CN117000689A - 一种双开门半导体清洁设备及控制方法 - Google Patents

Abstract

本申请实施例涉及一种双开门半导体清洁设备及控制方法，其中双开门半导体清洁设备包括：清洁腔室、进料门、出料门、以及气压控制装置；其中，进料门与出料门间隔设置，且满足在双开门半导体清洁设备被安置在跨越第一车间和第二车间的位置处时，进料门能够位于第一车间内，出料门能够位于第二车间内；进料门配置为供待清洁物料从第一车间进入清洁腔室；出料门配置为供待清洁物料清洁后从清洁腔室离开至第二车间；气压控制装置配置为，在打开进料门之前，控制清洁腔室内的气压大于第一车间的气压，以及在打开出料门之前，控制清洁腔室内的气压小于第二车间的气压；如此，避免第一车间、清洁腔室和第二车间之间相互污染，改善了清洁效果。

Description

一种双开门半导体清洁设备及控制方法

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，特别是涉及一种双开门半导体清洁设备及控制方法。

背景技术

半导体制造过程中，需要较高的洁净等级。外来物料所处的环境的洁净等级通常要低于高级制程区域，因此常常引入污染，降低了半导体制程的良率。通过半导体清洁设备对物料进行清洗，可以有效改善清洁度。但是现有的半导体清洁设备，由于进料门区域与清洁腔室之间存在洁净度差异，以及清洁腔室与出料门区域之间也存在清洁度差异，因此容易发生各空间之间的交叉污染，从而影响半导体清洁设备的清洁效果。

因此，如何提高半导体清洁设备的清洁效果是本领域始终致力解决的技术问题。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例为解决背景技术中存在的至少一个问题而提供一种双开门半导体清洁设备及控制方法。

第一方面，本发明提供了一种双开门半导体清洁设备，包括清洁腔室、进料门、出料门、以及气压控制装置；

所述进料门与所述出料门间隔设置，且满足在所述双开门半导体清洁设备被安置在跨越第一车间和第二车间的位置处时，所述进料门能够位于所述第一车间内，所述出料门能够位于所述第二车间内；

所述进料门配置为供待清洁物料从所述第一车间进入所述清洁腔室；

所述出料门配置为供待清洁物料清洁后从所述清洁腔室离开至所述第二车间；

所述气压控制装置配置为，在打开所述进料门之前，控制所述清洁腔室内的气压大于所述第一车间的气压，以及在打开所述出料门之前，控制所述清洁腔室内的气压小于所述第二车间的气压。

可选地，所述气压控制装置包括鼓风部件，通过所述鼓风部件实现在打开所述进料门之前，控制所述清洁腔室内的气压大于所述第一车间的气压；和/或，所述气压控制装置包括排风部件，通过所述排风部件实现在打开所述出料门之前，控制所述清洁腔室内的气压小于所述第二车间的气压。

可选地，所述气压控制装置包括第一气压检测部件、第二气压检测部件以及第三气压检测部件，所述第一气压检测部件配置为检测所述清洁腔室内的气压，所述第二气压检测部件配置为检测所述第一车间的气压，所述第三气压检测部件配置为检测所述第二车间的气压。

可选地，所述待清洁物料包括晶圆盒；所述双开门半导体清洁设备还包括位于所述清洁腔室内的清洗装置和干燥装置。

可选地，所述的双开门半导体清洁设备还包括去静电装置；所述去静电装置位于所述清洁腔室外部且位于所述出料门外侧；所述去静电装置配置为在所述出料门打开时，向开门位置吹送离子风。

第二方面，本发明还提供了一种双开门半导体清洁设备的控制方法，包括：

在控制所述进料门打开之前，

检测所述清洁腔室内的气压；

判断所述清洁腔室内的气压与所述第一车间的气压的大小关系；

若所述清洁腔室内的气压小于或等于所述第一车间的气压，则控制所述气压控制装置增大所述清洁腔室内的气压，直至所述清洁腔室内的气压大于所述第一车间的气压后，控制所述进料门打开；以及，

