CN117120645A - 铜合金材料以及使用其的电阻器用电阻材料及电阻器 - Google Patents

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CN117120645A CN202280026900.6A CN202280026900A CN117120645A CN 117120645 A CN117120645 A CN 117120645A CN 202280026900 A CN202280026900 A CN 202280026900A CN 117120645 A CN117120645 A CN 117120645A
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Abstract

提供具有优异的冲压冲裁加工性并且具有充分高的体积电阻率、电阻温度系数(TCR)为负且绝对值小、并且对铜热电动势(EMF)的绝对值小的铜合金材料以及使用其的电阻器用电阻材料和电阻器。铜合金材料具有含有Mn：20.0质量％以上35.0质量％以下、Ni：5.0质量％以上17.0质量％以下、以及Fe及Co中的1种或2种：合计为0.10质量％以上2.00质量％以下、且余量为Cu及不可避免的杂质的合金组成，维氏硬度(HV)在115以上275以下的范围内。

Description

铜合金材料以及使用其的电阻器用电阻材料及电阻器
技术领域
本发明涉及铜合金材料以及使用其的电阻器用电阻材料及电阻器。
背景技术
对于电阻器中使用的电阻材料的金属材料，为了即使在环境温度变化的情况下电阻器的电阻也稳定，要求作为其指标的电阻温度系数(TCR)的绝对值小。所谓电阻温度系数，是用每1℃的百万分率(ppm)表示由温度引起的电阻值的变化的大小的系数，用TCR(×10-6/℃)＝{(R-R0)/R0}×{1/(T-T0)}×106这样的式子表示。这里，式中的T表示试验温度(℃)，T0表示基准温度(℃)，R表示试验温度T时的电阻值(Ω)，R0表示基准温度T0时的电阻值(Ω)。特别是Cu-Mn-Ni合金、Cu-Mn-Sn合金由于TCR非常小，因此作为构成电阻材料的合金材料被广泛使用。
但是，例如在通过使用电阻材料形成电路(图案)而设计成规定的电阻值的电阻器中，在将这些Cu-Mn-Ni合金、Cu-Mn-Sn合金用作电阻材料的情况下，需要通过使体积电阻率小到小于50×10-8(Ω·m)而减小电阻材料的截面积并增大电阻器的电阻值。在这样的电阻器中，在电路中暂时流过大电流的情况下、始终持续流过某种程度的大电流的情况下，在截面积小的电阻材料中产生的焦耳热变高而发热，其结果，存在电阻材料容易因热而断裂(熔断)的不良情况。
因此，为了抑制电阻材料的截面积变小，需要体积电阻率更大的电阻材料。
例如，在专利文献1中，在以23质量％以上28质量％以下的范围含有Mn、且以9质量％以上13质量％以下的范围含有Ni的铜合金中，通过将Mn的质量分率和Ni的质量分率构成为使得相对于铜的热电动势于20℃小于±1μV/℃，可得到50×10-8[Ω·m]以上的高电阻(体积电阻率ρ)，并且可得到相对于铜的热电动势(对铜热电动势，EMF)小、电阻的温度系数低且具有固有的电阻的相对时间的高稳定性(时间不变性)的铜合金。
另外，在专利文献2中，在以21.0质量％以上30.2质量％以下的范围含有Mn、以8.2质量％以上11.0质量％以下的范围含有Ni的铜合金中，通过使20℃至60℃的温度范围内的TCR的值x[ppm/℃]为-10≤x≤-2或2≤x≤10的范围，且使体积电阻率ρ为80×10-8[Ω·m]以上115×10-8[Ω·m]以下，能够抑制使用了电阻材料的芯片电阻器等电阻器的电路的截面积变小，并且能够抑制电阻材料的焦耳热变高。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特表2016-528376号公报
专利文献2：特开2017-053015号公报
发明内容
发明所要解决的课题
伴随着近年来的电气电子部件的小型高集成化，电阻器、其中使用的电阻材料也向小型化发展。电阻器中使用的电阻材料一般通过实施冲压冲裁加工等切断加工而形成，因此为了减小电阻值的偏差，要求铜合金材料具有优异的冲压冲裁加工性。在此，为了使铜合金材料具有优异的冲压冲裁加工性，需要提高进行冲压冲裁加工时的切断面的尺寸精度。
进而，近年来，在电动汽车的电气系统等中，作为分流电阻器、芯片电阻器等电阻器，除了体积电阻率ρ大的电阻器以外，还要求耐受更高温的使用环境的高精度的电阻器，作为用于这样的电阻器的铜合金，也要求耐受更高温的使用环境的高精度的铜合金。更具体而言，在体积电阻率ρ大、且还考虑在从常温到高温的宽温度范围下的使用环境时，要求电阻温度系数(TCR)为负且绝对值小，且对铜热电动势(EMF)的绝对值小的铜合金材料。
因此，本发明的目的在于提供具有优异的冲压冲裁加工性，并且具有充分高的体积电阻率，且电阻温度系数(TCR)为负且绝对值小，且对铜热电动势(EMF)的绝对值小的铜合金材料以及使用其的电阻器用电阻材料和电阻器。
用于解决课题的手段
本申请的发明人得到了下述见解，从而完成了本发明。即：通过具有含有Mn：20.0质量％以上35.0质量％以下、Ni：5.0质量％以上17.0质量％以下、以及Fe及Co中的1种或2种：合计为0.10质量％以上2.0质量％以下、且余量为Cu及不可避免的杂质的合金组成，并且维氏硬度(HV)在115以上275以下的范围内的铜合金材料，能够得到例如作为电阻材料具有充分高的体积电阻率ρ、并且还考虑了从常温(例如20℃)到高温(例如150℃)的宽的温度范围内的使用环境的、电阻温度系数(TCR)为负且绝对值小，而且对铜热电动势(EMF)的绝对值也小，且冲压冲裁加工性优异的铜合金材料。
为了实现上述目的，本发明的主要构成如下。
