CN117223412A - 一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 - Google Patents

Abstract

一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法。显示面板包括：衬底基板(1)；多个发光器件(2)，多个发光器件(2)位于衬底基板(1)的一侧；附加构件，位于发光器件(2)远离衬底基板(1)的一侧，附加构件包括光取出结构(3)和电致变色结构(4)；光取出结构(3)在衬底基板(1)上的正投影与发光器件(2)在衬底基板(1)上的正投影存在交叠，被配置对发光器件(2)出射的光线进行收拢；电致变色结构(4)在衬底基板(1)的正投影位于相邻发光器件(2)在衬底基板(1)的正投影之间，被配置为在发光器件(2)发光时，电致变色结构(4)处于透明状态，以及在发光器件(2)不发光时，电致变色结构(4)处于遮光状态。

Description

一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法 技术领域

本公开涉及半导体技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法。

背景技术

随着量子点技术的深入发展，电致量子点发光二极管的研究日益深入，量子效率不断提升，已基本达到产业化的水平，进一步采用新的工艺和技术来实现其产业化已成为未来的趋势。

发明内容

本公开实施例提供一种显示面板、显示装置和显示面板的制作方法。所述显示面板，其中，包括：

衬底基板；

多个发光器件，多个所述发光器件位于所述衬底基板的一侧；

附加构件，位于所述发光器件远离所述衬底基板的一侧，所述附加构件包括光取出结构和电致变色结构；所述光取出结构在所述衬底基板上的正投影与所述发光器件在所述衬底基板上的正投影存在交叠，被配置对所述发光器件出射的光线进行收拢；所述电致变色结构在所述衬底基板的正投影位于相邻所述发光器件在所述衬底基板的正投影之间，被配置为在所述发光器件发光时，所述电致变色结构处于透明状态，以及在所述发光器件不发光时，所述电致变色结构处于遮光状态。

在一种可能的实施方式中，所述光取出结构在所述衬底基板的正投影仅覆盖所述发光器件在所述衬底基板的正投影。

在一种可能的实施方式中，所述光取出结构在所述衬底基板的正投影面积，与所述电致变色结构在所述衬底基板的正投影面积比例为0.7～1.6。

在一种可能的实施方式中，所述光取出结构在所述衬底基板的正投影覆盖所述发光器件在所述衬底基板的正投影，以及覆盖所述电致变色结构在所述衬底基板的正投影；

在所述光取出结构的正投影与所述电致变色结构正投影重叠的所在区域，所述电致变色结构位于所述光取出结构面向所述衬底基板的一侧。

在一种可能的实施方式中，所述电致变色结构包括：第一电极，位于所述第一电极远离所述衬底基板一侧的电致变色层，以及位于所述电致变色层远离所述第一电极一侧的第二电极。

在一种可能的实施方式中，所述电致变色层的材料包括：三氧化钨、三氧化钼、聚噻吩类及其衍生物、紫罗精类、四硫富瓦烯、和金属酞菁类化合物中的一种或多种。

在一种可能的实施方式中，所述光取出结构包括依次叠层的多个光取出膜层，各所述光取出膜层在垂直于所述衬底基板方向的截面形状为长方形。

在一种可能的实施方式中，在由所述发光器件指向所述光取出结构的方向，各所述光取出膜层的折射率依次增加。

在一种可能的实施方式中，所述光取出膜层包括第一本体，以及混合于所述第一本体的第一掺杂体；所述第一掺杂体的折射率高于所述第一本体的折射率；

在由所述发光器件指向所述光取出结构的方向，各所述光取出膜层的所述第一掺杂体的含量比例逐渐增大。

在一种可能的实施方式中，所述第一本体的材料包括：氧化硅，所述第一掺杂体的材料包括：氮化硼；

或者，所述第一本体的材料包括：有机物或聚合物，所述第一掺杂体的材料包括：二氧化钛，二氧化锆，硫化铅，或硫化锌。

在一种可能的实施方式中，在由所述发光器件指向所述光取出结构的方向，各所述光取出膜层在平行于所述衬底基板的各截面的截面面积依次减小。

在一种可能的实施方式中，任意相邻两个所述光取出膜层在平行于所述 衬底基板的同一方向上差值大致相同。

在一种可能的实施方式中，所述光取出结构包括圆形穹顶的透镜结构。

在一种可能的实施方式中，所述光取出结构还包括位于所述发光器件与所述透镜结构之间的平坦化结构，所述平坦化结构的折射率小于所述透镜结构的折射率。

在一种可能的实施方式中，所述平坦化结构在所述衬底基板的正投影与所述透镜结构在所述衬底基板的正投影相互重合。

在一种可能的实施方式中，所述显示面板还包括用于间隔不同所述发光器件的挡墙结构；

所述挡墙结构包括：包围所述发光器件的第一挡墙结构。

在一种可能的实施方式中，所述第一挡墙结构为单膜层的遮光结构。

在一种可能的实施方式中，所述第一挡墙结构包括电致变色材料，所述第一挡墙结构被配置为根据电压或电流的驱动，在透明态与不透明态之间进行转换。

在一种可能的实施方式中，所述第一挡墙结构包括：第一电极，第二电极，以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的电致变色材料层。

在一种可能的实施方式中，所述电致变色材料包括：三氧化钨、三氧化钼、聚噻吩类及其衍生物、紫罗精类、四硫富瓦烯、或金属酞菁类化合物。

在一种可能的实施方式中，所述发光器件包括：第一发光电极，位于所述第一发光电极背离所述衬底基板一侧的发光层，以及位于所述发光层背离所述第一发光电极一侧的第二发光电极；

所述第一发光电极复用为所述第一电极，和/或，所述第二发光电极复用为所述第二电极。

在一种可能的实施方式中，所述挡墙结构还包括第二挡墙结构，所述第二挡墙结构位于所述第一挡墙结构朝向所述发光器件的一侧，所述第二挡墙结构被配置为将由所述发光器件发出并射向所述第二挡墙结构的光反射至所述光取出结构。

在一种可能的实施方式中，所述第二挡墙结构包括：反光金属膜或金属电解质反射膜。

在一种可能的实施方式中，所述反光金属膜的材料包括：银或铝。

在一种可能的实施方式中，所述金属电介质反射膜包括底膜，以及位于所述底膜朝向所述发光器件一侧的至少一层电介质层；

所述底膜的材料包括：一氧化硅、氟化镁、二氧化硅或三氧化二铝。

在一种可能的实施方式中，所述挡墙结构还包括位于所述第二挡墙结构朝向所述发光器件一侧的第三挡墙结构，在由所述衬底基板指向所述发光器件的方向上，所述第三挡墙结构在平行于所述衬底基板方向围成的开口逐渐增大。