在控制所述出料门打开之前，

检测所述清洁腔室内的气压；

判断所述清洁腔室内的气压与所述第二车间的气压的大小关系；

若所述清洁腔室内的气压大于或等于所述第二车间的气压，则控制所述气压控制装置减小所述清洁腔室内的气压，直至所述清洁腔室内的气压小于所述第二车间的气压后，控制所述出料门打开。

可选地，所述气压控制装置包括鼓风部件，所述控制所述气压控制装置增大所述清洁腔室内的气压，包括：控制所述鼓风部件向所述清洁腔室内鼓风以增大所述清洁腔室内的气压；和/或，所述气压控制装置包括排风部件，所述控制所述气压控制装置减小所述清洁腔室内的气压，包括：控制所述排风部件排出所述清洁腔室内的气体以减小所述清洁腔室内的气压。

可选地，所述双开门半导体清洁设备还包括去静电装置，所述去静电装置位于所述清洁腔室外部且位于所述出料门外侧；所述方法还包括在控制所述出料门打开的情况下，控制所述去静电装置向开门位置吹送离子风。

可选地，所述双开门半导体清洁设备还包括位于所述清洁腔室内的清洗装置；所述方法还包括控制所述清洗装置中的旋转部件旋转以对待清洁物料进行清洗，且控制所述旋转部件旋转的转速不高于200rpm。

可选地，所述方法还包括在所述双开门半导体清洁设备处于正常工作的状态下，若所述出料门处于打开状态，则控制所述进料门锁死；若所述进料门处于打开状态，则控制所述出料门锁死。

本申请实施例提供的一种双开门半导体清洁设备及控制方法，通过进料门与出料门间隔设置且满足两个门能够分别位于第一车间内和第二车间内，避免待清洁物料在经过清洁后又重新回到第一车间(即进料车间)，降低了物料被再污染的可能性；在此基础上，考虑到第一车间、清洁腔室和第二车间三个空间的清洁度是不同的，因此通过设置气压控制装置，在打开进料门之前，控制清洁腔室内的气压大于第一车间的气压，从而控制气流从清洁腔室朝第一车间的方向吹出，避免第一车间内的污染物进入清洁腔室，而在打开出料门之前，控制清洁腔室内的气压小于第二车间的气压，从而控制气流由第二车间向清洁腔室的方向流动，避免清洁腔室内的污染物进入第二车间，最终降低了各空间之间交叉污染的可能性，改善了清洁效果。

本申请附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本申请的实践了解到。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：

图1为本申请实施例提供的双开门半导体清洁设备的进料门侧视角的立体结构示意图；

图2为本申请实施例提供的双开门半导体清洁设备的出料门侧视角的立体结构示意图；

图3为本申请实施例提供的双开门半导体清洁设备的俯视示意图；

图4为本申请实施例提供的双开门半导体清洁设备的使用场景俯视示意图；

图5为本申请实施例提供的双开门半导体清洁设备的控制方法的流程示意图。

其中，附图标记说明如下：

10-第一车间，20-第二车间，100-双开门半导体清洁设备，110-进料门，120-清洁腔室，130-出料门，140-清洁装置，141-清洗装置，1411-旋转部件，142-干燥装置，150-气压控制装置，151-排风部件，152-鼓风部件，1521-鼓风机，1522-加热箱，1523-加热箱过滤组件，1531-第一气压检测部件，1532-第二气压检测部件，1533-第三气压检测部件，160-去静电装置。

具体实施方式

下面将参照附图更详细地描述本申请公开的示例性实施方式。虽然附图中显示了本申请的示例性实施方式，然而应当理解，可以以各种形式实现本申请，而不应被这里阐述的具体实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了能够更透彻地理解本申请，并且能够将本申请公开的范围完整的传达给本领域的技术人员。

在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本申请更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本申请可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本申请发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述；即，这里不描述实际实施例的全部特征，不详细描述公知的功能和结构。

在附图中，为了清楚，层、区、元件的尺寸以及其相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。

应当明白，当元件或层被称为“在……上”、“与……相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在……上”、“与……直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本申请教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。而当讨论的第二元件、部件、区、层或部分时，并不表明本申请必然存在第一元件、部件、区、层或部分。

空间关系术语例如“在……下”、“在……下面”、“下面的”、“在……之下”、“在……之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在……下面”和“在……下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。

