CN117165906A - 基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

基板处理装置以及基板处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN117165906A
CN117165906A CN202310645969.3A CN202310645969A CN117165906A CN 117165906 A CN117165906 A CN 117165906A CN 202310645969 A CN202310645969 A CN 202310645969A CN 117165906 A CN117165906 A CN 117165906A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
chamber
processing apparatus
temperature
substrate processing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310645969.3A
Other languages
English (en)
Inventor
金泰光
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
TES Co Ltd
Original Assignee
TES Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by TES Co Ltd filed Critical TES Co Ltd
Publication of CN117165906A publication Critical patent/CN117165906A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • C23C14/566—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases using a load-lock chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0209—Pretreatment of the material to be coated by heating
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C23C16/463—Cooling of the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
    • H01L21/02263—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase
    • H01L21/02271—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process deposition from the gas or vapour phase deposition by decomposition or reaction of gaseous or vapour phase compounds, i.e. chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67201—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the load-lock chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67207—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations comprising a chamber adapted to a particular process

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

本发明涉及一种基板处理装置以及基板处理方法，更详细地，涉及一种为了缓解或者去除基板的翘曲现象而在基板的下面蒸镀时，在单一装置或者单一设备中，基板的上面以及下面都能够蒸镀的基板处理装置以及基板处理方法。

Description

基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置以及基板处理方法，更详细地，涉及一种为了缓解或者去除基板的翘曲现象而在基板的下面蒸镀时，在单一装置或者单一设备中将基板的上面以及下面都能够进行蒸镀的基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
以往的基板处理装置在基板的一面例如在基板的上面蒸镀预定厚度的薄膜。在这种情况下，当诸如3d-Nand设备，薄膜以多个层层叠在基板上时，可以使基板翘曲(bowing)。
若产生基板的翘曲现象时，在后续的工艺中，基板很难在准确的位置中执行工艺，并且可能不容易夹住(chucking)基板。
尤其，基板处理工艺以要求需要非常高的精密度的作业进行，基板的翘曲现象会降低这种基板工艺的精密度。
图16是用于说明在基板W蒸镀薄膜时的基板W的翘曲(bowing)现象的图。
图16的(a)是示出在所述基板W的上面蒸镀预定厚度的薄膜102时，作用于所述基板W的拉伸应力(tensile stress)的情况的图，相反地，图16的(b)是示出在所述基板W的上面蒸镀预定厚度的薄膜102时，作用于所述基板W的压缩应力(compressive stress)的情况的图。
如图16的(a)所示，当拉伸应力作用于所述基板W时，如图所示，基板W向下翘曲，反之，如图16的(b)所示，当压缩应力作用于所述基板W时，所述基板W向上翘曲。
在这种情况下，为了去除基板的翘曲现象，如图16的(c)所示，可以在基板W的下面蒸镀预定厚度的薄膜104而缓解或者去除翘曲现象。在基板的下面被蒸镀的薄膜104构成为与在基板的上面被蒸镀的薄膜102作用相同的应力的薄膜。
但是，根据现有技术的装置来看，在基板的上面蒸镀薄膜的设备和在所述基板的下面蒸镀薄膜的设备是单独设置的。因此，需要大量的面积来设置设备，并且工艺所需的时间也显著增加。
尤其，当将基板从在基板的上面蒸镀薄膜的设备移送到在基板的下面蒸镀薄膜的设备时，在每个设备的腔室内部的真空环境中引出基板并移送到另一装置的腔室。在这种情况下，为了形成腔室内部的环境而需要大量时间，尤其将腔室内部形成为真空环境需要大量时间。
