CN117043300A - 表面处理剂及具有表面处理层的基材的制造方法 - Google Patents
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Abstract
表面处理剂含有：具有反应性甲硅烷基的含氟化合物(A)；和选自由含氟酮化合物(B1)：R1COR2、含氟环状酮化合物(下述B2)及含氟聚醚化合物(B3)：R4‑[OR5]q‑R6组成的组中的至少1种化合物(B)。式(B1)中，R1及R2表示碳数1～5的含氟烷基。式(B2)中，R3表示与羰基的碳原子一起形成3元～5元的环结构、且具有氟原子的残基。式(B3)中，R4及R6表示碳数1～3的含氟烷基，q表示1以上的整数，R5表示碳数1～6的全氟亚烷基，q为2以上的整数时，多个R5任选相同或不同。
Description
技术领域
本公开涉及表面处理剂及具有表面处理层的基材的制造方法。
背景技术
含氟化合物表现高的润滑性、拒水拒油性等。若对基材的表面赋予含氟化合物而形成表面处理层，则对基材的表面赋予润滑性、拒水拒油性等。因此，变得容易擦掉基材的表面的污垢，污垢的去除性提高。在含氟化合物中，具有在全氟亚烷基链中存在醚键(-O-)的聚(氧全氟亚烷基)链的含氟醚化合物的油脂等污垢的去除性也优异。
对于可用作用于对表面赋予拒水拒油性等的成分的含氟醚化合物，例如，可举出国际公开第2018/181936号中记载的具有全氟聚醚基及固化性部位的化合物。
作为对基材的表面赋予含氟化合物的方法，可举出物理蒸镀法(PVD法)、化学蒸镀法(CVD法)等真空蒸镀方法。作为其他赋予方法，可举出通过浸渍法、喷雾法等将包含含氟化合物的表面处理剂涂布于基材的表面并进行干燥的湿润覆盖法。
发明内容
发明要解决的问题
但是，有时因含氟化合物的种类、将含氟化合物赋予至基材的表面的方法不同而表面处理层的平坦性降低。若表面处理层的平坦性降低，则有时成为外观的恶化、透光性降低等的原因。
本公开是鉴于上述现有的情况而作出的，其目的在于，提供可形成平坦性优异的表面处理层的表面处理剂、及具有使用该表面处理剂的表面处理层的基材的制造方法。
用于解决问题的方案
用于达成前述课题的具体手段如下。
<1>一种表面处理剂，其含有：具有反应性甲硅烷基的含氟化合物(A)；和选自由下述式(B1)所示的含氟酮化合物(B1)、下述式(B2)所示的含氟环状酮化合物(B2)及下述式(B3)所示的含氟聚醚化合物(B3)组成的组中的至少1种化合物(B)。
R1COR2(B1)
R4-[OR5]q-R6(B3)
(式(B1)中，R1及R2各自独立地表示碳数1～5的直链状、支链状或环状的含氟烷基。
式(B2)中，R3表示与羰基的碳原子一起形成3元～5元的环结构、且具有氟原子的残基。R3任选被碳数1～2的含氟烷基取代。
式(B3)中，R4及R6各自独立地表示碳数1～3的含氟烷基，q表示1以上的整数，R5表示碳数1～6的全氟亚烷基，q为2以上的整数时，多个R5任选相同或不同。)
<2>根据<1>所述的表面处理剂，其中，前述化合物(B)的总含有率为50～99.999质量％。
<3>根据<1>或<2>所述的表面处理剂，其中，前述式(B1)中的R1及R2所示的含氟烷基的至少一者为支链状的含氟烷基。
<4>根据<3>所述的表面处理剂，其中，前述式(B1)中的R1及R2所示的含氟烷基的两者为支链状的含氟烷基。
<5>根据<3>或<4>所述的表面处理剂，其中，前述支链状的含氟烷基在α碳上具有支链结构。
<6>根据<1>～<5>中任一项所述的表面处理剂，其中，前述含氟聚醚化合物(B3)的沸点为50～220℃。
<7>根据<1>～<6>中任一项所述的表面处理剂，其中，前述含氟聚醚化合物(B3)的数均分子量为300～1000。
<8>根据<1>～<7>中任一项所述的表面处理剂，其中，前述含氟聚醚化合物(B3)包含全氟聚醚化合物。
<9>根据<1>～<8>中任一项所述的表面处理剂，其中，前述含氟酮化合物(B1)包含全氟酮化合物。
<10>根据<1>～<9>中任一项所述的表面处理剂，其中，前述含氟环状酮化合物(B2)包含全氟环状酮化合物。
<11>一种具有表面处理层的基材的制造方法，其中，将<1>～<10>中任一项所述的表面处理剂涂布于基材的表面后，使其干燥。
<12>根据<11>所述的具有表面处理层的基材的制造方法，其中，前述基材的表面的材质为金属、树脂、玻璃、陶瓷、或它们的复合材料。
发明的效果
根据本公开，能够提供可形成平坦性优异的表面处理层的表面处理剂、及具有使用该表面处理剂的表面处理层的基材的制造方法。
具体实施方式
以下，对用于实施本公开的方式详细地进行说明。但本公开不限定于以下的实施方式。在以下的实施方式中，对于其构成要素(也包括要素步骤等)，除了特别说明的情况以外，不是必须的。关于数值及其范围也同样，不限制本公开。
本公开中用“～”表示的数值范围包含记载于“～”前后的数值分别作为最小值及最大值。
本公开中大气压是指101.3kPa。
本公开中，将式(1)所示的单元记为“单元(1)”。其他式所示的单元也同样记载。将式(2)所示的基团记为“基团(2)”。其他式所示的基团也同样记载。将式(3)所示的化合物记为“化合物(3)”。其他式所示的化合物也同样记载。
本公开中，“亚烷基任选具有A基团”的情况下，亚烷基可以在亚烷基中的碳-碳原子间具有A基团，也可以如亚烷基-A基团-那样在末端具有A基团。
本公开中的术语的含义如下。
“2价的有机聚硅氧烷残基”为下式所示的基团。下式中的Rx各自独立地为烷基(优选碳数1～10)、或苯基。另外，g1为1以上的整数，优选1～9的整数、更优选1～4的整数。
“硅亚苯基骨架基团”为-Si(Ry)2PhSi(Ry)2-(其中，Ph为亚苯基，Ry各自独立地为1价的有机基团。)所示的基团。作为Ry，优选烷基(优选碳数1～10)。
“二烷基亚甲硅烷基”为-Si(Rz)2-(其中，Rz各自独立地为烷基(优选碳数1～10)。)所示的基团。
化合物的“数均分子量”(Mn)通过利用1H-NMR及19F-NMR、以末端基团为基准求出氧氟亚烷基的数量(平均值)来算出。
本公开中，碳数是指某一基团整体中包含的碳原子的总数，该基团不具有取代基的情况下，表示形成该基团的骨架的碳原子的数量，该基团具有取代基的情况下，表示形成该基团的骨架的碳原子的数量加上取代基中的碳原子的数量而得的总数。
[表面处理剂]
本公开的表面处理剂含有：具有反应性甲硅烷基的含氟化合物(A)；和选自由式(B1)所示的含氟酮化合物(B1)、式(B2)所示的含氟环状酮化合物(B2)及式(B3)所示的含氟聚醚化合物(B3)组成的组中的至少1种化合物(B)。
以下，有时将具有反应性甲硅烷基的含氟化合物(A)称为化合物(A)。
本公开的表面处理剂适合用作用于表现拒水拒油性的防污剂。
根据本公开，可得到可形成平坦性优异的表面处理层的表面处理剂。本公开的表面处理剂可形成平坦性优异的表面处理层的理由不明确，推测如下。
表面处理剂含有化合物(A)、及作为将化合物(A)溶解的溶剂的化合物(B)。
化合物(A)的合成中有时使用包含Sn等典型元素、Pt等过渡金属等的金属元素化合物，在化合物(A)中这些金属元素有时作为杂质而包含。另外，在化合物(A)中，有时化合物(A)的合成中使用的未反应的原料、副产物等作为杂质而残存。这些杂质会成为表面处理层的平坦性降低的原因之一。
通过使用化合物(B)作为溶剂，从而表面处理剂中可包含的各种杂质的溶解性提高，容易抑制源自杂质的聚集物的产生。其结果，推测抑制在表面处理层产生由杂质的聚集物引起的凹凸，可形成平坦性优异的表面处理层。
本公开的表面处理剂含有化合物(A)和化合物(B)，根据需要还可以含有其他成分。
以下，对构成本公开的表面处理剂的各成分详细地进行说明。
<化合物(A)>
化合物(A)为具有反应性甲硅烷基的含氟化合物，从表面处理层的拒水拒油性优异的方面出发，优选具有反应性甲硅烷基和聚(氧氟亚烷基)链的含氟醚化合物。
聚(氧氟亚烷基)链包含多个式(1)所示的单元。
(OX)···(1)
X为具有1个以上氟原子的氟亚烷基。
从表面处理层的耐候性及耐蚀性更优异的方面出发，氟亚烷基的碳数优选2～6、更优选2～4。
氟亚烷基可以为直链状，也可以为支链状，从表面处理层的耐磨耗性优异的方面出发，优选直链状，从表面处理层的低磨耗性优异的观点出发，优选支链状。可以根据期望的特性来适宜选择直链状、支链状及它们的组合。
作为氟亚烷基中的氟原子的数量，从表面处理层的耐蚀性更优异的方面出发，优选碳原子的数量的1～2倍、更优选1.7～2倍。
氟亚烷基可以是氟亚烷基中的全部氢原子被氟原子取代的基团(全氟亚烷基)。
作为单元(1)的具体例，可举出-OCHF-、-OCF2CHF-、-OCHFCF2-、-OCF2CH2-、-OCH2CF2-、-OCF2CF2CHF-、-OCHFCF2CF2-、-OCF2CF2CH2-、-OCH2CF2CF2-、-OCF2CF2CF2CH2-、-OCH2CF2CF2CF2-、-OCF2CF2CF2CF2CH2-、-OCH2CF2CF2CF2CF2-、-OCF2CF2CF2CF2CF2CH2-、-OCH2CF2CF2CF2CF2CF2-、-OCF2-、-OCF2CF2-、-OCF2CF2CF2-、-OCF(CF3)CF2-、-OCF2CF2CF2CF2-、-OCF(CF3)CF2CF2-、-OCF2CF2CF2CF2CF2-、-OCF2CF2CF2CF2CF2CF2-。