在一种可能的实施方式中，所述第三挡墙结构包括依次叠层设置的多个导光膜层；由所述衬底基板指向所述发光器件的方向上，各所述导光膜层的折射率逐渐增大。

在一种可能的实施方式中，各所述导光膜层包括第二本体，以及混合于所述第二本体的第二掺杂体；所述第二掺杂体的折射率高于所述第二本体的折射率；

在由衬底基板指向所述发光器件的方向，各所述导光膜层的所述第二掺杂体的含量比例逐渐增大。

在一种可能的实施方式中，由所述衬底基板指向所述发光器件的方向上，各所述导光膜层在平行于所述衬底基板的各截面的截面面积逐渐减小。

在一种可能的实施方式中，各所述导光膜层在垂直于所述衬底基板方向的厚度大致相同。

在一种可能的实施方式中，所述第三挡墙结构为倾斜的一体斜坡结构。

本公开实施例还提供一种显示装置，其中，包括如本公开实施例提供的所述显示面板。

本公开实施例还提供一种如本公开实施例提供的所述显示面板的制作方法，其中，包括：

提供一衬底基板；

在所述衬底基板的一侧形成多个发光器件；

在所述发光器件背离所述衬底基板的一侧形成包括光取出结构和电致变色结构的附加构件，其中，所述光取出结构在所述衬底基板上的正投影与所述发光器件在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域；所述电致变色结构在所述衬底基板的正投影位于相邻所述发光器件在所述衬底基板的正投影之间。

在一种可能的实施方式中，所述光取出结构包括依次叠层的多个光取出膜层；所述在所述发光器件背离所述衬底基板的一侧形成光取出结构，包括：

通过多次蒸镀步骤形成多个所述光取出膜层，并控制后一蒸镀步骤形成的所述光取出膜层在所述衬底基板的正投影面积，小于当前蒸镀步骤形成的所述光取出膜层在所述衬底基板的正投影。

在一种可能的实施方式中，所述通过多次蒸镀步骤形成多个所述光取出膜层，包括：

在所述发光器件所在区域，通过多次蒸镀步骤形成多个包括第一本体以及第一掺杂体的所述光取出膜层，并控制后一蒸镀步骤形成的所述光取出膜层中所述第一掺杂体的比例，大于当前蒸镀步骤形成的所述光取出膜层中所述第一掺杂体的比例。

在一种可能的实施方式中，所述光取出结构包括圆形穹顶的透镜结构；所述在所述发光器件背离所述衬底基板的一侧形成附加构件，包括：

在所述发光器件所在区域，通过第一次喷墨打印工艺打印第二墨水；

采用紫外光照射对所述第二墨水，形成所述透镜结构。

在一种可能的实施方式中，所述光取出结构还包括位于所述发光器件与所述透镜结构之间的平坦化结构；在通过第一次喷墨打印工艺打印第二墨水之前，所述在所述发光器件背离所述衬底基板的一侧形成附加构件，还包括：

通过第二次喷墨打印工艺打印第一墨水；

通过干燥设备对所述第一墨水干燥，以使所述第一墨水中的溶剂挥发，形成背离所述发光器件的表面为平整的所述平坦化结构。

在一种可能的实施方式中，所述在所述发光器件背离所述衬底基板的一侧形成电致变色结构，包括：

在所述发光器件背离所述衬底基板一侧的相邻所述发光器件所在区域，依次形成第一电极，电致变色层，以及第二电极。

附图说明

图1为本公开实施例提供的显示面板剖视图之一；

图2为本公开实施例提供的显示面板剖视图之二；

图3为本公开实施例提供的显示面板剖视图之三；

图4为本公开实施例提供的显示面板剖视图之四；

图5为本公开实施例提供的显示面板剖视图之五；

图6为本公开实施例提供的显示面板剖视图之六；

图7为本公开实施例提供的显示面板剖视图之七；

图8为本公开实施例提供的显示面板剖视图之八；

图9为本公开实施例提供的显示面板剖视图之九；

图10为本公开实施例提供的显示面板剖视图之十；

图11为本公开实施例提供的显示面板剖视图之十一；

图12为本公开实施例提供的显示面板制作流程示意图。

具体实施方式

为了使得本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第 二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

如本文中使用的“大约”或“大致相同”包括所陈述的值且意味着在如由本领域普通技术人员考虑到所讨论的测量和与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的限制)而确定的对于具体值的可接受的偏差范围内。例如，“大致相同”可意味着相对于所陈述的值的差异在一种或多种标准偏差范围内，或者在±30％、20％、10％、5％范围内。

在附图中，为了清楚，放大了层、膜、面板、区域等的厚度。在本文中参照作为理想化实施方式的示意图的横截面图描述示例性实施方式。这样，将预计到作为例如制造技术和/或公差的结果的与图的形状的偏差。因而，本文中描述的实施方式不应解释为限于如本文中所示的区域的具体形状，而是包括由例如制造所导致的形状方面的偏差。例如，图示或描述为平坦的区域可典型地具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，所图示的尖锐的角可为圆形的。因而，图中所示的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状不意图示区域的精确形状，且不意图限制本权利要求的范围。

为了保持本公开实施例的以下说明清楚且简明，本公开省略了已知功能和已知部件的详细说明。

参见图1和图2所示，本公开实施例提供一种显示面板，其中，包括：

衬底基板1；

多个发光器件2，多个发光器件2位于衬底基板1的一侧；

附加构件，位于发光器件2远离衬底基板1的一侧，附加构件包括光取 出结构3和电致变色结构4；光取出结构3在衬底基板1上的正投影与发光器件2在衬底基板1上的正投影存在交叠，被配置对发光器件2出射的光线进行收拢；电致变色结构4在衬底基板1的正投影位于相邻发光器件2在衬底基板1的正投影之间，被配置为在发光器件发光时，即显示面板进行显示时，电致变色结构处于透明状态，以及在发光器件不发光时，即显示面板不进行显示时，电致变色结构处于遮光状态。

本公开实施例中，发光器件2背离衬底基板1的一侧还设置有附加构件，附加构件包括光取出结构3和电致变色结构4，其中，光取出结构3可以对发光器件2出射的光线进行收拢，进而以对发光器件2发出的光进行聚光，提高显示面板的光取出效率；而设置于相邻发光器件2所在区域的电致变色结构4，可以在发光器件发光时，即显示面板进行显示时，电致变色结构处于透明状态，以及在发光器件不发光时，即显示面板不进行显示时，电致变色结构处于遮光状态，可以起到类似于圆偏光片的作用，降低外界环境光进入到显示面板内部并经显示面板内部结构进行反射时对显示面板产生的影响，且相比于传统的圆偏光片会将所有光的都过滤，使显示面板的亮度降低50％左右，增加显示面板的功耗，而本公开实施例设置的电致变色结构，在具有偏光片可以降低显示面板对外界环境光影响的同时，还可以提高显示面板的出光亮度，降低显示面板的功耗。

光取出结构3对发光器件2出射的光线进行收拢，结合图1所示，可以认为是发光器件2出射的第一光线S1，再经光取出构件3后，转变为第二光线S2，其中，第二光线S2相比于第一光线S1向发光器件2的中心所在侧偏转，进而起到对发光器件2出射的光线进行收拢聚光的作用；其中，光取出结构3对发光器件2出射的光线进行收拢后出射的第二光线S2，可以是垂直于衬底基板1的方向，也可以是与衬底基板1呈锐角或钝角，只要能够相对于第一光线S1向发光器件2的中心所在侧偏转，即可以认为是对发光器件2出射的光线进行收拢。

