CN117143605A - 一种用于ito透明导电膜的蚀刻液添加剂、蚀刻液及其制备方法 - Google Patents

一种用于ito透明导电膜的蚀刻液添加剂、蚀刻液及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN117143605A
CN117143605A CN202310847991.6A CN202310847991A CN117143605A CN 117143605 A CN117143605 A CN 117143605A CN 202310847991 A CN202310847991 A CN 202310847991A CN 117143605 A CN117143605 A CN 117143605A
Authority
CN
China
Prior art keywords
ito
etching solution
additive
acid
transparent conductive
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310847991.6A
Other languages
English (en)
Inventor
徐萍
张伟
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Jiangsu Jingjiu Microelectronic Materials Co ltd
Original Assignee
Jiangsu Jingjiu Microelectronic Materials Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Jiangsu Jingjiu Microelectronic Materials Co ltd filed Critical Jiangsu Jingjiu Microelectronic Materials Co ltd
Priority to CN202310847991.6A priority Critical patent/CN117143605A/zh
Publication of CN117143605A publication Critical patent/CN117143605A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5873—Removal of material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K13/00—Etching, surface-brightening or pickling compositions
    • C09K13/04—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid
    • C09K13/06—Etching, surface-brightening or pickling compositions containing an inorganic acid with organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/08—Oxides
    • C23C14/086—Oxides of zinc, germanium, cadmium, indium, tin, thallium or bismuth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/58—After-treatment
    • C23C14/5846—Reactive treatment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本发明一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液添加剂，包括以下组分：PH调节剂，质量百分比为0.5%‑40%；复合表面活性剂，质量百分比为2%‑40%；超纯水，质量百分比为20%‑97.5%。一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液，包括添加剂和基础液，添加剂相对蚀刻液的质量百分比为0.05%‑5%，基础液包括草酸和水，草酸和水的质量百分比为（3%‑5%）:（95%‑97%）。一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液的制备方法，包括以下步骤：将质量百分比为20%‑97.5%的超纯水、质量百分比为0.5%‑40%的PH调节剂、质量百分比为2%‑40%的复合表面活性剂搅拌得到添加剂；将添加剂按照质量百分比为0.05%‑5%添加至ITO基础液中，搅拌过滤得到ITO蚀刻液。本发明的添加剂可以抑制起泡现象，降低液体表面的张力，提升蚀刻良率，可以增大ITO材料的溶解度。

Description

一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液添加剂、蚀刻液及其制备 方法