(1)一种铜合金材料，其具有下述合金组成，所述合金组成含有：Mn：20.0质量％以上35.0质量％以下、Ni：5.0质量％以上17.0质量％以下、以及Fe及Co中的1种或2种：合计为0.10质量％以上2.0质量％以下，余量为Cu及不可避免的杂质，所述铜合金材料的维氏硬度(HV)在115以上275以下的范围内。
(2)如上述(1)所述的铜合金材料，其中，所述合金组成含有Mn：20.0质量％以上30.0质量％以下。
(3)如上述(1)或(2)所述的铜合金材料，其中，所述合金组成含有Co：0.01质量％以上1.50质量％以下，且Fe为0质量％以上0.30质量％以下(包括Fe的含量为0质量％的情况)。
(4)如上述(1)～(3)中任一项所述的铜合金材料，其中，所述合金组成进一步含有选自由Sn：0.01质量％以上3.00质量％以下、Zn：0.01质量％以上5.00质量％以下、Cr：0.01质量％以上0.50质量％以下、Ag：0.01质量％以上0.50质量％以下、Al：0.01质量％以上1.00质量％以下、Mg：0.01质量％以上0.50质量％以下、Si：0.01质量％以上0.50质量％以下、以及P：0.01质量％以上0.50质量％以下组成的组中的至少1种。
(5)如上述(1)至(4)中任一项所述的铜合金材料，其中，所述铜合金材料的平均晶体粒径为50μm以下。
(6)一种电阻器用电阻材料，其包含上述(1)～(5)中任一项所述的铜合金材料。
(7)一种电阻器，其为具有上述(6)所述的电阻器用电阻材料的、分流电阻器或芯片电阻器。
发明效果
根据本发明，可提供具有优异的冲压冲裁加工性，并且具有充分高的体积电阻率、电阻温度系数(TCR)为负且绝对值小，且对铜热电动势(EMF)的绝对值小的铜合金材料以及使用其的电阻器用电阻材料和电阻器。
附图说明
[图1]是示出针对本发明的铜合金材料进行冲压冲裁加工时的切断面的示意图。
[图2]是用于说明针对本发明例和比较例的供试材料求出对铜热电动势(EMF)的方法的示意图。
[图3]图3是针对本发明例和比较例的铜合金材料示出维氏硬度(HV)、与剪切比相对板厚t1的比例(A)的关系的图，图中以维氏硬度(HV)为横轴，以剪切比相对板厚t1的比例(A)为纵轴。
[图4]是针对本发明例和比较例的铜合金材料进行冲压冲裁加工时的切断面，以包含厚度方向和宽度方向的截面观察时的扫描型电子显微镜(SEM)照片，图4中的(a)为本发明例8的铜合金材料的截面，图4中的(b)为比较例2的铜合金材料的截面的SEM照片。
具体实施方式
以下，对本发明的铜合金材料的优选实施方式进行详细说明。需要说明的是，在本发明的合金的成分组成中，有时也将“质量％”简单地表示为“％”。
本发明的铜合金材料具有含有Mn：20.0质量％以上35.0质量％以下、Ni：5.0质量％以上17.0质量％以下、以及Fe及Co中的1种或2种：合计为0.10质量％以上2.0质量％以下、且余量为Cu及不可避免的杂质的合金组成，且维氏硬度(HV)在115以上275以下的范围内。
这样，在本发明的铜合金材料中，对于以20.0质量％以上35.0质量％以下的范围含有Mn、以5.0质量％以上17.0质量％以下的范围含有Ni、且以合计为0.10质量％以上2.00质量％以下的范围含有Fe及Co中的1种或2种的铜合金材料，通过使维氏硬度(HV)在115以上275以下的范围内，能够提高对铜合金材料进行冲压冲裁加工时的尺寸精度。
此外，在本发明的铜合金材料中，通过以20.0质量％以上35.0质量％以下的范围含有Mn、以5.0质量％以上17.0质量％以下的范围含有Ni、并且以合计为0.10质量％以上2.00质量％以下的范围含有Fe及Co中的1种或2种，由此，与不含Fe及Co的情况相比，在20℃和80℃的温度环境之间产生的对铜热电动势(EMF)(以下，有时简称为“对铜热电动势”)的绝对值变小，因此即使在高温环境下，也可促进电阻器的高精度化。另外，通过以20.0质量％以上35.0质量％以下的范围含有Mn，且以5.0质量％以上17.0质量％以下的范围含有Ni，能够提高体积电阻率ρ，并且减小20℃以上150℃以下的温度范围中的电阻温度系数(TCR)(以下，有时简称为“电阻温度系数”)的绝对值，且减小对铜热电动势的绝对值。
对此，在上述专利文献1、2中记载的铜合金中，为了减小对铜热电动势(EMF)的绝对值，需要增加Ni的含量，在该情况下，存在电阻温度系数(TCR)的绝对值变大的倾向。另外，对于上述专利文献1、2记载的铜合金而言，关于电阻的温度依赖性，例如如专利文献1的图3所记载的那样，在包含更高温区域的20℃～150℃的温度范围内，电阻温度系数(TCR)成为较大的负数，因此存在在高温区域电阻值容易产生误差的倾向。但是，在本发明的铜合金材料中，特别是通过以合计为0.10质量％以上2.00质量％以下的范围含有Fe及Co中的1种或2种，由此，与不含Fe、Co而仅增加Ni的含量的情况相比，可抑制电阻温度系数(TCR)的绝对值变大。其结果是，作为电阻材料具有充分高的体积电阻率，并且还考虑了从常温(例如20℃)到高温(例如150℃)的宽温度范围内的使用环境的电阻温度系数的绝对值小，且对铜热电动势的绝对值小，在这一点上也优异。
其结果，通过使用本发明的铜合金材料，可提供具有优异的冲压冲裁加工性，并且具有充分高的体积电阻率ρ，电阻温度系数(TCR)为负且绝对值小，且对铜热电动势(EMF)的绝对值小的铜合金材料以及使用其的电阻器用电阻材料和电阻器。
[1]铜合金材料的组成
<必需含有成分>
本发明的铜合金材料的合金组成中，作为必需含有成分，含有Mn：20.0质量％以上35.0质量％以下、Ni：5.0质量％以上17.0质量％以下，以及Fe及Co中的1种或2种：合计为0.10质量％以上2.00质量％以下。
(Mn：20.0质量％以上35.0质量％以下)
