CN117223216A

CN117223216A - 弹性波装置

Info

Publication number: CN117223216A
Application number: CN202280031248.7A
Authority: CN
Inventors: 中村健太郎; 木村哲也
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2021-06-08
Filing date: 2022-06-01
Publication date: 2023-12-12
Also published as: US20240048123A1; WO2022259935A1

Abstract

提供一种具有含有钪的氮化铝膜的弹性波装置，其中，不易产生膜的翘曲、剥落且不易产生压电特性的劣化。弹性波装置(1)具备含有钪的氮化铝膜(ScAlN膜)(3)和设置在ScAlN膜(3)上的电极，ScA1N膜(3)在将进行椭圆近似而求出的短径侧设为粒径，并对进行了面积加权平均的粒径计算出平均粒径时，在柱状生长的相邻的晶粒(11)与晶粒(12)之间、或者在晶体取向不同的晶粒(11)与晶粒(12)之间，具有包括全部晶粒的平均粒径的1/2以下的微小粒子(13a、13b)的微小粒子群，微小粒子群中的晶粒的个数为ScAlN膜(3)中的全体的晶粒的个数的50％以上。

Description

弹性波装置

技术领域

本发明涉及具有含有钪的氮化铝膜的弹性波装置。

背景技术

以往，已知一种使用了含有钪(Sc)的氮化铝(AlN)膜、即ScAlN膜作为压电膜的弹性波装置。例如，在下述的专利文献1中，公开了一种使用了添加有钪的氮化铝膜的BAW(Bulk Acoustic Wave，体声波)装置。在BAW装置中，在ScAlN膜的上表面以及下表面，设置有用于施加交流电场的电极。而且，在ScAlN膜的下方设置有空洞部。此外，在下述的专利文献2中也公开了一种具有同样构造的BAW装置。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2009-010926号公报

专利文献2：美国US2015/0084719A1

发明内容

发明要解决的问题

在使用了添加有Sc的氮化铝膜的以往的弹性波装置中，若Sc的浓度变高，则压电性提高。但是，若Sc的浓度变高，则有时ScAlN膜翘曲或者产生剥落。因此，弹性波装置的特性有时劣化。此外，压电特性也有时劣化。

本发明的目的在于提供一种具有含有钪的氮化铝膜的弹性波装置，其中，不易产生膜的翘曲、剥落并且不易产生压电特性的劣化。

用于解决问题的手段

本发明是弹性波装置，具备：含有钪的氮化铝膜；以及电极，其设置在所述含有钪的氮化铝膜上，所述含有钪的氮化铝膜，在将进行椭圆近似而求出的短径侧设为粒径，并对进行了面积加权平均的粒径计算出平均粒径时，在柱状生长的相邻的晶粒与晶粒之间、或者在晶体取向不同的晶粒与晶粒之间，具有包括全部晶粒的所述平均粒径的1/2以下的微小粒子的微小粒子群，所述微小粒子群中的晶粒的个数为所述含有钪的氮化铝膜中的全体的晶粒的个数的50％以上。

发明效果

根据本发明，能够提供一种具有含有钪的氮化铝膜的弹性波装置，其中，不易产生膜的翘曲、剥落并且不易产生压电特性的劣化。

附图说明

图1的(a)以及图1的(b)是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图以及俯视图。

图2是示意性示出本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的ScAlN膜中的晶体取向性的分布的主视剖视图。

图3是示出实施例1中的ScAlN膜中的晶体取向性的分布的反极图方位图的照片。

图4是用于说明图3所示的反极图方位图中的晶粒分布的示意性主视剖视图。

图5是示出实施例1中的晶粒的粒径分布的图。

图6是示出实施例2中的ScAlN膜中的晶体取向性的分布的反极图方位图的照片。

图7是用于说明图6所示的反极图方位图中的晶粒分布的示意性主视剖视图。

图8是示出实施例2中的晶粒的粒径分布的图。

图9是示出实施例3中的ScAlN膜中的晶体取向性的分布的反极图方位图的照片。

图10是用于说明图9所示的反极图方位图中的晶粒分布的示意性主视剖视图。

图11是示出实施例3中的晶粒的粒径分布的图。

图12是示出Sc浓度和面积加权平均粒径的关系的图。

图13是本发明的第2实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图。

图14是本发明的第3实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图。

图15是本发明的第4实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图。

图16是用于说明本发明中的晶粒粒径的示意图。

具体实施方式

以下，参照附图来说明本发明的具体的实施方式，由此使本发明变得明确。

另外，预先指出本说明书中记载的各实施方式是例示性的，在不同的实施方式间能够进行结构的部分置换或组合。

图1的(a)是本发明的第1实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图，图1的(b)是其俯视图。

