CN1170678C - 集成电路发射单元、集成电路发射阵列和喷墨系统 - Google Patents

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Abstract

基于动态存储器的集成电路射墨单元包括加热电阻、驱动晶体管和存储仅为该加热电阻用的发射数据的动态存储器电路。还公开了集成电路发射阵列，它包括：分成发射单元的多个发射组的多个基于动态存储器的发射单元，每一个发射组具有多个发射子组；向发射单元提供激励数据的数据线；向发射单元提供控制信息的控制线；以及多条发射线，用来向发射单元提供激励能量，其中一个发射组的所有发射单元都从唯一一条发射线接收激励能量。

Description

集成电路发射单元、集成电路发射阵列和喷墨系统
技术领域
本发明一般地涉及喷墨打印，更具体地说，涉及在每一个发射单元内集成有动态存储器电路的薄膜喷墨打印头。
背景技术
喷墨打印技术得到了较好的发展。诸如计算机打印机、绘图机和传真机等商售产品都已经实现喷墨工艺，以产生印刷品。例如，在Hewlett-PackardJournal，Vol.36，No.5(1985年5月)；Vol.39，No.5(1988年10月)；Vol.43，No.4(1985年8月)；Vol.43，No.6(1992年12月)；和Vol.45，No.1(1994年2月)中不同的文章描述了Hewlett-Packard公司对喷墨工艺的贡献。这些文章全都包括在此作参考。
一般说来，喷墨图象是依照由被称为喷墨打印头的墨滴产生装置发射的墨滴在打印介质上精确定位而形成的。典型的情况是，喷墨打印头支持在可移动的滑架上。后者横跨打印介质表面，并按照微型计算机或控制器的命令，受控制在适当的时间喷射出墨滴，其中施加墨滴的定时要与准备打印的图象的像素图案对应。喷墨打印头一般安装在喷墨打印滑架上，后者可以，例如，包括整体墨盒。
典型的Hewlett-Packard喷墨打印头包括在孔内或喷嘴板上精确形成的喷嘴阵列，喷嘴板附在墨阻挡层上，而墨阻挡层又附在实现喷墨加热电阻和电阻使能装置的薄膜子结构上。墨阻挡层限定了包括位于相关喷墨电阻上面的墨腔的墨通道，而喷嘴板中的喷嘴与相关的墨腔对齐。墨滴产生器区域是由墨腔和薄膜子结构的各部分以及与墨腔相邻的喷嘴板形成的。
薄膜子结构通常包括诸如硅等基片，在基片上形成各种薄膜层，后者形成薄膜喷墨加热电阻、向加热电阻传输喷墨能量的使能电路，以及连接到接口焊盘上的导电线迹，所述接口焊盘是为打印头的外部电连接而设置的。
墨阻挡层通常是聚合物材料，以干膜的形式层压在薄膜子结构上，并设计成能够用光学方法限定，并且既可用紫外线又可用热固化。
喷嘴板、墨阻挡层和薄膜子结构的物理布局的例子图解说明于上面提到的Hewlett-Packard Journal 1994年2月的44页上。在其同转让的美国专利4,719,477和美国专利5,317,346中提出了喷墨打印头的另一个例子，此两文献均包括在此作为参考。
在热喷墨工艺中存在一种趋势，就是增加构造在单一打印头上的喷嘴数目，并增大这些喷嘴的发射速率。随着喷嘴数目的增大，接到打印头的互连点数急剧增大，除非实现某种形式的多路复用，使某些互连点以时分方式由喷墨电阻共享，以减少连接到打印头的互连点数。
已知的多路复用方案涉及为每一个喷墨电阻设置门控晶体管，以此使电流仅在相关的门控晶体管被选中(亦即使之变为导通)时才流入喷墨电阻。把每一个电阻和相关的晶体管排成行和列的阵列，可使外部互连点的数目大大减少。利用这种多路复用方案的打印头已经利用低成本的NMOS(N沟道金属氧化物半导体)集成电路工艺制成。
行和列的阵列最好呈方形(亦即，列数等于列数)，以便外部互连点数最少。但是，由于诸如每一个电阻能被依次地激励的速率(发射速率)、不同电阻相邻两次发射之间的时间(发射周期)和发射周期中的可以发射的电阻数目最大这样一些系统要求，阵列一般作成矩形阵列。采用矩形阵列，外部互连点数比方形最优的大得多。
另一个已知的减少互连点数的方案在打印头基片上包括在每一个发射单元的发射单元阵列的外围的逻辑电路和静态存储元件。在这种方案中，在一行或一列电阻发射的同时，准备激励的下一行或一列电阻用的静态存储器接收和存储发射数据。在打印头基片上包括多路复用用的逻辑电路和静态存储元件的打印头的一个例子是Hewlett-Packard Design Jet 1050C大型格式打印机用的Hewlett-Packard C820A 524喷嘴打印头。在打印头基片上包括逻辑电路和静态存储元件的考虑是：这通常要求诸如CMOS(互补金属氧化物半导体)等比较复杂的集成电路工艺，这与NMOS集成电路工艺相比成本提高，因为CMOS工艺与NMOS工艺相比，一般要求较多的掩模层次和加工步骤。另外，在发射阵列的外围包括逻辑电路，会使布局过程的复杂性增大，使开发新的或修改的打印头的总开发时间延长。
对于非打印头集成电路，通过用比较复杂(因而成本较高)的集成电路工艺来实现同样功能，以便产生同样功能而尺寸较小的芯片，从而使单个芯片的成本可以随着时间而降低。芯片较小，结果每个固定尺寸的晶片的芯片较多，因而每一个芯片的总成本降低，尽管晶片成本增大，结果工艺复杂性增大。
用集成电路工艺制造的喷墨打印头不能跟随典型集成电路的缩小芯片尺寸从而降低成本的成本趋势，因为集成电路喷墨打印头的尺寸一方面由要求的打印带高度确定，而第二方面则由要求的独立液流通道数及其物理间隔的要求确定。用比较复杂的集成电路工艺制造的打印头增大的成本无法在诸如不损失打印处理能力或不损失每一个打印头的颜色数等不损失打印头功能的情况下用缩小打印头尺寸来补偿。
因此，需要一种集成电路喷墨打印头，它的外部互连点数减少，而且能够利用低成本的NMOS集成电路工艺制造。
发明内容
本发明的目的是提供一种基于动态存储器的集成电路喷墨单元，它包括喷墨加热电阻、仅为加热电阻而存储加热电阻激励数据用的动态存储器电路、和允许随激励数据的状态而变地向加热电阻传输能量的驱动晶体管。