聚(氧氟亚烷基)链中包含的单元(1)的重复数m为2以上，优选2～200的整数、更优选5～150的整数、进一步优选5～100的整数、特别优选5～50的整数。单元(1)的重复数m可以为10以上。
聚(氧氟亚烷基)链可以包含2种以上的单元(1)。作为2种以上的单元(1)，例如可举出：碳数不同的2种以上的单元(1)；侧链的有无、侧链的种类不同的2种以上的单元(1)；氟原子的数量不同的2种以上的单元(1)；立体配位(直链状/支链状)不同的2种以上的单元(1)；及它们的组合。
2种以上的(OX)的键合顺序没有限定，可以无规、交替、嵌段地配置。
从制成拒水拒油性优异的膜的观点出发，聚(氧氟亚烷基)链优选的是以为氧全氟亚烷基的单元(1)为主的聚(氧氟亚烷基)链。(OX)m所示的聚(氧氟亚烷基)链中，为氧全氟亚烷基的单元(1)的数量相对于单元(1)的总数m个的比例优选50～100％、更优选80～100％、进一步优选90～100％。
作为聚(氧氟亚烷基)链，更优选聚(氧全氟亚烷基)链、及在单末端或两末端分别具有1个或2个含有氢原子的氧氟亚烷基单元的聚(氧全氟亚烷基)链。
作为表示聚(氧氟亚烷基)链的(OX)m，优选(OCHmaF(2-ma))m11(OC2HmbF(4-mb))m12(OC3HmcF(6-mc))m13(OC4HmdF(8-md))m14(OC5HmeF(10-me))m15(OC6HmfF(12-mf))m16。
ma为0或1，mb为0～3的整数，mc为0～5的整数，md为0～7的整数，me为0～9的整数，mf为0～11的整数。
m11、m12、m13、m14、m15及m16各自独立地为0以上的整数，优选100以下。
m11+m12+m13+m14+m15+m16为2以上的整数，优选2～200的整数、更优选5～150的整数、进一步优选5～100的整数、特别优选5～50的整数。m11+m12+m13+m14+m15+m16可以为10以上。
其中，m12优选2以上的整数，更优选2～200的整数。
另外，C3HmcF(6-mc)、C4HmdF(8-md)、C5HmeF(10-me)及C6HmfF(12-mf)可以为直链状，可以为支链状，也可以为直链状及支链状的组合，从表面处理层的耐磨耗性更优异的方面出发，优选直链状，从低磨耗性更优异的观点出发，优选支链状。
需要说明的是，上述式表示单元的种类和其数量，不表示单元的排列。即，m11～m16表示单元的数量，例如，(OCHmaF(2-ma))m11并不表示m11个(OCHmaF(2-ma))单元连续的嵌段。同样，(OCHmaF(2-ma))～(OC6HmfF(12-mf))的记载顺序并不表示它们以该记载顺序排列。
上述式中，m11～m16中的2个以上不为0的情况下(即，(OX)m由2种以上单元构成的情况下)，不同单元的排列可以为无规排列、交替排列、嵌段排列及这些排列的组合中的任意者。
进而，对于上述各单元，包含2个以上该单元的情况下，所述单元也可以不同。例如，m11为2个以上的情况下，多个(OCHmaF(2-ma))任选相同或不同。
作为反应性甲硅烷基，优选式(2)所示的基团。
-Si(R)nL3-n ···(2)
化合物(A)所具有的基团(2)的数量为1个以上，从表面处理层的耐磨耗性更优异的方面出发，优选2个以上、更优选2～10个、进一步优选2～5个、特别优选2个或3个。
1分子中具有多个基团(2)的情况下，多个基团(2)任选相同或不同。从原料的获得容易性、化合物(A)的制造容易性的方面出发，优选彼此相同。
R为1价的烃基，优选1价的饱和烃基。R的碳数优选1～6、更优选1～3、进一步优选1～2。
L为水解性基团或羟基。
水解性基团是通过水解反应而形成羟基的基团。即，用Si-L表示的具有水解性的甲硅烷基通过水解反应而形成Si-OH所示的硅烷醇基。硅烷醇基进一步在硅烷醇基间发生反应而形成Si-O-Si键。另外，硅烷醇基能够与存在于基材表面的羟基进行脱水缩合反应从而形成基材-O-Si键。
作为水解性基团的具体例，可举出烷氧基、芳基氧基、卤素原子、酰基、酰氧基、异氰酸酯基(-NCO)。作为烷氧基，优选碳数1～4的烷氧基。作为芳基氧基，优选碳数3～10的芳基氧基。其中，作为芳基氧基的芳基，包含杂芳基。作为卤素原子，优选氯原子。作为酰基，优选碳数1～6的酰基。作为酰氧基，优选碳数1～6的酰氧基。
作为L，从化合物(A)的制造更容易的方面出发，优选碳数1～4的烷氧基及卤素原子。作为L，从涂布时的排气少、化合物(A)的保存稳定性更优异的方面出发，优选碳数1～4的烷氧基，在需要化合物(A)的长期保存稳定性的情况下，更优选乙氧基，在将涂布后的反应时间设为短时间的情况下，更优选甲氧基。
n为0～2的整数。
n优选0或1，更优选0。通过存在多个L，从而表面处理层对基材的密合性变得更牢固。
n为1以下的情况下，1分子中存在的多个L任选相同或不同。从原料的获得容易性、化合物(A)的制造容易性的方面出发，优选彼此相同。n为2的情况下，1分子中存在的多个R任选相同或不同。从原料的获得容易性、化合物(A)的制造容易性的方面出发，优选彼此相同。
作为化合物(A)，从表面处理层的拒水拒油性及耐磨耗性更优异的方面出发，优选式(3)所示的化合物。
[A-(OX)m-O-]jZ[-Si(R)nL3-n]g···(3)
A为全氟烷基或-Q[-Si(R)nL3-n]k。
从表面处理层的耐磨耗性更优异的方面出发，全氟烷基中的碳数优选1～20、更优选1～10、进一步优选1～6、特别优选1～3。
全氟烷基可以为直链状，也可以为支链状。
其中，A为-Q[-Si(R)nL3-n]k的情况下，j为1。
作为全氟烷基，可举出CF3-、CF3CF2-、CF3CF2CF2-、CF3CF2CF2CF2-、CF3CF2CF2CF2CF2-、CF3CF2CF2CF2CF2CF2-、CF3CF(CF3)-等。
作为全氟烷基，从表面处理层的拒水拒油性更优异的方面出发，优选CF3-、CF3CF2-、CF3CF2CF2-。
Q为(k+1)价的连接基团。如后所述那样，k为1～10的整数。因此，作为Q，可举出2～11价的连接基团。
作为Q，只要为不损害表面处理层的耐磨耗性的基团即可，例如，可举出任选具有醚性氧原子或2价的有机聚硅氧烷残基的亚烷基、碳原子、氮原子、硅原子、2～8价的有机聚硅氧烷残基、基团(g2-1)～基团(g2-9)及基团(g3-1)～基团(g3-9)。
R、L、n、X及m的定义如上所述。
Z为(j+g)价的连接基团。
Z只要为不损害表面处理层的耐磨耗性的基团即可，例如，可举出任选具有醚性氧原子或2价的有机聚硅氧烷残基的亚烷基、碳原子、氮原子、硅原子、2～8价的有机聚硅氧烷残基、基团(g2-1)～基团(g2-9)及基团(g3-1)～基团(g3-9)。
j为1以上的整数，从表面处理层的拒水拒油性更优异的方面出发，优选1～5的整数，从容易制造化合物(3)的方面出发，更优选1。
g为1以上的整数，从表面处理层的耐磨耗性更优异的方面出发，优选2～4的整数、更优选2或3、进一步优选3。
作为化合物(3)，从表面处理层的初始水接触角及耐磨耗性更优异的方面出发，优选化合物(3-11)、化合物(3-21)及化合物(3-31)。这些中，化合物(3-11)及化合物(3-21)的表面处理层的初始水接触角特别优异，化合物(3-31)的表面处理层的耐磨耗性特别优异。
Rf1-(OX)m-O-Y11[-Si(R)nL3-n]g1···(3-11)
[Rf2-(OX)m-O-]j2Y21[-Si(R)nL3-n]g2···(3-21)
[L3-n(R)nSi-]k3Y32-(OX)m-O-Y31[-Si(R)nL3-n]g3···(3-31)
式(3-11)中，X、m、R、n及L分别与式(3)中的X、m、R、n及L的定义含义相同。
Rf1为全氟烷基，全氟烷基的适当的方案及具体例如上所述。
Y11为(g1+1)价的连接基团，其具体例与式(3)中的Z相同。
g1为2以上的整数，从表面处理层的耐磨耗性更优异的方面出发，优选2～15的整数、更优选2～4的整数、进一步优选2或3、特别优选3。
式(3-21)中，X、m、R、n及L分别与式(3)中的X、m、R、n及L的定义含义相同。
Rf2为全氟烷基，全氟烷基的适当的方案及具体例如上所述。
j2为2以上的整数，优选2～6的整数、更优选2～4的整数。
Y21为(j2+g2)价的连接基团，其具体例与式(3)中的Z相同。
g2为2以上的整数，从表面处理层的耐磨耗性更优异的方面出发，优选2～15的整数、更优选2～6、进一步优选2～4、特别优选4。
式(3-31)中，X、m、R、n及L分别与式(3)中的X、m、R、n及L的定义含义相同。
k3为1以上的整数，优选1～4的整数、更优选2或3、进一步优选3。
Y32为(k3+1)价的连接基团，其具体例与式(3)中的Q相同。
Y31为(g3+1)价的连接基团，其具体例与式(3)中的Z相同。
g3为1以上的整数，优选1～4的整数、更优选2或3、进一步优选3。
式(3-11)中的Y11可以为基团(g2-1)(其中，d1+d3＝1(即，d1或d3为0。)、g1＝d2+d4、d2+d4≥2。)、基团(g2-2)(其中，e1＝1、g1＝e2、e2≥2。)、基团(g2-3)(其中，g1＝2。)、基团(g2-4)(其中，h1＝1、g1＝h2、h2≥2。)、基团(g2-5)(其中，i1＝1、g1＝i2、i2≥2。)、基团(g2-7)(其中，g1＝i3+1。)、基团(g2-8)(其中，g1＝i4、i4≥2。)、或基团(g2-9)(其中，g1＝i5、i5≥2。)。
式(3-21)中的Y21可以为基团(g2-1)(其中，j2＝d1+d3、d1+d3≥2、g2＝d2+d4、d2+d4≥2。)、基团(g2-2)(其中，j2＝e1、e1＝2、g2＝e2、e2＝2。)、基团(g2-4)(其中，j2＝h1、h1≥2、g2＝h2、h2≥2。)、或基团(g2-5)(其中，j2＝i1、i1＝2、g2＝i2、i2＝2。)。
另外，式(3-31)中的Y31及Y32各自独立地可以为基团(g2-1)(其中，g3＝d2+d4、k3＝d2+d4。)、基团(g2-2)(其中，g3＝e2、k3＝e2。)、基团(g2-3)(其中，g3＝2、k3＝2。)、基团(g2-4)(其中，g3＝h2、k3＝h2。)、基团(g2-5)(其中，g3＝i2、k3＝i2。)、基团(g2-6)(其中，g3＝1、k3＝1。)、基团(g2-7)(其中，g3＝i3+1、k3＝i3+1。)、基团(g2-8)(其中，g3＝i4、k3＝i4。)、或基团(g2-9)(其中，g3＝i5、k3＝i5。)。
(-A1-)e1C(Re2)4-e1-e2(-Q22-)e2···(g2-2)
-A1-N(-Q23-)2···(g2-3)
(-A1-)h1Z1(-Q24-)h2···(g2-4)
(-A1-)i1Si(Re3)4-i1-i2(-Q25-)i2···(g2-5)
-A1-Q26-···(g2-6)
-A1-CH(-Q22-)-Si(Re3)3-i3(-Q25-)i3···(g2-7)
-A1-[CH2C(Re4)(-Q27-)]i4-Re5···(g2-8)
-A1-Za(-Q28-)i5···(g2-9)
其中，式(g2-1)～式(g2-9)中，A1侧与(OX)m连接，Q22、Q23、Q24、Q25、Q26、Q27及Q28侧与[-Si(R)nL3-n]连接。
A1为单键；亚烷基；或者在碳数2以上的亚烷基的碳-碳原子间具有-C(O)NR6-、-C(O)-、-OC(O)O-、-NHC(O)O-、-NHC(O)NR6-、-O-或-SO2NR6-的基团，各式中，存在2个以上A1的情况下，2个以上的A1任选相同或不同。亚烷基的氢原子可以被氟原子取代。
Q22为亚烷基；在碳数2以上的亚烷基的碳-碳原子间具有-C(O)NR6-、-C(O)-、-NR6-或-O-的基团；在亚烷基的不与Si连接的一侧的末端具有-C(O)NR6-、-C(O)-、-NR6-或-O-的基团；或者在碳数2以上的亚烷基的碳-碳原子间具有-C(O)NR6-、-C(O)-、-NR6-或-O-、并且在不与Si连接的一侧的末端具有-C(O)NR6-、-C(O)-、-NR6-或-O-的基团，各式中，存在2个以上Q22的情况下，2个以上的Q22任选相同或不同。
Q23为亚烷基；或者在碳数2以上的亚烷基的碳-碳原子间具有-C(O)NR6-、-C(O)-、-NR6-或-O-的基团，2个Q23任选相同或不同。
Q24所键合的Z1中的原子为碳原子的情况下，Q24为Q22，Q24所键合的Z1中的原子为氮原子的情况下，Q24为Q23，各式中，存在2个以上Q24的情况下，2个以上的Q24任选相同或不同。
Q25为亚烷基；或者在碳数2以上的亚烷基的碳-碳原子间具有-C(O)NR6-、-C(O)-、-NR6-或-O-的基团，各式中，存在2个以上Q25的情况下，2个以上的Q25任选相同或不同。
Q26为亚烷基；或者在碳数2以上的亚烷基的碳-碳原子间具有-C(O)NR6-、-C(O)-、-NR6-或-O-的基团。
R6为氢原子、碳数1～6的烷基或苯基。
Q27为单键或亚烷基。
Q28为亚烷基、或者在碳数2以上的亚烷基的碳原子-碳原子间具有醚性氧原子或2价的有机聚硅氧烷残基的基团。
Q11为单键、亚烷基、或者在碳数2以上的亚烷基的碳-碳原子间具有-C(O)NR6-、-C(O)-、-OC(O)O-、-NHC(O)O-、-NHC(O)NR6-、-O-或-SO2NR6-的基团。
Z1为具有(h1+h2)价的环结构的基团，所述环结构具有基团A1所直接键合的碳原子或氮原子并且具有Q24所直接键合的碳原子或氮原子。
Re1为氢原子或烷基，各式中，存在2个以上Re1的情况下，2个以上的Re1任选相同或不同。
Re2为氢原子、羟基、烷基或酰氧基。
Re3为烷基。
Re4为氢原子或烷基，从容易制造化合物的方面出发，优选氢原子。各式中，存在2个以上Re4的情况下，2个以上的Re4任选相同或不同。
Re5为氢原子或卤素原子，从容易制造化合物的方面出发，优选氢原子。
d1为0～3的整数，优选1或2。d2为0～3的整数，优选1或2。d1+d2为1～3的整数。
d3为0～3的整数，优选0或1。d4为0～3的整数，优选2或3。d3+d4为1～3的整数。
对于d1+d3，在Y21中为1～5的整数，优选1或2，在Y11、Y31及Y32中为1。
对于d2+d4，在Y11或Y21中为2～5的整数，优选4或5，在Y31及Y32中为3～5的整数，优选4或5。
e1+e2为3或4。对于e1，在Y11中为1，在Y21中为2～3的整数，在Y31及Y32中为1。对于e2，在Y11或Y21中为2或3，在Y31及Y32中为2或3。
对于h1，在Y11中为1，在Y21中为2以上的整数(优选2)，在Y31及Y32中为1。对于h2，在Y11或Y21中为2以上的整数(优选2或3)，在Y31及Y32中为1以上的整数(优选2或3)。
对于i1+i2，在Y11中为3或4，在Y21中为4，在Y31及Y32中为3或4。对于i1，在Y11中为1，在Y21中为2，在Y31及Y32中为1。对于i2，在Y11中为2或3，在Y21中为2，在Y31及Y32中为2或3。
i3为2或3。
对于i4，在Y11中为2以上(优选2～10的整数、更优选2～6的整数)，在Y31及Y32中未1以上(优选1～10的整数、更优选1～6的整数)。
i5为2以上，优选为2～7的整数。
对于Q22、Q23、Q24、Q25、Q26、Q27、Q28的亚烷基的碳数，从容易制造化合物(3-11)、化合物(3-21)及化合物(3-31)的方面、及表面处理层的耐磨耗性、耐光性及耐化学药品性更优异的方面出发，优选1～10、更优选1～6、进一步优选1～4。其中，在碳-碳原子间具有特定键的情况下的亚烷基的碳数的下限值为2。
作为Z1中的环结构，可举出上述的环结构，优选的方案也同样。需要说明的是，由于A1、Q24与Z1中的环结构直接键合，因此不存在环结构与例如亚烷基连接、且该亚烷基与A1、Q24连接的情况。
Za为(i5+1)价的有机聚硅氧烷残基，优选下述的基团。其中，下式中的Ra为烷基(优选碳数1～10)、或苯基。
对于Re1、Re2、Re3或Re4的烷基的碳数，从容易制造化合物(3-11)、化合物(3-21)及化合物(3-31)的方面出发，优选1～10、更优选1～6、进一步优选1～3、特别优选1～2。
对于Re2的酰氧基的烷基部分的碳数，从容易制造化合物(3-11)、化合物(3-21)及化合物(3-31)的方面出发，优选1～10、更优选1～6、进一步优选1～3、特别优选1～2。
从容易制造化合物(3-11)、化合物(3-21)及化合物(3-31)的方面、以及表面处理层的耐磨耗性及拒水拒油性更优异的方面出发，h1优选1～6、更优选1～4、进一步优选1或2、特别优选1。
从容易制造化合物(3-11)、化合物(3-21)及化合物(3-31)的方面、以及表面处理层的耐磨耗性及拒水拒油性更优异的方面出发，h2优选2～6、更优选2～4、进一步优选2或3。
作为Y11的其他方案，可举出基团(g3-1)(其中，d1+d3＝1(即，d1或d3为0。)、g1＝d2×r1+d4×r1。)、基团(g3-2)(其中，e1＝1、g1＝e2×r1。)、基团(g3-3)(其中，g1＝2×r1。)、基团(g3-4)(其中，h1＝1、g1＝h2×r1。)、基团(g3-5)(其中，i1＝1、g1＝i2×r1。)、基团(g3-6)(其中，g1＝r1。)、基团(g3-7)(其中，g1＝r1×(i3+1)。)、基团(g3-8)(其中，g1＝r1×i4。)、基团(g3-9)(其中，g1＝r1×i5。)。
作为Y21的其他方案，可举出基团(g3-1)(其中，j2＝d1+d3、d1+d3≥2、g2＝d2×r1+d4×r1。)、基团(g3-2)(其中，j2＝e1、e1＝2、g2＝e2×r1、e2＝2。)、基团(g3-4)(其中，j2＝h1、h1≥2、g2＝h2×r1。)、基团(g3-5)(其中，j2＝i1、i1为2或3、g2＝i2×r1、i1+i2为3或4。)。
作为Y31及Y32的其他方案，可举出基团(g3-1)(其中，g3＝d2×r1+d4×r1、k3＝d2×r1+d4×r1。)、基团(g3-2)(其中，g3＝e2×r1、k3＝e2×r1。)、基团(g3-3)(其中，g3＝2×r1、k3＝2×r1。)、基团(g3-4)(其中，g3＝h2×r1、k3＝h2×r1。)、基团(g3-5)(其中，g3＝i2×r1、k3＝i2×r1。)、基团(g3-6)(其中，g3＝r1、k3＝r1。)、基团(g3-7)(其中，g3＝r1×(i3+1)、k3＝r1×(i3+1)。)、基团(g3-8)(其中，g3＝r1×i4、k3＝r1×i4。)、基团(g3-9)(其中，g3＝r1×i5、k3＝r1×i5。)。
(-A1-)e1C(Re2)4-e1-e2(-Q22-G1)e2···(g3-2)
-A1-N(-Q23-G1)2···(g3-3)
(-A1-)h1Z1(-Q24-G1)h2···(g3-4)
(-A1-)i1Si(Re3)4-i1-i2(-Q25-G1)i2···(g3-5)
-A1-Q26-G1···(g3-6)
-A1-CH(-Q22-G1)-Si(Re3)3-i3(-Q25-G1)i3···(g3-7)
-A1-[CH2C(Re4)(-Q27-G1)]i4-Re5···(g3-8)
-A1-Za(-Q28-G1)i5···(g3-9)
其中，式(g3-1)～式(g3-9)中，A1侧与(OX)m连接，G1侧与[-Si(R)nL3-n]连接。
G1为基团(g3)，各式中，存在2个以上G1的情况下，2个以上的G1任选相同或不同。G1以外的符号与式(g2-1)～式(g2-9)中的符号相同。
-Si(R8)3-r1(-Q3-)r1···(g3)
其中，式(g3)中，Si侧与Q22、Q23、Q24、Q25、Q26、Q27及Q28连接，Q3侧与[-Si(R)nL3-n]连接。R8为烷基。Q3为-O-；亚烷基；在碳数2以上的亚烷基的碳-碳原子间具有-C(O)NR6-、-C(O)-、-NR6-或-O-的基团；或为-(OSi(R9)2)p-O-，2个以上的Q3任选相同或不同。r1为2或3。R6为氢原子、碳数1～6的烷基或苯基。R9为烷基、苯基或烷氧基，2个R9任选相同或不同。p为0～5的整数，p为2以上的情况下，2个以上的(OSi(R9)2)任选相同或不同。
对于Q3的亚烷基的碳数，从容易制造化合物(3-11)、化合物(3-21)及化合物(3-31)的方面、以及表面处理层的耐磨耗性、耐光性及耐化学药品性更优异的方面出发，优选1～10、更优选1～6、进一步优选1～4。其中，在碳-碳原子间具有特定键的情况下的亚烷基的碳数的下限值为2。
对于R8的烷基的碳数，从容易制造化合物(3-11)、化合物(3-21)及化合物(3-31)的方面出发，优选1～10、更优选1～6、进一步优选1～3、特别优选1～2。
对于R9的烷基的碳数，从容易制造化合物(3-11)、化合物(3-21)及化合物(3-31)的方面出发，优选1～10、更优选1～6、进一步优选1～3、特别优选1～2。
对于R9的烷氧基的碳数，从化合物(3-11)、化合物(3-21)及化合物(3-31)的保存稳定性优异的方面出发，优选1～10、更优选1～6、进一步优选1～3、特别优选1～2。
p优选0或1。
作为化合物(3-11)、化合物(3-21)及化合物(3-31)，例如，可举出下式的化合物及下述化合物中包含的与硅原子键合的甲氧基的至少一部分被乙氧基取代的化合物。下式的化合物从工业上容易制造、容易处理、表面处理层的拒水拒油性、耐磨耗性、润滑性、耐化学药品性、耐光性及耐化学药品性更优异、尤其耐光性特别优异的方面出发是优选的。下式的化合物中的Rf与上述的式(3-11)中的Rf1-(OX)m-O-或式(3-21)中的Rf2-(OX)m-O-同样，适当的方案也同样。下式的化合物中的Qf与式(3-31)中的-(OX)m-O-同样，适当的方案也同样。另外，下式的化合物存在立体异构体的情况下，可以为任意立体异构体，也可以为立体异构体的混合物。作为Y11为基团(g2-1)的化合物(3-11)，例如，可举出下式的化合物。
作为Y11为基团(g2-2)的化合物(3-11)，例如，可举出下式的化合物。
作为Y21为基团(g2-2)的化合物(3-21)，例如，可举出下式的化合物。
作为Y11为基团(g2-3)的化合物(3-11)，例如，可举出下式的化合物。
作为Y11为基团(g2-4)的化合物(3-11)，例如，可举出下式的化合物。
作为Y11为基团(g2-5)的化合物(3-11)，例如，可举出下式的化合物。
作为Y11为基团(g2-7)的化合物(3-11)，例如，可举出下式的化合物。
作为Y11为基团(g3-1)的化合物(3-11)，例如，可举出下式的化合物。
作为Y11为基团(g3-2)的化合物(3-11)，例如，可举出下式的化合物。
作为Y11为基团(g3-3)的化合物(3-11)，例如，可举出下式的化合物。
作为Y11为基团(g3-4)的化合物(3-11)，例如，可举出下式的化合物。
作为Y11为基团(g3-5)的化合物(3-11)，例如，可举出下式的化合物。
作为Y11为基团(g3-6)的化合物(3-11)，例如，可举出下式的化合物。
作为Y11为基团(g3-7)的化合物(3-11)，例如，可举出下式的化合物。
作为Y21为基团(g2-1)的化合物(3-21)，例如，可举出下式的化合物。
作为Y31及Y32为基团(g2-1)的化合物(3-31)，例如，可举出下式的化合物。
作为Y31及Y32为基团(g2-2)的化合物(3-31)，例如，可举出下式的化合物。
作为Y31及Y32为基团(g2-3)的化合物(3-31)，例如，可举出下式的化合物。
作为Y31及Y32为基团(g2-4)的化合物(3-31)，例如，可举出下式的化合物。
作为Y31及Y32为基团(g2-5)的化合物(3-31)，例如，可举出下式的化合物。
作为Y31及Y32为基团(g2-6)的化合物(3-31)，例如，可举出下式的化合物。
作为Y31及Y32为基团(g2-7)的化合物(3-31)，例如，可举出下式的化合物。
作为Y31及Y32为基团(g3-2)的化合物(3-31)，例如，可举出下式的化合物。
作为化合物(A)，从膜的拒水拒油性及耐磨耗性更优异的方面出发，还优选式(3X)所示的化合物。
[A-(OX)m]jZ’[-Si(R)nL3-n]g···(3X)
式(3X)中，A、X、m、j、g、R、L及n的定义与式(3)中的各基团的定义的含义相同。
从表面处理层的拒水拒油性更优异的方面出发，化合物(3X)优选式(3-1)所示的化合物。
A-(OX)m-Z31···(3-1)
式(3-1)中，A、X及m的定义与式(3)中的各基团的定义的含义相同。
Z’为(j+g)价的连接基团。
Z’只要为不损害表面处理层的耐磨耗性的基团即可，例如，可举出任选具有醚性氧原子或2价的有机聚硅氧烷残基的亚烷基、氧原子、碳原子、氮原子、硅原子、2～8价的有机聚硅氧烷残基、及从式(3-1A)、式(3-1B)、式(3-1A-1)～(3-1A-6)中去掉Si(R)nL3-n后的基团。
Z31为基团(3-1A)或基团(3-1B)。
-Qa-X31(-Qb-Si(R)nL3-n)h(-R31)i···(3-1A)
-Qc-[CH2C(R32)(-Qd-Si(R)nL3-n)]y-R33···(3-1B)
式(3-1A)及(3-1B)中，R、n及L分别与式(3)中的R、n及L的定义含义相同。
Qa为单键或2价的连接基团。
作为2价的连接基团，例如，可举出2价的烃基、2价的杂环基、-O-、-S-、-SO2-、-N(Rd)-、-C(O)-、-Si(Ra)2-及将它们的2种以上组合而成的基团。此处，Ra为烷基(优选碳数1～10)、或苯基。Rd为氢原子或烷基(优选碳数1～10)。
作为上述2价的烃基，可举出2价的饱和烃基、2价的芳香族烃基、亚烯基、亚炔基。2价的饱和烃基可以为直链状、支链状或环状，例如，可举出亚烷基。2价的饱和烃基的碳数优选1～20。另外，2价的芳香族烃基优选碳数5～20，例如，可举出亚苯基。作为亚烯基，优选碳数2～20的亚烯基，作为亚炔基，优选碳数2～20的亚炔基。
需要说明的是，作为将上述这些的2种以上组合的基团，例如，可举出-OC(O)-、-C(O)N(Rd)-、具有醚性氧原子的亚烷基、具有-OC(O)-的亚烷基、亚烷基-Si(Ra)2-亚苯基-Si(Ra)2-。
X31为单键、亚烷基、碳原子、氮原子、硅原子或2～8价的有机聚硅氧烷残基。
需要说明的是，上述亚烷基任选具有-O-、硅亚苯基骨架基团、2价的有机聚硅氧烷残基或二烷基亚甲硅烷基。亚烷基任选具有多个选自由-O-、硅亚苯基骨架基团、2价的有机聚硅氧烷残基及二烷基亚甲硅烷基组成的组中的基团。
X31所示的亚烷基的碳数优选1～20、更优选1～10。
作为2～8价的有机聚硅氧烷残基，可举出2价的有机聚硅氧烷残基、及前述的(i5+1)价的有机聚硅氧烷残基。
Qb为单键或2价的连接基团。
2价的连接基团的定义与上述的Qa中说明的定义含义相同。
R31为羟基或烷基。
烷基的碳数优选1～5、更优选1～3、进一步优选1。
X31为单键或亚烷基的情况下，h为1，i为0，
X31为氮原子的情况下，h为1～2的整数，i为0～1的整数，满足h+i＝2，
X31为碳原子或硅原子的情况下，h为1～3的整数，i为0～2的整数，满足h+i＝3，
X31为2～8价的有机聚硅氧烷残基的情况下，h为1～7的整数，i为0～6的整数，满足h+i＝1～7。
存在2个以上(-Qb-Si(R)nL3-n)的情况下，2个以上的(-Qb-Si(R)nL3-n)任选相同或不同。存在2个以上R31的情况下，2个以上的(-R31)任选相同或不同。
Qc为单键、或任选具有醚性氧原子的亚烷基，从容易制造化合物的方面出发，优选单键。
任选具有醚性氧原子的亚烷基的碳数优选1～10、更优选2～6。
R32为氢原子或碳数1～10的烷基，从容易制造化合物的方面出发，优选氢原子。
作为烷基，优选甲基。
Qd为单键或亚烷基。亚烷基的碳数优选1～10、更优选1～6。从容易制造化合物的方面出发，Qd优选单键或-CH2-。
R33为氢原子或卤素原子，从容易制造化合物的方面出发，优选氢原子。
y为1～10的整数，优选1～6的整数。
2个以上的[CH2C(R32)(-Qd-Si(R)nL3-n)]任选相同或不同。
作为基团(3-1A)，优选基团(3-1A-1)～(3-1A-6)。
-(X32)s1-Qb1-Si(R)nL3-n···(3-1A-1)
-(X33)s2-Qa2-N[-Qb2-Si(R)nL3-n]2···(3-1A-2)
-Qa3-G(Rg)[-Qb3-Si(R)nL3-n]2···(3-1A-3)
-[C(O)N(Rd)]s4-Qa4-(O)t4-C[-(O)u4-Qb4-Si(R)nL3-n]3···(3-1A-4)
-Qa5-Si[-Qb5-Si(R)nL3-n]3···(3-1A-5)
-[C(O)N(Rd)]v-Qa6-Za’[-Qb6-Si(R)nL3-n]w···(3-1A-6)
需要说明的是，式(3-1A-1)～(3-1A-6)中，R、L、及n的定义如上所述。
X32为-O-、或-C(O)N(Rd)-(其中，式中的N与Qb1键合)。
Rd的定义如上所述。
s1为0或1。
Qb1为亚烷基。需要说明的是，亚烷基任选具有-O-、硅亚苯基骨架基团、2价的有机聚硅氧烷残基或二烷基亚甲硅烷基。亚烷基任选具有多个选自由-O-、硅亚苯基骨架基团、2价的有机聚硅氧烷残基及二烷基亚甲硅烷基组成的组中的基团。
需要说明的是，亚烷基具有-O-、硅亚苯基骨架基团、2价的有机聚硅氧烷残基或二烷基亚甲硅烷基的情况下，优选在碳原子-碳原子间具有这些基团。
Qb1所示的亚烷基的碳数优选1～10、更优选2～6。
作为Qb1，s1为0的情况下，优选-CH2OCH2CH2CH2-、-CH2OCH2CH2OCH2CH2CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CH2OCH2CH2CH2Si(CH3)2OSi(CH3)2CH2CH2-。(X32)s1为-O-的情况下，优选-CH2CH2CH2-、-CH2CH2OCH2CH2CH2-。(X32)s1为-C(O)N(Rd)-的情况下，优选碳数2～6的亚烷基(其中，式中的N与Qb1键合)。Qb1为这些基团时，容易制造化合物。
作为基团(3-1A-1)的具体例，可举出以下的基团及与以下的基团中包含的与硅原子键合的甲氧基的至少一部分被乙氧基取代的基团。下述式中，*表示与(OX)m的键合位置。
X33为-O-、-NH-、或-C(O)N(Rd)-。
Rd的定义如上所述。
Qa2为单键、亚烷基、-C(O)-、或者在碳数2以上的亚烷基的碳原子-碳原子间具有醚性氧原子、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-或-NH-的基团。
Qa2所示的亚烷基的碳数优选1～10、更优选1～6。
Qa2所示的在碳数2以上的亚烷基的碳原子-碳原子间具有醚性氧原子、-C(O)-、-C(O)O-、-OC(O)-或-NH-的基团的碳数优选2～10、更优选2～6。
作为Qa2，从容易制造化合物的方面出发，优选-CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CH2OCH2CH2-、-CH2NHCH2CH2-、-CH2CH2OC(O)CH2CH2-、-C(O)-(其中，右侧与N键合。)。
s2为0或1(其中，Qa2为单键的情况下，s2为0。)。从容易制造化合物的方面出发，优选0。
Qb2为亚烷基、或者在碳数2以上的亚烷基的碳原子-碳原子间具有2价的有机聚硅氧烷残基、醚性氧原子或-NH-的基团。
Qb2所示的亚烷基的碳数优选1～10、更优选2～6。
Qb2所示的在碳数2以上的亚烷基的碳原子-碳原子间具有2价的有机聚硅氧烷残基、醚性氧原子或-NH-的基团的碳数优选2～10、更优选2～6。
作为Qb2，从容易制造化合物的方面出发，优选-CH2CH2CH2-、-CH2CH2OCH2CH2CH2-(其中，右侧与Si键合。)。
2个[-Qb2-Si(R)nL3-n]任选相同或不同。
作为基团(3-1A-2)的具体例，可举出以下的基团及以下的基团中包含的与硅原子键合的甲氧基的至少一部分被乙氧基取代的基团。下述式中，*表示与(OX)m的键合位置。
Qa3为单键、或任选具有醚性氧原子的亚烷基，从容易制造化合物的方面出发，优选单键。
任选具有醚性氧原子的亚烷基的碳数优选1～10、更优选2～6。
G为碳原子或硅原子。
Rg为羟基或烷基。Rg所示的烷基的碳数优选1～4。
作为G(Rg)，从容易制造化合物的方面出发，优选C(OH)或Si(Rga)(其中，Rga为烷基。烷基的碳数优选1～10、更优选甲基。)。
Qb3为亚烷基、或者在碳数2以上的亚烷基的碳原子-碳原子间具有醚性氧原子或2价的有机聚硅氧烷残基的基团。
Qb3所示的亚烷基的碳数优选1～10、更优选2～6。
Qb3所示的在碳数2以上的亚烷基的碳原子-碳原子间具有醚性氧原子或2价的有机聚硅氧烷残基的基团的碳数优选2～10、更优选2～6。
作为Qb3，从容易制造化合物的方面出发，优选-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-。
2个[-Qb3-Si(R)nL3-n]任选相同或不同。
作为基团(3-1A-3)的具体例，可举出以下的基团及以下的基团中包含的与硅原子键合的甲氧基的至少一部分被乙氧基取代的基团。下述式中，*表示与(OX)m的键合位置。
式(3-1A-4)中的Rd的定义如上所述。
s4为0或1。
Qa4为单键、或任选具有醚性氧原子的亚烷基。
任选具有醚性氧原子的亚烷基的碳数优选1～10、更优选2～6。
t4为0或1(其中，Qa4为单键的情况下为0。)。
作为-Qa4-(O)t4-，从容易制造化合物的方面出发，s4为0的情况下，优选单键、-CH2O-、-CH2OCH2-、-CH2OCH2CH2O-、-CH2OCH2CH2OCH2-、-CH2OCH2CH2CH2CH2OCH2-(其中，左侧与(OX)m键合。)，s4为1的情况下，优选单键、-CH2-、-CH2CH2-。
Qb4为亚烷基，上述亚烷基任选具有-O-、-C(O)N(Rd)-(Rd的定义如上所述。)、硅亚苯基骨架基团、2价的有机聚硅氧烷残基或二烷基亚甲硅烷基。
需要说明的是，亚烷基具有-O-或硅亚苯基骨架基团的情况下，优选在碳原子-碳原子间具有-O-或硅亚苯基骨架基团。另外，亚烷基具有-C(O)N(Rd)-、二烷基亚甲硅烷基或2价的有机聚硅氧烷残基的情况下，优选在碳原子-碳原子间或与(O)u4键合的一侧的末端具有这些基团。
Qb4所示的亚烷基的碳数优选1～10、更优选2～6。
u4为0或1。
作为-(O)u4-Qb4-，从容易制造化合物的方面出发，优选-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-、-CH2OCH2CH2CH2-、-CH2OCH2CH2CH2CH2CH2-、-OCH2CH2CH2-、-OSi(CH3)2CH2CH2CH2-、-OSi(CH3)2OSi(CH3)2CH2CH2CH2-、-CH2CH2CH2Si(CH3)2PhSi(CH3)2CH2CH2-(其中，右侧与Si键合。)。
3个[-(O)u4-Qb4-Si(R)nL3-n]任选相同或不同。
作为基团(3-1A-4)的具体例，可举出以下的基团及以下的基团中包含的与硅原子键合的甲氧基的至少一部分被乙氧基取代的基团。下述式中，*表示与(OX)m的键合位置。
Qa5为任选具有醚性氧原子的亚烷基。
任选具有醚性氧原子的亚烷基的碳数优选1～10、更优选2～6。
作为Qa5，从容易制造化合物的方面出发，优选-CH2OCH2CH2CH2-、-CH2OCH2CH2OCH2CH2CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-(其中，右侧与Si键合。)。
Qb5为亚烷基、或者在碳数2以上的亚烷基的碳原子-碳原子间具有醚性氧原子或2价的有机聚硅氧烷残基的基团。
Qb5所示的亚烷基的碳数优选1～10、更优选2～6。
Qb5所示的在碳数2以上的亚烷基的碳原子-碳原子间具有醚性氧原子或2价的有机聚硅氧烷残基的基团的碳数优选2～10、更优选2～6。
作为Qb5，从容易制造化合物的方面出发，优选-CH2CH2CH2-、-CH2CH2OCH2CH2CH2-(其中，右侧与Si(R)nL3-n键合。)。
3个[-Qb5-Si(R)nL3-n]任选相同或不同。
作为基团(3-1A-5)的具体例，可举出以下的基团及以下的基团中包含的与硅原子键合的甲氧基的至少一部分被乙氧基取代的基团。下述式中，*表示与(OX)m的键合位置。
式(3-1A-6)中的Rd的定义如上所述。
v为0或1。
Qa6为任选具有醚性氧原子的亚烷基。
任选具有醚性氧原子的亚烷基的碳数优选1～10、更优选2～6。
作为Qa6，从容易制造化合物的方面出发，优选-CH2OCH2CH2CH2-、-CH2OCH2CH2OCH2CH2CH2-、-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-(其中，右侧与Za’键合。)。
Za’为(w+1)价的有机聚硅氧烷残基。
w为2以上，优选为2～7的整数。
作为(w+1)价的有机聚硅氧烷残基，可举出与前述(i5+1)价的有机聚硅氧烷残基相同的基团。
Qb6为亚烷基、或在碳数2以上的亚烷基的碳原子-碳原子间具有醚性氧原子或2价的有机聚硅氧烷残基的基团。
Qb6所示的亚烷基的碳数优选1～10、更优选2～6。
Qb6所示的在碳数2以上的亚烷基的碳原子-碳原子间具有醚性氧原子或2价的有机聚硅氧烷残基的基团的碳数优选2～10、更优选2～6。
作为Qb6，从容易制造化合物的方面出发，优选-CH2CH2-、-CH2CH2CH2-。
w个[-Qb6-Si(R)nL3-n]任选相同或不同。
从表面处理层的拒水拒油性更优异的方面出发，化合物(3X)还优选式(3-2)所示的化合物。
[A-(OX)m-Qa-]j32Z32[-Qb-Si(R)nL3-n]h32···(3-2)
式(3-2)中，A、X、m、Qa、Qb、R、及L的定义与式(3-1)中及式(3-1A)中的各基团的定义含义相同。
Z32为(j32+h32)价的烃基、或在烃基的碳原子间具有1个以上醚性氧原子的碳数为2以上且(j32+h32)价的烃基。
作为Z32，优选从具有伯羟基的多元醇中去掉羟基后的残基。
作为Z32，从原料的获得容易性的方面出发，优选式(Z-1)～式(Z-5)所示的基团。其中，R34为烷基，优选甲基或乙基。
j32为2以上的整数，从表面处理层的拒水拒油性更优异的方面出发，优选2～5的整数。
h32为1以上的整数，从表面处理层的耐磨耗性更优异的方面出发，优选2～4的整数、更优选2或3。
化合物(A)的数均分子量优选1000～20000、更优选2000～10000、进一步优选2500～6000。
作为化合物(A)的具体例，例如，可举出下述的文献中记载的例子。
日本特开平11-029585号公报及日本特开2000-327772号公报中记载的全氟聚醚改性氨基硅烷、
日本特许第2874715号公报中记载的含硅有机含氟聚合物、
日本特开2000-144097号公报中记载的有机硅化合物、
日本特表2002-506887号公报中记载的氟化硅氧烷、
日本特表2008-534696号公报中记载的有机硅酮化合物、
日本特许第4138936号公报中记载的氟化改性含氢聚合物、
美国专利申请公开第2010/0129672号说明书、国际公开第2014/126064号、日本特开2014-070163号公报中记载的化合物、
国际公开第2011/060047号及国际公开第2011/059430号中记载的有机硅化合物、
国际公开第2012/064649号中记载的含氟有机硅烷化合物、
日本特开2012-72272号公报中记载的含有氟氧亚烷基的聚合物、国际公开第2013/042732号、国际公开第2013/121984号、国际公开第2013/121985号、国际公开第2013/121986号、国际公开第2014/163004号、日本特开2014-080473号公报、国际公开第2015/087902号、国际公开第2017/038830号、国际公开第2017/038832号、国际公开第2017/187775号、国际公开第2018/216630号、国际公开第2019/039186号、国际公开第2019/039226号、国际公开第2019/039341号、国际公开第2019/044479号、国际公开第2019/049753号、国际公开第2019/163282号及日本特开2019-044158号公报中记载的含氟醚化合物、
日本特开2014-218639号公报、国际公开第2017/022437号、国际公开第2018/079743号及国际公开第2018/143433号中记载的含有全氟(聚)醚的硅烷化合物、
国际公开第2018/169002号中记载的含有全氟(聚)醚基的硅烷化合物、
国际公开第2019/151442号中记载的含有氟(聚)醚基的硅烷化合物、
国际公开第2019/151445号中记载的含有(聚)醚基的硅烷化合物、国际公开第2019/098230号中记载的含有全氟聚醚基的化合物、
日本特开2015-199906号公报、日本特开2016-204656号公报、日本特开2016-210854号公报及日本特开2016-222859号公报中记载的含有氟聚醚基的聚合物改性硅烷、
国际公开第2019/039083号及国际公开第2019/049754号中记载的含氟化合物。
作为化合物(A)的市售品，可举出信越化学工业株式会社制的KY-100系列(KY-178、KY-185、KY-195等)、AGC株式会社制的Afluid(注册商标)S550、大金工业株式会社制的Optool(注册商标)DSX、Optool(注册商标)AES、Optool(注册商标)UF503、Optool(注册商标)UD509等。
化合物(A)在表面处理剂中所占的含有率优选0.001～50质量％、更优选0.1～25质量％、进一步优选0.5～20质量％。化合物(A)在表面处理剂中所占的含有率可以为10质量％以下，也可以为5质量％以下。
<化合物(B)>
化合物(B)为选自由化合物(B1)、化合物(B2)及化合物(B3)组成的组中的至少1种化合物。
化合物(B)在表面处理剂中所占的总含有率优选50～99.999质量％、更优选75～99.9质量％、进一步优选80～99.5质量％。
一些方案中，化合物(B1)在化合物(B)中所占的比例优选50～100质量％、更优选70～100质量％、进一步优选90～100质量％、特别优选100质量％。
另外，在另一方案中，化合物(B2)在化合物(B)中所占的比例优选50～100质量％、更优选70～100质量％、进一步优选90～100质量％、特别优选100质量％。
另外，在另一方案中，化合物(B3)在化合物(B)中所占的比例优选50～100质量％、更优选70～100质量％、进一步优选90～100质量％、特别优选100质量％。
一些方案中，化合物(B1)在表面处理剂中所占的含有率优选50～99.999质量％、更优选75～99.9质量％、进一步优选80～99.5质量％。
另外，在另一方案中，化合物(B2)在表面处理剂中所占的含有率优选50～99.999质量％、更优选75～99.9质量％、进一步优选80～99.5质量％。
另外，在另一方案中，化合物(B3)在表面处理剂中所占的含有率优选50～99.999质量％、更优选75～99.9质量％、进一步优选80～99.5质量％。
-化合物(B1)-
化合物(B1)为下述式(B1)所示的含氟酮化合物。化合物(B1)可以为单独1种，也可以组合使用2种以上。
R1COR2(B1)
式(B1)中，R1及R2各自独立地表示碳数1～5的直链状、支链状或环状的含氟烷基。
含氟烷基的碳数优选1～4、更优选1～3。
化合物(B1)的氟原子含有率优选50摩尔％以上、更优选75摩尔％以上、进一步优选100摩尔％(全氟酮化合物)。其中，氟原子含有率是指化合物(B1)中包含的氢原子被氟原子取代的比例。
化合物(B1)的大气压下的沸点优选50～220℃、更优选60～200℃、进一步优选70～180℃。
作为R1及R2所示的含氟烷基的具体例，例如，例如，可举出氢原子的至少一部分被氟化的甲基、乙基、正丙基、异丙基、环丙基、正丁基、异丁基、仲丁基、叔丁基、环丁基、正戊基、新戊基、异戊基、仲戊基、叔戊基、1-乙基丙基、1,2-二甲基丙基、环戊基、环丙基甲基、环丁基甲基、2-环丙基乙基。
含氟烷基为氢原子的至少一部分被氟化的环丙基的情况下，该环丙基可以被氢原子的至少一部分经氟化的1个或2个甲基、或乙基取代。
含氟烷基为氢原子的至少一部分被氟化的环丁基的情况下，该环丁基可以被氢原子的至少一部分经氟化的1个甲基取代。
从抑制化合物(B1)的水解的观点出发，优选式(B1)中的R1及R2所示的含氟烷基的至少一者为支链状的含氟烷基，更优选两者为支链状的含氟烷基。
含氟烷基为支链状的情况下，含氟烷基的分支位置没有特别限定。从进一步抑制化合物(B1)的水解的观点出发，支链状的含氟烷基优选在α碳上具有支链结构。即，从进一步抑制化合物(B1)的水解的观点出发，优选式(B1)中的R1及R2所示的含氟烷基的至少一者为在α碳上具有支链结构的含氟烷基，更优选两者为在α碳上具有支链结构的含氟烷基。
此处，含氟烷基的“α碳”是指含氟烷基中包含的碳原子中与羰基直接键合的碳原子。作为在α碳上具有支链结构的含氟烷基，例如，可举出异丙基、仲丁基及叔丁基。
组合使用2种以上化合物(B1)的情况下，R1及R2中的至少一者为支链状的含氟烷基的化合物(B1)在化合物(B1)整体中所占的比例优选50～100质量％、更优选80～100质量％、进一步优选90～100质量％。
组合使用2种以上化合物(B1)的情况下，R1及R2两者为支链状的含氟烷基的化合物(B1)在化合物(B1)整体中所占的比例优选50～100质量％、更优选80～100质量％、进一步优选90～100质量％。
作为R1及R2所示的含氟烷基的理想的组合，从水解的抑制及溶解性的观点出发，可举出一者为含氟乙基且另一者为含氟异丙基的组合、两者为含氟异丙基的组合、一者为含氟异丙基且另一者为含氟正丙基的组合、两者为含氟仲丁基的组合等。
以下示出化合物(B1)的具体例。
/>
/>
-化合物(B2)-
化合物(B2)为下述式(B2)所示的含氟环状酮化合物。化合物(B2)可以使用单独1种，也可以组合使用2种以上。
式(B2)中，R3表示与羰基的碳原子一起形成3元～5元的环结构、且具有氟原子的残基。R3任选被碳数1～2的含氟烷基取代。
作为R3的具体例，可举出氢原子的至少一部分被氟化的二亚甲基、三亚甲基及四亚甲基。
化合物(B2)的氟原子含有率优选50摩尔％以上、更优选75摩尔％以上、进一步优选100摩尔％(全氟环状酮化合物)。
化合物(B2)的大气压下的沸点优选50～220℃、更优选60～200℃、进一步优选70～180℃。
以下示出化合物(B2)的具体例。
-化合物(B3)-
化合物(B3)为下述式(B3)所示的含氟聚醚化合物。化合物(B3)可以为R4、R5及R6相同、q具有分布的混合物。
化合物(B3)可以为单独1种，也可以组合使用2种以上。需要说明的是，组合使用2种以上的化合物(B3)是指使用R4、R5及R6中的至少1个彼此不同的多个化合物(B3)。
R4-[OR5]q-R6(B3)
式(B3)中，R4及R6各自独立地表示碳数1～3的含氟烷基，q表示1以上的整数，R5表示碳数1～6的全氟亚烷基，q为2以上的整数时，多个R5任选相同或不同。多个R5不同的情况下，[OR5]的结合顺序没有限定，可以无规、交替、嵌段地配置。
化合物(B3)的氟原子含有率优选50摩尔％以上、更优选75摩尔％以上、进一步优选100摩尔％(全氟聚醚化合物)。
对于化合物(B3)的大气压下的沸点，从表面处理剂的处理容易性的观点出发，优选50～220℃、更优选60～200℃、进一步优选70～180℃。
对于化合物(B3)的数均分子量，从获得容易性的观点出发，优选300～1000、更优选400～990、进一步优选450～980。
对于化合物(B3)在25℃下的运动粘度，从表面处理剂的处理容易性的观点出发，优选0.01～500cSt(1×10-8～5×10-4m2/s)、更优选0.05～100cSt(5×10-8～1×10-4m2/s)、进一步优选0.1～80cSt(1×10-7～8×10-5m2/s)。需要说明的是，本公开中的运动粘度依据K2283：2000来测定。
作为R4及R6所示的含氟烷基的具体例，可举出氢原子的至少一部分被氟化的甲基、乙基、正丙基或异丙基。
作为R5所示的全氟亚烷基的具体例，可举出经全氟化的亚甲基、亚乙基、三亚甲基、丙叉基(propylidene group)、异丙叉基、亚丙基(propylene group)、-(CF2)4-、-(CF2)5-、-(CF2)6-等。
式(B3)中的q为2以上的整数且多个R5相同的情况下，作为R5，优选全氟亚丙基(作为[-OR5-]，优选-OCF(CF3)CF2-或-OCF2CF(CF3)-)等。
式(B3)中的q为2以上的整数且多个R5不同的情况下，作为R5的组合，例如，可举出全氟亚甲基与全氟亚乙基的组合、全氟亚丙基与全氟亚甲基的组合、全氟亚乙基与-(CF2)4-的组合、全氟亚乙基与-(CF2)6-的组合等。
作为式(B3)中的R4、R5及R6的组合，可举出R4及R6均为三氟甲基且R5为全氟亚甲基及全氟亚丙基的组合、R4及R6均为二氟甲基且R5为全氟亚甲基及全氟亚丙基的组合、R4为全氟正丙基且R5为全氟亚丙基且R6为四氟乙基的组合、R4为全氟正丙基且R5为全氟亚丙基且R6为全氟乙基的组合、R4及R6均为全氟正丙基且R5为全氟亚丙基的组合。
<其他成分>
对于本公开的表面处理剂，只要在不损害本公开的目的、不对稳定性、性能及外观等带来不良影响的范围，可以含有化合物(A)及化合物(B)以外的其他成分。
作为其他成分，可举出化合物(B)以外的其他溶剂成分、用于防止覆膜表面腐蚀的pH调节剂、防锈剂、防霉剂、染料、颜料、紫外线吸收剂、抗静电剂等。
其他成分在表面处理剂中所占的含有率优选5质量％以下、更优选1质量％以下、进一步优选0.5质量％以下。
[具有表面处理层的基材的制造方法]
本公开的具有表面处理层的基材的制造方法只要是使用本公开的表面处理剂形成表面处理层，就没有特别限定。作为在基材形成表面处理层的方法，可举出干涂法及湿涂法。
(基材)
本公开中使用的基材只要为要求赋予拒水拒油性的基材，就没有特别限定。基材的材料没有特别限定，例如，基材的表面的材质可举出金属、树脂、玻璃、陶瓷、或它们的复合材料。
(干涂法)
本公开的表面处理剂在通过干涂法对基材的表面进行处理而制造具有表面处理层的基材的方法中可以直接使用。本公开的表面处理剂适于通过干涂法形成密合性优异的表面处理层。
作为干涂法，可举出真空蒸镀、CVD、溅射等方法。从抑制本公开的表面处理剂中包含的化合物(A)的分解的方面、及装置的简便性的方面出发，可以适当地利用真空蒸镀法。真空蒸镀法可以细分为电阻加热法、电子束加热法、高频感应加热法、反应性蒸镀、分子束外延法、热壁蒸镀法、离子镀法、簇离子束法等，任意方法均可以应用。从抑制本公开的表面处理剂中包含的化合物(A)的分解的方面、及装置的简便性的方面出发，可以适当地利用电阻加热法。真空蒸镀装置没有特别限制，可以利用公知的装置。
使用真空蒸镀装置实施干涂法的情况下，将含有化合物(A)的表面处理剂放入适当的容器中，进行加热蒸发。作为优选的容器，可举出多孔性材料。通过使表面处理剂浸渗至该多孔性材料并进行加热，可得到适度的蒸镀速度。多孔性材料没有特别限定，可以使用将铜等导热性高的金属粉末烧结而成的烧结过滤器。在利用干涂法进行表面处理层时使用本公开的表面处理剂，由此能够精密地调节蒸发的化合物(A)的蒸发量，其结果，能够控制表面处理层的膜厚。
使用真空蒸镀法的情况下的成膜条件，根据应用的真空蒸镀法的种类而不同，电阻加热法的情况下，蒸镀前真空度优选1×10-2Pa以下、更优选1×10-3Pa以下。蒸镀源的加热温度只要为化合物(A)具有充分的蒸气压的温度，就没有特别限制。具体优选30～400℃、更优选50～300℃。加热温度为前述范围的下限值以上时，成膜速度变良好。为前述范围的上限值以下时，能够对基材的表面赋予拒水拒油性及耐磨耗性而不发生化合物(A)的分解。在真空蒸镀时，基材温度优选为室温(25℃)到200℃的范围。基材温度为200℃以下时，成膜速度变良好。基材温度的上限值更优选150℃以下、进一步优选100℃以下。
使用本公开的表面处理剂并通过干涂法对基材的表面进行处理的情况下，对于通过该处理在基材的表面形成的表面处理层，作为膜厚，优选1～100nm、更优选1～50nm。该表面处理层的膜厚为前述范围的下限值以上时，容易充分得到由表面处理所带来的效果。为前述范围的限值以下时，利用效率高。需要说明的是，膜厚例如可以使用薄膜解析用X射线衍射计ATX-G(RIGAKU公司制)通过X射线反射率法得到反射X射线的干涉图案，根据该干涉图案的振动周期来算出。
特别是，在真空蒸镀法中，化合物(A)的含量多，杂质的含量少，能够形成拒水拒油性及耐磨耗性更优异的表面处理层。认为这是因为利用真空蒸镀法，可抑制以下现象：具有小的蒸气压的副产物比化合物(A)先蒸镀至基材的表面，结果妨碍承担性能表现的化合物(A)与基材的表面的化学键合的现象。
(湿涂法)
将本公开的表面处理剂涂布于基材的表面后使其干燥，由此能够制造具有表面处理层的基材。
作为表面处理剂的涂布方法，可以适宜使用公知的方法。
作为涂布方法，优选旋转涂布法、揩涂法、喷雾涂布法、挤涂法、浸涂法、模涂法、喷墨法、流涂法、辊涂法、流延法、Langmuir-Blodgett法、凹版涂布法。
