CN117199077A - 内埋电阻及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种内埋电阻及其制造方法。内埋电阻包含第一电阻部、在第一电阻部的相对两侧的两个第二电阻部及两个第三电阻部。第一电阻部包括透明的第一基材、第一电阻元件及透明的第一覆盖层。每一个第二电阻部包括非透明的第二基材、第二电阻元件及非透明的第二覆盖层。第二电阻元件包含可彼此接触或分开的第一线路部分及第二线路部分。每一个第三电阻部包括非透明的第三基材、第三电阻元件及透明的第三覆盖层。
Description
技术领域
本发明是关于一种电子元件及其制造方法，特别是关于一种内埋电阻及其制造方法。
背景技术
近年来，电子设备的发展快速，多功能化、高线路密度及小型化是主要的研究方向。因此，为了达到前述需求，必须在空间有限的基板上设计较高的线路密度，并设置更多电子元件，例如被动元件(passive component)，以达到上述目的。
发明内容
本发明的一态样提供一种内埋电阻，其包含多种电阻元件。
本发明的另一态样提供一种内埋电阻的制造方法。
根据本发明的一态样，提供一种内埋电阻。内埋电阻包含第一电阻部、两个第二电阻部及两个第三电阻部。第一电阻部包括透明的第一基材、设置在第一基材上的第一电阻元件及设置在第一电阻元件上且为透明的第一覆盖层。两个第二电阻部分别设置在所述第一电阻部的相对两侧。每一个第二电阻部包括非透明的第二基材、设置在第二基材上的第二电阻元件及设置在第二电阻元件上且为非透明的第二覆盖层，其中所述第二电阻元件包含第一线路部分及第二线路部分，且所述第一线路部分及所述第二线路部分可接触或分开。两个第三电阻部设置在所述第一电阻部的相对两侧，并分别相邻于所述两个第二电阻部，且所述两个第三电阻部分别比相邻的所述两个第二电阻部更远离所述第一电阻部。每一个第三电阻部包括非透明的第三基材、设置在第三基材上的第三电阻元件及设置在第三电阻元件上且为透明的第三覆盖层。
根据本发明的一实施例，所述第一电阻元件及所述第三电阻元件为光敏电阻元件，且所述第二电阻元件为热敏电阻元件。
根据本发明的一实施例，所述第一电阻元件包含金属图案层，且所述金属图案层设置在所述第一电阻元件的至少两个第一部分上。
根据本发明的一实施例，所述第一电阻元件的第二部分包含至少两个电阻线路，所述第二部分在所述至少两个第一部分之间，且所述至少两个电阻线路的相邻两者之间的间距大于所述第一部分与相邻的所述至少两个第二部分的一者之间的间距。
根据本发明的一实施例，上述内埋电阻还包含第一粘着层、第二粘着层及第三粘着层。第一粘着层设置在所述第一基材及所述第一覆盖层之间；第二粘着层设置在所述第二基材及所述第二覆盖层之间，其中所述第二粘着层不在所述第一线路部分之上、所述第二线路部分之上及所述第一线路部分与所述第二线路部分之间；第三粘着层设置在所述第三基材及所述第三覆盖层之间。
根据本发明的一实施例，所述第二基材与所述第二覆盖层包含相同材料。
根据本发明的一实施例，所述第三电阻元件包含金属层，且所述金属层设置在所述第三电阻元件的部分上。
根据本发明的一实施例，所述第一线路部分及所述第二线路部分分别包含电阻部分、设置在所述电阻部分上的金属层及设置在所述金属层上的导电层。所述第一线路部分及所述第二线路部分的导电层具有不同图案。
根据本发明的另一态样，提供一种内埋电阻的制造方法，其包含提供堆叠层，其中所述堆叠层包含基材、电阻元件及金属层；图案化所述电阻元件及所述金属层，以形成内埋电阻线路结构，其中所述内埋电阻线路结构包含第一区块、两个第二区块及两个第三区块，其中所述第一区块在所述两个第二区块之间，且所述两个第二区块的一者在所述第一区块及所述两个第三区块的一者之间；制作第一线路部分及第二线路部分于所述两个第二区块的每一者中；制作多个电阻部分于所述第一区块及所述两个第三区块中；以及在所述第一线路部分、第二线路部分及电阻部分制作完成后，设置覆盖层在所述内埋电阻线路结构上。