弹性波装置1具有支承基板2。在支承基板2的上表面设置有凹部。含有钪的氮化铝(ScAlN)膜3被层叠为覆盖支承基板2的上表面的凹部。ScAlN膜3具有第1主面3a和第1主面3a的相反侧的第2主面3b。第1主面3a被层叠在支承基板2的上表面。由此，设置有空洞部6。

弹性波装置1具有上部电极5和下部电极4作为电极。在第1主面3a上设置有下部电极4。在第2主面3b上设置有上部电极5。上部电极5和下部电极4隔着ScAlN膜3而相互重叠。该相互重叠的区域是激励区域。通过在上部电极5与下部电极4之间施加交流电场，从而激励作为弹性波的BAW(Bulk Acoustic Wave，体声波)。弹性波装置1具有ScAlN膜3作为压电膜，是在该ScAlN膜3传播的弹性波以BAW为主体的BAW装置。

空洞部6为了不妨碍ScAlN膜3中的BAW的激励而设置。因此，空洞部6位于激励区域的下方。

支承基板2包括适当的绝缘体或者半导体。作为这种材料，能够例举硅、玻璃、GaAs、陶瓷、石英等。在本实施方式中，支承基板2是高电阻的硅基板。

另外，上部电极5以及下部电极4包括适当的金属或合金。作为这种材料，可以例举Ti、Mo、Ru、W、Al、Pt、Ir、Cu、Cr或Sc等金属、使用了这些金属的合金。此外，上部电极5以及下部电极4也可以是多个金属膜的层叠体。

ScAlN膜3能够通过溅射、CVD等适当的方法来形成。在本实施方式中，ScAlN膜3使用RF磁控溅射装置成膜。

在上述溅射时，使用包括Al的第1靶材和包括Sc的第2靶材，在氮气气氛中进行溅射。即，通过二元溅射法，形成ScAlN膜。在该情况下，对于ScAlN膜的取向程度，能够通过调整溅射条件来进行控制。作为溅射条件，可以例举RF功率的大小、气压、气体的流量、靶材的材料的组成或纯度等。

另外，对于所成膜的ScAlN膜的取向性，能够使用ASTAR(注册商标)来确认。该ASTAR利用了ACOM-TEM法(Automated Crystal Orientation Mapping-TEM法，自动晶体取向映射-TEM法)。

图2是示意性示出本发明的第1实施方式的弹性波装置中的ScAlN膜3的晶体取向性的分布的主视剖视图。

在ScAlN膜3中，标注多点影线而示出的晶粒11和标注斜线影线而示出的晶粒12沿膜厚方向生长。而且，在晶粒边界存在微小粒子13a、13b。另外，所谓晶界，是指晶粒与晶粒之间、或者晶体取向不同的晶粒与晶粒之间。本实施方式的弹性波装置1的特征在于存在微小粒子13a、13b，由此，ScAlN膜3中的应力变小，不易产生翘曲、剥离。此外，也不易产生压电特性的劣化。以针对第1实施方式的下述的实施例1～3为例来对此进行说明。

(实施例1)ScAlN膜3中的Sc浓度：6.8原子％

图3是示出实施例1的ScAlN膜3中的晶体取向性的分布的反极图方位图的照片。这是使用前述的ASTAR(注册商标)测定的。图4是示出图3所示的反极图方位图中的晶粒分布的示意性主视剖视图。另外，在图4以及后述的图7、图10中，为了使粒子的形状清楚，省略了示出剖面的影线。在图4中，示出了图3所示的反极图方位图中的晶体取向不同的晶粒和作为晶粒间的边界的晶界。而且，由图4可以明确，例如，在晶粒11和晶粒12的晶界部分存在前述的微小粒子13a、13b。

