CN117134107A - 天线、电路板及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本申请提供了一种天线、电路板及电子设备，天线包括设于基板的第一辐射体和第二辐射体。基板具有第一结构层和第二结构层，第一结构层设有第一镂空区域，第二结构层设有第二镂空区域，第一辐射体架设于第一镂空区域内，第二辐射体架设于第二镂空区域内；沿基板的厚度方向，第一辐射体和第二辐射体间隔设置。基板还具有接地层，第二辐射体的两端分别连接于接地层以接地。第一辐射体设有第一缝隙，并且，第一辐射体的第一端连接于接地层以接地。本申请的天线能够有效增加辐射体口径，使得天线的磁场分布更加均匀，进而能够在满足相同天线性能的条件下，有效减小天线所需的净空面积，进而有助于电子设备的小型化。

Description

天线、电路板及电子设备
技术领域
本申请涉及天线领域，尤其是涉及一种天线、电路板及电子设备。
背景技术
为了应对市场需求与增加核心卖点，对电子设备(例如蓝牙耳机)的功能要求越来越多，导致电子设备(例如蓝牙耳机)内部的空间堆叠挑战越来越大，天线作为电子设备中用于信号传输的重要媒介，因而，如何满足更多功能要求的同时实现天线的小型化是亟待解决的重要问题。
现有技术中，可以采用高介电常数的陶瓷基板减小天线的尺寸，或者采用激光直接成型技术通过将天线弯曲镭雕在支架上，进而减小天线的空间占用率。
然而，采用高介电常数的陶瓷基板或者采用激光直接成型技术的成本较高，并且，采用高介电常数的陶瓷基板的方案(或可理解为板载陶瓷天线)还需要为天线预留较大的净空面积。
可见，现有技术存在成本高且净空面积要求高的问题。
发明内容
本申请实施例提供了一种天线，电路板及电子设备，解决了现有技术成本高且净空面积要求高的问题。
本申请实施例提供了一种天线，包括设于基板的第一辐射体和第二辐射体。
基板具有第一结构层和第二结构层，第一结构层设有第一镂空区域，第二结构层设有第二镂空区域，第一辐射体架设于第一镂空区域内，第二辐射体架设于第二镂空区域内；沿基板的厚度方向，第一辐射体和第二辐射体间隔设置。
基板还具有接地层，第二辐射体的两端分别连接于接地层以接地。
第一辐射体上设有第一缝隙，并且，第一辐射体的第一端连接于接地层以接地。
本申请实施例中，通过在基板的第一镂空区域架设第一辐射体，在基板的第二镂空区域架设第二辐射体，或可理解为在基板上采用双层走线的结构，能够有效增加辐射体口径(或可理解为辐射体的长度)，使得天线的磁场分布更加均匀，进而能够在净空面积一定的条件下有效提高天线的效率，或可理解为，在满足相同天线性能的条件下，本申请能够有效减小天线所需的净空面积，进而有助于电子设备的小型化。并且本申请实施例无需在第一辐射体和第二辐射体之间打金属过孔，第一辐射体的一端接地，第二辐射体两端接地的连接方式使得天线的结构更加简单。
此外，本申请实施例无需选用高介电常数的介质材料作为基板，也无需采用激光直接成型技术形成天线结构，因而本申请实施例的天线具有结构简单，成本低廉的优点。
在一些实施例中，第二辐射体上设有第二缝隙。
在一些实施例中，第一辐射体的第一缝隙相对的两侧串接有第一电容，和/或，第二辐射体的第二缝隙相对的两侧串接有第二电容。
在一些实施例中，0.2pF≤第一电容的电容值≤3pF，0.2pF≤第二电容的电容值≤3pF。
本申请实施例中，通过在第一辐射体上串接第一电容和/或在第二辐射体上串接第二电容并匹配相应的电容值，能够有效提高天线阻抗的感性，降低天线的品质因素值(或可理解为Q值)，进而能够提高天线的辐射效率和带宽。
在一些实施例中，第一缝隙在第一辐射体相对的两个侧边上分别形成第一缺口和第二缺口，第一缺口和第二缺口沿第一辐射体的延伸方向错位分布。
和/或，第二辐射体的第二缝隙在第二辐射体相对的两个侧边上分别形成第三缺口和第四缺口，第三缺口和第四缺口沿第二辐射体的延伸方向错位分布。
本申请实施例中，通过将第一缝隙在第一辐射体的两个侧边产生的第一缺口和第二缺口错位设置，以及将第二缝隙在第二辐射体的两个侧边产生的第三缺口和第四缺口错位设置，能够有效增大第一缝隙两侧辐射体相对的面积(缝隙两侧辐射体相对的部分可看作是等效电容的极板)以及第二缝隙两侧辐射体相对的面积，利用辐射体的自身结构构造出天线的分布式电容，能够有效加深天线的谐振深度，进而提高天线的效率带宽。
在一些实施例中，第一缝隙呈锯齿状或者呈插指状，第二缝隙呈锯齿状或者插指状。
在一些实施例中，沿第一辐射体的延伸方向，第一缝隙位于第一辐射体的中间位置处；沿第二辐射体的延伸方向，第二辐射体的第二缝隙位于第二辐射体的中间位置处。
在一些实施例中，天线还包括设于基板的馈电点，其中，第一辐射体的第二端与馈电点连接，或者第一辐射体的第二端与馈电点耦合。
在一些可能的实施例中，天线还包括馈电枝节，馈电枝节连接于馈电点，并与第一辐射体间隔设置形成间隙，第一辐射体的第二端通过间隙与馈电枝节耦合。
在一些可能的实施例中，第一辐射体的第二端通过微带线连接于馈电点。
本申请实施例中，采用微带线直接将辐射体接入馈电点的方式，相较于采用弹片接入馈电点的方式，不仅能够减小物料成本，还能够避免弹片易与辐射体或者馈电点接触不良的问题，有效提高天线馈电连接的可靠性。
在一些实施例中，第一辐射体和第二辐射体的电长度均小于或等于天线工作波长的1/8。
在一些实施例中，天线的工作频段为2.4GHz～2.48GHz，6mm≤第一辐射体的物理长度≤12mm，6mm≤第二辐射体的物理长度≤12mm。
本申请还提供了一种电路板，包括基板，以及上述实施例以及可能的实施例所涉及的天线。
本申请还提供了一种电子设备，包括上述实施例以及可能的实施例中所涉及的电路板。
由于天线具有较小的尺寸、较优的效率和带宽，因而本申请实施例的电子设备相较于传统的电子设备能够布置更多的天线以满足更多的功能需求，或可理解为，在满足同样功能需求的条件下，本申请实施例的电子设备更加小型化。