在一种可能的实施方式中，结合图1所示，光取出结构3在衬底基板1 的正投影仅覆盖发光器件2在衬底基板1的正投影，即，仅在发光器件2所在的区域设置光取出结构3，以对发光器件2出射的光线进行收拢。

发光器件2具体可以包括依次位于衬底基板1依次的第一发光电极21，发光层24，以及第二发光电极26；发光器件2在衬底基板1的正投影，可以认为是其中主要起发光作用的发光层24在衬底基板1的正投影。具体的，发光器件可以为正置结构，第一发光电极21可以为阳极，第二发光电极26可以为阴极，发光器件还可以包括位于第一发光电极21与发光层24之间的空穴注入层22，位于空穴注入层22与发光层24之间的空穴传输层23，位于发光层24与第二发光电极26之间的电子传输层25，具体的，发光器件2还可以是其它的膜层结构，发光器件2也可以为倒置结构，本公开实施例不以此为限。具体的，本公开实施例中的发光器件2可以为量子点发光器件，发光层24的材料具体可以为量子点，发光器件2也可以为有机发光器件，发光层24的材料可以为有机发光材料。

在一种可能的实施方式中，结合图1所示，光取出结构3在衬底基板1的正投影面积A1，与电致变色结构4在衬底基板1的正投影面积A2比例为0.7～1.6。

在一种可能的实施方式中，结合图2所示，光取出结构3在衬底基板1的正投影覆盖发光器件2在衬底基板1的正投影，以及覆盖电致变色结构4在衬底基板1的正投影；在光取出结构3的正投影与电致变色结构4正投影重叠的所在区域，电致变色结构4位于光取出结构3面向衬底基板1的一侧。即，在具体实施时，也可以在发光器件2所在区域以外的区域设置光取出结构3，例如，在电致变色结构4所在区域也设置光取出结构3，在光取出结构3与电致变色结构4正投影重叠的所在区域，相比于光取出结构3，电致变色结构4位于光取出结构3的下方。

在一种可能的实施方式中，结合图3或图4所示，电致变色结构4包括：第一电极41，位于第一电极41远离衬底基板1一侧的电致变色层42，以及位于电致变色层42远离第一电极41一侧的第二电极43。

具体的，结合图3所示，各电致变色结构4的第一电极41可以为相互独立的结构，各电致变色结构4的第二电极43可以为一体结构；结合图4所示，各电致变色结构4的第一电极41可以为一体结构，各电致变色结构4的第二电极43可以为相互独立的结构，具体的，第二电极43可以复用为发光器件2的第二发光电极26。

在具体制作电致变色结构4时，可以在形成发光器件2之后，在衬底基板1的发光器件2之上接着制作电致变色结构4；在另一种可能的实施方式中，显示面板也可以包括封装结构5，封装结构5可以为封装盖板，例如，玻璃盖板，电致变色结构4也可以先制作于封装盖板，之后将制作有电致变色结构4的封装盖板以具有电致变色结构4的一面覆盖于具有发光器件2的衬底基板1之上，进而形成本公开实施例所示的显示面板。具体的，封装结构5也可以为薄膜封装层，可以包括依次叠置的第一无机封装层、有机封装层和第二无机封装层。

在一种可能的实施方式中，电致变色层42在平行于衬底基板1上的宽度为5μm～25μm。

在一种可能的实施方式中，电致变色层42的材料包括：三氧化钨/三氧化钼、聚噻吩类及其衍生物、紫罗精类、四硫富瓦烯、和金属酞菁类化合物中的一种或多种。

在一种可能的实施方式中，结合图3所示，光取出结构3包括依次叠层的多个光取出膜层，例如，光取出结构3可以包括依次位于发光器件2远离衬底基板1一侧的：第一子光取出膜层31，第二子光取出膜层32，第三子光取出膜层33，第四子光取出膜层34；各光取出膜层在垂直于衬底基板1方向的截面形状为长方形。在具体实施时，可以通过依次蒸镀各光取出膜层，进而形成包括多个光取出膜层的光取出结构3。具体的，可以通过化学气相沉积法形成各光取出膜层。

在一种可能的实施方式中，结合图3所示，在由发光器件2指向光取出结构3的方向，各光取出膜层的折射率依次增加。即，第一子光取出膜层31 的折射率小于第二子光取出膜层32的折射率，第二子光取出膜层32的折射率小于第三子光取出膜层33的折射率，第三子光取出膜层33的折射率小于第四子光取出膜层34的折射率。本公开实施例中，在由发光器件2指向光取出结构3的方向，各光取出膜层的折射率依次增加，进而可以实现对发光器件2出射的光线进行收拢的效果。

在一种可能的实施方式中，结合图3所示，光取出膜层包括第一本体，以及混合于第一本体的第一掺杂体；第一掺杂体的折射率高于第一本体的折射率；在由发光器件指向光取出结构的方向，各光取出膜层的第一掺杂体的含量比例逐渐增大。具体的，可以在蒸镀形成各光取出膜层时，通过控制第一本体与第一掺杂体的含量，进而实现各光取出膜层的折射率依次增大的效果。

在一种可能的实施方式中，第一本体的材料包括：氧化硅，第一掺杂体的材料包括：氮化硼，具体的，在通过化学气相沉积法制作各光取出膜层时，通过控制氮化硼和氧化硅的用量，实现上层掺杂的氮化硼含量较高，形成上层的折射率强于下层；或者，第一本体的材料包括：有机物或聚合物，第一掺杂体的材料包括：二氧化钛，二氧化锆，硫化铅，或硫化锌，具体的，可以将二氧化钛(TiO2)，二氧化锆(ZrO2)，硫化铅(PbS)，硫化锌(ZnS)高折射率无机材料在纳米尺度上与有机基材或者聚合物基材进行掺杂，再调节无机材料与有机材料之间的比例制备得到各光取出膜层。

在一种可能的实施方式中，结合图3所示，在由发光器件2指向光取出结构3的方向，各光取出膜层在平行于衬底基板1的各截面的截面面积依次减小。如此，可以使由各光取出膜层形成的光取出结构3，在结构上形成为类似透镜的结构，进一步对发光器件2出射的光线具有收拢聚光的效果。

在一种可能的实施方式中，结合图3所示，任意相邻两个光取出膜层在平行于衬底基板1的同一方向上差值a大致相同。具体的，由于实际工艺误差，要求差值a完全相同，难度较大，具体的，任意相邻两个光取出膜层在平行于衬底基板1的同一方向上差值a大致相同，可以理解为任意相邻两个 光取出膜层在平行于衬底基板1的同一方向上差值a的偏差可以小于或等于0.5μm。