根据本发明的一实施例，制作所述第一线路部分及所述第二线路部分包含沉积导电层在所述两个第二区块的所述金属层上。
根据本发明的一实施例，制作所述多个电阻部分包含蚀刻所述第一区块及所述两个第三区块的所述金属层的部分，以暴露出所述电阻元件的部分。
根据本发明的一实施例，设置所述覆盖层包含设置非透明覆盖膜及第二粘着层在所述内埋电阻线路结构上；以及移除所述非透明覆盖膜的一部分，以暴露出所述第一区块及所述两个第三区块。
根据本发明的一实施例，设置所述覆盖层包含在移除所述非透明覆盖膜的所述部分之后，设置透明覆盖膜及第一粘着层及第三粘着层在所述内埋电阻线路结构上。
应用本发明的内埋电阻及其制造方法，其结合热敏特性及光敏特性的电阻，在不同温度及光照条件下，满足各种电子设备的应用需求，并节省电子设备的空间。
附图说明
根据以下详细说明并配合附图阅读，使本发明的态样获致较佳的理解。需注意的是，如同业界的标准作法，许多特征并不是按照比例绘示的。事实上，为了进行清楚讨论，许多特征的尺寸可以经过任意缩放。
图1为绘示根据本发明一些实施例的内埋电阻的剖面视图。
图2A为绘示根据本发明一些实施例的第一电阻部的剖面视图。
图2B为绘示根据本发明一些实施例的第二电阻部的剖面视图。
图2C为绘示根据本发明一些实施例的第三电阻部的剖面视图。
图3为绘示根据本发明一些实施例的内埋电阻的剖面视图。
图4A及图4B为分别绘示根据本发明一些实施例的内埋电阻的上视图。
图5A至图5F为绘示根据本发明一些实施例的内埋电阻的制造过程的中间阶段的结构剖面视图。
具体实施方式
以下发明提供许多不同实施例或例示，以实施发明的不同特征。以下叙述的成份和排列方式的特定例示是为了简化本发明。这些当然仅是做为例示，其目的不在构成限制。举例而言，元件的尺寸并不限于所发明的范围或数值，而是可取决于工艺条件及/或装置所要的特性。再者，第一特征形成在第二特征之上或上方的描述包含第一特征和第二特征有直接接触的实施例，也包含有其他特征形成在第一特征和第二特征之间，以致第一特征和第二特征没有直接接触的实施例。除此之外，本发明在各种具体例中重复参考数值及/或字母。此重复的目的是为了使说明简化且清晰，并不表示各种讨论的实施例及/或配置之间有关系。
再者，空间相对性用语，例如“下方(beneath)”、“在…之下(below)”、“低于(lower)”、“在…之上(above)”、“高于(upper)”等，是为了易于描述图式中所绘示的元素或特征和其他元素或特征的关系。空间相对性用语除了图式中所描绘的方向外，还包含元件在使用或操作时的不同方向。装置可以其他方式定向(旋转90度或在其他方向)，而本文所用的空间相对性描述也可以如此解读。
热敏电阻(thermistor)根据电阻周围环境的温度变化而表现出不同的电阻值，例如电阻值升高或降低。现有的热敏电阻为一种传感器电阻，其体积随温度的变化较一般的固定电阻更大。光敏电阻根据光照强度变化而表现出不同的电阻值，一般而言，光照强度愈强，则电阻值愈低。现有的光敏电阻的工作原理基于光电效应，其电阻值随着光照强度的上升而下降，在没有光照的情况下，电阻值会达到最大值。现有的光敏电阻及热敏电阻体积较大且特性单一，因此，本发明提供一种内埋电阻，其通过将光敏电阻及热敏电阻结合并内埋于电子设备中，以达到节省电子设备空间，并增加应用性的功效。