所谓微小粒子，是指粒径为全部晶粒的平均粒径的1/2以下的粒子。这里粒径是在使用ASTAR(注册商标)测定的反极图方位图的照片中进行椭圆近似而求出的粒径的短径。此外，全部晶粒的平均粒径是进行了面积加权平均的粒径。上述微小粒子位于柱状生长的相邻的晶粒与晶粒之间的晶界、或者晶体取向不同的晶粒与晶粒之间的晶界。

图16是用于说明本发明中的晶粒粒径的示意图。

在本发明中，晶粒粒径是指图16所示的虚线的尺寸。更详细而言，将在反极图方位图中对晶粒进行了椭圆近似时的长径Y以及短径X中的短径X设为晶粒粒径。椭圆近似例如像以下那样进行即可。将晶粒的重心设为中心而求出朝向晶界的多个向量。接下来，求出根据上述多个向量的大小进行了加权的作为上述多个向量的加权平均的向量。将作为加权平均的向量的方向设为长轴方向，将与长轴方向垂直的方向设为短轴方向。

另外，进行了椭圆近似的晶粒的长轴方向与晶粒的生长方向大致平行。因而，晶粒的长径Y往往依赖于ScAlN膜3的厚度。因此，在本发明中，关注于短径X，将短径X设为晶粒粒径。

这里，在各区域中，将晶粒粒径的平均值设为平均粒径。另一方面，在各区域中，将晶粒粒径的面积加权平均值设为面积加权平均粒径。在计算晶粒粒径的面积加权平均值时，只要根据反极图方位图中的各晶粒的面积进行各晶粒的粒径的加权即可。具体而言，只要通过将对晶粒粒径以及晶粒的面积之积进行了合计的值除以晶粒的面积的合计来计算面积加权平均粒径即可。

图5是示出上述实施例1中的ScAlN膜3中的晶粒的粒径的分布图。由图5可以明确，可知存在许多粒径小的晶体粒子。另外，在图5中，频数平均粒径、即平均粒径为10.23nm。

如图4所示，将ScAlN膜3的厚度方向中央设为中央区域C。上部电极5侧的区域Z1和下部电极4侧的区域Z2位于中央区域C的两侧。另外，上部电极5侧的区域Z1以及下部电极4侧的区域Z2分别是ScAlN膜3的膜厚的10％以上且25％以下的区域。

ScAlN膜3的厚度方向中央区域C中的粒径的面积加权平均粒径是27.54nm。因此，面积加权平均粒径＝27.54nm的1/2以下，为13.77nm以下。13.77nm以下的粒径的晶体粒子是实施例1中的微小粒子。由图5可以明确，可知在实施例1中，在ScAlN膜3中存在许多上述微小粒子。即，存在微小粒子群。而且，微小粒子群中的晶粒的个数是ScAlN膜3中的全体晶粒的个数的50％以上。由此，能够分散晶粒间的应力。因此，不易产生ScAlN膜3的翘曲、剥落，并且不易产生特性的劣化。而且，还能够减少构成ScAlN膜3的晶体的缺陷，所以能够提高压电特性。

为了使微小粒子13a、13b存在于晶粒边界，如前所述，通过调整成膜工序中的条件可以达成。例如，能够通过调整溅射气体的流路、组成、溅射时的温度、时间等，从而使上述微小粒子13a、13b存在。

如实施例1所示那样，在弹性波装置1中，因为存在上述微小粒子13a、13b，所以膜的应力变小，不易产生翘曲、剥落。此外，也不易产生压电特性的劣化。

而且，ScAlN膜3在c轴方向上示出高的取向性。所谓c轴方向，是ScAlN膜3的膜厚方向。因为能够维持高的取向性，所以可以得到良好的声特性。因而，例如，在使用了弹性波装置1的滤波器中，也能够减小损耗。

上述ScAlN膜3中的钪的浓度优选为2原子％以上且20原子％以下。若钪的浓度为2原子％以上，则能够更加可靠地实现上述那样的取向性分布。此外，若钪的含有浓度超过20原子％，则膜的应力变大，变得难以抑制翘曲、剥落。

在ScAlN膜3中，将微小粒子的平均粒径设为Ra，将椭圆近似的短径侧的面积加权平均粒径设为Rb。更优选的是，在将Ra设为1时，Rb为1.91以上，在该情况下，能够进一步有效地抑制ScAlN膜3的翘曲、剥落。