在一些实施例中，基板具有多层金属层，多层金属层包括第一金属层和第二金属层，第一结构层包括第一金属层，第二结构层包括第二金属层。
在一些可能的实施例中，第一结构层为第一金属层，第二结构层为第二金属层。
在一些可能的实施例中，第二金属层作为接地层。
在一些实施例中，基板具有第一表面和第二表面，第二表面与第一表面相对设置，多层金属层中最靠近第一表面的金属层为第一金属层，多层金属层中最靠近第二表面的金属层为第二金属层。
在一些实施例中，第一辐射体包括第一金属层的至少部分，第二辐射体包括第二金属层的至少部分。
本申请实施例的电子设备，利用基板内金属层作为天线的辐射体，有助于简化的电子设备的结构，进一步的，由于天线的辐射体是基板内金属层的至少部分形成的，其与基板内的金属层是一体结构，相较于采用弹片电连接、焊接电连接等电连接方式，本申请实施例加工简单且电连接可靠性高。
在一些实施例中，第一辐射体包括设于基板上的微带线或者设于基板上的导电件。
第二辐射体包括设于基板上的微带线或者设于基板上的导电件。
在一些实施例中，电子设备还包括用于支撑第一辐射体和第二辐射体的介质结构件，介质结构件设于第一辐射体和第二辐射体之间。
在一些实施例中，基板为PCB板，PCB板包括介质层，介质结构件包括介质层的至少部分。
在一些实施例中，电子设备为蓝牙耳机。
附图说明
图1a为本申请实施例天线与基板的俯视结构示意图；
图1b为本申请实施例天线与基板的立体结构示意图；
图1c为本申请实施例天线与基板的俯视局部放大结构示意图；
图2a为本申请实施例天线与基板的立体结构示意图，其中，第一缝隙和第二缝隙均呈锯齿状；
图2b为申请实施例天线与基板的立体结构示意图，其中，第一缝隙呈插指状；
图3为申请实施例天线与基板的立体结构示意图，其中，虚线箭头示出了天线和地板上的电流方向；
图4为对本申请实施例天线进行仿真效果分析获得的电场分布图；
图5为对本申请实施例天线、第一种参考设计的天线分别进行仿真效果分析获得的S11参数对比效果曲线图；
图6为对本申请实施例天线、第二种参考设计的天线以及第三种参考设计的天线分别进行仿真效果分析获得的辐射效率对比曲线图；
图7为对本申请实施例天线、第二种参考设计的天线以及第三种参考设计的天线分别进行仿真效果分析获得的系统效率对比效果曲线图；
图8为第四种参考设计天线的立体结构示意图；
图9为分别对本申请实施例天线、第四种参考设计的天线分别进行仿真效果分析获得的S11参数对比效果曲线图和系统效率对比效果曲线图；
图10为分别对本申请实施例天线、第四种参考设计的天线分别进行仿真效果分析获得的辐射效率对比效果曲线图；
图11、图12分别为对第四种参考设计的天线、本申请实施例天线进行仿真效果分析获得的能量拆解效果曲线图；
图13、图14分别为对第四种参考设计的天线、本申请实施例天线进行仿真效果分析获得的磁场分布图；
图15为本申请实施例电子设备的立体结构爆炸图；
图16为本申请实施例电子设备的局部结构示意图；
图17a为本申请实施例电子设备中天线与基板的局部放大结构示意图；
图17b为本申请实施例电子设备中天线与基板的局部立体结构示意图；
图18为第五种参考设计的天线与基板的局部立体结构示意图；
图19为本申请实施例电子设备在头模场景下的立体结构示意图；
图20为分别对本申请实施例天线、第五种参考设计的天线在头模场景下进行仿真效果分析获得的S11参数对比效果曲线图；
图21为分别对本申请实施例天线、第五种参考设计的天线在头模场景下进行仿真效果分析获得的系统效率对比效果曲线图；
图22a～图22c均为对本申请实施例天线、第五种参考设计的天线在头模场景下进行仿真效果分析获得的辐射方向对比效果曲线图；
图23为本申请实施例电子设备的局部结构示意图；
图24a为本申请实施例电子设备中天线与基板的局部放大结构示意图；
图24b为本申请实施例电子设备中天线与基板的局部立体结构示意图；
图25为第六种参考设计的天线与基板的局部立体结构示意图；
图26为分别对本申请实施例天线、第六种参考设计的天线在头模场景下进行仿真效果分析获得的S11参数对比效果曲线图；
图27为分别对本申请实施例天线、第六种参考设计的天线在头模场景下进行仿真效果分析获得的系统效率对比效果曲线图；
图28为分别对本申请实施例天线、第六种参考设计的天线在头模场景下进行仿真效果分析获得的辐射效率对比效果曲线图；
图29a～图29c均为对本申请实施例天线、第六种参考设计的天线在头模场景下进行仿真效果分析获得的辐射方向对比效果曲线图。
附图标记说明：
1：天线；
11：第一辐射体；110：第一缝隙；1101：第一缺口；1102：第二缺口；12：第二辐射体；120：第二缝隙；1201：第三缺口；1202：第四缺口；
2：电路板；
20：基板；21：第一结构层；210：第一镂空区域；22：第二结构层；220：第二镂空区域；23：介质结构件；
3：电子设备；311：耳包外壳；321：前壳；322：后壳；33：PCB板；
A0：馈电连接点；B1：第一端；B2：第二端；C1：第一电容；C2：第二电容；d：厚度方向；I：电流方向；L1：延伸方向；L2：延伸方向；S1：第一表面；S2：第二表面。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本申请的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭示的内容轻易地了解本申请的其他优点及功效。虽然本申请的描述将结合一些实施例一起介绍，但这并不代表此申请的特征仅限于该实施方式。恰恰相反，结合实施方式作申请介绍的目的是为了覆盖基于本申请的权利要求而有可能延伸出的其它选择或改造。为了提供对本申请的深度了解，以下描述中将包含许多具体的细节。本申请也可以不使用这些细节实施。此外，为了避免混乱或模糊本申请的重点，有些具体细节将在描述中被省略。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