发明内容
本发明的目的在于为了解决如上所述的问题点，提供一种在单一装置或单一设备中将基板的上面以及下面都能够进行蒸镀的基板处理装置以及基板处理方法。
如上所述，可以是，本发明的目的是通过基板处理装置来达成。通过针对基板进行处理工艺的基板处理装置，其特征在于，包括：移送腔室，移送所述基板；多个工艺腔室，连接于所述移送腔室，并进行针对所述基板的处理工艺；以及控制部，控制所述工艺腔室的驱动，所述多个工艺腔室中的一部分由在所述基板的上面蒸镀薄膜的第一工艺腔室构成，其余部分由在所述基板的下面蒸镀薄膜的第二工艺腔室构成，所述第一工艺腔室以所述第二工艺腔室为中心对称配置并连接于所述移送腔室。
另外，可以是，所述第二工艺腔室的数量构成为所述第一工艺腔室的数量以下。
进一步，可以是，在所述控制部存储所述基板的大小、直径、厚度、与对所述基板已经执行的前处理工艺有关的信息、与以后对所述基板执行的后处理工艺有关的信息、与根据对所述基板已经执行的前处理工艺的基板的翘曲程度以及根据以后对所述基板执行的后处理工艺的基板的预想翘曲程度有关的信息中的至少一个，所述控制部基于针对所述基板存储的信息来调节针对所述基板的所述第一工艺腔室的第一处理工艺以及所述第二工艺腔室的第二处理工艺的顺序以及反复次数。
另一方面，可以是，还设置感测所述基板上面或者下面的薄膜的厚度，或者所述基板的翘曲程度的感测构件，所述控制部基于在所述感测构件中感测的信息来调节针对所述基板的所述第一工艺腔室的第一处理工艺以及所述第二工艺腔室的第二处理工艺的顺序以及反复次数。
进一步，可以是，在所述第一工艺腔室中在所述基板的上面蒸镀非晶碳膜。在这种情况下，所述控制部反复交替执行针对所述基板的所述第一工艺腔室的第一处理工艺以及所述第二工艺腔室的第二处理工艺，以使得在所述基板的上面蒸镀所述非晶碳膜至目标厚度。
另外，可以是，还设置与所述移送腔室连接并供所述基板移动的装载锁定腔室，并且在所述装载锁定腔室设置调节所述基板的温度的温度调节装置。
如上所述，可以是，本发明的目的是通过基板处理装置来达成。通过针对基板进行处理工艺的基板处理装置，其特征在于，包括：工艺腔室，针对所述基板进行处理工艺；多个站点，设置在所述工艺腔室的内侧，安放并处理所述基板；以及控制部，控制所述多个站点的驱动，所述多个站点中的一部分由在所述基板的上面蒸镀薄膜的第一站点构成，其余部分由在所述基板的下面蒸镀薄膜的第二站点构成。
在这里，可以是，所述多个站点之间供应诸如惰性气体的帘式气体来划分每个站点，或者所述多个站点通过物理划分且所述多个站点划分为所述基板能够移动的半封闭或半隔离形式。
另外，可以是，在所述控制部存储所述基板的大小、直径、厚度、针对在所述基板已经执行的前处理工艺的信息、针对以后对所述基板执行的后处理工艺的信息、根据针对在所述基板已经执行的前处理工艺的基板的翘曲程度以及针对以后对所述基板执行的后处理工艺的基板的预想翘曲程度的信息中的至少一个，所述控制部基于存储在所述基板的信息来调节针对所述基板的所述第一站点的第一处理工艺以及所述第二站点的第二处理工艺的顺序以及反复次数。
进一步，可以是，还设置感测所述基板上面或者下面的薄膜的厚度或者所述基板的翘曲程度的感测构件，并且所述控制部基于在所述感测构件中感测的信息来调节针对所述基板的所述第一站点的第一处理工艺以及所述第二站点的第二处理工艺的顺序以及反复次数。
另一方面，可以是，所述控制部反复交替直径针对所述基板的所述第一站点的第一处理工艺以及所述第二站点的第二处理工艺，以使得在所述基板的上面蒸镀所述非晶碳膜至目标厚度。
另一方面，可以是，如上所述，本发明的目的是通过基板处理方法来达成。一种基板处理装置的基板处理方法，所述基板处理装置具备：装载锁定腔室，设置有调节基板的温度的温度调节装置；一个以上的第一工艺腔室，连接于所述装载锁定腔室，并在基板的上面蒸镀薄膜；一个以上的第二工艺腔室，在所述基板的下面蒸镀薄膜，所述基板处理方法的特征在于，包括：将所述基板在所述装载锁定腔室中预热(preheating)到第一温度的步骤；在所述第一工艺腔室中在所述基板的上面蒸镀薄膜的步骤；将所述基板在所述装载锁定腔室中冷却到第二温度的步骤；以及在所述第二工艺腔室中在所述基板的下面蒸镀应力补偿膜的步骤。
进一步，可以是，在所述第一工艺腔室中在所述基板的上面蒸镀非晶碳膜。
另外，可以是，所述第二工艺腔室的工艺温度低于所述第一工艺腔室的工艺温度。
进一步，可以是，所述基板在所述装载锁定腔室中预热的第一温度低于所述第一工艺腔室的工艺温度。
在这种情况下，可以是，所述第二温度设定为与所述第一温度相同。
另一方面，可以是，在所述第二工艺腔室中的在所述基板的下面蒸镀应力补偿膜的步骤之后，将所述基板移送到所述第一工艺腔室，并反复执行在所述基板的上面蒸镀薄膜的步骤。
可以是，根据具有前述的结构的本发明，在单一装置或者单一设备中在基板的上面以及下面都进行蒸镀，从而减少设备的设置面积，尤其减少为了形成腔室内部的环境的所需的时间而显著减少工艺时间。
附图说明
图1是根据本发明的一实施例的基板处理装置的平面图。
图2是简化示出图1的基板处理装置的平面图。
图3是示出根据另一实施例的基板处理装置中的移送腔室和工艺腔室的平面图。
图4是根据本发明的又另一实施例的基板处理装置的平面图。
图5至图7是示出图4中基板处理装置的基板处理方法的图。
图8是示出根据又另一实施例的基板处理装置中的移送腔室和工艺腔室的平面图。
图9至图13是示出根据图8的基板处理方法的图。
图14以及图15是根据又另一实施例的基板处理装置的平面图。
图16是示出以往在基板上蒸镀薄膜时的基板的翘曲(bowing)现象的图。
具体实施方式
以下，参照附图，针对根据本发明的实施例的基板处理装置1000的构造进行观察并接着针对基板处理方法进行详细观察。
图1是根据本发明的一实施例的基板处理装置1000的平面图。
参照图1，所述基板处理装置1000可以设置供基板S移送的装载锁定腔室180、连接于所述装载锁定腔室180并移送所述基板S的移送腔室200、连接于所述移送腔室200并针对所述基板S进行处理工艺的多个工艺腔室112、114、132、134、152、154以及控制所述工艺腔室112、114、132、134、152、154的驱动的控制部300。
另外，所述基板处理装置1000可以还具备：大气移送模块190，在内部配置第二移送臂192；至少一个装载端口195，配置于所述大气移送模块190的外部，并用于支承收容有基板S的基板安置部(未图示)。
可以是，所述基板安置部可以由前开式晶圆传送盒(Front Opening UnifiedPod)等构成，所述第二移送臂192由用于支承基板S并移动所述基板S的机器人等构成。
