CN117214985A - 半导体元件 - Google Patents

Abstract

本公开提供一种具有光栅结构的半导体元件。该半导体元件包括一第一目标，位于一第一层上且包括根据一第一节距与彼此平均地隔开的多个线部件；以及一第二目标，位于一第二层上且包括根据一第二节距与彼此平均地隔开的多个线部件。该第一层与该第二层不同。该第一目标与该第二目标彼此不重叠。该第一目标被配置以在被一透镜照亮时产生一干涉图案，该透镜包括配置于其上的一光栅。该第二目标被配置以在被该透镜照亮时产生一干涉图案，该透镜包括配置于其上的该光栅。

Description

半导体元件

技术领域

本申请案主张美国第17/837,051及17/837,712号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年6月10日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。

本公开是关于一种半导体元件。特别是关于一种具有光栅结构的半导体元件。

背景技术

半导体元件已运用在各种电子应用上，像是个人电脑、手机、数码相机、以及其他的电子设备。半导体元件的尺寸不断微缩化，以满足对不断增长的计算能力的需求。但是，在微缩化的制程期间会出现各种问题，而且这些问题的频率和影响不断增加。因此，在提高品质、产率、性能、和可靠性以及降低复杂度方面仍然存在挑战。

上文的“先前技术”说明仅是提供背景技术，并未承认上文的“先前技术”说明揭示本公开的标的，不形成本公开的先前技术，且上文的“先前技术”的任何说明均不应作为本案的任一部分。

发明内容

本公开的一方面提供一种半导体元件，包括一第一目标，位于一第一层上且包括根据一第一节距与彼此平均地隔开的多个线部件；以及一第二目标，位于一第二层上且包括根据一第二节距与彼此平均地隔开的多个线部件。该第一层与该第二层不同。该第一目标与该第二目标彼此不重叠。该第一目标被配置以在被一透镜照亮时产生一干涉图案，该透镜包括配置于其上的一光栅。该第二目标被配置以在被该透镜照亮时产生一干涉图案，该透镜包括配置于其上的该光栅。

本公开的另一方面提供一种半导体元件的制备方法，包括形成一第一目标于一第一层上；形成一第二目标于与该第一层不同的一第二层上，其中该第一目标和该第二目标彼此不重叠；将包括一光栅配置于其上的一透镜定位在一第一位置以与第一目标和第二目标完全重叠以产生该第一目标的一干涉图案和该第二目标的一干涉图案；以及通过该第一目标的该干涉图案和该第二目标的该干涉图案确定该第一目标和该第二目标之间的叠对。

本公开的另一方面提供一种基于图像的叠对测量系统，该测量系统包括一透镜，其包括配置于其上的一光栅；一光源，用以提供照明给该透镜；一检测器，用以收集数据；以及一处理单元，用以处理该数据。该光栅被配置以与具有一第一节距的一第一目标和具有一第二节距的一第二目标重叠，以产生该第一目标的一干涉图案和该第二目标的一干涉图案。

由于本公开的基于图像的测量系统和目标的设计，该第一目标和该第二目标不需要彼此重叠。因此，可以减少不同层的制程偏差对目标的影响，并且可以应用较不复杂的设计规则。此外，可以多次移动透镜以获得多个叠对结果。所有叠对结果可用于相互验证，并可用于获得一(平均)叠对以满足统计需求。

上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。形成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中具有通常知识者应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或制程而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中具有通常知识者亦应了解，这类等效建构无法脱离后附的权利要求所界定的本公开的精神和范围。

附图说明

本公开各方面可配合以下图式及详细说明阅读以便了解。要强调的是，依照工业上的标准惯例，各个部件(feature)并未按照比例绘制。事实上，为了清楚的讨论，可能任意的放大或缩小各个部件的尺寸。