应注意的是，在本说明书中，相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义，则在随后的附图中不需要对其进行进一步定义和解释。
以下，对本申请实施例可能出现的术语进行解释。
在本申请的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
相对设置：可理解为面对面(opposite to,或是face to face)设置或者沿某一方向上有至少部分区域重叠设置。在一个实施例中，两个相对设置的辐射体为相邻设置且其间没有设置其他辐射体。
耦合：可理解为直接耦合和/或间接耦合，“耦合连接”可理解为直接耦合连接和/或间接耦合连接。直接耦合又可以称为“电连接”，理解为元器件物理接触并电导通；也可理解为线路构造中不同元器件之间通过印制电路板(printed circuit board，PCB)铜箔或导线等可传输电信号的实体线路进行连接的形式；“间接耦合”可理解为两个导体通过隔空/不接触的方式电导通。在一个实施例中，间接耦合也可以称为电容耦合，例如通过两个导电件间隔的间隙之间的耦合形成等效电容来实现信号传输。
地/地板：可泛指电子设备(比如手机)内任何接地层、或接地板、或接地金属层等的至少一部分，或者上述任何接地层、或接地板、或接地部件等的任意组合的至少一部分，“地/地板”可用于电子设备内元器件的接地。一个实施例中，“地/地板”可以包括以下任一个或多个：电子设备的电路板的接地层、电子设备中框形成的接地板、屏幕下方的金属薄膜形成的接地金属层、电池的导电接地层，和与上述接地层/接地板/金属层有电连接的导电件或金属件。一个实施例中，电路板可以包括印刷电路板(printed circuit board，PCB)，例如具有8、10、12、13或14层导电材料的8层、10层或12至14层板，或者通过诸如玻璃纤维、聚合物等之类的介电层或绝缘层隔开和电绝缘的元件。一个实施例中，PCB板包括介质基板(或可理解为后文提及的介质层)、接地层和走线层，走线层和接地层通过过孔进行电连接。PCB板中的介质基板可以为采用耐燃材料(FR-4)介质板，也可以采用罗杰斯(Rogers)介质板，也可以采用Rogers和FR-4的混合介质板。一个实施例中，诸如显示器、触摸屏、输入按钮、发射器、处理器、存储器、电池、充电电路、片上系统(system on chip，SoC)结构等部件可以安装在电路板上或连接到电路板；或者电连接到电路板中的走线层和/或接地层。例如，射频源设置于走线层。
上述任何接地层、或接地板、或接地金属层由导电材料制得。一个实施例中，该导电材料可以采用以下材料中的任一者：铜、铝、不锈钢、黄铜和它们的合金、绝缘基片上的铜箔、绝缘基片上的铝箔、绝缘基片上的金箔、镀银的铜、绝缘基片上的镀银铜箔、绝缘基片上的银箔和镀锡的铜、浸渍石墨粉的布、涂覆石墨的基片、镀铜的基片、镀黄铜的基片和镀铝的基片。本领域技术人员可以理解，接地层/接地板/接地金属层也可由其它导电材料制得。
电长度：电长度可以是指，物理长度(即机械长度或几何长度)乘以电或电磁信号在媒介中的传输时间与这一信号在自由空间中通过跟媒介物理长度一样的距离时所需的时间的比来表示，电长度可以满足以下公式：
其中，L为物理长度，a为电或电磁信号在媒介中的传输时间，b为在自由空间中的传输时间。
或者，电长度也可以是指物理长度(即机械长度或几何长度)与所传输电磁波的波长之比，电长度可以满足以下公式：
其中，L为物理长度，λ为电磁波的波长。
本申请的实施例中，天线的某种波长模式(如二分之一波长模式等)中的波长可以是指该天线辐射的信号的波长。例如，悬浮金属天线的二分之一波长模式可产生包括1.575GHz的频段的谐振，其中二分之一波长模式中的波长可以指天线辐射1.575GHz频段的信号的波长。应理解的是，辐射信号在空气中的波长可以如下计算：空气波长(或真空波长)＝光速/频率，其中频率为辐射信号的频率(例如1575MHz)，光速可以取3×108m/s。辐射信号在介质中的波长可以如下计算：其中，ε为该介质的相对介电常数，频率为辐射信号的频率。以上实施例中的缝隙、槽中可以填充绝缘介质。
本申请实施例中提及的共线、共轴、共面、对称(例如，轴对称、或中心对称等)、平行、垂直、相同(例如，长度相同、宽度相同等等)等这类限定，均是针对当前工艺水平而言的，而不是数学意义上绝对严格的定义。共线的两个辐射体的边缘之间在线宽方向上可以存在小于预定阈值(例如1mm，0.5m，或0.1mm)的偏差。共面的两个辐射体的边缘之间在垂直于其共面平面的方向上可以存在小于预定阈值(例如1mm，0.5m，或0.1mm)的偏差。相互平行或垂直的两个辐射体之间可以存在预定角度(例如±5°，±10°)的偏差。
为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请的实施方式作进一步地详细描述。
本申请提供的技术方案适用于具有以下一种或多种通信技术的电子设备：蓝牙(bluetooth，BT)通信技术、全球定位系统(global positioning system，GPS)通信技术、无线保真(wireless fidelity，WiFi)通信技术、全球移动通讯系统(global system formobile communications，GSM)技术、宽频码分多址(wideband code division multipleaccess，WCDMA)通信技术、长期演进(long term evolution，LTE)通信技术、5G通信技术、SUB-6G通信技术以及未来其它通信技术等。本申请实施例中的电子设备可以是手机、平板电脑、笔记本电脑、智能音箱、智能家居、智能手环、智能手表、智能头盔、智能眼镜、无人机、无线穿戴、车载模块(例如车载T-BOX，Telematics BOX)、蓝牙耳机等。蓝牙耳机具体可例如，真正无线立体声(True Wireless Stereo，TWS)蓝牙耳机等。电子设备还可以是具有无线通信功能的手持设备、计算设备或连接到无线调制解调器的其它处理设备、车载设备，5G网络中的电子设备或者未来演进的公用陆地移动通信网络(public land mobilenetwork，PLMN)中的电子设备、无线路由或客户前置设备(Customer Premise Equipment，CPE)等，本申请实施例对此并不限定。