优选的是，在粒径的每2nm的频数分布中，若将对Ra±40％的范围进行了合计的频数设为Da，将对Rb±40％的范围进行了合计的频数设为Db，则在将Db设为1的情况下，Da为2以上。

此外，优选的是，在粒径的每2nm的频数分布中，在将对包括Ra±2nm的范围进行了合计的频数设为Ea，将对包括Rb±2nm的范围进行了合计的频数设为Eb时，在将Eb设为1的情况下，Ea为3以上。在该情况下，ScAlN膜3的压电特性变得良好，能够提供具有良好的压电特性的弹性波装置。

进一步优选的是，在ScAlN膜3的晶粒粒径中，椭圆近似的短径侧的面积加权平均粒径即Rb为30nm以下。在该情况下，能够进一步减小ScAlN膜3中的形变、应力。

(实施例2)ScAlN膜3中的Sc浓度：11.7原子％

图6是示出实施例2的ScAlN膜3中的晶体取向性的分布的反极图方位图的照片。这是使用前述的ASTAR(注册商标)测定的。图7是示出图6所示的反极图方位图中的晶粒分布的示意性主视剖视图。在图7中，示出图6所示的反极图方位图中的晶体取向不同的晶粒和作为晶粒间的边界的晶界。而且，由图7可以明确，在晶粒11和晶粒12的晶界部分，存在前述的微小粒子13a、13b。

图8是示出上述实施例2中的ScAlN膜3中的晶粒的粒径分布的图。由图8可以明确，可知在实施例2中也存在许多粒径小的晶体粒子。另外，在图8中，频数平均粒径、即上述平均粒径是9.50nm。与此相对，ScAlN膜3的厚度方向中央区域C中的粒径的面积加权平均粒径是23.95nm。因此，微小粒子成为粒径为11.98nm以下的晶体粒子。因而，可知在中央区域C中沿着晶粒边界存在许多微小粒子。

在实施例2中，也在弹性波装置1中存在上述微小粒子，所以膜的应力变小，不易产生翘曲、剥落。此外，也不易产生压电特性的劣化。

(实施例3)ScAlN膜3中的Sc浓度：26.6原子％

图9是示出实施例3的ScAlN膜3中的晶体取向性的分布的反极图方位图的照片。这是使用前述的ASTAR(注册商标)测定的。图10是示出图9所示的反极图方位图中的晶粒分布的示意性主视剖视图。在图10中，示出图9所示的反极图方位图中的晶体取向不同的晶粒和作为晶粒间的边界的晶界。而且，由图10可以明确，在晶粒11和晶粒12的晶界部分存在前述的微小粒子13a、13b。

图11是示出上述实施例3中的ScAlN膜中的晶粒的粒径的分布图。由图11可以明确，可知存在许多粒径小的晶体粒子。另外，在图11中，频数平均粒径、即上述平均粒径是9.72nm。与此相对，ScAlN膜3的厚度方向中央区域C中的粒径的面积加权平均粒径是19.03nm。因此，微小粒子的粒径是9.52nm以下。因而，由图11可以明确，可知在中央区域C中在晶粒边界存在许多微小粒子。

在实施例3中，也存在上述微小粒子，所以膜的应力变小，不易产生翘曲、剥落。此外，也不易产生压电特性的劣化。

图12是示出ScAlN膜3中的Sc浓度即Sc/(Sc+Al)(原子％)和进行了椭圆近似时的短径的面积加权平均粒径的关系的图。另外，该面积加权平均粒径是前述的中央区域C中的面积加权平均粒径。若Sc浓度接近0，则面积加权平均粒径变得接近30nm。若Sc浓度变高，则上述面积加权平均粒径变得比30nm小。因此，能够通过减小上述面积加权平均粒径，从而减小膜所产生的应力、即晶粒与晶粒之间所产生的形变。因而，面积加权平均粒径优选为30nm以下。