可以是，所述大气移送模块190与装载锁定腔室180连接，并且所述装载锁定腔室180与配置有第一移送臂210的所述移送腔室200连接。
所述装载锁定腔室180可以设置有第一闸门阀184和第二闸门阀182。所述第一闸门阀184设置在所述装载锁定腔室180和所述大气移送模块190之间，所述第二闸门阀182设置在所述装载锁定腔室180和所述移送腔室200之间。通过所述第一闸门阀184和第二闸门阀182，所述装载锁定腔室180的内部可以保持真空状态。另外，通过所述第一闸门阀184和第二闸门阀182的开闭，可以将所述基板S从所述大气移送模块190移送到所述移送腔室200或者从所述移送腔室200移送到所述大气移送模块190。
另一方面，前述的移送腔室200与多个工艺腔室112、114、132、134、152、154连接。在所述移送腔室200与工艺腔室112、114、132、134、152、154之间可以设置第三闸门阀160。
所述多个工艺腔室112、114、132、134、152、154例如可以由六个工艺腔室112、114、132、134、152、154构成。在这种情况下，可以是，六个工艺腔室112、114、132、134、152、154划分为三对工艺腔室112、114：132、134：152、154，并且在一对工艺腔室112、114：132、134：152、154中一并装载一对基板S，工艺同时进行，并卸载。
所述第一移送臂210可以设置有一对第一移送手220和第二移送手230。所述第一移送手220和第二移送手230中的任一个移送手可以移送未进行处理工艺的基板S，其余的一个移送完成处理工艺的基板。
这些工艺腔室112、114、132、134、152、154以及第一移送臂210的结构仅举一例说明，可以适当变形。
另一方面，观察根据以往技术的装置，在基板的上面蒸镀薄膜的设备和在所述基板的下面蒸镀薄膜的设备是单独设置。因此，需要大量的面积来设置设备，并且工艺所需的时间也显著增加。
尤其，当将基板从在基板的上面蒸镀薄膜的设备移送到在基板的下面蒸镀薄膜的设备时，将基板从每一个设备的腔室内部的真空环境中引出而移送到另一装置的腔室。在这种情况下，为了形成腔室内部的环境而需要很多时间，尤其是将腔室内部形成为真空环境需要很多时间。
根据本发明的基板处理装置1000是为了解决前述的问题点而发明的，所述多个工艺腔室112、114、132、134、152、154中的至少一部分可以在所述基板S的下面蒸镀薄膜。
即，所述多个工艺腔室112、114、132、134、152、154中的一部分在所述基板S的上面蒸镀薄膜，并且所述多个工艺腔室112、114、132、134、152、154中的其余部分在所述基板S的下面蒸镀薄膜。最终，根据本发明的基板处理装置1000可以在一个装置中一并设置有在基板S的上面蒸镀薄膜的工艺腔室112、114、152、154和在所述基板S的下面蒸镀薄膜的工艺腔室132、134。因此，可以解决根据前述的以往技术的问题点。
以下为了便于说明，在所述基板S的上面蒸镀薄膜的工艺腔室称为第一工艺腔室112、114、152、154，在所述基板S的下面蒸镀薄膜的工艺腔室称为第二工艺腔室132、134。
在一实施例中，所述第一工艺腔室112、114、152、154可以实现蒸镀硬掩模膜(例如，非晶碳膜)的腔室。
另外，在一实施例中，可以是，在基板的上面蒸镀硬掩模膜的所述第一工艺腔室112、114、152、154的工艺温度是600度以上的高温，在基板的下面蒸镀应力补偿膜的第二工艺腔室132、134的工艺温度是400度至500度。
在这种情况下，所述第二工艺腔室132、134的数量可以与所述第一工艺腔室112、114、152、154的数量相同，或者所述第二工艺腔室132、134的数量少于所述第一工艺腔室112、114、152、154的数量。即，所述第二工艺腔室132、134的数量可以是所述第一工艺腔室112、114、152、154的数量以下。
在所述第二工艺腔室132、134中在所述基板S的下面蒸镀薄膜与在所述第一工艺腔室112、114、152、154中在所述基板S的上面蒸镀薄膜相比，所需的工艺时间要少。这是因为在所述第二工艺腔室132、134中是为了缓解或者去除在所述基板S产生的翘曲(bowing)现象而蒸镀薄膜，因此可以比所述第一工艺腔室112、114、152、154的工艺更快地进行。
因此，可以是，在所述基板处理装置1000中，所述第二工艺腔室132、134的数量设置为所述第一工艺腔室112、114、152、154的数量以下，优选地，所述第二工艺腔室132、134的数量设置为少于所述第一工艺腔室112、114、152、154的数量。通过这样的结构可以不在工艺腔室中执行工艺处理，减少等待基板的延迟时间。
在本发明中，例如在所述移送腔室200中连接于所述装载锁定腔室180的对面的工艺腔室可以对应于第二工艺腔室132、134。进一步，连接于所述移送腔室200的左右的工艺腔室可以对应于第一工艺腔室112、114、152、154。
在这种情况下，所述第二工艺腔室132、134不偏向于所述第一工艺腔室112、114、152、154中的任一方而配置。或者所述第一工艺腔室112、114、152、154可以以所述第二工艺腔室132、134为中心大致对称地配置。在像这样的配置构造中，当所述基板S从所述第一工艺腔室112、114、152、154移送到所述第二工艺腔室132、134时，或者当所述基板S从所述第二工艺腔室132、134移送到所述第一工艺腔室112、114、152、154时，可以减少所需的时间。然而，前述的第二工艺腔室132、134的配置举了一例说明，可以适当变形。
图2是简化示出图1的基板处理装置1000的平面图，在图2中以所述移送腔室200和工艺腔室112、114、132、134、152、154为中心示出。
参照图2，所述基板S可以移送到所述第一工艺腔室112、114、152、154和所述第二工艺腔室132、134之间来进行工艺。
例如，在所述基板S的上面蒸镀薄膜的工艺可以定义为第一处理工艺，在所述基板S的下面蒸镀薄膜的工艺定义为第二处理工艺。
在这种情况下，针对所述基板S可以交替进行所述第一处理工艺和第二处理工艺。例如，可以先进行所述第一处理工艺接着进行第二处理工艺而交替进行工艺，或者先进行所述第二处理工艺接着进行第一处理工艺而反复交替进行工艺。
或者针对所述基板S在交替进行所述第一处理工艺和第二处理工艺中，任一个处理工艺的次数可以反复执行两次以上。例如，当先进行所述第一处理工艺接着进行第二处理工艺时，可以反复执行两次以上的所述第二处理工艺，接着再次执行第一处理工艺。或者，先进行两次以上的所述第一处理工艺接着进行第二处理工艺而交替进行工艺。