请参见图1a～图1c，图1a为本申请实施例天线与基板的俯视结构示意图，图1b为本申请实施例天线与基板的立体结构示意图，图1c为本申请实施例天线与基板的俯视局部放大结构示意图。本申请实施例提供了一种天线1，包括设于基板20的第一辐射体11和第二辐射体12。
基板20具有第一结构层21和第二结构层22，第一结构层21设有第一镂空区域210，第二结构层22设有第二镂空区域220，第一辐射体11架设于第一镂空区域210内，第二辐射体12架设于第二镂空区域220内。沿基板20的厚度方向d，第一辐射体11和第二辐射体12间隔设置。在一个实施方式中，第一结构层21为基板20的第一金属层，第二结构层22为基板20的第二金属层，第一金属层和第二金属层在基板的厚度方向d上间隔设置。本领域技术人员可以理解的是，在可替代的其它实施方式中，第一结构层21和第二结构层22也可为基板的其它结构层，比如介质层等。
应可理解，本申请中的“镂空区域”指的是用于容置辐射体(例如第一辐射体11或第二辐射体12)的空间，其可以是贯穿结构层的，例如，沿第一结构层21的厚度方向，第一镂空区域210贯穿第一结构层21，沿第二结构层22的厚度方向，第二镂空区域220贯穿第二结构层22。“镂空区域”也可以是开设在结构层上的凹槽，例如，第一镂空区域210是开设在第一结构层21上的凹槽，第二镂空区域220是开设在第二结构层22上凹槽。
一个实施方式中，第一辐射体11的延伸方向L1和第二辐射体12的延伸方向L2为同一方向，或可理解为，第一辐射体11和第二辐射体12是平行设置的，其他可替代的实施方式中，第一辐射体11和第二辐射体12也可以是不平行的。
一个实施方式中，第一辐射体11和第二辐射体12沿基板20的厚度方向d是部分重叠的，其他可替代的实施方式中，第一辐射体11和第二辐射体12沿基板20的厚度方向d也可以是错位的。
基板20还具有接地层，第二辐射体12的两端分别连接于接地层以接地。一个实施方式中，第二结构层22作为接地层。其他可替代的实施方式中，第一结构层21也可作为接地层，第一结构层21、第二结构层22与接地层也可为基板20中三个不同的结构层。
第一辐射体11设有第一缝隙110，并且，第一辐射体11的第一端B1连接于接地层以接地。
本申请实施例中，通过在基板20的第一镂空区域210架设第一辐射体11，在基板20的第二镂空区域220架设第二辐射体12，能够有效增加辐射体口径(或可理解为辐射体的长度)，使得天线的磁场分布更加均匀，进而能够在净空面积一定的条件下有效提高天线的效率，或可理解为，在满足相同天线性能的条件下，本申请能够有效减小天线所需的净空面积，进而有助于电子设备的小型化。在一个实施例中，第一辐射体11可以包括基板20上第一层的第一走线，第二辐射体12可以包括基板20上第二层的第二走线，或可理解为，基板20采用双层走线的结构实现第一辐射体11和第二辐射体12。在一个实施例中，第一辐射体和第二辐射体分别通过基板20的接地层接地，而无需在第一辐射体和第二辐射体之间打金属过孔；具体地，第一辐射体的一端接地，第二辐射体两端接地的连接方式使得天线的结构更加简单，有助于简化加工工艺，并且成本低廉。
天线1在基板20的位置不限，请参见图1a，为了使天线更好地向外辐射，一个实施方式中，天线1位于基板20的边缘处。其中，基板20可例如是PCB板。第一辐射体11和第二辐射体12的形成方式不限。一个实施方式中，第一辐射体11和第二辐射体12可以是设于基板20上的金属微带线形成的。一个实施方式中，第一辐射体11和第二辐射体12可以是设于基板20上的金属导电件形成的。其中，金属导电件指的是除了金属微带线以外的能够设于基板20上的导电件，例如金属贴片等等。
第一辐射体11和第二辐射体12的形状不限，可以是条形、L形、U形、弧形、折线形、曲线形等，还可以是以上任意形状组合后的异形结构。
一个实施方式中，第一辐射体11和第二辐射体12可以是由基板20(例如PCB板)内的金属层的至少部分形成的，进一步的，第一辐射体11和第二辐射体12可以是基板20(例如PCB板)中的任意两个不同层的金属层形成的。一个实施方式中，第二辐射体12是基板20(例如PCB板)中的金属接地层形成的。其他可替代的实施方式中，第一辐射体11或第二辐射体12也可以是不同走线相连形成的，例如第一辐射体11(或者第二辐射体12)可以是由微带线、金属导电件、PCB板中的金属层等等中的任意两个或多个拼接形成的。第一辐射体11和第二辐射体12的宽度不限，沿辐射体的延伸方向，辐射体的宽度可以是均匀的，也可以是不均匀的，例如辐射体的局部可以是加宽或者缩窄的。辐射体的宽度不限，一个实施方式中，辐射体的宽度大约为0.2mm～0.5mm，例如0.3mm、0.4mm等等。
沿基板20的厚度方向d，第一辐射体11和第二辐射体12在基板20上的设置位置不限。请参见图1b，基板20具有相对设置的第一表面S1和第二表面S2。一个实施方式中，第一辐射体11位于基板20的第一表面S1(或可理解为正面)所在的平面，第二辐射体12位于基板20的第二表面S2(或可理解为背面)所在的平面。一种举例的实施方式中，第一辐射体11是基板20正面的金属层形成的，第二辐射体12是基板20背面的金属层形成的，其他举例中，第一辐射体11和第二辐射体12可以是基板20内部任意两个不同的金属层形成的。
