TW202349068A - 具有光柵結構的半導體元件 - Google Patents

Abstract

本揭露提供一種具有光柵結構的半導體元件。該半導體元件包括一第一目標，位於一第一層上且包括根據一第一節距與彼此平均地隔開的複數個線部件；以及一第二目標，位於一第二層上且包括根據一第二節距與彼此平均地隔開的複數個線部件。該第一層與該第二層不同。該第一目標與該第二目標彼此不重疊。該第一目標被配置以在被一透鏡照亮時產生一干涉圖案，該透鏡包括配置於其上的一光柵。該第二目標被配置以在被該透鏡照亮時產生一干涉圖案，該透鏡包括配置於其上的該光柵。

Description

具有光柵結構的半導體元件

本申請案主張美國第17/837,051及17/837,712號專利申請案之優先權（即優先權日為「2022年6月10日」），其內容以全文引用之方式併入本文中。

本揭露係關於一種半導體元件。特別是關於一種具有光柵結構的半導體元件。

半導體元件已運用在各種電子應用上，像是個人電腦、手機、數位相機、以及其他的電子設備。半導體元件的尺寸不斷微縮化，以滿足對不斷增長的計算能力之需求。但是，在微縮化的製程期間會出現各種問題，而且這些問題的頻率和影響不斷增加。因此，在提高品質、產率、性能、和可靠性以及降低複雜度方面仍然存在挑戰。

上文之「先前技術」說明僅係提供背景技術，並未承認上文之「先前技術」說明揭示本揭露之標的，不形成本揭露之先前技術，且上文之「先前技術」之任何說明均不應做為本案之任一部分。

本揭露的一方面提供一種半導體元件，包括一第一目標，位於一第一層上且包括根據一第一節距與彼此平均地隔開的複數個線部件；以及一第二目標，位於一第二層上且包括根據一第二節距與彼此平均地隔開的複數個線部件。該第一層與該第二層不同。該第一目標與該第二目標彼此不重疊。該第一目標被配置以在被一透鏡照亮時產生一干涉圖案，該透鏡包括配置於其上的一光柵。該第二目標被配置以在被該透鏡照亮時產生一干涉圖案，該透鏡包括配置於其上的該光柵。

本揭露的另一方面提供一種半導體元件的製備方法方法，包括形成一第一目標於一第一層上；形成一第二目標於與該第一層不同的一第二層上，其中該第一目標和該第二目標彼此不重疊；將包括一光柵配置於其上的一透鏡定位在一第一位置以與第一目標和第二目標完全重疊以產生該第一目標的一干涉圖案和該第二目標的一干涉圖案；以及透過該第一目標的該干涉圖案和該第二目標的該干涉圖案確定該第一目標和該第二目標之間的疊對。

本揭露的另一方面提供一種基於圖像之疊對量測系統，該量測系統包括一透鏡，其包括配置於其上的一光柵；一光源，用以提供照明給該透鏡；一檢測器，用以收集數據；以及一處理單元，用以處理該數據。該光柵被配置以與具有一第一節距的一第一目標和具有一第二節距的一第二目標重疊，以產生該第一目標的一干涉圖案和該第二目標的一干涉圖案。

由於本揭露之基於圖像的量測系統和目標的設計，該第一目標和該第二目標不需要彼此重疊。因此，可以減少不同層的製程偏差對目標的影響，並且可以應用較不複雜的設計規則。此外，可以多次移動透鏡以獲得多個疊對結果。所有疊對結果可用於相互驗證，並可用於獲得一（平均）疊對以滿足統計需求。

上文已相當廣泛地概述本揭露之技術特徵及優點，俾使下文之本揭露詳細描述得以獲得較佳瞭解。形成本揭露之申請專利範圍標的之其它技術特徵及優點將描述於下文。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者應瞭解，可相當容易地利用下文揭示之概念與特定實施例可做為修改或設計其它結構或製程而實現與本揭露相同之目的。本揭露所屬技術領域中具有通常知識者亦應瞭解，這類等效建構無法脫離後附之申請專利範圍所界定之本揭露的精神和範圍。