另一方面，当前述的控制部300针对所述基板S进行工艺时，可以选择第一处理工艺或者第二处理工艺进行控制。例如，所述控制部300可以通过感测所述基板S上面或者下面的薄膜的厚度，或者所述基板S的翘曲程度来调节针对所述基板S的工艺。在这种情况下，在所述基板处理装置1000中可以设置感测所述基板S的感测构件(未图示)。这种感测构件可以设置于前述的装载锁定腔室180、移送腔室200或者各种闸门阀182、184、160中。因此，所述控制部300可以根据从所述感测构件传送的感测信息对所述基板S进行工艺时，选择第一处理工艺或者第二处理工艺进行控制。
另一方面，在另一实施例的情况下，所述控制部300可以设置接收并存储针对所述基板S的各种数据的存储部(未图示)。在所述存储部中，可以存储在所述基板处理装置1000中处理的针对基板S的各种信息，例如基板S的大小、直径、厚度、针对在所述基板S已经执行的前处理工艺以及以后对所述基板S执行的后处理工艺等信息。
另外，在所述存储部也可以一并存储根据针对所述基板S已经执行的前处理工艺的基板的翘曲程度或者根据针对以后对所述基板S执行的后处理工艺的基板的预想翘曲程度的信息。
因此，所述控制部300可以基于存储于所述存储部的针对基板的各种信息来调节针对所述基板S的所述第一工艺腔室112、114、152、154的第一处理工艺以及所述第二工艺腔室132、134的第二处理工艺的顺序、反复次数等。
当设置所述存储部时，也可以省略前述的感测构件，并且可以一并设置所述存储部和所述感测构件。
另外，所述控制部300可以反复交替执行针对所述基板S的所述第一工艺腔室112、114、152、154的第一处理工艺以及所述第二工艺腔室132、134的第二处理工艺，以使得前述的非晶碳膜在所述基板S的上面蒸镀至目标厚度。
另一方面，图3是示出根据另一实施例的基板处理装置2000中的移送腔室1200、1300和工艺腔室1612、1614、1652、1654、1112、1114、1132、1134、1152、1154的平面图。在图3中仅示出了移送腔室1200、1300和工艺腔室1612、1614、1652、1654、1112、1114、1132、1134、1152、1154并省略了装载锁定腔室18、大气移送模块190等结构。
参照图3，根据本实施例的基板处理装置2000可以设置连接配置的两个以上的移送腔室1200、1300。
例如，可以设置连接于装载锁定腔室(未图示)的第一移送腔室1200和与所述第一移送腔室1200借助中间闸门阀1170连接的第二移送腔室1300。如上所述，彼此连接的移送腔室1200、1300的数量示出为两个，但并不限于此，可以通过适当变形来增加。
所述第一移送腔室1200的第一侧面可以连接于装载锁定腔室(未图示)，所述第一移送腔室1200的第二侧面(或者左侧)以及第三侧面(或者右侧)连接工艺腔室1612、1614、1652、1654。
另外，所述第一移送腔室1200的与所述第一侧面面对的第四侧面可以通过所述中间闸门阀1170连接于所述第二移送腔室1300。
另一方面，可以是，所述第二移送腔室1300的第一侧面通过所述中间闸门阀1170连接于所述第一移送腔室1200，并且在所述第二移送腔室1300的第二侧面(或者左侧)、第三侧面(或者右侧)以及第四侧面连接工艺腔室1112、1114、1132、1134、1152、1154。
在根据前述的结构的基板处理装置2000中，连接于所述第二移送腔室1300的第四侧面的工艺腔室可以由第二工艺腔室1132、1134构成。
即，可以是，在所述第一移送腔室1200的第二侧面(或者左侧)以及第三侧面(或者右侧)连接第一工艺腔室1612、1614、1652、1654，并在所述第二移送腔室1300的第二侧面(或者左侧)以及第三侧面(或者右侧)连接第一工艺腔室1112、1114、1152、1154，并且所述第二移送腔室1300的与所述装载锁定腔室面对的第四侧面连接所述第二工艺腔室1132、1134。
在这种情况下，所述第一工艺腔室1612、1614、1652、1654、1112、1114、1152、1154可以以所述第二工艺腔室1132、1134为中心大致对称地配置。当具有这种配置时，可以最大程度地减小第一工艺腔室1612、1614、1652、1654、1112、1114、1152、1154和第二工艺腔室1132、1134之间的基板S的移动距离或者移动时间。
另一方面，在根据图3的基板处理装置2000中，所述第二工艺腔室1132，1134的数量以及位置举了一例说明，可以适当变形。
在根据本实施例的基板处理装置2000中，包括针对基板S的第一处理工艺以及第二处理工艺的工艺与前述的实施例类似，因此省略了反复说明。
另一方面，图4是示出根据本发明的又另一实施例的基板处理装置3000的平面图。在根据本实施例的基板处理装置3000中，与图1的实施例相比，相同的构成要件使用相同的附图标记。
参照图4，在所述基板处理装置3000的所述装载锁定腔室180可以设置调节基板S的温度的温度调节装置400。
所述温度调节装置400可以调节经过所述装载锁定腔室180的基板S或者引入到所述装载锁定腔室180的所述基板S的温度。通过所述温度调节装置400调节的基板S的温度可以适当变化。例如，在本实施例的情况下，可以通过所述温度调节装置400将所述基板S的温度调节至大致400℃。
所述温度调节装置400可以以各种形式实现。例如，可以以设置于所述装载锁定腔室180的灯或者加热器等的形式实现，或者可以供应冷却或者加热用的气体。针对这种温度调节装置400的具体形式在本说明书中并没有具体限定。
图5是简化示出图4的基板处理装置3000的平面图，在图5中以所述移送腔室200和工艺腔室112、114、132、134、152、154为中心示出。
参照图5，所述基板S1、S2可以移送到所述第一工艺腔室112、114、152、154和所述第二工艺腔室132、134之间并进行工艺。
例如，在所述基板S1、S2的上面蒸镀薄膜的工艺可以定义为第一处理工艺，在所述基板S1、S2的下面蒸镀薄膜的工艺定义为第二处理工艺。
在这种情况下，针对所述基板S1、S2可以交替进行所述第一处理工艺和第二处理工艺。例如，可以先进行所述第一处理工艺接着进行第二处理工艺而交替进行工艺，或者先进行所述第二处理工艺接着进行第一处理工艺而反复交替进行工艺。
或者针对所述基板S1、S2在交替进行所述第一处理工艺和第二处理工艺中，任一个处理工艺的次数可以反复执行两次以上。例如，当先进行所述第一处理工艺接着进行第二处理工艺时，可以反复执行两次以上的所述第二处理工艺，接着再次执行第一处理工艺。或者，先进行两次以上的所述第一处理工艺接着进行第二处理工艺而进行交替工艺。