一个实施方式中，基板20具有多层金属层，所述多层金属层中最靠近第一表面S1的金属层为第一金属层，多层金属层中最靠近第二表面S2的金属层为第二金属层。一个实施方式中，第一辐射体11位于基板20中最靠近第一表面S1(或可理解为正面)的金属层，第二辐射体12位于基板20中最靠近第二表面S2(或可理解为背面)的金属层。其他可替代的实施方式中，第一辐射体11和第二辐射体12也可以位于基板第一表面S1和第二表面S2之间的任意两个不同的平面上。
一个实施方式中，请参见图2b，第一辐射体11和第二辐射体12之间还设有介质结构件23，介质结构件23用于支撑第一辐射体11和第二辐射体12，介质结构件23的材质不限，一个实施方式中，介质结构件23是基板20(例如PCB板)中的介质板的至少部分形成的，这样结构简单，工艺简单，成本低。可替代的其他实施方式中，介质结构件23也可以同时包括PCB板中的介质板的至少部分以及其他高介电常数(比如陶瓷)的介质板。
本申请的馈电方式不限，一个实施方式中，请参见图1b，第一辐射体11的第二端B2设有馈电连接点A0，第一辐射体11通过馈电连接点A0连接于馈电点(图中未示出)。一个实施方式中，天线1还包括馈电枝节(图中未示出)，馈电枝节(图中未示出)连接于馈电点(图中未示出)，并与第一辐射体11间隔设置形成间隙，第一辐射体11的第二端B2通过间隙与馈电枝节(图中未示出)耦合。
一个实施方式中，第一辐射体11的第二端B2通过微带线连接于馈电点(图中未示出)。采用微带线直接将辐射体接入馈电点的方式，相较于采用弹片接入馈电点的方式，不仅能够减小物料成本，还能够避免弹片易与辐射体或者馈电点接触不良的问题，有效提高天线馈电连接的可靠性。
需要说明的是，本申请中的馈电点可理解为射频源的一个信号输出端，例如可以是射频芯片的输出引脚，还可以是用于连接射频源的信号传输线的一端，只要能够通过该馈电点电连接于射频源并接收射频信号，就不脱离本实施例的范围。
请参见图1b，在一个实施方式中，第二辐射体12设有第二缝隙120。其中，第一缝隙110和第二缝隙120在辐射体上的位置不限。一个实施方式中，沿第一辐射体11的延伸方向L1，第一缝隙110位于第一辐射体11的中间位置处；沿第二辐射体12的延伸方向L2，第二辐射体12的第二缝隙120位于第二辐射体12的中间位置处。
本领域技术人员可以理解的是，辐射体(例如第一辐射体11、第二辐射体12)的中间位置可理解为包括辐射体的几何结构的中点，或者，包括辐射体电长度的中点，或者包括上述中点附近一定范围内的区域，例如辐射体的中间位置包括中点附近1mm的区域或中点附近2mm的区域。
其他可替代的实施方式中，第一缝隙110也可以位于第一辐射体11靠近第一端B1的位置处，或者靠近第二端B2的位置处，第二缝隙120可以位于第二辐射体12靠近两端中任一端的位置处，等等。
在一个实施方式中，第一缝隙110相对的两侧串接有第一电容C1，第二辐射体12的第二缝隙120相对的两侧串接有第二电容C2。其他可替代的实施方式中，也可以是仅第一缝隙110相对的两侧串接有第一电容C1，或者，可以是仅第二辐射体12的第二缝隙120相对的两侧串接有第二电容C2。
第一电容C1和第二电容C2的参数选型可根据实际设计需要调整，一个实施方式中，0.2pF≤第一电容C1的电容值≤3pF，0.2pF≤第二电容C2的电容值≤3pF，进一步的，第一电容C1的电容值可例如为：0.2pF～1.5pF，第二电容C2的电容值可例如为：＜1pF。
本申请实施例中，通过在第一辐射体11上串接第一电容C1和/或在第二辐射体12上串接第二电容C2并匹配相应的电容值(或可理解为串接集总电容的方式)，能够有效提高天线阻抗的感性，降低天线的品质因素值(或可理解为Q值)，进而能够提高天线的辐射效率和带宽。
本领域技术人员可以理解的是，天线匹配网络中并联的电容值越大，所带来的器件损耗也会越大，本申请实施例天线能够有效提升天线阻抗的实部，增大阻抗的收敛性，进而降低匹配器件带来的损耗，从而提升天线的辐射效率。
一个实施方式中，第一辐射体11和第二辐射体11的电长度均小于或等于天线工作波长的1/8。一个实施方式中，天线应用于蓝牙天线，天线的工作频段为2.4GHz～2.48GHz，第一辐射体11和第二辐射体12的物理长度均大于6mm且小于12mm，或者等于6mm或12mm。一种举例的实施方式中，天线1应用于蓝牙频段，第一辐射体11和第二辐射体12的物理长度均为6.3mm，大约为天线工作波长的1/16，其他实施方式中，天线也可应用于WIFI天线，天线的工作频段可例如是2.4GHz～2.5GHz，相应的，第一辐射体11和第二辐射体12的物理长度也可以是其他数值，天线还可应用于GPS天线，天线的工作频段可例如是1.5GHz～1.6GHz，相应的，第一辐射体11和第二辐射体12的物理长度也可以是其他数值。
需要说明的是，辐射体(例如第一辐射体11和第二辐射体12)的物理长度与多种影响因素有关，例如，天线的工作频段、介质结构件的介电常数等等，本领域技术人员应理解的是，以上辐射体的物理长度均为举例说明，其他应用场景中，也可以是其他数值。
请参见图2a和图2b，图2a和图2b均为本申请实施例天线与基板的立体结构示意图。一个实施方式中，如图2a所示，第一缝隙110在第一辐射体11相对的两个侧边上分别形成第一缺口1101和第二缺口1102，第一缺口1101和第二缺口1102沿第一辐射体11的延伸方向L1错位分布。第二辐射体12的第二缝隙120在第二辐射体12相对的两个侧边上分别形成第三缺口1201和第四缺口1202，第三缺口1201和第四缺口1202沿第二辐射体12的延伸方向L2错位分布。一个实施方式中，如图2a所示，第一缝隙110和第二缝隙120均呈锯齿状，一个实施方式中，如图2b所示，第一缝隙110和第二缝隙(图中未示出)均呈插指状，其他可替代实施方式中，第一缝隙110和第二缝隙120的形状可以是不同的，例如第一缝隙110呈锯齿状，第二缝隙120呈插指状，或者，第一缝隙110呈插指状，第二缝隙120呈锯齿状等等。