技术领域
本发明属于蚀刻液添加剂制备技术领域，具体涉及一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液添加剂、蚀刻液及其制备方法。
背景技术
氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)薄膜材料具有低电阻率、高可见光透过率、高红外反射、对基片附着力强等优点，而被广泛用于形成LED芯片中的透明导电层，或LCD、AMOLED、EL显示屏的像素显示电极等。
ITO膜是利用溅射法或者外延表层蒸镀成膜的方法而形成在玻璃等基板上。ITO膜分为多晶ITO膜和非晶质ITO膜，不同种的ITO膜用的蚀刻液组分均不同，但对于不同种类的ITO蚀刻液，所需要的功能性添加剂的目的均是一样的。添加功能性添加剂的主要目的：降低ITO蚀刻液的表面张力，以免对ITO层浸润不足，导致蚀刻后微晶体留存：在保持蚀刻性能的同时，增加蚀刻液蚀刻寿命；抑制蚀刻液的起泡效果，若蚀刻液起泡效果显著，则影响基板与蚀刻液的接触，同时，泡沫过多，会影响机台液面控制，导致机台停止使用，影响生产，因此，需要减少泡沫；在减少泡沫及降低残渣时，添加的表面活性类物质，由于添加量较多，造成光刻胶变形，从而降低了CD-Loss和taper的均一性，因此，需要减少对纳米级别光刻胶的损伤。
发明内容
为了克服现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液添加剂、蚀刻液及其制备方法，旨在解决现有技术中的如下技术问题：
（1）蚀刻液在添加常规的添加剂后，导致起泡效果显著，影响基板与蚀刻液的接触，影响生产。
（2）目前的蚀刻液中ITO材料溶解度较低，导致无法完全去除溶解去除未被光刻胶覆盖的ITO，容易对光刻胶造成变形影响的问题。
本发明的目的通过以下技术方案实现：
一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液添加剂，所述添加剂的原料包括以下组分：
PH调节剂，其质量百分比为0.5%-40%；
复合表面活性剂，其质量百分比为2%-40%；
超纯水，其质量百分比为20%-97.5%。
为优化上述技术方案，采取的具体措施还包括：
进一步地，所述PH调节剂采用酸性化合物与碱性化合物组合而成，所述酸性化合物的质量百分比为0.1%-10%，所述碱性化合物的质量百分比为0.4%-30%。
进一步地，所述酸性化合物由无机酸、有机酸中的一种或多种组合而成，所述碱性化合物由无机碱或有机碱中的一种或多种组合而成。
进一步地，所述无机酸为盐酸、硫酸、硝酸、磷酸中的一种或多种组合而成，所述有机酸为草酸、正乙酸、正己酸、正戊酸、正庚酸、正辛酸中的一种或多种组合而成。
进一步地，所述无机碱为氢氧化铵，所述有机碱为烷醇胺类化合物、烷基胺类化合物，烷基季铵类化合物中的一种或多种组合而成。
进一步地，所述复合表面活性剂包括壬基酚聚氧乙烯醚 、聚醚、甘油聚醚脂肪酸酯、甘油聚醚酯、乙二醇丁醚、乙二醇甲醚、异丁醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、丙三醇、聚乙二醇、丙酮酸钠、丙二酸钠、甲酸钠、甲酸铵、乳酸钠、琥珀酸钠、烷基磺酸钠、仲烷基磺酸钠 、仲烷基硫酸酯钠、脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚、己内多酯多元醇-多乙烯亚胺嵌段共聚物、丙烯酸酯高分子型、磷酸酯类中的一种或多种组合而成。
一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液，包括添加剂和基础液，所述添加剂相对蚀刻液的质量百分比为0.05%-5%，所述基础液包括草酸和水，所述草酸和水的质量百分比为（3%-5%）:（95%-97%）。
一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液的制备方法，包括如下步骤：
在混配罐中添加质量百分比为20%-97.5%的超纯水；
在搅拌状态下加入质量百分比为0.5%-40%的PH调节剂、质量百分比为2%-40%的复合表面活性剂，搅拌均匀得到ITO蚀刻液添加剂；
将ITO蚀刻液添加剂按照质量百分比为0.05%-5%添加至ITO基础液中，搅拌均匀并过滤得到ITO蚀刻液。
进一步地，所述PH调节剂中的酸性化合物或碱性化合物浓度不小于99wt%。
进一步地，所述超纯水的电阻不低于18.25 MΩ·cm。
附图说明
图1为本发明一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液的制备方法的流程图。
图2（a）为未使用本发明蚀刻液添加剂的草酸蚀刻液蚀刻后的ITO结构的扫描电镜图。
图2（b）为图2（a）的局部放大图。
图3（a）为使用本发明蚀刻液添加剂的草酸蚀刻液蚀刻后的ITO结构的扫描电镜图。
图3（b）为图2（a）的局部放大图。
图4（a）为实施例1中采用含0ppmITO粉末的草酸蚀刻液蚀刻后的ITO的扫描电镜图。
图4（b）为实施例1中采用含1000ppmITO粉末的草酸蚀刻液蚀刻后的ITO的扫描电镜图。
图4（c）为实施例1中采用含3000ppmITO粉末的草酸蚀刻液蚀刻后的ITO的扫描电镜图。