另一方面，当前述的控制部300针对所述基板S进行工艺时，可以选择第一处理工艺或者第二处理工艺进行控制。例如，所述控制部300可以感测所述基板S1、S2上面或者下面的薄膜的厚度，或者所述基板S1、S2的翘曲程度来调节针对所述基板S1、S2的工艺。在这种情况下，在所述基板处理装置1000中可以设置感测所述基板S的感测构件(未图示)。这种感测构件可以设置于前述的装载锁定腔室180、移送腔室200或者各种闸门阀182、184、160中。
另一方面，在另一实施例的情况下，所述控制部300可以设置接收并存储所述基板S1、S2的各种数据的存储部(未图示)。在所述存储部中，可以存储在所述基板处理装置1000中处理的针对基板S1、S2的各种信息，例如基板S1、S2的大小、直径、厚度、针对在所述基板S1、S2已经执行的前处理工艺以及以后对所述基板S1、S2执行的后处理工艺等信息。
另外，在所述存储部中，可以一并存储根据针对所述基板S1、S2已经执行的前处理工艺的基板的翘曲程度或者根据针对以后对所述基板S1、S2执行的后处理工艺的基板的预想翘曲程度的信息。
因此，所述控制部300可以基于存储于所述存储部的针对基板的各种信息来调节针对所述基板S1、S2的所述第一工艺腔室112、114、152、154的第一处理工艺以及所述第二工艺腔室132、134的第二处理工艺的顺序、反复次数等。
当设置所述存储部时，也可以省略前述的感测构件，并且可以一并设置所述存储部和所述感测构件。
以下，参照图5至图7，通过所述基板处理装置3000观察针对所述基板S1、S2进行工艺的步骤。
首先，在引入所述装载锁定腔室180之前的所述基板S1、S2大致具有常温的温度，并且作用于所述基板S1、S2的应力(压缩应力或者拉伸应力)可以大致在150MPa以下。
具有前述的条件的基板S1、S2可以如图5所示被引入到所述装载锁定腔室180，并且通过设置于所述装载锁定腔室180的所述温度调节装置400预热(preheating)到第一温度。
在这种情况下，可以根据所述基板S1、S2的工艺条件等适当地调节所述第一温度。例如，在所述基板S1、S2的上面蒸镀薄膜的第一处理工艺为在550℃至650℃的高温中蒸镀硬掩模膜的工艺时，所述第一温度可以确定为大致400℃。
即，可以是，所述基板S1、S2在所述装载锁定腔室180中预热到所述第一温度，并且通过所述预热步骤消除所述基板S1、S2的应力的相当一部分。
接着，所述基板S1、S2可以如图6所示被移送到所述第一工艺腔室112、114而执行在所述基板S1、S2的上面蒸镀薄膜的第一处理工艺。
在这种情况下，所述第一处理工艺可以相当于如前述的在550℃至650℃的高温中蒸镀硬掩模膜的工艺。
如上所述，在所述基板S1、S2的上面蒸镀薄膜时，作用于所述基板S1、S2的应力可以增大，例如可以增大到250Mpa以上。
若比作用于所述基板S1、S2的应力更大，则所述基板S1、S2的弯曲程度增大，从而固定所述基板S1、S2的静电卡盘(未图示)的夹具(chucking)可以被解开。
因此，在本发明中，在所述第一处理工艺之后，如图5所示，可以将所述基板S1、S2再次移送到装载锁定腔室180使其冷却(cooling)到第二温度。
将所述基板S1、S2冷却到所述第二温度，从而能够缓解作用于所述基板S1、S2的应力。
在这种情况下，可以是，所述第二温度设定为各种温度，例如所述第二温度设定为与所述第一温度相同。即，可以是，所述第二温度设定为大致400℃，但与所述第一处理工艺的工艺温度相比温度较低，因此所述第二温度处理的工艺命名为冷却工艺。
接着，所述基板S1、S2可以如图7所示被移动到所述第二工艺腔室132、134而进行在所述基板S1、S2的下面蒸镀应力补偿薄膜的第二处理工艺。
所述第二处理工艺的工艺温度可以相当于如前述的大致是400℃至550℃。
通过所述第二处理工艺，可以消除在所述冷却步骤之后残留在所述基板S1、S2的应力。例如，作用于经过所述第二处理工艺的所述基板S1、S2的应力可以大致是150Mpa以下。
在经过所述第二处理工艺后，根据需要，可以将所述基板S1、S2移送到所述第一工艺腔室112、114并反复执行所述第一处理工艺的步骤。
反复所述第一处理工艺后，可以结束针对所述基板S1、S2的处理工艺。
或者反复所述第一处理工艺后，可以反复执行冷却所述基板S1、S2，并执行在所述基板S1、S2的下面蒸镀应力补偿膜的第二处理工艺，并且针对所述基板S1、S2进行第一处理工艺的步骤。
另一方面，图8是示出根据又另一实施例的基板处理装置4000的移送腔室1200、1300和工艺腔室1612、1614、1652、1654、1112、1114、1132、1134、1152、1154的平面图。在图8中，与前述的图3的实施例相比，相同的构成要件使用相同的附图标记。另外，在图8中示出了移送腔室1200、1300和工艺腔室1612、1614、1652、1654、1112、1114、1132、1134、1152、1154和装载锁定腔室180，并且省略了大气移送模块190等的结构。
参照图8，根据本实施例的基板处理装置4000可以设置连接配置两个以上的移送腔室1200、1300。
例如，可以设置连接于所述装载锁定腔室180的第一移送腔室1200和与所述第一移送腔室1200借助中间闸门阀1170、1172以及中间装载锁定腔室181连接的第二移送腔室1300。如上所述，彼此连接的移送腔室1200、1300的数量示出为两个，但并不限于此，可以通过适当变形来增加。
另一方面，所述装载锁定腔室180和中间装载锁定腔室181可以分别设置有与前述的实施例类似的温度调节装置400、410。例如，可以在所述装载锁定腔室180设置第一温度调节装置400，在所述中间装载锁定腔室181设置第二温度调节装置410。针对这种温度调节装置400、410已经进行过详述，因此省略了反复说明。
所述第一移送腔室1200的第一侧面可以连接于装载锁定腔室180，并且在所述第一移送腔室1200的第二侧面以及第三侧面连接工艺腔室1612、1614、1652、1654。
另外，所述第一移送腔室1200的与所述第一侧面面对的第四侧面可以通过所述中间闸门阀1170、1172以及中间装载锁定腔室181连接于所述第二移送腔室1300。
另一方面，可以是，所述第二移送腔室1300的第一侧面通过所述中间闸门阀1170、1172连接于所述第一移送腔室1200，所述第二移送腔室1300的第二侧面、第三侧面以及第四侧面连接工艺腔室1112、1114、1132、1134、1152、1154。
在根据前述的结构的基板处理装置4000中，连接于所述第二移送腔室1300的第四侧面的工艺腔室可以由第二工艺腔室1132、1134构成。
即，可以是，在所述第一移送腔室1200的第二侧面以及第三侧面连接第一工艺腔室1612、1614、1652、1654，并在所述第二移送腔室1300的第二侧面以及第三侧面连接第一工艺腔室1112、1114、1152、1154，并且所述第二移送腔室1300的与所述中间装载锁定腔室181面对的第四侧面连接所述第二工艺腔室1132、1134。
在这种情况下，所述第一工艺腔室1612、1614、1652、1654、1112、1114、1152、1154可以以所述第二工艺腔室1132、1134为中心大致对称地配置。当具有这种配置时，可以最大程度地减小第一工艺腔室1612、1614、1652、1654、1112、1114、1152、1154和第二工艺腔室1132、1134之间的基板S的移动距离或者移动时间。
另一方面，在根据图8的基板处理装置4000中，所述第二工艺腔室1132，1134的数量以及位置举了一例说明，可以适当变形。
以下，参照图9至图13，观察通过所述基板处理装置4000对所述基板S1、S2进行工艺的步骤。
首先，在被引入到所述装载锁定腔室180之前的所述基板S1、S2大致具有常温的温度，并且作用于所述基板S1、S2的应力(压缩应力或者拉伸应力)可以大致在150MPa以下。
具有前述的条件的基板S1、S2可以如图9所示被引入到所述装载锁定腔室180，并且通过设置于所述装载锁定腔室180的所述温度调节装置400预热(preheating)到第一温度。
在这种情况下，可以根据所述基板S1、S2的工艺条件等适当地调节所述第一温度。例如，在所述基板S1、S2的上面蒸镀薄膜的第一处理工艺为在550℃至650℃的高温中蒸镀硬掩模膜的工艺时，所述第一温度可以确定为大致400℃。
即，可以是，所述基板S1、S2在所述装载锁定腔室180中预热到所述第一温度，并且通过所述预热步骤消除所述基板S1、S2的应力。
接着，所述基板S1、S2可以如图10所示被移送到所述第一工艺腔室1612、1624而执行在所述基板S1、S2的上面蒸镀薄膜的第一处理工艺。
在这种情况下，所述第一处理工艺可以相当于如前述的在550℃至650℃的高温中蒸镀硬掩模膜的工艺。
如上所述，在所述基板S1、S2的上面蒸镀薄膜时，作用于所述基板S1、S2的应力可以增大，例如可以增大到250Mpa以上。
若比作用于所述基板S1、S2的应力更大，则所述基板S1、S2的弯曲程度增大，从而固定所述基板S1、S2的静电卡盘(未图示)的夹具(chucking)可以被解开。
因此，在本发明中，在所述第一处理工艺之后，如图11所示，可以将所述基板S1、S2移送到中间装载锁定腔室181，通过所述第二温度调节装置410冷却到第二温度。
在本实施例的情况下，设置了中间装载锁定腔室181，因此为了执行所述冷却步骤，所述基板S1、S2不移送到前端的装载锁定腔室180而是移送到后端的中间装载锁定腔室181来执行冷却步骤。
因此，可以是，通过所述装载锁定腔室180针对其它基板进行工艺，从而提高针对基板的工艺速度并且提高生产量(throughput)。
将所述基板S1、S2冷却到所述第二温度，从而能够缓解作用于所述基板S1、S2的应力。
在这种情况下，可以是，所述第二温度设定为各种温度，例如，所述第二温度设定为与所述第一温度相同。即，可以是，所述第二温度设定为大致400℃，但与所述第一处理工艺的工艺温度相比温度较低，因此所述第二温度处理的工艺命名为冷却工艺。
接着，所述基板S1、S2可以如图12所示被移送到所述第二工艺腔室1132、1134而进行在所述基板S1、S2的下面蒸镀应力补偿薄膜的第二处理工艺。
所述第二处理工艺的工艺温度可以相当于如前述的大致是400℃至550℃。
通过所述第二处理工艺，可以消除在所述冷却步骤之后残留在所述基板S1、S2的应力。例如，作用于经过所述第二处理工艺的所述基板S1、S2的应力可以大致是150Mpa以下。
在经过所述第二处理工艺后，根据需要，可以如图13所示将所述基板S1、S2移送到所述第一工艺腔室1112、1114并反复执行所述第一处理工艺的步骤。
反复所述第一处理工艺时，可以通过连接于第二移送腔室1300的第一工艺腔室1112、1114、1154、1152执行第一处理工艺，而不是通过连接于所述第一移送腔室1200的第一工艺腔室1612、1614、1654、1652。
因此，可以是，通过缩短基板S1、S2的移动距离来减少工艺所需的时间，并且更有效地执行针对基板S1、S2的处理工艺。
反复所述第一处理工艺后，可以结束针对所述基板S1、S2的处理工艺。
或者反复所述第一处理工艺后，可以反复执行冷却所述基板S1、S2，并执行在所述基板S1、S2的下面蒸镀应力补偿膜的第二处理工艺，并且针对所述基板S1、S2进行第一处理工艺的步骤。
另一方面，图14是根据又另一实施例的基板处理装置5000的平面图。
参照图14，根据本实施例的基板处理装置5000可以在一个腔室2100内侧设置有处理基板的多个站点2200、2220、2300、2320。
即，如图14所示，可以在所述腔室2100内侧设置有安放并处理基板的多个站点2200、2220、2300、2320。在图中仅示出为四个站点2200、2220、2300、2320，但这仅是一例，所述站点2200、2220、2300、2320的数量可以适当变形。
另一方面，在所述腔室2100的一侧可以形成引入所述基板的引入口(未图示)和引出所述基板的引出口(未图示)。
另外，在所述腔室2100的大致中央部可以配置使基板在所述站点2200、2220、2300、2320之间移动的移动件(未图示)。所述移动件可以配置为能够在所述腔室2100的中央部旋转以及升降，起到将所述基板S在所述站点2200、2220、2300、2320之间起到移动的作用。
如上所述，当在所述单个腔室2100的内侧设置多个站点2200、2220、2300、2320时，可能需要在每个站点2200、2220、2300、2320之间进行工艺划分的手段。即，当在相邻站点2200、2220、2300、2320之间进行不同工艺时，为了不降低工艺的效率且不影响其它站点2200、2220、2300、2320的工艺，有必要划分站点2200、2220、2300、2320。
这种划分手段可以以各种形式实现。例如，在所述多个站点2200、2220、2300、2320之间可以供应诸如惰性气体的帘式气体来划分每个站点2200、2220、2300、2320。在这种情况下，所述惰性气体可以从所述腔室2100的底部、天花板以及侧面中的至少一处向腔室2100内侧供应。另外，也可以在所述腔室2100的中央部供应惰性气体而更明确地划分每个站点2200、2220、2300、2320。如上所述，当供应惰性气体时，在所述腔室2100可以连接用于排出前述的惰性气体在内的残留气体的排气装置。