请参阅图1，其绘示根据本发明一些实施例的内埋电阻100的剖面视图。内埋电阻100可包含基材110、电阻层120、金属层130、粘着层140及覆盖层150。在一些实施例中，基材110包含透明基材112及非透明基材114。非透明基材114可通过在透明基材上进行涂布特定材料而形成。在一些具体例中，基材110的材料包含聚酰亚胺(polyimide，PI)，其中非透明基材部分114为可伸缩的聚酰亚胺。
在一些实施例中，内埋电阻100包含第一电阻部100A、两个第二电阻部100B及两个第三电阻部100C。如图1所示，两个第二电阻部100B分别设置在第一电阻部100A的相对两侧。两个第三电阻部100C也设置在第一电阻部100A的相对两侧，且分别与两个第二电阻部100B相邻。第三电阻部100C的一者比相邻的第二电阻部100B的一者更远离第一电阻部100A。在一些实施例中，第一电阻部100A及第三电阻部100C包含光敏电阻元件，而第二电阻部100B包含热敏电阻元件。以下分别以图2A至图2C进一步详细说明第一电阻部100A、第二电阻部100B及第三电阻部100C。
请参阅图2A，其绘示根据本发明一些实施例的第一电阻部100A的剖面视图。第一电阻部100A包含第一基材110A、第一电阻元件135A及第一覆盖层150A。第一电阻元件135A设置在第一基材110A上，且第一覆盖层150A设置在第一电阻元件135A上。
在一些实施例中，第一电阻部100A可选择性地包含第一粘着层140A，其设置在第一基材110A及第一覆盖层150A之间。在一些实施例中，第一基材110A包含透明基材112及部分的非透明基材114(例如透明基材112与非透明基材114的交界部分，如图2A所示)。在一些实施例中，第一电阻部100A为光敏电阻区。在此实施例中，第一电阻部100A为透光区，则第一覆盖层150A为透明的覆盖膜。
在一些实施例中，第一电阻元件135A包含第一电阻层120A(即上述电阻层120的部分)及第一金属层130A(即上述金属层130的部分)。在第一电阻部100A为光敏电阻区的一些实施例中，第一电阻层120A的材料包含光敏电阻材料，例如但不限于硫化镉、硫化铅、硫化铊、硫化铋、硒化镉、硒化铅、碲化铅等。
第一电阻元件135A可包含第一部分122及第二部分124，其中第二部分124在第一部分122之间。在此实施例中，第一电阻元件135A包含仅设置在第一部分122上的第一金属层130A。在一些实施例中，第一金属层130A的材料包含铜。第一电阻部100A为透光区，其中第一电阻部100A的第二部分124可具有较大的线路间距，且第二部分124的线路较细。换言之，在一些实施例中，第一电阻层120A的第二部分124之间的间距宽度W1大于相邻的第一部分122及第二部分124之间的间距宽度W2。
请参阅图1与图2B，其绘示根据本发明一些实施例的第二电阻部100B的剖面视图。如图1所示，内埋电阻100包含两个第二电阻部100B，而图2B仅绘示其中一个第二电阻部100B，以进行说明。第二电阻部100B包含第二基材110B、第二电阻元件135B及第二覆盖层150B。第二电阻元件135B设置在第二基材110B上，且第二覆盖层150B设置在第二电阻元件135B上。
在一些实施例中，第二基材110B为非透明基材114的部分。在一些实施例中，第二电阻部100B可选择性地包含第二粘着层140B，其设置在第二基材110B及第二覆盖层150B之间。在一些实施例中，第二电阻部100B为热敏电阻区。在此实施例中，为了使第二电阻元件135B仅受温度影响，故第二电阻部100B应为非透光区，则第二覆盖层150B须为非透明的覆盖层。在一些实施例中，第二基材110B的材料与第二覆盖层150B的材料相同，例如皆为可伸缩的聚酰亚胺。