本发明的有益效果：
本发明的添加剂所采用的成分配比组合，可以抑制起泡现象，起泡现象轻微，不会影响基板与蚀刻液的接触，同时能够降低液体表面的张力，可以很好的在精密的线路中间渗入及铺展，提升蚀刻良率。同时该添加剂与蚀刻液融合之后，可以增大ITO材料的溶解度，将覆盖在基板上的微晶进行溶解，提高了基础液的使用寿命。
具体实施方式
为了便于本领域技术人员的理解，下面结合实施例对本发明作进一步的说明，实施方式提及的内容并非对本发明的限定。
实施方式一
一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液添加剂，该添加剂的原料包括以下组分：
PH调节剂，其质量百分比为0.5%-40%；
复合表面活性剂，其质量百分比为2%-40%；
超纯水，其质量百分比为20%-97.5%。
其中，PH调节剂采用酸性化合物与碱性化合物组合而成，酸性化合物的质量百分比为0.1%-10%，该酸性化合物由无机酸、有机酸中的一种或多种组合而成，本申请中的无机酸为盐酸、硫酸、硝酸、磷酸中的一种或多种组合而成，本申请中的有机酸为草酸、正乙酸、正己酸、正戊酸、正庚酸、正辛酸中的一种或多种组合而成。
碱性化合物的质量百分比为0.4%-30%，该碱性化合物也由无机碱或有机碱中的一种或多种组合而成；无机碱为氢氧化铵，有机碱为烷醇胺类化合物、烷基胺类化合物，烷基季铵类化合物中的一种或多种组合而成，具体而言，烷醇胺类化合物包括单乙醇胺、单异丙醇胺、正丙醇胺、单甲基乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺等；烷基胺类化合物包括甲胺、乙胺、丙胺、二甲胺、二乙胺、二丙胺、三甲胺、三乙胺、三丙胺等；烷基季铵类化合物包括氢氧化四甲基铵等。
复合表面活性剂包括壬基酚聚氧乙烯醚 、聚醚、甘油聚醚脂肪酸酯、甘油聚醚酯、乙二醇丁醚、乙二醇甲醚、异丁醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、丙三醇、聚乙二醇、丙酮酸钠、丙二酸钠、甲酸钠、甲酸铵、乳酸钠、琥珀酸钠、烷基磺酸钠、仲烷基磺酸钠 、仲烷基硫酸酯钠、脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚、己内多酯多元醇-多乙烯亚胺嵌段共聚物、丙烯酸酯高分子型、磷酸酯类中的一种或多种组合而成。
实施方式二
一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液，该蚀刻液包括添加剂和基础液，所述添加剂相对蚀刻液的质量百分比为0.05%-5%，所述基础液包括草酸和水，所述草酸和水的质量百分比为（3%-5%）:（95%-97%）。
实施方式三
如图1所示，一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液的制备方法，包括如下步骤：
在混配罐中添加质量百分比为20%-97.5%的超纯水，该超纯水的电阻不低于18.25MΩ·cm；
在搅拌状态下加入质量百分比为0.5%-40%的PH调节剂、质量百分比为2%-40%的复合表面活性剂，搅拌均匀得到ITO蚀刻液添加剂，该PH调节剂中的酸性化合物或碱性化合物浓度不小于99wt%；
将ITO蚀刻液添加剂按照质量百分比为0.05%-5%添加至ITO基础液中，搅拌均匀并过滤得到ITO蚀刻液。
根据上述添加剂的配比组合，选取多个分配比组合提供以下多个实施例和多个对比例。
实施例1
制备蚀刻液添加剂：
PH调节剂采用盐酸和单异丙醇胺组合而成，其中盐酸的质量百分比为0.5%，单异丙醇胺的质量百分比为2%；复合表面活性剂采用丙二酸钠、聚乙二醇200和十二烷基酚聚氧乙烯醚组合而成，其中丙二酸钠的质量百分比为1%，聚乙二醇200的质量百分比为4%，十二烷基酚聚氧乙烯醚的质量百分比为1%；超纯水的质量百分比为91.5%。
如图4所示，检测ITO残留：
A1：将0ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液一；将混合液一对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻；获得蚀刻特征图一。
B1：将1000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液二；将混合液二对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻；获得蚀刻特征图二。
C1：将3000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液三；将混合液三对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻；获得蚀刻特征图三。
泡沫测量：
将含有上述一定比例ITO蚀刻液添加剂的蚀刻液装入500ML样品瓶内，上下摇晃30次，静置5s观察泡沫情况。
如图1-4所示，上述A1、B1、C1中的设定时间段均相同，设定温度也均相同，本申请中采用40度，蚀刻特征图一、二、三均采用电子显微镜观察获得。A1、B1、C1中均无ITO残留，泡沫高度低于0.5cm。
实施例2