本申请实施例中，通过将第一缝隙110在第一辐射体11的两个侧边产生的第一缺口1101和第二缺口1102错位设置，以及将第二缝隙120在第二辐射体12的两个侧边产生的第三缺口1201和第四缺口1202错位设置，能够有效增大第一缝隙110两侧辐射体相对的面积(缝隙两侧辐射体相对的部分可看作是等效电容的极板)以及第二缝隙120两侧辐射体相对的面积，利用辐射体的自身结构构造出天线的分布式电容，能够有效加深天线的谐振深度，进而提高天线的效率带宽。
本领域技术人员可以理解的是，第一辐射体11和第二辐射体12上设置的电容也可分别采用集总电容或分布式电容方式，例如第一缝隙110内串接电容C1，第二缝隙120呈锯齿状或者插指状，或者第二缝隙120内串接电容C2，第一缝隙110呈锯齿状或者插指状等等，本申请对此不作限定。
请参见图1a～图3，本申请还提供了一种电路板2，包括基板20，以及上述各实施例及实施方式所涉及的天线1。
采用仿真软件对谐振频点处于2.44GHz的本实施例天线进行仿真分析并获得了如图3和图4所示的仿真效果图，图3为申请实施例天线与基板的立体结构示意图，图4为对本申请实施例天线进行仿真效果分析获得的电场分布图。
在图3中，虚线箭头示出了天线和地板上的电流方向I，从图3可以看出，辐射体上(或可理解为天线走线处)的电流方向I与地板电流呈现一个环形分布，在图4中，颜色越深，表征电场强度越强，从图4可以看出，天线的电场强点区域集中在辐射体上串接的电容处。可见，本申请实施例天线的电场分布总体较为均匀，有助于在净空面积一定的条件下有效提高天线的效率。
采用仿真软件对本实施例中所提供的天线以及第一种参考设计的天线进行仿真分析并获得了如图5所示的效果曲线图，其中，第一种参考设计的天线结构与本申请实施例天线的结构基本相同，其不同之处仅在于：辐射体上未串接电容。
获取图5所示的曲线图的仿真数据如下表1所示(请结合图1c和图3予以理解)。
表1
需要说明的是，以上仅是一种天线的参数选型示例，当本申请实施例的天线适用于其它工作频段时，可根据实际应用场景进行参数选型调整，本申请对此不作限定。
在图5中，横坐标表示频率，单位为GHz，纵坐标表示S11幅度值，单位为dB，S11属于S参数中的一种。S11表示反射系数，此参数能够表征天线发射效率的优劣，具体的，S11值越小，表征天线回波损耗越小，天线本身反射回来的能量越小，也就是代表实际上进入天线的能量就越多。需要说明的是，工程上一般以S11值为-6dB作为标准，当天线的S11值小于-6dB时，可以认为该天线可正常工作，或可认为该天线的发射效率较好。
从图5中可以看出，相较于未串接电容的第一种参考设计的天线，当第一辐射体和第二辐射体上串接电容后，本申请实施例天线的辐射体的电长度整体变长，谐振频点向低频偏移，可见，基于同样的天线结构，本申请实施例天线能够产生更小的谐振频率，或可理解为，在产生相同谐振频率的工作条件下，本申请实施例有助于天线的小型化。
采用仿真软件对本实施例中所提供的天线、第二种参考设计的天线以及第三种参考设计的天线分别进行仿真效果分析获得了如图6～图7所示的仿真效果图，图6、图7为对本申请实施例天线、第二种参考设计的天线以及第三种参考设计的天线分别进行仿真效果分析获得的辐射效率对比曲线图、系统效率对比效果曲线图。
获取图6、图7所示的曲线图的仿真数据与上表1基本相同(请结合图1c和图3予以理解)。第二种参考设计的天线和第三种参考设计的天线的仿真数据与本申请实施例天线基本相同，其不同之处在于：第二种参考设计的天线的第一电容C1的电容值为0.4pF，第三种参考设计的天线的第一电容C1的电容值为0.5pF。
在图6中，横坐标表示频率，单位为GHz，纵坐标表示天线的辐射效率，辐射效率是衡量天线辐射能力的值，金属损耗、介质损耗均是辐射效率的影响因素。
在图7中，横坐标表示频率，单位为GHz，纵坐标表示天线的系统效率，系统效率是考虑天线端口匹配后的实际效率，即天线的系统效率为天线的实际效率(即效率)。本领域技术人员可以理解，效率一般是用百分比来表示，其与dB之间存在相应的换算关系，效率越接近0dB，表征该天线的效率越优。
从图6可以看出，增大第一辐射体上串接的第一电容C1的电容值，能够有效提高天线的辐射效率，从图7可以看出，增大第一辐射体上串接的第一电容C1的电容值，能够使得天线的系统效率带宽获得拓展。
本领域技术人员可以理解的是，保持第二辐射体上串接的第二电容的电容值不变，第一辐射体上串接的第一电容的电容值从0.4pF增大到0.6pF，能够使得天线输入阻抗的感性增大，进而降低品质因素Q值，从而使得天线的带宽增加，并且天线也会因储能降低而提高辐射效率。
请参见图8，图8为第四种参考设计天线的立体结构示意图，图8所示的天线结构与本申请实施例的天线结构基本相同，其不同之处在于，图8所示的天线为单层走线结构，仅包括第一辐射体。
采用仿真软件对本实施例中所提供的天线、第四种参考设计的天线分别进行仿真效果分析获得了如图9～图12所示的仿真效果图，图9为分别对本申请实施例天线、第四种参考设计的天线分别进行仿真效果分析获得的S11参数对比效果曲线图和系统效率对比效果曲线图；图10为分别对本申请实施例天线、第四种参考设计的天线分别进行仿真效果分析获得的辐射效率对比效果曲线图；在图9中，虚线表示系统效率曲线，实线表示S11参数曲线。图11、图12分别为对第四种参考设计的天线、本申请实施例天线进行仿真效果分析获得的能量拆解效果曲线图。
获取图9～图12所示的曲线图的仿真数据请参见上表1，并结合图1c和图3理解。
从图9中可以看出，相较于第四种参考设计的天线(单层走线结构的天线)，本申请实施例具有较优的效率带宽，并且，本申请实施例的天线较单层走线结构的天线效率提高0.6dB左右。从图10中可以看出，本申请实施例的辐射效率较第四种参考设计的天线(单层走线结构的天线)的辐射效率高0.6dB。