图1是流程图，例示本公开一实施例的用于确定叠对的方法。

图2是俯视图，例示本公开一实施例的用于制备一第一目标的一第一掩膜。

图3是俯视图，例示本公开一实施例的使用该第一掩膜制备的该第一目标。

图4是俯视图，例示本公开一实施例的用于制备一第二目标的一第二掩膜。

图5是俯视图，例示本公开一实施例的使用该第二掩膜制备的该第二目标。

图6是示意图，例示本公开一实施例测量该第一目标和该第二目标的基于图像的测量系统的透镜。

图7是俯视示意图，例示本公开一实施例的透镜。

图8是俯视图，例示本公开一实施例的没有覆盖误差的该第一目标和该第二目标的干涉图案。

图9是俯视图，例示本公开一实施例的具有覆盖误差的该第一目标和该第二目标的干涉图案。

图10是俯视图，例示本公开一实施例的在透镜移动后确定叠对。

图11是俯视示意图，例示本公开另一实施例的第一目标和第二目标。

图12是俯视示意图，例示本公开另一实施例的用于制备一第二目标的一第二掩膜。

图13是俯视示意图，例示本公开另一实施例的使用该第二掩膜制备的该第二目标。

图14是俯视示意图，例示本公开另一实施例的透镜。

图15是俯视示意图，例示本公开另一实施例的该第一目标和该第二目标的干涉图案。

其中，附图标记说明如下：

10：方法

100：第一目标

200：第二目标

300：光栅

301：第一层

303：第二层

310：第一部分

320：第二部分

401：透镜

510：(第一)掩膜

511：第一位置

520：(第二)掩膜

521：第二位置

D1：距离

L1：第一位置

L2：第二位置

OVL：叠对

S11：步骤

S13：步骤

S15：步骤

X：方向

Y：方向

具体实施方式

以下揭示提供许多不同的实施例或是例子来实行本公开实施例的不同部件。以下描述具体的元件及其排列的例子以简化本公开实施例。当然这些仅是例子且不该以此限定本公开实施例的范围。例如，在描述中提及第一个部件形成于第二个部件“之上”或“上”时，其可能包括第一个部件与第二个部件直接接触的实施例，也可能包括两者之间有其他部件形成而没有直接接触的实施例。另外，本公开可能在不同实施例中重复参照符号及/或标记。这些重复是为了简化与清晰的目的，并非用以定义所讨论的不同实施例及/或结构之间的关系。

此外，其中用到与空间相关的用词，例如：“在…下方”、“下方”、“较低的”、“上方”、“较高的”、及其类似的用词是为了便于描述图式中所示的一个元件或部件与另一个元件或部件之间的关系。这些空间关系词是用以涵盖图式所描绘的方位之外的使用中或操作中的元件的不同方位。元件可能被转向不同方位(旋转90度或其他方位)，则其中使用的空间相关形容词也可相同地照着解释。

应理解的是，当一个元件或层被称为“连接到”或“耦合到”另一个元件或层时，它可以是直接连接或耦合到另一个元件或层，或者可能存在中间元件或层。

应理解的是，尽管本文可以使用第一、第二等用词来描述各种元件，但是这些元件不应受到这些用词的限制。除非另有说明，否则这些用词仅用于区分一个元件与另一个元件。因此，例如，在不脱离本公开的教示的情况下，以下讨论的第一元件、第一组件或第一部分可以被称为第二元件、第二组件或第二部分。

除非上下文另外指出，否则本文在提及方位、布局、位置、形状、尺寸、数量或其他量度时所使用像是“相同”、“相等”、“平面”或“共平面”的用词不一定表示完全相同的方位、布局、位置、形状、尺寸、数量或其他量度，而是旨在涵盖在例如由于制造制程而产生的在可接受变化范围内几乎相同的方位、布局、位置、形状、尺寸、数量或其他量度。本文中可以使用用词“实质上(substantially)”来反映此含义。举例而言，被描述为“实质上相同”、“实质上相等”或“实质上平面”的项目可以正好相同、相等或平面，或者在例如由于制造制程而产生的在可接受变化范围内可相同、相等或平面。

应注意的是，在本公开的描述中，上方(above)或上(up)对应于方向Z的箭头方向，下方(below)或下(down)对应相反于方向Z的箭头方向。

图1是流程图，例示本公开一实施例的用于确定叠对(overlay)的方法10。图2是俯视图，例示本公开一实施例的用于制备一第一目标100的一第一掩膜510。图3是俯视图，例示本公开一实施例的使用该第一掩膜510制备的该第一目标100。