Mn(锰)是提高体积电阻率ρ，并且将作为负值的电阻温度系数(TCR)向正的方向调整，由此减小电阻温度系数(TCR)的绝对值的元素。为了发挥该作用并且得到均质的铜合金材料，Mn优选含有20.0质量％以上，更优选含有22.0质量％以上，进一步优选含有24.0质量％以上。在此，通过使Mn含量增加至22.0质量％以上或24.0质量％以上，能够进一步提高铜合金材料的体积电阻率ρ。另一方面，若Mn含量超过35.0质量％，则铜合金材料的熔点降低，由此热加工的控制变得困难，因此难以得到均匀的特性。另外，若Mn含量超过35.0质量％，则对铜热电动势(EMF)的绝对值容易变大。因此，Mn含量优选设为20.0质量％以上35.0质量％以下的范围。另一方面，若Mn含量超过30.0质量％，则在将铜合金材料作为电阻材料等长期使用后，容易产生与作为母相的第1相不同的第2相，由此电特性容易随着时间的经过而变化。因此，从提高电特性对热等的稳定性的观点出发，优选使Mn含量为30.0质量％以下。
(Ni：5.0质量％以上17.0质量％以下)
Ni(镍)是向着对铜热电动势(EMF)的正方向上进行调节的元素。为了发挥该作用，Ni优选含有5.0质量％以上。另一方面，Ni含量超过17.0质量％时，难以得到均匀的组织，体积电阻率ρ、对铜热电动势(EMF)等有可能变化。特别是从减小电阻温度系数(TCR)的绝对值的观点出发，Ni含量优选设为5.0质量％以上17.0质量％以下的范围，更优选设为5.0质量％以上12.0质量％以下的范围，进一步优选设为5.0质量％以上9.0质量％以下的范围。
(Fe及Co中的1种或2种：合计为0.10质量％以上2.00质量％以下)
Fe(铁)及Co(钴)与Ni(镍)相同，是将对铜热电动势(EMF)向正方向调整的元素。另外，与仅添加Ni(镍)的情况相比，通过添加Fe(铁)和Co(钴)中的1种或2种，具有在不增大对铜热电动势(EMF)的绝对值的情况下减小电阻温度系数(TCR)的绝对值的作用，因此这些元素是必须的。为了发挥该作用，Fe及Co优选合计含有0.10质量％以上。另一方面，若Fe及Co中的1种或2种的合计量超过2.00质量％，则难以得到均匀的组织，由此电性能容易产生偏差。因此，Fe及Co中的1种或2种的含量优选设为合计为0.10质量％以上2.00质量％以下的范围。
其中，Fe是廉价的元素，另一方面，是使电特性随着时间的经过而发生的变动增大的元素。因此，Fe含量优选为0.5质量％以下。特别是从进一步提高电特性对热等的稳定性，由此进一步提高作为电阻材料等长期使用时的可靠性的观点出发，Fe含量更优选为0.30质量％以下，进一步优选为0.20质量％以下。此时，Fe含量也可以为0质量％。另外，Co是昂贵的元素，但与Fe不同，如果为2.00质量％以下的范围，则不易引起随着时间的经过的电特性的变动。其中，从进一步提高电特性对热等的稳定性的观点出发，优选以0.01质量％以上1.50质量％以下的范围含有Co，并且使Fe的含量为0质量％以上0.30质量％以下(包括Fe的含量为0质量％的情况)。
<任选添加成分>
本发明的铜合金材料中，作为任选添加成分，可进一步含有选自由Sn：0.01质量％以上3.00质量％以下、Zn：0.01质量％以上5.00质量％以下、Cr：0.01质量％以上0.50质量％以下、Ag：0.01质量％以上0.50质量％以下、Al：0.01质量％以上1.00质量％以下、Mg：0.01质量％以上0.50质量％以下、Si：0.01质量％以上0.50质量％以下、以及P：0.01质量％以上0.50质量％以下组成的组中的至少1种。
(Sn：0.01质量％以上3.00质量％以下)
Sn(锡)是可用于调整体积电阻率ρ的成分。为了发挥该作用，优选含有0.01质量％以上的Sn。另一方面，通过使Sn含量为3.00质量％以下，可使铜合金材料脆化导致的制造性降低不易发生。
(Zn：0.01质量％以上5.00质量％以下)
Zn(锌)是能够用于调整体积电阻率ρ的成分。为了发挥该作用，优选含有0.01质量％以上的Zn。另一方面，Zn含量有可能对体积电阻率ρ、电阻温度系数(TCR)、对铜热电动势(EMF)这样的电阻器的电性能的稳定性造成不良影响，因此优选设为5.00质量％以下。
(Cr：0.01质量％以上0.50质量％以下)
Cr(铬)是能够用于调整体积电阻率ρ的成分。为了发挥该作用，优选含有0.01质量％以上的Cr。另一方面，Cr含量有可能对体积电阻率ρ、电阻温度系数(TCR)、对铜热电动势(EMF)这样的电阻器的电性能的稳定性造成不良影响，因此优选为0.50质量％以下。
(Ag：0.01质量％以上0.50质量％以下)
银(Ag)是能够用于调整体积电阻率ρ的成分。为了发挥该作用，优选含有0.01质量％以上的Ag。另一方面，Ag含量有可能对体积电阻率ρ、电阻温度系数(TCR)、对铜热电动势(EMF)这样的电阻器的电性能的稳定性造成不良影响，因此优选为0.50质量％以下。
(Al：0.01质量％以上1.00质量％以下)
Al(铝)是能够用于调整体积电阻率ρ的成分。为了发挥该作用，优选含有0.01质量％以上的Al。另一方面，由于有可能使铜合金材料脆化，因此优选Al含量为1.00质量％以下。
(Mg：0.01质量％以上0.50质量％以下)
Mg(镁)是能够用于调整体积电阻率ρ的成分。为了发挥该作用，优选含有0.01质量％以上的Mg。另一方面，由于有可能使铜合金材料脆化，因此Mg含量优选为0.50质量％以下。
(Si：0.01质量％以上0.50质量％以下)
Si(硅)是能够用于调整体积电阻率ρ的成分。为了发挥该作用，优选含有0.01质量％以上的Si。另一方面，由于有可能使铜合金材料脆化，因此Si含量优选为0.50质量％以下。
(P：0.01质量％以上0.50质量％以下)
P(磷)是能够用于调整体积电阻率ρ的成分。为了发挥该作用，优选含有0.01质量％以上的P。另一方面，由于有可能使铜合金材料脆化，因此P含量优选为0.50质量％以下。
(任选添加成分的合计量：0.01质量％以上5.00质量％以下)