从图11和图12中可以看出，本申请实施例天线在谐振频点处于2.44GHz时的介质损耗和金属损耗合计为0.125W，第四种参考设计的天线(单层走线结构的天线)在谐振频点处于2.44GHz时的介质损耗和金属损耗合计为0.176W。可见，本申请实施例天线能够有效降低天线的介质损耗和金属损耗，提高天线的辐射功率，进而提高天线的辐射效率。
可见，本申请实施例的天线具有较高的系统效率、较高的辐射效率以及较佳的效率带宽，天线性能较优。
采用仿真软件对本实施例中所提供的天线、第四种参考设计的天线分别进行仿真效果分析获得了如图13～图14所示的仿真效果图，图13、图14分别为对第四种参考设计的天线、本申请实施例天线进行仿真效果分析获得的磁场分布图；其中，颜色越深，表示磁场强度越强。
从图13和图14可以看出，第四种参考设计的天线(单层走线结构的天线)的磁场强度最大值为1366A/m，大于本申请实施例天线的最大磁场强度1121A/m。并且，如图中虚线圈出部分所示，即净空边缘处的磁场强度，第四种参考设计的天线(单层走线结构的天线)的磁场强度明显强于本申请实施例天线的磁场强度，较大的磁场强度会引起较大的介质损耗与金属损耗。由此可见，本申请实施例天线的性能优于第四种参考设计的天线(单层走线结构的天线)。
本申请还提供了一种电子设备3，包括上述各实施例及实施方式涉及的电路板2。一个实施方式中，电子设备为蓝牙耳机。下面以蓝牙耳机为例对电路板2以及天线1在电子设备3上的应用予以说明。
请参见图15和图16，图15为本申请实施例电子设备的立体结构爆炸图，图16为本申请实施例电子设备的局部结构示意图。
蓝牙耳机包括耳机外壳，耳机外壳包括耳包外壳311、前壳321和后壳322，耳包外壳311、前壳321和后壳322依次扣压连接。蓝牙耳机还包括PCB板33，PCB板33作为前文提及的基板。PCB板33和介质结构件23一体成型，介质结构件23位于PCB板33的一侧边缘。
请参见图17a和图17b，图17a为本申请实施例电子设备中天线与基板的局部放大结构示意图；图17b为本申请实施例电子设备中天线与基板的局部立体结构示意图。
本实施例天线的结构与图1b所示天线结构基本相同，其不同之处在于，第一辐射体11和第二辐射体12均呈折线形，以进一步增大辐射体的长度。
请参见图18，图18为第五种参考设计的天线与基板的局部立体结构示意图。图18所示天线的结构与图17b所示天线结构基本相同，其不同之处在于，天线为单层走线结构。
采用仿真软件对采用本实施例天线的电子设备以及采用第五种参考设计天线的电子设备进行头模场景下的仿真分析，并获得了如图20～图22c所示的效果曲线图。
其中，头模场景示意请参见图19，电子设备3均佩戴于头模的左耳。
获取图20～图22c所示的曲线图的仿真数据如下表2所示(请结合图16、图17a、图17b、图18予以理解)。
表2
需要说明的是，以上仅是一种天线的参数选型示例，当本申请实施例的天线适用于其它工作频段时，可根据实际应用场景进行参数选型调整，本申请对此不作限定。
从图20可以看出，相较于第五种参考设计的天线，本申请实施例天线的效率带宽明显提升，以-12.5dB作为参考，本申请实施例天线的效率带宽扩增38％左右。
从图21中可以看出，相较于第五种参考设计的天线，本申请实施例天线的系统效率提升约0.2dB。
图22a～图22c均为对本申请实施例天线、第五种参考设计的天线在头模场景下进行仿真效果分析获得的辐射方向对比效果曲线图。
从图22a～图22c可以看出，两种方案的方向图基本一致，相较于第五种参考设计的天线，本申请实施例天线的水平面最小增益提升约0.9dB，有助于提升天线的整体辐射性能。
下表3为本申请实施例天线与第五种参考设计的天线的性能对比汇总。
表3
其中，表3中的效率带宽(-12.5dB)是指天线效率大于-12.5dB的频率范围。
可见，本申请实施例天线在处于不同谐振频点时的性能均优于第五种参考设计的天线(单层走线结构)，由于本申请实施例能够弱化净空边缘的强磁场，因而对SAR性能亦有改善作用，SAR值从单层走线下的0.91W/kg减小至0.88W/kg。本领域技术人员可以理解的是：SAR(比吸收率，英文全称“Specific Absorption Rate”)指的是单位质量的人体组织所吸收的电磁功率，单位为W/kg。国际上通常使用SAR值来衡量电子设备辐射的热效应。表中归一化SAR值表示天线的效率归一化值-12dB时得到的SAR值。
请参见图23～图24b，图23为本申请实施例电子设备的局部结构示意图；图24a为本申请实施例电子设备中天线与基板的局部放大结构示意图；图24b为本申请实施例电子设备中天线与基板的局部立体结构示意图。
本实施例天线的结构与图17a所示天线结构基本相同，其不同之处在于，本实施例进一步缩小天线的净空面积，将净空面积较图17a所示结构缩减60％，减小为：6.2mm*1.5mm。第一辐射体和第二辐射体的长度均减小为6.2mm。
请参见图25，图25为第六种参考设计的天线与基板的局部立体结构示意图。图25所示天线的结构与图24b所示天线结构基本相同，其不同之处在于，天线为单层走线结构，仅包括第一辐射体。
采用仿真软件对采用本实施例天线的电子设备以及采用第六种参考设计天线的电子设备进行头模场景下的仿真分析，并获得了如图26～图29c所示的效果曲线图。
其中，头模场景示意请参见图19，电子设备3均佩戴于头模的左耳。
获取图26～图29c所示的曲线图的仿真数据如下表4所示(请结合图23、图24a、图24b、图25予以理解)。
表4
需要说明的是，以上仅是一种天线的参数选型示例，当本申请实施例的天线适用于其它工作频段时，可根据实际应用场景进行参数选型调整，本申请对此不作限定。
从图26可以看出，相较于第六种参考设计的天线，本申请实施例天线的S11参数值更深，效率更好且能够适用于更多工作频段。