以下揭示提供許多不同的實施例或是例子來實行本揭露實施例之不同部件。以下描述具體的元件及其排列的例子以簡化本揭露實施例。當然這些僅是例子且不該以此限定本揭露實施例的範圍。例如，在描述中提及第一個部件形成於第二個部件“之上”或“上”時，其可能包括第一個部件與第二個部件直接接觸的實施例，也可能包括兩者之間有其他部件形成而沒有直接接觸的實施例。另外，本揭露可能在不同實施例中重複參照符號及/或標記。這些重複係為了簡化與清晰的目的，並非用以定義所討論的不同實施例及/或結構之間的關係。

此外，其中用到與空間相關的用詞，例如：“在…下方”、“下方”、“較低的”、“上方”、“較高的”、及其類似的用詞係為了便於描述圖式中所示的一個元件或部件與另一個元件或部件之間的關係。這些空間關係詞係用以涵蓋圖式所描繪的方位之外的使用中或操作中的元件之不同方位。元件可能被轉向不同方位（旋轉90度或其他方位），則其中使用的空間相關形容詞也可相同地照著解釋。

應理解的是，當一個元件或層被稱為“連接到”或“耦合到”另一個元件或層時，它可以是直接連接或耦合到另一個元件或層，或者可能存在中間元件或層。

應理解的是，儘管本文可以使用第一、第二等用詞來描述各種元件，但是這些元件不應受到這些用詞的限制。除非另有說明，否則這些用詞僅用於區分一個元件與另一個元件。因此，例如，在不脫離本揭露的教示的情況下，以下討論的第一元件、第一組件或第一部分可以被稱為第二元件、第二組件或第二部分。

除非上下文另外指出，否則本文在提及方位、佈局、位置、形狀、尺寸、數量或其他量度時所使用像是“相同”、“相等”、“平面”或“共平面”的用詞不一定表示完全相同的方位、佈局、位置、形狀、尺寸、數量或其他量度，而是旨在涵蓋在例如由於製造製程而產生的在可接受變化範圍內幾乎相同的方位、佈局、位置、形狀、尺寸、數量或其他量度。本文中可以使用用詞“實質上（substantially）”來反映此含義。舉例而言，被描述為“實質上相同”、“實質上相等”或“實質上平面”的項目可以正好相同、相等或平面，或者在例如由於製造製程而產生的在可接受變化範圍內可相同、相等或平面。

應注意的是，在本揭露的描述中，上方（above）或上（up）對應於方向Z的箭頭方向，下方（below）或下（down）對應相反於方向Z的箭頭方向。

圖1是流程圖，例示本揭露一實施例之用於確定疊對（overlay）的方法10。圖2是俯視圖，例示本揭露一實施例之用於製備一第一目標100的一第一罩幕510。圖3是俯視圖，例示本揭露一實施例之使用該第一罩幕510製備的該第一目標100。

半導體元件的製備一般涉及形成多個積體電路圖案於基板晶圓上的一層或多層之上。這些積體電路圖案一般包括透過微影形成的許多區域。微影使用包括圖案的罩幕來定義基板上的區域。例如，光阻層由微影形成於基板上，並暴露於像是紫外線、深紫外線、或極紫外線的輻射，該輻射穿過罩幕的透明區域，以在光阻的相應區域引起化學反應。然後，將光阻顯影以產生暴露出底層材料的開放區域的圖案，而材料的其他區域仍受到光阻保護。取決於使用的是正型或負型光阻，將光阻層的暴露或未暴露部分移除。接著，蝕刻未被光阻保護的基板部分以形成部件於基板中。罩幕之間的相對定位和對準、或“疊對（overlay）”控制最終的半導體元件是否正確地形成。最小化覆蓋誤差（overlay error）是半導體元件製造中的一個重要議題。疊對量測（overlay metrology）透過在與功能電路結構相同的層中使用覆蓋目標（overlay target）來最小化覆蓋誤差。

