CN117098411A

CN117098411A - 显示装置

Info

Publication number: CN117098411A
Application number: CN202310546462.2A
Authority: CN
Inventors: 金亨俊; 金亿洙; 金亨度; 南润龙; 朴晙皙; 林俊亨
Original assignee: Samsung Display Co Ltd
Current assignee: Samsung Display Co Ltd
Priority date: 2022-05-20
Filing date: 2023-05-15
Publication date: 2023-11-21
Also published as: CN220108616U; WO2023224232A1; US20230380228A1; KR20230162877A

Abstract

公开了一种显示装置,该显示装置包括：第一基底，包括显示区域和非显示区域；第二基底，在第一基底上；以及密封构件，在非显示区域的密封区域中。第一基底包括：第一基体部；第一导电层，在第一基体部上，第一导电层包括第一信号线和下光阻挡层；缓冲层，在第一导电层上；半导体层，在缓冲层上，半导体层与下光阻挡层叠置；栅极绝缘层，在半导体层上；以及第二导电层，在栅极绝缘层上，第二导电层包括电连接到第一信号线的第二信号线和第三信号线以及与半导体层叠置的栅电极。在平面图中，第一信号线在第二信号线与第三信号线之间。第一信号线与密封构件叠置。

Description

显示装置

技术领域

公开涉及一种显示装置和制造显示装置的方法。

背景技术

随着多媒体技术的发展，显示装置的重要性已经稳步地增加。因此，已经开发了诸如液晶显示(LCD)装置、有机发光二极管(OLED)显示装置等的各种类型的显示装置。

在显示装置之中，自发光显示装置包括诸如有机发光元件的自发光元件。自发光元件可以包括两个相对的电极和置于两个相对的电极之间的发光层。在使用有机发光元件作为自发光元件的情况下，来自两个电极的电子和空穴可以在发光层中复合以产生激子，激子从激发态跃迁到基态，发射光。

因为自发光显示装置由于不需要像背光单元那样的光源而可以被制成具有低功耗、重量轻且薄的特征并且因为自发光显示装置可以满足高显示质量要求(诸如宽视角、高亮度和对比度以及快速响应速度)，所以自发光显示装置作为下一代显示装置赢得了欢迎。

发明内容

公开的方面提供了一种具有改善的密封区域的透湿性特性的显示装置。

公开的方面还提供了一种制造具有改善的密封区域的透湿性特性的显示装置的方法。

然而，公开的方面不限于在此所阐述的方面。通过参照下面所给出的公开的详细描述，公开的以上和其它方面对于公开所属领域的普通技术人员将变得更加明显。

根据公开的方面，提供了一种显示装置，该显示装置可以包括：第一基底，包括显示区域和与显示区域相邻的非显示区域；第二基底，设置在第一基底上；以及密封构件，设置在非显示区域的密封区域中以将第一基底接合到第二基底。第一基底可以包括：第一基体部；第一导电层，在第一基体部上，第一导电层包括第一信号线和下光阻挡层；缓冲层，在第一导电层上；半导体层，在缓冲层上，半导体层与下光阻挡层叠置；栅极绝缘层，在半导体层上；以及第二导电层，在栅极绝缘层上，第二导电层包括电连接到第一信号线的第二信号线和第三信号线以及与半导体层叠置的栅电极。在平面图中，第一信号线可以设置在第二信号线与第三信号线之间。第一信号线可以与密封构件叠置。

第二导电层还可以包括连接到第二信号线的外端的第一垫。

第一基底还可以包括在第二导电层上的钝化层。

第一基底还可以包括在钝化层上的过孔层。

过孔层可以包括有机绝缘材料。

过孔层可以不与密封构件叠置。

密封构件可以与钝化层直接接触。

第一基底还可以包括第三导电层，该第三导电层包括：第二垫，在过孔层上；第一连接电极；第二连接电极；以及第一电极，连接到下光阻挡层和半导体层中的每个并且设置在显示区域中。

第二垫可以与第一垫叠置，并且第二垫可以通过穿透过孔层和钝化层的第一接触孔连接到第一垫。

第一连接电极可以与第二信号线和第一信号线叠置。

第一连接电极可以通过穿透过孔层和钝化层的第二接触孔电连接到第二信号线，并且第一连接电极可以通过穿透过孔层、钝化层和缓冲层的第三接触孔连接到第一信号线。

第二连接电极可以通过穿透过孔层、钝化层和缓冲层的第四接触孔电连接到第一信号线，并且第二连接电极可以通过穿透过孔层和钝化层的第五接触孔电连接到第三信号线。

第一基底还可以包括：堤，在显示区域中部分地暴露第一电极的顶表面；有机层，设置在第一电极的被堤暴露的顶表面上；以及第二电极，在有机层上，并且第一电极、有机层和第二电极可以构成发光元件。

第三信号线可以电连接到发光元件。

堤可以设置为直到非显示区域，以在非显示区域中暴露第二垫的顶表面，并且在密封区域中暴露钝化层的顶表面。

第二基底可以包括：第二基体部，面对第一基体部；滤色器层，在第二基体部上；以及光转换图案层，在滤色器层上。

显示装置还可以包括在第一基底与第二基底之间的填充件。

提供了一种制造显示装置的方法，该方法可以包括以下步骤：形成包括显示区域和与显示区域相邻的非显示区域的第一基底；以及通过设置在非显示区域的密封区域中的密封构件将第二基底接合到第一基底。形成第一基底的步骤可以包括以下步骤：在第一基体部上形成包括第一信号线和下光阻挡层的第一导电层；在第一导电层上形成缓冲层；在缓冲层上形成与下光阻挡层叠置的半导体层；在半导体层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成包括电连接到第一信号线的第二信号线和第三信号线、电连接到第二信号线的外端的第一垫以及与半导体层叠置的栅电极的第二导电层；在第二导电层上形成钝化层；以及在钝化层上形成过孔层。在平面图中，可以在第二信号线与第三信号线之间设置第一信号线。第一信号线可以与密封构件叠置。在形成过孔层的步骤中，过孔层的在密封区域中的厚度可以小于过孔层的在除了密封区域之外的区域中的厚度。

形成第一基底的步骤还可以包括在于钝化层上形成过孔层之后，在过孔层中形成接触孔。接触孔可以包括：第一接触孔，与第一垫叠置并且穿透过孔层和钝化层；第二接触孔，与第二信号线叠置并且穿透过孔层和钝化层；第三接触孔，与第一信号线叠置并且穿透过孔层、钝化层和缓冲层；第四接触孔，与第一信号线叠置并且穿透过孔层、钝化层和缓冲层；以及第五接触孔，与第三信号线叠置并且穿透过孔层和钝化层。

形成第一基底的步骤还可以包括在于过孔层中形成接触孔之后，遍及整个表面对过孔层进行灰化，并且在遍及整个表面对过孔层进行灰化的步骤中，密封区域中的过孔层可以包括第一开口部。

形成第一基底的步骤还可以包括在过孔层上形成第三导电层。第三导电层可以包括：第二垫，在过孔层上与第一垫叠置并且通过第一接触孔电连接到第一垫；第一连接电极，通过第二接触孔电连接到第二信号线并且通过第三接触孔电连接到第一信号线；第二连接电极，通过第四接触孔电连接到第一信号线并且通过第五接触孔电连接到第三信号线；以及第一电极，连接到下光阻挡层和半导体层中的每个并且设置在显示区域中。

形成第一基底的步骤还可以包括在形成第三导电层之后，形成部分地暴露第一电极的顶表面的堤、设置在第一电极的被堤暴露的顶表面上的有机层以及在有机层上的第二电极，并且第一电极、有机层和第二电极可以构成发光元件。

第三信号线可以电连接到发光元件。

堤可以设置为直到非显示区域，并且包括在非显示区域中暴露第二垫的顶表面并且在密封区域中暴露钝化层的顶表面的第二开口部。

密封构件可以与钝化层的被第一开口部和第二开口部暴露的顶表面直接接触。

根据公开的实施例，可以改善从外部通过密封区域的湿气渗透防止。

然而，公开的效果不限于上述效果，并且各种其它效果包括在公开中。

附图说明

通过参照附图详细描述公开的实施例，公开的以上和其它方面及特征将变得更加明显，在附图中：

图1是示出了根据实施例的显示装置的堆叠结构的示意性剖视图；

图2是根据实施例的显示装置的示意性平面图；

图3是根据实施例的显示装置的示意性像素电路图；

图4是图2的部分Q1的放大示意性平面图，更具体地，是包括在图2的显示装置中的显示基底的示意性平面图；

图5是图2的部分Q1的放大示意性平面图，更具体地，是包括在图2的显示装置中的颜色转换基底的示意性平面图；

图6是示出了图4的修改示例的示意性平面图；

图7是示出了图5的修改示例的示意性平面图；

图8是图2的部分Q3的放大示意性平面图；

图9是沿着图5的线X1-X1'截取的根据实施例的显示装置的示意性剖视图；

图10是图9的部分Q4的放大示意性剖视图；

图11是示出了图10中所示的结构的修改示例的示意性剖视图；

图12是沿着图8的线X3-X3'截取的根据实施例的显示装置的示意性剖视图；

图13是示出了根据实施例的显示装置的颜色转换基底中的第三滤色器的布置的示意性平面图；

图14是示出了根据实施例的显示装置的颜色转换基底中的第一滤色器的布置的示意性平面图；

图15是示出了根据实施例的显示装置的颜色转换基底中的第二滤色器的布置的示意性平面图；

图16至图23是示出了根据实施例的显示装置的制造方法的工艺步骤的示意性剖视图；

图24是根据另一实施例的显示装置的示意性剖视图；

图25是示出了根据又一实施例的显示装置的非显示区域和显示区域的示意性平面图；

图26是沿着图25的线X3-X3'截取的根据实施例的显示装置的示意性剖视图；

图27是示出了根据又一实施例的显示装置的非显示区域和显示区域的示意性平面图；

图28是沿着图27的线X3-X3'截取的根据实施例的显示装置的示意性剖视图；

图29是根据又一实施例的显示装置的示意性剖视图；

图30是根据又一实施例的显示装置的示意性剖视图；

图31是根据又一实施例的显示装置的示意性剖视图；

图32是根据又一实施例的显示装置的示意性剖视图；以及

图33是根据又一实施例的显示装置的示意性剖视图。

具体实施方式

在下文中，现在将参照附图更充分地描述公开，在附图中示出了实施例。然而，本公开可以以不同的形式实施，并且不应被解释为限于在此所阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达公开的范围。在整个说明书中，相同的附图标记表示相同的组件。在附图中，为了清楚起见，可以夸大层和区域的厚度。

如在此所使用的，除非上下文另有明确说明，否则单数形式“一”、“一个(种/者)”和“该(所述)”也旨在包括复数形式。

还将理解的是，当层被称为“在”另一层或基底“上”时，它可以直接在所述另一层或基底上，或者也可以存在居间层。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，可以不存在居间元件。

为了易于描述，诸如“在……之下”、“在……下方”、“下”、“在……上方”、“上”等的空间相对术语在此可以用于描述如附图中所示的一个元件或特征与另一(其它)元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语旨在涵盖装置在使用或操作中的除了附图中描绘的方位之外的不同方位。例如，如果附图中的装置被翻转，则被描述为“在”其它元件或特征“下方”或“之下”的元件随后将被定向为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，术语“在……下方”可以涵盖上方和下方两个方位。装置可以被另外定向(旋转90度或处于其它方位)，相应地解释在此所使用的空间相对描述语。

将理解的是，虽然术语第一、第二等在此可以用于描述各种元件，但是这些元件不应受到这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。例如，在不脱离公开的范围的情况下，第一元件可以被称为第二元件，类似地，第二元件可以被称为第一元件。

将参照其中示出了实施例的透视图、剖视图和/或平面图来描述公开。因此，可以根据制造技术和/或公差来修改视图的轮廓。即，实施例不旨在限制公开的范围，而是覆盖由于制造工艺的改变可能会引起的所有改变和修改。因此，附图中所示的区域以示意性形式示出，并且区域的形状仅通过说明的方式呈现而不是作为限制。

术语“叠置”或“重合”意指第一目标可以在第二目标的上方或下方或侧面，反之亦然。此外，如本领域普通技术人员将领会和理解的，术语“叠置”可以包括层叠、堆叠、面对或面向、在上方延伸、覆盖或部分地覆盖或者任何其它合适的术语。

术语“面向”和“面对”意指第一元件可以与第二元件直接或间接地相对。在其中第三元件介于第一元件与第二元件之间的情况下，虽然第一元件和第二元件仍然彼此面对，但是第一元件和第二元件可以被理解为彼此间接相对。

如本领域普通技术人员将领会和理解的，当元件被描述为“不与”另一元件“叠置”或“重合”时，这可以包括所述元件彼此分隔开、彼此偏移或彼此分离或者任何其它合适的术语。

在说明书和权利要求中，为了其含义和解释的目的，术语“和/或”旨在包括术语“和”和“或”的任何组合。例如，“A和/或B”可以被理解为意指包括“A、B或者A和B”的任何组合。术语“和”和“或”可以在连接或分离的意义上使用，并且可以被理解为等同于“和/或”。

在说明书和权利要求中，为了其含义和解释的目的，短语“……中的至少一个(种/者)”旨在包括“选自于……的组中的至少一个(种/者)”的含义。例如，“A和B中的至少一个(种/者)”可以被理解为意指包括“A、B或者A和B”的任何组合。

将理解的是，当元件(或区域、层、部分等)在说明书中被称为“在”另一元件“上”、“连接到”或“结合到”另一元件时，它可以直接设置在上述另一元件上、直接连接或直接结合到上述另一元件，或者可以在它们之间设置居间元件。

将理解的是，术语“连接到”或“结合到”可以包括物理和/或电连接或结合。

如在此所使用的“约(大约)”、“近似”、“基本上(基本)”等包括所陈述的值，并且意指考虑到所提及的测量和与特定量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)在如由本领域普通技术人员确定的对于特定值的可接受的偏差范围内。例如，“约(大约)”可以意指在一个或更多个标准偏差内，或者在所陈述的值的±30％、±20％、±10％、±5％之内。

除非另有定义，否则在此所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，术语(诸如在通用词典中定义的术语)应被解释为具有与它们在相关领域的上下文中的含义一致的含义，并且将不以理想化或过于形式化的含义来解释，除非在此如此明确限定。

图1是示出了根据实施例的显示装置的堆叠结构的示意性剖视图。

参照图1，显示装置1可以应用于各种电子设备，即，诸如平板PC、智能电话、汽车导航单元、相机、设置在车辆中的中心信息显示器(CID)、手表型电子装置、个人数字助理(PDA)、便携式多媒体播放器(PMP)和游戏机的小型和中型电子装置以及诸如电视、外部广告牌、监视器、个人计算机和膝上型计算机的中型和大型电子装置。这些仅仅是作为示例提出的，但是在不脱离公开的情况下，显示装置1也可以应用于其它电子装置。

显示装置1可以包括显示图像的显示区域DA和不显示图像的非显示区域NDA。在一些实施例中，非显示区域NDA可以定位为与显示区域DA相邻(例如，在显示区域DA周围)，并且可以围绕显示区域DA。显示在显示区域DA中的图像可以在附图的箭头所指的第三方向Z上被用户视觉地识别。

当描述显示装置1的示意性堆叠结构时，在一些实施例中，如图1中所示，显示装置1可以包括显示基底10和面对显示基底10的颜色转换基底30，并且还可以包括将显示基底10接合到颜色转换基底30的密封构件50以及填充在显示基底10与颜色转换基底30之间的填充件70。

显示基底10可以在显示区域DA中包括稍后将描述的用于显示图像的元件和电路，例如以开关元件为例的像素电路、限定发射区域和非发射区域的像素限定层和自发光元件。在实施例中，自发光元件可以包括有机发光元件(有机发光二极管)、量子点发光元件(量子点发光二极管)、无机材料类微发光二极管(例如，微LED)和具有纳米尺寸的无机材料类发光二极管(例如，纳米LED)中的至少一个。在下文中，为了简化描述，其中自发光元件是有机发光元件的实施例将被描述为示例。

颜色转换基底30可以位于显示基底10上方以面对显示基底10。在一些实施例中，颜色转换基底30可以包括用于转换入射光的颜色的颜色转换图案。在一些实施例中，颜色转换基底30可以包括滤色器和波长转换图案中的至少一个作为颜色转换图案。在一些实施例中，颜色转换基底30可以包括滤色器和波长转换图案两者。

密封构件50可以在非显示区域NDA中定位在显示基底10与颜色转换基底30之间。在平面图中，密封构件50可以在非显示区域NDA中沿着显示基底10和颜色转换基底30的边缘设置以围绕显示区域DA。显示基底10和颜色转换基底30可以通过密封构件50彼此接合。

在一些实施例中，密封构件50可以由有机材料制成。例如，密封构件50可以由环氧类树脂制成，但不限于此。在一些其它实施例中，密封构件50可以以包括玻璃等的玻璃料的形式施加。

填充件70可以定位在显示基底10与颜色转换基底30之间的被密封构件50围绕的空间中。填充件70可以填充显示基底10与颜色转换基底30之间的空间。

在一些实施例中，填充件70可以由可以透射光的材料制成。在一些实施例中，填充件70可以由有机材料制成。例如，填充件70可以由(聚)硅氧烷类有机材料、环氧类有机材料以及/或者(聚)硅氧烷类有机材料和环氧类有机材料的混合物等制成。

在一些实施例中，填充件70可以由具有基本上为零的消光系数的材料制成。折射率与消光系数之间可以存在相关性，随着折射率减小，消光系数也减小。在折射率是1.7或更小的情况下，消光系数可以基本上收敛到零。在一些实施例中，填充件70可以由具有1.7或更小的折射率的材料制成，并且因此可以防止从自发光元件提供的光在穿过填充件70的同时被吸收或者使从自发光元件提供的光在穿过填充件70的同时被吸收最少化。在一些实施例中，填充件70可以由具有1.4至1.6的折射率的有机材料制成。

虽然在图1中显示装置1被示出为包括显示基底10、颜色转换基底30、密封构件50和填充件70，但是在一些实施例中，密封构件50和填充件70可以在显示装置1中被省略，并且颜色转换基底30的除了第二基体部310(见图9)之外的组件可以设置在显示基底10上。

图2是根据实施例的显示装置的示意性平面图。图3是根据实施例的显示装置的示意性像素电路图。图4是图2的部分Q1的放大示意性平面图，更具体地，是包括在图2的显示装置中的显示基底的示意性平面图。图5是图2的部分Q1的放大示意性平面图，更具体地，是包括在图2的显示装置中的颜色转换基底的示意性平面图。图6是示出了图4的修改示例的示意性平面图。图7是示出了图5的修改示例的示意性平面图。图8是图2的部分Q3的放大示意性平面图。

除了图1之外，进一步参照图2至图8，在一些实施例中，如图2中所示，显示装置1在平面图中可以具有矩形形状。显示装置1可以包括在第一方向X上延伸的两条边(即，第一边L1和第三边L3)以及在与第一方向X相交的第二方向Y上延伸的两条边(即，第二边L2和第四边L4)。显示装置1的边交汇的角可以是直角的，但不限于此。在一些实施例中，第一边L1和第三边L3的长度以及第二边L2和第四边L4的长度可以彼此不同。例如，第一边L1和第三边L3可以比第二边L2和第四边L4相对长。显示装置1的平面形状不限于所公开的实施例，而是可以具有圆形形状或其它形状。

在一些实施例中，显示装置1还可以包括柔性电路板FPC和驱动芯片IC。

显示区域DA可以包括像素。像素可以包括子像素SPXn(见图3)。子像素SPXn可以包括第一子像素、第二子像素和第三子像素，并且子像素SPXn可以形成为与稍后将描述的显示基底10的发射区域LA1、LA2和LA3对应。

如图4中所示，发射区域LA1、LA2和LA3以及非发射区域NLA可以在显示区域DA中限定在显示基底10上。

在一些实施例中，第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以限定在显示基底10的显示区域DA中。在第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3中，从显示基底10的发光元件产生的光可以发射到显示基底10的外部，在非发射区域NLA中，光可以不发射到显示基底10的外部。在一些实施例中，非发射区域NLA可以在显示区域DA中围绕第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3中的每个。

在一些实施例中，从第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3发射到外部的光可以是第三颜色的光。在一些实施例中，第三颜色的光可以是蓝光，并且可以具有约440nm至约480nm的范围的峰值波长。这里，峰值波长意指光的强度最大处的波长。

在一些实施例中，第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以形成组，并且多个组可以限定在显示区域DA中。

如图4中所示，第一发射区域LA1和第三发射区域LA3可以在第一方向X上彼此相邻，并且第二发射区域LA2可以定位到第一发射区域LA1和第三发射区域LA3的在第二方向Y上的一侧。然而，公开不限于此，第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3的布置可以不同地改变。例如，如图6中所示，第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以沿着第一方向X顺序地定位。在一些实施例中，在显示区域DA中，第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3可以形成组，以沿着第一方向X和第二方向Y重复地布置。

在下文中，如图4中所示的其中设置有第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3的情况将被描述为示例。

如图5中所示，光透射区域TA1、TA2和TA3以及光阻挡区域BA可以在显示区域DA中限定在颜色转换基底30上。光透射区域TA1、TA2和TA3可以是其中从显示基底10发射的光穿过颜色转换基底30并且被提供到显示装置1的外部的区域。光阻挡区域BA可以是其中可以未透射从显示基底10发射的光的区域。

在一些实施例中，第一光透射区域TA1、第二光透射区域TA2和第三光透射区域TA3可以限定在颜色转换基底30上。

第一光透射区域TA1可以与第一发射区域LA1对应或与第一发射区域LA1叠置。类似地，第二光透射区域TA2可以与第二发射区域LA2对应或与第二发射区域LA2叠置，并且第三光透射区域TA3可以与第三发射区域LA3对应或与第三发射区域LA3叠置。

如图4中所示，在第一发射区域LA1和第三发射区域LA3在第一方向X上彼此相邻并且第二发射区域LA2定位到第一发射区域LA1和第三发射区域LA3的在第二方向Y上的一侧的情况下，如图5中所示，第一光透射区域TA1和第三光透射区域TA3可以在第一方向X上彼此相邻，并且第二光透射区域TA2可以定位到第一光透射区域TA1和第三光透射区域TA3的在第二方向Y上的一侧。

在一些实施例中，如图6中所示，在第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3沿着第一方向X顺序地定位的情况下，如图7中所示，第一光透射区域TA1、第二光透射区域TA2和第三光透射区域TA3也可以沿着第一方向X顺序地定位。

在一些实施例中，第一光透射区域TA1、第二光透射区域TA2和第三光透射区域TA3中的每个的形状在平面图中可以是四边形。例如，四边形可以是矩形或正方形。然而，公开不限于此，并且第一光透射区域TA1、第二光透射区域TA2和第三光透射区域TA3在平面图中可以均具有圆形形状、椭圆形形状或其它多边形形状。

在一些实施例中，从显示基底10提供的第三颜色的光可以穿过第一光透射区域TA1、第二光透射区域TA2和第三光透射区域TA3并且被发射到外部。在从第一光透射区域TA1发射到显示装置1的外部的光被称为第一发射光、从第二光透射区域TA2发射到显示装置1的外部的光被称为第二发射光并且从第三光透射区域TA3发射到显示装置1的外部的光被称为第三发射光的情况下，第一发射光可以是第一颜色的光，第二发射光可以是与第一颜色不同的第二颜色的光，并且第三发射光可以是第三颜色的光。在一些实施例中，第三颜色的光可以是具有380nm至500nm的波长范围和440nm至480nm的范围的峰值波长的蓝光，并且第一颜色的光可以是具有600nm至780nm的波长范围和610nm至650nm的范围的峰值波长的红光。第二颜色的光可以是具有500nm至600nm的波长范围和510nm至550nm的范围的峰值波长的绿光。

光阻挡区域BA可以在显示区域DA中定位在颜色转换基底30的第一光透射区域TA1、第二光透射区域TA2和第三光透射区域TA3周围。在一些实施例中，光阻挡区域BA可以围绕第一光透射区域TA1、第二光透射区域TA2和第三光透射区域TA3。光阻挡区域BA也可以定位在显示装置1的非显示区域NDA中。

如图5中所示，光透射区域TA1、TA2和TA3以及光阻挡区域BA可以在显示区域DA中限定在颜色转换基底30上。光透射区域TA1、TA2和TA3可以是其中从显示基底10发射的光穿过颜色转换基底30并且被提供到显示装置1的外部的区域。光阻挡区域BA可以是其中可以不透射从显示基底10发射的光的区域。

返回参照图2，显示装置1的非显示区域NDA可以包括密封区域SA。密封构件50可以设置在密封区域SA中，并且坝构件DM可以设置在非显示区域NDA中。

坝构件DM可以在形成设置在显示区域DA中的封装层的工艺中阻挡有机材料(或单体)的溢出，从而防止封装层的有机材料朝向显示装置1的边缘延伸。

在一些实施例中，坝构件DM可以设置为在平面图中整个地围绕显示区域DA。

如上所述，密封构件50可以将显示基底10和颜色转换基底30彼此接合。

密封构件50可以在非显示区域NDA中定位在坝构件DM外部，并且可以设置为在平面图中整个地围绕坝构件DM和显示区域DA。

显示装置1的非显示区域NDA可以包括垫(pad，或称为“焊盘”)区域PDA，并且多个垫电极PD可以定位在垫区域PDA中。

在一些实施例中，垫电极PD可以定位在非显示区域NDA的与长边相邻的部分中，例如，定位在非显示区域NDA的与第一边L1相邻的区域中。垫电极PD可以通过连接线等电连接到位于显示区域DA中的像素电路等。

显示装置1的显示基底10(见图1)可以包括上述坝构件DM和垫电极PD。

柔性电路板FPC可以连接到垫电极PD。柔性电路板FPC可以将显示基底10(见图1)电连接到提供用于驱动显示装置1的信号、电力等的电路板等。

驱动芯片IC可以电连接到电路板等以接收数据、信号等。在一些实施例中，驱动芯片IC可以是数据驱动芯片，可以从电路板等接收数据控制信号、图像数据等，并且可以产生并且输出与图像数据对应的数据电压等。

在一些实施例中，驱动芯片IC可以安装在柔性电路板FPC上。例如，驱动芯片IC可以以膜上芯片(COF)的形式安装在柔性电路板FPC上。

从驱动芯片IC提供的数据电压、从电路板提供的电力等可以经由柔性电路板FPC和垫电极PD被传输到显示基底10(见图1)的像素电路等。

如上所述，子像素SPXn可以形成为与稍后将描述的显示基底10的发射区域LA1、LA2和LA3对应。除了发光元件ED之外，每个子像素SPXn可以包括三个晶体管T1、T2和T3以及一个存储电容器Cst。

发光元件ED可以根据通过第一晶体管T1供应的电流发射光。发光元件ED可以包括第一电极、第二电极和设置在第一电极与第二电极之间的至少一个有机层。发光元件ED可以通过从第一电极和第二电极传输的电信号发射在特定波长带中的光。

发光元件ED的一端可以连接到第一晶体管T1的源电极，并且另一端可以连接到第二电压线VL2，比第一电压线VL1的高电势电压(在下文中，第一电力电压)低的低电势电压(在下文中，第二电力电压)可以被供应到第二电压线VL2。

第一晶体管T1可以根据栅电极与源电极之间的电压差来调整从第一电压线VL1流到发光元件ED的电流，第一电力电压被供应到第一电压线VL1。例如，第一晶体管T1可以是用于驱动发光元件ED的驱动晶体管。第一晶体管T1的栅电极可以连接到第二晶体管T2的源电极，第一晶体管T1的源电极可以连接到发光元件ED的一端，并且第一晶体管T1的漏电极可以连接到第一电压线VL1，第一电力电压被施加到第一电压线VL1。

第二晶体管T2可以通过扫描线SL的扫描信号导通，以将数据线DTL连接到第一晶体管T1的栅电极。第二晶体管T2的栅电极可以连接到扫描线SL，第二晶体管T2的源电极可以连接到第一晶体管T1的栅电极，并且第二晶体管T2的漏电极可以连接到数据线DTL。

第三晶体管T3可以通过扫描线SL的扫描信号导通，以将初始化电压线VIL连接到发光元件ED的一端。第三晶体管T3的栅电极可以连接到扫描线SL，第三晶体管T3的漏电极可以连接到初始化电压线VIL，并且第三晶体管T3的源电极可以连接到发光元件ED的一端或连接到第一晶体管T1的源电极。

在实施例中，晶体管T1、T2和T3中的每个的源电极和漏电极不限于上述源电极和漏电极，反之亦然。晶体管T1、T2和T3中的每个可以由薄膜晶体管形成。在图3中，晶体管T1、T2和T3中的每个已经被描述为由N型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)形成，但不限于此。例如，晶体管T1、T2和T3中的每个可以由P型MOSFET形成。在其它实施例中，晶体管T1、T2和T3中的一些可以由N型MOSFET形成，其它晶体管可以由P型MOSFET形成。

存储电容器Cst可以形成在第一晶体管T1的栅电极和源电极之间。存储电容器Cst可以存储第一晶体管T1的栅极电压和源极电压之间的差电压。

在图3的实施例中，第二晶体管T2和第三晶体管T3的栅电极可以连接到同一扫描线SL。示出了第二晶体管T2和第三晶体管T3通过从同一扫描线SL施加的扫描信号而同时导通，但是第二晶体管T2的栅电极可以连接到第一扫描线，并且第三晶体管T3的栅电极可以连接到第二扫描线。这里，第一扫描线和第二扫描线可以是不同的扫描线，并且第二晶体管T2和第三晶体管T3可以响应于从不同的扫描线施加的扫描信号而导通。然而，公开不限于此。

如上所述，垫电极PD可以用于通过柔性电路板FPC接收驱动信号、电力等，并且将其传输到显示区域DA的发光元件ED。例如，在垫电极PD接收驱动信号的情况下，对应的垫电极PD可以是驱动垫电极，并且在垫电极PD接收电力的情况下，对应的垫电极PD可以是电力垫电极。如上面参照图3所描述的，两条电压线VL1和VL2(或电力线)可以连接到发光元件ED，并且电压线VL1和VL2中的每条可以通过电力垫电极接收第一电力电压或第二电力电压，并且将电力电压传输到发光元件ED。因此，电力垫电极可以包括连接到第一电压线VL1的第一电力垫电极和连接到第二电压线VL2的第二电力垫电极。图8中的垫电极PD被示出为第二电力垫电极，但不限于此。此外，如图8中所示，垫电极PD可以通过信号线WR1、WR2和WR3连接到显示区域DA的发光元件ED1、ED2和ED3(见图9)。稍后将与稍后将描述的图12一起详细给出图8的描述。

在下文中，将更详细地描述显示装置1的结构。

图9是沿着图5的线X1-X1'截取的根据实施例的显示装置的示意性剖视图。图10是图9的部分Q4的放大示意性剖视图。图11是示出了图10中所示的结构的修改示例的示意性剖视图。图12是沿着图8的线X3-X3'截取的根据实施例的显示装置的示意性剖视图。

除了图1至图8之外，进一步参照图9至图12，显示装置1可以包括如上所述的显示基底10和颜色转换基底30，并且还可以包括定位在显示基底10与颜色转换基底30之间的填充件70。

在下文中，将描述显示基底10。

第一基体部110可以由光透射材料制成。在一些实施例中，第一基体部110可以是玻璃基底或塑料基底。在第一基体部110是塑料基底的情况下，第一基体部110可以具有柔性。

如上所述，在一些实施例中，发射区域LA1、LA2和LA3以及非发射区域NLA可以在显示区域DA中限定在第一基体部110中。

在一些实施例中，显示装置1的第一边L1、第二边L2、第三边L3和第四边L4可以与第一基体部110的四条边相同。例如，显示装置1的第一边L1、第二边L2、第三边L3和第四边L4可以被称为第一基体部110的第一边L1、第二边L2、第三边L3和第四边L4。

第一导电层可以设置在第一基体部110上。第一导电层可以包括下光阻挡层BML和第二信号线WR2。下光阻挡层BML可以阻挡外部光或来自发光元件ED的光流入到稍后将描述的半导体层ACT中，从而防止或减少薄膜晶体管T1、T2和T3(见图3)中的由光引起的漏电流。

在一些实施例中，第一导电层可以由阻挡光并且具有导电性的材料制成。例如，第一导电层可以包括诸如银(Ag)、镍(Ni)、金(Au)、铂(Pt)、铝(Al)、铜(Cu)、钼(Mo)、钛(Ti)或钕(Nd)的金属的单种材料或者它们的合金。在一些实施例中，第一导电层可以具有单层或多层结构。例如，在第一导电层具有多层结构的情况下，它可以具有钛(Ti)/铜(Cu)/氧化铟锡(ITO)的堆叠结构或者钛(Ti)/铜(Cu)/氧化铝(Al₂O₃)的堆叠结构，但不限于此。

在一些实施例中，多个下光阻挡层BML可以设置为分别与半导体层ACT对应，并且可以与半导体层ACT叠置。在一些实施例中，下光阻挡层BML的宽度可以比半导体层ACT的宽度大。下光阻挡层BML可以连接到稍后将描述的阳极电极AE1、AE2和AE3。

第二信号线WR2可以连接到稍后将描述的信号线WR1和WR3中的每条。在实施例中，第二信号线WR2可以与密封区域SA叠置，并且可以设置为与密封构件50叠置。稍后将描述的第一信号线WR1和第三信号线WR3中的每条可以不与密封构件50叠置。

缓冲层111可以进一步设置在第一导电层上。缓冲层111可以在显示区域DA和非显示区域NDA中设置在第一基体部110上。缓冲层111可以阻挡穿透第一基体部110的异物或湿气。例如，缓冲层111可以包括诸如SiO₂、SiN_x和/或SiON的无机材料，并且可以形成为单个层或多层。

半导体层ACT可以定位在缓冲层111上。在一些实施例中，半导体层ACT可以设置为在显示区域DA中与第一发射区域LA1、第二发射区域LA2和第三发射区域LA3中的每个对应。

在一些实施例中，半导体层ACT可以包括氧化物半导体。例如，半导体层ACT可以由氧化Zn类材料(例如，氧化Zn、氧化In-Zn和/或氧化Ga-In-Zn)形成，并且也可以是包含金属(诸如铟(In)或镓(Ga))的In-Ga-Zn-O(IGZO)半导体。然而，公开不限于此，并且半导体层ACT可以包括非晶硅和/或多晶硅等。

在一些实施例中，半导体层ACT可以设置为与下光阻挡层BML叠置，从而抑制半导体层ACT中的光电流的产生。

栅极绝缘层115可以定位在半导体层ACT上。在一些实施例中，栅极绝缘层115可以定位在显示区域DA和非显示区域NDA中。在一些实施例中，栅极绝缘层115可以设置为与稍后将描述的第二导电层的电极对应。例如，栅极绝缘层115可以仅设置在与第二导电层的电极叠置的区域中。然而，公开不限于此，并且可以整个地形成栅极绝缘层115，而与第二导电层的电极的布置无关。栅极绝缘层115可以包括诸如SiO₂、SiN_x、SiON、Al₂O₃、TiO₂、Ta₂O、HfO₂和/或ZrO₂的无机材料。

第二导电层可以设置在栅极绝缘层115上。第二导电层可以包括薄膜晶体管T1、T2和T3的栅电极GE、垫电极PD的第一垫电极PD1以及信号线WR1和WR3。

栅电极GE可以设置在显示区域DA中以与半导体层ACT叠置。第一垫电极PD1可以设置在非显示区域NDA中，并且在平面图中可以定位在密封区域SA外部。第一信号线WR1可以连接到第一垫电极PD1。例如，第一信号线WR1的(在密封区域SA的向外方向上的)外端可以直接连接到第一垫电极PD1。第一信号线WR1可以设置在非显示区域NDA中，并且在平面图中可以定位在密封区域SA外部。第三信号线WR3可以设置在非显示区域NDA中，并且在平面图中可以定位在密封区域SA内部。第一垫电极PD1可以连接到垫电极PD的第二垫电极PD2，第一信号线WR1可以通过第一连接电极CNE1连接到第二信号线WR2，并且第三信号线WR3可以通过第二连接电极CNE2连接到第二信号线WR2。

考虑到与相邻的层的粘附性、堆叠层的表面平坦度、可加工性等，第二导电层可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)中的一种或更多种材料，并且可以形成为单个层或多层。

钝化层117可以定位在第二导电层上。钝化层117可以定位在显示区域DA和非显示区域NDA中。钝化层117可以保护其下方的第二导电层的组件PD1、WR1、WR3和GE。

在一些实施例中，钝化层117可以包括无机材料。例如，钝化层117可以包括在栅极绝缘层115的描述中所公开的无机材料。然而，公开不限于此，钝化层117可以包括有机材料。可以限定钝化层117的顶表面117u，并且钝化层117可以具有预定厚度t117。在一些实施例中，由于钝化层117包括无机材料，因此与所示出的示例不同，它可以形成为遍及整个区域具有基本上均匀的厚度t117。

过孔层130可以设置在钝化层117上。过孔层130可以在显示区域DA中覆盖薄膜晶体管T1、T2和T3。在一些实施例中，过孔层130可以是平坦化层。在一些实施例中，过孔层130可以由有机材料形成。例如，过孔层130可以包括丙烯酸树脂、环氧树脂、酰亚胺树脂和/或酯树脂等。在一些实施例中，过孔层130可以包括光敏有机材料。

第三导电层可以在显示区域DA中设置在过孔层130上。第三导电层可以包括阳极电极AE1、AE2和AE3、连接电极CNE1、CNE2和CNE3以及第二垫电极PD2。阳极电极AE1、AE2和AE3可以包括第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3。阳极电极AE1、AE2和AE3中的每个可以通过穿透过孔层130、钝化层117和缓冲层111的接触孔连接到下光阻挡层BML，并且可以通过穿透过孔层130和钝化层117的接触孔连接到半导体层ACT。半导体层ACT可以包括与栅电极GE叠置的沟道区、在沟道区的一侧上的源区和在沟道区的另一侧上的漏区，并且阳极电极AE1、AE2和AE3中的每个可以通过穿透过孔层130和钝化层117的接触孔连接到半导体层ACT的漏区或源区。

第一阳极电极AE1可以与第一发射区域LA1叠置，并且可以至少部分地延伸到非发射区域NLA。第二阳极电极AE2可以与第二发射区域LA2叠置并且可以至少部分地延伸到非发射区域NLA，并且第三阳极电极AE3可以与第三发射区域LA3叠置并且可以至少部分地延伸到非发射区域NLA。

连接电极CNE1、CNE2和CNE3可以包括第一连接电极CNE1、第二连接电极CNE2和第三连接电极CNE3。第一连接电极CNE1可以与第一信号线WR1和第二信号线WR2中的每条叠置。第一连接电极CNE1可以通过穿透过孔层130和钝化层117的第二接触孔CNT2连接到第一信号线WR1，并且可以通过穿透过孔层130、钝化层117和缓冲层111的第三接触孔CNT3连接到第二信号线WR2。第二连接电极CNE2可以与第二信号线WR2和第三信号线WR3中的每条叠置。第二连接电极CNE2可以通过穿透过孔层130和钝化层117的第五接触孔CNT5连接到第三信号线WR3，并且可以通过穿透过孔层130、钝化层117和缓冲层111的第四接触孔CNT4连接到第二信号线WR2。第三信号线WR3可以电连接到发光元件ED1、ED2和ED3。在实施例中，由于垫电极PD被公开为第二电力垫电极，因此连接到垫电极PD的信号线WR1、WR2和WR3可以是将施加到垫电极PD的第二电力电压提供到发光元件ED1、ED2和ED3的第二电压线VL2。为此，第三信号线WR3可以通过第三连接电极CNE3连接到发光元件ED1、ED2和ED3。第三连接电极CNE3可以通过穿透过孔层130和钝化层117的接触孔连接到第三信号线WR3。第三连接电极CNE3可以连接到稍后将描述的阴极电极CE。在图12中，示出了阴极电极CE与第三连接电极CNE3之间的连接以及第三连接电极CNE3与第三信号线WR3之间的连接形成在非显示区域NDA中，但是公开不限于此，并且它们可以形成在显示区域DA中。

在一些实施例中，第三导电层可以是反射电极，在这种情况下，第三导电层可以是包含诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir和/或Cr的金属的金属层。在另一实施例中，第三导电层还可以包括堆叠在金属层上的金属氧化物层。在实施例中，第三导电层可以具有多层结构，例如，ITO/Ag、Ag/ITO、ITO/Mg或ITO/MgF₂的两层结构或者诸如ITO/Ag/ITO的三层结构。在第三导电层包括反射电极的情况下，如稍后将描述的，从显示装置1的外部入射的外部光的一部分可以从第三导电层的电极反射。

堤层150可以定位在第三导电层上。堤层150可以包括暴露第一阳极电极AE1的开口、暴露第二阳极电极AE2的开口和暴露第三阳极电极AE3的开口，并且可以限定第一发射区域LA1、第二发射区域LA2、第三发射区域LA3和非发射区域NLA。例如，第一阳极电极AE1的被暴露而未被堤层150覆盖的区域可以是第一发射区域LA1。类似地，第二阳极电极AE2的被暴露而未被堤层150覆盖的区域可以是第二发射区域LA2，并且第三阳极电极AE3的被暴露而未被堤层150覆盖的区域可以是第三发射区域LA3。其中定位有堤层150的区域可以是非发射区域NLA。

此外，堤层150可以暴露第二垫电极PD2的顶表面。由于第二垫电极PD2的顶表面被堤层150暴露，因此虽然未示出，但是第二垫电极PD2可以连接到图2的柔性电路板FPC。

在实施例中，过孔层130和堤层150可以分别包括在厚度方向上穿过其的开口部OP(OPa和OPb)。开口部OPa和OPb可以与密封区域SA叠置，并且可以设置为与密封构件50叠置。钝化层117的顶表面117u可以通过第一开口部OPa被暴露，并且密封构件50可以与钝化层117的暴露的顶表面117u直接接触。

在一些实施例中，堤层150可以包括选自于由丙烯酸树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺树脂、聚酰亚胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚苯树脂、聚苯硫醚树脂和苯并环丁烯(BCB)组成的组中的有机绝缘材料。

在一些实施例中，堤层150可以与稍后将描述的光阻挡图案250叠置。在一些实施例中，堤层150还可以与稍后将描述的堤图案370叠置。

如图9和图12中所示，发光层OL可以定位在第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3上。

在一些实施例中，发光层OL可以具有遍及多个发射区域LA1、LA2和LA3以及非发射区域NLA形成的连续层的形状。虽然在附图中示出了发光层OL仅定位在显示区域DA中，但是公开不限于此。在一些其它实施例中，发光层OL可以部分地定位在非显示区域NDA中。稍后将给出发光层OL的更详细描述。

阴极电极CE可以位于发光层OL上。阴极电极CE可以部分地定位在非显示区域NDA中。

在一些实施例中，阴极电极CE可以具有半透射或透射性质。在阴极电极CE具有半透射性质的情况下，阴极电极CE可以包括Ag、Mg、Cu、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、LiF、Mo、Ti、它们的化合物或混合物(诸如Ag和Mg的混合物)或者具有诸如LiF/Ca或LiF/Al的多层结构的材料。在阴极电极CE具有几十到几百埃的厚度的情况下，阴极电极CE可以具有半透射性质。

在阴极电极CE具有透射性质的情况下，阴极电极CE可以包括透明导电氧化物(TCO)。例如，阴极电极CE可以包括氧化钨(W_xO_x)、氧化钛(TiO₂)、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟锡锌(ITZO)和/或氧化镁(MgO)等。

在一些实施例中，阴极电极CE可以整个地覆盖发光层OL。在一些实施例中，如图12中所示，阴极电极CE的一端可以定位得比发光层OL的一端相对向外，并且发光层OL的一端可以整个地覆盖有阴极电极CE。

第一阳极电极AE1、发光层OL和阴极电极CE可以构成第一发光元件ED1。第二阳极电极AE2、发光层OL和阴极电极CE可以构成第二发光元件ED2。第三阳极电极AE3、发光层OL和阴极电极CE可以构成第三发光元件ED3。第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3中的每个可以发射发射光LE。

如图10中所示，最终从发光层OL发射的发射光LE可以是其中混合有第一分量LE1和第二分量LE2的混合光。发射光LE的第一分量LE1和第二分量LE2中的每个可以具有440nm或更大且小于480nm的峰值波长。例如，发射光LE可以是蓝光。

如图10中所示，在一些实施例中，发光层OL可以具有例如其中多个发光层可以设置为彼此叠置的串联结构的结构。例如，发光层OL可以包括包含第一发光层EML1的第一堆叠体ST1、定位在第一堆叠体ST1上并且包括第二发光层EML2的第二堆叠体ST2、定位在第二堆叠体ST2上并且包括第三发光层EML3的第三堆叠体ST3、定位在第一堆叠体ST1与第二堆叠体ST2之间的第一电荷产生层CGL1以及定位在第二堆叠体ST2与第三堆叠体ST3之间的第二电荷产生层CGL2。第一堆叠体ST1、第二堆叠体ST2和第三堆叠体ST3可以设置为彼此叠置。

第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3可以设置为彼此叠置。

在一些实施例中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的全部可以发射蓝色波长的光。例如，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的每个可以是蓝色发光层并且可以包括有机材料。

在一些实施例中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少一个可以发射具有第一峰值波长的第一蓝光，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少另一个可以发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二蓝光。例如，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的任何一个可以发射具有第一峰值波长的第一蓝光，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的另外两个可以发射具有第二峰值波长的第二蓝光。例如，最终从发光层OL发射的发射光LE可以是其中混合有第一分量LE1和第二分量LE2的混合光，第一分量LE1可以是具有第一峰值波长的第一蓝光，并且第二分量LE2可以是具有第二峰值波长的第二蓝光。

在一些实施例中，第一峰值波长和第二峰值波长中的一个可以在440nm或更大且小于460nm的范围内，第一峰值波长和第二峰值波长中的另一个可以在460nm或更大且480nm或更小的范围内。然而，第一峰值波长的范围和第二峰值波长的范围不限于此。例如，第一峰值波长的范围和第二峰值波长的范围两者可以包括460nm。在一些实施例中，第一蓝光和第二蓝光中的一个可以是深蓝色的光，第一蓝光和第二蓝光中的另一个可以是天蓝色的光。

根据一些实施例，从发光层OL发射的发射光LE可以是蓝光，并且可以包括长波长分量和短波长分量。因此，最终，发光层OL可以发射具有在较宽波长范围内的发射峰的蓝光作为发射光LE。由此，与发射具有尖发射峰的蓝光的常规发光元件相比，可以具有可以在侧视角处改善颜色可视性的优点。

在一些实施例中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的每个可以包括主体和掺杂剂。主体的材料没有特别限制。例如，可以使用三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、聚(n-乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、二苯乙烯基亚芳基化物(DSA)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯(CDBP)或2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)等。

发射蓝光的第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3可以均包括荧光材料，该荧光材料包含选自于由例如螺-DPVBi、螺-6P、二苯乙烯基-苯(DSB)、二苯乙烯基-亚芳基化物(DSA)、聚芴(PFO)类聚合物和聚(对苯撑乙烯撑)(PPV)类聚合物组成的组中的至少一种。作为另一示例，可以包括包含有机金属配合物(诸如(4,6-F₂ppy)₂Irpic)的磷光材料。

如上所述，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少一个可以发射在与第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少另一个的波长带不同的波长带中的蓝光。为了发射在不同波长带中的蓝光，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3可以包括相同的材料，并且可以使用调节谐振距离的方法。在其它实施例中，为了发射在不同波长范围内的蓝光，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少一个以及第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少另一个可以包括彼此不同的材料。

然而，公开不限于此。从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的每个发射的蓝光可以具有440nm至480nm的峰值波长，并且可以由相同的材料制成。

在又一实施例中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少一个可以发射具有第一峰值波长的第一蓝光，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的另一个可以发射具有与第一峰值波长不同的第二峰值波长的第二蓝光，并且第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的剩余一个可以发射具有与第一峰值波长和第二峰值波长不同的第三峰值波长的第三蓝光。在一些其它实施例中，第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中的任何一个可以在440nm或更大且小于460nm的范围内。第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中的另一个可以在460nm或更大且小于470nm的范围内，并且第一峰值波长、第二峰值波长和第三峰值波长中的剩余的一个可以在470nm或更大且480nm或更小的范围内。

根据又一些其它实施例，从发光层OL发射的发射光LE可以是蓝光，并且包括长波长分量、中波长分量和短波长分量。因此，最终，发光层OL可以发射具有在较宽波长范围内的发射峰的蓝光作为发射光LE，从而改善侧视角处的颜色可视性。

根据上述实施例，与可以不采用串联结构(即，其中多个发光层彼此堆叠的结构)的常规发光元件相比，可以具有增加光效率并且可以改善显示装置的寿命的优点。

在又一些其它实施例中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少一个可以发射第三颜色的光(例如，蓝光)，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少另一个可以发射绿色波长的光。在又一些其它实施例中，从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少一个发射的蓝光的峰值波长可以在440nm或更大且480nm或更小的范围内，或者在460nm或更大且480nm或更小的范围内。从第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的至少另一个发射的绿光可以具有在510nm至550nm的范围内的峰值波长。

例如，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的任何一个可以是发射绿光的绿色发光层，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的另外两个可以是发射蓝光的蓝色发光层。在第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中的另外两个是蓝色发光层的情况下，从两个蓝色发光层发射的蓝光可以具有相同的峰值波长范围，或者可以具有不同的峰值波长范围。

根据又一些其它实施例，从发光层OL发射的发射光LE可以是其中混合有作为蓝光的第一分量LE1和作为绿光的第二分量LE2的混合光。例如，在第一分量LE1是深蓝光并且第二分量LE2是绿光的情况下，发射光LE可以具有天蓝色。与上述实施例相似，从发光层OL发射的发射光LE可以是蓝光和绿光的混合光，并且包括长波长分量和短波长分量。因此，最终，发光层OL可以发射具有在较宽波长范围内的发射峰的蓝光作为发射光LE，从而改善在侧视角处的颜色可视性。由于发射光LE的第二分量LE2是绿光，因此可以补充从显示装置1提供到外部的光的绿光分量，从而改善显示装置1的颜色再现性。

在又一些其它实施例中，第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3之中的绿色发光层可以包括主体和掺杂剂。包括绿色发光层的主体的材料没有特别限制。例如，可以使用三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)、4,4'-双(N-咔唑基)-1,1'-联苯(CBP)、聚(n-乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、4,4',4”-三(咔唑-9-基)-三苯胺(TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)、3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、二苯乙烯基亚芳基化物(DSA)、4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯(CDBP)或2-甲基-9,10-双(萘-2-基)蒽(MADN)等。

包括在绿色发光层中的掺杂剂可以包括包含例如三(8-羟基喹啉)铝(III)(Alq₃)的荧光材料或者诸如面式三(2-苯基吡啶)铱(Ir(ppy)₃)、双(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)铱(III)(Ir(ppy)₂(acac))和2-苯基-4-甲基-吡啶铱(Ir(mpyp)₃)的磷光材料。

第一电荷产生层CGL1可以定位在第一堆叠体ST1与第二堆叠体ST2之间。第一电荷产生层CGL1可以用于允许电荷被注入到每个发光层中。第一电荷产生层CGL1可以用于控制第一堆叠体ST1与第二堆叠体ST2之间的电荷平衡。第一电荷产生层CGL1可以包括n型电荷产生层CGL11和p型电荷产生层CGL12。p型电荷产生层CGL12可以设置在n型电荷产生层CGL11上并且在n型电荷产生层CGL11与第二堆叠体ST2之间。

第一电荷产生层CGL1可以具有其中n型电荷产生层CGL11和p型电荷产生层CGL12彼此接触的结构。n型电荷产生层CGL11可以设置为比阴极电极CE靠近阳极电极AE1、AE2和AE3。p型电荷产生层CGL12可以设置为比阳极电极AE1、AE2和AE3靠近阴极电极CE。n型电荷产生层CGL11可以将电子供应到与阳极电极AE1、AE2和AE3相邻的第一发光层EML1，并且p型电荷产生层CGL12可以将空穴供应到包括在第二堆叠体ST2中的第二发光层EML2。第一电荷产生层CGL1可以设置在第一堆叠体ST1与第二堆叠体ST2之间，以将电荷提供到每个发光层，从而增加发光效率并且降低驱动电压。

第一堆叠体ST1可以定位在第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3上，并且还可以包括第一空穴传输层HTL1、第一电子阻挡层BIL1和第一电子传输层ETL1。

第一空穴传输层HTL1可以定位在第一阳极电极AE1、第二阳极电极AE2和第三阳极电极AE3上。第一空穴传输层HTL1可以用于促进空穴的传输并且可以包括空穴传输材料。空穴传输材料可以包括咔唑类衍生物(诸如N-苯基咔唑或聚乙烯基咔唑)、芴类衍生物、三苯胺类衍生物(诸如N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1'-联苯]-4,4'-二胺(TPD)或4,4',4”-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA))、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)和/或4,4'-亚环己基双[N,N-双(4-甲基苯基)苯胺](TAPC)，但不限于此。

第一电子阻挡层BIL1可以定位在第一空穴传输层HTL1上，并且定位在第一空穴传输层HTL1与第一发光层EML1之间。第一电子阻挡层BIL1可以包括空穴传输材料以及金属或金属化合物，以防止在第一发光层EML1中产生的电子移动到第一空穴传输层HTL1中。在一些实施例中，上述第一空穴传输层HTL1和第一电子阻挡层BIL1也可以由其中混合有相应的材料的单个层形成。

第一电子传输层ETL1可以定位在第一发光层EML1上，并且定位在第一电荷产生层CGL1与第一发光层EML1之间。在一些实施例中，第一电子传输层ETL1可以包括电子传输材料，诸如三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)、1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并[d]咪唑-2-基)苯(TPBi)、2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(BCP)、4,7-二苯基-1,10-菲咯啉(Bphen)、3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(TAZ)、4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(NTAZ)、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑(tBu-PBD)、双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝(BAlq)、双(苯并喹啉-10-羟基)铍(Bebq₂)、9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)或它们的混合物。然而，公开不限于以上类型的电子传输材料。第二堆叠体ST2可以定位在第一电荷产生层CGL1上，并且还包括第二空穴传输层HTL2、第二电子阻挡层BIL2和第二电子传输层ETL2。

第二空穴传输层HTL2可以定位在第一电荷产生层CGL1上。第二空穴传输层HTL2可以由与第一空穴传输层HTL1相同的材料制成，或者可以包括选自于包括在第一空穴传输层HTL1中的材料的示例中的一种或更多种材料。第二空穴传输层HTL2可以由单个层或多层形成。

第二电子阻挡层BIL2可以定位在第二空穴传输层HTL2上，并且定位在第二空穴传输层HTL2与第二发光层EML2之间。第二电子阻挡层BIL2可以由与第一电子阻挡层BIL1相同的材料和相同的结构形成，或者可以包括选自于包括在第一电子阻挡层BIL1中的材料的示例中的一种或更多种材料。

第二电子传输层ETL2可以定位在第二发光层EML2上，并且定位在第二电荷产生层CGL2与第二发光层EML2之间。第二电子传输层ETL2可以由与第一电子传输层ETL1相同的材料和相同的结构形成，或者可以包括选自于包括在第一电子传输层ETL1中的材料的示例中的一种或更多种材料。第二电子传输层ETL2可以由单个层或多层形成。

第二电荷产生层CGL2可以定位在第二堆叠体ST2上并且定位在第二堆叠体ST2与第三堆叠体ST3之间。

第二电荷产生层CGL2可以具有与上述第一电荷产生层CGL1相同的结构。例如，第二电荷产生层CGL2可以包括设置为靠近第二堆叠体ST2的n型电荷产生层CGL21和设置为靠近阴极电极CE的p型电荷产生层CGL22。p型电荷产生层CGL22可以设置在n型电荷产生层CGL21上。

第二电荷产生层CGL2可以具有其中n型电荷产生层CGL21和p型电荷产生层CGL22彼此接触的结构。第一电荷产生层CGL1和第二电荷产生层CGL2可以由不同的材料制成，或者可以由相同的材料制成。

第三堆叠体ST3可以定位在第二电荷产生层CGL2上，并且还可以包括第三空穴传输层HTL3和第三电子传输层ETL3。

第三空穴传输层HTL3可以定位在第二电荷产生层CGL2上。第三空穴传输层HTL3可以由与第一空穴传输层HTL1相同的材料制成，或者可以包括选自于包括在第一空穴传输层HTL1中的材料的示例中的一种或更多种材料。第三空穴传输层HTL3可以由单个层或多层形成。在第三空穴传输层HTL3由多层形成的情况下，每个层可以包括不同的材料。

第三电子传输层ETL3可以定位在第三发光层EML3上，并且定位在阴极电极CE与第三发光层EML3之间。第三电子传输层ETL3可以由与第一电子传输层ETL1相同的材料和相同的结构形成，或者可以包括选自于包括在第一电子传输层ETL1中的材料的示例中的一种或更多种材料。第三电子传输层ETL3可以由单个层或多层形成。在第三电子传输层ETL3由多层形成的情况下，每个层可以包括不同的材料。

虽然在附图中未示出，但是空穴注入层可以进一步定位在第一堆叠体ST1与第一阳极电极AE1之间、在第二阳极电极AE2与第三阳极电极AE3之间、在第二堆叠体ST2与第一电荷产生层CGL1之间以及/或者在第三堆叠体ST3与第二电荷产生层CGL2之间。空穴注入层可以用于允许空穴较顺利地注入到第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3中。在一些实施例中，空穴注入层可以由选自于由酞菁铜(CuPc)、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)(PEDOT)、聚苯胺(PANI)和N,N-二萘基-N',N'-二苯基联苯胺(NPD)组成的组中的一种或更多种形成，但不限于此。在一些实施例中，空穴注入层可以定位在第一堆叠体ST1与第一阳极电极AE1之间、在第二阳极电极AE2与第三阳极电极AE3之间、在第二堆叠体ST2与第一电荷产生层CGL1之间以及在第三堆叠体ST3与第二电荷产生层CGL2之间。

虽然在附图中未示出，但是电子注入层可以进一步定位在第三电子传输层ETL3与阴极电极CE之间、在第二电荷产生层CGL2与第二堆叠体ST2之间以及/或者在第一电荷产生层CGL1与第一堆叠体ST1之间。电子注入层可以用于促进电子注入，并且可以使用三(8-羟基喹啉)铝(Alq₃)、PBD、TAZ、螺-PBD、BAlq和/或SAlq，但不限于此。电子注入层可以是金属卤化物化合物，例如，可以是选自于由MgF₂、LiF、NaF、KF、RbF、CsF、FrF、LiI、NaI、KI、RbI、CsI、FrI和CaF₂组成的组中的任何一种或更多种，但不限于此。电子注入层可以包括诸如Yb、Sm和/或Eu的镧系类材料。在其它实施例中，电子注入层可以包括金属卤化物材料和镧系类材料两者(诸如RbI:Yb或KI:Yb)。在电子注入层包括金属卤化物材料和镧系类材料两者的情况下，电子注入层可以通过共沉积金属卤化物材料和镧系类材料来形成。在一些实施例中，电子注入层可以定位在第三电子传输层ETL3与阴极电极CE之间，在第二电荷产生层CGL2与第二堆叠体ST2之间以及在第一电荷产生层CGL1与第一堆叠体ST1之间。

除了上述结构之外，可以修改发光层OL的结构。例如，发光层OL可以被修改为图11中所示的发光层OLa。与图10中所示的结构不同，图11中所示的发光层OLa还可以包括在第三堆叠体ST3上的第四堆叠体ST4以及定位在第三堆叠体ST3与第四堆叠体ST4之间的第三电荷产生层CGL3。

第四堆叠体ST4可以包括第四发光层EML4，并且还可以包括第四空穴传输层HTL4和第四电子传输层ETL4。

包括在发光层OLa中的第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4可以均发射蓝色波长的光。第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中的至少一个以及第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中的至少另一个可以发射具有不同峰值波长范围的蓝光。

在其它实施例中，第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中的至少一个可以发射绿光，第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中的至少另一个可以发射蓝光。例如，第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中的任何一个可以是绿色发光层，第一发光层EML1、第二发光层EML2、第三发光层EML3和第四发光层EML4中的其它三个可以全部是蓝色发光层。

在其它实施例中，第四发光层EML4可以是绿色发光层，并且第一发光层EML1、第二发光层EML2和第三发光层EML3可以全部是蓝色发光层。

第四空穴传输层HTL4可以定位在第三电荷产生层CGL3上。第四空穴传输层HTL4可以由与第一空穴传输层HTL1相同的材料制成，或者可以包括选自于包括在第一空穴传输层HTL1中的材料的示例中的一种或更多种材料。第四空穴传输层HTL4可以由单个层或多层形成。在第四空穴传输层HTL4由多层形成的情况下，每个层可以包括不同的材料。

第三电子阻挡层BIL3可以定位在第三空穴传输层HTL3上，并且可以定位在第三空穴传输层HTL3与第三发光层EML3之间。第三电子阻挡层BIL3可以由与第一电子阻挡层BIL1相同的材料和相同的结构形成，或者可以包括选自于包括在第一电子阻挡层BIL1中的材料的示例中的一种或更多种材料。在一些其它实施例中，可以省略第三电子阻挡层BIL3。

第四电子传输层ETL4可以定位在第四发光层EML4上，并且可以定位在阴极电极CE与第四发光层EML4之间。第四电子传输层ETL4可以由与第一电子传输层ETL1相同的材料和相同的结构形成，或者可以包括选自于包括在第一电子传输层ETL1中的材料的示例中的一种或更多种材料。第四电子传输层ETL4可以由单个层或多层形成。在第四电子传输层ETL4由多层形成的情况下，每个层可以包括不同的材料。

第三电荷产生层CGL3可以具有与上述第一电荷产生层CGL1相同的结构。例如，第三电荷产生层CGL3可以包括设置为靠近第三堆叠体ST3的n型电荷产生层CGL31和设置为靠近阴极电极CE的p型电荷产生层CGL32。p型电荷产生层CGL32可以设置在n型电荷产生层CGL31上。

虽然在附图中未示出，但是电子注入层可以进一步定位在第四电子传输层ETL4与阴极电极CE之间。空穴注入层可以进一步定位在第四堆叠体ST4与第三电荷产生层CGL3之间。

在一些实施例中，图10中所示的发光层OL和图11中所示的发光层OLa可以不包括共同的红色发光层，并且因此可以不发射第一颜色的光，例如，红光。例如，发射光LE可以不包括具有610nm至约650nm的峰值波长的光分量，而是可以仅包括具有440nm至550nm的峰值波长的光分量。

如图12中所示，坝构件DM可以在非显示区域NDA中定位在钝化层117上。在平面图中，坝构件DM可以在密封区域SA与显示区域DA之间定位在非显示区域NDA中。

在一些实施例中，坝构件DM可以包括多个坝。例如，坝构件DM可以包括第一坝D1和第二坝D2。

第一坝D1可以与电源线部分地叠置，并且可以与过孔层130分隔开并且电源线置于其间。在一些实施例中，第一坝D1可以包括定位在钝化层117上的第一下坝图案D11和定位在第一下坝图案D11上的第一上坝图案D12。

第二坝D2可以定位在第一坝D1外部，并且可以与第一坝D1分隔开。在一些实施例中，第二坝D2可以包括定位在钝化层117上的第二下坝图案D22和定位在第二下坝图案D22上的第二上坝图案D21。

在一些实施例中，第一下坝图案D11和第二下坝图案D22可以由与过孔层130相同的材料制成，并且可以与过孔层130同时形成。

在一些实施例中，第一上坝图案D12和第二上坝图案D21可以由与堤层150相同的材料制成，并且可以与堤层150同时形成。

在一些实施例中，第一坝D1和第二坝D2的高度可以彼此不同。例如，第二坝D2的高度可以比第一坝D1的高度大。例如，随着距显示区域DA的距离增加，包括在坝构件DM中的坝的高度可以逐渐地增加。因此，在形成包括在稍后将描述的封装层170中的有机层173的工艺中，可以能够更有效地阻挡有机材料的溢出。

如图9和图12中所示，第一覆盖层160可以定位在阴极电极CE上。第一覆盖层160可以共同地设置在第一发射区域LA1、第二发射区域LA2、第三发射区域LA3和非发射区域NLA中，并且可以改善视角特性并且增加外部发光效率。

第一覆盖层160可以包括具有光透射性的无机材料和有机材料中的至少一种。例如，第一覆盖层160可以由无机层、有机层或包括无机颗粒的有机层形成。例如，第一覆盖层160可以包括三胺衍生物、咔唑联苯衍生物、芳二胺衍生物和/或铝喹啉配合物(Alq₃)等。

第一覆盖层160可以由高折射率材料和低折射率材料的混合物形成。在其它实施例中，第一覆盖层160可以包括具有不同折射率的两个层，例如，高折射率层和低折射率层。

在一些实施例中，第一覆盖层160可以整个地覆盖阴极电极CE。

封装层170可以设置在第一覆盖层160上。封装层170可以保护定位在封装层170下面的组件(例如，发光元件ED1、ED2和ED3)免受诸如湿气的外部异物的影响。封装层170可以共同地设置在第一发射区域LA1、第二发射区域LA2、第三发射区域LA3和非发射区域NLA中。在一些实施例中，封装层170可以直接覆盖阴极电极CE。在一些实施例中，覆盖阴极电极CE的覆盖层(未示出)可以进一步设置在封装层170与阴极电极CE之间。在这种情况下，封装层170可以直接覆盖覆盖层。封装层170可以是薄膜封装层。

在一些实施例中，封装层170可以包括在第一覆盖层160上顺序地彼此堆叠的下无机层171、有机层173和上无机层175。

在一些实施例中，下无机层171可以在显示区域DA中覆盖第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3。下无机层171可以在非显示区域NDA中覆盖坝构件DM，并且可以延伸到坝构件DM的外部。

在一些实施例中，下无机层171可以整个地覆盖第一覆盖层160。在一些实施例中，下无机层171的一端可以定位得比第一覆盖层160的一端相对向外，并且第一覆盖层160的一端可以整个地覆盖有下无机层171。

下无机层171可以包括多个堆叠膜。有机层173可以定位在下无机层171上。有机层173可以在显示区域DA中覆盖第一发光元件ED1、第二发光元件ED2和第三发光元件ED3。在一些实施例中，有机层173可以部分地设置在非显示区域NDA中，但是可以不设置在坝构件DM外部。有机层173被示出为部分地设置为比第一坝D1向内，但不限于此。在一些其它实施例中，有机层173的一部分可以容纳在第一坝D1与第二坝D2之间的空间中，并且有机层173的一端可以定位在第一坝D1与第二坝D2之间的区域中。

上无机层175可以定位在有机层173上。上无机层175可以覆盖有机层173。在一些实施例中，上无机层175可以在非显示区域NDA中与下无机层171直接接触，以形成无机-无机结。在一些实施例中，上无机层175的一端和下无机层171的一端可以基本上对准。上无机层175可以包括多个堆叠层。

在一些实施例中，下无机层171和上无机层175可以均由氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈、氮氧化硅(SiON)和/或氟化锂等制成。

在一些实施例中，有机层173可以由丙烯酸树脂、甲基丙烯酸树脂、聚异戊二烯、乙烯基树脂、环氧树脂、氨基甲酸乙酯树脂、纤维素树脂和/或苝树脂等形成。

在下文中，除了图1至图12之外，将进一步参照图13至图15描述颜色转换基底30。

图13是示出了根据实施例的显示装置的颜色转换基底中的第三滤色器的布置的示意性平面图。图14是示出了根据实施例的显示装置的颜色转换基底中的第一滤色器的布置的示意性平面图。图15是示出了根据实施例的显示装置的颜色转换基底中的第二滤色器的布置的示意性平面图。

图9和图12中所示的第二基体部310可以由光透射材料制成。

在一些实施例中，第二基体部310可以包括玻璃基底或塑料基底。在一些实施例中，第二基体部310还可以包括位于玻璃基底或塑料基底上的单独层，例如以无机层为例的绝缘层。

如上所述，在一些实施例中，光透射区域TA1、TA2和TA3以及光阻挡区域BA可以限定在第二基体部310中。在第二基体部310包括玻璃基底的情况下，第二基体部310的折射率可以是约1.5。

如图9和图12中所示，滤色器层可以设置在第二基体部310的面对显示基底10的表面上。滤色器层可以包括滤色器231、233和235以及光阻挡图案250。

如图9、图12和图13至图15中所示，滤色器231、233和235可以设置为分别与光透射区域TA1、TA2和TA3叠置。光阻挡图案250可以设置为与光阻挡区域BA叠置。第一滤色器231可以与第一光透射区域TA1叠置，第二滤色器233可以与第二光透射区域TA2叠置，并且第三滤色器235可以与第三光透射区域TA3叠置。光阻挡图案250可以设置为与光阻挡区域BA叠置以阻挡光透射。在一些实施例中，光阻挡图案250在平面图中可以设置为基本上格子形状。在实施例中，光阻挡图案250可以包括在第二基体部310的表面上的第一光阻挡图案部235a、在第一光阻挡图案部235a上的第二光阻挡图案部231a以及在第二光阻挡图案部231a上的第三光阻挡图案部233a。第一光阻挡图案部235a可以包括与第三滤色器235相同的材料，并且第二光阻挡图案部231a可以包括与第一滤色器231相同的材料，并且第三光阻挡图案部233a可以包括与第二滤色器233相同的材料。例如，光阻挡图案250可以包括其中第一光阻挡图案部235a、第二光阻挡图案部231a和第三光阻挡图案部233a在光阻挡区域BA中从第二基体部310的表面顺序地彼此堆叠的结构。在光阻挡图案250具有其中第一光阻挡图案部235a、第二光阻挡图案部231a和第三光阻挡图案部233a在光阻挡区域BA中从第二基体部310的表面顺序地彼此堆叠的结构的情况下，在外部光La入射到光阻挡区域BA中的情况下，如图9中所示，除了第三颜色的光之外的第一颜色的光和第二颜色的光可以在穿过第一光阻挡图案部235a的同时全部被第一光阻挡图案部235a吸收，并且第三颜色的光也可以在穿过第二光阻挡图案部231a和第三光阻挡图案部233a的同时被吸收。然而，虽然未示出，但是可以存在在第一光阻挡图案部235a与第二基体部310之间的界面处被反射到外部而未被第一光阻挡图案部235a透射的一些光。在这种情况下，光可以是第三颜色的光。

在一些其它实施例中，光阻挡图案250可以包括有机光阻挡材料，并且可以通过涂覆和曝光有机光阻挡材料来形成。例如，有机光阻挡材料可以包括黑矩阵。

第一滤色器231可以用作阻挡蓝光和绿光的阻挡滤光器。在一些实施例中，第一滤色器231可以选择性地透射第一颜色的光(例如，红光)，并且可以阻挡或吸收第二颜色的光(例如，绿光)和第三颜色的光(例如，蓝光)。例如，第一滤色器231可以是红色滤色器并且可以包括红色着色剂。第一滤色器231可以包括基体树脂和分散在基体树脂中的红色着色剂。

第二滤色器233可以用作阻挡蓝光和红光的阻挡滤光器。在一些实施例中，第二滤色器233可以选择性地透射第二颜色的光(例如，绿光)，并且可以阻挡或吸收第三颜色的光(例如，蓝光)和第一颜色的光(例如，红光)。例如，第二滤色器233可以是绿色滤色器，并且可以包括绿色着色剂。

第三滤色器235可以选择性地透射第三颜色的光(例如，蓝光)，并且可以阻挡或吸收第一颜色的光(例如，红光)和第二颜色的光(例如，绿光)。在一些实施例中，第三滤色器235可以是蓝色滤色器，并且可以包括诸如蓝色染料或蓝色颜料的蓝色着色剂。在公开中，着色剂可以包括染料和颜料两者。

如图9和图12中所示，低折射率层391可以设置为在第二基体部310的表面上覆盖光阻挡图案250、第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235。在一些实施例中，低折射率层391可以与第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235直接接触。在一些实施例中，低折射率层391也可以与光阻挡图案250直接接触。

低折射率层391可以具有比波长转换图案340和350以及光透射图案330的折射率低的折射率。例如，低折射率层391可以由无机材料制成。例如，低折射率层391可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和/或氮氧化硅等。在一些实施例中，为了降低低折射率层391的折射率，多个中空颗粒可以形成在低折射率层内部。

低折射率覆盖层392可以进一步设置在低折射率层391与波长转换图案340和350之间以及在低折射率层391与光透射图案330之间。在一些实施例中，低折射率覆盖层392可以与波长转换图案340和350以及光透射图案330直接接触。在一些实施例中，低折射率覆盖层392也可以与堤图案370直接接触。

低折射率覆盖层392可以具有比波长转换图案340和350以及光透射图案330的折射率低的折射率。例如，低折射率覆盖层392可以由无机材料制成。例如，低折射率覆盖层392可以包括氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和/或氮氧化硅等。在一些实施例中，为了降低低折射率覆盖层392的折射率，多个中空颗粒可以形成在低折射率层内部。

低折射率覆盖层392可以防止第一滤色器231、第二滤色器233、第三滤色器235等由于诸如湿气或空气的杂质从外部渗透而被污染或损坏。低折射率覆盖层392可以防止包括在第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235中的着色剂扩散到除了第一滤色器231、第二滤色器233和第三滤色器235之外的组件(例如，第一波长转换图案340、第二波长转换图案350等)中。

在一些实施例中，低折射率层391和低折射率覆盖层392可以在非显示区域NDA中围绕光阻挡图案250的侧表面。在一些实施例中，低折射率层391可以在非显示区域NDA中与第二基体部310直接接触。

堤图案370可以定位在低折射率覆盖层392的面对显示基底10的表面上。在一些实施例中，堤图案370可以直接定位在低折射率覆盖层392的表面上，并且与低折射率覆盖层392直接接触。

在一些实施例中，堤图案370可以设置为与非发射区域NLA或光阻挡区域BA叠置。在一些实施例中，如图9中所示，堤图案370在平面图中可以围绕第一光透射区域TA1、第二光透射区域TA2和第三光透射区域TA3。堤图案370可以分隔其中设置有第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和光透射图案330的空间。

在一些实施例中，堤图案370可以形成为一体地连接的一个图案，但不限于此。在另一实施例中，堤图案370的围绕第一光透射区域TA1的部分、堤图案370的围绕第二光透射区域TA2的部分和堤图案370的围绕第三光透射区域TA3的部分可以形成为彼此分开的单独图案。

在第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和光透射图案330通过使用喷嘴等排出墨组合物的方法(即，喷墨印刷法)形成的情况下，堤图案370可以用于将排出的墨组合物稳定地定位在期望的位置处的引导件。例如，堤图案370可以用作阻挡壁。

在一些实施例中，堤图案370可以与堤层150叠置。

如图12中所示，在一些实施例中，堤图案370还可以定位在非显示区域NDA中。堤图案370可以在非显示区域NDA中与光阻挡图案250叠置。

在一些实施例中，堤图案370可以包括具有光固化性的有机材料。在一些实施例中，堤图案370可以包括具有光固化性并且包括光阻挡材料的有机材料。在堤图案370具有光阻挡性质的情况下，可以能够防止光在显示区域DA中侵入到彼此相邻的发射区域之间。例如，堤图案370可以防止从第二发光元件ED2发射的发射光LE入射在与第一发射区域LA1叠置的第一波长转换图案340上。堤图案370可以在非发射区域NLA和非显示区域NDA中阻挡或防止外部光穿透到定位在堤图案370下方的组件中。

如图9和图12中所示，第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和光透射图案330可以定位在低折射率层391下方。在一些实施例中，第一波长转换图案340、第二波长转换图案350和光透射图案330可以定位在显示区域DA中。

光透射图案330可以与第三发射区域LA3或第三发光元件ED3叠置。光透射图案330可以在第三光透射区域TA3中位于被堤图案370分隔的空间中。

在一些实施例中，光透射图案330可以形成为岛状图案。虽然附图示出了光透射图案330可以不与光阻挡区域BA叠置，但这仅仅是示例。在一些其它实施例中，光透射图案330可以与光阻挡区域BA部分地叠置。

光透射图案330可以透射入射光。如上所述，从第三发光元件ED3提供的发射光LE可以是蓝光。作为蓝光的发射光LE可以穿过光透射图案330和第三滤色器235，并且可以被发射到显示装置1的外部。例如，从第三发射区域LA3发射到显示装置1的外部的发射光LE可以是蓝光L3。

在一些实施例中，光透射图案330可以包括第三基体树脂331，并且还可以包括分散在第三基体树脂331中的第三散射体333。在下文中，当命名包括在光透射图案330以及波长转换图案340和350中的基体树脂、散射体和/或波长变换体时，将序数“第一”、“第二”和“第三”添加到组件以区分光透射图案330与波长转换图案340和350之间的组件。然而，附着到光透射图案330以及波长转换图案340和350的组件的序数“第一”、“第二”和“第三”不限于此，并且它们可以以改变的顺序附着到组件。

第三基体树脂331可以由具有高透光率的材料制成。在一些实施例中，第三基体树脂331可以由有机材料形成。例如，第三基体树脂331可以包括诸如环氧树脂、丙烯酸树脂、卡多树脂和/或酰亚胺树脂的有机材料。

第三散射体333可以具有与第三基体树脂331的折射率不同的折射率，并且与第三基体树脂331形成光学界面。例如，第三散射体333可以是光散射颗粒。第三散射体333没有特别限定，只要它是能够散射透射光的至少一部分的材料即可，而是可以例如是金属氧化物颗粒或有机颗粒。金属氧化物的示例可以包括氧化钛(TiO₂)、氧化锆(ZrO₂)、氧化铝(Al₂O₃)、氧化铟(In₂O₃)、氧化锌(ZnO)和/或氧化锡(SnO₂)等。有机颗粒的材料的示例可以包括丙烯酸树脂和氨基甲酸乙酯树脂等。例如，根据实施例的第三散射体333可以包括氧化钛(TiO₂)。

第三散射体333可以在与入射光的入射方向无关的随机方向上散射光，而基本上不转换穿过光透射图案330的光的波长。在一些实施例中，光透射图案330可以与堤图案370直接接触。

第一波长转换图案340可以与第一发射区域LA1、第一发光元件ED1或第一光透射区域TA1叠置。

在一些实施例中，第一波长转换图案340可以在第一光透射区域TA1中位于被堤图案370分隔的空间中。

在一些实施例中，第一波长转换图案340可以被形成为岛图案形状。虽然附图示出了第一波长转换图案340可以不与光阻挡区域BA叠置，但是这仅仅是示例。在一些其它实施例中，第一波长转换图案340可以与光阻挡区域BA部分地叠置。在一些实施例中，第一波长转换图案340可以与堤图案370直接接触。

第一波长转换图案340可以通过稍后将描述的第一波长变换体345将入射光的峰值波长转换或变换为另一特定峰值波长，并且可以发射光L1。在一些实施例中，第一波长转换图案340可以将从第一发光元件ED1提供的发射光LE转换为具有610nm至650nm的范围内的峰值波长的红光，并且可以发射红光。

在一些实施例中，第一波长转换图案340可以包括第一基体树脂341和分散在第一基体树脂341中的第一波长变换体345，并且还可以包括分散在第一基体树脂341中的第一散射体343。

第一基体树脂341可以由具有高透光率的材料制成。在一些实施例中，第一基体树脂341可以由有机材料形成。在一些实施例中，第一基体树脂341可以由与第三基体树脂331相同的材料制成，或者可以包括被公开为第三基体树脂331的构成材料的材料中的至少一种。