半导体元件的制备一般涉及形成多个集成电路图案于基板晶圆上的一层或多层之上。这些集成电路图案一般包括通过微影形成的许多区域。微影使用包括图案的掩膜来定义基板上的区域。例如，光阻层由微影形成于基板上，并暴露于像是紫外线、深紫外线、或极紫外线的辐射，该辐射穿过掩膜的透明区域，以在光阻的相应区域引起化学反应。然后，将光阻显影以产生暴露出底层材料的开放区域的图案，而材料的其他区域仍受到光阻保护。取决于使用的是正型或负型光阻，将光阻层的暴露或未暴露部分移除。接着，蚀刻未被光阻保护的基板部分以形成部件于基板中。掩膜之间的相对定位和对准、或“叠对(overlay)”控制最终的半导体元件是否正确地形成。最小化覆盖误差(overlay error)是半导体元件制造中的一个重要议题。叠对测量(overlay metrology)通过在与功能电路结构相同的层中使用覆盖目标(overlay target)来最小化覆盖误差。

参照图1至图3，在步骤S11，可以形成第一目标100于第一层301上。

参照图2，可以提供第一掩膜510。第一掩膜510可以在第一位置511具有第一目标100的图案。应注意的是，为了清楚起见，省略了图案的详细结构。

参照图3，可以通过微影制程将第一掩膜510的图案转移到第一层301上以形成第一目标100。第一目标100可以位于第一位置511并且包括彼此平均地隔开的多个线部件。该些线部件(也称为第一部件)可以以第一节距(pitch)(例如，间距、频率、发生等)出现。例如，第一目标100的该些线部件中的每一者可以沿着方向Y延伸，并且第一目标100的该些线部件可以沿着方向X重复出现。

在一些实施例中，第一节距小于稍后将说明的基于图像的测量系统的最小光学解析度。换句话说，可能无法通过基于图像的测量系统来解析第一节距。第一目标100的小第一节距可意味着第一目标100的尺寸可被缩小以节省用于测量的真实状况(real estate)，并为功能电路提供更多空间。

图4是俯视图，例示本公开一实施例的用于制备一第二目标200的一第二掩膜520。图5是俯视图，例示本公开一实施例的使用该第二掩膜520制备的该第二目标200。

参照图1、图4、和图5，在步骤S13，可以形成第二目标200于第二层303上。

参照图4，可以提供第二掩膜520。第二掩膜520可以在第二位置521具有第二目标200的图案。当第一掩膜510和第二掩膜520对准时，第二位置521可以与第一位置511相邻。例如，第二位置521可以沿方向Y与第一位置511相邻。

在一些实施例中，第一位置511和第二位置521彼此紧邻，使得使用掩膜510、520所制备的目标可以彼此紧邻。应注意的是，用词“紧邻(immediately adjacent)”是指两个目标彼此相隔(在平行于目标中的线和间隙的方向)足够近的距离以允许光学比较(亦即，例如，等于小于50倍、小于25倍、小于10倍等目标中平行线(或间隙)的宽度)，并且可以仅相隔几个(例如，5个)间隙(gap)。因此，目标彼此相隔足够近，但仍允许单独地进行光学观察。

参照图4，第二位置521和第一位置511可以彼此对齐。例如，第二位置521的左侧和第一位置511的左侧可以与方向Y平行的同一条线对齐。

应注意的是，为了清楚起见，省略了图案的详细结构，并且显示出第一位置511以说明与第二位置521的位置关系。

参照图5，可以通过微影制程将第二掩膜520的图案转移到不同于第一层301的第二层303上，以形成第二目标200。第二目标200可以位于第二位置521并且与位于第一位置511的第一目标100相邻(或紧邻)。第二目标200可以包括与彼此平均地隔开的多个线部件。该些线部件(也称为第二部件)可以以第二节距出现。例如，第二目标200的该些线部件中的每一者可以沿着方向Y延伸，并且第二目标200的该些线部件可以沿着方向X重复出现。

在一些实施例中，第二节距小于基于图像的测量系统的最小光学解析度。换句话说，可能无法通过基于图像的测量系统来解析第二节距。第二目标200的小第二节距可意味着第二目标200的尺寸可被缩小以节省用于测量的真实状况，并为功能电路提供更多空间。

在本实施例中，第一节距和第二节距可以相同。也就是说，理想地，第一目标100和第二目标200可以对准。第一目标100的重心(center of gravity；COG)和第二目标200的重心沿着平行于方向Y的同一条线。换句话说，第一目标100的正中心(例如一条线或一个间隙)与第二目标200的正中心沿着相同的线(在方向Y上)。