制备蚀刻液添加剂：
PH调节剂采用硫酸和单异丙醇胺组合而成，其中硫酸的质量百分比为1%，单异丙醇胺的质量百分比为0.5%；复合表面活性剂采用异丁醇、聚乙二醇200和辛基酚聚氧乙烯醚组合而成，其中异丁醇的质量百分比为1%，聚乙二醇200的质量百分比为4%，基酚聚氧乙烯醚的质量百分比为1%；超纯水的质量百分比为92.5%。
检测ITO残留：
A2：将0ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液一；将混合液一对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
B2：将1000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液二；将混合液二对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
C2：将3000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液三；将混合液三对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
泡沫测量：
将含有上述一定比例ITO蚀刻液添加剂的蚀刻液装入500ML样品瓶内，上下摇晃30次，静置5s观察泡沫情况。
上述A2、B2、C2中的设定时间段均相同，设定温度也均相同，本申请中采用40度。A2、B2、C2中均无ITO残留，泡沫高度在0.5-1cm。
实施例3
制备蚀刻液添加剂：
PH调节剂采用硫酸和单异丙醇胺组合而成，其中硫酸的质量百分比为2%，单异丙醇胺的质量百分比为0.5%；复合表面活性剂采用十二烷基苯磺酸钠、聚乙二醇200和异构十三醇聚氧乙烯醚组合而成，其中十二烷基苯磺酸钠的质量百分比为0.5%，聚乙二醇200的质量百分比为4%，异构十三醇聚氧乙烯醚的质量百分比为1%；超纯水的质量百分比为92%。
检测ITO残留：
A3：将0ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液一；将混合液一对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
B3：将1000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液二；将混合液二对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
C3：将3000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液三；将混合液三对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
泡沫测量：
将含有上述一定比例ITO蚀刻液添加剂的蚀刻液装入500ML样品瓶内，上下摇晃30次，静置5s观察泡沫情况。
上述A3、B3、C3中的设定时间段均相同，设定温度也均相同，本申请中采用40度。A3、B3、C3中均无ITO残留，泡沫高度在0.5-1cm。
实施例4
制备蚀刻液添加剂：
PH调节剂采用盐酸和二乙胺组合而成，其中硫酸的质量百分比为1%，二乙胺的质量百分比为0.5%；复合表面活性剂采用月桂酸聚氧乙烯醚、聚乙二醇600和异构十三醇聚氧乙烯醚磷酸酯组合而成，其中月桂酸聚氧乙烯醚的质量百分比为1%，聚乙二醇600的质量百分比为2%，异构十三醇聚氧乙烯醚磷酸酯的质量百分比为1%；超纯水的质量百分比为94.5%。
检测ITO残留：
A4：将0ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液一；将混合液一对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
B4：将1000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液二；将混合液二对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
C4：将3000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液三；将混合液三对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
泡沫测量：
将含有上述一定比例ITO蚀刻液添加剂的蚀刻液装入500ML样品瓶内，上下摇晃30次，静置5s观察泡沫情况。
上述A4、B4、C4中的设定时间段均相同，设定温度也均相同，本申请中采用40度。A4、B4、C4中均无ITO残留，泡沫高度低于0.5cm。
对比例1
制备常规的蚀刻液添加剂：包括复合表面活性剂和超纯水。
复合表面活性剂采用异丁醇、聚乙二醇600和十二烷基酚聚氧乙烯醚，其中异丁醇的质量百分比为1%、聚乙二醇600的质量百分比为2%、十二烷基酚聚氧乙烯醚的质量百分比为1%，超纯水的质量百分比为96%。
检测ITO残留：
A5：将0ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液一；将混合液一对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