在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本申请的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。

为了彻底理解本申请，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本申请的技术方案。本申请的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本申请还可以具有其他实施方式。

本申请实施例提供了一种双开门半导体清洁设备，请参考图1至图4，该双开门的半导体清洁设备100包括：清洁腔室120、进料门110、出料门130、以及气压控制装置150；其中，进料门110与出料门130间隔设置，且满足双开门的半导体清洁设备100被安置在跨越第一车间10和第二车间20的位置处时，进料门110能够位于第一车间10内，出料门130能够位于第二车间20内。进料门110配置为供待清洁物料从第一车间10进入清洁腔室120；出料门130配置为供待清洁物料清洁后从清洁腔室120离开至第二车间20；气压控制装置150配置为在打开进料门110之前，控制清洁腔室120内的气压大于第一车间10的气压，以及在打开出料门130之前，控制清洁腔室120内的气压小于第二车间20的气压。

可以理解地，本申请实施例通过将进料门110与出料门130间隔设置且满足两个门能够分别位于第一车间10内和第二车间20内，避免了待清洁物料在经过清洁后又重新回到第一车间10(即进料车间)，降低了物料被再污染的可能性；在此基础上，考虑到第一车间10、清洁腔室120和第二车间20三个空间的清洁度是不同的，因此通过设置气压控制装置150，在打开进料门110之前，控制清洁腔室120内的气压大于第一车间10的气压，从而控制气流从清洁腔室120朝第一车间10的方向吹出，避免第一车间10内的污染物进入清洁腔室120，而在打开出料门130之前，控制清洁腔室120内的气压小于第二车间20的气压，从而控制气流由第二车间20向清洁腔室120的方向流动，避免清洁腔室120内的污染物进入第二车间20，最终降低了各空间之间交叉污染的可能性，改善了清洁效果。

本申请实施例提供的双开门半导体清洁设备，通过设置在清洁腔室120内的清洁装置140对待清洁物料进行清洁，以改善待清洁物料的清洁度。设置在清洁腔室120内的清洁装置140例如包括清洗装置141、干燥装置142等。

待清洁物料例如为晶圆盒。半导体晶圆在加工后，需要晶圆盒进行装载、运送，那么，为保证晶圆的洁净度，装载用的晶圆盒洁净度也很重要。因此，需要对晶圆盒进行清洗。具体地，晶圆盒可以为FOUP(Front Opening Unified Pod，前开式晶圆传送盒)或FOSB(Front Opening Shipping Box，前开式晶圆出货盒)等。当然，本申请并不限于此，待清洁物料也可以为晶圆或者其他半导体工艺中用到的需要清洁的物料。此外，待清洁物料仅用来指代采用清洁设备进行清洁的物料(有时也简称为“物料”)，本文中并没有根据清洁的不同阶段进行区分，例如在完成清洁后，也依然采用待清洁物料来命名。

可选地，进料门110和出料门130位于双开门的半导体清洁设备100的不同侧。由此，更便于在实际生产中待清洁物料通过清洁腔室120，从第一车间10去往第二车间20。进一步地，进料门110和出料门130分别位于双开门的半导体清洁设备100的相对两侧。

请参考图4，在实际使用场景中，当双开门的半导体清洁设备100被安置在跨越第一车间10和第二车间20的位置处时，车间的分割可以以出料门130的操作面为基准，进料门110位于第一车间10内，出料门130位于第二车间20内。其他实施例中，也可以将第一车间10和第二车间20的分隔线设置在双开门的半导体清洁设备100的中间，或者以就进料门110的操作面为基准。

可选地，进料门110和出料门130均为通过轨道向两侧打开的自动门。可以理解地，在实际应用中，可以通过程序控制进料门110和出料门130的打开和关闭，实现自动化。

进一步地，自动门也可以实现进料门110和出料门130的互锁功能，在打开进料门110时，出料门130处于锁闭状态；在打开出料门130时，进料门110处于锁闭状态，避免出现进料门110和出料门130同时打开的情况，避免了第一车间10、清洁腔室120和第二车间20之间的交叉污染，改善了清洁效果。

