CN117202744A - 一种通过光刻制作硅基oled的方法及微显示屏 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种通过光刻制作硅基OLED的方法及微显示屏，包括以下步骤：在IC驱动背板上分别确定R/G/B像素区域；在IC驱动背板顶面的绝缘膜层上通过物理沉积进行溅射蒸镀；而后通过化学沉积进行氧化镀膜；在氧化硅膜层上涂覆光刻胶，通过曝光显影去除光刻胶，暴露R/G/B像素的区域；采用干法刻蚀工艺，暴露R/G/B像素定义位置，相邻R/G/B像素之间形成像素限定结构；进行红光发光结构制备；进行绿光发光结构制备；进行蓝光发光结构制备；在所有R/G/B像素的发光结构及薄膜封装层上进行平坦化处理，进行封装。本发明通过分步进行光刻技术实现红绿蓝像素独立发光、调节，提升产品的色域、可视角度、亮度。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域，特别是一种通过光刻制作硅基OLED的方法及微显示屏。
背景技术
目前硅基OLED微显示屏彩色化，大多采用白光加彩色滤光膜(Color filter，简称CF)的方案，亮度基本都在800cd/㎡以内，而市场越来越多的产品对其亮度要求在1000cd/㎡～20000cd/㎡。现有的OLED器件依靠材料和器件优化，提升的亮度有限，并且随着亮度提升，器件的寿命也会受到影响。
OLED行业已有方案是通过在Invar36(镍合金)材质进行刻蚀出RGB子像素孔，它的作用是使发光有机材料沉积穿过掩模并沉积在基板上的所需位置上(小孔越密集，生成的像素点越小，分辨率越高)，是用来解决蒸镀有机材料RGB三基色的像素阵列分布，从而实现精细金属掩模版，即Fine Metal Mask(FMM)。
但FMM技术存在物理限制，因蒸镀过程中有机材料释放热量，使FMM和玻璃温度升高，FMM热膨胀后变长，与玻璃之间形成缝隙，会导致RGB混色，因此要给FMM网帽一定的预张力，预张力需求网面需要一定厚度去保证RGB子像素孔不变形，预张力前提是网面厚度不能小于50μ，故RGB子像素的小孔不能无限做小，如果像素尺寸小于57.5*57.5μ、FMM网帽在保证平整度时，子像素开口存在变形问题，在保证下像素开口形状完整时，网面存在变形和产品无良率增加等问题，传统FMM方案只能保证产品像素密度达到500PPI左右，而硅基OLED产品需求PPI在2800～8000PPI，则要求是RGB子像素尺寸须达到小于2.5μ*2.5μ，故传统的FMM技术方案因物理极限而无法实现，只能采用WOLED+CF方案，而这种技术方案导致OLED出光损失高达到80％，红绿蓝光不能独立调节光谱位置、发光强度，产品可视视角、色域都存在巨大局限，这也是目前困扰硅基OLED核心问题。
例如，中国专利文献曾公开了一种干法刻蚀制备硅基OLED阳极及OLED器件的方法【中国专利号：202011274620.6】，本发明公开一种OLED阳极的制备方法，先用去离子水清洗硅基板，再在硅基板上形成阳极层，阳极层包括钛膜层、镍膜层、铝膜层、铂膜层、氮化钛膜层、氮化铝膜层中的至少一种导电膜层，然后在阳极层上均匀旋涂0.8微米的碱溶性抗发射涂层和1.5微米的正性光刻胶层，然后对光刻胶层和抗反射涂层进行光刻、显影获得像素点的图形，然后采用刻蚀性气体轰击底部不被光刻胶层和抗发射涂层保护的阳极层，再用显影液去除光刻胶层和抗反射涂层，形成阳极像素点最后对硅基板进行清洗、烘干。采用以上方法制备OLED器件，具有像素点图形精确化，使像素点间距更小，像素密度高等优点。
上述技术方案，即采用R/G/B像素同步制作的工艺方式，从而无法实现对R/G/B像素进行独立调节的效果，另外还存在发光亮度较低的问题。
发明内容
本发明的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种通过分步光刻R/G/B像素，实现R/G/B像素独立发光调节，且增加光亮度的通过光刻制作硅基OLED的方法及微显示屏。