B5：将1000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液二；将混合液二对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
C5：将3000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液三；将混合液三对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
泡沫测量：
将含有上述一定比例ITO蚀刻液添加剂的蚀刻液装入500ML样品瓶内，上下摇晃30次，静置5s观察泡沫情况。
上述A5、B5、C5中的设定时间段均相同，设定温度也均相同，本申请中采用40度。A5中含有微量ITO残留，B5和C5中含有少量ITO残留，泡沫高度超过1cm。
对比例2
制备常规的蚀刻液添加剂：包括PH调节剂、复合表面活性剂和超纯水。
PH调节剂包括硫酸和单异丙醇胺，其中硫酸的质量百分比为1%，单异丙醇胺的质量百分比为0.5%；复合表面活性剂采用聚乙二醇200和辛基酚聚氧乙烯醚，其中聚乙二醇200的质量百分比为3%、辛基酚聚氧乙烯醚的质量百分比为1%，超纯水的质量百分比为94.5%。
检测ITO残留：
A6：将0ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液一；将混合液一对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
B6：将1000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液二；将混合液二对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
C6：将3000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液三；将混合液三对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
泡沫测量：
将含有上述一定比例ITO蚀刻液添加剂的蚀刻液装入500ML样品瓶内，上下摇晃30次，静置5s观察泡沫情况。
上述A6、B6、C6中的设定时间段均相同，设定温度也均相同，本申请中采用40度。A6和B6中均无ITO残留，C6中含有微量ITO残留，泡沫高度位于0.5-1cm。
对比例3
制备常规的蚀刻液添加剂：包括PH调节剂、复合表面活性剂和超纯水。
PH调节剂包括硫酸和单异丙醇胺，其中硫酸的质量百分比为1%，单异丙醇胺的质量百分比为0.5%；复合表面活性剂采用聚乙二醇600和十二烷基酚聚氧乙烯醚，其中聚乙二醇600的质量百分比为2%、十二烷基酚聚氧乙烯醚的质量百分比为1%，超纯水的质量百分比为95.5%。
检测ITO残留：
A7：将0ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液一；将混合液一对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
B7：将1000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液二；将混合液二对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
C7：将3000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液三；将混合液三对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
泡沫测量：
将含有上述一定比例ITO蚀刻液添加剂的蚀刻液装入500ML样品瓶内，上下摇晃30次，静置5s观察泡沫情况。
上述A7、B7、C7中的设定时间段均相同，设定温度也均相同，本申请中采用40度。A7和B7中均无ITO残留，C7含有微量ITO残留，泡沫高度位于0.5-1cm。
对比例4
制备常规的蚀刻液添加剂：包括PH调节剂、复合表面活性剂和超纯水。
PH调节剂包括硫酸和单异丙醇胺，其中硫酸的质量百分比为1%，单异丙醇胺的质量百分比为0.5%；复合表面活性剂采用聚乙二醇600和十二烷基酚聚氧乙烯醚，其中聚乙二醇600的质量百分比为2%、十二烷基酚聚氧乙烯醚的质量百分比为1%，超纯水的质量百分比为95.5%。
检测ITO残留：
A7：将0ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液一；将混合液一对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
B7：将1000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液二；将混合液二对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