在一些实施例中，第二电阻元件135B包含第一线路部分210及第二线路部分220。第一线路部分210及第二线路部分220分别包含第二电阻层120B的部分及在第二电阻层120B上的第二金属层130B的部分。在一些实施例中，第一线路部分210还包含第一导电层212，而第二线路部分220还包含第二导电层222。在一些实施例中，第二金属层130B的材料、第一导电层212的材料及第二导电层222的材料为完全相同或部分相同，例如皆包含铜。
如图2B所示，第一导电层212设置在第一线路部分210的第二金属层130B上，但并未完全覆盖第二金属层130B；而第二导电层222设置在第二线路部分220的第二金属层130B上，且第二导电层222不仅完全覆盖第二金属层130B，更完全覆盖第二金属层130B的上表面。申言之，第二导电层222朝着第一线路部分210延伸，并凸出于第二金属层130B的侧边。应理解的是，图2B所绘示的第一线路部分210及第二线路部分220的图案仅为一例示，本发明并不以此为限。
在第二电阻部100B为热敏电阻区的一些实施例中，即第二电阻元件135B包含热敏电阻元件，第二电阻层120B包含热敏电阻材料，其可为正温度系数(positive temperaturecoefficient，PTC)热敏电阻材料或负温度系数(negative temperature coefficient，NTC)热敏电阻材料。在一些具体例中，第二电阻层120B包含锰(Mn)、镍(Ni)或钴(Co)等负温度系数热敏电阻材料，其电阻值会随着温度上升而减小。在另一些具体例中，第二电阻层120B包含钛酸钡(BaTiO3)、钛酸锶(SrTiO3)或钛酸铅(PbTiO3)等正温度系数热敏阻材料，其电阻值会随着温度上升而增加。
随着温度的变化，第二基材110B及第二覆盖层150B可能收缩或舒张，则第一线路部分210与第二线路部分220可能分开或接触搭接。第一线路部分210与第二线路部分220搭接可为例如第二线路部分220的第二导电层222迭合在第一线路部分210的第二金属层130B上，并与第一导电层212接触。通过第一线路部分210与第二线路部分220的分开或接触，而使电阻值随着温度的变化而改变。
在其他实施例中，第二粘着层140B不设置在第一线路部分210上、第二线路部分220上及第一线路部分210与第二线路部分220之间，以免影响第一线路部分210与第二线路部分220的接触。此外，第二基材110B及第二覆盖层150B皆为可伸缩的材料(例如聚酰亚胺)，且第二基材110B及第二覆盖层150B至少须为伸缩性质相近的材料，较佳为相同的材料，以使第二电阻元件135B可有效搭接。
请参阅图1与图2C，其绘示根据本发明一些实施例的第三电阻部100C的剖面视图。如图1所示，内埋电阻100包含两个第三电阻部100C，而图2C仅绘示其中一个第三电阻部100C，以进行说明。第三电阻部100C包含第三基材110C、第三电阻元件135C及第三覆盖层150C。第三电阻元件135C设置在第三基材110C上，且第三覆盖层150C设置在第三电阻元件135C上。在一些实施例中，第三基材110C为非透明基材114的剩余部分。在一些实施例中，第三电阻部100C可选择性地包含第三粘着层140C，其设置在第三基材110C及第三覆盖层150C之间。
在一些实施例中，第三电阻元件135C包含第三电阻层120C及第三金属层130C。在一些实施例中，类似于第一电阻元件100A，第三金属层130C仅在第三电阻层120C的第一部分128上，而未设置在第三电阻层120C的第二部分126上。在一些实施例中，第三金属层130C的材料包含铜。