为了得到上述任选添加成分带来的效果，这些任选添加成分优选含有合计为0.01质量％以上。另一方面，若大量含有这些任选添加成分，则有可能因损害均匀性而脆化，因此优选合计为5.00质量％以下。
<余量：Cu及不可避免的杂质>
除了上述必需含有成分和任选添加成分以外，余量为Cu(铜)和不可避免的杂质。需要说明的是，这里所说的“不可避免的杂质”，在铜系制品中，大致是在原料中存在的物质、在制造工序中不可避免地混入的物质，故本来是不需要的物质，但由于是微量的，不会对铜系制品的特性造成影响，因此是允许的杂质。作为不可避免的杂质而举出的成分，例如可以举出硫(S)、氧(O)等非金属元素，锑(Sb)等金属元素。需要说明的是，这些成分含量的上限可以是每个上述成分为0.05质量％、以上述成分的总量计为0.10质量％。
[2]铜合金材料的物性
本发明的铜合金材料的维氏硬度(HV)在115以上275以下的范围内。特别是，通过使铜合金材料的维氏硬度(HV)为115以上，在对铜合金材料进行冲压冲裁加工等切断加工时，能够减小剪切比相对厚度(在板材的情况下为板厚)的比例，因此能够提高切断加工后的形状的尺寸精度。特别是在含有20.0质量％以上的Mn的铜合金中，如果剪切比大，则虽然切断加工后的形状的尺寸精度提高，但有可能缩短模具、切断工具的寿命。从这一点出发，铜合金材料的维氏硬度(HV)优选为115以上，更优选为125以上。另一方面，若维氏硬度(HV)超过275，则在进行切断加工时，剪切比相对于厚度而言变得过小，因此不均匀的断裂面增多。
特别是将包含铜合金材料的板材用于电阻器时，对铜合金材料进行冲压冲裁加工后，实施将得到的切断面接合的端面处理。此时，通过使位于剪切面及断裂面的边界的边界线构成为沿着厚度方向z振摆变小，能够提高相对切断面的大小而言的尺寸精度而不易引起歪斜，并且能够使铜合金材料的端面的处理变得容易。即，通过使位于剪切面和断裂面的边界的边界线构成为沿着厚度方向z振摆变小，并且将剪切面以适当的大小构成，由此也能够成为适合于冲压冲裁加工后的端部处理的状态。
因此，从减小位于剪切面和断裂面的边界的边界线的振摆并且适当地产生剪切面，得到冲压冲裁加工性优异的铜合金材料的观点出发，铜合金材料的维氏硬度(HV)优选为115以上275以下的范围，更优选为125以上275以下的范围，进一步优选为150以上275以下的范围，进一步优选为205以上275以下的范围。
在此，维氏硬度(HV)例如能够依据JISZ 2244(2009)所记载的维氏硬度的试验方法，从铜合金材料的表面测定维氏硬度(HV)。更具体而言，可采用将金刚石压头压入作为试验片的铜合金材料的截面时的负荷(试验力)设为0.98N、将压头的压下时间设为15秒时的测定值。
[3]铜合金材料的形状和金属组织
本发明的铜合金材料的形状没有特别限定，从容易进行后述的热的或冷的拉伸工序、冲压冲裁加工等切断加工的观点考虑，优选为板材。在此，在如板材那样通过轧制形成的铜合金材料中，可以将轧制方向设为拉伸方向。另一方面，本发明的铜合金材料也可以是线材、扁平线材、带材、条材或棒材等，通过用本发明的铜合金材料形成这些形状，可容易地对末端进行切断加工。在此，在通过拉丝、拉拔、挤出而形成的这些形状的铜合金材料中，可以将拉丝方向、拉拔方向及挤出方向中的任一者作为拉伸方向。
在此，铜合金材料的平均晶体粒径优选为50μm以下，更优选为30μm以下。这样，通过减小构成铜合金材料的晶体的平均晶体粒径，在对铜合金材料进行冲压冲裁加工等切断加工时，位于剪切面和断裂面的边界的边界线的振摆变小，因此能够进一步提高铜合金材料的切断面的尺寸精度。另外，通过使构成铜合金材料的结晶的平均晶体粒径为50μm以下，在铜合金材料上不易形成粗大的晶粒，因此，可减小电阻温度系数的绝对值，且减小对铜热电动势的绝对值。特别是，在本发明的铜合金材料中，通过含有Co，第2相的钉扎不易发生，因此晶粒的粒径的控制变得容易，其结果，可容易地得到平均晶体粒径为50μm以下的铜合金材料。另一方面，平均晶体粒径的下限没有特别限定，从制造上的观点出发，可以为0.1μm以上。需要说明的是，对于晶体的平均晶体粒径而言，在晶体未形成为等轴状、通过沿着拉伸方向的轧制、拉丝等加工而使晶粒的大小具有各向异性的情况下，在与拉伸方向正交的面上进行测定。
本说明书中的平均晶体粒径的测定可以按照JIS H 0501中记载的伸铜品晶体粒度试验方法进行。更具体而言，在以铜合金材料的截面露出的方式埋入树脂中制作供试材料后，研磨相对于该拉伸方向正交的截面，接着使用铬酸水溶液进行蚀刻，通过扫描型电子显微镜(SEM)观察露出的晶体，由此测定粒径。特别是在测定与拉伸方向正交的面上的平均晶体粒径的情况下，以铜合金材料的与拉伸方向正交的截面露出的方式埋入树脂中，制作供试材料。
[4]铜合金材料的制造方法的一例
上述铜合金材料可通过组合控制合金组成、制造工艺来实现，其制造工艺没有特别限定。其中，作为能够得到上述铜合金材料的制造工艺的一例，可以举出以下的方法。
作为本发明的铜合金材料的制造方法的一例，对具有与上述铜合金材料的合金组成实质上相同的合金组成的铜合金原料，至少依次进行铸造工序[工序1]、均质化热处理工序[工序2]、热拉伸工序[工序3]、第1冷拉伸工序[工序4]、第1退火工序[工序5]。其中，在均质化热处理工序[工序2]中，将加热温度设为750℃以上900℃以下的范围，将保持时间设为10分钟以上10小时以下的范围。另外，在第1冷拉伸工序[工序4]中，使总加工率为50％以上。另外，在第1退火工序[工序5]中，将加热温度设为600℃以上800℃以下的范围，将保持时间设为1分钟以上2小时以下的范围。
(i)铸造工序[工序1]
铸造工序[工序1]中，使用高频熔解炉在非活性气体气氛中或真空中使具有上述合金组成的铜合金原料熔融，对其进行铸造，由此制作规定形状(例如厚度300mm，宽度500mm，长度3000mm)的铸块(铸锭)。需要说明的是，对于铜合金原料的合金组成而言，在制造的各工序中，根据添加成分的不同而有时附着于熔解炉或挥发，由此存在与所制造的铜合金材料的合金组成未必完全一致的情况，但具有与铜合金材料的合金组成实质上相同的合金组成。
(ii)均质化热处理工序[工序2]
均质化热处理工序[工序2]是对进行了铸造工序[工序1]后的铸块进行用于均质化的热处理的工序。在此，关于均质化热处理工序[工序2]中的热处理的条件，从抑制晶粒的粗大化的观点出发，优选将加热温度设为750℃以上900℃以下的范围，并且将保持时间设为10分钟以上10小时以下的范围。
(iii)热拉伸工序[工序3]
热拉伸工序[工序3]是对进行了均质化热处理的铸块实施在热间条件下进行压制、拉丝等拉伸加工直至达到规定的厚度，制作热轧材料的工序。就热拉伸工序[工序3]的条件而言，加工温度优选为750℃以上900℃以下的范围，也可以与均质化热处理工序[工序2]中的加热温度相同。另外，热拉伸工序[工序3]中的加工率优选为10％以上。
在此，“加工率”是从实施轧制、拉丝等拉伸加工前的截面积减去加工后的截面积而得的值除以加工前的截面积再乘以100，以百分比表示的值，由下式表示。
[加工率]＝{([加工前的截面积]-[加工后的截面积])/[加工前的截面积]}×100(％)
热拉伸工序[工序3]后的热轧材料优选进行冷却。在此，对热轧材料的冷却方法没有特别限定，例如从能够使晶粒的粗大化不易发生的观点出发，优选为尽可能增大冷却速度的方法，例如优选通过水冷等方法使冷却速度为50℃/秒以上。
在此，也可以对冷却后的热轧材料进行削去表面的面切削。通过进行面切削，可除去在热拉伸工序[工序3]中产生的表面的氧化膜、缺陷。面切削的条件只要是通常进行的条件即可，没有特别限定。通过面切削从热轧材料的表面削去的量能够基于热拉伸工序[工序3]的条件适当调整，例如能够设为距热轧材料的表面0.5～4mm左右。
(v)第1冷拉伸工序[工序4]
第1冷拉伸工序[工序4]是对进行了热拉伸工序[工序3]后的热轧材料以与产品的厚度、大小相匹配的任意的加工率在冷间实施轧制、拉丝等拉伸加工的工序。第1冷拉伸工序[工序4]中的轧制、拉丝等拉伸加工的条件可以根据热轧材料的大小来设定。特别是，在后述的第1退火工序[工序5]中，从使冷轧材料所含的晶粒变得微细，促进再结晶引起的晶粒的均匀形成的观点出发，优选使第1冷拉伸工序[工序4]中的总加工率为50％以上。
(vi)第1退火工序[工序5]
第1退火工序[工序5]是对进行了第1冷拉伸工序[工序4]后的冷轧材料实施热处理而使其再结晶的退火的工序。在此，第1退火工序[工序5]中的热处理的条件是，加热温度为600℃以上800℃以下的范围，且保持时间为1分钟以上2小时以下的范围。另一方面，加热温度低于600℃时、保持时间低于1分钟时，铜合金材料的再结晶变得困难，铜合金材料的维氏硬度的控制变得困难。另外，在加热温度超过800℃的情况下、保持时间超过2小时的情况下，晶粒粗大化而数量减少，因此体积电阻率、电阻温度系数及对铜热电动势中的至少任一个变得不适当。另外，由于铜合金材料的维氏硬度过低，在对铜合金材料进行冲压冲裁加工等切断加工时，容易产生塌边。
在此，优选对进行了第1退火工序[工序5]后的冷轧材料反复进行1次以上的冷拉伸工序和退火工序。例如，可以对进行了第1退火工序[工序5]后的冷轧材料进行第2次冷拉伸工序和退火工序，可以将此时的冷拉伸工序和退火工序分别作为第2冷拉伸工序[工序6]和第2退火工序[工序7]。进而，也可以对进行了第2冷拉伸工序[工序6]和第2退火工序[工序7]后的冷轧材料进行精加工的冷拉伸工序和退火工序，可以将此时的冷拉伸工序和退火工序分别作为精加工冷拉伸工序[工序8]和精加工退火工序[工序9]。另外，对于进行了第1退火工序[工序5]后的冷轧材料，也可以作为精加工的冷拉伸工序和退火工序而进行冷拉伸工序[工序8]和精加工退火工序[工序9]。这样，通过反复进行1次以上冷拉伸工序和退火工序，铜合金材料成为具有所希望的形状的板材、线材、扁平线材、带状材料等，并且粗大的晶粒变得不易形成，因此可得到至少在体积电阻率、电阻温度系数和对铜热电动势方面良好的铜合金材料。特别是通过进行精加工冷拉伸工序[工序8]和精加工退火工序[工序9]，可进一步提高铜合金材料的维氏硬度。
此时，第2冷拉伸工序[工序6]中的总加工率从促进利用再结晶均匀地形成晶粒的观点出发，优选为50％以上。另外，关于第2退火工序[工序7]中的热处理的条件，从促进铜合金材料的再结晶的观点出发，优选加热温度为600℃以上800℃以下的范围，且保持时间为1分钟以上2小时以下的范围。
另外，关于精加工冷拉伸工序[工序8]中的总加工率，从将铜合金材料的维氏硬度调整到所希望的范围的观点出发，优选在5％以上70％以下的范围进行，更优选在10％以上70％以下的范围进行。特别是通过使精加工冷拉伸工序[工序8]中的总加工率为5％以上，更优选为10％以上，能够进一步提高铜合金材料的维氏硬度。另一方面，关于精加工退火工序[工序9]中的热处理的条件，从缓和由精加工冷拉伸工序[工序8]中产生的应变引起的电阻的增加的观点出发，是加热温度比上述的第1退火工序[工序5]和第2退火工序[工序7]低的条件，更具体而言，加热温度为200℃以上400℃以下的范围，并且保持时间为30秒以下。
[5]铜合金材料的用途
本发明的铜合金材料作为用于电阻器、例如分流电阻器或芯片电阻器的电阻器用电阻材料极为有用。即，电阻器用电阻材料优选包含上述铜合金材料。另外，分流电阻器或芯片电阻器等电阻器优选具有包含上述铜合金材料的电阻器用电阻材料。
以上，对本发明的实施方式进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式，包含本发明的概念和权利要求书所包含的所有方式，能够在本发明的范围内进行各种改变。
实施例
接着，为了进一步明确本发明的效果，对本发明例和比较例进行说明，但本发明并不限定于这些实施例。
(本发明例1～17和比较例1～5)
进行将具有表1所示的合金组成的铜合金原料熔化、将其从熔液冷却而铸造的铸造工序[工序1]，得到铸块。在此，比较例1的合金组成具有与上述专利文献1中记载的铜合金相同的合金组成。另外，比较例5的合金组成具有与上述专利文献2中记载的铜合金相同的合金组成。
对该铸块进行以800℃的加热温度及5小时的保持时间进行热处理的均质化热处理工序[工序2]，接着，以800℃的加工温度以总加工率成为67％(加工前的厚度为30mm，加工后的厚度为10mm)的方式进行沿长度方向轧制的热拉伸工序[工序3]，得到热轧材料。然后，通过水冷冷却至室温，进行除去形成于表面的氧化膜的面切削。
对热拉伸工序[工序3]后的热轧材料，进行以表2中记载的总加工率沿长度方向进行轧制的第1冷拉伸工序[工序4]。接着，对进行了第1冷拉伸工序[工序4]后的冷轧材料，进行以表2中记载的保持温度和保持时间进行热处理的第1退火工序[工序5]。
进而，对进行了第1退火工序[工序5]后的热轧材料，进行以表2中记载的总加工率沿长度方向进行轧制的第2冷拉伸工序[工序6]。接着，对进行了第2冷拉伸工序[工序6]后的冷轧材料，进行以表2中记载的保持温度和保持时间进行热处理的第2退火工序[工序7]。需要说明的是，对于本发明例11、比较例2、4、5，不进行第2冷拉伸工序[工序6]和第2退火工序[工序7]，而进行后述的精加工冷拉伸工序[工序8]。
另外，对于本发明例4、6、9、11～13、17、比较例2、4、5，进行精加工冷拉伸工序[工序8]和精加工退火工序[工序9]。更具体而言，对进行了第2退火工序[工序7]后的热轧材料，进行了以表2中记载的总加工率沿长度方向进行轧制的精加工冷拉伸工序[工序8]。接着，对进行了精加工冷拉伸工序[工序8]后的冷轧材料，进行以表2中记载的保持温度及保持时间进行热处理的精加工退火工序[工序9]。以这种方式，制造了本发明例1～17和比较例1～4的铜合金板材。
需要说明的是，表1中，在铜合金原料的合金组成中不含的成分的栏中记载横线“-”，明确了不含该成分或即使含有该成分也低于检测临界值。
[各种测定和评价方法]
使用上述本发明例和比较例涉及的铜合金材料(铜合金板材)，进行下述所示的特性评价。各特性的评价条件如下所述。
[1]维氏硬度(HV)的测定
对于制作的铜合金材料，以JISZ 2244(2009)中记载的维氏硬度的试验方法为基准，对将金刚石压头压入于作为试验片的铜合金材料的表面时的负荷(试验力)设为0.98N并将压头的压下时间设为15秒时的、来自铜合金材料的表面的维氏硬度(HV)测定5次，将它们的平均作为测定值。
[2]平均晶体粒径的测定
对于制作的铜合金材料，以相对于铜合金材料的加工时的拉伸方向而言正交的截面露出的方式埋入树脂中而制作供试材料后，研磨相对于该拉伸方向而言正交的截面。接着，对于研磨后的供试材料，使用铬酸水溶液进行蚀刻后，对于露出的晶粒，使用扫描型电子显微镜(SEM)((株)岛津制作所制，型号：SSX-550)，根据平均晶体粒径以50倍～2000倍的倍率观察3个视野，通过JIS H 0501中记载的伸铜品晶体粒度试验方法内的切断法测定晶体粒度，作为3个视野中的晶体粒度的平均值算出平均晶体粒径。结果如表3所示。
[3]冲压冲裁加工性的评价方法
关于制作的铜合金材料的冲压冲裁加工性，进行日本伸铜协会技术标准JCBAT310：2019所规定的、铜及铜合金薄板条的剪切试验方法中记载的剪切试验。即，对于铜合金材料，以上模(冲头)与下模(冲模)的间隙成为10μm的方式进行调整，冲裁加工成沿拉伸方向y的大小为2mm、沿与拉伸方向y垂直相交的方向(图1的x方向)的大小为10mm的长方形的形状，制作在外周具有切断面2的铜合金材料10的供试材料。
图1是示出对本发明的铜合金材料进行冲压冲裁加工时的切断面的示意图。图1所示的铜合金材料10表示实施在固定于未图示的下模(冲模)上的状态下使上模(冲头)下降而进行的、冲压冲裁加工后的切断面2。在此，切断面2从冲压冲裁加工后的铜合金材料10的上表面10a侧依次形成塌边3、剪切面4及断裂面5。另外，在切断面2的下端缘，多以从断裂面5向外侧伸出的方式形成有毛刺6。另外，在剪切面4以及断裂面5的边界形成边界线7。
在本实施例中，使用扫描型电子显微镜(SEM)((株)岛津制作所制，SSX-550)，以200倍的倍率对所形成的切断面2中的沿着相对于拉伸方向y而言成直角相交的方向(图1的x方向)的面进行观察。另外，从切断面2的扫描型电子显微镜(SEM)照片，对于铜合金材料10的供试材料的板厚t1、和位于铜合金材料10的供试材料的沿厚度方向z的剪切面4与断裂面5的边界的边界线7的振摆Δt，将分别各测定5处的平均值作为测定值。关于剪切比，按照日本伸铜协会技术标准JCBAT 310：2002中规定的“铜及铜合金薄板条的剪切试验方法”进行测定。在此，关于剪切面4与断裂面5的边界线7的振摆Δt，在1个SEM照片的视野内，算出边界线7最靠近下表面10b的部位(在视野内剪切比最大的部位)与最靠近上表面10a的部位(在视野内剪切比最小的部位)之间的边界线7的振摆。另外，剪切比相对板厚t1的比例(A)采用视野内剪切比最大的部位处的值。然后，根据得到的这些测定值，计算出剪切比相对板厚t1的比例(A)，和位于剪切面4与断裂面5的边界的边界线7的振摆Δt相对于板厚t1的比例(B)。
关于计算出的剪切比相对板厚t1的比例(A)，将处于30％以上57％以下的范围的情况评价为在剪切比相对板厚t1的比例(A)处于适当范围这一方面优异而评价为“◎”。另外，将剪切比相对板厚t1的比例(A)超过57％且为60％以下的情况作为剪切比相对板厚t1的比例(A)良好而评价为“○”。另一方面，将小于30％或超过60％的情况作为剪切比相对板厚t1的比例(A)不在适当范围，在这一方面不良而评价为“×”。结果如表3所示。