本发明另一方面的目的是提供一种集成电路发射阵列，它包括：多个基于动态存储器的发射单元，后者分成多个发射单元的发射组，每一个发射组具有多个子组；向发射单元提供激励数据用的数据线；向发射单元提供控制信息用的控制线，其中子组内所有的发射单元都连接到公共的控制线子集上，以便控制它们同时存储激励数据；以及多条发射线，用来向发射单元供应激励能量，其中一个发射组的全部发射单元只从一条发射线接收激励能量。
结合附图阅读以下的详细描述，本专业的技术人员将很容易看出本发明的优点和特征。
附图说明
图1是本发明用于其中的喷墨打印头的主要组件的示意的、部分剖开的透视图；
图2是图1喷墨打印头的薄膜子结构的总体布局的不按比例的示意顶视平面图；
图3是已知的喷墨单元的示意图；
图3A阐明使用多个图3喷墨单元的喷墨喷墨阵列示意布局；
图4是基于动态存储器电路的喷墨单元的示意方框图；
图5是基于动态存储器的喷墨单元一个实例的示意电路图；
图5A是使用多个图5喷墨单元的喷墨喷墨阵列的示意布局；
图5B是图5A的喷墨喷墨阵列的定时图；
图6是基于动态存储器的喷墨单元另一个实例的示意电路图；
图6A是使用多个图6的喷墨单元的喷墨喷墨阵列的示意布局；
图7是基于预充电的动态存储器喷墨单元一个实例的示意电路图；
图7A是使用多个图7的喷墨单元喷墨喷墨阵列的示意布局；
图7B是图7A喷墨喷墨阵列的定时图；
图8是使用基于动态存储器的喷墨喷墨阵列的打印机系统的示意电路方框图。
具体实施方式
在下面的详细描述中和几个附图中，类似的元件用类似的标号表示。
现参考图1，图中示出本发明可以应用于其中的喷墨打印头的不按比例的示意透视图，它一般包括(a)薄膜子结构或芯片11，后者包括诸如硅等基片，并在其上形成各种薄膜层；(b)墨阻挡层12，它位于薄膜子结构11上；和(c)孔或喷嘴板13，它附在墨阻挡层12的顶面上。
按照本发明，薄膜子结构11是NMOS集成电路，后者包括喷墨单元电路，其中的每一个都包括动态存储元件，后者分别唯一地与加热电阻21相关，该电阻也在薄膜子结构11中形成。薄膜子结构11是按照已知的集成电路工艺、例如按照共同转让的美国专利5,635,968和美国专利5,317,346中公开的集成电路工艺形成的，该两专利均附此作参考。
墨阻挡层12用干薄膜形成，后者是加热和加压层压在薄膜子结构11上的，并用光学方法定形，以便在其中形成墨腔19和墨通道29，后者位于电阻区域上面。该区域在薄膜子结构11上通常处于中心位置的金层15(图2)的任一侧。外部电互连接用的可啮合的金焊盘或接点盘17位于薄膜子结构端部，而且不被墨阻挡层12覆盖。正如本文根据图2进一步讨论的，薄膜子结构11包括形成图案的金层15，后者一般位于两行加热电阻21之间薄膜子结构的中部，而墨阻挡层12覆盖这样形成图案的金层15的大部分，以及相邻加热电阻21之间的区域。作为说明性的实例，墨阻挡层材料包括以丙烯酸盐为主的光聚合物干薄膜，诸如可从E.I.duPont de Nemours公司和Delaware的Wilmington公司购得的Parad牌光聚合物干薄膜。类似的干薄膜包括其它杜邦(du Pont)公司产品，诸如Riston牌干薄膜和其它化工供应商制造的干薄膜。孔板13包括，例如，平面基片，后者包括聚合物材料，而且其中用激光烧蚀方法，例如，共同转让的美国专利5,469,199中所公开的方法形成各个孔。该专利附此作参考。孔板13也可以包括所镀的金属，诸如镍。
更具体地说，墨阻挡层12中的墨腔19位于各个喷墨电阻21上面，而每一个墨腔19由在墨阻挡层12内形成开口的腔的边缘或壁限定。墨通道29由在墨阻挡层12内形成的另一个开孔限定，而且整体地连接到相应的喷墨腔19。作为说明性的实例，图1举例说明外边缘送墨配置(fed configuration)，其中墨通道29向由薄膜子结构11的外边缘形成的外边缘开放，而墨是绕过薄膜子结构的外边缘向墨通道29和墨腔19供应的，例如，更具体地说，包括在此作参考的共同转让的美国专利5,317,346中所公开的，其中墨通道向薄膜子结构中间的狭缝形成的边缘开放。
孔板13包括位于相应的墨腔19上面的孔23，使得喷墨电阻21、相关的墨腔19和相关的孔对齐。喷墨腔或墨滴产生器区域是由每一个墨腔19和薄膜子结构11的部分以及与墨腔19相邻的孔板13形成的。
现将参照图2，这里示出薄膜子结构11总体布局不按比例的顶视平面简图。喷墨电阻21是在与薄膜子结构11纵向边缘相邻的电阻区中形成的。形成图案的包括金箔条的金层15形成金层区域中的薄膜结构的顶层，所述金层区域一般位于电阻区之间的薄膜子结构的中部，并延伸在薄膜子结构11两端之间。外部电连接用的焊盘17在形成图案的金层15中形成，例如，与薄膜子结构两端相邻。墨阻挡层12是这样限定的，使得除焊盘17外盖住所有的形成图案的金层，还盖住形成墨腔和墨通道的各个开口之间的区域。依实现方法的不同，在形成图案的金层上面可以有一个或多个薄膜层。
尽管图1和2一般地描述顶棚发射器型喷墨打印头，但是下面将指出，所公开的本发明可以应用于包括加热电阻的任何类型的喷墨打印头，包括侧发射器型喷墨打印头。还应当指出，所公开的本发明可以应用于打印不同颜色的喷墨打印头。
图3示出已经应用于热喷墨打印头的先有技术的发射单元40的示意图。激励能量向加热电阻的传输是通过允许或禁止驱动或选通晶体管41来选择性地控制的。为方便起见，激励能量向加热电阻的传输有时称为加热电阻的发射或激励。
图3A示出发射单元40的阵列，发射单元示意地以这样的方式互连，使得发射单元阵列一行的所有驱动晶体管都由地址线A0-A3中的一条共享的地址线选择。发射单元阵列一列中所有的加热电阻都连接到电源线P0-P7中一条共享的电源线上，而一列中所有的驱动晶体管的源极都连接到地线G0-G7中一条共享的地线上。任何一次都只启动一条地址线，在同一时刻只允许发射单元的相关的一行中的加热电阻被激励或被发射。每一条电源线都依相关列中被选中的发射单元是否准备被激活而选择性地被切换或激励。发射单元每一行顺序地被寻址并被激励。