本发明的目的可通过下列技术方案来实现：一种通过光刻制作硅基OLED的方法，包括以下步骤：
S1、在IC驱动背板上分别确定R/G/B像素区域，并在R/G/B像素之间做绝缘膜层，在R/G/B像素区域下层做钨塞；
S2、在IC驱动背板顶面的绝缘膜层上通过物理沉积进行溅射蒸镀，形成氧化铟锌金属膜层；而后在氧化铟锌金属膜层上通过化学沉积进行氧化镀膜，形成氧化硅膜层；
S3、在氧化硅膜层上涂覆光刻胶膜层一，通过曝光操作对光刻胶膜层一进行显影、去除光刻胶工艺，暴露出要刻蚀的R/G/B像素的区域；
S4、采用干法刻蚀工艺，刻蚀掉R/G/B像素于Wafer基板上方的氧化硅膜层和氧化铟锌金属膜层，以暴露R/G/B像素定义位置，且相邻R/G/B像素之间形成像素限定结构，在像素限定结构中的氧化铟锌金属膜层形成阴极连接层，氧化硅膜层形成阳极连接层；
S5、进行红光发光结构制备：
S6、进行绿光发光结构制备：
S7、进行蓝光发光结构制备：
S8、在所有R/G/B像素的发光结构及薄膜封装层上进行平坦化处理，形成平坦化层；最后在平坦化层上覆盖盖板玻璃进行封装。
在上述的通过光刻制作硅基OLED的方法中，步骤S5中，红光发光结构的制备步骤包括：
1)在R/G/B像素定义位置先进行阳极氧化铟锡溅射镀膜，再进行发光结构蒸镀形成红光OLED发光层；
2)采用Al2O3+SiN对红光OLED发光层进行薄膜封装保护，形成薄膜封装层一；
3)对R像素区域依次进行涂胶、曝光、显影工艺，留下R像素区域的光刻胶膜层二以保护红光OLED发光层和对应位置的薄膜封装层一，并暴露G/B像素区域及其它区域；
4)将G/B像素区域及其它区域的红光OLED发光层、薄膜封装层一刻蚀干净；
步骤S6中，绿光发光结构的制备步骤包括：
1)在R/G/B像素定义位置先进行阳极氧化铟锡溅射镀膜，再进行发光结构蒸镀形成绿光OLED发光层；
2)采用Al2O3+SiN对绿光OLED发光层进行薄膜封装保护，形成薄膜封装层二；
3)对G像素区域依次进行涂胶、曝光、显影工艺，留下G像素区域的光刻胶膜层三以保护绿光OLED发光层和对应位置的薄膜封装层二，并暴露R/B像素区域及其它区域；
4)将R/B像素区域及其它区域的绿光OLED发光层、薄膜封装层二刻蚀干净；
步骤S7中，蓝光发光结构的制备步骤包括：
1)在R/G/B像素定义位置先进行阳极氧化铟锡溅射镀膜，再进行发光结构蒸镀形成蓝光OLED发光层；
2)采用Al2O3+SiN对蓝光OLED发光层进行薄膜封装保护，形成薄膜封装层三；
3)对B像素区域依次进行涂胶、曝光、显影工艺，留下B像素区域的光刻胶膜层四以保护蓝光OLED发光层和对应位置的薄膜封装层，并暴露R/G像素区域及其它区域；
4)将R/G像素区域及其它区域的蓝光OLED发光层、薄膜封装层三刻蚀干净。
在上述的通过光刻制作硅基OLED的方法中，步骤S1中，所述IC驱动背板包括Wafer基板，所述Wafer基板的底面上设置单独导通R/G/B像素的底层电路。
在上述的通过光刻制作硅基OLED的方法中，步骤S2中，所述氧化铟锌金属膜层的厚度为：所述氧化硅膜层的厚度为：/>
在上述的通过光刻制作硅基OLED的方法中，步骤S3中，所述光刻胶膜层一的厚度为：1.5～3μ；采用曝光机进行曝光操作，所述曝光机的精度曝光线宽＜350nm。
在上述的通过光刻制作硅基OLED的方法中，步骤S4中，对所述氧化铟锌金属膜层进行过刻工艺，使氧化铟锌金属膜宽度小于氧化硅膜层宽度。
在上述的通过光刻制作硅基OLED的方法中，步骤S5中，所述红光OLED发光层由下至上包含阳极HIL层、HTL层、R-EML层、ETL层、EIL层；所述绿光OLED发光层由下至上包含阳极HIL层、HTL层、G-EML层、ETL层、EIL层；所述蓝光OLED发光层由下至上包含阳极HIL层、HTL层、B-EML层、ETL层、EIL层；HIL层的厚度为HTL层的厚度为/>R-EML层/G-EML层/G-EML层厚度为/>ETL层的厚度为/>EIL层厚度为