进一步地，进料门110和出料门130可以均为透明自动门。可以理解地，在实际应用中，操作人员还可以通过透明的进料门110和出料门130观察到待清洁物料的状态。

可选地，进料门110和/或出料门130的门框的材质为聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)。可以理解地，由于进料门110和出料门130通过轨道向两侧打开时，门与门框发生摩擦，金属等其他材质可能会因为摩擦或者氧化而产生颗粒，特别是当门与门框之间的间隙较小时，可能会产生更多颗粒，而PC材质具有较好的耐磨性和耐腐蚀性，在摩擦时不易产生颗粒。此外，由于清洁腔室120内经常处于温度和湿度变化较大的状态，金属等其他材质相比于PC材质更容易产生颗粒。

在本申请实施例中，第一车间10的洁净度等级大于第二车间20的洁净度等级。洁净度是指空气环境中空气所含尘埃量多少的程度，在一般的情况下，是指单位体积的空气中所含大于等于某一粒径粒子的数量，洁净度等级越大，表明单位体积中具有一定粒径的尘埃的数量越多，环境越不洁净。示例性地，第一车间10洁净度为十万级，第二车间20洁净度为百级。

如果空气由第一车间10流向清洁腔室120，会造成清洁腔室120的污染，如果空气由清洁腔室120流向第二车间20，会对第二车间20的环境造成潜在的不利影响。因此通过气压控制装置150控制清洁腔室120内的气压，从而控制气流方向，降低洁净度不同的第一车间10、清洁腔室120和第二车间20之间交叉污染的可能性。

具体地，在同一水平面上，高低压间存在气压差时，会形成气压梯度，继而产生了促使空气由高气压区流向低气压区的力，即水平气压梯度力，空气在水平气压梯度力的作用下就会产生运动，从气压高的地方向气压低的地方流动。因此，在打开进料门110时，若清洁腔室120内的气压大于第一车间10的气压，则空气由清洁腔室120向第一车间10流动，若清洁腔室120内的气压小于第一车间10的气压，则空气由第一车间10向清洁腔室120流动。打开出料门130时，若清洁腔室120内的气压大于第二车间20的气压，则空气由清洁腔室120向第二车间20流动，若清洁腔室120内的气压小于第二车间20的气压，则空气由第二车间20向清洁腔室120流动。

请参考图1，气压控制装置150包括鼓风部件152，通过鼓风部件152实现在打开进料门110之前，控制清洁腔室120内的气压大于第一车间10的气压。

具体地，打开进料门110前，可以通过鼓风部件152向清洁腔室120送风，增加清洁腔室120内的气压。

可选地，鼓风部件152包括鼓风机1521、加热箱1522和加热箱过滤组件1523。

可以理解地，通过加热箱1522，可以升高清洁腔室120内的温度，有利于清洗后的物料更快地干燥。

可以理解地，通过加热箱过滤组件1523可以先对清洁腔室120外的空气进行过滤，而后再通入清洁腔室120中。可选地，加热箱过滤组件1523包括FFU(Fan Filter Unit，风机过滤单元)过滤器。

请继续参考图1，气压控制装置150包括排风部件151，通过排风部件151实现在打开出料门130之前，控制清洁腔室120内的气压小于第二车间20的气压。

具体地，在打开出料门130前，可以通过排风部件151将清洁腔室120内的部分气体排出至清洁腔室120外，使得清洁腔室120内的气压减小。

气压控制装置150还可以包括第一气压检测部件1531、第二气压检测部件1532以及第三气压检测部件1533，第一气压检测部件1531配置为检测清洁腔室120内的气压，第二气压检测部件1532配置为检测第一车间10的气压，第三气压检测部件1533配置为检测第二车间20的气压。通过第一气压检测部件1531、第二气压检测部件1532以及第三气压检测部件1533分别检测得到清洁腔室120、第一车间10以及第二车间20内的气压，判断清洁腔室120内的气压与第一车间10内的气压以及与第二车间20内的气压的大小关系，来判断是否需要启动鼓风部件152与排风部件151。

示例性地，打开进料门110前，当气压检测装置检测到清洁腔室120内的气压小于等于第一车间10的气压时，鼓风部件152启动，将清洁腔室120外的气体通过加热箱过滤组件1523过滤后，充入至清洁腔室120内，使得清洁腔室120内的气压大于第一车间10的气压；若气压检测装置检测到清洁腔室120内的气压大于第一车间10的气压，则无需启动鼓风装置，直接打开进料门110即可。

示例性地，打开出料门130前，当气压检测装置检测到清洁腔室120内的气压大于等于第二车间20的气压时，排风部件151启动，将清洁腔室120内的部分气体排出至清洁腔室120外，使得清洁腔室120内的气压小于第二车间20的气压；若气压检测装置检测到清洁腔室120内的气压小于第二车间20的气压时，则无需启动排风部件151，直接打开出料门130即可。

由此，通过气压检测装置、鼓风部件152和排风部件151的协同作用，可以控制空气在第一车间10、清洁腔室120和第二车间20三个空间之间的气体流向，最终降低了各空间之间交叉污染的可能性，改善了清洁效果。

请参考图4，双开门的半导体清洁设备100还包括位于清洁腔室120内的清洗装置141和干燥装置142。

由于清洗装置141和干燥装置142位于清洁腔室120内部，在图1至图3中上述两个装置被进料门110、出料门130、排风部件151、鼓风部件152、以及设备的外壳等部件遮挡，因此未能在图中示出(图1中通过处于打开状态的进料门110仅能看到其中的部分结构)。故而，采用图4示意性地表示出清洁腔室120内设置有上述两个装置；应当理解，图4中用于表示上述两个装置的两个虚线框，并不用于展示上述两个装置的外框轮廓、尺寸大小、分布关系等细节特征。

结合图3，清洗装置141和干燥装置142可以位于排风部件151和鼓风部件152的下方。排风部件151和鼓风部件152的管道从清洁腔室120的上方接入清洁腔室120内。

可以理解地，通过清洗装置141可以对待清洁物料进行清洗。可选地，清洗包括对待清洁物料使用高压纯水喷洒。清洗装置141具体可以包括旋转部件1411和用于喷洒清洗液的喷嘴等部件；在清洗过程中，喷嘴喷洒出清洗液(如纯水)，同时旋转部件1411带动供待清洁物料旋转，从而实现对供待清洁物料各个部位的清洗。

可以理解地，通过干燥装置142可以对待清洁物料进行干燥处理。可选地，干燥处理包括对物料进行热风吹干和氮气吹扫。

可选地，请参考图2，双开门的半导体清洁设备100还包括去静电装置160。去静电装置160位于清洁腔室120外部且位于出料门130外侧，在出料门130打开时，向开门位置吹送离子风。由此，通过离子风去除清洁完的物料的静电。

由于清洁腔室120内会进行清洁、干燥等工艺，去静电装置160若设置在温度、湿度经常变化的清洁腔室120内，会降低使用寿命。因此，将去静电装置160设置在出料门130外侧可以有效提高去静电装置160的使用寿命。同时，操作人员的手部在取清洁完的物料之前，通过被离子风吹拂消除了静电，随后再取清洁完的物料时，降低了第二车间20内颗粒吸附到清洁完的物料的表面的概率。

可选地，去静电装置160位于出料门130的两侧。由此，便于从两侧向中间吹出离子风，以去除清洁完的物料的静电。进一步地，去静电装置160也可以位于出料门130的四周。

相应的，本申请实施例还提供了一种双开门的半导体清洁设备的控制方法，请参考图1至图4，双开门的半导体清洁设备100包括：清洁腔室120、进料门110、出料门130、以及气压控制装置150，进料门110位于第一车间10内，出料门130位于第二车间20内。

图5是本申请实施例提供的双开门半导体清洁设备的控制方法的流程示意图。如图5所示，控制方法包括：

S01：在控制进料门打开之前，检测清洁腔室内的气压；

S02：判断清洁腔室内的气压与第一车间的气压的大小关系；

S03：若清洁腔室内的气压小于或等于第一车间的气压，则控制气压控制装置增大清洁腔室内的气压，直至清洁腔室内的气压大于第一车间的气压后，控制进料门打开；

S04：在控制出料门打开之前，检测清洁腔室内的气压；

S05：判断清洁腔室内的气压与第二车间的气压的大小关系；

S06：若清洁腔室内的气压大于或等于第二车间的气压，则控制气压控制装置减小清洁腔室内的气压，直至清洁腔室内的气压小于第二车间的气压后，控制出料门打开。

通过设置进料门110与出料门130分别位于第一车间10内和第二车间20内，避免待清洁物料在经过清洁后又重新回到第一车间10(即进料车间)，降低了物料被再污染的可能性；在此基础上，考虑到第一车间10、清洁腔室120和第二车间20三个空间的清洁度是不同的，因此通过在控制进料门110打开之前，检测清洁腔室120内的气压，并判断清洁腔室120内的气压与第一车间10的气压的大小关系，在清洁腔室120内的气压小于或等于第一车间10的气压的情况下，控制气压控制装置150增大清洁腔室120内的气压，直至清洁腔室120内的气压大于第一车间10的气压后，控制进料门110打开，从而使得气流从清洁腔室120朝第一车间10的方向吹出，避免第一车间10内的污染物进入清洁腔室120；相应地，在打开出料门130之前，控制清洁腔室120内的气压小于第二车间20的气压，从而使得气流由第二车间20向清洁腔室120的方向流动，避免清洁腔室120内的污染物进入第二车间20，最终降低了各空间之间交叉污染的可能性，改善了清洁效果。

具体地，请参考图1，气压控制装置150包括鼓风部件152，控制气压控制装置150增大清洁腔室120内的气压，包括：控制鼓风部件152向清洁腔室120内鼓风以增大清洁腔室120内的气压。

可选地，鼓风部件152包括鼓风机1521、加热箱1522和加热箱过滤组件1523。

可以理解地，通过加热箱1522，升高清洁腔室120内的温度，有利于清洗后的物料更快地干燥。

可以理解地，通过加热箱过滤组件1523可以对清洁腔室120外的空气进行过滤，而后再通入清洁腔室120中。可选地，加热箱过滤组件1523包括FFU过滤器。

请继续参考图1，气压控制装置150包括排风部件151，控制气压控制装置150减小清洁腔室120内的气压，包括：控制排风部件151排出清洁腔室120内的气体以减小清洁腔室120内的气压。

气压控制装置150还可以包括第一气压检测部件1531、第二气压检测部件1532以及第三气压检测部件1533，第一气压检测部件1531配置为检测清洁腔室120内的气压，第二气压检测部件1532配置为检测第一车间10的气压，第三气压检测部件1533配置为检测第二车间20的气压，检测清洁腔室120内的气压包括：控制第一气压检测部件1531检测得到清洁腔室120内的气压，通过第二气压检测部件1532检测得到第一车间10内的气压，通过第三气压检测部件1533检测得到第二车间20内的气压。判断清洁腔室120内的气压与第一车间10内的气压以及与第二车间20内的气压的大小关系，来判断是否需要启动鼓风部件152与排风部件151。

示例性地，打开进料门110前，若清洁腔室120内的气压小于等于第一车间10的气压，则鼓风装置152启动；若清洁腔室120内的气压大于第一车间10的气压，则无需启动鼓风装置152，直接打开进料门110即可。

示例性地，打开出料门130前，若清洁腔室120内的气压大于等于第二车间20的气压，则排风部件151启动；若清洁腔室120内的气压小于第二车间20的气压，则无需启动排风部件151，直接打开出料门130即可。

可选地，请参考图2，双开门的半导体清洁设备100还包括去静电装置160，去静电装置160位于清洁腔室120外部且位于出料门130外侧；控制方法还包括：双开门的半导体清洁设备100在控制出料门130打开的情况下，控制去静电装置160向开门位置吹送离子风。由此，通过离子风去除清洁完的物料的静电。

由于清洁腔室120内会进行清洁、干燥等工艺，去静电装置160若设置在温度、湿度经常变化的清洁腔室120内，会降低使用寿命。因此，将去静电装置160设置在出料门130外侧可以有效提高去静电装置160的寿命。同时，操作人员的手部在取到清洁完的物料之前，通过被离子风吹拂消除了静电，减少了第二车间20内颗粒吸附到清洁完的物料表面的概率。