另一方面，所述多个站点2200、2220、2300、2320也可以进行物理划分。在这种情况下，当每个站点2200、2220、2300、2320之间用阻挡板完全隔离时，站点2200、2220、2300、2320之间的基板无法移动，因此彼此划分为多个站点2200、2220、2300、2320且基板能够移动的所谓“半封闭或半隔离”形式来划分。
例如，每个站点2200、2220、2300、2320之间用阻挡板等划分时，也可以在所述阻挡板设置移动基板的开口部。通过这样的开口部，多个站点2200、2220、2300、2320可以保持半封闭或半隔离的状态而不是完全隔离。
另一方面，所述多个站点2200、2220、2300、2320中的至少一部分可以在所述基板的下面蒸镀薄膜。即，在所述多个站点2200、2220中的一部分可以在所述基板的上面蒸镀薄膜，并且所述多个站点2300、2320中的其余部分在所述基板的下面蒸镀薄膜。
最终，根据本实施例的基板处理装置5000可以在一个腔室2100内侧一并设置有在基板的上面蒸镀薄膜的站点2200、2220和在所述基板的下面蒸镀薄膜的站点2300、2320。
以下，为了便于说明，执行在所述基板的上面蒸镀薄膜的第一处理工艺的站点称为第一站点2200、2220，执行在所述基板的下面蒸镀薄膜的第二处理工艺的站点称为第二站点2300、2320。
在根据图14的基板处理装置5000中，在所述腔室2100的内侧可以交替配置所述第一站点2200、2220和第二站点2300、2320。
即，所述第一站点2200、2220和第二站点2300、2320在内侧沿所述腔室2100的内侧中的一方向依次配置。
在这种情况下，可以通过前述的移动件在站点2200、2220、2300、2320之间移动基板，在每个站点2200、2220、2300、2320中执行第一处理工艺或者第二处理工艺。
另外，在根据本实施例的基板处理装置5000中，控制部可以反复交替执行针对所述基板的所述第一站点2200、2220的第一处理工艺以及所述第二站点2300、2320的第二处理工艺，以使得在所述基板的上面蒸镀非晶碳膜至目标厚度。
通过控制部对所述基板S进行第一处理工艺以及第二处理工艺的顺序、反复次数等的调节与前述的实施例类似，因此省略了反复说明。
另一方面，图15是根据又另一实施例的基板处理装置6000的平面图。
参照图15，根据本实施例的基板处理装置6000可以在一个腔室3100内侧设置有处理基板的多个站点3200、3220、3300、3320，并且所述第一站点3200、3220和第二站点3300、3320分别连续配置于所述腔室3100的内侧。
即，所述第一站点3200、3220和第二站点3300、3320可以在所述腔室3100的内侧沿着一方向分别连续配置两个以上。
在图15中示出了第一站点3200、3220以及第二站点3300、3320两个连续配置的结构，但这仅是一例，可以适当变形。
通过控制部对所述基板S进行第一处理工艺以及第二处理工艺的顺序、反复次数等的调节与前述的实施例类似，因此省略了反复说明。
以上，参照本发明的优选实施例进行了说明，但相关技术领域的人员可以实施在不超出所附的权利要求书中记载的本发明的构思以及领域的范围内对本发明进行各种修改及变更。因此，如果变形后的实施基本上包括本发明的权利要求书的技术特征，则应视为均包括在本发明的技术范畴内。

Claims (18)

1.一种基板处理装置，进行针对基板的处理工艺，其特征在于，
所述基板处理装置具备：
移送腔室，移送所述基板；
多个工艺腔室，连接于所述移送腔室，并进行针对所述基板的处理工艺；以及
控制部，控制所述工艺腔室的驱动，
所述多个工艺腔室中的一部分由在所述基板的上面蒸镀薄膜的第一工艺腔室构成，其余部分由在所述基板的下面蒸镀薄膜的第二工艺腔室构成，
所述第一工艺腔室以所述第二工艺腔室为中心对称配置并连接于所述移送腔室。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述第二工艺腔室的数量构成为所述第一工艺腔室的数量以下。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述控制部中存储所述基板的大小、直径、厚度、与对所述基板已经执行的前处理工艺有关的信息、与以后对所述基板执行的后处理工艺有关的信息、与根据对所述基板已经执行的前处理工艺的基板的翘曲程度以及根据以后对所述基板执行的后处理工艺的基板的预想翘曲程度有关的信息中的至少一个，
所述控制部基于针对所述基板的存储的信息来调节针对所述基板的所述第一工艺腔室的第一处理工艺以及所述第二工艺腔室的第二处理工艺的顺序以及反复次数。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置还具备：
感测构件，感测所述基板的上面或者下面的薄膜的厚度或者所述基板的翘曲程度，
所述控制部基于在所述感测构件中感测到的信息来调节针对所述基板的所述第一工艺腔室的第一处理工艺以及所述第二工艺腔室的第二处理工艺的顺序以及反复次数。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述第一工艺腔室中在所述基板的上面蒸镀非晶碳膜。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部交替反复执行针对所述基板的所述第一工艺腔室的第一处理工艺以及所述第二工艺腔室的第二处理工艺，以使得在所述基板的上面蒸镀所述非晶碳膜至目标厚度。
7.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置还具备：
装载锁定腔室，与所述移送腔室连接，
在所述装载锁定腔室设置有调节所述基板的温度的温度调节装置。
8.一种基板处理装置，进行针对基板的处理工艺，其特征在于，
所述基板处理装置具备：
工艺腔室，进行针对所述基板的处理工艺；
多个站点，设置在所述工艺腔室的内侧，安放并处理供所述基板；以及
控制部，控制所述多个站点的驱动，
所述多个站点中的一部分由在所述基板的上面蒸镀薄膜的第一站点构成，其余部分由在所述基板的下面蒸镀薄膜的第二站点构成。
9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
向所述多个站点之间供应帘式气体来划分各站点，或者将所述多个站点物理划分且所述多个站点划分为所述基板能够移动的半封闭或半隔离形式。
10.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述控制部中存储所述基板的大小、直径、厚度、与对所述基板已经执行的前处理工艺有关的信息、与以后对所述基板执行的后处理工艺有关的信息、与根据对所述基板已经执行的前处理工艺的基板的翘曲程度以及根据以后对所述基板执行的后处理工艺的基板的预想翘曲程度有关的信息中的至少一个，