第一子光取出膜层31，第二子光取出膜层32，第三子光取出膜层33，第四子光取出膜层34在平行于衬底基板1平面上的两个垂直方向的长度和宽度，可以与对应的发光器件2尺寸大小相关，当发光器件2的长为Xμm，宽度为Yμm时，第一子光取出膜层31、第二子光取出膜层32、第三子光取出膜层33、第四子光取出膜层34的长宽、宽度可以分别为(X+5μm～X+10μm，Y+5μm～Y+10μm)、(X+4μm～X+9μm，Y+4μm～Y+9μm)、(X+3μm～X+8μm，Y+3μm～Y+8μm)、(X+2μm～X+7μm，Y+2μm～Y+7μm)；

第一子光取出膜层31，第二子光取出膜层32，第三子光取出膜层33，第四子光取出膜层34在平行于衬底基板1的厚度可以大致相同，可以为0.4μm～0.6μm，更具体的，可以为0.3μm～0.5μm。具体的，由于实际工艺误差，严格要求各光取出膜层的厚度完全相同，较难达到，在具体实施时，第一子光取出膜层31，第二子光取出膜层32，第三子光取出膜层33，第四子光取出膜层34在平行于衬底基板1的厚度大致相同，可以理解为其中任意二者的差值与一者本身的厚度比例在0～20％。

在一种可能的实施方式中，结合图5所示，光取出结构3包括圆形穹顶的透镜结构36。本公开实施例中，光取出结构3包括圆形穹顶的透镜结构36，可以实现对发光器件2出射的光线进行收拢聚光。

在具体实施时，可以通过打印透明的光致固化墨水，形成圆形穹顶的透镜结构36，固化后起到聚光作用。当然，在具体实施时，也可以通过其它方式形成圆形穹顶的透镜结构36，本公开实施例不以此为限，但相对于其它形成圆形穹顶的透镜结构36的方式，喷墨打印工艺形成圆形穹顶的透镜结构36的方式较为成熟，制作方便。

在一种可能的实施方式中，结合图6所示，光取出结构3还包括位于发光器件2与透镜结构36之间的平坦化结构35，平坦化结构35的折射率小于透镜结构36的折射率。在具体实施时，可以通过喷墨打印工艺形成平坦化结 构35，即，打印墨水可以分为2次打印，先打印第一墨水，设置第一墨水墨滴滴数为1～3滴，之后可以使用干燥设备将第一墨水中的溶剂抽干，获得相对平整的膜，再打印第二墨水，第二墨水为光致固化墨水，打印滴数为1～10滴，打印完成后，使用紫外光(如365nm的紫外光)照射500ms～40s使墨水固化，形成一个透镜结构3；第一墨水干燥后形成的平坦化结构35的厚度为0.01μm～0.1μm,第二墨水的最大位置处的厚度为0.7～2μm；第一墨水的主要作用为和下方膜层的接触角较小。方便第二墨水铺展，避免第二墨水仅在发光器件2所在区域的部分区域聚集；具体的，第一墨水的折射率小于第二墨水的折射率，第一墨水的折射率可以为1.4～1.6，第二墨水的折射率可以为1.6～2。

在一种可能的实施方式中，结合图6所示，平坦化结构35在衬底基板1的正投影与透镜结构36在衬底基板1的正投影相互重合。

在一种可能的实施方式中，结合图1-图6所示，显示面板还包括用于间隔不同发光器件的挡墙结构6；参见图7所示，挡墙结构6包括：包围发光器件2的第一挡墙结构63。

在一种可能的实施方式中，结合图7或图8所示，第一挡墙结构63为单膜层的遮光结构。

目前透明显示主要有几种方案，透明有机发光显示，透明液晶显示，透明液晶显示是通过液晶显示本身的调光特性来实现透明显示，但是无法离开背光，因此目前主要使用在自动售货机等可以提供背光源的场景，无法应用于汽车或高铁等。而透明有机发光显示主要是在背板上设置透光区域来实现较高的透光率，并且因为自发光的优势，因此应用场景更广。但是由于透光区的透过率是固定的，因此无法实现透明度的改变，因此画质会受到光线影响。因此本公开实施例还提出一种新的显示面板，将量子点发光像素和电致变色像素结合，实现透明度可调的主动式量子点发光显示，即，在一种可能的实施方式中，结合图9所示，第一挡墙结构63为电致变色像素结构，电致变色像素结构被配置为根据电压或电流的驱动，在透明态与显示态之间进行 转换。本公开实施例中，第一挡墙结构63为电致变色像素结构，可以根据显示面板对透明度的要求，实现对显示面板的透明度可调。

具体的，结合图9所示，电致变色像素结构包括：第一电极631，位于第一电极631远离衬底基板1一侧的电致变色像素层632，以及位于电致变色像素层632远离第一电极631一侧的第二电极633。

在一种可能的实施方式中，第一电极631共用第一发光电极21，和/或，第二电极633共用第二发光电极26。具体的，可以是仅第一电极631共用第一发光电极21；也可以是仅第二电极633共用第二发光电极26；也可以是第一电极631共用第一发光电极21，同时，第二电极633共用第二发光电极26。当然，在具体实施时，也可以为电致变色像素结构制备单独的第一电极631以及第二电极633。

在一种可能的实施方式中，电致变色像素层632的材料可以包括：三氧化钨、三氧化钼、聚噻吩类及其衍生物、紫罗精类、四硫富瓦烯、或金属酞菁类化合物。

在一种可能的实施方式中，结合图7或图8所示，挡墙结构6还包括第二挡墙结构62，第二挡墙结构62位于所述第一挡墙结构61朝向发光器件2的一侧，第二挡墙结构62被配置为将由发光器件2发出并射向第二挡墙结构62的光朝光取出结构3一侧反射至光取出结构36。

在一种可能的实施方式中，第二挡墙结构62包括：反光金属膜或金属电解质反射膜。

具体的，反光金属膜的材料可以包括：银或铝。

具体的，金属电介质反射膜包括底膜，以及位于底膜朝向发光器件一侧的至少一层电介质层；底膜的材料包括：一氧化硅、氟化镁、二氧化硅或三氧化二铝。金属电介质反射膜是建立在多光束干涉基础上的，与增透膜相反，在光学表面上镀一层折射率高于底膜材料的薄膜，就可以增加光学表面的反射率，最简单的多层电介质层是由高、低折射率的二种材料交替蒸镀而成的。

在一种可能的实施方式中，结合图7所示，挡墙结构6还包括位于第二 挡墙结构62朝向发光器件2一侧的第三挡墙结构61，在由衬底基板1指向发光器件2的方向上，第三挡墙结构61在平行于衬底基板1方向围成的开口逐渐增大。本公开实施例中，第三挡墙结构61在平行于衬底基板1方向的开口逐渐增大，可以有利于将发光器件2出射的光进行光取出。