从图27中可以看出，相较于第六种参考设计的天线，本申请实施例天线的系统效率提升约1.7dB。可见，缩小净空面积，本申请实施例在提升效率方面能够取得更大的收益，或可理解为，本申请实施例的天线能够在极小净空面积下仍保持较高的天线性能，有助于电子设备的小型化，有助于在电子设备中布置更多天线以满足更多功能需求。
从图28可以看出，本申请实施例天线的匹配器件损耗明显小于第六种参考设计的天线，匹配器件损耗为辐射效率减去系统辐射效率。因此，本申请实施例天线的系统辐射效率优于第六种参考设计的天线。
图29a～图29c均为对本申请实施例天线、第六种参考设计的天线在头模场景下进行仿真效果分析获得的辐射方向对比效果曲线图。
从图29a～图29c可以看出，本申请实施例天线的方向图在XOY平面、XOZ平面以及YOZ平面基本均包裹第六种参考设计的天线的方向图，本申请实施例天线的辐射方向覆盖较优，并且，相较于第六种参考设计的天线，本申请实施例天线的水平面最小增益提升约2.8dB，整体辐射性能较优。
下表5为本申请实施例天线与第六种参考设计的天线的性能对比汇总。
表5
可见，本申请实施例天线在处于不同谐振频点时的性能均优于第六种参考设计的天线(单层走线结构)，由于本申请实施例能够弱化净空边缘的强磁场，因而对SAR性能亦有改善作用，SAR值从单层走线下的0.9W/kg减小至0.87W/kg。
显然，本领域的技术人员可以对本申请进行各种改动和变型而不脱离本申请的精神和范围。这样，倘若本申请的这些修改和变型属于本申请权利要求及其等同技术的范围之内，则本申请也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (19)

1.一种天线，其特征在于，包括设于基板的第一辐射体和第二辐射体；
所述基板具有第一结构层和第二结构层，所述第一结构层设有第一镂空区域，所述第二结构层设有第二镂空区域，所述第一辐射体架设于所述第一镂空区域内，所述第二辐射体架设于所述第二镂空区域内；沿所述基板的厚度方向，所述第一辐射体和所述第二辐射体间隔设置；
所述基板还具有接地层，所述第二辐射体的两端分别连接于所述接地层以接地；
所述第一辐射体上设有第一缝隙，并且，所述第一辐射体的第一端连接于所述接地层以接地。
2.如权利要求1所述的天线，其特征在于，所述第二辐射体上设有第二缝隙。
3.如权利要求1或2所述的天线，其特征在于，所述第一辐射体的所述第一缝隙相对的两侧串接有第一电容；和/或，所述第二辐射体的第二缝隙相对的两侧串接有第二电容。
4.如权利要求3所述的天线，其特征在于，0.2pF≤所述第一电容的电容值≤3pF；0.2pF≤所述第二电容的电容值≤3pF。
5.如权利要求1或2所述的天线，其特征在于，所述第一缝隙在所述第一辐射体相对的两个侧边上分别形成第一缺口和第二缺口，所述第一缺口和所述第二缺口沿所述第一辐射体的延伸方向错位分布；
和/或，所述第二辐射体的第二缝隙在所述第二辐射体相对的两个侧边上分别形成第三缺口和第四缺口，所述第三缺口和所述第四缺口沿所述第二辐射体的延伸方向错位分布。
6.如权利要求5所述的天线，其特征在于，所述第一缝隙呈锯齿状或者呈插指状，所述第二缝隙呈锯齿状或者插指状。
7.如权利要求1至6任一项所述的天线，其特征在于，沿所述第一辐射体的延伸方向，所述第一缝隙位于所述第一辐射体的中间位置处；沿所述第二辐射体的延伸方向，所述第二辐射体的第二缝隙位于所述第二辐射体的中间位置处。
8.如权利要求1至7任一项所述的天线，其特征在于，所述天线还包括设于基板的馈电点，其中，所述第一辐射体的第二端与所述馈电点连接，或者所述第一辐射体的第二端与所述馈电点耦合。
9.如权利要求1至8任一项所述的天线，其特征在于，所述第一辐射体和所述第二辐射体的电长度均小于或等于所述天线工作波长的1/8。
10.如权利要求1至9任一项所述的天线，其特征在于，所述天线的工作频段为2.4GHz～2.48GHz，6mm≤所述第一辐射体的物理长度≤12mm，6mm≤所述第二辐射体的物理长度≤12mm。
11.一种电路板，其特征在于，包括基板，以及权利要求1至10任一项所述的天线。
12.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求11所述的电路板。
13.如权利要求12所述的电子设备，其特征在于，所述基板具有多层金属层，所述多层金属层包括第一金属层和第二金属层，所述第一结构层包括所述第一金属层，所述第二结构层包括所述第二金属层。
14.如权利要求13所述的电子设备，其特征在于，所述基板具有第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对设置；所述多层金属层中最靠近所述第一表面的金属层为所述第一金属层，所述多层金属层中最靠近所述第二表面的金属层为所述第二金属层。
15.如权利要求13或14所述的电子设备，其特征在于，所述第一辐射体包括所述第一金属层的至少部分，所述第二辐射体包括所述第二金属层的至少部分。
16.如权利要求13或14所述的电子设备，其特征在于，所述第一辐射体包括设于基板上的微带线或者设于基板上的导电件；
所述第二辐射体包括设于基板上的微带线或者设于基板上的导电件。
17.如权利要求12至16任一项所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备还包括用于支撑所述第一辐射体和所述第二辐射体的介质结构件，所述介质结构件设于所述第一辐射体和所述第二辐射体之间。
18.如权利要求17所述的电子设备，其特征在于，所述基板为PCB板，所述PCB板包括介质层，所述介质结构件包括所述介质层的至少部分。
19.如权利要求12至18任一项所述的电子设备，其特征在于，所述电子设备为蓝牙耳机。
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