在一些实施例中，第三电阻部100C为光敏电阻区。第三电阻部100C可为半透光区，其中第三基材110C为非透明基材，而第三覆盖层150C为透明的覆盖层。在第三电阻部100C为光敏电阻区的一些实施例中，第三电阻层120C的材料包含光敏电阻材料，例如但不限于硫化镉、硫化铅、硫化铊、硫化铋、硒化镉、硒化铅、碲化铅等。半透光区的第三电阻部100C与透光区的第一电阻部100A对光照的感应程度会有差异，故两者可在不同环境下有不同的光敏效果，进而造成不同的电阻值变化。
须注意的是，图1所绘示的第一电阻部100A的第一覆盖层150A低于第二电阻部100B的第二覆盖层150B及第三电阻部100C的第三覆盖层150C。换句话说，第二电阻部100B与第三电阻部100C两者皆凸出于第一电阻部100A的顶面(即第一电阻部100A的第一覆盖层150A的上表面)，但本发明不限于此。换言之，第一覆盖层150A、第二覆盖层150B及第三覆盖层150C彼此可为等高或不等高，其取决于制作步骤的便利性。
请参阅图3，其绘示根据本发明一些实施例的内埋电阻100的剖面视图。图3所示的内埋电阻100当第二电阻部100B的第二电阻元件135B的第一线路部分210及第二线路部分220(参照图2B)接触搭接后的状态，即在周围环境温度变化下，因第二基材110B及第二覆盖层150B(参照图2B)的收缩而使第一线路部分210及第二线路部分220互相靠近而接触搭接。
请参阅图4A及图4B，其分别绘示根据本发明一些实施例的内埋电阻100的上视图。图4A对应图1的内埋电阻100，即第二电阻元件135B的第一线路部分210及第二线路部分220(参照图2B)为分开的状态；而图4B对应图3的内埋电阻100，即第二电阻元件135B的第一线路部分210及第二线路部分220(参照图2B)接触搭接的状态。如图4A及图4B所示，在第一电阻部100A中，第二部分124是第一电阻层120A不被第一金属层130A所覆盖的部分，而在第二电阻部100B及第三电阻部100C中，也有部分的第二电阻层120B及第三电阻层120C分别不被第二金属层130B及第三金属层130C所覆盖。
在图4A的第二电阻部100B中，第二电阻元件135B分开的状态，则第一电阻部100A、第二电阻部100B及第三电阻部100C的电阻均可起作用。然而，当环境温度发生变化(例如温度下降)，第二电阻元件135B会接触连接，如图4B所示，则第二电阻层120B会发生短路，即第二电阻部100B会失去作用。换言之，此时，内埋电阻100仅有第一电阻部100A及第三电阻部100C的电阻会起作用。
图5A至图5F绘示根据本发明一些实施例的内埋电阻100的制造过程的中间阶段的结构剖面视图。以下利用图5A至图5F说明内埋电阻100的制造方法。首先，请参阅图5A，提供堆叠层，其包含基材110、电阻层120及金属层130。在一些实施例中，基材100包含透明基材112及非透明基材114。在一些具体例中，基材110包含聚酰亚胺。在一些实施例中，电阻层120包含两种电阻材料，例如光敏电阻材料及热敏电阻材料，举例而言，镍及硫化镉或其他材料的组合。在一些具体例中，金属层130为铜。
接着，可选择性地在图5A的堆叠层上形成光阻层(图未绘示)，以进行图案化步骤(包含曝光、显影及蚀刻步骤)，然后移除光阻层，以形成图5B所示的图案化后的内埋电阻线路结构。如图5B所示，内埋电阻线路结构包含第一区块200A、两个第二区块200B及两个第三区块200C。第一区块200A在两个第二区块200B之间，且第一区块200A与第二区块200B相邻。第二区块200B的一者在第一区域200A及第三区块200C的一者之间。