C7：将3000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液三；将混合液三对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
泡沫测量：
将含有上述一定比例ITO蚀刻液添加剂的蚀刻液装入500ML样品瓶内，上下摇晃30次，静置5s观察泡沫情况。
上述A6、B6、C6中的设定时间段均相同，设定温度也均相同，本申请中采用40度。A7、B7、C7中均无ITO残留，泡沫高度位于0.5-1cm。
对比例5
制备常规的蚀刻液添加剂：包括PH调节剂、复合表面活性剂和超纯水。
PH调节剂包括硝酸和异丙醇胺，其中硝酸的质量百分比为1%，异丙醇胺的质量百分比为0.5%；复合表面活性剂采用聚乙二醇600和十二烷基酚聚氧乙烯醚，其中聚乙二醇600的质量百分比为3%、十二烷基酚聚氧乙烯醚的质量百分比为1%，超纯水的质量百分比为94.5%。
检测ITO残留：
A8：将0ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液一；将混合液一对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
B8：将1000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液二；将混合液二对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
C8：将3000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液三；将混合液三对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
泡沫测量：
将含有上述一定比例ITO蚀刻液添加剂的蚀刻液装入500ML样品瓶内，上下摇晃30次，静置5s观察泡沫情况。
上述A8、B8、C8中的设定时间段均相同，设定温度也均相同，本申请中采用40度，蚀刻特征图一、二、三均采用电子显微镜观察获得。A8、B8、C8中均无ITO残留，泡沫高度位于0.5-1cm。
对比例6
制备常规的蚀刻液添加剂：包括PH调节剂、复合表面活性剂和超纯水。
PH调节剂包括硫酸和单甲基乙醇胺，其中硫酸的质量百分比为2%，单甲基乙醇胺的质量百分比为0.5%；复合表面活性剂采用异丙醇和聚乙烯吡咯烷酮，其中异丙醇的质量百分比为1%、聚乙烯吡咯烷酮的质量百分比为2%，超纯水的质量百分比为94.5%。
检测ITO残留：
A9：将0ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液一；将混合液一对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
B9：将1000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液二；将混合液二对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
C9：将3000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液三；将混合液三对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
泡沫测量：
将含有上述一定比例ITO蚀刻液添加剂的蚀刻液装入500ML样品瓶内，上下摇晃30次，静置5s观察泡沫情况。
上述A9、B9、C9中的设定时间段均相同，设定温度也均相同，本申请中采用40度。A9中无ITO残留，B9中含有微量的ITO残留，C9中含有少量的ITO残留，泡沫高度低于0.5cm。
对比例7
制备常规的蚀刻液添加剂：包括PH调节剂、复合表面活性剂和超纯水。
PH调节剂包括硫酸和二乙胺，其中硫酸的质量百分比为1%，二乙胺的质量百分比为0.5%；复合表面活性剂采用丙二酸钠、聚乙烯吡咯烷酮和十二烷基酚聚氧乙烯醚，其中丙二酸钠的质量百分比为1%、聚乙烯吡咯烷酮的质量百分比为1%、十二烷基酚聚氧乙烯醚的质量百分比为1%，超纯水的质量百分比为95.5%。
检测ITO残留：
A10：将0ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液一；将混合液一对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
B10：将1000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液二；将混合液二对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
C10：将3000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液三；将混合液三对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
泡沫测量：
将含有上述一定比例ITO蚀刻液添加剂的蚀刻液装入500ML样品瓶内，上下摇晃30次，静置5s观察泡沫情况。