干燥的方法只要为能够将表面处理剂中含有的化合物(B)干燥去除的方法即可，可以适宜使用公知的方法。干燥温度优选10～300℃、更优选20～200℃。
对于将化合物(B)干燥去除后在基材的表面形成的表面处理层，作为膜厚，优选1～100nm、更优选1～50nm。该表面处理层的膜厚为前述范围的下限值以上时，容易充分得到由表面处理带来的效果。为前述范围的限值以下时，利用效率高。需要说明的是，膜厚的测定可以与通过干涂法形成的表面处理层的膜厚的测定方法同样地进行。
(后处理)
通过干涂法、湿涂法在基材表面形成表面处理层后，为了提高该表面处理层对磨耗的耐久性，根据需要，可以进行用于促进化合物(A)与基材的反应的操作。作为该操作，可举出加热、加湿、光照射等。例如，在具有水分的大气中对形成有表面处理层的基材进行加热，从而能够促进水解性甲硅烷基向硅烷醇基的水解反应、基材表面的羟基等与硅烷醇基的反应、硅烷醇基的缩合反应所引起的硅氧烷键的生成等反应。
表面处理后，为表面处理层中的化合物且不与其他化合物或基材化学键合的化合物根据需要可以去除。作为具体的方法，例如，可举出使溶剂向表面处理层持续流动的方法、用浸渗有溶剂的布擦拭表面处理层的方法。
表面处理层的基于θ/2法的水接触角优选80～120°、更优选100～120°、进一步优选105～120°。
实施例
以下，通过实施例具体地对上述实施方式进行说明，但上述实施方式不限定于这些实施例。
例1、例8及例15为比较例，例2～例7、例9～例14及例16～例21为实施例。
<化合物(A1)的准备>
按照日本特许第5761305号的合成例15记载的方法，得到下述化合物(A1)。
CF3(OCF2CF2)15(OCF2)16OCF2CH2OCH2CH2CH2Si[CH2CH2CH2Si(OCH3)3]3···(A1)
化合物(A1)的Mn：3,600
<化合物(A2)的准备>
按照国际公开第2017/038830号的例16-3记载的方法，得到下述化合物(A2)。
CF3CF2CF2-O-(CF2CF2O)(CF2CF2O){(CF2O)x1(CF2CF2O)x2}-CF2-C(O)NH-CH2-C[CH2CH2CH2-Si(OCH3)3]3···(A2)
化合物(A2)的Mn：4,500
<化合物(A3)的准备>
按照国际公开第2018/043166号的例1记载的方法，得到下述化合物(A3)。
CF3O(CF2CF2OCF2CF2CF2CF2O)m25CF2CF2OCF2CF2CF2-C(＝O)N[CH2CH2CH2Si(OCH3)3]2···(A3)
化合物(A3)的Mn：4,500
<表面处理剂的制备>
以使化合物(A1)的浓度成为1质量％的方式，用表1中记载的化合物(B)对化合物(A1)进行稀释，制备例1～例7的表面处理剂。另外，以使化合物(A2)或(A3)的浓度成为1质量％的方式，用表2中记载的化合物(B)对化合物(A2)或(A3)进行稀释，制备例8～例21的表面处理剂。需要说明的是，例1～例21中使用的化合物(B)如下。
·B-1：1,3-双(三氟甲基)苯
·B-2：(CF3)2CFC(＝O)CF2CF3与CF3CF2CF2C(＝O)CF2CF3的以质量基准计为98：2的混合物
·B-3：(CF3)2CFC(＝O)CF(CF3)2与CF3CF2CF2C(＝O)CF(CF3)2的以质量基准计为91：9的混合物
·B-4：CF3-[(OCF(CF3)CF2)q1(OCF2)q2]-CF3(沸点：110℃、25℃下的运动粘度：0.8cSt(8×10-7m2/s)、数均分子量：494、q1及q2为1以上的整数)
·B-5：CF3-[(OCF(CF3)CF2)q1(OCF2)q2]-CF3(沸点：80℃、25℃下的运动粘度：0.57cSt(5.7×10-7m2/s)、数均分子量：430、q1及q2为1以上的整数)
·B-6：CF3CF2CF2-[OCF(CF3)CF2]q-OCF2CF3(沸点：160℃、25℃下的运动粘度：3.4cSt(3.4×10-6m2/s)、数均分子量：664、q为1以上的整数)
·B-7：全氟环戊酮
<表面处理层的形成>
在90℃下在玻璃皿中将Si基板在浓硫酸/过氧化氢水(浓度35％水溶液)(3/1、v/v)的混合溶液中浸渍30分钟。其后取出Si基板并用蒸馏水进行清洗，形成化学氧化膜形成Si基板。接着，在25℃下在不锈钢皿中将化学氧化膜形成Si基板在表面处理剂(固体成分浓度1质量％、固体成分浓度表示在120℃下加热时的蒸发残留部分，为相对于加热前的表面处理剂的质量％。)中浸渍1小时。其后取出Si基板，使用热板在140℃下进行30分钟烧成。最后用氟系溶剂ASAHIKLIN AE-3000(1,1,2,2-四氟乙基-2,2,2-三氟乙基醚、AGC株式会社制)进行清洗，得到形成有表面处理层的Si基板。
<评价>
通过下述方法对成膜性及水接触角进行评价。
(成膜性)
对形成有表面处理层的Si基板，依据下述基准通过目视进行外观的确认。将得到的结果示于表1及表2。
通过目视在基板上观测到起雾的情况：B、未观测到起雾的情况：A
另外，使用光学显微镜(奥林巴斯公司DSX10-UZH)确认成膜性，按照下述基准进行评价。反射方式中以5倍的倍率进行测定。将得到的结果示于表1及表2。
观测到放射状的凹凸的情况：B、未观测到放射状的凹凸的情况：A
观测到斑样图案的情况：B、未观测到斑样图案情况：A
(水接触角)
首先，用浸渗有乙醇的BEMCOT(注册商标)对形成有表面处理层的Si基板的表面处理层表面进行擦拭清洗。其后，用接触角测定装置(协和界面科学株式会社制DM-701)在20℃下测定置于表面处理层的表面的约2μL的蒸馏水的接触角。在表面处理层的表面的不同的5个部位进行测定并算出其平均值，作为水接触角。水接触角的算出使用θ/2法。将得到的结果示于表1及表2。
[表1]
根据表1中记载的评价结果明确可知，例2～例7的表面处理层与例1的表面处理层相比较，基于目视及光学显微镜观察的表面性状的观察优异。根据该结果，可以说例2～例7的表面处理层的平坦性优异。
[表2]
根据表2中记载的评价结果明确可知，例9～例14的表面处理层与例8的表面处理层相比较，基于目视及光学显微镜观察的表面性状的观察结果优异。与例15相比较的例16～例21也同样。根据该结果可以说例9～例14、例16～例21的表面处理层平坦性优异。
2021年3月17日申请的日本专利申请2021-044129号的公开其整体通过参照并入到本说明书中。
对于本说明书中记载的全部文献、专利申请、及技术标准，与具体且分别记载各个文献、专利申请、及技术标准通过参照而并入的情况同程度地，通过参照并入到本说明书中。
Claims (12)
1.一种表面处理剂，其含有：具有反应性甲硅烷基的含氟化合物(A)；和选自由下述式(B1)所示的含氟酮化合物(B1)、下述式(B2)所示的含氟环状酮化合物(B2)及下述式(B3)所示的含氟聚醚化合物(B3)组成的组中的至少1种化合物(B)，
R1COR2(B1)
R4-[OR5]q-R6(B3)
式(B1)中，R1及R2各自独立地表示碳数1～5的直链状、支链状或环状的含氟烷基，
式(B2)中，R3表示与羰基的碳原子一起形成3元～5元的环结构、且具有氟原子的残基，R3任选被碳数1～2的含氟烷基取代，
式(B3)中，R4及R6各自独立地表示碳数1～3的含氟烷基，q表示1以上的整数，R5表示碳数1～6的全氟亚烷基，q为2以上的整数时，多个R5任选彼此相同或不同。
2.根据权利要求1所述的表面处理剂，其中，所述化合物(B)的总含有率为50～99.999质量％。
3.根据权利要求1或权利要求2所述的表面处理剂，其中，所述式(B1)中的R1及R2所示的含氟烷基的至少一者为支链状的含氟烷基。
4.根据权利要求3所述的表面处理剂，其中，所述式(B1)中的R1及R2所示的含氟烷基两者为支链状的含氟烷基。
5.根据权利要求3或权利要求4所述的表面处理剂，其中，所述支链状的含氟烷基在α碳上具有支链结构。
6.根据权利要求1～权利要求5中任一项所述的表面处理剂，其中，所述含氟聚醚化合物(B3)的沸点为50～220℃。
7.根据权利要求1～权利要求6中任一项所述的表面处理剂，其中，所述含氟聚醚化合物(B3)的数均分子量为300～1000。
8.根据权利要求1～权利要求7中任一项所述的表面处理剂，其中，所述含氟聚醚化合物(B3)包含全氟聚醚化合物。
9.根据权利要求1～权利要求8中任一项所述的表面处理剂，其中，所述含氟酮化合物(B1)包含全氟酮化合物。
10.根据权利要求1～权利要求9中任一项所述的表面处理剂，其中，所述含氟环状酮化合物(B2)包含全氟环状酮化合物。
11.一种具有表面处理层的基材的制造方法，其中，将权利要求1～权利要求10中任一项所述的表面处理剂涂布于基材的表面后，使其干燥。
12.根据权利要求11所述的具有表面处理层的基材的制造方法，其中，所述基材的表面的材质为金属、树脂、玻璃、陶瓷、或它们的复合材料。
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