另外，关于计算出的边界线7的振摆Δt相对板厚t1的比例(B)，将其为15％以下的情况作为边界线7的振摆Δt充分小、切断面2的尺寸精度优异而评价为“◎”。另外，将边界线7的振摆Δt相对板厚t1的比例(B)处于超过15％且为20％以下的范围的情况作为边界线7的振摆Δt小、切断面2的尺寸精度良好而评价为“○”。另一方面，将边界线7的振摆Δt相对板厚t1的比例(B)大于20％的情况作为边界线7的振摆Δt大、与切断面2的大小相关的尺寸精度不良而评价为“×”。在本实施例中，将“◎”和“○”评价为合格水平。结果如表3所示。
对于这样得到的剪切比相对板厚t1的比例(A)和边界线7的振摆Δt相对板厚t1的比例(B)的评价结果，将两者都评价为“◎”的情况作为冲压冲裁加工性优异而评价为“◎”。另外，将在这2个评价结果中一者评价为“◎”而另一者评价为“○”的情况作为冲压冲裁加工性良好而评价为“○”。另外，将这些评价结果中一者或两者的评价结果为“×”的情况作为冲压冲裁加工性不合格，评价为“×”。结果如表3所示。
[4]体积电阻率的测定
对于制作的铜合金材料，将得到的厚度0.3mm的板材切断成宽10mm、长300mm，制作供试材料。
体积电阻率ρ的测定中，将电压端子间距离设为200mm、将测定电流设为100mA，在室温20℃下通过以JIS C2525中规定的方法为基准的四端子法测定电压，由得到的值求出体积电阻率ρ[μΩ·cm]。
关于测定的体积电阻率ρ，将80μΩ·cm以上的情况评价为体积电阻率ρ充分大、作为电阻材料优异而评价为“◎”。另外，将体积电阻率ρ为70μΩ·cm以上且小于80μΩ·cm的情况作为体积电阻率ρ大、作为电阻材料良好而评价为“○”。另一方面，将体积电阻率ρ小于70μΩ·cm的情况作为体积电阻率ρ小、作为电阻材料为不良而评价为“×”。在本实施例中，将“◎”和“○”评价为合格水平。结果如表3所示。
[5]对铜热电动势(EMF)的测定方法
对于制作的铜合金材料，将得到的厚度0.3mm的板材切断成宽10mm、长1000mm，制作供试材料。
供试材料的对铜热电动势(EMF)的测定按照JIS C2527进行。更具体而言，如图2所示，供试材料11的对铜热电动势(EMF)的测定中，将充分退火的直径1mm以下的纯铜线用作标准铜线21，将连接了供试材料11及标准铜线21的一个端部的测温触点P1浸渍于在80℃的恒温槽41中保温的温水中，并且将使供试材料11及标准铜线21的另一个端部分别与铜线31、32连接的基准触点P21、P22浸渍在用冰点装置42保冷的0℃的冰水中，用电压测定器43测定此时的电动势。对于得到的电动势，通过除以作为温度差的80[℃]，求出对铜热电动势EMF(μV/℃)。
关于所测定的对铜热电动势(EMF)，将绝对值为0.5μV/℃以下的情况作为对铜热电动势(EMF)的绝对值小、作为电阻材料良好而评价为“◎”。另一方面，将对铜热电动势(EMF)的绝对值大于0.5μV/℃的情况作为对铜热电动势(EMF)的绝对值大、作为电阻材料不良而评价为“×”。结果如表3所示。
[6]电阻温度系数(TCR)的测定方法
对于制作的铜合金材料，将得到的厚度0.3mm的板材切断成宽10mm、长300mm，制作供试材料。
电阻温度系数(TCR)的测定中，将电压端子间距离设为200mm、将测定电流设为100mA，通过以JIS C2525及JIS C2526所规定的方法为基准的四端子法测定将供试材料的温度加热到150℃时的电压，根据得到的值求出150℃时的电阻值R150℃[μΩ]。接着，测定将供试材料的温度冷却至20℃时的电压，由得到的值求出20℃时的电阻值R20℃[μΩ]。然后，根据得到的电阻值即R150℃及R20℃的值，通过TCR＝{(R150℃[μΩ]-R20℃[μΩ])/R20℃[μΩ]}×{1/(150[℃]-20[℃])}×106的式子，计算出电阻温度系数(ppm/℃)。
关于所测定的电阻温度系数(TCR)，将绝对值为50ppm/℃以下的情况作为电阻温度系数(TCR)的绝对值充分小、作为电阻材料优异而评价为“◎”。另一方面，将电阻温度系数(TCR)的绝对值大于50ppm/℃的情况作为电阻温度系数(TCR)的绝对值大、作为电阻材料是不良的而评价为“×”。结果如表3所示。
[7]可靠性的评价
此外，对于本发明例1～17和比较例1～7，为了对将铜合金材料作为电阻材料等长期使用时的可靠性、特别是电特性对热等的稳定性进行研究，对于在上述[4]体积电阻率的测定中测定了体积电阻率后的供试材料，通过于400℃加热2小时，由此对电特性对热的稳定性进行加速试验。在基于加热的加速试验后，用与上述[4]体积电阻率的测定相同的方法，测定供试材料的体积电阻率，分别求出从加热前的体积电阻率减去加热后的体积电阻率的体积电阻率之差。在此，将从加热前的体积电阻率减去加热后的体积电阻率的体积电阻率之差为1.0μΩ·cm以下的情况作为加热引起的体积电阻率的降低充分小、可靠性优异而评价为“◎”。另外，将从加热前的体积电阻率减去加热后的体积电阻率的体积电阻率之差超过1.0μΩ·cm且为2.0μΩ·cm以下的情况作为加热引起的体积电阻率的降低小、可靠性良好而评价为“○”。另外，将从加热前的体积电阻率减去加热后的体积电阻率的体积电阻率之差超过2.0μΩ·cm的情况作为加热引起的体积电阻率的降低大、从可靠性的观点出发相对不好而评价为“△”。结果如表2所示。
[8]综合评价
这些评价结果中，对于与冲压冲裁加工性、体积电阻率ρ、对铜热电动势(EMF)和电阻温度系数(TCR)相关的4个评价结果，将4者都评价为“◎”的情况作为冲压冲裁加工性、体积电阻率ρ、对铜热电动势(EMF)和电阻温度系数(TCR)这4个特性优异而评价为“◎”。另外，将在这4个评价结果中体积电阻率ρ和冲压冲裁加工性中的一者或两者评价为“○”、其余评价为“◎”的情况作为这4个特性至少良好而评价为“○”。另一方面，将冲压冲裁加工性、体积电阻率ρ、对铜热电动势(EMF)和电阻温度系数(TCR)中的至少任一者的评价结果为“×”的情况作为这4个特性中的至少任一者不合格而评价为“×”。结果如表2所示。