在一种可能的实施方式中，结合图7所示，第三挡墙结构61包括依次叠层设置的多个导光膜层，具体的，例如，第三挡墙结构61包括依次位于衬底基板1一侧的第一子导光膜层611、第二子导光膜层612和第三子导光膜层613；由衬底基板1指向发光器件2的方向上，各导光膜层的折射率逐渐增大，即，第一子导光膜层611的折射率小于第二子导光膜层612的折射率，第二子导光膜层612的折射率小于第三子导光膜层613的折射率。本公开实施例中，各导光膜层的折射率逐渐增大，可以进一步有利于将发光器件2出射的光进行光取出。

具体的，第一子导光膜层611的折射率n1、第二子导光膜层612的折射率n2、第三子导光膜层613的折射率n3，可以是n1<n2<n3，其中1.4<n1<1.5；n1<n2<1.6；n2<n3<1.8。

在一种可能的实施方式中，各导光膜层包括第二本体，以及混合于第二本体的第二掺杂体；第二掺杂体的折射率高于第二本体的折射率；在由衬底基板1指向发光器件2的方向，各导光膜层的第二掺杂体的含量比例逐渐增大。在具体实施时，可以通过化学气相沉积第二本体和第二掺杂体，控制第二本体(例如，氧化硅)和第二掺杂体(例如，氮化硼)的用量，实现上层掺杂的氮化硼含量较高，形成上层的折射率强于下层，这样能够诱导光从发光器件2内部取出。

在一种可能的实施方式中，结合图7所示，由衬底基板1指向发光器件2的方向上，各导光膜层在平行于衬底基板1的各截面的截面面积逐渐减小。具体的，各导光膜层在平行于衬底基板1的同一方向的宽度逐渐减小。具体的，0.3μm>第一子导光膜层611的宽度>第一子导光膜层611的宽度>第三子导光膜层613的宽度>0.1μm。

在一种可能的实施方式中，结合图7所示，各导光膜层在垂直于衬底基板方向的厚度大致相同，具体的，各导光膜层的厚度为0.3μm～0.5μm。

在一种可能的实施方式中，结合图8所示，第三挡墙结构61为倾斜的一体斜坡结构。本公开实施例中，第三挡墙结构61为倾斜的一体斜坡结构，也可以实现有利于将发光器件2出射的光进行光取出。

在一种可能的实施方式中，参见图10或图11所示，显示面板还包括位于发光器件2边缘的导光层7，导光层7位于发光器件2与电致变色结构3之间，如图10所示；或者，导光层7位于电致变色结构3背离发光器件2的一侧，如图11所示。本公开实施例中，显示面板还包括位于发光器件2边缘的导光层7，可以有效地将通电后发光器件2内部产生的光子有效导出，提高出光效率，该结构在一定程度上可以降低大尺寸面板的压降。

在一种可能的实施方式中，导光层7的材料可以包括：乙烯-醋酸乙烯酯，TP-THPE共聚性环氧物，或环氧和环硫树脂聚合物。具体的，导光层7可以通过喷墨打印制备，导光层7可以为一种高折射率的透明胶材，该胶材可以的材料为：乙烯-醋酸乙烯酯等有机胶材，导光层7的材料也可以为TP-THPE共聚性环氧物，具体的，可以通过THPE、含硫单体二羟基二苯硫醚(TP)和ECH为原料合成；导光层7的材料也可以为高含硫量的高折射率环氧和环硫树脂聚合物(折射率范围为：1.65～1.75)，该聚合物可以通过环氧和环硫树脂单体与等摩尔的4，4－二巯基二苯硫醚(TDBT)固化剂，通过开环聚合反应得到。

基于同一发明构思，本公开实施例还提供一种显示装置，其中，包括如本公开实施例提供的显示面板。

基于同一发明构思，参见图12所示，本公开实施例还提供一种如本公开实施例提供的显示面板的制作方法，其中，包括：

步骤S100、提供一衬底基板；

步骤S200、在衬底基板的一侧形成多个发光器件；

步骤S300、在发光器件背离衬底基板的一侧形成包括光取出结构和电致 变色结构的附加构件，其中，光取出结构在衬底基板上的正投影与发光器件在衬底基板上的正投影存在交叠区域；电致变色结构在衬底基板的正投影位于相邻发光器件在衬底基板的正投影之间。

在一种可能的实施方式中，光取出结构包括依次叠层的多个光取出膜层；相应的，步骤S300中，在发光器件背离衬底基板的一侧形成光取出结构，可以包括：

通过多次蒸镀步骤形成多个光取出膜层，并控制后一蒸镀步骤形成的光取出膜层在衬底基板的正投影面积，小于当前蒸镀步骤形成的光取出膜层在衬底基板的正投影。

具体的，通过多次蒸镀步骤形成多个光取出膜层，可以包括：

在发光器件所在区域，通过多次蒸镀步骤形成多个包括第一本体以及第一掺杂体的光取出膜层，并控制后一蒸镀步骤形成的光取出膜层中第一掺杂体的比例，大于当前蒸镀步骤形成的光取出膜层中第一掺杂体的比例。

在一种可能的实施方式中，光取出结构包括圆形穹顶的透镜结构；相应的，步骤S300中，在发光器件背离衬底基板的一侧形成附加构件，可以包括：

在发光器件所在区域，通过第一次喷墨打印工艺打印第二墨水；

采用紫外光照射对第二墨水，形成透镜结构。

具体的，光取出结构还包括位于发光器件与透镜结构之间的平坦化结构；在通过第一次喷墨打印工艺打印光致固化墨水之前，在发光器件背离衬底基板的一侧形成附加构件，还包括：

通过第二次喷墨打印工艺打印第一墨水；

通过干燥设备对第一墨水干燥，以使第一墨水中的溶剂挥发，形成背离发光器件的表面为平整的平坦化结构。

在一种可能的实施方式中，步骤S300中，在发光器件背离衬底基板的一侧形成电致变色结构，包括：

在发光器件背离衬底基板一侧的相邻发光器件所在区域，依次形成第一电极，电致变色层，以及第二电极。

为了更清楚地理解本公开实施例提供的显示面板的制作方法，以下进行进一步举例说明：

实施例一：

结合图4所示，可以在阵列基板上依次制作发光器件2，电致变色结构3，以及光取出结构4，具体的，显示面板的制作方法可以包括：

1、制备包含挡墙结构6的阵列基板；

2、在挡墙结构6形成的像素坑区域制备发光器件2的多个膜层，具体工艺可以为通过蒸镀或者喷墨打印制备，可以分别制备空穴注入层/空穴传输层/量子点发光层/电子传输层；

3、采用开口掩膜板(OPEN MASK)蒸镀第二发光电极；

4、采用精细掩膜板(FMM MASK)进行电致变色结构中膜层的沉积；

5、制备包括多个光取出膜层的光取出结构3：

5.1、多个光取出膜层可以通过蒸镀制备，采用FMM mask,通过蒸镀不同折射率的光取出膜层实现聚光作用，不同的光取出膜层可以采用不同的FMM mask,制备面积逐步减少；