所述控制部基于针对所述基板的存储的信息来调节针对所述基板的所述第一站点的第一处理工艺以及所述第二站点的第二处理工艺的顺序以及反复次数。
11.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
所述基板处理装置还具备：
感测构件，感测所述基板的上面或者下面的薄膜的厚度或者所述基板的翘曲程度，
所述控制部基于在所述感测构件中感测到的信息来调节针对所述基板的所述第一站点的第一处理工艺以及所述第二站点的第二处理工艺的顺序以及反复次数。
12.根据权利要求8所述的基板处理装置，其特征在于，
所述控制部交替反复执行针对所述基板的所述第一站点的第一处理工艺以及所述第二站点的第二处理工艺，以使得在所述基板的上面蒸镀所述非晶碳膜至目标厚度。
13.一种基板处理装置的基板处理方法，所述基板处理装置具备：装载锁定腔室，设置有调节基板的温度的温度调节装置；一个以上的第一工艺腔室，连接于所述装载锁定腔室，并在基板的上面蒸镀薄膜；一个以上的第二工艺腔室，在所述基板的下面蒸镀薄膜，其特征在于，
所述基板处理方法包括：
将所述基板在所述装载锁定腔室中预热到第一温度的步骤；
在所述第一工艺腔室中在所述基板的上面蒸镀薄膜的步骤；
将所述基板在所述装载锁定腔室中冷却到第二温度的步骤；以及
在所述第二工艺腔室中在所述基板的下面蒸镀应力补偿膜的步骤。
14.根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述第一工艺腔室中在所述基板的上面蒸镀非晶碳膜。
15.根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，
所述第二工艺腔室的工艺温度低于所述第一工艺腔室的工艺温度。
16.根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，
将所述基板在所述装载锁定腔室中预热的第一温度低于所述第一工艺腔室的工艺温度。
17.根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，
所述第二温度设定为与所述第一温度相同。
18.根据权利要求13所述的基板处理方法，其特征在于，
接着在所述第二工艺腔室中在所述基板的下面蒸镀应力补偿膜的步骤之后，
将所述基板移送到所述第一工艺腔室，并反复执行在所述基板的上面蒸镀薄膜的步骤。
CN202310645969.3A 2022-06-02 2023-06-02 基板处理装置以及基板处理方法 Pending CN117165906A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2022-0067876 2022-06-02
KR1020220099335A KR20240020964A (ko) 2022-08-09 2022-08-09 기판처리방법
KR10-2022-0099335 2022-08-09

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117165906A true CN117165906A (zh) 2023-12-05

Family

ID=88932535

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310645969.3A Pending CN117165906A (zh) 2022-06-02 2023-06-02 基板处理装置以及基板处理方法

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20240020964A (zh)
CN (1) CN117165906A (zh)

Also Published As

Publication number Publication date
KR20240020964A (ko) 2024-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4554078B2 (ja) 基板処理システム、および基板をロードする方法
KR100847888B1 (ko) 반도체 소자 제조 장치
US8246284B2 (en) Stacked load-lock apparatus and method for high throughput solar cell manufacturing
JP4327599B2 (ja) ウエーハ取り扱い装置及び方法
KR100778958B1 (ko) 적층 어닐링 시스템
JP5419708B2 (ja) 真空処理装置及び基板処理方法
JP2008520837A (ja) ウエハファブ
JP2001135704A (ja) 基板処理装置及び基板搬送用トレイの搬送制御方法
JP6049394B2 (ja) 基板処理システム及び基板の搬送制御方法
US11600503B2 (en) High-throughput, multi-chamber substrate processing system
KR101760667B1 (ko) 고생산성 박막증착이 가능한 원자층 증착 시스템
KR20060118591A (ko) 기판 처리 장치 및 반도체 디바이스 제조 방법
WO2016043083A1 (ja) 基板搬送方法及び処理システム
CN117165906A (zh) 基板处理装置以及基板处理方法
US20230392262A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2006190968A (ja) 半導体素子製造装置
US11127616B2 (en) Substrate accommodation device
KR20230167676A (ko) 기판처리장치
KR20210024108A (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP2006222328A (ja) 基板処理装置
JP4082775B2 (ja) 真空処理方法およびその装置
KR101958411B1 (ko) 막 증착 장치 및 방법
KR102342029B1 (ko) 자동 물류 원자층 증착 시스템
KR101914771B1 (ko) 막 증착 방법
KR20230090503A (ko) 기판 처리 시스템 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination