CN117178634A - 多层基板、多层基板的制造方法及电子设备 - Google Patents

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Abstract

第一导体层与第一层间连接导体及第二层间连接导体相接。第一导体层的组成与第一层间连接导体的组成及第二层间连接导体的组成相同。一个以上的第一金属箔层与第一导体层的第三主面相接。一个以上的第一金属箔层在沿第一方向观察时与第一层间连接导体及第二层间连接导体重叠。一个以上的第二金属箔层在沿第一方向观察时与第一层间连接导体及第二层间连接导体重叠，并且与第一层间连接导体及第二层间连接导体电连接。一个以上的第二金属箔层的组成与第一导体层的组成不同。

Description

多层基板、多层基板的制造方法及电子设备
技术领域
本发明涉及具有层叠了多个绝缘体层的构造的多层基板。
背景技术
作为以往的与多层基板相关的发明，例如，已知有专利文献1所记载的多层基板。该多层基板具备层叠体、第一接地导体、第二接地导体、第一层间连接导体及第二层间连接导体。层叠体具有多个绝缘性基材沿上下方向层叠的构造。第一接地导体设置于绝缘性基材的上主面。第二接地导体设置于绝缘性基材的下主面。第一层间连接导体及第二层间连接导体沿上下方向贯穿绝缘性基材。第一层间连接导体的上端及第二层间连接导体的上端与第一接地导体连接。第一层间连接导体的下端及第二层间连接导体的下端与第二接地导体连接。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2020-127228号公报(图12)
发明内容
发明要解决的问题
然而，在专利文献1所记载的多层基板中，存在想要抑制第一层间连接导体与第一接地导体的连接、第一层间连接导体与第二接地导体的连接、第二层间连接导体与第一接地导体的连接、以及第二层间连接导体与第二接地导体的连接产生不良这样的期望。
于是，本发明的目的在于，提供一种能够抑制多个层间连接导体与一个以上的第一金属箔层的电连接以及多个层间连接导体与一个以上的第二金属箔层的电连接产生不良的多层基板、多层基板的制造方法及电子设备。
用于解决问题的手段
本发明的一方式的多层基板具备：
层叠体，其具有多个绝缘体层被层叠为沿第一方向排列的构造，该多个绝缘体层包括具有第一主面及第二主面的第一绝缘体层，所述第一主面位于比所述第二主面靠所述第一方向的位置；
多个层间连接导体，其沿所述第一方向贯穿所述第一绝缘体层，并且包括第一层间连接导体及第二层间连接导体；
第一导体层，其与所述第一绝缘体层的所述第一主面相接，并且与所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体相接，并且具有第三主面及第四主面，所述第三主面位于比所述第四主面靠所述第一方向的位置，所述第一导体层的组成与所述第一层间连接导体的组成及所述第二层间连接导体的组成相同；
一个以上的第一金属箔层，其与所述第一导体层的所述第三主面相接，所述一个以上的第一金属箔层在沿所述第一方向观察时与所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体重叠，所述一个以上的第一金属箔层的组成与所述第一导体层的组成不同；以及
一个以上的第二金属箔层，其位于所述第一绝缘体层的第二方向上，所述第二方向是所述第一方向的相反方向，所述一个以上的第二金属箔层在沿所述第一方向观察时与所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体重叠，并且与所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体电连接，所述一个以上的第二金属箔层的组成与所述第一导体层的组成不同。
在本发明的一方式的多层基板的制造方法中，所述多层基板具备层叠体，该层叠体具有包括第三绝缘体层、第一绝缘体层以及第二绝缘体层的多个绝缘体层被层叠为依次沿第一方向排列的构造，所述第三绝缘体层具有第九主面及第十主面，所述第一绝缘体层具有第一主面及第二主面，所述第二绝缘体层具有第七主面及第八主面，其中，
所述第一主面位于比所述第二主面靠所述第一方向的位置，
所述第七主面位于比所述第八主面靠所述第一方向的位置，
所述第九主面位于比所述第十主面靠所述第一方向的位置，
所述多层基板的制造方法具备：
第一准备工序，准备设置有第一贯通孔及第二贯通孔的所述第一绝缘体层；
第二准备工序，准备在所述第八主面设置有第一金属箔层的所述第二绝缘体层；
第三准备工序，准备在所述第九主面设置有第二金属箔层的所述第三绝缘体层；
涂敷工序，在所述第二准备工序之后，在所述第一金属箔层之上涂敷导电性糊剂或金属膏；以及
层叠工序，在所述涂敷工序之后，将所述第三绝缘体层、所述第一绝缘体层以及所述第二绝缘体层层叠，向所述第一贯通孔及所述第二贯通孔填充所述导电性糊剂或所述金属膏，并且使所述导电性糊剂或所述金属膏从所述第一贯通孔及所述第二贯通孔溢出，由此，将所述第一贯通孔内的所述导电性糊剂或所述金属膏以及与所述第一贯通孔内的所述导电性糊剂或所述金属膏相接的所述导电性糊剂或所述金属膏形成到所述第一金属箔层上。
发明效果
根据本发明的多层基板，能够抑制多个层间连接导体与一个以上的第一金属箔层的电连接以及多个层间连接导体与一个以上的第二金属箔层的电连接产生不良。
附图说明
图1是多层基板10的分解立体图。
图2是图1的A-A处的剖视图。
图3是图1的B-B处的剖视图。
图4是示出电子设备100的一部分的图。
图5是多层基板10的制造时的剖视图。
图6是多层基板10a的剖视图。
图7是多层基板10b的剖视图。
图8是多层基板10c的剖视图。
图9是多层基板10d的绝缘体层15a的俯视图。
图10是多层基板10e的绝缘体层15a的俯视图。
图11是从上透视多层基板10f的图。
图12是多层基板10g的绝缘体层15a的仰视图。
图13是多层基板10h的绝缘体层15a的与上下方向正交的剖视图。
具体实施方式
(实施方式)
[多层基板的构造]
以下，参照附图对本发明的实施方式的多层基板10的构造进行说明。图1是多层基板10的分解立体图。需要说明的是，在图1中，仅在多个层间连接导体v7内的代表性的层间连接导体v7标注了参照标记。图2是图1的A-A处的剖视图。图3是图1的B-B处的剖视图。图4是示出电子设备100的一部分的图。
在本说明书中，如以下那样定义方向。将多个绝缘体层14a～14e、15a、15b排列的方向定义为上下方向。上方向或下方向是第一方向。第二方向是第一方向的相反方向。因此，在上方向是第一方向的情况下，下方向是第二方向。在下方向是第一方向的情况下，上方向是第二方向。将第一信号导体层20延伸的方向定义为左右方向。左右方向与上下方向正交。将与左右方向及上下方向正交的方向定义为前后方向。需要说明的是，本实施方式中的上下方向、前后方向及左右方向也可以不与使用多层基板10时的上下方向、前后方向及左右方向一致。
以下，X是多层基板10的部件或构件。在本说明书中，在没有特别说明的情况下，如以下那样定义X的各部。X的前部是指X的前半部分。X的后部是指X的后半部分。X的左部是指X的左半部分。X的右部是指X的右半部分。X的上部是指X的上半部分。X的下部是指X的下半部分。X的前端是指X的前方向的端。X的后端是指X的后方向的端。X的左端是指X的左方向的端。X的右端是指X的右方向的端。X的上端是指X的上方向的端。X的下端是指X的下方向的端。X的前端部是指X的前端及其附近。X的后端部是指X的后端及其附近。X的左端部是指X的左端及其附近。X的右端部是指X的右端及其附近。X的上端部是指X的上端及其附近。X的下端部是指X的下端及其附近。