第一子光取出膜层31，第二子光取出膜层32，第三子光取出膜层33，第四子光取出膜层34的厚度范围为0.4um～0.6um；第一子光取出膜层31，第二子光取出膜层32，第三子光取出膜层33，第四子光取出膜层34在平行于衬底基板1平面上的两个垂直方向的长度和宽度，可以与对应的发光器件2尺寸大小相关，当发光器件2的长为Xμm，宽度为Yμm时，第一子光取出膜层31、第二子光取出膜层32、第三子光取出膜层33、第四子光取出膜层34的长宽、宽度可以分别为(X+5μm～X+10μm，Y+5μm～Y+10μm)、(X+4μm～X+9μm，Y+4μm～Y+9μm)、(X+3μm～X+8μm，Y+3μm～Y+8μm)、(X+2μm～X+7μm，Y+2μm～Y+7μm)；

各光取出膜层可以通过化学气相沉积含量不同的氮化硼和氧化硅，控制氮化硼和氧化硅的用量，实现上层掺杂的氮化硼含量较高，形成上层的折射率强于下层，各光取出膜层的材料也可以为：诸如二氧化钛(Ti O2)，二氧化 锆(ZrO2)，硫化铅(PbS)，硫化锌(ZnS)等高折射率无机材料在纳米尺度上与有机基材或者聚合物基材进行掺杂，再调节无机材料与有机材料之间的比例制备得到，各光取出膜层的折射率范围1.4～2；

光取出结构3之间的间隙为电致变色结构4，电致变色结构4中电致变色层42的宽度可以为5um～25um；

5.2、光取出结构3可以通过打印制备，通过打印透明的第二墨水，第二墨水可以为光致固化墨水，形成圆形穹顶的结构，固化后起到聚光作用；

第一墨水和第二墨水可以为全芳环的聚酰亚胺，或以芳环为基本骨架的聚合物掺杂2甲氧基乙醇，烷烃(13烷到16烷)，所得第一墨水和第二墨水黏度5～12cp，表面张力22～35mN/m；

可设置打印参数，在电致变色结构4之间打印光至固化墨水，可以调试墨滴大小为3.5pl～5pl,可设置打印滴数为1～10滴，墨水可以分为2次打印，先打印第一墨水，设置墨滴滴数为1～3滴，可以使用VCD等参数将墨水1抽干，获得相对平整的膜，再打印第二墨水，第二墨水为光致固化墨水，打印滴数为1～10滴，打印完成后，使用UV照射500ms～40s使墨水固化，形成一个凸透镜结构；也可以直接打印第二墨水形成凸透镜；第一墨水的厚度为0.01um～0.1um，第二墨水的厚度为0.7～2um；

第一墨水的主要作用为和基底的接触角较小。方便第二墨水铺展，第一墨水的折射率小于墨水2，第一墨水的折射率为1.4～1.6，第二墨水的折射率为1.6～2；

6、采用FMMmask制备电致变色结构的第二电极43；

实施例二：

结合图6所示，可以在阵列基板上依次制作发光器件2，在封装盖板上制备电致变色结构3，以及光取出结构4，具体的，显示面板的制作方法可以包括：

1、制备包含挡墙结构6的阵列基板；

2、在挡墙结构6形成的像素坑区域制备发光器件2的多个膜层，具体工 艺可以为通过蒸镀或者喷墨打印制备，可以分别制备空穴注入层/空穴传输层/量子点发光层/电子传输层；

3、采用开口掩膜板(OPEN MASK)蒸镀第二发光电极；

4、在封装盖板上与挡墙结构6对应的区域制备包括多个光取出膜层的光取出结构3：

4.1、多个光取出膜层可以通过蒸镀制备，采用FMM mask,通过蒸镀不同折射率的光取出膜层实现聚光作用，不同的光取出膜层可以采用不同的FMM mask,制备面积逐步减少；

第一子光取出膜层31，第二子光取出膜层32，第三子光取出膜层33，第四子光取出膜层34的厚度范围为0.4um～0.6um；第一子光取出膜层31，第二子光取出膜层32，第三子光取出膜层33，第四子光取出膜层34在平行于衬底基板1平面上的两个垂直方向的长度和宽度，可以与对应的发光器件2尺寸大小相关，当发光器件2的长为Xμm，宽度为Yμm时，第一子光取出膜层31、第二子光取出膜层32、第三子光取出膜层33、第四子光取出膜层34的长宽、宽度可以分别为(X+5μm～X+10μm，Y+5μm～Y+10μm)、(X+4μm～X+9μm，Y+4μm～Y+9μm)、(X+3μm～X+8μm，Y+3μm～Y+8μm)、(X+2μm～X+7μm，Y+2μm～Y+7μm)；

各光取出膜层可以通过化学气相沉积含量不同的氮化硼和氧化硅，控制氮化硼和氧化硅的用量，实现上层掺杂的氮化硼含量较高，形成上层的折射率强于下层，各光取出膜层的材料也可以为：诸如二氧化钛(Ti O2)，二氧化锆(ZrO2)，硫化铅(PbS)，硫化锌(ZnS)等高折射率无机材料在纳米尺度上与有机基材或者聚合物基材进行掺杂，再调节无机材料与有机材料之间的比例制备得到，各光取出膜层的折射率范围1.4～2；

光取出结构3之间的间隙为电致变色结构4，电致变色结构4中电致变色层42的宽度可以为5um～25um；

4.2、光取出结构3可以通过打印制备，通过打印透明的第二墨水，第二墨水可以为光致固化墨水，形成圆形穹顶的结构，固化后起到聚光作用；

第一墨水和第二墨水可以为全芳环的聚酰亚胺，或以芳环为基本骨架的聚合物掺杂2甲氧基乙醇，烷烃(13烷到16烷)，所得第一墨水和第二墨水黏度5～12cp，表面张力22～35mN/m；

可设置打印参数，在电致变色结构4之间打印光至固化墨水，可以调试墨滴大小为3.5pl～5pl,可设置打印滴数为2～10滴，墨水可以分为2次打印，先打印第一墨水，设置墨滴滴数为1～3滴，可以使用VCD等参数将墨水1抽干，获得相对平整的膜，再打印第二墨水，第二墨水为光致固化墨水，打印滴数为2～10滴，打印完成后，使用UV照射1s～40s使墨水固化，形成一个凸透镜结构；也可以直接打印第二墨水形成凸透镜；第一墨水的厚度为0.01um～0.1um，第二墨水的厚度为0.7～2um；

第一墨水的主要作用为和基底的接触角较小。方便第二墨水铺展，第一墨水的折射率小于墨水2，第一墨水的折射率为1.4～1.6，第二墨水的折射率为1.6～2；

5、采用玻璃封装盖板，在封装盖板上制备电致变色结构的膜层；在封装盖板制作电致变色结构4可以按如下方法制备：

5.1、在玻璃封装盖板整面制备第二电极43，第二电极43为透明材料，可以为Mg:Ag电极(3nm～10nm)或者薄Al电极(3nm～10nm)；

5.2、采用FMM mask蒸镀制备电致变色层，或者曝光显影方法制备图案化的电致变色层；

5.3、采用FMM MASK制备图案化的第一电极41。实施例三：

结合图7或图10所示，可以形成包括多个导光膜层的第三挡墙结构61，显示面板的制作方法可以包括：

量子点发光层的材料可以为CdSe/ZnS量子点(可以通过喷墨打印形成，量子点墨水的浓度具体可以为15mg/ml，溶剂可以为辛烷)，空穴注入层的材料可以为PEDOT，空穴传输层的材料可以为TFB(氯苯溶剂，10mg/ml)，电子传输层的材料可以为氧化锌纳米粒子(30mg/ml，乙醇溶剂)；