在上述的通过光刻制作硅基OLED的方法中，步骤S6中，通过原子沉积制备形成厚度为的Al2O3膜层，再通过低温物理沉积制备厚度为/> 的SiN。
在上述的通过光刻制作硅基OLED的方法中，步骤S8中，所述平坦化层为厚度为2～4μ的透明水胶膜层；所述盖板玻璃的厚度不小于0.5mm。
一种微显示屏，由上述的通过光刻制作硅基OLED的方法制得。
与现有技术相比，本通过光刻制作硅基OLED的方法及微显示屏具有以下有益效果：
1、本发明从光刻方案入手，打破传统物理蒸镀技术方案，跳过FMM技术的物理极限，避开WOLED+CF方案对可视视角、产品色域、产品亮度的牺牲，通过曝光、显影、刻蚀工艺的高精度(曝光机精度可到3nm)、高成熟度(半导体发展成熟、稳定)、高良率(硅基OLED采用的曝光精度在55～180nm，技术良率超高)技术可实现超高分辨率的像素密度，通过红绿光单独蒸镀发光结构，并进行薄膜封装保护可保证OLED发光性能，避免水氧等入侵破坏，通过3次循环的光刻OLED方案，实现红绿蓝子像素的并列排布、独立发光。
2、通过分步进行光刻OLED技术方案实现红绿蓝像素独立发光、调节，不仅提升产品的色域、可视角度，更极大提升产品亮度，为硅基OLED在VR/AR/XR等产品应用中补齐短板，促进显示领域进一步发展。
附图说明
图1是本发明的IC驱动背板结构图。
图2是本发明的物理化学镀膜结构图。
图3是本发明的曝光显影结构图。
图4是本发明的干法刻蚀结构图。
图5是本发明的红光蒸镀结构图。
图6是本发明的红光封膜结构图。
图7是本发明的红光涂胶显影结构图。
图8是本发明的红光发光结构完成示意图。
图9是本发明的绿光蒸镀结构图。
图10是本发明的绿光封膜结构图。
图11是本发明的绿光涂胶显影结构图。
图12是本发明的绿光发光结构完成示意图。
图13是本发明的蓝光蒸镀及封膜结构图。
图14是本发明的蓝光涂胶显影结构图。
图15是本发明的蓝光发光结构完成示意图。
图16是本发明的红绿蓝像素封装结构图。
图17是本发明的像素限定结构的示意图。
图18是本发明的发光膜层结构的示意图。
图中，01、底层电路；02、Wafer基板；03、绝缘膜层；04、氧化铟锌金属膜层；05、氧化硅膜层；06、光刻胶膜层一；07、R/G/B像素定义位置；08、像素限定结构；09、红光OLED发光层；10、薄膜封装层一；11、光刻胶膜层二；12、绿光OLED发光层；13、薄膜封装层二；14、光刻胶膜层三；15、蓝光OLED发光层；16、薄膜封装层三；17、光刻胶膜层四；18、平坦化层；19、盖板玻璃。
具体实施方式
以下是本发明的具体实施例并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的描述，但本发明并不限于这些实施例。
实施例一
本通过光刻制作硅基OLED的方法，包括以下步骤：
S1、如图1所示，在IC驱动背板上分别确定R/G/B像素区域，并在R/G/B像素之间做绝缘膜层03，在R/G/B像素区域下层做钨塞；
制作像素之间的绝缘膜层03SiO2，以避免R/G/B像素之间互相导通。通过钨塞连接驱动电路和RGB阳极。
S2、如图2所示，在IC驱动背板顶面的绝缘膜层03上通过物理沉积进行溅射蒸镀，形成氧化铟锌金属膜层04；而后在氧化铟锌金属膜层04上通过化学沉积进行氧化镀膜，形成氧化硅膜层05；
氧化铟锌金属膜层04是一种透明金属膜，具有干刻简单的特点。氧化铟锌金属膜层04功函数匹配OLED发光材料能级。氧化硅膜层05具有方便刻蚀的特性。
S3、如图3所示，在氧化硅膜层05上涂覆光刻胶膜层一06，通过曝光操作对光刻胶膜层一06进行显影、去除光刻胶工艺，暴露出要刻蚀的R/G/B像素的区域；