參照圖1至圖3，在步驟S11，可以形成第一目標100於第一層301上。

參照圖2，可以提供第一罩幕510。第一罩幕510可以在第一位置511具有第一目標100的圖案。應注意的是，為了清楚起見，省略了圖案的詳細結構。

參照圖3，可以透過微影製程將第一罩幕510的圖案轉移到第一層301上以形成第一目標100。第一目標100可以位於第一位置511並且包括彼此平均地隔開的複數個線部件。該些線部件（也稱為第一部件）可以以第一節距（pitch）（例如，間距、頻率、發生等）出現。例如，第一目標100的該些線部件中的每一者可以沿著方向Y延伸，並且第一目標100的該些線部件可以沿著方向X重複出現。

在一些實施例中，第一節距小於稍後將說明的基於圖像的量測系統的最小光學解析度。換句話說，可能無法透過基於圖像的量測系統來解析第一節距。第一目標100的小第一節距可意味著第一目標100的尺寸可被縮小以節省用於量測的真實狀況（real estate），並為功能電路提供更多空間。

圖4是俯視圖，例示本揭露一實施例之用於製備一第二目標200的一第二罩幕520。圖5是俯視圖，例示本揭露一實施例之使用該第二罩幕520製備的該第二目標200。

參照圖1、圖4、和圖5，在步驟S13，可以形成第二目標200於第二層303上。

參照圖4，可以提供第二罩幕520。第二罩幕520可以在第二位置521具有第二目標200的圖案。當第一罩幕510和第二罩幕520對準時，第二位置521可以與第一位置511相鄰。例如，第二位置521可以沿方向Y與第一位置511相鄰。

在一些實施例中，第一位置511和第二位置521彼此緊鄰，使得使用罩幕510、520所製備的目標可以彼此緊鄰。應注意的是，用詞“緊鄰（immediately adjacent）”是指兩個目標彼此相隔（在平行於目標中的線和間隙的方向）足夠近的距離以允許光學比較（亦即，例如，等於小於50倍、小於25倍、小於10倍等目標中平行線（或間隙）的寬度），並且可以僅相隔幾個（例如，5個）間隙（gap）。因此，目標彼此相隔足夠近，但仍允許單獨地進行光學觀察。

參照圖4，第二位置521和第一位置511可以彼此對齊。例如，第二位置521的左側和第一位置511的左側可以與方向Y平行的同一條線對齊。

應注意的是，為了清楚起見，省略了圖案的詳細結構，並且顯示出第一位置511以說明與第二位置521的位置關係。

參照圖5，可以透過微影製程將第二罩幕520的圖案轉移到不同於第一層301的第二層303上，以形成第二目標200。第二目標200可以位於第二位置521並且與位於第一位置511的第一目標100相鄰（或緊鄰）。第二目標200可以包括與彼此平均地隔開的複數個線部件。該些線部件（也稱為第二部件）可以以第二節距出現。例如，第二目標200的該些線部件中的每一者可以沿著方向Y延伸，並且第二目標200的該些線部件可以沿著方向X重複出現。

在一些實施例中，第二節距小於基於圖像的量測系統的最小光學解析度。換句話說，可能無法透過基於圖像的量測系統來解析第二節距。第二目標200的小第二節距可意味著第二目標200的尺寸可被縮小以節省用於量測的真實狀況，並為功能電路提供更多空間。

在本實施例中，第一節距和第二節距可以相同。也就是說，理想地，第一目標100和第二目標200可以對準。第一目標100的重心（center of gravity; COG）和第二目標200的重心沿著平行於方向Y的同一條線。換句話說，第一目標100的正中心（例如一條線或一個間隙）與第二目標200的正中心沿著相同的線（在方向Y上）。

圖6根據本揭露一實施例顯示測量該第一目標100和該第二目標200的基於圖像的量測系統的透鏡401之示意圖。圖7根據本揭露一實施例顯示該透鏡401的俯視示意圖。圖8是俯視圖，例示本揭露一實施例之沒有覆蓋誤差的該第一目標100和該第二目標200的干涉圖案。圖9是俯視圖，例示本揭露一實施例之具有覆蓋誤差的該第一目標100和該第二目標200的干涉圖案。

參照圖1和圖6至圖9，在步驟S15，包括光柵300的透鏡401可以疊加（superpose）第一目標100和第二目標200以產生第一目標100的干涉圖案和第二目標200的干涉圖案，且可以由第一目標100的干涉圖案和第二目標200的干涉圖案確定疊對。

參照圖6和圖7，可以透過基於圖像的量測系統測量（或觀察）第一目標100和第二目標200，以確定不同層（例如，第一層301和第二層303）之間部件（例如，第一部件和第二部件）的疊對。基於圖像的量測系統可以包括透鏡401。透鏡401可以包括配置在其上的光柵300。光柵300可以包括與彼此平均地隔開的複數個線部件。在一些實施例中，光柵300的該些線部件可以平行於第一目標100的該些線部件或第二目標200的該些線部件。光柵300的節距可以與第一目標100的第一節距和第二目標200的第二節距稍微不同。在一些實施例中，光柵300的節距可以大於第一目標100的第一節距和第二目標200的第二節距。在一些實施例中，光柵300的節距可以小於第一目標100的第一節距和第二目標200的第二節距。

通常，可以在測量期間將透鏡401放置在第一目標100和第二目標200之上，使得光柵300可以與第一目標100和第二目標200疊加以分別且對應地產生（或構成）第一目標100的干涉圖案和第二目標200的干涉圖案。不受特定理論的限制，據信第一目標100的干涉圖案和第二目標200的干涉圖案可能是由於莫瑞效應（moiré effect）形成的。

在一些實施例中，可以單獨地形成光柵300，然後將其轉移至透鏡401上。在一些實施例中，可以透過一個或多個折射空間光調變器產生光柵300。

在一些實施例中，基於圖像的量測系統可以包括光源（未顯示），例如氙弧燈及/或氘燈、及/或發光二極體，以提供照明給透鏡401。在一些實施例中，基於圖像的量測系統可以包括像是電荷耦合元件陣列的檢測器（未顯示），用以收集所產生的干涉圖案。在一些實施例中，基於圖像的量測系統可以包括處理單元（未顯示），用以處理所收集的圖像並確定覆蓋誤差。

參照圖8，顯示出第一目標100的干涉圖案（也稱為第一目標100的第一干涉圖案）和第二目標200的干涉圖案（也稱為第二目標200的第一干涉圖案）。虛線表示設置在第一位置L1（也稱為透鏡401的原點）的光柵300。應注意的是，為了清楚起見，未顯示出光柵300的線部件。

參照圖8，第一目標100和第二目標200的干涉圖案中的內核（kernels）（亮區之間的暗區）可以大於基於圖像的量測系統的最小光學解析度。換句話說，可以透過基於圖像的量測系統來解析第一目標100和第二目標200的干涉圖案的內核。在一些實施例中，第一目標100和第二目標200的干涉圖案的節距可以保持足夠小，從而在一個目標中容納例如至少五個節距，以確保第一目標100和第二目標200的干涉圖案的精準度。

由於基於圖像的量測系統無法解析出第一目標100的第一節距、第二目標200的第二節距、和光柵300的節距，並且基於圖像的量測系統可以解析出第一目標100和第二目標200的干涉圖案的節距，因此可以最小化第一目標100、第二目標200、和光柵300之間對第一目標100和第二目標200的干涉圖案的干擾。其結果，可以改善第一目標100和第二目標200的干涉圖案的節距對比度。

在一些實施例中，透過比較第一目標100的干涉圖案的重心和第二目標200的干涉圖案的重心，可以確定第一目標100和第二目標200之間的疊對。

在一些實施例中，由於莫瑞效應對相位移敏感，因此光柵300的節距與第一目標100的第一節距和第二目標200的第二節距之間的差異可能會根據光柵300和第一目標100相對位移並根據光柵300和第二目標200的相對位移而移動（shift）。因此，光柵300可以用作錨（亦即，參考）。為了位於第一層301上的第一目標100而產生的干涉圖案之相對位移和為了位於第二層303上的第二目標200而產生的干涉圖案之相對位移可用來指示疊對。亦即，疊對是基於不同目標對配置在透鏡401上的相同光柵300的相對位移來測量，而不是基於由目標識別的任何特定位置（例如，中心位置）來測量的。

參照圖8，第一目標100和第二目標200完美地對準。換句話說，第一目標100可以根據適當的節距形成於適當的位置（亦即，第一位置511），且第二目標200可以根據適當的節距形成於適當的位置（亦即，第二位置521）。由於第一目標100和第二目標200的完美對準，第一目標100的干涉圖案的重心和第二目標200的干涉圖案的重心可以對準，使得圖8中沒有覆蓋誤差。

參照圖9，第一目標100和第二目標200沒有對準。例如，第一目標100可以根據適當的節距形成於適當的位置（亦即，第一位置511）；然而，第二目標200可形成於偏離的位置（亦即，從第二位置521偏移）或者可形成於偏離的節距中。其結果，第一目標100的干涉圖案的重心和第二目標200的干涉圖案的重心可能錯位（misaligned），從而在圖9中測量到疊對（overlay; OVL）。

透過採用配置在基於圖像的量測系統的透鏡401上的光柵300，第一目標100和第二目標200不需要彼此重疊。因此，可以減少不同層的製程偏差對目標的影響，並且可以應用較不複雜的設計規則。

圖10是俯視圖，例示本揭露一實施例之在透鏡401移動後確定疊對。

參照圖10，透鏡401可以沿著方向X移動到第二位置L2。由於透鏡401的移動，光柵300和第一目標100可以產生第一目標100的第二干涉圖案。光柵300和第二目標200可以產生第二目標200的第二干涉圖案。第一目標100的第二干涉圖案和第二目標200的第二干涉圖案可用於確定在第二位置L2所獲得的疊對。在第二位置L2獲得的疊對和在第一位置L1獲得的疊對可以用於計算平均疊對。因此，可以多次移動透鏡401以獲得多個疊對結果。所有疊對結果可用於相互驗證，並可用於獲得（平均）疊對以滿足統計需求。

圖11是俯視示意圖，例示本揭露另一實施例之該第一目標100和該第二目標200。

參照圖11，第一目標100的第一節距和第二目標200的第二節距可以不同。例如，第一目標100的第一節距可以大於第二目標200的第二節距。又例如，第一目標100的第一節距可以小於第二目標200的第二節距。假設製程中沒有產生變形（distortion），第一目標100的第一節距和第二目標200的第二節距之間的差異會導致第一目標100的干涉圖案和第二目標200的干涉圖案的放大。

在一些實施例中，可以將第一目標100的第一節距設置為相對於第二目標200的第二節距，以平衡第一目標100的反射強度和第二目標200的反射強度，以改善第一目標100和第二目標200的干涉圖案的節距對比度（pitch contrast）。可以基於第一目標100和第二目標200中的線部件的尺寸（例如，臨界尺寸）並基於第一層301和第二層303的材料的透明度、厚度、表面紋理/反射率、幾何形狀等來確定反射強度。

圖12是俯視示意圖，例示本揭露另一實施例之用於製備一第二目標200的一第二罩幕520。圖13是俯視示意圖，例示本揭露另一實施例之使用該第二罩幕520製備的該第二目標200。

參照圖12，第二罩幕520可以在第二位置521具有第二目標200的圖案。當第一罩幕510和第二罩幕520對準時，第二位置521可以與第一位置511相鄰。例如，第二位置521可以沿第一方向與第一位置511相鄰或緊鄰。第二位置521可以相對於第一位置511沿著方向X刻意地移動距離D1。換句話說，第二位置521的左側和第一位置511的左側可以錯位。

參照圖13，可以使用第二罩幕520形成第二目標200。第二目標200可以位於第二位置521並且與位於第一位置511的第一目標100偏離距離D1。在本實施例中，第一目標100的第一節距與第二目標200的第二節距可以不同。

圖14根據本揭露另一實施例顯示一透鏡401的俯視示意圖。圖15是俯視示意圖，例示本揭露另一實施例之該第一目標100和該第二目標200的干涉圖案。

參照圖14，配置在透鏡401上的光柵300可以包括第一部分310和第二部分320。第一部分310可以對應於第一位置511，並且第一部分310的節距可以與第二目標200的第二節距相同。第二部分320可以對應於第二位置521，並且第二部分320的節距可以與第一目標100的第一節距相同。

參照圖15，光柵300的第一部分310可以疊加第一目標100以產生第一目標100的干涉圖案。光柵300的第二部分320可以疊加第二目標200以產生第二目標200的干涉圖案。由於第二目標200的刻意偏離，可以透過使用經校準的放大因數來校正製程所產生的變形，該經校準的放大因數是第一目標100的干涉圖案與第二目標200的干涉圖案中較暗和較亮區域的未對準差異在兩倍的距離D1上的比率。可以透過將第一目標100和第二目標200的重心差除以經校準的放大因數來計算疊對。

本揭露的一方面提供一種目標結構，包括一第一目標，位於一第一層上且包括根據一第一節距與彼此平均地隔開的複數個線部件；以及一第二目標，位於一第二層上且包括根據一第二節距與彼此平均地隔開的複數個線部件。該第一層與該第二層不同。該第一目標與該第二目標彼此不重疊。該第一目標被配置以在被一透鏡照亮時產生一干涉圖案，該透鏡包括配置於其上的一光柵。該第二目標被配置以在被該透鏡照亮時產生一干涉圖案，該透鏡包括配置於其上的該光柵。

本揭露的另一方面提供一種用於疊對量測的方法，包括形成一第一目標於一第一層上；形成一第二目標於與該第一層不同的一第二層上，其中該第一目標和該第二目標彼此不重疊；將包括一光柵配置於其上的一透鏡定位在一第一位置以與第一目標和第二目標完全重疊以產生該第一目標的一干涉圖案和該第二目標的一干涉圖案；以及透過該第一目標的該干涉圖案和該第二目標的該干涉圖案確定該第一目標和該第二目標之間的疊對。

本揭露的另一方面提供一種用於疊對量測的基於圖像的量測系統，該量測系統包括一透鏡，其包括配置於其上的一光柵；一光源，用以提供照明給該透鏡；一檢測器，用以收集數據；以及一處理單元，用以處理該數據。該光柵被配置以與具有一第一節距的一第一目標和具有一第二節距的一第二目標重疊，以產生該第一目標的一干涉圖案和該第二目標的一干涉圖案。

由於本揭露之基於圖像的量測系統和目標的設計，該第一目標100和該第二目標200不需要彼此重疊。因此，可以減少不同層的製程偏差對目標的影響，並且可以應用較不複雜的設計規則。此外，可以多次移動透鏡401以獲得多個疊對結果。所有疊對結果可用於相互驗證，並可用於獲得一（平均）疊對以滿足統計需求。

雖然已詳述本揭露及其優點，然而應理解可進行各種變化、取代與替代而不脫離申請專利範圍所定義之本揭露的精神與範圍。例如，可用不同的方法實施上述的許多製程，且以其他製程或前述之組合替代上述的許多製程。

再者，本申請案的範圍並不受限於說明書中該之製程、機械、製造、物質形成物、手段、方法與步驟之特定實施例。該技藝之技術人士可自本揭露的揭示內容理解可根據本揭露而使用與本文該之對應實施例具有相同功能或是達到實質上相同結果之現存或是未來發展之製程、機械、製造、物質形成物、手段、方法、或步驟。據此，此等製程、機械、製造、物質形成物、手段、方法、或步驟係包含於本申請案之申請專利範圍內。

10:方法 100:第一目標 200:第二目標 300:光柵 301:第一層 303:第二層 310:第一部分 320:第二部分 401:透鏡 510:(第一)罩幕 511:第一位置 520:(第二)罩幕 521:第二位置 D1:距離 L1:第一位置 L2:第二位置 OVL:疊對 S11:步驟 S13:步驟 S15:步驟 X:方向 Y:方向

本揭露各方面可配合以下圖式及詳細說明閱讀以便了解。要強調的是，依照工業上的標準慣例，各個部件（feature）並未按照比例繪製。事實上，為了清楚之討論，可能任意的放大或縮小各個部件的尺寸。 圖1是流程圖，例示本揭露一實施例之用於確定疊對的方法。 圖2是俯視圖，例示本揭露一實施例之用於製備一第一目標的一第一罩幕。 圖3是俯視圖，例示本揭露一實施例之使用該第一罩幕製備的該第一目標。 圖4是俯視圖，例示本揭露一實施例之用於製備一第二目標的一第二罩幕。 圖5是俯視圖，例示本揭露一實施例之使用該第二罩幕製備的該第二目標。 圖6是示意圖，例示本揭露一實施例測量該第一目標和該第二目標的基於圖像的量測系統的透鏡。 圖7是俯視示意圖，例示本揭露一實施例的透鏡。 圖8是俯視圖，例示本揭露一實施例之沒有覆蓋誤差的該第一目標和該第二目標的干涉圖案。 圖9是俯視圖，例示本揭露一實施例之具有覆蓋誤差的該第一目標和該第二目標的干涉圖案。 圖10是俯視圖，例示本揭露一實施例之在透鏡移動後確定疊對。 圖11是俯視示意圖，例示本揭露另一實施例之第一目標和第二目標。 圖12是俯視示意圖，例示本揭露另一實施例之用於製備一第二目標的一第二罩幕。 圖13是俯視示意圖，例示本揭露另一實施例之使用該第二罩幕製備的該第二目標。 圖14是俯視示意圖，例示本揭露另一實施例之透鏡。 圖15是俯視示意圖，例示本揭露另一實施例之該第一目標和該第二目標的干涉圖案。

100:第一目標

200:第二目標

300:光柵

511:第一位置

521:第二位置

L1:第一位置

OVL:疊對

X:方向

Y:方向

Claims (9)

1. 一種半導體元件，包括： 一第一目標，位於一第一層上且包括根據一第一節距與彼此平均地隔開的複數個線部件；以及 一第二目標，位於一第二層上且包括根據一第二節距與彼此平均地隔開的複數個線部件； 其中該第一層與該第二層不同； 其中該第一目標與該第二目標彼此不重疊； 其中該第一目標被配置以在被一透鏡照亮時產生一干涉圖案，該透鏡包括配置於其上的一光柵； 其中該第二目標被配置以在被該透鏡照亮時產生一干涉圖案，該透鏡包括配置於其上的該光柵。
2. 如請求項1所述之半導體元件，其中該第一節距與該第二節距相同。
3. 如請求項2所述之半導體元件，其中該第一節距與配置於該透鏡上的該光柵的一節距不同。
4. 如請求項2所述之半導體元件，其中該第一節距小於配置於該透鏡上的該光柵的一節距。
5. 如請求項2所述之半導體元件，其中該第一節距大於配置於該透鏡上的該光柵的一節距。
6. 如請求項3所述之半導體元件，其中該第一目標的該干涉圖案包括至少五個平行的線部件。
7. 如請求項6所述之半導體元件，其中包括該透鏡的基於一圖像的量測系統無法解析出該第一節距、該第二節距、和配置於該透鏡上的該光柵的該節距。
8. 如請求項7所述之半導體元件，其中包括該透鏡的基於該圖像的量測系統可解析出該第一目標的該干涉圖案的一節距和該第二目標的該干涉圖案的一節距。
9. 如請求項1所述之半導體元件，其中該第一節距與該第二節距不同。