图13是本发明的第2实施方式涉及的弹性波装置的主视剖视图。在弹性波装置21中，在支承基板22上隔着中间层23层叠有ScAlN膜3。中间层23具有在第1电介质层23a上层叠有第2电介质层23b的构造。在本实施方式中，第1电介质层23a包括氮化硅。第2电介质层23b包括氧化硅。而且，在ScAlN膜3上设置有IDT电极24作为电极。本实施方式的弹性波装置21是具有上述IDT电极24的声表面波装置。如此，在本发明中，被设置为与ScAlN膜3相接的电极也可以是IDT电极24。此外，也可以利用通过从IDT电极24施加交流电压从而在ScAlN膜3传播的声表面波。

另外，对于IDT电极24的材料，能够使用与前述的上部电极5以及下部电极4同样的材料。

此外，对于构成中间层23的第1电介质层23a以及第2电介质层23b的材料，也是除了能够使用氮化硅、氧化硅之外，还能够使用矾土、氮氧化硅等各种电介质材料。

对于支承基板22，也能够由与第1实施方式中的支承基板2同样的材料构成。

在弹性波装置21中，ScAlN膜3也具有与第1实施方式同样的晶体取向性。即，ScAlN膜3在晶粒边界具有前述的微小粒子13a、13b。因此，在弹性波装置21中，也能够构成能够抑制膜的翘曲、剥落并且不易产生压电特性的劣化的弹性波装置。

另外，本实施方式中的第1电介质层23a是作为高声速材料层的高声速膜。高声速材料层是相对高声速的层。更具体而言，在高声速材料层传播的体波的声速比在ScAlN膜3传播的弹性波的声速高。另一方面，第2电介质层23b是低声速膜。低声速膜是相对低声速的膜。更具体而言，在低声速膜传播的体波的声速比在ScAlN膜3传播的体波的声速低。通过依次层叠作为高声速材料层的高声速膜、低声速膜以及ScAlN膜3，从而能够有效地将弹性波的能量封闭在ScAlN膜3侧。

另外，中间层也可以是低声速膜。在该情况下，支承基板22优选是作为高声速材料层的高声速支承基板。通过依次层叠作为高声速材料层的高声速支承基板、低声速膜以及ScAlN膜3，从而能够有效地将弹性波的能量封闭在ScAlN膜3侧。

中间层也可以是高声速膜。通过层叠作为高声速材料层的高声速膜以及ScAlN膜3，从而能够有效地将弹性波的能量封闭在ScAlN膜3侧。

在未设置中间层的情况下，也优选支承基板22为高声速支承基板。通过层叠高声速支承基板以及ScAlN膜3，从而能够有效地将弹性波的能量封闭在ScAlN膜3侧。

作为高声速材料层的材料，例如，可以例举氧化铝、碳化硅、氮化硅、氮氧化硅、硅、蓝宝石、钽酸锂、铌酸锂、石英、矾土、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石、氧化镁、DLC(类金刚石碳)膜或者金刚石、以上述材料为主成分的介质、以上述材料的混合物为主成分的介质等各种材料。

作为低声速膜的材料，例如，能够例举氧化硅、玻璃、氮氧化硅、氧化钽、还有在氧化硅中加入了氟、碳、硼、氢或硅烷醇基的化合物、以上述材料为主成分的介质等各种材料。

在弹性波装置31中，中间层33包括声反射层。即，中间层33是声阻抗相对高的高声阻抗层33a、33c、33e和声阻抗相对低的低声阻抗层33b、33d、33f的层叠体。除了中间层33如上述那样构成之外，弹性波装置31与弹性波装置21同样地构成。

在本发明中，也可以使用这种声反射层作为中间层。在弹性波装置31中，ScAlN膜3也具有与第1实施方式同样的晶粒分布。即，ScAlN膜3在晶粒边界具有前述的微小粒子。因此，不易产生膜的翘曲、剥落，此外也不易产生压电特性的劣化。

另外，作为构成高声阻抗层33a、33c、33e的材料，例如，可以例举铂或钨等金属、氮化铝或氮化硅等电介质等。作为构成低声阻抗层33b、33d、33f的材料，例如，能够例举氧化硅或铝等。

本实施方式与第1实施方式的不同点在于，设置在ScAlN膜3上的电极是IDT电极24。另外，IDT电极24设置在ScAlN膜3的第2主面3b。在第1主面3a中的与IDT电极24对置的部分未设置电极。在上述方面以外，本实施方式的弹性波装置具有与第1实施方式的弹性波装置1同样的结构。