图6根据本公开一实施例显示测量该第一目标100和该第二目标200的基于图像的测量系统的透镜401的示意图。图7根据本公开一实施例显示该透镜401的俯视示意图。图8是俯视图，例示本公开一实施例的没有覆盖误差的该第一目标100和该第二目标200的干涉图案。图9是俯视图，例示本公开一实施例的具有覆盖误差的该第一目标100和该第二目标200的干涉图案。

参照图1和图6至图9，在步骤S15，包括光栅300的透镜401可以叠加(superpose)第一目标100和第二目标200以产生第一目标100的干涉图案和第二目标200的干涉图案，且可以由第一目标100的干涉图案和第二目标200的干涉图案确定叠对。

参照图6和图7，可以通过基于图像的测量系统测量(或观察)第一目标100和第二目标200，以确定不同层(例如，第一层301和第二层303)之间部件(例如，第一部件和第二部件)的叠对。基于图像的测量系统可以包括透镜401。透镜401可以包括配置在其上的光栅300。光栅300可以包括与彼此平均地隔开的多个线部件。在一些实施例中，光栅300的该些线部件可以平行于第一目标100的该些线部件或第二目标200的该些线部件。光栅300的节距可以与第一目标100的第一节距和第二目标200的第二节距稍微不同。在一些实施例中，光栅300的节距可以大于第一目标100的第一节距和第二目标200的第二节距。在一些实施例中，光栅300的节距可以小于第一目标100的第一节距和第二目标200的第二节距。

通常，可以在测量期间将透镜401放置在第一目标100和第二目标200之上，使得光栅300可以与第一目标100和第二目标200叠加以分别且对应地产生(或构成)第一目标100的干涉图案和第二目标200的干涉图案。不受特定理论的限制，据信第一目标100的干涉图案和第二目标200的干涉图案可能是由于莫瑞效应(moiréeffect)形成的。

在一些实施例中，可以单独地形成光栅300，然后将其转移至透镜401上。在一些实施例中，可以通过一个或多个折射空间光调变器产生光栅300。

在一些实施例中，基于图像的测量系统可以包括光源(未显示)，例如氙弧灯及/或氘灯、及/或发光二极管，以提供照明给透镜401。在一些实施例中，基于图像的测量系统可以包括像是电荷耦合元件阵列的检测器(未显示)，用以收集所产生的干涉图案。在一些实施例中，基于图像的测量系统可以包括处理单元(未显示)，用以处理所收集的图像并确定覆盖误差。

参照图8，显示出第一目标100的干涉图案(也称为第一目标100的第一干涉图案)和第二目标200的干涉图案(也称为第二目标200的第一干涉图案)。虚线表示设置在第一位置L1(也称为透镜401的原点)的光栅300。应注意的是，为了清楚起见，未显示出光栅300的线部件。

参照图8，第一目标100和第二目标200的干涉图案中的内核(kernels)(亮区之间的暗区)可以大于基于图像的测量系统的最小光学解析度。换句话说，可以通过基于图像的测量系统来解析第一目标100和第二目标200的干涉图案的内核。在一些实施例中，第一目标100和第二目标200的干涉图案的节距可以保持足够小，从而在一个目标中容纳例如至少五个节距，以确保第一目标100和第二目标200的干涉图案的精准度。

由于基于图像的测量系统无法解析出第一目标100的第一节距、第二目标200的第二节距、和光栅300的节距，并且基于图像的测量系统可以解析出第一目标100和第二目标200的干涉图案的节距，因此可以最小化第一目标100、第二目标200、和光栅300之间对第一目标100和第二目标200的干涉图案的干扰。其结果，可以改善第一目标100和第二目标200的干涉图案的节距对比度。

在一些实施例中，通过比较第一目标100的干涉图案的重心和第二目标200的干涉图案的重心，可以确定第一目标100和第二目标200之间的叠对。

在一些实施例中，由于莫瑞效应对相位移敏感，因此光栅300的节距与第一目标100的第一节距和第二目标200的第二节距之间的差异可能会根据光栅300和第一目标100相对位移并根据光栅300和第二目标200的相对位移而移动(shift)。因此，光栅300可以用作锚(亦即，参考)。为了位于第一层301上的第一目标100而产生的干涉图案的相对位移和为了位于第二层303上的第二目标200而产生的干涉图案的相对位移可用来指示叠对。亦即，叠对是基于不同目标对配置在透镜401上的相同光栅300的相对位移来测量，而不是基于由目标识别的任何特定位置(例如，中心位置)来测量的。