首先，参照图1对多层基板10的构造进行说明。多层基板10传输高频信号。多层基板10在智能手机等电子设备中用于将两个电路电连接。如图1所示，多层基板10具备层叠体12、保护层16、第一信号导体层20、参考导体层22(第二金属箔层)、参考导体层24(第二金属箔层)、参考导体层26a(第一金属箔层)、参考导体层26b(第一金属箔层)、第一导体层28b、28c、第二导体层28a、28d、信号端子40、50、参考端子42、44、52、54、层间连接导体v1～v6及多个层间连接导体v7。
层叠体12具有绝缘体层14a～14e、15a、15b(多个绝缘体层)层叠为沿上下方向(第一方向)排列的构造。在本实施方式中，多个绝缘体层14a、14b、15a、14c、14d、15b、14e从上向下依次排列。绝缘体层14a～14e分别具有上主面及下主面。绝缘体层14a～14e分别在沿上下方向观察时具有长方形状。绝缘体层14a～14e的长边沿左右方向延伸。
绝缘体层15a具有上主面(第二主面)及下主面(第一主面)。在绝缘体层15a中，下主面(第一主面)位于比上主面(第二主面)靠下(第一方向)的位置。绝缘体层15b具有上主面(第一主面)及下主面(第二主面)。在绝缘体层15b中，上主面(第一主面)位于比下主面(第二主面)靠上(第一方向)位置。绝缘体层15a、15b分别在沿上下方向观察时具有长方形状。绝缘体层15a、15b的长边沿左右方向延伸。
绝缘体层14a～14e、15a、15b包含热塑性树脂。热塑性树脂例如是液晶聚合物、PTFE(聚四氟乙烯)等热塑性树脂。绝缘体层14a～14e、15a、15b也可以包含聚酰亚胺。
如图1及图2所示，第一导体层28b与绝缘体层15a(第一绝缘体层)的下主面(第一主面)相接。第一导体层28b具有上主面(第四主面)及下主面(第三主面)。在第一导体层28b中，下主面(第三主面)位于比上主面(第四主面)靠下(第一方向)的位置。第一导体层28b在沿下方向(第一方向)观察时具有长方形状的环形状。更详细而言，第一导体层28b在沿上下方向观察时沿着绝缘体层15a的两条长边及两条短边延伸。
第二导体层28a与绝缘体层15a(第一绝缘体层)的上主面(第二主面)相接。第二导体层28a具有上主面(第六主面)及下主面(第五主面)。在第二导体层28a中，下主面(第五主面)位于比上主面(第六主面)靠下(第一方向)的位置。第二导体层28a在沿上下方向观察时具有与第一导体层28b相同的形状。第二导体层28a在沿上下方向观察时具有长方形状的环形状。更详细而言，第二导体层28a在沿上下方向观察时沿着绝缘体层15a的两条长边及两条短边延伸。另外，第二导体层28a的外缘的整体在沿上下方向观察时与第一导体层28b的外缘的整体重叠。第二导体层28a的内缘的整体在沿上下方向观察时与第一导体层28b的内缘的整体重叠。
参考导体层26a位于绝缘体层14c的上主面。另外，第一导体层28b位于参考导体层26a之上。由此，参考导体层26a(第一金属箔层)与第一导体层28b的下主面(第三主面)相接。参考导体层26a在沿上下方向观察时具有长方形状的环形状。更详细而言，参考导体层26a在沿上下方向观察时沿着绝缘体层14c的两条长边及两条短边延伸。但是，参考导体层26a的外缘在沿上下方向观察时位于第一导体层28b的外缘的稍微外侧。参考导体层26a的内缘在沿上下方向观察时位于第一导体层28b的内缘的稍微内侧。
参考导体层22位于绝缘体层14b的下主面。由此，参考导体层22位于绝缘体层15a(第一绝缘体层)之上(第二方向)。即，参考导体层22(第二金属箔层)位于绝缘体层15a(第一绝缘体层)之上(第二方向)。另外，第二导体层28a位于参考导体层22之下。由此，参考导体层22(第二金属箔层)与第二导体层28a的上主面(第六主面)相接。参考导体层22在沿上下方向观察时具有长方形状。更详细而言，参考导体层22在沿上下方向观察时覆盖绝缘体层14b的下主面的大致整个面。但是，在参考导体层22中，在沿上下方向观察时与层间连接导体v1、v2重叠的位置设置有开口，使得参考导体层22与后述的层间连接导体v1、v2不接触。
第一导体层28c、第二导体层28d及参考导体层24、26b具有与第一导体层28b、第二导体层28a及参考导体层22、26a上下对称的构造。更详细而言，第一导体层28c与绝缘体层15b(第一绝缘体层)的上主面(第一主面)相接。第一导体层28c具有上主面(第三主面)及下主面(第四主面)。在第一导体层28c中，上主面(第三主面)位于比下主面(第四主面)靠上(第一方向)的位置。第一导体层28c在沿上下方向(第一方向)观察时具有长方形状的环形状。更详细而言，第一导体层28c在沿上下方向观察时沿着绝缘体层14e的两条长边及两条短边延伸。
第二导体层28d与绝缘体层15b(第一绝缘体层)的下主面(第二主面)相接。第二导体层28d具有上主面(第五主面)及下主面(第六主面)。在第二导体层28d中，上主面(第五主面)位于比下主面(第六主面)靠上(第一方向)的位置。第二导体层28d在沿上下方向观察时具有与第一导体层28c相同的形状。第二导体层28d在沿上下方向(第一方向)观察时具有长方形状的环形状。更详细而言，第二导体层28d在沿上下方向观察时沿着绝缘体层15b的两条长边及两条短边延伸。另外，第二导体层28d的外缘的整体在沿上下方向观察时与第一导体层28c的外缘的整体重叠。第二导体层28d的内缘的整体在沿上下方向观察时与第一导体层28c的内缘的整体重叠。
参考导体层26b位于绝缘体层14d的下主面。另外，第一导体层28c位于参考导体层26b之下。由此，参考导体层26b(第一金属箔层)与第一导体层28c的上主面(第三主面)相接。参考导体层26b在沿上下方向观察时具有长方形状的环形状。更详细而言，参考导体层26b在沿上下方向观察时沿着绝缘体层14d的两条长边及两条短边延伸。但是，参考导体层26b的外缘在沿上下方向观察时位于第一导体层28c的外缘的稍微外侧。参考导体层26b的内缘在沿上下方向观察时位于第一导体层28c的内缘的稍微内侧。
参考导体层24位于绝缘体层14e的上主面。另外，第二导体层28d位于参考导体层24之上。由此，参考导体层24(第二金属箔层)与第二导体层28d的下主面(第六主面)相接。参考导体层24在沿上下方向观察时具有长方形状。更详细而言，参考导体层24在沿上下方向观察时覆盖绝缘体层14e的上主面的大致整个面。以上那样的参考导体层22、24、26a、26b与参考电位连接。参考电位例如是接地电位。
如图1及图2所示，多个层间连接导体v7沿上下方向(第一方向)贯穿绝缘体层15a、14c、14d、15b。多个层间连接导体v7在沿上下方向观察时沿着第一导体层28b、28c及第二导体层28a、28d排列。而且，多个层间连接导体v7与参考导体层22、24、26a、26b、第一导体层28b、28c及第二导体层28a、28d连接。
如图3所示，多个层间连接导体v7包括多个层间连接导体v7a及多个层间连接导体v7b。多个层间连接导体v7a与多个层间连接导体v7b交替地排列。在图3中，仅在多个层间连接导体v7a及多个层间连接导体v7b内的代表性的层间连接导体v7a及层间连接导体v7b标注了参照标记。层间连接导体v7a与层间连接导体v7b相邻。因此，在层间连接导体v7a与层间连接导体v7b之间不存在其他的导体。在本实施方式中，层间连接导体v7b是距层间连接导体v7a最近的层间连接导体。