为了把连接到发射单元矩阵或阵列的外部连接点数减到最少，该阵列最好呈正方形。这连接点的最少数目在数学上可以表达为2*SQRT(N)，其中N为发射单元数。但是，由于系统的要求，该矩阵一般不呈正方形，而呈矩形，结果连接点数大于2*SQRT(N)。决定性的因素包括任何电阻能够连续地被激励的最大速率(发射速率)以及准备和激励(发射)每一行加热电阻所需要的时间(发射周期)。
从开始发射任何给定一行加热电阻到开始发射按顺序的下一行加热电阻的时间等于发射周期，发射阵列中所有各行所需时间的倒数等于最大发射速率。等式1表示最大发射速率、发射周期和行数之间的关系。应该指出，列数取决于最大发射速率和发射周期。
MAX_FIRE_RATE＝1/(ROW*FIRING_CYCLE)          (等式1)
(最大发射速率＝1/(行数*发射周期))
为了增大打印头的喷嘴数而不改变最大发射速率和发射周期的基本系统参数，行数必需不变，这意味着必须增大列数。若喷嘴数和最大发射速率都增大，则行数必须减小，而同时列数增大。结果这会使给定发射阵列的外连接点总数急剧增大。
现参照图4，与图1和2打印头的每一个喷墨腔相联系的是基于动态存储器的喷墨单元60，它一般包括加热电阻21、连接在加热电阻21一端和地之间的电阻驱动开关61，以及控制电阻驱动开关状态的动态存储器电路62，它们全都在薄膜基片11上形成。以发射脉冲形式出现的激励加热电阻的能量(亦称喷墨脉冲)由电源开关63向加热电阻21提供，该开关由能量定时信号(ETS)控制，并连接在电源和加热电阻21的另一端之间。动态存储器电路62配置成存储加热电阻激励二进制数据的一位，后者在发射脉冲出现之前把电阻驱动开关设置至要求的状态(例如，通或断，导通或非导通)。若电阻驱动开关61处于通的状态(亦即，导通)，则发射脉冲的能量便传输给加热电阻21。换言之，电阻驱动开关61受动态存储器电路62控制，使发射脉冲能够传输给加热电阻21。
更具体地说，动态存储器电路62接收DATA(数据)信息和ENABLE(使能)信息，使动态存储器电路能够接收和存储DATA信息。为方便起见，动态存储器电路的这种使能动作有时称为存储器电路或发射单元的选择或寻址。正如后面还将描述的，ENABLE信息可以包括SELECT(选择)控制信号和/或一个或多个ADDRESS(地址)控制信号。
现将参照图5，其中示出基于动态存储器的喷墨单元100的示范的实施例的简图。发射单元包括用于驱动加热电阻21的N沟道驱动FET(场效应晶体管)101。该驱动晶体管101的漏极连接到加热电阻21的一端，而该驱动晶体管101的源极连接到诸如地等公共基准电压。加热电阻21的另一端接收包括喷墨脉冲的加热电阻激励FIRE(发射)信号。若在发射脉冲出现时驱动晶体管导通，则发射脉冲的能量便传输给加热电阻21。
驱动晶体管101的栅极形成存储节点电容101a，后者起动态存储单元的作用，存储通过连接到驱动晶体管101栅极的通过晶体管(pass transistor)103输出端接收到的电阻激励或发射数据。存储节点电容101a用虚线表示，因为它实际上是驱动晶体管101的一部分。或者，也可以用独立于晶体管的电容作为动态存储单元。为了增大电容101a放电的灵活性，以便把电容设置为一个已知的状态，可以包括一个放电晶体管104。放电晶体管104的漏极连接到驱动晶体管101的栅极，而其源极接地，可以向放电晶体管104的栅极提供DISCHARGE(放电)选择信号。通过晶体管103和栅极电容101a实际上形成动态数据存储单元。
通过晶体管103的栅极接收控制通过晶体管103状态的ADDRESS(地址)信号，而同时通过晶体管103的输入端接收在通过晶体管103导通时传输给驱动晶体管101栅极的加热电阻激励或发射的DATA(数据)信号。
依用于实现图5的发射单元100的半导体工艺的不同，可能需要跨接在驱动晶体管101的漏极和栅极之间的钳位晶体管102来防止驱动晶体管101的栅极在栅极接地而FIRE信号上升时无意中被拉高。
现将参照图5A，其中示出使用图5多个基于动态存储器的喷墨单元100的喷墨喷墨阵列配置简图，其中安排成4个发射组W，X，Y，Z，喷墨单元示意地安排成每一个发射组中的行和列，而且其中每一个发射单元100不包括任选的钳位晶体管102或任选的放电晶体管104。为了便于引用，各个喷墨组W，X，Y，Z的行被分别表示为行W0至W7、X0至X7、Y0至Y7和Z0至Z7。发射组的数目随着实现方式而变化，发射组可以紧密地与多色打印头的不同颜色相联系，或者不如此。
加热电阻激励DATA信号施加到与所有发射单元的相应的列相联系并用适当的触点或接口焊盘与外部控制电路连接的数据线D0至D15上。每一条数据线连接到相关列中的喷墨单元100的通过晶体管103的输入端，而每一个发射单元都只连接到一条数据线。于是，每一条数据线为多个发射组中的多个列中的发射单元提供激励数据。
ADDRESS(地址)控制信号加到地址线A0至A31，后者与所有发射单元的各行相关并用适当的接口焊盘连接到外部控制电路。每一条地址线连接到相关行的通过晶体管103的栅极，从而使一行内所有的发射单元都连接到地址线的一个公共子集上，在本实施例中是一条地址线上。因为给定行中所有的发射单元全都连接到同一条地址线上，所以很方便地把一行发射单元称作一个地址行或发射子组，从而每一个发射组包括多个发射子组。
加热电阻激励FIRE(发射)信号通过与相应的发射组W、X、Y、Z相关并通过适当的接口焊盘连接到外部电源电路的发射线FIRE_W，FIRE_X，FIRE_Y，FIRE_Z施加。每一条发射线都连接到相关发射组中所有的加热电阻上，而发射组中所有的发射单元共享一个公共地。
在操作中，如图5B的定时图所举例说明的，其中为方便起见定时曲线用行或用载有定时图中呈现的信号的具体控制线标示，发射单元的各行顺序地被选择或寻址，每次一行，依次每个发射组一行(亦即用适当的地址线An，An+8，An+16，An+24等标示)，并用每一地址线把选择DATA(数据)(Wn，Xn，Yn，Zn等)并行地施加到数据线D[15:0]上。特定发射组中选中的一行发射单元的动态存储单元中的数据有效之后，把发射脉冲加到发射组上。应该指出，在发射组中选择地址行之前，该发射组中按顺序的前一地址行被选中，并把全0加到数据线上，以清除发射单元按顺序前一地址行中的数据。这防止以前的激励数据引起未被寻址的发射单元的加热电阻发射。清除旧数据用的另一种机制可以在每一个发射单元中包括放电晶体管104(在图5中用虚线表示)。可以为每一个发射组设置一条单独的放电选择线，而且发射组所有发射单元的所有放电晶体管的栅极都连接到该发射组用的放电选择线上。发射组接收发射脉冲之后，该发射组用的放电选择信号被激励，以除去这样的发射组的动态存储单元上剩余的电荷。这种替代方法会要求为每个发射单元增加一个附加晶体管，而每个发射组要增加附加的连接点。