在俯视下，IDT电极24的至少一部分与空洞部6重叠即可。所谓俯视，是指从图15中的上方观察的方向。

本实施方式的弹性波装置具有ScAlN膜3作为压电膜，是在该ScAlN膜3传播的弹性波以板波为主体的声表面波装置。在本实施方式中，ScAlN膜3也具有与第1实施方式同样的晶粒分布。因此，不易产生膜的翘曲、剥落，此外也不易产生压电特性的劣化。

附图标记说明

1…弹性波装置

2…支承基板

3…ScAlN膜

3a…第1主面

3b…第2主面

4…下部电极

5…上部电极

6…空洞部

11…晶粒

12…晶粒

13a…微小粒子

13b…微小粒子

21…弹性波装置

22…支承基板

23…中间层

23a…第1电介质层

23b…第2电介质层

24…IDT电极

31…弹性波装置

33…中间层

33a、33c、33e…高声阻抗层

33b、33d、33f…低声阻抗层。

Claims

1.一种弹性波装置，具备：

含有钪的氮化铝膜；以及

电极，其设置在所述含有钪的氮化铝膜上，

所述含有钪的氮化铝膜，在将进行椭圆近似而求出的短径侧设为粒径，并对进行了面积加权平均的粒径计算出平均粒径时，在柱状生长的相邻的晶粒与晶粒之间、或者在晶体取向不同的晶粒与晶粒之间，具有包括全部晶粒的所述平均粒径的1/2以下的微小粒子的微小粒子群，所述微小粒子群中的晶粒的个数为所述含有钪的氮化铝膜中的全体的晶粒的个数的50％以上。

2.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，

在将所述椭圆近似的所述短径侧的粒径的平均粒径设为Ra，将所述椭圆近似的所述短径侧的面积加权平均粒径设为Rb时，

在粒径的每2nm的频数分布中，若将对Ra±40％的范围进行了合计的频数设为Da，将对Rb±40％的范围进行了合计的频数设为Db，则在将Db设为1的情况下，Da为2以上。

3.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，

在粒径的每2nm的频数分布中，在将对包括Ra±2nm的范围进行了合计的频数设为Ea，将对包括Rb±2nm的范围进行了合计的频数设为Eb时，在将Eb设为1的情况下，Ea为3以上。

4.根据权利要求2或3所述的弹性波装置，其中，

在将所述Ra设为1的情况下，Rb为1.91以上。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的弹性波装置，其中，

在所述含有钪的氮化铝膜的晶粒粒径中，所述椭圆近似的所述短径侧的面积加权平均粒径即Rb为30nm以下。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述电极具有下部电极和上部电极，所述下部电极设置在所述含有钪的氮化铝膜的一个主面，所述上部电极设置在另一个主面。

7.根据权利要求6所述的弹性波装置，其中，

通过所述上部电极和所述下部电极，激励体波。

8.根据权利要求1至5中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述电极是IDT电极。

9.根据权利要求6至8中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述弹性波装置还具备支承基板，所述支承基板层叠在所述含有钪的氮化铝膜的一个主面侧，在所述支承基板与所述含有钪的氮化铝膜之间设置有空洞部。

10.根据权利要求6至8中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述弹性波装置还具备：

支承基板，其层叠在所述含有钪的氮化铝膜的一个主面侧；以及

中间层，其设置在所述含有钪的氮化铝膜的所述一个主面与所述支承基板之间。

11.根据权利要求10所述的弹性波装置，其中，

所述中间层是声反射层。

12.根据权利要求11所述的弹性波装置，其中，

所述声反射层具有声阻抗相对高的高声阻抗层和声阻抗相对低的低声阻抗层。

13.根据权利要求8所述的弹性波装置，其中，

所述弹性波装置还具备层叠在所述含有钪的氮化铝膜的一个主面侧的高声速材料层，

在所述高声速材料层传播的体波的声速比在所述含有钪的氮化铝膜传播的弹性波的声速高。

14.根据权利要求13所述的弹性波装置，其中，

所述弹性波装置还具备设置在所述含有钪的氮化铝膜与所述高声速材料层之间的低声速膜，

在所述低声速膜传播的体波的声速比在所述含有钪的氮化铝膜传播的体波的声速低。