层间连接导体v7a包括层间连接导体v11～v14。层间连接导体v11～v14在沿上下方向观察时具有圆形状。层间连接导体v11～v14从上向下依次排列为一列。层间连接导体v11(第一层间连接导体)沿下方向(第一方向)贯穿绝缘体层15a(第一绝缘体层)。层间连接导体v11与第二导体层28a及第一导体层28b连接。层间连接导体v11的下端的直径比层间连接导体v11的上端的直径大。层间连接导体v12沿下方向贯穿绝缘体层14c。层间连接导体v12与参考导体层26a连接。层间连接导体v12的下端的直径比层间连接导体v12的上端的直径大。层间连接导体v13沿上方向贯穿绝缘体层14d。层间连接导体v13与层间连接导体v12及参考导体层26b连接。层间连接导体v13的上端的直径比层间连接导体v13的下端的直径大。层间连接导体v14(第一层间连接导体)沿上方向(第一方向)贯穿绝缘体层15b(第一绝缘体层)。层间连接导体v14与第一导体层28c及第二导体层28d连接。层间连接导体v14的上端的直径比层间连接导体v14的下端的直径大。
这里，由于层间连接导体v7a与层间连接导体v7b相邻，因此，层间连接导体v11(第一层间连接导体)与层间连接导体v21(第二层间连接导体)相邻。在本实施方式中，层间连接导体v21(第二层间连接导体)是距层间连接导体v11(第一层间连接导体)最近的层间连接导体。
层间连接导体v7b包括层间连接导体v21～v24。层间连接导体v21～v24在沿上下方向观察时具有圆形状。层间连接导体v21～v24从上向下依次排列为一列。层间连接导体v21(第二层间连接导体)沿下方向(第一方向)贯穿绝缘体层15a(第一绝缘体层)。层间连接导体v21与第二导体层28a及第一导体层28b连接。层间连接导体v21的下端的直径比层间连接导体v21的上端的直径大。层间连接导体v22沿下方向贯穿绝缘体层14c。层间连接导体v22与参考导体层26a连接。层间连接导体v22的下端的直径比层间连接导体v22的上端的直径大。层间连接导体v23沿上方向贯穿绝缘体层14d。层间连接导体v23与层间连接导体v22及参考导体层26b连接。层间连接导体v23的上端的直径比层间连接导体v23的下端的直径大。层间连接导体v24(第一层间连接导体)沿上方向(第一方向)贯穿绝缘体层15b(第一绝缘体层)。层间连接导体v24与第一导体层28c及第二导体层28d连接。层间连接导体v24的上端的直径比层间连接导体v24的下端的直径大。
这里，由于层间连接导体v7a与层间连接导体v7b相邻，因此，层间连接导体v14(第一层间连接导体)与层间连接导体v24(第二层间连接导体)相邻。在本实施方式中，层间连接导体v24(第二层间连接导体)是距层间连接导体v14(第一层间连接导体)最近的层间连接导体。
由于层间连接导体v7a、v7b具有以上那样的构造，因此，参考导体层26a(第一金属箔层)、参考导体层22(第二金属箔层)、第一导体层28b及第二导体层28a在沿下方向(第一方向)观察时与层间连接导体v11(第一层间连接导体)及层间连接导体v21(第二层间连接导体)重叠。在本实施方式中，参考导体层26b(第一金属箔层)、参考导体层26a(第二金属箔层)、第一导体层28b及第二导体层28a在沿下方向(第一方向)观察时与层间连接导体v11(第一层间连接导体)及层间连接导体v21(第二层间连接导体)重叠。
第二导体层28a与层间连接导体v11(第一层间连接导体)及层间连接导体v21(第二层间连接导体)相接。参考导体层22与第二导体层28a相接。因此，参考导体层22(第二金属箔层)经由第二导体层28a而与层间连接导体v11(第一层间连接导体)及层间连接导体v21(第二层间连接导体)电连接。
另外，第一导体层28b与层间连接导体v11(第一层间连接导体)及层间连接导体v21(第二层间连接导体)相接。参考导体层26a与第一导体层28b相接。因此，参考导体层26a经由第一导体层28b而与层间连接导体v11(第一层间连接导体)及层间连接导体v21(第二层间连接导体)电连接。
另外，参考导体层26b(第一金属箔层)、参考导体层24(第二金属箔层)、第一导体层28c及第二导体层28d在沿上方向(第一方向)观察时与层间连接导体v14(第一层间连接导体)及层间连接导体v24(第二层间连接导体)重叠。在本实施方式中，参考导体层26b(第一金属箔层)、参考导体层24(第二金属箔层)、第一导体层28c及第二导体层28d在沿上方向(第一方向)观察时与层间连接导体v14(第一层间连接导体)及层间连接导体v24(第二层间连接导体)重叠。
第一导体层28c与层间连接导体v14(第一层间连接导体)及层间连接导体v24(第二层间连接导体)相接。参考导体层26b与第一导体层28c相接。因此，参考导体层26b(第一金属箔层)经由第一导体层28c而与层间连接导体v14(第一层间连接导体)及层间连接导体v24(第二层间连接导体)电连接。
另外，第二导体层28d与层间连接导体v14(第一层间连接导体)及层间连接导体v24(第二层间连接导体)相接。参考导体层24与第二导体层28d相接。因此，参考导体层24c经由第二导体层28d而与层间连接导体v14(第一层间连接导体)及层间连接导体v24(第二层间连接导体)电连接。
通过向设置于绝缘体层14b～14d、15a、15b的贯通孔填充导电性糊剂并且导电性糊剂通过加热而固化，从而形成以上那样的层间连接导体v11～v14、v21～v24。另外，通过将导电性糊剂涂敷于参考导体层22、26a、26b、24的上主面或下主面并且导电性糊剂通过加热而固化，从而形成第一导体层28b、28c及第二导体层28a、28d。这样，第一导体层28b、28c的组成及第二导体层28a、28d的组成与层间连接导体v11、v14(第一层间连接导体)的组成及层间连接导体v21、v24(第二层间连接导体)的组成相同。导电性糊剂包含树脂及金属粉末。金属粉末例如是Sn和Cu的合金的粉末。如以上那样，层间连接导体v11、v14(第一层间连接导体)及层间连接导体v21、v24(第二层间连接导体)包含树脂及金属。需要说明的是，在本说明书中，“组成相同”是指，“包括含有多个金属的相同的合金”。具体而言，例如，如SuAgCu等那样包括Sn与其他金属的合金。
另外，参考导体层22、24、26a、26b例如通过对设置于绝缘体层14b、14c、14d、14e的上主面或下主面的金属箔实施蚀刻而形成。金属箔例如是铜箔。参考导体层26a、26b(第一金属箔层)的组成及参考导体层22、24(第二金属箔层)与第一导体层28b、28c的组成及第二导体层28a、28d的组成不同。
在第一信号导体层20传输第一高频信号。第一高频信号例如是数字信号。如图1所示，第一信号导体层20位于绝缘体层14c的上主面。第一信号导体层20在沿上下方向观察时具有线形状。第一信号导体层20沿左右方向延伸。另外，第一信号导体层20在沿上下方向(第一方向)观察时被第一导体层28b包围。这样，第一导体层28b在沿上下方向(第一方向)观察时包围作为辐射噪声的电路要素的第一信号导体层20。
另外，参考导体层22位于第一信号导体层20之上。参考导体层24位于第一信号导体层20之下。由此，第一信号导体层20及参考导体层22、24具有带状线构造。
这里，如图2及图3所示，将穿过绝缘体层15a的上下方向的中央的平面定义为平面S1。此时，如以下那样定义“层间连接导体v11(第一层间连接导体)与层间连接导体v21(第二层间连接导体)的距离D1”、以及“层间连接导体v11(第一层间连接导体)与第一信号导体层20的距离D2”。
·将平面S1中的层间连接导体v11(第一层间连接导体)的剖面与平面S1中的层间连接导体v21(第二层间连接导体)的剖面的最短距离定义为距离D1。
·将在沿上下方向观察时平面S1上的层间连接导体v11(第一层间连接导体)的剖面与第一信号导体层20的最短距离定义为距离D2。
此时，层间连接导体v11(第一层间连接导体)与层间连接导体v21(第二层间连接导体)的距离D1比层间连接导体v11(第一层间连接导体)与第一信号导体层20的距离D2短。
信号端子40及参考端子42、44位于绝缘体层14a的上主面的左端部。信号端子40及参考端子42、44在沿上下方向观察时具有长方形状。参考端子42、信号端子40及参考端子44从前向后依次排列。第一信号导体层20、信号端子40及参考端子42、44例如通过对设置于绝缘体层14a、14c的上主面的金属箔实施蚀刻而形成。金属箔例如是铜箔。
如图1所示，层间连接导体v1沿上下方向贯穿绝缘体层14a、14b、15a。层间连接导体v1将信号端子40与第一信号导体层20的左端部连接。层间连接导体v3、v4沿上下方向贯穿绝缘体层14a、14b。层间连接导体v3将参考端子42与参考导体层22连接。层间连接导体v4将参考端子44与参考导体层22连接。通过向设置于绝缘体层14a、14b、15a的贯通孔填充导电性糊剂并且导电性糊剂通过加热而固化，从而形成以上那样的层间连接导体v1、v3、v4。需要说明的是，信号端子50、参考端子52、54及层间连接导体v2、v5、v6具有与信号端子40、参考端子42、44及层间连接导体v1、v3、v4左右对称的构造，因此省略说明。
保护层16覆盖绝缘体层14a的上主面的大致整个面。但是，在保护层16设置有开口ha～hf。信号端子40经由开口ha向多层基板10的外部露出。参考端子42经由开口hb向多层基板10的外部露出。参考端子44经由开口hc向多层基板10的外部露出。信号端子50经由开口hd向多层基板10的外部露出。参考端子52经由开口he向多层基板10的外部露出。参考端子54经由开口hf向多层基板10的外部露出。
以上那样的多层基板10用于智能手机等电子设备100。如图4所示，电子设备具备多层基板10及壳体102。壳体102收容有多层基板10。
如图4所示，将多层基板10弯折而使用。更详细而言，多层基板10具有第一区域A1、第二区域A2及第三区域A3。第一区域A1及第三区域A3是多层基板10没有被弯折的区域。第二区域A2是多层基板10被弯折的区域。
这里，将第一区域A1及第三区域A3中的上下方向定义为Z轴方向。第二区域A2相对于第一区域A1沿Z轴方向弯折。多层基板10被弯折是指，通过向多层基板10施加外力而使多层基板10变形。多层基板10的变形也可以是弹性变形，也可以是塑性变形，也可以是弹性变形及塑性变形。
[多层基板10的制造方法]
接着，对多层基板10的制造方法进行说明。图5是多层基板10的制造时的剖视图。
以下说明的多层基板10的制造方法是具备层叠体12的多层基板10的制造方法，该层叠体12具有多个绝缘体层14a、14b、15a、14c、14d、15b、14e层叠为依次沿下方向(第一方向)排列的构造，该多个绝缘体层14a、14b、15a、14c、14d、15b、14e包括具有下主面(第九主面)及上主面(第十主面)的绝缘体层14b(第三绝缘体层)、具有下主面(第一主面)及上主面(第二主面)的绝缘体层15a(第一绝缘体层)、以及具有下主面(第七主面)及上主面(第八主面)的绝缘体层14c(第二绝缘体层)。绝缘体层14c的下主面(第七主面)位于比绝缘体层14c的上主面(第八主面)靠下(第一方向)的位置。绝缘体层14b的下主面(第九主面)位于比绝缘体层14b的上主面(第十主面)靠下(第一方向)的位置。
首先，准备在上主面(第八主面)设置有参考导体层26a(第一金属箔层)的绝缘体层14c(第二绝缘体层)(第二准备工序)。准备在下主面(第九主面)设置有参考导体层26a(第二金属箔层)的绝缘体层14b(第三绝缘体层)(第三准备工序)。具体而言，在绝缘体层14a的上主面、绝缘体层14b的下主面、绝缘体层14c的上主面、绝缘体层14d的下主面及绝缘体层14e的上主面粘贴金属箔。然后，利用光刻工序，对金属箔实施图案化处理。由此，形成第一信号导体层20、参考导体层22、24、26a、26b、信号端子40、50、参考端子42、44、52、54。
接着，准备设置有第一贯通孔及第二贯通孔的绝缘体层15a(第一绝缘体层)(第一准备工序)。具体而言，向绝缘体层14a～14d、15a、15b照射激光束而形成多个贯通孔。多个贯通孔形成在形成层间连接导体v1～v7的位置。
接着，向形成于绝缘体层14c、14d的贯通孔填充导电性糊剂。
在第二准备工序之后，在参考导体层26a(第一金属箔层)之上涂敷导电性糊剂(涂敷工序)。具体而言，在参考导体层22的下主面、参考导体层26a的上主面、参考导体层26b的下主面及参考导体层24的上主面涂敷导电性糊剂。此时，将导电性糊剂涂敷为导电性糊剂的体积比绝缘体层15a、15b的贯通孔的体积足够大。导电性糊剂在沿上下方向观察时具有长方形状的环形状。
在涂敷工序之后，将绝缘体层14b(第三绝缘体层)、绝缘体层15a(第一绝缘体层)以及绝缘体层14c(第二绝缘体层)层叠，向第一贯通孔及第二贯通孔填充导电性糊剂，并且使导电性糊剂从第一贯通孔及第二贯通孔溢出，由此，在参考导体层26a(第一金属箔层)上形成与第一贯通孔内的导电性糊剂及第二贯通孔内的导电性糊剂相接的导电性糊剂(层叠工序)。更详细而言，将绝缘体层14a、14b、15a、14c、14d、15b、14e从上向下依次排列地层叠。然后，对绝缘体层14a、14b、15a、14c、14d、15b、14e实施加热处理及加压处理。通过加压，将导电性糊剂填充到形成于绝缘体层15a、15b的贯通孔。如上所述，导电性糊剂的体积比绝缘体层15a、15b的贯通孔的体积足够大。因此，残留在参考导体层22的下主面、参考导体层26a的上主面、参考导体层26b的下主面及参考导体层24的上主面。另外，导电性糊剂通过加热而固化。通过贯通孔内的导电糊剂固化，形成层间连接导体v1～v6及多个层间连接导体v7。另外，通过参考导体层22的下主面、参考导体层26a的上主面、参考导体层26b的下主面及参考导体层24的上主面上的导电性糊剂固化，形成第一导体层28b、28c及第二导体层28a、28d。
最后，通过印刷树脂而在绝缘体层14a之上形成保护层16。经过以上的工序，多层基板10完成。
[效果]
根据多层基板10，能够抑制层间连接导体v11、v21与参考导体层26a的连接以及层间连接导体v11、v21与参考导体层22的连接产生不良。更详细而言，第一导体层28b与绝缘体层15a的下主面相接，并且，与层间连接导体v11及层间连接导体v21相接。而且，第一导体层28b的组成与层间连接导体v11的组成及层间连接导体v21的组成相同。因此，层间连接导体v11及层间连接导体v21的下端被第一导体层28b可靠地连接。而且，参考导体层26a与第一导体层28b的下主面相接。因此，层间连接导体v11及层间连接导体v21的下端被参考导体层26a可靠地电连接。
此外，如上所述，第一导体层28b的组成与层间连接导体v11的组成及层间连接导体v21的组成相同。由此，通过在贯通孔较多地填充导电性糊剂，能够同时形成层间连接导体v11、v21及第一导体层28b。因此，向层间连接导体v11、v21填充足够的导电性糊剂。因此，难以产生导电性糊剂向层间连接导体v11、v21的填充不足。由此，层间连接导体v11、v21的上端被参考导体层22可靠地电连接。如以上那样，根据多层基板10，能够抑制层间连接导体v11、v21与参考导体层26b的连接以及层间连接导体v11、v21与参考导体层22的连接产生不良。
另外，根据多层基板10，能够抑制层间连接导体v11、v21与参考导体层22的连接产生不良。更详细而言，第一导体层28b的面积比层间连接导体v11、v21的下端的面积足够大。因此，层间连接导体v11、v21的下端难以从第一导体层28b伸出。即，层间连接导体v11、v21与第一导体层28b更加可靠地相接。此外，参考导体层26a与第一导体层28b的下主面相接。即，参考导体层26a与第一导体层28b更加可靠地被连接。其结果是，根据多层基板10，能够抑制层间连接导体v11、v21与参考导体层22的连接产生不良。
根据多层基板10，抑制了噪声从多层基板10的外部向第一信号导体层20侵入、以及从第一信号导体层20向多层基板10的外部辐射噪声。更详细而言，参考导体层22、24、26a、26b与参考电位连接。因此，第一导体层28b、28c及第二导体层28a、28d也与参考电位连接。因此，除了参考导体层22、24、26a、26b之外，第一导体层28b、28c及第二导体层28a、28d也作为屏蔽层发挥功能。其结果是，根据多层基板10，抑制了噪声从多层基板10的外部向第一信号导体层20侵入、以及从第一信号导体层20向多层基板10的外部辐射噪声。尤其是第一导体层28b在沿上下方向观察时具有包围第一信号导体层20的环形状。第一信号导体层20是辐射噪声的电路要素。由此，更加有效地抑制了噪声从多层基板10的外部向第一信号导体层20侵入、以及从第一信号导体层20向多层基板10的外部辐射噪声。
根据多层基板10，绝缘体层14a～14e、15a、15b包括热塑性树脂。由此，容易使多层基板10塑性变形。
根据多层基板10，层间连接导体v21是距层间连接导体v11最近的层间连接导体。由此，通过使导电性糊剂从贯通孔溢出而形成层间连接导体v11、v21及第一导体层28b。其结果是，能够抑制层间连接导体v11、v21与参考导体层26a的连接以及层间连接导体v11、v21与参考导体层22的连接产生不良。
(第一变形例)
以下，参照附图对第一变形例的多层基板10a进行说明。图6是多层基板10a的剖视图。
多层基板10a在不具备第二导体层28a、28d这一点与多层基板10不同。多层基板10a的其他构造与多层基板10相同。这样，在多层基板10a中，第二导体层28a、28d不是必须的构成要件。多层基板10a能够起到与多层基板10相同的作用效果。
(第二变形例)
以下，参照附图对第二变形例的多层基板10b进行说明。图7是多层基板10b的剖视图。
多层基板10b在不具备保护层16、绝缘体层14a、14b、14e这一点与多层基板10a不同。多层基板10a的其他构造与多层基板10相同。这样，设置有层间连接导体v11、v21的绝缘体层15a也可以位于层叠体12的最上层。设置有层间连接导体v14、v24的绝缘体层15b也可以位于层叠体12的最下层。多层基板10b能够起到与多层基板10a相同的作用效果。
(第三变形例)
以下，参照附图对第三变形例的多层基板10c进行说明。图8是多层基板10c的剖视图。
多层基板10c在代替参考导体层26a、26b而具备参考导体层26a-1、26a-2、26b-1、26b-2(第一金属箔层)这一点以及代替参考导体层22、24而具备参考导体层22-1、22-2、24-1、24-2(第二金属箔层)这一点与多层基板10不同。
更详细而言，在多层基板10中，参考导体层26a(一个以上的第一金属箔层中包含的一个第一金属箔层)在沿下方向(第一方向)观察时与层间连接导体v11(第一层间连接导体)及层间连接导体v21(第二层间连接导体)的双方重叠。参考导体层22(一个以上的第二金属箔层中包含的一个第二金属箔层)在沿下方向(第一方向)观察时与层间连接导体v11(第一层间连接导体)及层间连接导体v21(第二层间连接导体)的双方重叠。
另一方面，在多层基板10c中，参考导体层26a-1(第一金属箔层)在沿下方向(第一方向)观察时与层间连接导体v11(第一层间连接导体)重叠。参考导体层26a-2(第一金属箔层)在沿下方向(第一方向)观察时与层间连接导体v21(第二层间连接导体)重叠。参考导体层22-1(第二金属箔层)在沿下方向(第一方向)观察时与层间连接导体v11(第一层间连接导体)重叠。参考导体层22-2(第二金属箔层)在沿下方向(第一方向)观察时与层间连接导体v21(第二层间连接导体)重叠。需要说明的是，参考导体层26b-1、26b-2、24-1、24-2具有与参考导体层26a-1、26a-2、22-1、22-2上下对称的构造，因此省略说明。多层基板10c的其他构造与多层基板10相同，因此省略说明。多层基板10c起到与多层基板10相同的作用效果。
(第四变形例)
以下，参照附图对第四变形例的多层基板10d进行说明。图9是多层基板10d的绝缘体层15a的俯视图。
也可以在绝缘体层15a设置多个贯通孔H。同样地，也可以在绝缘体层15b设置多个贯通孔H。由此，第一信号导体层20附近的介电常数变低。其结果是，在第一信号导体层20传输的第一高频信号的介电损耗降低。
(第五变形例)
以下，参照附图对第五变形例的多层基板10e进行说明。图10是多层基板10e的绝缘体层15a的俯视图。
多个层间连接导体v7在沿上下方向观察时也可以不沿着层叠体12的各边排列为一列。更详细而言，多个层间连接导体v7也可以沿着层叠体12的各边排列为两列。在该情况下，多个层间连接导体v7配置成锯齿状。
(第六变形例)
以下，参照附图对第六变形例的多层基板10f进行说明。图11是从上透视多层基板10f的图。
多层基板10f在代替第一信号导体层20而具备第一信号导体层20a、20b这一点以及还具备第二信号导体层120a、120b这一点与多层基板10不同。更详细而言，在第一信号导体层20a、20b传输第一高频信号。第一高频信号是数字信号。在第二信号导体层120a、120b传输第二高频信号。第二高频信号是模拟信号。
多个层间连接导体v7在沿上下方向观察时，在绝缘体层15a的前后方向的中央沿左右方向排列为一列。将这些层间连接导体v7称为多个层间连接导体v17。多个层间连接导体v17包括多个层间连接导体v7a及多个层间连接导体v7b。多个层间连接导体v7a及多个层间连接导体v7b沿左右方向交替地排列。
第一信号导体层20a、20b位于比多个层间连接导体v17靠前的位置。第二信号导体层120a、120b位于比多个层间连接导体v17靠后的位置。因此，多个层间连接导体v17中包含的多个层间连接导体v11(第一层间连接导体)及多个层间连接导体v21(第二层间连接导体)在沿下方向(第一方向)观察时位于第一信号导体层20a、20b与第二信号导体层120a、120b之间。
这里，前方向(第三方向)是指，从在沿下方向(第一方向)观察时位于第一信号导体层20a、20b与第二信号导体层120a、120b之间的层间连接导体v17中包含的层间连接导体v11(第一层间连接导体)朝向第一信号导体层20a、20b的方向。后方向(第四方向)是指，从在沿下方向(第一方向)观察时位于第一信号导体层20a、20b与第二信号导体层120a、120b之间的层间连接导体v17中包含的层间连接导体v11(第一层间连接导体)朝向第二信号导体层120a、120b的方向。此时，在位于比层间连接导体v11(第一层间连接导体)靠前方向(第三方向)的位置的区域，未设置传输模拟信号的信号导体层。即，在位于比层间连接导体v11(第一层间连接导体)靠前方向(第三方向)的位置的区域，仅设置有传输数字信号的第一信号导体层20a、20b。在位于比层间连接导体v11(第一层间连接导体)靠后方向(第四方向)的位置的区域，未设置传输数字信号的信号导体层。即，在位于比层间连接导体v11(第一层间连接导体)靠后方向(第四方向)的位置的区域，仅设置有传输模拟信号的第二信号导体层120a、120b。多层基板10f的其他构造与多层基板10相同，因此省略说明。多层基板10f能够起到与多层基板10相同的作用效果。
另外，根据多层基板10f，多个层间连接导体v11位于第一信号导体层20a、20b与第二信号导体层120a、120b之间。由此，第一信号导体层20a、20b与第二信号导体层120a、120b的隔离度提高。
(第七变形例)
以下，参照附图对第七变形例的多层基板10g进行说明。图12是多层基板10g的绝缘体层15a的仰视图。
多层基板10g还具备层间连接导体v31、第三导体层128b及第四导体层228b。层间连接导体v31(第三层间连接导体)沿下方向(第一方向)贯穿绝缘体层15a(第一绝缘体层)。
第一导体层28b与层间连接导体v11(第一层间连接导体)及层间连接导体v21(第二层间连接导体)相接。第三导体层128b与绝缘体层15a(第一绝缘体层)的下主面(第一主面)相接。第三导体层128b与层间连接导体v21(第二层间连接导体)及层间连接导体v31(第三层间连接导体)相接。第四导体层228b与绝缘体层15a(第一绝缘体层)的下主面(第一主面)相接。第四导体层228b与层间连接导体v31(第三层间连接导体)及层间连接导体v11(第一层间连接导体)相接。
另外，第一导体层28b与第四导体层228b相接。另一方面，第三导体层128b与第一导体层28b及第四导体层228b不相接。以上那样的多层基板10g能够起到与多层基板10相同的作用效果。
(第八变形例)
以下，参照附图对第八变形例的多层基板10h进行说明。图13是多层基板10h的绝缘体层15a的与上下方向正交的剖视图。剖面位于绝缘体层15a的上下方向的中央。
层间连接导体v11(第一层间连接导体)与层间连接导体v21(第二层间连接导体)的距离D1比层间连接导体v11(第一层间连接导体)的直径R短。层间连接导体v11的直径R是位于绝缘体层15a的上下方向的中央的剖面中的层间连接导体v11的直径。
(其他实施方式)
本发明的多层基板不限于多层基板10、10a～10h，能够在其主旨的范围内变更。需要说明的是，也可以将多层基板10、10a～10h的结构任意地组合。
需要说明的是，在多层基板10、10a～10h中，层间连接导体v11(第一层间连接导体)及层间连接导体v21(第二层间连接导体)包括具有比参考导体层26a(第一金属箔层)的熔点及参考导体层22(第二金属箔层)的熔点低的熔点的金属。此时，层间连接导体v11(第一层间连接导体)及层间连接导体v21(第二层间连接导体)也可以不包括树脂。这样的层间连接导体v11(第一层间连接导体)及层间连接导体v21(第二层间连接导体)例如包括焊料。焊料包括Pb及Sn。但是，焊料也可以不包括Pb。
需要说明的是，一个以上的第一金属箔层包括一个以上的参考导体层(第一金属箔层)即可。因此，一个以上的第一金属箔层也可以包括两个以上的参考导体层(第一金属箔层)。
需要说明的是，一个以上的第二金属箔层包括一个以上的参考导体层(第二金属箔层)即可。因此，一个以上的第二金属箔层也可以包括两个以上的参考导体层(第二金属箔层)。
需要说明的是，第二导体层28a不是必须的构成要件。另外，参考导体层24、26b、第一导体层28c及第二导体层28d不是必须的构成要件。
需要说明的是，第一信号导体层20不是必须的构成要件。
需要说明的是，参考导体层22、24、26a、26b也可以与接地电位以外的电位连接。
需要说明的是，第一金属箔层及第二金属箔层也可以是参考导体层以外的导体层。第一金属箔层及第二金属箔层例如也可以是传输高频信号的信号导体层。
需要说明的是，层间连接导体v11(第一层间连接导体)与层间连接导体v21(第二层间连接导体)也可以不相邻。因此，也可以在层间连接导体v11与层间连接导体v21之间设置其他导体。
需要说明的是，在多层基板10g中，第一导体层28b与第四导体层228b也可以不相接。
需要说明的是，层间连接导体v11(第一层间连接导体)与层间连接导体v21(第二层间连接导体)的距离D1也可以为层间连接导体v11(第一层间连接导体)的直径R以上。
需要说明的是，也可以代替导电性糊剂而使用金属膏。金属膏是金属与液状的焊剂的混合物。金属膏例如是焊料膏。在金属膏是焊料膏的情况下，金属例如是Sn及Pb的合金。但是，金属也可以不包括Pb。
需要说明的是，第一高频信号也可以是模拟信号。第二高频信号也可以是数字信号。
需要说明的是，辐射噪声的电路要素例如也可以是IC(Integrated Circuit：集成电路)、高频电路、有源元件、电子部件。
需要说明的是，绝缘体层14a～14e、15a、15b也可以包括热塑性树脂以外的材料
需要说明的是，也可以在层间连接导体v11、v21与参考导体层22的边界形成扩散层。也可以在层间连接导体v11、v21与参考导体层26a的边界形成扩散层。也可以在层间连接导体v14、v24与参考导体层26b的边界形成扩散层。也可以在层间连接导体v14、v24与参考导体层24的边界形成扩散层。扩散层是形成有层间连接导体v11、v21中包含的金属和参考导体层22、24、26a、26b中包含的金属的合金的区域。例如，在参考导体层22(第一金属箔层)是Cu的金属箔且层间连接导体v11、v21包括SuAgCu的情况下，扩散层包括Cu-Sn系的合金。
需要说明的是，第一信号导体层20也可以在沿上下方向观察时，在与上下方向正交的方向(例如，前后方向)上弯曲。第一信号导体层20也可以通过多层基板10发生塑性变形及/或弹性变形，在与上下方向正交的方向上弯曲。另外，第一信号导体层20也可以在多层基板10不变形的情况下在与上下方向正交的方向上弯曲。
需要说明的是，第一导体层28b、28c及第二导体层28a、28d也可以在沿上下方向观察时，具有如图1所示那样的长方形状的环形状以外的形状。第一导体层28b、28c及第二导体层28a、28d例如也可以弯曲，也可以蜿蜒，也可以为直线。
需要说明的是，导电性糊剂的涂敷形状也可以在沿上下方向观察时为长方形状的环形状以外的形状。导电性糊剂的涂敷形状也可以分割为多个区域。例如，作为将导电性糊剂的涂敷形状分割为多个区域的工序例，举出使用将多个贯通孔配置为环形状的金属掩模的工序。在该情况下，多个导电糊剂彼此也可以不接触。另外，也可以在压接时使多个导电性糊剂彼此接触。
需要说明的是，贯通孔的形状不限于圆形状，也可以是四边形等其他形状。另外，贯通孔的形状也可以是沿着电极的形状的长方形。
需要说明的是，第四方向也可以不是第三方向的相反方向。
需要说明的是，第一信号导体层20a、20b和第二信号导体层120a、120b也可以设置于不同的绝缘体层。
本发明具备以下的构造。
(1)一种多层基板，具备：
层叠体，其具有多个绝缘体层被层叠为沿第一方向排列的构造，该多个绝缘体层包括具有第一主面及第二主面的第一绝缘体层，所述第一主面位于比所述第二主面靠所述第一方向的位置；
多个层间连接导体，其沿所述第一方向贯穿所述第一绝缘体层，并且包括第一层间连接导体及第二层间连接导体；