参照图8，第一目标100和第二目标200完美地对准。换句话说，第一目标100可以根据适当的节距形成于适当的位置(亦即，第一位置511)，且第二目标200可以根据适当的节距形成于适当的位置(亦即，第二位置521)。由于第一目标100和第二目标200的完美对准，第一目标100的干涉图案的重心和第二目标200的干涉图案的重心可以对准，使得图8中没有覆盖误差。

参照图9，第一目标100和第二目标200没有对准。例如，第一目标100可以根据适当的节距形成于适当的位置(亦即，第一位置511)；然而，第二目标200可形成于偏离的位置(亦即，从第二位置521偏移)或者可形成于偏离的节距中。其结果，第一目标100的干涉图案的重心和第二目标200的干涉图案的重心可能错位(misaligned)，从而在图9中测量到叠对(overlay；OVL)。

通过采用配置在基于图像的测量系统的透镜401上的光栅300，第一目标100和第二目标200不需要彼此重叠。因此，可以减少不同层的制程偏差对目标的影响，并且可以应用较不复杂的设计规则。

图10是俯视图，例示本公开一实施例的在透镜401移动后确定叠对。

参照图10，透镜401可以沿着方向X移动到第二位置L2。由于透镜401的移动，光栅300和第一目标100可以产生第一目标100的第二干涉图案。光栅300和第二目标200可以产生第二目标200的第二干涉图案。第一目标100的第二干涉图案和第二目标200的第二干涉图案可用于确定在第二位置L2所获得的叠对。在第二位置L2获得的叠对和在第一位置L1获得的叠对可以用于计算平均叠对。因此，可以多次移动透镜401以获得多个叠对结果。所有叠对结果可用于相互验证，并可用于获得(平均)叠对以满足统计需求。

图11是俯视示意图，例示本公开另一实施例的该第一目标100和该第二目标200。

参照图11，第一目标100的第一节距和第二目标200的第二节距可以不同。例如，第一目标100的第一节距可以大于第二目标200的第二节距。又例如，第一目标100的第一节距可以小于第二目标200的第二节距。假设制程中没有产生变形(distortion)，第一目标100的第一节距和第二目标200的第二节距之间的差异会导致第一目标100的干涉图案和第二目标200的干涉图案的放大。

在一些实施例中，可以将第一目标100的第一节距设置为相对于第二目标200的第二节距，以平衡第一目标100的反射强度和第二目标200的反射强度，以改善第一目标100和第二目标200的干涉图案的节距对比度(pitch contrast)。可以基于第一目标100和第二目标200中的线部件的尺寸(例如，临界尺寸)并基于第一层301和第二层303的材料的透明度、厚度、表面纹理/反射率、几何形状等来确定反射强度。

图12是俯视示意图，例示本公开另一实施例的用于制备一第二目标200的一第二掩膜520。图13是俯视示意图，例示本公开另一实施例的使用该第二掩膜520制备的该第二目标200。

参照图12，第二掩膜520可以在第二位置521具有第二目标200的图案。当第一掩膜510和第二掩膜520对准时，第二位置521可以与第一位置511相邻。例如，第二位置521可以沿第一方向与第一位置511相邻或紧邻。第二位置521可以相对于第一位置511沿着方向X刻意地移动距离D1。换句话说，第二位置521的左侧和第一位置511的左侧可以错位。

参照图13，可以使用第二掩膜520形成第二目标200。第二目标200可以位于第二位置521并且与位于第一位置511的第一目标100偏离距离D1。在本实施例中，第一目标100的第一节距与第二目标200的第二节距可以不同。

图14根据本公开另一实施例显示一透镜401的俯视示意图。图15是俯视示意图，例示本公开另一实施例的该第一目标100和该第二目标200的干涉图案。

参照图14，配置在透镜401上的光栅300可以包括第一部分310和第二部分320。第一部分310可以对应于第一位置511，并且第一部分310的节距可以与第二目标200的第二节距相同。第二部分320可以对应于第二位置521，并且第二部分320的节距可以与第一目标100的第一节距相同。