上述A10、B10、C10中的设定时间段均相同，设定温度也均相同，本申请中采用40度。A10、B10、C10中均无ITO残留，且泡沫高度低于0.5cm。
对比例8
制备常规的蚀刻液添加剂：包括PH调节剂、复合表面活性剂和超纯水。
PH调节剂包括硫酸和单异丙醇胺，其中硫酸的质量百分比为1%，单异丙醇胺的质量百分比为1%；复合表面活性剂采用异丁醇和N,N-二甲氨基二膦酸，其中异丁醇的质量百分比为1%、N,N-二甲氨基二膦酸的质量百分比为2%，超纯水的质量百分比为95%。
检测ITO残留：
A11：将0ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液一；将混合液一对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
B11：将1000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液二；将混合液二对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
C11：将3000ppmITO蚀刻液粉末加入根据上述方法制备得到的ITO蚀刻液中，得到混合液三；将混合液三对ITO膜层在设定时间段、设定温度下进行蚀刻。
上述A11、B11、C11中的设定时间段均相同，设定温度也均相同，本申请中采用40度。A11和B11中均无ITO残留，但是C11中含有微量的ITO残留；A11、B11、C11中的泡沫高度低于0.5cm。
根据上述的实施例和对比例可知，采用本申请的成分配比组合的添加剂，可以抑制起泡现象，起泡现象轻微，不会影响基板与蚀刻液的接触，同时能够降低液体表面的张力，可以很好的在精密的线路中间渗入及铺展，提升蚀刻良率；同时该添加剂与蚀刻液融合之后，可以增大ITO材料的溶解度，将覆盖在基板上的微晶进行溶解，提高了基础液的使用寿命。
以上所述的仅是本发明的实施例，方案中公知的特性等常识在此未作过多描述，所属领域普通技术人员知晓申请日或者优先权日之前发明所属技术领域所有的普通技术知识，能够获知该领域中所有的现有技术，并且具有应用该日期之前常规实验手段的能力，所属领域普通技术人员可以在本申请给出的启示下，结合自身能力完善并实施本方案，一些典型的公知方法不应当成为所属领域普通技术人员实施本申请的障碍。应当指出，对于本领域的技术人员来说，在不脱离本发明的前提下，还可以作出若干变形和改进，这些也应该视为本发明的保护范围，这些都不会影响本发明实施的效果和专利的实用性。本申请要求的保护范围应当以其权利要求的内容为准，说明书中的具体实施方式等记载可以用于解释权利要求的内容。

Claims (10)

1.一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液添加剂，其特征在于，所述添加剂的原料包括以下组分：
PH调节剂，其质量百分比为0.5%-40%；
复合表面活性剂，其质量百分比为2%-40%；
超纯水，其质量百分比为20%-97.5%。
2.根据权利要求1所述的一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液添加剂，其特征在于：所述PH调节剂采用酸性化合物与碱性化合物组合而成，所述酸性化合物的质量百分比为0.1%-10%，所述碱性化合物的质量百分比为0.4%-30%。
3.根据权利要求2所述的一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液添加剂，其特征在于：所述酸性化合物由无机酸、有机酸中的一种或多种组合而成，所述碱性化合物由无机碱或有机碱中的一种或多种组合而成。
4.根据权利要求3所述的一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液添加剂，其特征在于：所述无机酸为盐酸、硫酸、硝酸、磷酸中的一种或多种组合而成，所述有机酸为草酸、正乙酸、正己酸、正戊酸、正庚酸、正辛酸中的一种或多种组合而成。
5.根据权利要求3所述的一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液添加剂，其特征在于：所述无机碱为氢氧化铵，所述有机碱为烷醇胺类化合物、烷基胺类化合物，烷基季铵类化合物中的一种或多种组合而成。
6.根据权利要求1所述的一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液添加剂，其特征在于：所述复合表面活性剂包括壬基酚聚氧乙烯醚 、聚醚、甘油聚醚脂肪酸酯、甘油聚醚酯、乙二醇丁醚、乙二醇甲醚、异丁醇、丁醇、乙二醇、丙二醇、丙三醇、聚乙二醇、丙酮酸钠、丙二酸钠、甲酸钠、甲酸铵、乳酸钠、琥珀酸钠、烷基磺酸钠、仲烷基磺酸钠 、仲烷基硫酸酯钠、脂肪醇聚氧乙烯醚、烷基酚聚氧乙烯醚、己内多酯多元醇-多乙烯亚胺嵌段共聚物、丙烯酸酯高分子型、磷酸酯类中的一种或多种组合而成。
7.一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液，其特征在于：包括添加剂和基础液，所述添加剂相对蚀刻液的质量百分比为0.05%-5%，所述基础液包括草酸和水，所述草酸和水的质量百分比为（3%-5%）:（95%-97%）。