第一导体层，其与所述第一绝缘体层的所述第一主面相接，并且与所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体相接，并且具有第三主面及第四主面，所述第三主面位于比所述第四主面靠所述第一方向的位置，所述第一导体层的组成与所述第一层间连接导体的组成及所述第二层间连接导体的组成相同；
一个以上的第一金属箔层，其与所述第一导体层的所述第三主面相接，所述一个以上的第一金属箔层在沿所述第一方向观察时与所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体重叠，所述一个以上的第一金属箔层的组成与所述第一导体层的组成不同；以及
一个以上的第二金属箔层，其位于所述第一绝缘体层的第二方向上，所述第二方向是所述第一方向的相反方向，所述一个以上的第二金属箔层在沿所述第一方向观察时与所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体重叠，并且与所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体电连接，所述一个以上的第二金属箔层的组成与所述第一导体层的组成不同。
(2)根据(1)所记载的多层基板，其中，
所述第二层间连接导体是距所述第一层间连接导体最近的层间连接导体。
(3)根据(1)或(2)所记载的多层基板，其中，
所述一个以上的第一金属箔层中包含的一个所述第一金属箔层在沿所述第一方向观察时与所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体的双方重叠。
(4)根据(1)至(3)中任一项所记载的多层基板，其中，
所述一个以上的第二金属箔层中包含的一个所述第二金属箔层在沿所述第一方向观察时与所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体的双方重叠。
(5)根据(1)至(4)中任一项所记载的多层基板，其中，
所述多层基板还具备第二导体层，该第二导体层与所述第一绝缘体层的所述第二主面相接，并且与所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体相接，并且具有第五主面及第六主面，所述第五主面位于比所述第六主面靠所述第一方向的位置，所述第二导体层的组成与所述第一层间连接导体的组成及所述第二层间连接导体的组成相同，
所述一个以上的第二金属箔层与所述第二导体层的所述第六主面相接。
(6)根据(1)至(5)中任一项所记载的多层基板，其中，
所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体包括树脂及金属。
(7)根据(1)至(5)中任一项所记载的多层基板，其中，
所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体包括具有比所述第一金属箔层的熔点及所述第二金属箔层的熔点低的熔点的金属。
(8)根据(7)所记载的多层基板，其中，
所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体不包括树脂。
(9)根据(1)至(8)中任一项所记载的多层基板，其中，
所述多层基板还具备：
第三层间连接导体，其沿所述第一方向贯穿所述第一绝缘体层；以及
第三导体层，其与所述第一绝缘体层的所述第一主面相接，并且与所述第二层间连接导体及所述第三层间连接导体相接。
(10)根据(9)所记载的多层基板，其中，
所述多层基板还具备第四导体层，该第四导体层与所述第一绝缘体层的所述第一主面相接，并且与所述第三层间连接导体及所述第一层间连接导体相接。
(11)根据(1)至(10)中任一项所记载的多层基板，其中，
所述第一层间连接导体与所述第二层间连接导体的距离比所述第一层间连接导体的直径短。
(12)根据(1)至(11)中任一项所记载的多层基板，其中，
所述多层基板还具备传输第一高频信号的第一信号导体层。
(13)根据(12)所记载的多层基板，其中，
所述第一层间连接导体与所述第二层间连接导体的距离比所述第一层间连接导体与所述第一信号导体层的距离短。
(14)根据(12)或(13)所记载的多层基板，其中，
所述第一高频信号是数字信号。
(15)根据(12)至(14)中任一项所记载的多层基板，其中，
所述多层基板还具备传输第二高频信号的第二信号导体层，
所述第一层间连接导体在沿所述第一方向观察时位于所述第一信号导体层与所述第二信号导体层之间。
(16)根据(15)所记载的多层基板，其中，
所述第二高频信号是模拟信号。
(17)根据(16)所记载的多层基板，其中，
第三方向是从在沿所述第一方向观察时位于所述第一信号导体层与所述第二信号导体层之间的所述第一层间连接导体朝向所述第一信号导体层的方向，
第四方向是从在沿所述第一方向观察时位于所述第一信号导体层与所述第二信号导体层之间的所述第一层间连接导体朝向所述第二信号导体层的方向，
在位于比所述第一层间连接导体靠所述第三方向的位置的区域，未设置传输模拟信号的信号导体层，
在位于比所述第一层间连接导体靠所述第四方向的位置的区域，未设置传输数字信号的信号导体层。
(18)根据(12)所记载的多层基板，其中，
所述第一导体层在沿所述第一方向观察时具有包围所述第一信号导体层的环形状。
(19)根据(18)所记载的多层基板，其中，
所述第一导体层在沿所述第一方向观察时包围辐射噪声的电路要素。
(20)根据(1)至(19)中任一项所记载的多层基板，其中，
所述多个绝缘体层包括热塑性树脂。
(21)一种电子设备，具备(1)至(20)中任一项所记载的多层基板。
(22)一种多层基板的制造方法，所述多层基板具备层叠体，该层叠体具有包括第三绝缘体层、第一绝缘体层以及第二绝缘体层的多个绝缘体层被层叠为依次沿第一方向排列的构造，所述第三绝缘体层具有第九主面及第十主面，所述第一绝缘体层具有第一主面及第二主面，所述第二绝缘体层具有第七主面及第八主面，其中，
所述第一主面位于比所述第二主面靠所述第一方向的位置，
所述第七主面位于比所述第八主面靠所述第一方向的位置，
所述第九主面位于比所述第十主面靠所述第一方向的位置，
所述多层基板的制造方法具备：
第一准备工序，准备设置有第一贯通孔及第二贯通孔的所述第一绝缘体层；
第二准备工序，准备在所述第八主面设置有第一金属箔层的所述第二绝缘体层；
第三准备工序，准备在所述第九主面设置有第二金属箔层的所述第三绝缘体层；
涂敷工序，在所述第二准备工序之后，在所述第一金属箔层之上涂敷导电性糊剂或金属膏；以及
层叠工序，在所述涂敷工序之后，将所述第三绝缘体层、所述第一绝缘体层以及所述第二绝缘体层层叠，向所述第一贯通孔及所述第二贯通孔填充所述导电性糊剂或所述金属膏，并且使所述导电性糊剂或所述金属膏从所述第一贯通孔及所述第二贯通孔溢出，由此，将所述第一贯通孔内的所述导电性糊剂或所述金属膏以及与所述第一贯通孔内的所述导电性糊剂或所述金属膏相接的所述导电性糊剂或所述金属膏形成到所述第一金属箔层上。
附图标记说明
10、10a～10h：多层基板；
12：层叠体；
14a～14e、15a、15b：绝缘体层；
16：保护层；
20、20a、20b：第一信号导体层；
22、22-1、22-2、24、26a、26a-1、26a-2、26b、26b-1：参考导体层；
28a、28d：第二导体层；
28b、28c：第一导体层；
100：电子设备；
102：壳体；
120a、120b：第二信号导体层；
128b：第三导体层；
228b：第四导体层；
A1：第一区域；
A2：第二区域；
A3：第三区域；
H：贯通孔；
S1：平面；
v1～v7、v7a、v7b、v11～v14、v17，v21～v24、v31：层间连接导体。

Claims (22)

1.一种多层基板，具备：
层叠体，其具有多个绝缘体层被层叠为沿第一方向排列的构造，该多个绝缘体层包括具有第一主面及第二主面的第一绝缘体层，所述第一主面位于比所述第二主面靠所述第一方向的位置；
多个层间连接导体，其沿所述第一方向贯穿所述第一绝缘体层，并且包括第一层间连接导体及第二层间连接导体；
第一导体层，其与所述第一绝缘体层的所述第一主面相接，并且与所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体相接，并且具有第三主面及第四主面，所述第三主面位于比所述第四主面靠所述第一方向的位置，所述第一导体层的组成与所述第一层间连接导体的组成及所述第二层间连接导体的组成相同；
一个以上的第一金属箔层，其与所述第一导体层的所述第三主面相接，所述一个以上的第一金属箔层在沿所述第一方向观察时与所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体重叠，所述一个以上的第一金属箔层的组成与所述第一导体层的组成不同；以及
一个以上的第二金属箔层，其位于所述第一绝缘体层的第二方向上，所述第二方向是所述第一方向的相反方向，所述一个以上的第二金属箔层在沿所述第一方向观察时与所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体重叠，并且与所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体电连接，所述一个以上的第二金属箔层的组成与所述第一导体层的组成不同。
2.根据权利要求1所述的多层基板，其中，
所述第二层间连接导体是距所述第一层间连接导体最近的层间连接导体。
3.根据权利要求1或2所述的多层基板，其中，
所述一个以上的第一金属箔层中包含的一个所述第一金属箔层在沿所述第一方向观察时与所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体的双方重叠。
4.根据权利要求1或2所述的多层基板，其中，
所述一个以上的第二金属箔层中包含的一个所述第二金属箔层在沿所述第一方向观察时与所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体的双方重叠。
5.根据权利要求1或2所述的多层基板，其中，
所述多层基板还具备第二导体层，该第二导体层与所述第一绝缘体层的所述第二主面相接，并且与所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体相接，并且具有第五主面及第六主面，所述第五主面位于比所述第六主面靠所述第一方向的位置，所述第二导体层的组成与所述第一层间连接导体的组成及所述第二层间连接导体的组成相同，
所述一个以上的第二金属箔层与所述第二导体层的所述第六主面相接。
6.根据权利要求1或2所述的多层基板，其中，
所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体包括树脂及金属。
7.根据权利要求1或2所述的多层基板，其中，
所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体包括具有比所述第一金属箔层的熔点及所述第二金属箔层的熔点低的熔点的金属。
8.根据权利要求7所述的多层基板，其中，
所述第一层间连接导体及所述第二层间连接导体不包括树脂。
9.根据权利要求1或2所述的多层基板，其中，
所述多层基板还具备：
第三层间连接导体，其沿所述第一方向贯穿所述第一绝缘体层；以及
第三导体层，其与所述第一绝缘体层的所述第一主面相接，并且与所述第二层间连接导体及所述第三层间连接导体相接。
10.根据权利要求9所述的多层基板，其中，
所述多层基板还具备第四导体层，该第四导体层与所述第一绝缘体层的所述第一主面相接，并且与所述第三层间连接导体及所述第一层间连接导体相接。
11.根据权利要求1或2所述的多层基板，其中，
所述第一层间连接导体与所述第二层间连接导体的距离比所述第一层间连接导体的直径短。
12.根据权利要求1或2所述的多层基板，其中，
所述多层基板还具备传输第一高频信号的第一信号导体层。
13.根据权利要求12所述的多层基板，其中，
所述第一层间连接导体与所述第二层间连接导体的距离比所述第一层间连接导体与所述第一信号导体层的距离短。
14.根据权利要求12所述的多层基板，其中，
所述第一高频信号是数字信号。
15.根据权利要求12所述的多层基板，其中，
所述多层基板还具备传输第二高频信号的第二信号导体层，
所述第一层间连接导体在沿所述第一方向观察时位于所述第一信号导体层与所述第二信号导体层之间。
16.根据权利要求15所述的多层基板，其中，
所述第二高频信号是模拟信号。
17.根据权利要求16所述的多层基板，其中，
第三方向是从在沿所述第一方向观察时位于所述第一信号导体层与所述第二信号导体层之间的所述第一层间连接导体朝向所述第一信号导体层的方向，
第四方向是从在沿所述第一方向观察时位于所述第一信号导体层与所述第二信号导体层之间的所述第一层间连接导体朝向所述第二信号导体层的方向，
在位于比所述第一层间连接导体靠所述第三方向的位置的区域，未设置传输模拟信号的信号导体层，
在位于比所述第一层间连接导体靠所述第四方向的位置的区域，未设置传输数字信号的信号导体层。
18.根据权利要求12所述的多层基板，其中，
所述第一导体层在沿所述第一方向观察时具有包围所述第一信号导体层的环形状。
19.根据权利要求18所述的多层基板，其中，
所述第一导体层在沿所述第一方向观察时包围辐射噪声的电路要素。
20.根据权利要求1或2所述的多层基板，其中，
所述多个绝缘体层包括热塑性树脂。
21.一种电子设备，具备权利要求1或2所述的多层基板。
22.一种多层基板的制造方法，所述多层基板具备层叠体，该层叠体具有包括第三绝缘体层、第一绝缘体层以及第二绝缘体层的多个绝缘体层被层叠为依次沿第一方向排列的构造，所述第三绝缘体层具有第九主面及第十主面，所述第一绝缘体层具有第一主面及第二主面，所述第二绝缘体层具有第七主面及第八主面，其中，
所述第一主面位于比所述第二主面靠所述第一方向的位置，
所述第七主面位于比所述第八主面靠所述第一方向的位置，
所述第九主面位于比所述第十主面靠所述第一方向的位置，
所述多层基板的制造方法具备：
第一准备工序，准备设置有第一贯通孔及第二贯通孔的所述第一绝缘体层；
第二准备工序，准备在所述第八主面设置有第一金属箔层的所述第二绝缘体层；
第三准备工序，准备在所述第九主面设置有第二金属箔层的所述第三绝缘体层；
涂敷工序，在所述第二准备工序之后，在所述第一金属箔层之上涂敷导电性糊剂或金属膏；以及
层叠工序，在所述涂敷工序之后，将所述第三绝缘体层、所述第一绝缘体层以及所述第二绝缘体层层叠，向所述第一贯通孔及所述第二贯通孔填充所述导电性糊剂或所述金属膏，并且使所述导电性糊剂或所述金属膏从所述第一贯通孔及所述第二贯通孔溢出，由此，将所述第一贯通孔内的所述导电性糊剂或所述金属膏以及与所述第一贯通孔内的所述导电性糊剂或所述金属膏相接的所述导电性糊剂或所述金属膏形成到所述第一金属箔层上。
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