挡墙结构6的制备方法可以包括：

采用曝光显影的方法在阵列基板制备黑色的第一挡墙结构63；

在阵列基板上沉积反射的第二挡墙结构62,沉积完成后曝光显影，进行图案化；

在第二挡墙结构62上利用进行化学气相沉积同时沉积氮化硼和氧化硅，沉积膜厚为300nm；前150nm膜层中氮化硼和氧化硅的质量比为1：9，后150nm膜层中氮化硼和氧化硅的质量比为3：7；沉积完成后旋涂光刻胶，曝光显影后形成图形，进行干法刻蚀，对不需要沉积导光bank区域的氧化硅氮化硼进行刻蚀，刻蚀完成后将多余的光刻胶剥离掉，形成基板需要的导光的第三挡墙结构61；

量子点发光器件的制备：

(1)、在第一发光电极21上沉积PEDOT作为空穴注入层22，具体工艺参数可以为：4000rpm旋涂30s，200度退火5分钟；

(2)、旋涂TFB作为空穴传输层23，具体工艺参数可以为：3000rpm旋涂30s，180度退火15分钟；

(3)、旋涂量子点膜层，具体工艺参数可以为：2500rpm旋涂30s，120度退火20分钟；

(4)、旋涂氧化锌膜层作为电子传输层25，具体工艺参数可以为：2500rpm旋涂30s，120度退火20分钟；

(5)、真空蒸镀阴极作为第二发光电极26，通过化学气相法封装，封装完成后通过喷墨打印制备导光层7，UV固化后，再采用封装玻璃封装；

实施例四：

结合图8所示，可以采用倒梯形结构制备第三挡墙结构61，反射面的第二挡墙结构62为一个斜面，从而增加光取出；

量子点发光层的材料可以为CdSe/ZnS量子点(可以通过喷墨打印形成，量子点墨水的浓度具体可以为15mg/ml，溶剂可以为辛烷)，空穴注入层的材 料可以为PEDOT，空穴传输层的材料可以为TFB(氯苯溶剂，10mg/ml)，电子传输层的材料可以为氧化锌纳米粒子(30mg/ml，乙醇溶剂)；

挡墙结构6的制备方法可以包括：

采用曝光显影的方法在阵列基板制备黑色的第一挡墙结构63；

在阵列基板上沉积反射的第二挡墙结构62,沉积完成后曝光显影，进行图案化，形成斜面的第二挡墙结构62；

在第二挡墙结构62,上进行导光材料修饰，旋涂导光材料，曝光显影后形成最终的第三挡墙结构；

QLED器件的制备：

(1)、在第一发光电极21上沉积PEDOT作为空穴注入层22，具体工艺参数可以为：4000rpm旋涂30s，200度退火5分钟；

(2)、旋涂TFB作为空穴传输层23，具体工艺参数可以为：3000rpm旋涂30s，180度退火15分钟；

(3)、旋涂量子点膜层，具体工艺参数可以为：2500rpm旋涂30s，120度退火20分钟；

(4)、旋涂氧化锌膜层作为电子传输层25，具体工艺参数可以为：2500rpm旋涂30s，120度退火20分钟；

(5)、真空蒸镀阴极作为第二发光电极26，通过化学气相法封装，封装完成后通过喷墨打印制备导光层7，UV固化后，再采用封装玻璃封装。

尽管已描述了本发明的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。

显然，本领域的技术人员可以对本发明实施例进行各种改动和变型而不脱离本发明实施例的精神和范围。这样，倘若本发明实施例的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些 改动和变型在内。

Claims (38)

1. 一种显示面板，其中，包括：

   衬底基板；

   多个发光器件，多个所述发光器件位于所述衬底基板的一侧；

   附加构件，位于所述发光器件远离所述衬底基板的一侧，所述附加构件包括光取出结构和电致变色结构；所述光取出结构在所述衬底基板上的正投影与所述发光器件在所述衬底基板上的正投影存在交叠，被配置对所述发光器件出射的光线进行收拢；所述电致变色结构在所述衬底基板的正投影位于相邻所述发光器件在所述衬底基板的正投影之间，被配置为在所述发光器件发光时，所述电致变色结构处于透明状态，以及在所述发光器件不发光时，所述电致变色结构处于遮光状态。
2. 如权利要求1所述的显示面板，其中，所述光取出结构在所述衬底基板的正投影仅覆盖所述发光器件在所述衬底基板的正投影。
3. 如权利要求2所述的显示面板，其中，所述光取出结构在所述衬底基板的正投影面积，与所述电致变色结构在所述衬底基板的正投影面积比例为0.7～1.6。
4. 如权利要求1所述的显示面板，其中，所述光取出结构在所述衬底基板的正投影覆盖所述发光器件在所述衬底基板的正投影，以及覆盖所述电致变色结构在所述衬底基板的正投影；

   在所述光取出结构的正投影与所述电致变色结构正投影重叠的所在区域，所述电致变色结构位于所述光取出结构面向所述衬底基板的一侧。
5. 如权利要求1-4任一项所述的显示面板，其中，所述电致变色结构包括：第一电极，位于所述第一电极远离所述衬底基板一侧的电致变色层，以及位于所述电致变色层远离所述第一电极一侧的第二电极。
6. 如权利要求5所述的显示面板，其中，所述电致变色层的材料包括：三氧化钨、三氧化钼、聚噻吩类及其衍生物、紫罗精类、四硫富瓦烯、和金 属酞菁类化合物中的一种或多种。
7. 如权利要求1-6任一项所述的显示面板，其中，所述光取出结构包括依次叠层的多个光取出膜层，各所述光取出膜层在垂直于所述衬底基板方向的截面形状为长方形。
8. 如权利要求7所述的显示面板，其中，在由所述发光器件指向所述光取出结构的方向，各所述光取出膜层的折射率依次增加。
9. 如权利要求8所述的显示面板，其中，所述光取出膜层包括第一本体，以及混合于所述第一本体的第一掺杂体；所述第一掺杂体的折射率高于所述第一本体的折射率；

   在由所述发光器件指向所述光取出结构的方向，各所述光取出膜层的所述第一掺杂体的含量比例逐渐增大。
10. 如权利要求9所述的显示面板，其中，所述第一本体的材料包括：氧化硅，所述第一掺杂体的材料包括：氮化硼；