用这样的方法，如标为行Wn[15:0]，行Xn[15:0]，行Yn[15:0]和行Zn[15:0]的定时曲线所表示的，数据被采样，并存储在被选中的发射单元行上，而在被选中的发射单元行中的数据有效之后开始的发射脉冲施加之前，被选中的发射单元行中的驱动晶体管被切换为导通。正如图5B所描述的，特定发射组用的每一个发射脉冲从相邻发射组的发射脉冲起在时间上移位预定的量，从而使不同发射组用的发射脉冲错开，并能重叠。对于4个发射组的示范性实例，移位可以是1/4发射周期，这是特定发射组的发射信号依次出现的脉冲开始沿之间的时间间隔。正如图5B还指出的，发射数据在存储时间间隔内，亦即在按顺序的前一行发射单元发射脉冲时间间隔内存储在发射单元的选中行中，其中存储时间间隔用选中行的地址信号定义。从基于动态存储器的发射单元得出的发射组的流水线组织使得可以对数据信号进行分时复用，从而在外部连接点数减少的情况下把数据信息提供给所有的发射组。
用于类似的操作的先有技术发射单元40(图3)的组织会需要一个8行×64列的阵列。假定像发射阵列100一样设置4个接地点，先有技术发射阵列40的外部连接总点数会是76。相比之下，发射阵列100为56个外部连接点。这个比较假定两个阵列都有相同的发射单元数，以相同的发射速率工作，并具有相同的发射周期。外部连接点数减少是本发明的显著优点，它提供了可靠性较高、成本较低的打印头。
另外，用来提供加热电阻激励发射脉冲的外部电源开关较少，4个对64个。这大大地降低了利用本发明构造的打印头用的驱动电子线路的成本。
图5A的发射阵列的另一个优点是可以把发射脉冲错开。这可以使电流的峰值变化(di/dt)降低，因为准备同时激励的发射单元数目减少了。这降低了电源系统的成本，并减少了电磁辐射。对于先有技术发射阵列40，为了适应类似的定时发射脉冲错开，发射速率必须从可能的最大值降低(给定固定的地址线数目和固定的发射周期)。这是由于同时激活的所有发射单元(亦即驱动晶体管同时切换至导通的单元)共享同一条地址线这一事实。为了实现使发射脉冲错开，地址线必须在比单一发射周期所需的时间长的时间周期里保持有效。图5A的发射阵列可以以最高的发射速率支持发射脉冲错开。
图5A的发射阵列是以低成本的NMOS工艺构造的，而且不需要发射阵列以外的电路，这些电路通常会要求诸如CMOS比较复杂的硅加工工艺和比较复杂的布局技术。图5A发射阵列的基于单元的设计容易利用直接分步重复生产过程步骤来布局。
现将参照图6，其中示出基于动态存储器的喷墨单元200的另一个示范性的实现的简图。发射单元200包括N沟道驱动FET 101，后者用来驱动加热电阻21。驱动晶体管101的漏极连接到加热电阻21的一端，而驱动晶体管101的源极则连接到诸如地等公共基准电压。加热电阻21的另一端接收包括喷墨脉冲的电阻激励FIRE(发射)信号，若驱动晶体管101在FIRE脉冲存在时导通，则电阻激励脉冲能量传输给加热电阻21。
驱动晶体管101的栅极形成存储节点电容101a，后者起存储通过选择晶体管105和与之串联的地址晶体管103接收的电阻激励或发射数据的动态存储单元的作用。存储节点电容101a用虚线表示，因为它实际上是驱动晶体管101的一部分。或者，可以用一个独立于驱动晶体管101的电容作为动态存储单元。为了增大电容101a放电的灵活性，以便把该电容设置到一个已知的状态，可以包括一个放电晶体管104。放电晶体管104的漏极连接到驱动晶体管的栅极，而其源极则接地，DISCHARGE(放电)选择信号提供给放电晶体管104的栅极。地址晶体管103、选择晶体管105和栅极电容101a实际上形成动态存储器的数据存储单元。
地址晶体管103的栅极接收ADDRESS(地址)信号，后者控制地址晶体管103的状态，而同时地址晶体管103的输入端接收地址晶体管103导通时传输给选择晶体管105输入端子的发射DATA(数据)信号。选择晶体管105的栅极接收SELECT(选择)信号，并在地址晶体管103导通时将地址晶体管103输出端子上的数据传输给驱动晶体管101的栅极。这样，在地址晶体管103和选择晶体管都导通时，数据传输到驱动晶体管101的栅极。
依实现图6发射单元200所用的半导体工艺的不同，可能需要一个连接在驱动晶体管101的漏极和栅极之间的钳位晶体管102来防止在栅极要求状态为地(电位)而FIRE(发射)信号上升时驱动晶体管101的栅极无意中被拉高。
现将参照图6A，图中示出使用多个图6的喷墨单元200的喷墨喷墨阵列的布局简图，这些单元布置成W，X，Y，Z4个发射组，其中在每个发射组中喷墨单元排成行和列，每个发射单元200不包括任选的钳位晶体管102或任选的放电晶体管104。为了引用，各个喷墨组W，X，Y和Z的行分别标示为行W0至W7，X0至X7，Y0至Y7和Z0至Z7。至于图5A的阵列，把发射单元行称为地址行或发射单元的发射子组很方便，从而每一个发射组包括多个发射单元的发射子组。
发射DATA(数据)信号加在与所有发射单元的各列相关并用适当的接口焊盘连接到外部控制电路的数据线D0至D15上。每一条数据线连接到相关列中喷墨单元200地址晶体管103的输入端子上，而每一个发射单元都只连接到一条数据线上。这样，每一条数据线向多个发射组中的多个行中的发射单元提供激励数据。
ADDRESS(地址)控制信号加到用适当的接口焊盘连接到外部控制电路的地址控制线A0至A7上。每一条ADDRESS控制线与每一个发射单元发射组W，X，Y和Z各自对应的行相联系，从而地址线A0连接到该发射组(W0，X0，Y0，Z0)第一行中的地址晶体管103的栅极，地址线A1连接到该发射组(W1，X1，Y1，Z1)第二行中的地址晶体管103的栅极，等等。
通过与相应的发射组W，X，Y，Z相联系的选择控制线SEL_W，SEL_X，SEL_Y和SEL_Z施加SELECT(选择)控制信号，并用适当的接口焊盘将其连接到外部控制电路。每一条选择线都连接到相关发射组中所有的选择晶体管105，而一个发射组中所有的发射单元只连接到一条选择线上。
这样，每一行或每一个子组的发射单元都连接到ADDRESS和SELECT控制线的公共子集，亦即供子组行位置用的ADDRESS控制线和供子组发射组用的SELECT控制线。
通过与各个发射组W，X，Y和Z相关并用适当的接口焊盘连接到外部电源电路的发射线FIRE_W，FIRE_X，FIRE_Y和FIRE_Z施加加热电阻激励FIRE信号。每一条发射线连接到相关发射组中所有的加热电阻21。发射组中所有的单元共享一个公共地。
在操作中，与图5A发射阵列的操作类似，激励数据被存储在阵列中，每次一行发射单元，每次一个发射组。换言之，发射组顺序地被选择，而且在发射组每一个选择过程中，只有被选中的发射组中一行被选中。在一个发射组中，行是顺序地被选择的，在发射组的每次选择(例如，(SEL_W，A1)，(SEL_X，A1)，(SEL_Y，A1)，(SEL_Z，A1)，(SEL_W，A2)，(SEL_X，A2)，(SEL_Y，A2)，(SEL_Z，A2)等等)中，每次一行。每一行都选择，数据就并行地加到数据线上。在特定的发射组中选中的发射单元行的动态存储单元中数据有效之后，把发射脉冲加到该发射组上。用这样的方法，对激励数据进行采样，并将其存储在选中的发射单元行中，而选中的发射单元行中的驱动晶体管在施加在选中的发射单元中的数据有效之后开始的喷墨脉冲之前切换。对于一个特定的发射组每一个发射脉冲从相邻的发射组的发射脉冲移位预定的量，从而使不同发射组的发射脉冲错开，并能重叠。对于4个发射组的示范性实例，这个移位可以是1/4发射周期，这是特定发射组发射信号相邻脉冲开始沿之间的时间间隔。除了喷墨单元的行或子组通过ADDRESS控制信号和SELECT控制信号结合而选择之外，图6A的阵列的操作的定时会是与图5A阵列的相似。ADDRESS和SELECT这两信号还定义数据存储时间间隔。
图6A中的发射阵列具有图5A中发射阵列的优点，而且进一步减少要求的外部连接点数。发射单元数相同包含发射单元200的、在相同的发射速率下操作并具有相同发射周期的阵列，所需要的连接点数还不到相似尺寸的先有技术发射单元40的连接点数的一半：36个外部连接点比76个外部连接点。
现将参照图7，其中示出预充电动态存储单元喷墨单元300示范性实例的简图。发射单元300包括N沟道驱动FET 101，用来驱动加热电阻21。驱动晶体管101的漏极连接到加热电阻21的一端，而驱动晶体管101的源极连接到诸如地等公共基准电压。加热电阻21的另一端接收包括喷墨脉冲的加热电阻激励FIRE(发射)信号。若发射脉冲存在时驱动晶体管101导通，则发射脉冲的能量便传输到加热电阻21。
驱动晶体管101的栅极形成起动态存储单元作用的存储节点电容101a，按照预充电晶体管107和选择晶体管105的顺序激活而存储数据。存储节点电容101a用虚线表示，因为它实际上是驱动晶体管101的一部分。或者，可以使用独立于驱动晶体管101的电容作为动态存储单元。
更具体地说，预充电晶体管107在其连接在一起的漏极和栅极上接收PRECHARGE(预充电)选择信号。选择晶体管105在其栅极上接收SELECT(选择)信号。
数据晶体管111、第一地址晶体管113和第二地址晶体管115是放电晶体管，并联在选择晶体管105的源极和地之间。这样，并联的各个放电晶体管与选择晶体管串联，而包括放电晶体管和选择晶体管的串联电路跨接在驱动晶体管101的栅极电容101a两端。数据晶体管111接收发射～DATA信号，第一地址晶体管113接收～ADDRESS1控制信号，而第二地址晶体管11接收～ADDRESS2的控制信号。这些信号都是低有效的，如这些信号名开始处的的代字号(～)所指示的。
在图7喷墨单元中，选择晶体管105、预充电晶体管107、数据晶体管111、地址晶体管113，115和栅极电容101a实际上形成动态数据存储单元。
在操作中，栅极电容101a由预充电晶体管107预充电。然后建立信号～DATA，～ADDRESS1和～ADDRESS2，并使选择晶体管导通。若要求栅极电容不充电，则包括数据晶体管111和地址晶体管113，115的放电晶体管中至少一个导通。若要求栅极电容保持充电，则包括数据晶体管111和地址晶体管113，115的放电晶体管截止。具体地说，若该单元不是被寻址的单元(这用～ADDRESS1或～ADDRESS2为高表示)(亦即，两者中的一个无效(de-asserted)))，则无论～DATA的状态为何，栅极电容都放电。若该单元是被寻址的单元(这用～ADDRESS1和～ADDRESS2均低表示)，则栅极电容101a(a)仍旧充电状态，若～DATA低(亦即，有效)或(b)被放电，若～DATA高(亦即，无效)。
实际上，栅极电容101a被预充电，而只有在喷墨单元是被寻址的单元，而且向它提供的发射数据有效的情况下才不会被主动地放电。第一和第二地址晶体管113和115乃是地址译码器，而数据晶体管111控制该喷墨单元被寻址时栅极电容的状态。
在图7的发射单元中，因为该单元被寻址而发射数据为低(亦即，加热电阻不应被激励)时数据晶体管111和地址晶体管113，115中至少一个有效地下拉驱动晶体管101的栅极，或在该单元不被寻址时地址晶体管中至少一个有效地下拉驱动晶体管101的栅极，所以可以通过使FIRE(发射)脉冲的开始与作为其间～ADDRESS1，～ADDRESS2和～DATA有效而且SELECT(选择)有效的时间间隔的时间周期重叠来避免使用防止动态存储节点寄生放电的钳位晶体管。应该指出，当～ADDRESS1，～ADDRESS2和～DATA无效时，接收相应的信号的晶体管导通。但若有必要，钳位晶体管可以以与图5和6的发射单元中所示的相同方法连接在驱动晶体管101的漏极和栅极之间。
现将参照图7A，图中示出使用多个图7的基于预充电动态存储单元的喷墨单元300的喷墨喷墨阵列的布局简图，它布置成4个发射组W，X，Y，Z，其中在每一个发射组中喷墨单元排成行和列。为了引用，各个发射组W，X，Y，Z的行分别标示为行W0至W7，X0至X7，Y0至Y7，Z0至Z7。至于图5A和6A阵列，把发射单元的行称为发射单元的地址行或子组比较方便，从而每一个发射组包括多个发射单元子组。
发射DATA(数据)信号施加在与所有发射单元的各列相关和用适当的接口焊盘连接到外部控制电路的数据线～D0至～D15上。每一条数据线都连接到相关列中喷墨单元300的数据晶体管111的所有输入端。这样，每一条数据线都向多个发射组的多行中的发射单元提供激励数据。
ADDRESS控制信号施加在连接到以下阵列行的单元的第一和第二地址晶体管113，115的地址控制线～A0至～A4上：
～A0，～A1：W0，X0，Y0和Z0行
～A0，～A2：W1，X1，Y1和Z1行
～A0，～A3：W2，X2，Y2和Z2行
～A0，～A4：W3，X3，Y3和Z3行
～A1，～A2：W4，X4，Y4和Z4行
～A1，～A3：W5，X5，Y5和Z5行
～A1，～A4：W6，X6，Y6和Z6行
～A1，～A3：W7，X7，Y7和Z7行
这样，通过适当地建立地址控制线～A0至～A4，发射单元的行便会像在图6A的发射阵列中一样地被寻址。地址控制线用适当的接口焊盘连接到外部控制电路。
通过与相应的发射组W，X，Y和Z相联系并用适当的接口焊盘连接到外部控制电路的预充电选择控制线PRE_W，PRE_X，PRE_Y和PRE_Z来施加PRECHARGE(预充电)信号。每一条预充电线都连接到相关的发射组中所有的预充电晶体管107，而一个发射组中所有的发射单元只连接到一条预充电线。这使发射组中所有发射单元的动态存储单元的状态都能在数据被采样之前设置为已知状态。
通过与相应的发射组W，X，Y和Z相关并用适当的接口焊盘连接到外部控制电路的选择控制线SEL_W，SEL_X，SEL_Y和SEL_Z来施加SELECT(选择)信号。每一条选择控制线都连接到相关发射组中所有的选择晶体管105，而一个发射组中所有的发射单元只连接到一条选择线。
这样，发射单元的每一行或子组连接到地址和选择控制线的公共子集上，亦即子组行位置用的地址控制线，以及子组发射组用的预充电选择控制线和选择控制线。
通过与各个发射组W，X，Y和Z相关的发射线FIRE_W，FIRE_X，FIRE_Y和FIRE_Z施加加热电阻激励FIRE(发射)信号，而每一条发射线都连接到相关发射组中所有的加热电阻上。发射线用适当的接口焊盘连接到外部电源电路，而一个发射组中所有的单元共享一条公共地线。
图7A阵列的操作与图6A阵列的操作相似，只是在ADDRESS信号建立和SELECT信号有效之前多了个PRECHARGE(预充电)脉冲。PRECHARGE脉冲限定预充电时间间隔，而SELECT信号限定放电时间间隔。加热电阻激励数据存储在阵列中，每次一行发射单元，每次一个发射组。
因为发射组是叠代地选择的，又因为对每一个发射组在发射脉冲之前有一个预充电脉冲，所以特定发射组用的选择线可以连接到按顺序的前一个发射组用的预充电线，以形成组合的控制线SEL_W/PRE_X，SEL_X/PRE_Y，SEL_Y/PRE_Z和SEL_Z/PRE_W，如图7A中用虚线表示的，组合的SELECT/PRECHARGE(选择/预充电)信号可以用于每一条组合控制线。
现将参照图7B，图中示出图7A的特定实例的阵列的操作的示范实例的简图，该实例中特定发射组用的SELECT控制线连接到按顺序的前一个发射组用的PRECHARGE线，而且其中为方便起见定时曲线用行或用载有由定时图表示的信号的特定控制线标示。发射组被顺序地选择，而在每选择一个发射组的过程中，只有选中的发射组的一行通过地址控制线被寻址。在一个发射组内，行被顺序寻址，每选择一个发射组(例如，(SEL_W，W1行)，(SEL_X，X1行)。(SEL_Y，Y1行)，(SEL_Z，Z1行)，(SEL_W，W2行)，(SEL_X，X2行)。(SEL_Y，Y2行)，(SEL_Z，Z2行)等等)，每次一行。每选择一个发射组和每一行寻址，数据都并行地施加在数据线～D[15:0]上。选中行的数据标示为Wn，Xn，Yn，Zn等等，而同时选中行中数据的状态由加有标签Wn[15:0]行，Xn[15:0]行，Yn[15:0]行，Zn[15:0]行的定时曲线指示。这些定时曲线还用阴影区指示向下一个要被选中的行的预充电状态的过渡周期。特定发射组中发射单元的选中行的或发射子组的动态存储单元中数据有效之后，发射脉冲施加在该发射组上。
用这样的方法，数据被采样，并存储在选中的发射单元中，被选中的单元中的驱动晶体管在施加在被选中的发射单元中的数据有效之后开始的喷墨脉冲之前切换。如图7B所示，特定发射组用的每一个发射脉冲从相邻发射组的发射脉冲起在时间上移位预定数量，从而使不同发射组用的发射脉冲错开并能重叠。对于4个发射组的示范实例，移位可以是发射周期的1/4，这是特定发射组用的发射信号依次出现的脉冲的开始沿之间的时间间隔。正如图7B中还示出的，发射数据在存储时间间隔期间存储在被选中的发射单元行中，存储时间间隔是在按顺序的前一个发射单元行用的发射脉冲时间间隔以内，其中存储时间间隔由选中行用的地址控制线和选择控制线上的控制信号限定。
在图7A阵列的操作中，其间地址信号和数据信号有效而且选择信号有效的时间周期可以与发射信号重叠，正如在图7B中用发射信号中的阴影区表示的，以便在发射单元要求状态为零(亦即，无发射)时，在发射脉冲上升时间期间驱动晶体管的栅极有效地保持低，这有利地消除钳位晶体管的必要性。在保证避免动态存储节点寄生充电方面，这是比较强健的技术。
图7A中发射阵列与图6A中的发射阵列相比，在要求的连接点数上是33对36，是一种改进。图7A的发射单元300的明显优点是，数据行地址信号不再要求是高电压信号。这是由于它们驱动地基准FET而不是驱动通过晶体管这一事实。地址和数据信号可以由标准电压逻辑电路驱动，降低了打印头驱动电子线路的成本。
现将参照图8，图中示出打印机系统600的简化方框图，它包括具有喷墨打印头609的喷墨打印滑架607，正如这里公开的，它使用基于动态存储单元的喷墨喷墨阵列611。打印机系统包括控制电路601，它向发射阵列611提供地址和/或选择控制信号和数据信号，还控制向打印头提供加热电阻激励发射信号的能量供应电路603。每一个地址信号都提供给发射阵列611的一行或多行所有的发射单元，而选择控制线还包括选择、预充电选择和/或放电选择信号，其中每一个对相关发射组中所有单元都是全局性的。
以上公开了集成电路喷喷墨喷墨阵列，它包括基于动态存储单元的发射单元电路，后者分别存储用于发射单元各个加热电阻的发射数据，它有利地允许发射数据线被共享，从而在按顺序的前一个子组发射单元的加热电阻发射的同时，在这样的子组的加热电阻发射之前装入一个子组发射单元用的发射数据，这随后减少了所需的外部连接点数。按照本发明的基于动态存储单元的集成电路喷喷墨喷墨阵列，利用基本上类似于实现包括单一晶体管的多路分解喷墨单元的先有技术集成电路发射阵列的NMOS集成电路工艺经济地实现。
尽管以上描述和举例说明了本发明具体的实施例，但在不脱离后附权利要求书所定义的本发明的范围和精神的情况下，本专业的技术人员可以作出各种各样的修改和变化。

Claims (36)

1.热喷墨打印头用的集成电路发射单元，它包括：
喷墨加热电阻；
具有动态存储元件的动态存储电路，用来接收和存储只用于所述加热电阻的激励数据；以及
能量切换电路，用来随所述激励数据的状态的变化而允许激励能量向所述加热电阻的传输。
2.权利要求1的集成电路发射单元，其特征在于：所述动态存储元件包括存储器电容，而且所述动态存储器电路包括数据切换电路，用来把所述激励数据传输给所述存储器电容。
3.权利要求2的集成电路发射单元，其特征在于：所述能量切换电路包括场效应晶体管，而且所述存储器电容包括所述场效应晶体管的栅极电容。
4.权利要求2的集成电路发射单元，其特征在于：所述数据切换电路包括通过晶体管。
5.权利要求2的集成电路发射单元，其特征在于：所述数据切换电路包括地址晶体管和选择晶体管。
6.权利要求3的集成电路发射单元，其特征在于还包括钳位电路，用来防止所述栅极电容的寄生充电。
7.权利要求6的集成电路发射单元，其特征在于：所述钳位电路跨接在所述场效应晶体管的漏极和栅极之间。
8.热喷墨打印头用的集成电路发射阵列，它包括：
多个发射单元，每个发射单元包括：
喷墨加热电阻；
动态存储元件，用来接收和存储只用于所述喷墨加热电阻的提供给所述发射单元的激励数据；
数据切换电路，用来根据由所述发射单元接收到的控制信息选择性地把所述激励数据传输给所述动态存储元件；以及
能量切换电路，用来随存储在所述动态存储器元件上的所述激励数据的状态而变地允许由所述发射单元接收的激励能量向所述加热电阻传输；
所述多个发射单元分成发射单元的多个发射组，而且每一个发射组又具有发射单元的多个发射子组；
连接到所述多个发射单元的多条数据线，用来向所述多个发射单元提供激励数据，其中每一条所述数据线向多个发射组中的多个子组中的发射单元提供激励数据，而且其中一个发射子组中的每一个所述发射单元只连接到所述数据线中的一条；
连接到所述多个发射单元的多条控制线，用来向所述多个发射单元提供控制信息，其中一个发射子组内所有的发射单元都连接到所述控制线的一个公共子集上，后者允许这样的子组内所有发射单元中激励数据的同时存储；以及
连接到所述多个发射单元的多条发射线，用来向所述多个发射单元供应激励能量，其中一个发射组所有的发射单元都只连接到一条所述发射线上。
9.权利要求8的集成电路发射阵列，其特征在于所述控制线包括：
多条地址线，每一条连接到相应的发射子组中所有的发射单元；以及
多条选择线，每一条连接到相应的发射组所有的发射单元。
10.权利要求9的集成电路发射阵列，其特征在于：每一个发射单元只连接到一条地址线上。
11.权利要求9的集成电路发射阵列，其特征在于：每一个发射单元连接到多条地址线上。
12.权利要求9的集成电路发射阵列，其特征在于：选择线考虑到把预定的数据状态同时存储到选中的发射组的所有发射单元中。
13.一种喷墨系统，它包括：
多个发射单元，它包括：多个加热电阻；多个动态存储电路，后者具有相应的动态存储元件，用来存储激励数据并将具与所述加热电阻中相应的一个相联系；以及多个能量切换电路，用来随存储在所述多个动态存储器电路中相关的一个内的激励数据的状态而变地把能量传输给所述多个加热电阻中相关的一个，其中所述多个动态存储器电路中的每一个都存储只为相关一个加热电阻用的激励数据；
控制电路，用来向所述多个动态存储器电路提供激励数据，并用来选择性地允许所述动态存储器电路存储所述激励数据；以及
能量供应电路，用来随着所述能量切换电路的允许而选择性地把能量传输给所述加热电阻。
14.权利要求13的喷墨系统，其特征在于：
所述多个发射单元安排成一系列发射单元的发射组，每一个发射组具有发射单元的多个子组；
所述控制电路一次从一个发射子组开始，连续地每一个发射子组一个发射子组地依次允许动态存储器电路在与相应的发射子组相关的数据存储时间间隔过程中存储激励数据；
所述能量供应电路在分别与所述发射组相关的发射时间间隔过程中把能量传输给每一个发射组中的加热电阻，其中一个发射组的发射时间间隔在该发射组的发射子组的动态存储元件中的激励数据有效之后开始。
15.权利要求14的喷墨系统，其特征在于：一个所述发射子组的数据存储时间间隔在不同发射组的发射时间间隔范围之内。
16.权利要求14的喷墨系统，其特征在于所述各个发射时间间隔是被错开的和重叠的。
17.权利要求13的喷墨系统，其特征在于：
所述多个发射单元安排成一系列发射单元的发射组；
所述能量供应电路在与所述发射组相关的发射时间间隔过程中把能量传输给每一个发射组中的加热电阻。
18.权利要求17的喷墨系统，其特征在于：所述各个发射时间间隔是被错开的和重叠的。
19.热喷墨打印头用的集成电路发射单元，它包括：
喷墨加热电阻；
电容性存储元件，用来接收和存储只用于所述加热电阻的激励数据；其中所述激励数据用所述电容性存储元件是充电还是放电来表示；
预充电电路，用来可控地对所述电容性存储元件进行预充电；
放电电流，用来可控地对所述电容性存储元件进行放电；
能量切换电路，用来随由所述电容性存储单元存储的所述激励数据的状态而变地允许把激励能量向所述加热电阻传输。
20.权利要求19的集成电路发射单元，其特征在于：所述能量切换电路包括场效应晶体管，以及所述电容性存储元件包括所述场效应晶体管的栅极电容。
21.权利要求20的集成电路发射单元，其特征在于所述放电电路包括：
并联的多个放电晶体管；
与所述放电晶体管串联的选择晶体管；
所述多个放电晶体管和所述选择晶体管跨接在所述栅极电容两端。
22.权利要求21的集成电路发射单元，其特征在于：这样控制所述多个放电晶体管中的至少一个和所述选择晶体管，使得它们在向所述加热电阻传输激励能量的初始部分的过程中是导通的，以便在所述电容性存储元件放电时使所述电容性存储元件维持放电状态。
23.权利要求20的集成电路发射单元，其特征在于还包括钳位电路，来防止所述栅极电容的寄生充电。
24.权利要求23的集成电路发射单元，其特征在于：所述钳位电路跨接在所述场效应晶体管的漏极和栅极之间。
25.热喷墨打印头用的集成电路发射阵列，它包括：
多个发射单元，每个发射单元包括：
喷墨加热电阻；
电容性存储元件，用来接收和存储只用于所述加热电阻的激励数据，其中所述激励数据用所述电容性存储元件是充电还是放电来表示；
预充电电路，用来根据由所述发射单元接收到的控制信息而可控地对所述电容性存储元件进行预充电；
放电电路，用来根据由所述发射单元接收到的控制信息而可控地对所述电容性存储元件进行放电；
能量切换电路，用来随着存储在所述电容性存储器元件上的所述激励数据的状态而变地允许由所述发射单元接收的激励能量向所述加热电阻传输；
所述多个发射单元分成发射单元的多个发射组，而且每一个发射组又具有发射单元的多个发射子组；
多条数据线，用来向所述多个发射单元提供激励数据，其中每一条所述数据线向多个发射组中多个子组内的发射单元提供激励数据，以及发射子组的每一个所述发射单元接收来自所述数据线中唯一的一条的激励数据；
多条控制线，用来向所述多个发射单元提供控制信息，其中一个发射子组内所有的发射单元都受控于所述控制线的公共子集，后者考虑到该子组内所有发射单元中激励数据的同时存储；以及
多条发射线，用来向所述多个发射单元供应激励能量，其中一个发射组的所有发射单元接收来自所述发射线中唯一的一条的激励能量。
26.权利要求25的集成电路发射阵列，其特征在于所述控制线包括：
预充电线，用来向所述多个发射单元提供预充电控制信息；
选择线，用来向所述多个发射单元提供选择控制信息；
地址线，用来向所述多个发射单元提供地址控制信息。
27.权利要求26的集成电路发射阵列，其特征在于：
一个发射组中的所有发射单元都只连接到所述预充电线中的一条以及所述选择线中的一条；以及
一个发射子组中的所有发射单元连接到所述地址线的公共子集上。
28.权利要求27的集成电路发射阵列，其特征在于：一个发射组的选择线连接到不同发射组的预充电线上。
29.一种喷墨系统，它包括：
多个发射单元，它包括：多个加热电阻；多个动态电容性存储元件，用来存储激励数据并将其与所述加热电阻中相应的一个相关；多个预充电电路，用来可控地对所述多个动态电容性存储元件中相应的一个进行预充电；多个放电电路，用来可控地对所述多个动态电容性存储元件中相应的一个进行放电；以及多个能量切换电路，用来随所述多个动态电容性存储元件中相关的一个内存储的激励数据的状态而变地允许把激励能量向所述多个加热电阻中相关的一个传输，其中所述多个动态电容性存储元件中的每一个存储只用于相关加热电阻的激励数据，而且其中激励数据用动态电容性存储元件是处于充电状态还是放电状态来表示；
控制电路，用来通过选择性地控制所述预充电电路和所述放电电路而向所述多个动态电容性存储元件提供激励数据，并且允许把所述激励数据存储在所述动态电容性存储元件上，以及
能量供应电路，用来随着所述能量切换电路的允许选择性地向所述加热电阻传输能量。
30.权利要求29的喷墨系统，其特征在于：
所述多个发射单元安排成一系列发射单元的发射组，每一个发射组具有多个发射单元的子组；
所述控制电路在数据存储时间间隔过程中向所有所述多个动态电容性存储元件提供激励数据；以及
所述能量供应电路在分别与所述发射组相关的各自的发射时间间隔过程中向每一个发射组内的加热电阻传输能量，其中一个发射组的发射时间间隔在该发射组的一个发射子组的动态电容性存储元件中的激励数据有效之后开始，而且所述各自的发射时间间隔在时间上是错开的。
31.权利要求30的喷墨系统，其特征在于：所述发射子组中的一个的数据存储时间间隔处在不同的发射组的发射时间间隔范围内。
32.权利要求30的喷墨系统，其特征在于：所述各自的发射时间间隔在时间上是重叠的。
33.权利要求29的喷墨系统，其特征在于：
所述多个喷墨单元安排成一系列发射单元的发射组；
所述控制电路顺序地允许一次一个发射组地在预充电时间间隔过程中对所述一个发射组的动态电容性存储元件进行预充电，然后在放电时间间隔过程中对所述一个发射组的动态电容性存储元件中选中的一个进行放电，其中对一个发射组的放电时间间隔跟随该发射组的预充电时间间隔，以及
所述能量供应电路在分别与所述发射组相关的发射时间间隔过程中向每一个发射组范围内的加热电阻传输能量，其中一个发射组的发射时间间隔跟随该发射组的放电时间间隔。
34.权利要求33的喷墨系统，其特征在于：一个发射组的放电时间间隔与被允许对其电容性存储元件进行预充电的下一个发射组的预充电时间间隔是同时的。
35.权利要求33的喷墨系统，其特征在于：所述发射组中的一个的发射时间间隔与不同发射组的发射时间间隔重叠。
36.权利要求33的喷墨系统，其特征在于：一个发射组的发射时间间隔与该发射组的放电时间间隔重叠。
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