第一波长变换体345的示例可以包括量子点、量子棒和/或磷光体等。例如，量子点可以是在电子从导带跃迁到价带的情况下发射特定颜色的光的颗粒材料。

量子点可以是半导体纳米晶体材料。量子点可以根据其组成和尺寸具有特定带隙。因此，量子点可以吸收光，然后发射具有固有波长的光。量子点的半导体纳米晶体的示例可以包括IV族纳米晶体、II-VI族化合物纳米晶体、III-V族化合物纳米晶体、IV-VI族化合物纳米晶体、它们的组合等。

II-VI族化合物可以选自于由二元化合物、三元化合物和四元化合物组成的组，其中，二元化合物可以选自于由CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnO、HgS、HgSe、HgTe、MgSe、MgS和它们的混合物组成的组，三元化合物可以选自于由InZnP、AgInS、CuInS、CdSeS、CdSeTe、CdSTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnSTe、HgSeS、HgSeTe、HgSTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、CdHgS、CdHgSe、CdHgTe、HgZnS、HgZnSe、HgZnTe、MgZnSe、MgZnS和它们的混合物组成的组，四元化合物可以选自于由HgZnTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe、CdZnSTe、CdHgSeS、CdHgSeTe、CdHgSTe、HgZnSeS、HgZnSeTe、HgZnSTe和它们的混合物组成的组。

III-V族化合物可以选自于由二元化合物、三元化合物和四元化合物组成的组，其中，二元化合物可以选自于由GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、AlAs、AlSb、InN、InP、InAs、InSb和它们的混合物组成的组，三元化合物可以选自于由GaNP、GaNAs、GaNSb、GaPAs、GaPSb、AlNP、AlNAs、AlNSb、AlPAs、AlPSb、InGaP、InNP、InAlP、InNAs、InNSb、InPAs、InPSb和它们的混合物组成的组，四元化合物可以选自于由GaAlNP、GaAlNAs、GaAlNSb、GaAlPAs、GaAlPSb、GaInNP、GaInNAs、GaInNSb、GaInPAs、GaInPSb、InAlNP、InAlNAs、InAlNSb、InAlPAs、InAlPSb和它们的混合物组成的组。

IV-VI族化合物可以选自于由二元化合物、三元化合物和四元化合物组成的组，其中，二元化合物可以选自于由SnS、SnSe、SnTe、PbS、PbSe、PbTe和它们的混合物组成的组，三元化合物可以选自于由SnSeS、SnSeTe、SnSTe、PbSeS、PbSeTe、PbSTe、SnPbS、SnPbSe、SnPbTe和它们的混合物组成的组，四元化合物可以选自于由SnPbSSe、SnPbSeTe、SnPbSTe和它们的混合物组成的组。IV族元素可以选自于由Si、Ge和它们的混合物组成的组。IV族化合物可以是选自于由SiC、SiGe和它们的混合物组成的组中的二元化合物。

在这种情况下，二元化合物、三元化合物或四元化合物可以以均匀的浓度存在于颗粒中，或者可以存在于被划分为浓度分布部分地不同的状态的同一颗粒中。此外，颗粒可以具有其中一个量子点围绕另一量子点的核/壳结构。核与壳之间的界面可以具有其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心降低的浓度梯度。

在一些实施例中，量子点可以具有包括包含上述纳米晶体的核和围绕核的壳的核-壳结构。量子点的壳可以用作用于通过防止核的化学变性来维持半导体特性的保护层和/或用作用于赋予量子点电泳特性的荷电层。壳可以是单个层或多层。核与壳之间的界面可以具有其中存在于壳中的元素的浓度朝向中心降低的浓度梯度。量子点的壳的示例可以包括金属或非金属氧化物、半导体化合物以及它们的组合。

例如，金属或非金属氧化物可以是二元化合物(诸如SiO₂、Al₂O₃、TiO₂、ZnO、MnO、Mn₂O₃、Mn₃O₄、CuO、FeO、Fe₂O₃、Fe₃O₄、CoO、Co₃O₄和/或NiO)和/或三元化合物(诸如MgAl₂O₄、CoFe₂O₄、NiFe₂O₄和/或CoMn₂O₄)，但是公开不限于此。

半导体化合物可以是例如CdS、CdSe、CdTe、ZnS、ZnSe、ZnTe、ZnSeS、ZnTeS、GaAs、GaP、GaSb、HgS、HgSe、HgTe、InAs、InP、InGaP、InSb、AlAs、AlP和/或AlSb等，但是公开不限于此。

从第一波长变换体345发射的光可以具有发射波长光谱的约45nm或更小、约40nm或更小或者约30nm或更小的半峰全宽(FWHM)。因此，可以进一步改善显示装置1所显示的颜色的纯度和再现性。从第一波长变换体345发射的光可以在各种方向上发射，而与入射光的入射方向无关。由此，可以改善显示在第一光透射区域TA1中的第一颜色的侧面可视性。

从第一发光元件ED1提供的发射光LE的一部分可以穿过第一波长转换图案340以在不被第一波长变换体345转换为红光的情况下被发射。入射在第一滤色器231上而未被第一波长转换图案340转换的发射光LE的分量可以被第一滤色器231阻挡。另一方面，已经被第一波长转换图案340转换为红光的发射光LE穿过第一滤色器231以被发射到外部。例如，通过第一光透射区域TA1发射到显示装置1的外部的发射光LE可以是红光。

第一散射体343可以具有与第一基体树脂341的折射率不同的折射率，并且与第一基体树脂341形成光学界面。例如，第一散射体343可以是光散射颗粒。第一散射体343的更详细描述可以与第三散射体333的描述基本上相同或相似，并且因此将被省略。

第二波长转换图案350可以在第二光透射区域TA2中位于被堤图案370分隔的空间中。

在一些实施例中，第二波长转换图案350可以形成为如图9中所示的岛图案形状。在一些实施例中，与附图中所示的不同，第二波长转换图案350的一部分可以与光阻挡区域BA叠置。在一些实施例中，第二波长转换图案350可以与堤图案370直接接触。

第二波长转换图案350可以通过稍后将描述的第二波长变换体355将入射光的峰值波长转换或变换为另一特定峰值波长，并且可以发射光L2。在一些实施例中，第二波长转换图案350可以将从第二发光元件ED2提供的发射光LE转换为具有约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的绿光，并且可以发射绿光。

在一些实施例中，第二波长转换图案350可以包括第二基体树脂351和分散在第二基体树脂351中的第二波长变换体355，并且还可以包括分散在第二基体树脂351中的第二散射体353。

第二基体树脂351可以由具有高透光率的材料制成。在一些实施例中，第二基体树脂351可以由有机材料形成。在一些实施例中，第二基体树脂351可以由与第三基体树脂331相同的材料制成，或者可以包括被公开为第三基体树脂331的构成材料的材料中的至少一种。

第二波长变换体355的示例可以包括量子点、量子棒和/或磷光体等。第二波长变换体355的更详细描述可以与第一波长变换体345的描述基本上相同或相似，并且因此将被省略。

在一些实施例中，第一波长变换体345和第二波长变换体355两者可以由量子点形成。在这种情况下，构成第二波长变换体355的量子点的粒径可以比构成第一波长变换体345的量子点的粒径小。

第二散射体353可以具有与第二基体树脂351的折射率不同的折射率，并且与第二基体树脂351形成光学界面。例如，第二散射体353可以是光散射颗粒。第二散射体353的更详细描述可以与第一散射体343的描述基本上相同或相似，并且因此将被省略。

从第二发光元件ED2发射的发射光LE可以被提供到第二波长转换图案350，并且第二波长变换体355可以将从第二发光元件ED2提供的发射光LE转换为具有约510nm至约550nm的范围内的峰值波长的绿光，并且可以发射绿光。

作为蓝光的发射光LE的一部分可以在不被第二波长变换体355转换为绿光的情况下穿过第二波长转换图案350，然后可以被第二滤色器233阻挡。另一方面，已经被第二波长转换图案350转换为绿光的发射光LE穿过第二滤色器233以被发射到外部。因此，从第二光透射区域TA2发射到显示装置1的外部的发射光LE可以是绿光。

在一些实施例中，覆盖层393可以在非显示区域NDA中覆盖堤图案370的外侧表面。覆盖层393可以在非显示区域NDA中与低折射率覆盖层392直接接触。

在一些实施例中，覆盖层393可以由无机材料形成。在一些实施例中，覆盖层393可以由与低折射率层391相同的材料制成，或者可以包括在低折射率层391的描述中所提及的材料中的至少一种。在低折射率层391和覆盖层393两者由无机材料制成的情况下，低折射率层391和覆盖层393可以彼此直接接触以在非显示区域NDA中形成无机-无机结。

如上所述，密封构件50可以在非显示区域NDA中定位在颜色转换基底30与显示基底10之间。

密封构件50可以与封装层170叠置。更具体地，密封构件50可以与下无机层171和上无机层175叠置，并且可以不与有机层173叠置。在一些实施例中，密封构件50可以与封装层170直接接触。更具体地，密封构件50可以直接定位在上无机层175上并且与上无机层175直接接触。

在一些实施例中，定位在密封构件50下方的上无机层175和下无机层171可以延伸到密封构件50的外部。

密封构件50可以在非显示区域NDA中与颜色图案250、第一滤色器231和堤图案370叠置。在一些实施例中，密封构件50可以与覆盖堤图案370的覆盖层393直接接触。

如上所述，密封构件50可以与钝化层117的暴露的顶表面117u直接接触。密封构件50可以设置为与设置在第一导电层中的第二信号线WR2叠置，并且不与设置在第二导电层中的第一信号线WR1和第三信号线WR3叠置。密封构件50可以包括有机绝缘材料，并且例如，密封构件50可以包括密封剂。与密封构件50接触的钝化层117可以包括无机材料。由于密封构件50与包含无机材料的钝化层117直接接触，因此密封构件50的底表面与钝化层117的顶表面117u之间的紧密粘附(或紧密接合)可以是可能的，而不会在其间置有空的空间。因此，如图12中所示，可以能够显著地降低从密封区域SA的外部进入的外部空气或湿气在密封构件50与钝化层117之间通过以渗透到显示区域DA中的可能性。

为了形成其中密封构件50和钝化层117在密封区域SA中彼此直接接触的结构，如在稍后将描述的图16至图18的显示装置1的制造方法中的，在密封区域SA中的过孔层130b的厚度t130b形成为比在剩余区域中的过孔层130a的厚度t130a小(见图16)，在于图16的过孔层130'中形成接触孔CNT1至接触孔CNT5(见图17)之后，可以遍及整个表面减小过孔层130'_1的厚度。减小过孔层130'_1的厚度的工艺可以通过灰化工艺来进行。通过灰化工艺，可以去除密封区域SA中的过孔层130b'(可以形成过孔层130的第一开口部OPa)，剩余区域中的过孔层130的厚度t130可以比在灰化工艺之前的过孔层130a'的厚度t130a'减小得多。在通过灰化工艺去除密封区域SA中的过孔层130b'的工艺中，还可以去除过孔层130b'下面的钝化层117的一部分和/或全部(见图17)。与实施例不同，在通过灰化工艺去除密封区域SA中的过孔层130b'的工艺中，如果第二信号线WR2定位在第二导电层中，或者第二信号线WR2被省略并且连接到垫电极PD的信号线仅由第二导电层形成，则在过孔层130b'(图17)下面的钝化层117的一部分和/或全部被去除的情况下，由第二导电层形成的信号线可能会暴露在密封区域SA中。在这种情况下，可能会难以预期通过上述密封构件50防止湿气渗透和/或外部空气侵入的功能，并且也可能会发生暴露在密封区域SA中的信号线的腐蚀。

然而，在根据实施例的显示装置1的情况下，如上所述，在平面图中的密封区域SA的外侧中，设置在第一导电层中的第二信号线WR2可以连接到与垫电极PD连接的第二导电层的第一信号线WR1，并且在平面图中的密封区域SA的内侧中，第二信号线WR2可以连接到第二导电层的第三信号线WR3。出于这个理由，在通过灰化工艺去除密封区域SA中的过孔层130b'的工艺中，即使去除过孔层130b'下方的钝化层117的一部分和/或全部(见图17)，也大大降低了设置在缓冲层111下方的第二信号线WR2被暴露到外部的可能性。因此，可以具有可以容易地进行防止湿气渗透和/或外部空气通过上述密封构件50侵入的功能并且还可以预先防止信号线WR1、WR2和WR3的腐蚀的优点。

如上所述，填充件70可以定位在颜色转换基底30、显示基底10和密封构件50之间的空间中。在一些实施例中，如图9和图12中所示，填充件70可以与覆盖层393和封装层170的上无机层175直接接触。

在根据实施例的显示装置1中，抗反射膜AF可以进一步设置在第二基体部310的同其与滤色器231、233和235接触的表面相反的表面上。抗反射膜AF可以设置在第二基体部310的同其与滤色器231、233和235接触的表面相对的表面上，以使外部光入射到显示装置1中最少化。抗反射膜AF可以包括定位为靠近显示表面的第一表面和与第一表面相对的第二表面(与第二基体部310接触的表面)，并且可以通过使从第一表面反射的外部光和从第二表面反射的外部光相互干扰的原理来使外部光入射到显示装置1中最少化。虽然未示出，但是抗反射膜AF可以由具有受控折射率的多层形成，但不限于此。

在下文中，将描述制造显示装置1的方法。

图16至图23是示出了根据实施例的显示装置的制造方法的工艺步骤的示意性剖视图。在参照图16至图23描述显示装置1的制造方法的同时，可以进一步参照图9和图12。

根据实施例的显示装置1的制造方法可以包括以下步骤：准备其中可以限定有显示区域DA和定位在显示区域DA周围的非显示区域NDA的显示基底10的步骤；通过设置在非显示区域NDA的密封区域SA中的密封构件50将颜色转换基底30接合到显示基底10的步骤；以及在密封构件50、显示基底10和颜色转换基底30之间填充填充件70的步骤。

如图12和图16中所示，准备显示基底10的步骤可以包括以下步骤：在第一基体部110上形成包括第二信号线WR2和下光阻挡层BML的第一导电层的步骤；在第一导电层上形成缓冲层111的步骤；在缓冲层111上形成与下光阻挡层BML叠置的半导体层ACT的步骤；在半导体层ACT上形成栅极绝缘层115的步骤；在栅极绝缘层115上形成第二导电层的步骤，第二导电层包括电连接到第二信号线WR2的第一信号线WR1和第三信号线WR3、连接到第一信号线WR1的外端的第一垫电极PD1以及与半导体层ACT叠置的栅电极GE；在第二导电层上形成钝化层117的步骤；以及在钝化层117上形成过孔层130'的步骤。

在平面图中，可以在第一信号线WR1与第三信号线WR3之间设置第二信号线WR2，并且可以在密封区域SA中设置第二信号线WR2以与密封构件50(见图12)叠置。

如图16中所示，在形成过孔层130'的步骤中，在密封区域SA中的过孔层130b的厚度t130b可以比在除了密封区域SA之外的区域中的过孔层130a的厚度t130a小。

接下来，如图12和图17中所示，形成显示基底10的步骤还可以包括在形成过孔层130'的步骤之后在图16的过孔层130'中形成接触孔CNT1、CNT2、CNT3、CNT4和CNT5的步骤。

随后，如图12和图18中所示，在形成显示基底10的步骤中，在于过孔层130'中形成接触孔CNT1、CNT2、CNT3、CNT4和CNT5的步骤之后，可以进行减小过孔层130'_1的厚度的工艺。通过灰化工艺进行该工艺。通过灰化工艺，可以去除密封区域SA中的过孔层130b'(可以形成过孔层130的第一开口部OPa)，并且剩余区域中的过孔层130的厚度t130可以变得比在灰化工艺之前的过孔层130a'的厚度t130a'小。

接下来，如图12和图19中所示，在形成显示基底10的步骤中，在减小过孔层130'_1的厚度的工艺之后，还可以进行形成第三导电层的步骤。第三导电层可以包括第二垫电极PD2、连接电极CNE1、CNE2和CNE3以及阳极电极AE1、AE2和AE3。

随后，如图12和图20中所示，形成显示基底10的步骤还可以包括在形成第三导电层的步骤之后形成堤层150的步骤。堤层150可以包括上述第二开口部OPb。上面已经参照图8和图12详细描述了堤层150的布置和材料，并且因此将省略其详细描述。

接下来，如图12和图21中所示，形成显示基底10的步骤还可以包括在形成堤层150的步骤之后在堤层150上形成发光层OL、阴极电极CE、第一覆盖层160和封装层170的步骤。

此后，如图12和图22中所示，形成显示基底10的步骤还可以包括在形成封装层170的步骤之后在密封区域SA中设置密封构件50的步骤。如上所述，密封构件50可以与钝化层117的暴露的顶表面117u直接接触。密封构件50可以设置为与设置在第一导电层中的第二信号线WR2叠置，并且不与设置在第二导电层中的第一信号线WR1和第三信号线WR3叠置。密封构件50可以包括有机绝缘材料，例如，密封构件50可以包括密封剂。与密封构件50接触的钝化层117可以包括无机材料。由于密封构件50与包含无机材料的钝化层117直接接触，因此密封构件50的底表面与钝化层117的顶表面117u之间的紧密粘附(或紧密接合)可以是可能的，而不在其间置有空的空间。

在根据实施例的显示装置1的制造方法中，如上所述，在平面图中，在密封区域SA的外侧中，设置在第一导电层中的第二信号线WR2可以连接到第二导电层的连接到垫电极PD的第一信号线WR1，并且在平面图中在密封区域SA的内侧中，第二信号线WR2可以连接到第二导电层的第三信号线WR3。出于这个原因，在通过灰化工艺去除密封区域SA中的过孔层130b'的工艺中，即使去除过孔层130b'(见图17)下方的钝化层117的一部分和/或全部，也大大降低了设置在缓冲层111下方的第二信号线WR2暴露到外部的可能性。因此，可以具有可以容易地进行防止湿气渗透和/或外部空气通过上述密封构件50侵入的功能并且还可以预先防止信号线WR1、WR2和WR3的腐蚀的优点。

在下文中，将描述显示装置1的其它实施例。

图24是根据另一实施例的显示装置的示意性剖视图。

参照图24，根据实施例的显示装置2与图12的显示装置1的不同之处可以至少在于，垫电极PD_1可以是第一电力垫电极或驱动垫电极。出于这个原因，与图12的第三信号线WR3不同，连接到垫电极PD_1的第三信号线WR3可以电连接到图3的第一电压线VL1而不连接到阴极电极CE。

由于已经参照图12进行了其它描述，因此省略了详细描述。

图25是示出了根据又一实施例的显示装置的非显示区域和显示区域的示意性平面图。图26是沿着图25的线X3-X3'截取的根据实施例的显示装置的示意性剖视图。

参照图25和图26，根据实施例的显示装置3与图8和图12的显示装置1的不同之处可以至少在于，第一信号线WR1_1和第二信号线WR2_1可以通过第二接触孔CNT2_1彼此直接连接。

在根据实施例的显示装置3中，可以省略图12的第一连接电极CNE1。

由于已经参照图12进行了其它描述，因此省略了详细描述。

图27是示出了根据又一实施例的显示装置的非显示区域和显示区域的示意性平面图。图28是沿着图27的线X3-X3'截取的根据实施例的显示装置的示意性剖视图。

参照图27和图28，根据实施例的显示装置4与图25和图26的显示装置3的不同之处可以至少在于，第二信号线WR2_2和第三信号线WR3可以通过第四接触孔CNT4_1彼此直接连接。

在根据实施例的显示装置4中，可以省略图25和图26的第二连接电极CNE2。

由于已经参照图12、图25和图26进行了其它描述，因此下面将省略详细描述。

图29是根据又一实施例的显示装置的示意性剖视图。

参照图29，根据实施例的显示装置5与图12的显示装置1的不同之处可以至少在于，钝化层117_1的顶表面117u_1可以包括在除了密封区域SA之外的区域中的第一顶表面117ua和在密封区域SA中的第二顶表面117ub。

第二顶表面117ub的粗糙度可以比第一顶表面117ua的粗糙度大。因为在通过图18的灰化工艺形成过孔层130的工艺中，在灰化工艺中所使用的灰化气体等可以与钝化层117_1的暴露在密封区域SA中的第二顶表面117ub物理接触，所以第二顶表面117ub的粗糙度可以比第一顶表面117ua的粗糙度大。

由于已经参照图12进行了其它描述，因此省略了详细描述。

图30是根据又一实施例的显示装置的示意性剖视图。

参照图30，根据实施例的显示装置6与图12的显示装置1的不同之处可以至少在于，钝化层117_2的在密封区域SA中的厚度t117_1可以比钝化层117_2的在剩余区域中的厚度t117小。

因为在通过图18的灰化工艺形成过孔层130的工艺中，在灰化工艺中所使用的灰化气体等可以与暴露在密封区域SA中的钝化层117_2物理接触以减小钝化层117_2的在密封区域SA中的厚度t117_1，所以钝化层117_2的在密封区域SA中的厚度t117_1可以比钝化层117_2的在剩余区域中的厚度t117小。

由于已经参照图12进行了其它描述，因此省略了详细描述。

图31是根据又一实施例的显示装置的示意性剖视图。

参照图31，根据实施例的显示装置7与图30的显示装置6的不同之处可以至少在于，钝化层117_3的顶表面117u_1可以包括在除了密封区域SA之外的区域中的第一顶表面117ua和在密封区域SA中的第二顶表面117ub。

第二顶表面117ub的粗糙度可以比第一顶表面117ua的粗糙度大。因为在通过图18的灰化工艺形成过孔层130的工艺中，在灰化工艺中所使用的灰化气体等可以与钝化层117_3的暴露在密封区域SA中的第二顶表面117ub物理接触，所以第二顶表面117ub的粗糙度可以比第一顶表面117ua的粗糙度大。

由于已经参照图30进行了其它描述，因此省略了详细描述。

图32是根据又一实施例的显示装置的示意性剖视图。

参照图32，根据实施例的显示装置8与图30的显示装置6的不同之处可以至少在于，钝化层117_4可以不设置在密封区域SA中。

因为在通过图18的灰化工艺形成过孔层130的工艺中，在灰化工艺中所使用的灰化气体等可以与暴露在密封区域SA中的钝化层117_4物理接触以逐渐地减小钝化层117_4的厚度并且最终去除密封区域SA中的钝化层117_4，所以钝化层117_4可以不设置在密封区域SA中。由于钝化层117_4可以不设置在密封区域SA中，因此缓冲层111的顶表面111u可以暴露在密封区域SA中，并且暴露的顶表面111u可以与密封构件50直接接触。

由于已经参照图30进行了其它描述，因此省略了详细描述。

图33是根据又一实施例的显示装置的示意性剖视图。

参照图33，根据实施例的显示装置9与图32的显示装置8的不同之处可以至少在于，缓冲层111_1的顶表面111u_1可以包括在除了密封区域SA之外的区域中的第一顶表面111ua和在密封区域SA中的第二顶表面111ub。

第二顶表面111ub的粗糙度可以比第一顶表面111ua的粗糙度大。因为在通过图18的灰化工艺形成过孔层130的工艺中，在灰化工艺中所使用的灰化气体等可以与缓冲层111_1的暴露在密封区域SA中的第二顶表面111ub物理接触，所以第二顶表面111ub的粗糙度可以比第一顶表面111ua的粗糙度大。

由于已经参照图32进行了其它描述，因此省略了详细描述。

在结束详细描述时，本领域技术人员将理解的是，在基本上不脱离公开的原理的情况下，可以对实施例进行许多变化和修改。因此，所公开的实施例仅在一般性和描述性意义上使用，而不是为了限制的目的。

Claims

1.一种显示装置，所述显示装置包括：

第一基底，包括：显示区域；以及非显示区域，与所述显示区域相邻；

第二基底，设置在所述第一基底上；以及

密封构件，设置在所述非显示区域的密封区域中以将所述第一基底接合到所述第二基底，其中，

所述第一基底包括：第一基体部；第一导电层，在所述第一基体部上，所述第一导电层包括第一信号线和下光阻挡层；缓冲层，在所述第一导电层上；半导体层，在所述缓冲层上，所述半导体层与所述下光阻挡层叠置；栅极绝缘层，在所述半导体层上；以及第二导电层，在所述栅极绝缘层上，所述第二导电层包括电连接到所述第一信号线的第二信号线和第三信号线以及与所述半导体层叠置的栅电极，并且

在平面图中，所述第一信号线设置在所述第二信号线与所述第三信号线之间，并且

所述第一信号线与所述密封构件叠置。

2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二导电层还包括电连接到所述第二信号线的外端的第一垫。

3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述第一基底还包括在所述第二导电层上的钝化层。

4.根据权利要求3所述的显示装置，其中，所述第一基底还包括在所述钝化层上的过孔层。

5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述过孔层包括有机绝缘材料。

6.根据权利要求5所述的显示装置，其中，所述过孔层不与所述密封构件叠置。

7.根据权利要求6所述的显示装置，其中，所述密封构件与所述钝化层直接接触。

8.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一基底还包括第三导电层，所述第三导电层包括：

第二垫，在所述过孔层上；

第一连接电极；

第二连接电极；以及

第一电极，连接到所述下光阻挡层和所述半导体层中的每个并且设置在所述显示区域中。

9.根据权利要求8所述的显示装置，其中，

所述第二垫与所述第一垫叠置，并且

所述第二垫通过穿透所述过孔层和所述钝化层的第一接触孔电连接到所述第一垫。

10.根据权利要求8所述的显示装置，其中，所述第一连接电极与所述第二信号线和所述第一信号线叠置。

11.根据权利要求10所述的显示装置，其中，

所述第一连接电极通过穿透所述过孔层和所述钝化层的第二接触孔电连接到所述第二信号线，并且

所述第一连接电极通过穿透所述过孔层、所述钝化层和所述缓冲层的第三接触孔电连接到所述第一信号线。

12.根据权利要求11所述的显示装置，其中，

所述第二连接电极通过穿透所述过孔层、所述钝化层和所述缓冲层的第四接触孔电连接到所述第一信号线，并且

所述第二连接电极通过穿透所述过孔层和所述钝化层的第五接触孔电连接到所述第三信号线。

13.根据权利要求12所述的显示装置，其中，

所述第一基底还包括：堤，在所述显示区域中部分地暴露所述第一电极的顶表面；有机层，设置在所述第一电极的被所述堤暴露的所述顶表面上；以及第二电极，在所述有机层上，并且

所述第一电极、所述有机层和所述第二电极构成发光元件。

14.根据权利要求13所述的显示装置，其中，所述第三信号线电连接到所述发光元件。

15.根据权利要求13所述的显示装置，其中，

所述堤设置为直到所述非显示区域，以在所述非显示区域中暴露所述第二垫的顶表面，并且在所述密封区域中暴露所述钝化层的顶表面。

16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第二基底包括：

第二基体部，面对所述第一基体部；

滤色器层，在所述第二基体部上；以及

光转换图案层，在所述滤色器层上。

17.根据权利要求16所述的显示装置，所述显示装置还包括在所述第一基底与所述第二基底之间的填充件。