    或者，所述第一本体的材料包括：有机物或聚合物，所述第一掺杂体的材料包括：二氧化钛，二氧化锆，硫化铅，或硫化锌。
11. 如权利要求7-10任一项所述的显示面板，其中，在由所述发光器件指向所述光取出结构的方向，各所述光取出膜层在平行于所述衬底基板的各截面的截面面积依次减小。
12. 如权利要求11所述的显示面板，其中，任意相邻两个所述光取出膜层在平行于所述衬底基板的同一方向上差值大致相同。
13. 如权利要求1-6任一项所述的显示面板，其中，所述光取出结构包括圆形穹顶的透镜结构。
14. 如权利要求13所述的显示面板，其中，所述光取出结构还包括位于所述发光器件与所述透镜结构之间的平坦化结构，所述平坦化结构的折射率小于所述透镜结构的折射率。
15. 如权利要求14所述的显示面板，其中，所述平坦化结构在所述衬底基板的正投影与所述透镜结构在所述衬底基板的正投影相互重合。
16. 如权利要求1-15任一项所述的显示面板，其中，所述显示面板还包括用于间隔不同所述发光器件的挡墙结构；

    所述挡墙结构包括：包围所述发光器件的第一挡墙结构。
17. 如权利要求16所述的显示面板，其中，所述第一挡墙结构为单膜层的遮光结构。
18. 如权利要求16所述的显示面板，其中，所述第一挡墙结构包括电致变色材料，所述第一挡墙结构被配置为根据电压或电流的驱动，在透明态与不透明态之间进行转换。
19. 如权利要求18所述的显示面板，其中，所述第一挡墙结构包括：第一电极，第二电极，以及位于所述第一电极和所述第二电极之间的电致变色材料层。
20. 如权利要求19所述的显示面板，其中，所述电致变色材料包括：三氧化钨、三氧化钼、聚噻吩类及其衍生物、紫罗精类、四硫富瓦烯、或金属酞菁类化合物。
21. 如权利要求19所述的显示面板，其中，所述发光器件包括：第一发光电极，位于所述第一发光电极背离所述衬底基板一侧的发光层，以及位于所述发光层背离所述第一发光电极一侧的第二发光电极；

    所述第一发光电极复用为所述第一电极，和/或，所述第二发光电极复用为所述第二电极。
22. 如权利要求16-21任一项所述的显示面板，其中，所述挡墙结构还包括第二挡墙结构，所述第二挡墙结构位于所述第一挡墙结构朝向所述发光器件的一侧，所述第二挡墙结构被配置为将由所述发光器件发出并射向所述第二挡墙结构的光反射至所述光取出结构。
23. 如权利要求22所述的显示面板，其中，所述第二挡墙结构包括：反光金属膜或金属电解质反射膜。
24. 如权利要求23所述的显示面板，其中，所述反光金属膜的材料包括：银或铝。
25. 如权利要求24所述的显示面板，其中，所述金属电介质反射膜包括底膜，以及位于所述底膜朝向所述发光器件一侧的至少一层电介质层；

    所述底膜的材料包括：一氧化硅、氟化镁、二氧化硅或三氧化二铝。
26. 如权利要求22-25任一项所述的显示面板，其中，所述挡墙结构还包括位于所述第二挡墙结构朝向所述发光器件一侧的第三挡墙结构，在由所述衬底基板指向所述发光器件的方向上，所述第三挡墙结构在平行于所述衬底基板方向围成的开口逐渐增大。
27. 如权利要求26所述的显示面板，其中，所述第三挡墙结构包括依次叠层设置的多个导光膜层；由所述衬底基板指向所述发光器件的方向上，各所述导光膜层的折射率逐渐增大。
28. 如权利要求27所述的显示面板，其中，各所述导光膜层包括第二本体，以及混合于所述第二本体的第二掺杂体；所述第二掺杂体的折射率高于所述第二本体的折射率；

    在由衬底基板指向所述发光器件的方向，各所述导光膜层的所述第二掺杂体的含量比例逐渐增大。
29. 如权利要求27或28所述的显示面板，其中，由所述衬底基板指向所述发光器件的方向上，各所述导光膜层在平行于所述衬底基板的各截面的截面面积逐渐减小。
30. 如权利要求29所述的显示面板，其中，各所述导光膜层在垂直于所述衬底基板方向的厚度大致相同。
31. 如权利要求26所述的显示面板，其中，所述第三挡墙结构为倾斜的一体斜坡结构。
32. 一种显示装置，其中，包括如权利要求1-31任一项所述的显示面板。
33. 一种如权利要求1-31任一项所述的显示面板的制作方法，其中，包括：

    提供一衬底基板；

    在所述衬底基板的一侧形成多个发光器件；

    在所述发光器件背离所述衬底基板的一侧形成包括光取出结构和电致变色结构的附加构件，其中，所述光取出结构在所述衬底基板上的正投影与所述发光器件在所述衬底基板上的正投影存在交叠区域；所述电致变色结构在所述衬底基板的正投影位于相邻所述发光器件在所述衬底基板的正投影之间。
34. 如权利要求33所述的制作方法，其中，所述光取出结构包括依次叠层的多个光取出膜层；所述在所述发光器件背离所述衬底基板的一侧形成光取出结构，包括：

    通过多次蒸镀步骤形成多个所述光取出膜层，并控制后一蒸镀步骤形成的所述光取出膜层在所述衬底基板的正投影面积，小于当前蒸镀步骤形成的所述光取出膜层在所述衬底基板的正投影。
35. 如权利要求34所述的制作方法，其中，所述通过多次蒸镀步骤形成多个所述光取出膜层，包括：

    在所述发光器件所在区域，通过多次蒸镀步骤形成多个包括第一本体以及第一掺杂体的所述光取出膜层，并控制后一蒸镀步骤形成的所述光取出膜层中所述第一掺杂体的比例，大于当前蒸镀步骤形成的所述光取出膜层中所述第一掺杂体的比例。
36. 如权利要求33所述的制作方法，其中，所述光取出结构包括圆形穹顶的透镜结构；所述在所述发光器件背离所述衬底基板的一侧形成附加构件，包括：

    在所述发光器件所在区域，通过第一次喷墨打印工艺打印第二墨水；

    采用紫外光照射对所述第二墨水，形成所述透镜结构。
37. 如权利要求36所述的制作方法，其中，所述光取出结构还包括位于所述发光器件与所述透镜结构之间的平坦化结构；在通过第一次喷墨打印工艺打印第二墨水之前，所述在所述发光器件背离所述衬底基板的一侧形成附加构件，还包括：

    通过第二次喷墨打印工艺打印第一墨水；

    通过干燥设备对所述第一墨水干燥，以使所述第一墨水中的溶剂挥发， 形成背离所述发光器件的表面为平整的所述平坦化结构。
38. 如权利要求33-37任一项所述的制作方法，其中，所述在所述发光器件背离所述衬底基板的一侧形成电致变色结构，包括：

    在所述发光器件背离所述衬底基板一侧的相邻所述发光器件所在区域，依次形成第一电极，电致变色层，以及第二电极。