然后，为了制作第二区块200B的特征线路，例如图5C所示的第一线路部分210及第二线路部分220，可选择性地在图5B所示的内埋电阻线路结构上形成光阻层(图未绘示)，其中光阻层的上表面高于金属层130的上表面。在一些实施例中，经过曝光及显影步骤之后，以暴露出第二区块200B的金属层130的部分的上表面。接着，沉积第一导电层212及第二导电层214的部分在暴露出的金属层130的部分的上表面上。然后，选择性地再进行一次光阻层的沉积及曝光步骤后，进行定深激光步骤，以暴露出第二区块200B的第二导电层214的部分的侧壁，再沉积第二导电层214的剩余部分，以使第二导电层214形成为在金属层130上，并朝着第一导电层212的一侧延伸。如此，可获得如图5C所示的第一线路部分210及第二线路部分220。
接着，移除部分金属层130，以制作电阻。首先，形成光阻层(图未绘示)在图5C的结构上。在一些实施例中，光阻层的上表面高于金属层130的上表面。接着，进行曝光及显影步骤之后，蚀刻部分在电阻层120上的金属层130，以暴露出第一区块200A及第三区域200C的部分电阻层120(例如第一区块200A的第一部分124及第三区块200C的第二部分126)。然后，移除剩余光阻层(即经过显影的光阻层)，以形成如图5D所示的内埋电阻线路结构。
接着，利用非透明的覆盖层250及胶层240贴合在图5D所示的结构上，以形成图5E的结构。然后，移除非透明的覆盖层250的部分，以使非透明的覆盖层250仅在第二区块200B的结构上，而不覆盖第一区块200A及第三区块200C的结构。再利用透明覆盖膜及胶层(即图1的粘着层140)压合在图5F的结构上，即可制得图1所示的内埋电阻100。
根据上述，应用本发明的内埋电阻及其制造方法，通过将热敏电阻及光敏电阻内埋于器件中，其中热敏电阻在不同的温度条件下，通过电阻元件的分开或接触而使电阻值发生变化，另外，分别利用透光区及半透光区的光敏电阻，使得在不同光照条件下，具有不同的光敏效果，进而具有不同的电阻值。借此，本发明的内埋电阻可有效地适用于不同环境条件，满足各种电子设备的应用需求，并节省电子设备的空间。
上述摘要许多实施例的特征，因此本领域技术人员可更了解本发明的态样。本领域技术人员应理解利用本发明为基础可以设计或修饰其他工艺和结构以实现和所述实施例相同的目的及/或达成相同优势。本领域技术人员也应了解与此同等的架构并没有偏离本发明的精神和范围，且可以在不偏离本发明的精神和范围下做出各种变化、交换和取代。
【符号说明】
100:内埋电阻
100A:第一电阻部
100B:第二电阻部
100C:第三电阻部
110:基材
110A:第一基材
110B:第二基材
110C:第三基材
112:透明基材
114:非透明基材
120:电阻层
120A:第一电阻层
120B:第二电阻层
120C:第三电阻层
122:第一部分
124:第二部分
126:第二部分
128:第一部分
130:金属层
130A:第一金属层
130B:第二金属层
130C:第三金属层
135A:第一电阻元件
135B:第二电阻元件
135C:第三电阻元件
140:粘着层
140A:第一粘着层
140B:第二粘着层
140C:第三粘着层
150:覆盖层
150A:第一覆盖层
150B:第二覆盖层
150C:第三覆盖层
200A:第一区块
200B:第二区块
200C:第三区块
210:第一线路部分
212:第一导电层
220:第二线路部分
222:第二导电层
240:胶层
250:覆盖层
W1,W2:宽度。
Claims (13)
1.一种内埋电阻，其特征在于，包含：
第一电阻部，包括：
第一基材，其中所述第一基材为透明；
第一电阻元件，设置在所述第一基材上；及
第一覆盖层，设置在所述第一电阻元件上，其中所述第一覆盖层为透明；
两个第二电阻部，设置在所述第一电阻部的相对两侧，其中所述第二电阻部的每一者包括：
第二基材，其中所述第二基材为非透明；