光刻胶膜层一06可阻挡干刻，避免光刻胶膜层一06下面其它膜层被刻蚀掉。
S4、如图4所示，采用干法刻蚀工艺，刻蚀掉R/G/B像素于Wafer基板02上方的氧化硅膜层05和氧化铟锌金属膜层04，以暴露R/G/B像素定义位置07，且相邻R/G/B像素之间形成像素限定结构08，在像素限定结构08中的氧化铟锌金属膜层04形成阴极连接层，氧化硅膜层05形成阳极连接层；
通过素限定结构将R/G/B像素限定并隔开，上线两层结构，有利于OLED发光结构及薄膜封装层断开，也给OLEDR/G/B阴极连通提供条件。
S5、进行红光发光结构制备：
1)如图5所示，在R/G/B像素定义位置07先进行阳极氧化铟锡溅射镀膜，再进行发光结构蒸镀形成红光OLED发光层09；
进行氧化铟锌金属膜层04阴极制备，使氧化铟锌金属膜层04像素定义层连接。
2)如图6所示，采用Al2O3+SiN对红光OLED发光层09进行薄膜封装保护，形成薄膜封装层一10；
薄膜封装层一10可形成致密膜层，以阻隔水氧，起到保护OLED发光结构的作用。
3)如图7所示，对R像素区域依次进行涂胶、曝光、显影工艺，留下R像素区域的光刻胶膜层二11以保护红光OLED发光层09和对应位置的薄膜封装层一10，并暴露G/B像素区域及其它区域；
光刻胶膜层二11可阻挡干刻，避免光刻胶膜层二11下面其它膜层被刻蚀掉。
4)如图8所示，将G/B像素区域及其它区域的红光OLED发光层09、薄膜封装层一10刻蚀干净；
通过干法刻蚀工艺，先刻蚀掉薄膜封装层一10，再刻蚀掉红光发光层，剩余即为基板上已完成所有R像素的发光结构及薄膜封装机构制备。
S6、进行绿光发光结构制备：
1)如图9所示，在R/G/B像素定义位置07先进行阳极氧化铟锡溅射镀膜，再进行发光结构蒸镀形成绿光OLED发光层12；
进行氧化铟锌金属膜层04阴极制备，使氧化铟锌金属膜层04像素定义层连接。
2)如图10所示，采用Al2O3+SiN对绿光OLED发光层12进行薄膜封装保护，形成薄膜封装层二13；
薄膜封装层二13可形成致密膜层，以阻隔水氧，起到保护OLED发光结构的作用。
3)如图11所示，对G像素区域依次进行涂胶、曝光、显影工艺，留下G像素区域的光刻胶膜层三14以保护绿光OLED发光层12和对应位置的薄膜封装层二13，并暴露R/B像素区域及其它区域；
光刻胶膜层三14可阻挡干刻，避免光刻胶膜层三14下面其它膜层被刻蚀掉。
4)如图12所示，将R/B像素区域及其它区域的绿光OLED发光层12、薄膜封装层二13刻蚀干净；
通过干法刻蚀工艺，先刻蚀掉薄膜封装层二13，再刻蚀掉绿光发光层，剩余即为基板上已完成所有R/G像素的发光结构及薄膜封装机构制备。
S7、进行蓝光发光结构制备：
1)如图13所示，在R/G/B像素定义位置07先进行阳极氧化铟锡溅射镀膜，再进行发光结构蒸镀形成蓝光OLED发光层15；
进行氧化铟锌金属膜层04阴极制备，使氧化铟锌金属膜层04像素定义层连接。
2)如图13所示，采用Al2O3+SiN对蓝光OLED发光层15进行薄膜封装保护，形成薄膜封装层三16；
薄膜封装层三16可形成致密膜层，以阻隔水氧，起到保护OLED发光结构的作用。
3)如图14所示，对B像素区域依次进行涂胶、曝光、显影工艺，留下B像素区域的光刻胶膜层四17以保护蓝光OLED发光层15和对应位置的薄膜封装层，并暴露R/G像素区域及其它区域；
光刻胶膜层四17可阻挡干刻，避免光刻胶膜层四17下面其它膜层被刻蚀掉。
4)如图15所示，将R/G像素区域及其它区域的蓝光OLED发光层15、薄膜封装层三16刻蚀干净；
通过干法刻蚀工艺，先刻蚀掉薄膜封装层三16，再刻蚀掉蓝光发光层，剩余即为基板上已完成所有R/G/B像素的发光结构及薄膜封装机构制备。
S8、如图16所示，在所有R/G/B像素的发光结构及薄膜封装层上进行平坦化处理，形成平坦化层18；最后在平坦化层18上覆盖盖板玻璃19进行封装。
步骤S1中，IC驱动背板包括Wafer基板02，Wafer基板02的底面上设置单独导通R/G/B像素的底层电路01。Wafer基板02作为RGB底层电路01及红绿蓝发光结构制备的载体。
步骤S2中，氧化铟锌金属膜层04的厚度为：氧化硅膜层05的厚度为：/>
步骤S3中，光刻胶膜层一06的厚度为：1.5～3μ；采用曝光机进行曝光操作，曝光机的精度曝光线宽＜350nm。
步骤S4中，对氧化铟锌金属膜层04进行过刻工艺，使氧化铟锌金属膜宽度小于氧化硅膜层05宽度。通过这一设计可以实现OLED有机材料断开，使阴极连接层与阳极连接层形成无电阻连接，实验阴极面连接，从而保证OELD阳极、发光结构、阴极连接完整，可通电发光。
步骤S5中，红光OLED发光层09由下至上包含阳极HIL层、HTL层、R-EML层、ETL层、EIL层；绿光OLED发光层12由下至上包含阳极HIL层、HTL层、G-EML层、ETL层、EIL层；蓝光OLED发光层15由下至上包含阳极HIL层、HTL层、B-EML层、ETL层、EIL层；HIL层的厚度为HTL层的厚度为/> R-EML层/G-EML层/G-EML层厚度为/>ETL层的厚度为/> EIL层厚度为/>红光OLED发光层09通电后只发红光。绿光OLED发光层12通电后只发绿光。蓝光OLED发光层15通电后只发蓝光。
步骤S6中，通过原子沉积制备形成厚度为的Al2O3膜层，再通过低温物理沉积制备厚度为/>的SiN。
步骤S8中，平坦化层18为厚度为2～4μ的透明水胶膜层；盖板玻璃19的厚度不小于0.5mm。使用高折射率的透明水胶膜层将R/G/B像素区域进行平坦化并保护；通过盖板玻璃19保护下方发光结构，以避免物理、机械等损坏。
实施例二
一种微显示屏，由上述的通过光刻制作硅基OLED的方法制得。
与现有技术相比，本通过光刻制作硅基OLED的方法及微显示屏具有以下有益效果：
1、本发明从光刻方案入手，打破传统物理蒸镀技术方案，跳过FMM技术的物理极限，避开WOLED+CF方案对可视视角、产品色域、产品亮度的牺牲，通过曝光、显影、刻蚀工艺的高精度(曝光机精度可到3nm)、高成熟度(半导体发展成熟、稳定)、高良率(硅基OLED采用的曝光精度在55～180nm，技术良率超高)技术可实现超高分辨率的像素密度，通过红绿光单独蒸镀发光结构，并进行薄膜封装保护可保证OLED发光性能，避免水氧等入侵破坏，通过3次循环的光刻OLED方案，实现红绿蓝子像素的并列排布、独立发光。
2、通过分步进行光刻OLED技术方案实现红绿蓝像素独立发光、调节，不仅提升产品的色域、可视角度，更极大提升产品亮度，为硅基OLED在VR/AR/XR等产品应用中补齐短板，促进显示领域进一步发展。
本文中所描述的具体实施例仅仅是对本发明精神作举例说明。本发明所属技术领域的技术人员可以对所描述的具体实施例做各种各样的修改或补充或采用类似的方式替代，但并不会偏离本发明的精神或者超越所附权利要求书所定义的范围。
Claims (10)
1.一种通过光刻制作硅基OLED的方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、在IC驱动背板上分别确定R/G/B像素区域，并在R/G/B像素之间做绝缘膜层，在R/G/B像素区域下层做钨塞；
S2、在IC驱动背板顶面的绝缘膜层上通过物理沉积进行溅射蒸镀，形成氧化铟锌金属膜层；而后在氧化铟锌金属膜层上通过化学沉积进行氧化镀膜，形成氧化硅膜层；
S3、在氧化硅膜层上涂覆光刻胶膜层一，通过曝光操作对光刻胶膜层一进行显影、去除光刻胶工艺，暴露出要刻蚀的R/G/B像素的区域；
S4、采用干法刻蚀工艺，刻蚀掉R/G/B像素于Wafer基板上方的氧化硅膜层和氧化铟锌金属膜层，以暴露R/G/B像素定义位置，且相邻R/G/B像素之间形成像素限定结构，在像素限定结构中的氧化铟锌金属膜层形成阴极连接层，氧化硅膜层形成阳极连接层；
S5、进行红光发光结构制备；
S6、进行绿光发光结构制备；
S7、进行蓝光发光结构制备；
S8、在所有R/G/B像素的发光结构及薄膜封装层上进行平坦化处理，形成平坦化层；最后在平坦化层上覆盖盖板玻璃进行封装。
2.如权利要求1所述的通过光刻制作硅基OLED的方法，其特征在于，步骤S5中，红光发光结构的制备步骤包括：
1)在R/G/B像素定义位置先进行阳极氧化铟锡溅射镀膜，再进行发光结构蒸镀形成红光OLED发光层；
2)采用Al2O3+SiN对红光OLED发光层进行薄膜封装保护，形成薄膜封装层一；
3)对R像素区域依次进行涂胶、曝光、显影工艺，留下R像素区域的光刻胶膜层二以保护红光OLED发光层和对应位置的薄膜封装层一，并暴露G/B像素区域及其它区域；
4)将G/B像素区域及其它区域的红光OLED发光层、薄膜封装层一刻蚀干净；
步骤S6中，绿光发光结构的制备步骤包括：
1)在R/G/B像素定义位置先进行阳极氧化铟锡溅射镀膜，再进行发光结构蒸镀形成绿光OLED发光层；
2)采用Al2O3+SiN对绿光OLED发光层进行薄膜封装保护，形成薄膜封装层二；
3)对G像素区域依次进行涂胶、曝光、显影工艺，留下G像素区域的光刻胶膜层三以保护绿光OLED发光层和对应位置的薄膜封装层二，并暴露R/B像素区域及其它区域；
4)将R/B像素区域及其它区域的绿光OLED发光层、薄膜封装层二刻蚀干净；
步骤S7中，蓝光发光结构的制备步骤包括：
1)在R/G/B像素定义位置先进行阳极氧化铟锡溅射镀膜，再进行发光结构蒸镀形成蓝光OLED发光层；
2)采用Al2O3+SiN对蓝光OLED发光层进行薄膜封装保护，形成薄膜封装层三；
3)对B像素区域依次进行涂胶、曝光、显影工艺，留下B像素区域的光刻胶膜层四以保护蓝光OLED发光层和对应位置的薄膜封装层，并暴露R/G像素区域及其它区域；
4)将R/G像素区域及其它区域的蓝光OLED发光层、薄膜封装层三刻蚀干净。
3.如权利要求1所述的通过光刻制作硅基OLED的方法，其特征在于，步骤S1中，所述IC驱动背板包括Wafer基板，所述Wafer基板的底面上设置单独导通R/G/B像素的底层电路。
4.如权利要求1所述的通过光刻制作硅基OLED的方法，其特征在于，步骤S2中，所述氧化铟锌金属膜层的厚度为：所述氧化硅膜层的厚度为：/>
5.如权利要求1所述的通过光刻制作硅基OLED的方法，其特征在于，步骤S3中，所述光刻胶膜层一的厚度为：1.5～3μ；采用曝光机进行曝光操作，所述曝光机的精度曝光线宽＜350nm。
6.如权利要求1所述的通过光刻制作硅基OLED的方法，其特征在于，步骤S4中，对所述氧化铟锌金属膜层进行过刻工艺，使氧化铟锌金属膜宽度小于氧化硅膜层宽度。
7.如权利要求1所述的通过光刻制作硅基OLED的方法，其特征在于，步骤S5中，所述红光OLED发光层由下至上包含阳极HIL层、HTL层、R-EML层、ETL层、EIL层；所述绿光OLED发光层由下至上包含阳极HIL层、HTL层、G-EML层、ETL层、EIL层；所述蓝光OLED发光层由下至上包含阳极HIL层、HTL层、B-EML层、ETL层、EIL层；HIL层的厚度为HTL层的厚度为R-EML层/G-EML层/G-EML层厚度为/>ETL层的厚度为EIL层厚度为/>
8.如权利要求1所述的通过光刻制作硅基OLED的方法，其特征在于，步骤S6中，通过原子沉积制备形成厚度为的Al2O3膜层，再通过低温物理沉积制备厚度为的SiN。
9.如权利要求1所述的通过光刻制作硅基OLED的方法，其特征在于，步骤S8中，所述平坦化层为厚度为2～4μ的高折射率透明水胶膜层；所述盖板玻璃的厚度不小于0.5mm。
10.一种微显示屏，其特征在于，由权利要求1至9中任一项所述的通过光刻制作硅基OLED的方法制得。
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