参照图15，光栅300的第一部分310可以叠加第一目标100以产生第一目标100的干涉图案。光栅300的第二部分320可以叠加第二目标200以产生第二目标200的干涉图案。由于第二目标200的刻意偏离，可以通过使用经校准的放大因数来校正制程所产生的变形，该经校准的放大因数是第一目标100的干涉图案与第二目标200的干涉图案中较暗和较亮区域的未对准差异在两倍的距离D1上的比率。可以通过将第一目标100和第二目标200的重心差除以经校准的放大因数来计算叠对。

本公开的一方面提供一种目标结构，包括一第一目标，位于一第一层上且包括根据一第一节距与彼此平均地隔开的多个线部件；以及一第二目标，位于一第二层上且包括根据一第二节距与彼此平均地隔开的多个线部件。该第一层与该第二层不同。该第一目标与该第二目标彼此不重叠。该第一目标被配置以在被一透镜照亮时产生一干涉图案，该透镜包括配置于其上的一光栅。该第二目标被配置以在被该透镜照亮时产生一干涉图案，该透镜包括配置于其上的该光栅。

本公开的另一方面提供一种用于叠对测量的方法，包括形成一第一目标于一第一层上；形成一第二目标于与该第一层不同的一第二层上，其中该第一目标和该第二目标彼此不重叠；将包括一光栅配置于其上的一透镜定位在一第一位置以与第一目标和第二目标完全重叠以产生该第一目标的一干涉图案和该第二目标的一干涉图案；以及通过该第一目标的该干涉图案和该第二目标的该干涉图案确定该第一目标和该第二目标之间的叠对。

本公开的另一方面提供一种用于叠对测量的基于图像的测量系统，该测量系统包括一透镜，其包括配置于其上的一光栅；一光源，用以提供照明给该透镜；一检测器，用以收集数据；以及一处理单元，用以处理该数据。该光栅被配置以与具有一第一节距的一第一目标和具有一第二节距的一第二目标重叠，以产生该第一目标的一干涉图案和该第二目标的一干涉图案。

由于本公开的基于图像的测量系统和目标的设计，该第一目标100和该第二目标200不需要彼此重叠。因此，可以减少不同层的制程偏差对目标的影响，并且可以应用较不复杂的设计规则。此外，可以多次移动透镜401以获得多个叠对结果。所有叠对结果可用于相互验证，并可用于获得一(平均)叠对以满足统计需求。

虽然已详述本公开及其优点，然而应理解可进行各种变化、取代与替代而不脱离权利要求所定义的本公开的精神与范围。例如，可用不同的方法实施上述的许多制程，且以其他制程或前述的组合替代上述的许多制程。

再者，本申请案的范围并不受限于说明书中的制程、机械、制造、物质形成物、手段、方法与步骤的特定实施例。该技艺的技术人士可自本公开的揭示内容理解可根据本公开而使用与本文该的对应实施例具有相同功能或是达到实质上相同结果的现存或是未来发展的制程、机械、制造、物质形成物、手段、方法、或步骤。据此，此等制程、机械、制造、物质形成物、手段、方法、或步骤是包含于本申请案的权利要求内。

Claims (9)

1.一种半导体元件，包括：

一第一目标，位于一第一层上且包括根据一第一节距与彼此平均地隔开的多个线部件；以及

一第二目标，位于一第二层上且包括根据一第二节距与彼此平均地隔开的多个线部件；

其中该第一层与该第二层不同；

其中该第一目标与该第二目标彼此不重叠；

其中该第一目标被配置以在被一透镜照亮时产生一干涉图案，该透镜包括配置于其上的一光栅；

其中该第二目标被配置以在被该透镜照亮时产生一干涉图案，该透镜包括配置于其上的该光栅。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一节距与该第二节距相同。

3.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一节距与配置于该透镜上的该光栅的一节距不同。

4.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一节距小于配置于该透镜上的该光栅的一节距。

5.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一节距大于配置于该透镜上的该光栅的一节距。

6.如权利要求3所述的半导体元件，其中该第一目标的该干涉图案包括至少五个平行的线部件。

7.如权利要求6所述的半导体元件，其中包括该透镜的基于一图像的测量系统无法解析出该第一节距、该第二节距、和配置于该透镜上的该光栅的该节距。

8.如权利要求7所述的半导体元件，其中包括该透镜的基于该图像的测量系统可解析出该第一目标的该干涉图案的一节距和该第二目标的该干涉图案的一节距。

9.如权利要求1所述的半导体元件，其中该第一节距与该第二节距不同。