8.一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在混配罐中添加质量百分比为20%-97.5%的超纯水；
在搅拌状态下加入质量百分比为0.5%-40%的PH调节剂、质量百分比为2%-40%的复合表面活性剂，搅拌均匀得到ITO蚀刻液添加剂；
将ITO蚀刻液添加剂按照质量百分比为0.05%-5%添加至ITO基础液中，搅拌均匀并过滤得到ITO蚀刻液。
9.根据权利要求8所述的一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液的制备方法，其特征在于，所述PH调节剂中的酸性化合物或碱性化合物浓度不小于99wt%。
10.根据权利要求8所述的一种用于ITO透明导电膜的蚀刻液的制备方法，其特征在于：所述超纯水的电阻不低于18.25 MΩ·cm。
CN202310847991.6A 2023-07-12 2023-07-12 一种用于ito透明导电膜的蚀刻液添加剂、蚀刻液及其制备方法 Pending CN117143605A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310847991.6A CN117143605A (zh) 2023-07-12 2023-07-12 一种用于ito透明导电膜的蚀刻液添加剂、蚀刻液及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202310847991.6A CN117143605A (zh) 2023-07-12 2023-07-12 一种用于ito透明导电膜的蚀刻液添加剂、蚀刻液及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN117143605A true CN117143605A (zh) 2023-12-01

Family

ID=88883069

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202310847991.6A Pending CN117143605A (zh) 2023-07-12 2023-07-12 一种用于ito透明导电膜的蚀刻液添加剂、蚀刻液及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN117143605A (zh)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7507350B2 (en) Etching liquid composition
CN111423883B (zh) 一种有源矩阵有机发光二极体显示器用阳极蚀刻液
CN103911156B (zh) 用于金属氧化物层的蚀刻剂组合物
TW200951205A (en) Cleaning and etching composition for glass substrate of liquid crystal display device and etching method for glass substrate using the same
KR20090064367A (ko) 에칭액 조성물
CN102241985A (zh) 透明导电膜湿法蚀刻液组合物
KR20150143308A (ko) 전도성 고분자 잉크 조성물
TWI636157B (zh) 銀蝕刻液組合物和使用了其的顯示基板
CN102637591A (zh) 一种氧化物半导体上电极层的刻蚀方法
CN101691660A (zh) 一种用于单晶硅绒面制备的添加剂
CN117143605A (zh) 一种用于ito透明导电膜的蚀刻液添加剂、蚀刻液及其制备方法
KR20090082772A (ko) 산화 인듐 주석막 식각용 식각액 조성물 및 이를 이용한산화 인듐 주석막 식각 방법
CN109233837A (zh) 面板显示阵列制程用新型草酸系ito蚀刻液
CN114891509A (zh) 一种高选择性的缓冲氧化物蚀刻液
CN101585662A (zh) 平板显示用刻蚀液
TW201249964A (en) Texture etching solution composition and texture etching method of crystalline silicon wafers
CN102191565B (zh) 一种单晶硅制绒液及其使用方法
CN109439329A (zh) 平板显示阵列制程用新型igzo蚀刻液
CN106635445A (zh) 一种led显示屏抗静电清洗剂
CN113801660B (zh) 一种长蚀刻寿命的氧化铟锡蚀刻液
CN102585832A (zh) 一种低张力ito蚀刻液及其制备方法
CN102226087B (zh) 透明导电膜湿法蚀刻液组合物
JP2011138937A (ja) 透明導電膜用エッチング液
TWI803390B (zh) 蝕刻液組成物及其蝕刻方法
CN108149247A (zh) 一种薄膜晶体管用蚀刻液的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination