述吸气剂层吸收所述密封腔内的气体。
第二方面,本申请还公开一种杜瓦组件的加工方法,其包括:
去除承载部的表面的氧化层,形成第一中间件,其中,所述承载部包括封装器件和功能器件中的至少一者;
在所述第一中间件的表面形成钝化层,形成第二中间件;
在所述第二中间件的表面形成吸气剂层,以形成吸气结构。
第三方面,本申请还公开一种探测设备,其包括探测器和上述杜瓦组件,所述杜瓦组件包括基板,所述基板和所述探测器均设置于所述杜瓦组件的密封腔内,且所述探测器安装于所述基板。
本申请实施例公开一种杜瓦组件,其包括封装器件和设置于封装器件的密封腔内的功能器件。通过使封装器件和功能器件中的至少一者作为杜瓦组件中吸气结构的承载部,且在承载部的表面中与密封腔连通的部分上设置吸气剂层,使得即便杜瓦组件内泄漏进气体,亦可以利用吸气剂层将气体吸收掉,从而使杜瓦组件的真空环境的持续性相对较好。并且,如上所述,在本申请实施例公开的技术方案中,通过使封装器件和功能器件这些原本即是构成杜瓦组件的基础器件作为吸气结构中用以承载吸气剂层的承载部,使得不再需要额外在杜瓦组件内设置用以为吸气剂层提供承载作用的器件,进而使得杜瓦组件的整体尺寸相对较小,也即,封装器件的尺寸较小,一方面可以降低封装器件的泄漏率,另一方面,还可以使密封腔的体积相对较小,降低杜瓦组件内真空环境的形成难度,以达到提升杜瓦组件的真空可靠性的目的。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。在附图中:
图1为本申请实施例公开的杜瓦组件的结构示意图;
图2是本申请实施例公开的杜瓦组件中壳体的结构示意图;
图3是本申请实施例公开的杜瓦组件中罩体的结构示意图;
图4是本申请实施例公开的杜瓦组件中辐射屏的结构示意图;
图5是本申请实施例公开的杜瓦组件的加工方法的流程图。
附图标记:
110-壳体、120-基座、210-罩体、220-进光件、300-吸气剂层、410-基板、420-引线环、430-辐射屏、440-冷指、450-冷头、500-探测器。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整的描述,显然,所描述的实施例是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
本申请的说明书和权利要求书中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象,而不用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换,以便本申请的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施,且“第一”、“第二”等所区分的对象通常为一类,并不限定对象的个数,例如第一对象可以是一个,也可以是多个。此外,说明书以及权利要求中“和/或”表示所连接对象的至少其中之一,字符“/”,一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
如图1-图4所示,本申请实施例公开一种杜瓦组件,其包括封装器件和多个功能器件。封装器件为杜瓦组件中用以提供封装作用的结构的总称,为了便于加工和装配,封装器件通常可以包括多个分别加工的器件,且在装配杜瓦组件的过程中,使前述多个器件相互连接,形成用以为杜瓦组件中的其他器件提供安装和防护作用的封装器件。例如,封装器件具体可以包括壳体110、基座120、罩体210和进光件220,当然,在本申请的其他实施例中,封装器件亦可以包括其他器件,本文对此不作限定。其中,壳体110安装于基座120,且罩体210安装于壳体110背离基座120的一侧。
更具体地,壳体110、基座120和罩体210均可以采用金属等结构强度相对较高的材料形成,以为杜瓦组件内的其他器件提供较为可靠的防护作用,且保证杜瓦组件的封装器件结构整体性相对可靠。为了保证整个封装器件具备形成密封空间的同时,还可以使外界光线能够入射至杜瓦组件之内,且被安装于杜瓦组件内的探测器500等器件所捕获,进光件220采用透光材料形成,且进光件220安装在罩体210背离壳体110的一端。
功能器件为杜瓦组件中用以提供相应功能的器件的统称,功能器件的数量可以为多个,而对于其具体数量,本文对此不作限制。例如,在本申请实施例中,功能器件至少可以包括基板410、引线环420和辐射屏430等。如上所述,封装器件具有密封腔,基于此,各功能器件均安装于密封腔之内。并且,杜瓦组件可以为低温探测器等提供安装作用,为此,密封腔还可以为探测器500提供容纳作用。
为了便于为探测器500供电,如上所述,功能器件包括基板410和引线环420,具体来说,探测器500可以安装在基板410上,引线环420与基板410连接,且使引线环420的一部分伸出至壳体110之外,通过使之与外界电源等设备连接,可以保证探测器500能够正常工作。
基于上述结构的杜瓦组件,为了保证杜瓦组件的真空持续性相对较好,在本申请实施例公开的杜瓦组件中设有吸气结构,进而在杜瓦组件的密封腔内产生或渗入少量气体时,可以利用吸气结构吸收气体,以保持杜瓦组件的密封腔的真空度相对较高。
为了防止杜瓦组件中在设有吸气结构的情况下引入额外的器件,在本申请实施例中,可以利用杜瓦组件的基础结构用以形成吸气结构。详细地说,在本申请实施例中,可以使多个功能器件中的一者或几者,和/或利用封装器件作为吸气结构的承载部,由于封装器件和功能器件均为用以形成杜瓦组件的基础结构,进而通过利用二者中的一者或几者作为吸气剂层的承载结构(即承载部),可以不再额外设置用以承载吸气剂层的其他器件,从而在功能器件的数量、结构和尺寸等其他条件均不变的情况下,可以使封装器件的尺寸相对较小,进而使得封装器件中相互连接的焊缝等连接处的数量较少,且使焊缝的尺寸较小,从而降低用以形成密封腔的封装器件的泄漏率,在封装器件的尺寸相对较小的情况下,使得其所形成的容纳腔的尺寸也相对较小,进而可以减小密封腔内真空环境的形成难度。
换句话说,在本申请实施例中,封装器件和各功能器件均为非吸气专用件,也即,两种类型的器件在杜瓦组件中并非仅仅用以提供吸收气体的作用,而是在用以提供其他作用的同时,一并提供吸收气体这种功能。更详细地说,如上所述,封装器件具有密封腔,也即,封装器件在本申请公开的杜瓦组件中用以提供封装作用,当然,还可以利用封装器件提供保护作用等其他附加技术效果,考虑文本简洁,此处不再详细介绍。而对于多个功能器件而言,其各自均具备各自的初始功能,如基板410,其可以为探测器500提供安装作用,引线环420,可以为探测器500提供接电作用,辐射屏430用以为探测器500提供相应的配光作用等,在本申请中,通过使功能器件作为吸气结构的承载部,使得功能器件在提供其原始作用的同时,还可以形成吸气结构,以提供吸收气体的作用。
需要说明的是,多个功能器件中,可以使各功能器件均作为吸气结构的承载部,在某些功能器件具有接电等特定作用的情况下,为防止其作为吸气结构可能会对其原本的功能产生不利影响,亦可以不使该功能器件作为吸气结构的承载部。简单地说,在本申请中,并非所有的功能器件均一定要作为吸气结构的承载部。
在利用封装器件和功能器件中的至少一者作为承载部的情况下,为形成吸气结构,还需要使承载部的表面中与密封腔连通的部分上设置吸气剂层,从而利用吸气剂层吸收密封腔内的气体,也即,吸气结构包括承载部和设置于承载部的表面中与密封腔连通的部分上的吸气剂层。吸气剂层300为吸收气体的材料,其在被激活后,能够吸收气体,从而使对应的空间内可以保持真空环境。更具体地说,吸气剂层300可以包括氧化锆、锆钒铁和钛锆钒等材料。需要说明的是,上述壳体110、基座120和罩体210中的任一者的内表面中用以形成密封腔的部分上均可以设置吸气剂层300,但为了保证进光件220具有良好的透光能力,进光件220的表面则不再设置吸气剂层300。
具体地,可以仅在封装器件的内表面中用以形成密封腔的部分上设有吸气剂层300。如上所述,封装器件具有密封腔,也即,密封腔为封装器件所包括的多个部分或多个器件所围成的。对应地,封装器件的内表面中必然包括用于形成密封腔的部分,为此,可以在前述部分上设置吸气剂层300。
或者,还可以仅在功能器件的表面中与密封腔连通的部分上设置吸气剂层300。如上所述,功能器件安装于密封腔内,基于此,功能器件的表面中也必然包括直接暴露于密封腔中的部分,此部分即为功能器件的表面中与密封腔连通的部分,进而,可以在此部分上设置吸气剂层300。
如上,承载部上设有吸气剂层300,吸气剂层300能够吸收气体,从而即便随着杜瓦组件的使用时长的增长,杜瓦组件的密封腔内进入了空气等气体,亦可以利用承载部上的吸气剂层300将气体吸收,使杜瓦组件的密封腔较为持续地保持真空环境。当然,还可以同时在封装器件和功能器件上均设置吸气剂层300,从而进一步增大杜瓦组件中吸气剂层的设置面积,以提升杜瓦组件的吸气效率和吸气能力。
本申请实施例公开一种杜瓦组件,其包括封装器件和多个设置于封装器件的密封腔内的功能器件。通过使封装器件和/或多个功能器件中的一者或几者作为杜瓦组件中吸气结构的承载部,且在承载部的表面中与密封腔连通的部分上设置吸气剂层300,使得即便杜瓦组件内泄漏进气体,亦可以利用吸气剂层300将气体吸收掉,从而使杜瓦组件的真空环境的持续性相对较好。并且,如上所述,在本申请实施例公开的技术方案中,封装器件和各功能器件均为非吸气专用件,通过使封装器件和功能器件这些原本即是构成杜瓦组件的基础器件作为吸气结构中用以承载吸气剂层的承载部,使得不再需要额外在杜瓦组件内设置用以为吸气剂层提供承载作用的器件,进而使得杜瓦组件的整体尺寸相对较小,也即,封装器件的尺寸较小,一方面可以降低封装器件的泄漏率,另一方面,还可以使密封腔的体积相对较小,降低杜瓦组件内真空环境的形成难度,以达到提升杜瓦组件的真空可靠性的目的。
如上所述,吸气剂层300的使用过程中需要被激活,且基于成本和效果等方面综合考量,一般采用加热的方式激活吸气剂层300。基于此,在杜瓦组件未使用之前,对于杜瓦组件中吸气剂层300的激活过程而言,可以直接采用加热的方式将吸气剂层300激活,之后,再将设有已被激活的吸气剂层300的器件组装至一体,或者,将设有已被激活的吸气剂层300的器件组装至封装器件之内。
但是,随着杜瓦组件的使用时长的增长,气体逐渐侵入密封腔内,吸气剂层300所吸收的气体的量也会逐渐增多,进而使得吸气剂层可能存在吸气效率较低甚至失效的风险。在此情况下,为了提升杜瓦组件的使用寿命,通常需要对杜瓦组件内的吸气剂层300进行再次激活。在再次激活的过程中,为了减少工作量,且防止杜瓦组件在拆装过程中被损坏,通常采用在杜瓦组件之外设置热源等方式,对设置于杜瓦组件内部的吸气剂层300进行激活。基于此,可以在杜瓦组件中的封装器件上,和/或功能器件中与封装器件相对临近的一者或几者的表面上设置吸气剂层300,以降低吸气剂层300的激活难度。
如上所述,封装器件可以包括基座120和壳体110,壳体110连接于基座120上。更具体地,功能器件可以包括冷指440,相应地,冷指440位于密封腔内,且冷指440安装于基座120。更具体地,冷指440可以连接于杜瓦组件的基板410的中心区域,冷指440与基板410连接的部分为冷头450。在本申请实施例中,可以使壳体110的至少一部分围绕设置于冷指440之外,且壳体110朝向冷指440的内表面设有吸气剂层300。在此情况下,可以通过直接加热的方式,激活设置于壳体110的表面的吸气剂层300,这种方式的激活效率和激活效果均相对较好。需要说明的是,吸气剂层300本身的厚度相对较小,进而在宏观意义上可以认为吸气剂层300与壳体110为一体式结构,为了便于描述,下文中仍将形成有吸气剂层300的壳体110看作“壳体”。
并且,在设计壳体110的过程中,由于壳体110和冷指440之间无需安装其他尺寸较大的器件,如当前方案中用以提供吸气作用而额外设置的柱状或关管状的吸气结构,从而在本申请中,可以使壳体110中围绕设置于冷指440之外的部分与冷指440仿形设置,也即,壳体110与冷指440的形状相似,这可以最大化地减小壳体110与冷指440之间的间距,进而使壳体110和冷指440之间夹设的空间的体积相对更小。
同时,使壳体110和冷指440紧邻设置,紧邻指的是,二者之间相互间隔,不相互接触,且二者之间的间隙相对较小,以进一步减小壳体110和冷指440之间的间隙,使整个密封腔的容积更小,进而减小杜瓦组件中真空环境的形成难度,且降低封装器件的泄漏率。当然,为了保证冷指440能够被正常地安装至壳体110内,壳体110仍需要预留冷指440的安装间隙,也即,在冷指440被安装至壳体110中时,二者相对的部分之间仍具有尺寸相对较小的间隙,至于间隙的具体尺寸,可以根据实际情况灵活确定,但该间隙的尺寸必然远小于当前方案中需要额外设置吸气结构的技术方案中壳体与冷指之间的间隔尺寸。
换句话说,在本申请实施例中,壳体110中围绕设置于冷指440之外的部分与冷指440仿形且紧邻设置具体可以为,在垂直于冷指440的轴向的方向上,冷指440中直接与壳体110相对的部分与壳体110之间的间隙均小于3mm,且在安装精度允许的情况下,冷指440与壳体110在上述方向上的间隙可以小于2mm,从而使冷指和壳体之间无法再额外设置其他的器件,且保证冷指和壳体之间的间隙相对较小,进而使冷指和壳体之间围成的空间的体积相对较小,这可以极大地降低杜瓦组件内容纳腔的整体体积,进而降低杜瓦组件内真空环境的形成难度,且减小杜瓦组件的泄漏率。
需要说明的是,通常而言,冷指440为圆柱状结构,在此情况下,上述垂直于冷指的轴向的方向即为冷指440的径向。另外,形成于承载部上的吸气剂层300的厚度通常较小,一般均小于1mm,甚至可以使吸气剂层300的厚度在2um以下,这亦基本上能够保证其具有满足需求的吸气能力,从而使得吸气剂层300与冷指之间至少还具有大于1mm的装配间隙,进而保证冷指440能够正常地被安装至壳体110之内,且使冷指与吸气剂层300之间相互间隔。
为了增大杜瓦组件内所设置的吸气剂层300的量,可选地,封装器件的罩体210的内表面设有吸气剂层300,在此情况下,亦可以利用在杜瓦组件之外直接加热的方式,激活罩体210的内表面的吸气剂层300。
如上所述,还可以在功能器件的表面设置吸气剂层300,与壳体110相似地,下文中仍将形成有吸气剂层300的功能器件看作“功能器件”。可选地,功能器件包括辐射屏430,辐射屏430位于罩体210的内侧,且可以使辐射屏430的外表面设有吸气剂层300。其中,辐射屏430的外表面具体可以包括辐射屏430朝向罩体210的表面。在此情况下,当杜瓦组件使用过一段时间之后,亦可以通过直接在杜瓦组件之外加热的方式,利用热量能够通过辐射而传播的效应,使辐射屏430的外表面的吸气剂层300可以被激活,且提供吸收气体的作用。
另外,在设计杜瓦组件中罩体210的过程中,亦可以使罩体210与辐射屏430仿形设置,从而使二者之间的间隙相对更小,进而减小二者之间夹持的空间的体积。同时,通过对二者的尺寸进行相应的设计,可以使二者紧邻设置,以进一步减小罩体210和辐射屏430之间夹持的空间的体积,进而使容纳腔的体积得到进一步减小,达到降低密封腔的真空环境的形成难度,以及减小封装器件的泄漏率的目的。
相似地,罩体210与辐射屏430仿形且紧邻设置亦可以参照上述实施例中针对壳体和冷指的介绍对应设计。详细地说,可以基于辐射屏430的外形,适应性地设计罩体210的结构,从而在辐射屏430在安装至罩体210的内侧之后,沿垂直于进光件的光轴方向的方向,使辐射屏430上任意位置与罩体210中对应的位置之间均具有相对较小的间隙,该间隙的尺寸具体可以小于3mm,且在安装精度满足的情况下,可以进一步减小该间隙至小于2mm,从而使罩体210和辐射屏430之间夹持的,且无法进一步设置其他额外器件的空间的体积亦相对较小,进一步减小整个容纳腔的体积。需要说明的是,上述垂直于进光件的光轴方向的方向即为冷指的径向。
在辐射屏430的外表面设有吸气剂层300的情况下,可以进一步在辐射屏430的内表面设置吸气剂层300,从而在利用辐射加热辐射屏430的过程中,使辐射屏430的内表面和外表面的吸气剂层300能够被一并激活,在大幅提升杜瓦组件内对气体的吸收能力的情况下,基本不会大幅增大吸气剂层300的激活过程的复杂程度和花费时间。
如上所述,本申请实施例公开的杜瓦组件中,可以使封装器件和功能器件中的至少一者作为吸气结构的承载部,且在承载部中与密封腔连通的表面上均覆盖吸气剂层,从而使得承载部的表面上的吸气剂层能够连成致密的膜层,该膜层具体可以为隔绝膜体。在此情况下,相较于承载部而言,隔绝膜体更临近封装器件内部的空间,也即,隔绝膜体能够围绕密封腔,且使得隔绝膜体能够隔绝承载部和密封腔,进而阻止承载部可能释放的气体自承载部与密封腔连通的表面进入密封腔内。
也即,在采用上述技术方案的情况下,还可以利用吸气剂层遮盖承载部的表面,从而即便承载部内部存在微孔结构,在隔绝膜体的作用下,亦可以抑制甚至防止微孔结构内的气体自承载部朝向密封腔的表面逸出至承载部之外,且破坏密封腔内的真空环境。并且,如上所述,在本申请利用封装器件和功能器件作为吸气结构的承载部的情况下,使得封装器件的整体尺寸相对较小,这还可以大幅降低封装器件中与密封腔连通的部分的面积,进而降低封装器件的放气源面积,从而即便随时间推移,吸气剂层对承载部表面的气体释放效应的抑制作用下降,也仍通过降低放气源面积的方式,大幅降低封装器件中所逸出至密封腔内的气体的量,达到提升杜瓦组件的真空环境的保持时效的目的。
如上所述,受当前技术发展瓶颈的影响,即便采用金属等强度较大,质地较硬的材料形成承载部,材料内部亦有可能存在微孔结构,且在承载部所围成的密封腔内形成真空环境的过程中和之后,材料内部的气体可能会自材料的表面逸出,且进入密封腔内,破坏密封腔的真空环境。为此,在承载部的至少部分采用表面可释放气体的材料制成的情况下,可以使吸气剂层300覆盖表面可释放气体的材料中与密封腔连通的表面。
基于上述技术方案,为了兼顾加工难度,可以使吸气剂层300大体上能够覆盖采用表面可释放气体的材料形成的承载部中与密封腔连通的表面,受限于加工工艺的精度等参数的影响,在实际应用过程中,可能会出现吸气剂层300并无法形成完整的,致密的膜层;换句话说,可能覆盖于表面可释放气体的材料与密封腔连通的表面上的吸气剂层300中可能存在细小的孔,虽然可能会导致表面可释放气体的材料所释放的气体能够仍能够自前述细小的孔进入密封腔内,但是,在采用这种技术方案的情况下,可以极大地降低吸气剂层300的形成难度,大幅降低吸气剂层300的加工成本,进而提升杜瓦组件的综合性能。
而对于表面可释放气体的材料释放的且经前述细小的孔进入密封腔内的气体而言,则可以利用覆盖于表面可释放气体的材料的表面的吸气剂层300吸收,同时,由于表面可释放气体的材料本身所释放的气体的量相对较少,且能够自吸气剂层300上存在的细小的孔进入密封腔内的气体的量则更少,从而即便因吸气剂层300上存在细小的孔,导致表面可释放气体的材料可能会向密封腔内释放气体,也基本不会对密封腔的真空环境的稳定性产生不利影响,但是在采用这种技术方案时,却可以大幅降低吸气剂层300的形成难度和加工成本,从而亦属于一种较为优选的技术方案。
基于上述任一实施例公开的杜瓦组件,本申请实施例还公开一种加工方法,用以加工上述任一杜瓦组件。如图5所示,加工方法包括:
S1、去除承载部的表面的氧化层,形成第一中间件。具体来说,可以采用酸性溶液通过与氧化层反应的方式,使承载部的表面的氧化层被去除,且这种去除方式的效率和效果相对较好。具体地,酸性溶液的具体组分可以根据实际需求确定,此处不作限定。另外,在本过程中,还可以利用超声波为去除过程提供辅助作用,从而将酸性溶液与氧化层反应形成的物质与承载部的表面分离,保证承载部的表面的氧化层能够被完全去除。当然,承载部与酸性溶液之间的反应时间亦可以根据实际情况确定。其中,承载部包括封装器件和功能器件中的至少一者。
在上述步骤S1之后,加工方法还可以包括:
S2、在第一中间件的表面形成钝化层,具体地,通过将第一中间件浸泡在钝化液中,且经过一预设时长,可以在第一中间件的表面形成钝化层,进而形成第二中间件。具体地,钝化液的具体组分亦可以根据承载部的材质等具体情况灵活选定,本文对此不作限定。
进一步地,在步骤S2之后,本申请实施例公开的加工方法还可以包括:
S3、在第二中间件的表面形成吸气剂层。具体地,可以基于吸气剂层300的具体种类,对应地选择吸气剂层300形成于第二中间上的表面的方式。为了提升吸气剂层300的成膜效率和成膜稳定性,在本申请的一个具体实施例中,可以采用磁控溅射的方式,在第二中间件的表面形成吸气剂层,进而形成吸气结构。另外,在上述步骤S3中,可以仅在第二中间件中与所形成的密封腔连通的部分上形成吸气剂层,考虑加工难度,可以在第二中间件上用以形成密封腔的表面,以及第二中间件中位于密封腔内的部分的表面上均形成吸气剂层。
为了进一步提升吸气剂层在承载部的表面的附着可靠性,在上述步骤S1之前,本申请实施例公开的杜瓦组件的加工方法还可以包括去除工艺碎屑等杂质的步骤。具体来说,可以通过将待镀膜工件浸泡在碱性溶液中,且辅以超声波清洗过程,可以将承载部表面的工艺碎屑去除,提升承载部的表面洁净度。并且,在上步骤S1和S2之间,还可以在增加去离子水清洗步骤,防止因第一中间件的表面残留有酸性溶液,而对钝化过程产生不利影响。当然,杜瓦组件的加工过程不仅包括上述步骤,还可以包括承载部等器件的制造成型过程,以及器件之间的组装过程等,考虑文本简洁,此处不再详细介绍。
如上所述,杜瓦组件中的承载部上设有吸气剂层300,而对于基板410等部分器件而言,因需布设电路等其他原因,可能不具备设置吸气剂层300的条件。如上所述,即便该器件可能采用金属等材料形成,且其成型后的状态为固态结构,但是受材料本身的影响,器件的内部可能有包容有气体的微孔结构,进而,为了进一步降低杜瓦组件内真空环境被自身的器件所破坏的概率,本申请实施例公开的加工方法还包括:
在组装杜瓦组件之前,去除非吸气结构中的气体,非吸气结构包括上述基板410。具体来说,可以通过烘烤的方式去除非吸气结构中的气体,且为了防止烘烤过程对工件产生损坏,可以控制烘烤的温度在80-100℃,通过适当增大烘烤时间,亦可以保证非吸气结构中的气体能够自工件内部逸出。
在杜瓦组件完成组装之后,可以进一步利用真空泵对杜瓦组件的密封腔进行抽真空操作,且利用氦质谱仪可以对杜瓦组件进行漏率检测,在漏率满足需求之后,通过加热等方式,可以将吸气剂层300激活,使吸气剂层300开始发挥作用,保持杜瓦组件的密封腔的真空环境较为可靠。当然,在非吸气结构中的气体被去除之后,亦可以在真空环境中完成杜瓦组件的组装工作,防止气体重新进入非吸气结构等器件之内,且在杜瓦组件进行组装工作之前,预先对吸气剂层300进行激活。
基于上述任一实施例公开的杜瓦组件,本申请还公开一种探测设备,其包括探测器500和上述任一杜瓦组件,探测器500具体可以为红外探测器,探测器500设置在杜瓦组件的密封腔内,且探测器500可以安装在杜瓦组件的基板410上,杜瓦组件的基板410安装于杜瓦组件的冷指440上,借助冷指440可以为探测器500提供较低的温度环境。
需要说明的是,在本文中,术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含,从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者装置不仅包括那些要素,而且还包括没有明确列出的其他要素,或者是还包括为这种过程、方法、物品或者装置所固有的要素。在没有更多限制的情况下,由语句“包括一个……”限定的要素,并不排除在包括该要素的过程、方法、物品或者装置中还存在另外的相同要素。此外,需要指出的是,本申请实施方式中的方法和装置的范围不限按示出或讨论的顺序来执行功能,还可包括根据所涉及的功能按基本同时的方式或按相反的顺序来执行功能,例如,可以按不同于所描述的次序来执行所描述的方法,并且还可以添加、省去、或组合各种步骤。另外,参照某些示例所描述的特征可在其他示例中被组合。
上面结合附图对本申请的实施例进行了描述,但是本申请并不局限于上述的具体实施方式,上述的具体实施方式仅仅是示意性的,而不是限制性的,本领域的普通技术人员在本申请的启示下,在不脱离本申请宗旨和权利要求所保护的范围情况下,还可做出很多形式,均属于本申请的保护之内。

Claims (10)

1.一种杜瓦组件,其特征在于,包括封装器件和多个功能器件,所述封装器件具有密封腔,多个所述功能器件均安装于所述密封腔内,所述封装器件和各所述功能器件均为非吸气专用件,且多个所述功能器件中的一者或几者可作为吸气结构的承载部,和/或所述封装器件作为吸气结构的承载部;
所述吸气结构还包括设置于所述承载部的表面中与所述密封腔连通的部分上的吸气剂层,所述吸气结构利用所述吸气剂层吸收所述密封腔内的气体。
2.根据权利要求1所述的杜瓦组件,其特征在于,所述封装器件包括相互连接的基座和壳体,所述功能器件包括冷指,所述冷指安装于所述基座,所述壳体的至少一部分围绕设置于冷指之外,且所述壳体朝向所述冷指的内表面设有所述吸气剂层;
所述壳体中围绕设置于所述冷指之外的部分与所述冷指仿形且紧邻设置。
3.根据权利要求1所述的杜瓦组件,其特征在于,所述封装器件包括壳体、罩体和进光件,所述罩体的一端和所述壳体连接,且所述进光件设置于所述罩体的另一端,所述罩体的内表面设有所述吸气剂层。
4.根据权利要求1所述的杜瓦组件,其特征在于,所述封装器件包括相互连接的罩体和进光件,所述功能器件包括辐射屏,所述辐射屏位于所述罩体的内侧,且所述辐射屏的外表面设有所述吸气剂层;
所述罩体与所述辐射屏仿形且紧邻设置;
所述辐射屏的内表面设有所述吸气剂层。
5.根据权利要求1所述的杜瓦组件,其特征在于,所述承载部的表面中与所述密封腔连通的部分上均覆盖有所述吸气剂层,所述吸气剂层围成隔绝膜体,所述隔绝膜体围绕所述密封腔,隔绝所述承载部和所述密封腔。
6.根据权利要求1所述的杜瓦组件,其特征在于,所述承载部的至少部分采用表面可释放气体的材料制成,所述吸气剂层覆盖所述表面可释放气体的材料与所述密封腔连通的表面,阻止所述材料自被所述吸气剂层覆盖的部分的表面释放的气体进入所述密封腔内。
7.一种杜瓦组件的加工方法,其特征在于,所述加工方法包括:
去除承载部的表面的氧化层,形成第一中间件,其中,所述承载部包括封装器件和功能器件中的至少一者;
在所述第一中间件的表面形成钝化层,形成第二中间件;
在所述第二中间件的表面形成吸气剂层,以形成吸气结构。
8.根据权利要求7所述的加工方法,其特征在于,所述在所述第二中间件的表面形成吸气剂层,以形成吸气结构,具体为:
采用磁控溅射的方式,在所述第二中间件的表面形成吸气剂层,以形成吸气结构。
9.根据权利要求8所述的加工方法,其特征在于,所述杜瓦组件包括基板,所述基板用以安装探测器,所述加工方法还包括:
在组装所述杜瓦组件之前,去除非吸气结构中的气体,所述非吸气结构包括所述基板。
10.一种探测设备,其特征在于,包括探测器和权利要求1-6任意一项所述的杜瓦组件,所述杜瓦组件包括基板,所述基板和所述探测器均设置于所述杜瓦组件的密封腔内,且所述探测器安装于所述基板。
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