[表1]
[表2]
[表3]
由表1～表3的结果可知，本发明例1～17的铜合金材料的合金组成及维氏硬度(HV)在本发明的适当范围内，并且剪切比相对板厚t1的比例(A)和边界线7的振摆Δt相对板厚t1的比例(B)均被评价为“◎”或“○”，因此在冲压冲裁加工性的评价中也被评价为“◎”或“○”。另外，对于本发明例1～17的铜合金材料而言，针对体积电阻率ρ、对铜热电动势(EMF)和电阻温度系数(TCR)均被评价为“◎”或“○”。
另一方面，比较例1的铜合金材料不含Fe也不含Co，合金组成在本发明的适当范围之外。因此，比较例1的铜合金材料中，对铜热电动势(EMF)和电阻温度系数(TCR)被评价为“×”。
另外，比较例2的铜合金材料的维氏硬度(HV)小，在本发明的适当范围外。因此，比较例2的铜合金材料、剪切比相对板厚t1的比例(A)和边界线7的振摆Δt相对板厚t1的比例(B)中的一者被评价为“×”，冲压冲裁加工性的评价也被评价为“×”。
另外，比较例3、6的铜合金材料的合金组成均在本发明的适当范围外，且维氏硬度(HV)大而在本发明的适当范围外。因此，比较例3、6的铜合金材料在对铜热电动势(EMF)、电阻温度系数(TCR)和冲压冲裁加工性方面被评价为“×”。特别是，比较例3的铜合金材料中，由于Fe及Co的含量均多，可靠性的评价结果成为“△”。另外，比较例6的铜合金材料中，由于Ni的含量多，可靠性的评价结果成为“△”。
另外，比较例4的铜合金材料中，Mn的含量少、或Fe及Co的合计量少，合金组成在本发明的适当范围外。因此，比较例4的铜合金材料在体积电阻率ρ和冲压冲裁加工性方面被评价为“×”。
另外，比较例5的铜合金材料中，Mn的含量多、合金组成在本发明的适当范围外。因此，比较例5的铜合金材料在对铜热电动势(EMF)方面被评价为“×”。
另外，比较例7的铜合金材料中，Ni的含量少，合金组成在本发明的适当范围之外。因此，比较例7的铜合金材料在对铜热电动势(EMF)方面被评价为“×”。
由该结果可以确认，对于本发明例的铜合金材料而言，当合金组成及维氏硬度(HV)在本发明的适当范围内时，冲压冲裁加工性至少为良好。与此同时，本发明例的铜合金材料的体积电阻率ρ、对铜热电动势(EMF)和电阻温度系数(TCR)也至少良好。
另外，图3中示出下述图，其针对本发明例和比较例的铜合金材料示出维氏硬度(HV)与剪切比相对板厚t1的比例(A)的关系。图3中的图以维氏硬度(HV)为横轴、以剪切比相对板厚t1的比例(A)为纵轴。从该图也可确认，本发明例的铜合金材料在维氏硬度(HV)为115以上275以下的范围时，剪切比相对板厚t1的比例(A)在适当范围即在30％以上60％以下的范围内。
另外，图4中针对对本发明例和比较例的铜合金材料进行冲压冲裁加工时的切断面示出以包含厚度方向和宽度方向的截面观察时的扫描型电子显微镜(SEM)照片。在此，图4中的(a)是关于本发明例8的铜合金材料的切断面的SEM照片，图4中的(b)是关于比较例2的铜合金材料的切断面的SEM照片。从这些SEM照片可以确认，本发明例的铜合金材料10与比较例的铜合金材料10相比，剪切面4与断裂面5的边界即边界线7的振摆Δt小。
还可知，在本发明例7中，在Mn含量超过30.0质量％的情况下，通过使Fe的含量为0.30质量％以下，由此，与Fe的含量为0.40质量％且可靠性的评价结果被评价为“△”的本发明例4相比，电特性对热等的稳定性提高，因此在可靠性的评价结果中被评价为“○”。
另外可知，在本发明例1～3、5、6、8～11、13～17中，通过使Fe的含量为0.20质量％以下，与Fe的含量为0.30质量％以上且可靠性的评价结果被评价为“○”或“△”的本发明例4、7、12相比，电特性对热等的稳定性提高，因此在可靠性的评价结果中被评价为“◎”。
附图标记说明
10铜合金材料
10a铜合金材料的上表面
10b铜合金材料的下表面
11供试材料
21标准铜线
31、32铜线
41恒温槽
42冰点装置
43电压测定器
2切断面
3塌边
4剪切面
5断裂面
6毛刺
7边界线
t1铜合金材料的供试材料的板厚
t2铜合金材料的供试材料的塌边的厚度
Δt边界线的振摆
P1测温触点
P21、P22基准触点
x 宽度方向
y 拉伸方向
z 厚度方向

Claims (7)

1.一种铜合金材料，其具有下述合金组成，所述合金组成含有：
Mn：20.0质量％以上35.0质量％以下、
Ni：5.0质量％以上17.0质量％以下、以及
Fe及Co中的1种或2种：合计为0.10质量％以上2.00质量％以下，
余量为Cu及不可避免的杂质，
所述铜合金材料的维氏硬度(HV)在115以上275以下的范围内。
2.如权利要求1所述的铜合金材料，其中，所述合金组成含有Mn：20.0质量％以上30.0质量％以下。
3.如权利要求1所述的铜合金材料，其中，所述合金组成含有Co：0.01质量％以上1.50质量％以下，并且
Fe为0质量％以上0.30质量％以下(包括Fe的含量为0质量％的情况)。
4.如权利要求1所述的铜合金材料，其中，所述合金组成进一步含有选自由
Sn：0.01质量％以上3.00质量％以下、
Zn：0.01质量％以上5.00质量％以下、
Cr：0.01质量％以上0.50质量％以下、
Ag：0.01质量％以上0.50质量％以下、
Al：0.01质量％以上1.00质量％以下、
Mg：0.01质量％以上0.50质量％以下、
Si：0.01质量％以上0.50质量％以下、以及
P：0.01质量％以上0.50质量％以下组成的组中的至少1种。
5.如权利要求1所述的铜合金材料，其中，所述铜合金材料的平均晶体粒径为50μm以下。
6.一种电阻器用电阻材料，其包含权利要求1～5中任一项所述的铜合金材料。
7.一种电阻器，其为具有权利要求6所述的电阻器用电阻材料的、分流电阻器或芯片电阻器。
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