第二电阻元件，设置在所述第二基材上，其中所述第二电阻元件包含第一线路部分及第二线路部分，且所述第一线路部分及所述第二线路部分可接触或分开；及
第二覆盖层，设置在所述第二电阻元件上，其中所述第二覆盖层为非透明；以及
两个第三电阻部，设置在所述第一电阻部的相对两侧，并分别相邻于所述两个第二电阻部，且所述两个第三电阻部分别比相邻的所述两个第二电阻部更远离所述第一电阻部，其中所述第三电阻部的每一者包括：
第三基材，其中所述第三基材为非透明；
第三电阻元件，设置在所述第三基材上；及
第三覆盖层，设置在所述第三电阻元件上，其中所述第三覆盖层为透明。
2.根据权利要求1所述的内埋电阻，其特征在于，所述第一电阻元件及所述第三电阻元件为光敏电阻元件，且所述第二电阻元件为热敏电阻元件。
3.根据权利要求1所述的内埋电阻，其特征在于，所述第一电阻元件包含金属图案层，且所述金属图案层设置在所述第一电阻元件的至少两个第一部分上。
4.根据权利要求3所述的内埋电阻，其特征在于，所述第一电阻元件的第二部分包含至少两个电阻线路，所述第二部分在所述至少两个第一部分之间，且所述至少两个电阻线路的相邻两者之间的间距大于所述第一部分与相邻的所述至少两个第二部分的一者之间的间距。
5.根据权利要求1所述的内埋电阻，其特征在于，还包含：
第一粘着层，设置在所述第一基材及所述第一覆盖层之间；
第二粘着层，设置在所述第二基材及所述第二覆盖层之间，其中所述第二粘着层不在所述第一线路部分之上、所述第二线路部分之上及所述第一线路部分与所述第二线路部分之间；以及
第三粘着层，设置在所述第三基材及所述第三覆盖层之间。
6.根据权利要求1所述的内埋电阻，其特征在于，所述第二基材与所述第二覆盖层包含相同材料。
7.根据权利要求1所述的内埋电阻，其特征在于，所述第三电阻元件包含金属层，且所述金属层设置在所述第三电阻元件的一部分上。
8.根据权利要求1所述的内埋电阻，其特征在于，所述第一线路部分及所述第二线路部分分别包含：
电阻层；
金属层，设置在所述电阻层上；以及
导电层，设置在所述金属层上，且所述第一线路部分及所述第二线路部分的导电层具有不同图案。
9.一种内埋电阻的制造方法，其特征在于，包含：
提供堆叠层，其中所述堆叠层包含基材、电阻层及金属层；
图案化所述电阻层及所述金属层，以形成内埋电阻线路结构，其中所述内埋电阻线路结构包含第一区块、两个第二区块及两个第三区块，其中所述第一区块在所述两个第二区块之间，且所述两个第二区块的一者在所述第一区块及所述两个第三区块的一者之间；
制作第一线路部分及第二线路部分于所述两个第二区块的每一者中；
制作多个电阻部分于所述第一区块及所述两个第三区块中；以及
在所述第一线路部分、第二线路部分及电阻部分制作完成后，设置覆盖层在所述内埋电阻线路结构上。
10.根据权利要求9所述的内埋电阻的制造方法，其特征在于，制作所述第一线路部分及所述第二线路部分包含沉积导电层在所述两个第二区块的所述金属层上。
11.根据权利要求9所述的内埋电阻的制造方法，其特征在于，制作所述多个电阻部分包含蚀刻所述第一区块及所述两个第三区块的所述金属层的部分，以暴露出所述电阻元件的部分。
12.根据权利要求9所述的内埋电阻的制造方法，其特征在于，设置所述覆盖层包含：
设置非透明覆盖膜及第二粘着层在所述内埋电阻线路结构上；以及
移除所述非透明覆盖膜的一部分，以暴露出所述第一区块及所述两个第三区块。
13.根据权利要求12所述的内埋电阻的制造方法，其特征在于，设置所述覆盖层包含：
在移除所述非透明覆盖膜的所述部分之后，设置透明覆盖膜及第一粘着层及第三粘着层在所述内埋电阻线路结构上。
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