可选地，去静电装置160位于出料门130的两侧。由此，便于从两侧向中间吹出离子风，以去除清洁完的物料的静电。进一步地，去静电装置160也可以位于出料门130的四周。

可选地，请参考图1和图4，双开门的半导体清洁设备100还包括位于清洁腔室120内的清洗装置141；控制方法还包括：双开门的半导体清洁设备100控制清洗装置141中的旋转部件1411旋转以对待清洁物料进行清洗，且控制旋转部件1411旋转的转速不高于200rpm。

可选地，对待清洁物料进行清洗包括使用高压纯水喷洒。

可选地，本申请实施例中的待清洁物料具体为12寸的晶圆盒。本申请实施例提供的双开门的半导体清洁设备100具体为12寸晶圆盒清洁设备。清洗装置141内包括清洗框架，一个清洗框架可以承载两套或三套12寸的晶圆盒。旋转部件1411带动清洗框架旋转。在清洗装置141工作时，旋转部件1411旋转的转速不高于200rpm，有利于避免晶圆盒发生变形。进一步地，旋转部件1411旋转的转速为150rmp-180rmp；如此，在避免变形的同时，增强清洗效果。

可选地，双开门的半导体清洁设备100还包括位于清洁腔室120内的干燥装置142；控制方法还包括：控制干燥装置142对待清洁物料进行干燥处理。具体地，干燥处理包括对经过清洗装置141清洁后的物料进行热风吹干和氮气吹扫。

在本实施例中，双开门的半导体清洁设备100的控制方法还包括在双开门的半导体清洁设备100处于正常工作的状态下，若出料门130处于打开状态，则控制进料门110锁死；若进料门110处于打开状态，则控制出料门130锁死。通过控制进料门110和出料门130互锁，避免出现进料门110和出料门130同时打开的情况，避免了第一车间10、清洁腔室120和第二车间20之间的交叉污染，改善了清洁效果。

需要说明的是，本申请提供的双开门的半导体清洁设备实施例与双开门的半导体清洁设备的控制方法实施例属于同一构思；各实施例所记载的技术方案中各技术特征之间，在不冲突的情况下，可以任意组合。

应当理解，以上实施例均为示例性的，不用于包含权利要求所包含的所有可能的实施方式。在不脱离本公开的范围的情况下，还可以在以上实施例的基础上做出各种变形和改变。同样的，也可以对以上实施例的各个技术特征进行任意组合，以形成可能没有被明确描述的本申请的另外的实施例。因此，上述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，不对本申请专利的保护范围进行限制。

Claims (10)

1.一种双开门半导体清洁设备，其特征在于，包括：清洁腔室、进料门、出料门、以及气压控制装置；其中，

所述进料门与所述出料门间隔设置，且满足在所述双开门半导体清洁设备被安置在跨越第一车间和第二车间的位置处时，所述进料门能够位于所述第一车间内，所述出料门能够位于所述第二车间内；

所述进料门配置为供待清洁物料从所述第一车间进入所述清洁腔室；

所述出料门配置为供待清洁物料清洁后从所述清洁腔室离开至所述第二车间；

所述气压控制装置配置为，在打开所述进料门之前，控制所述清洁腔室内的气压大于所述第一车间的气压，以及在打开所述出料门之前，控制所述清洁腔室内的气压小于所述第二车间的气压。

2.根据权利要求1所述的双开门半导体清洁设备，其特征在于，

所述气压控制装置包括鼓风部件，通过所述鼓风部件实现在打开所述进料门之前，控制所述清洁腔室内的气压大于所述第一车间的气压；和/或，

所述气压控制装置包括排风部件，通过所述排风部件实现在打开所述出料门之前，控制所述清洁腔室内的气压小于所述第二车间的气压。

3.根据权利要求1所述的双开门半导体清洁设备，其特征在于，所述气压控制装置包括第一气压检测部件、第二气压检测部件以及第三气压检测部件，所述第一气压检测部件配置为检测所述清洁腔室内的气压，所述第二气压检测部件配置为检测所述第一车间的气压，所述第三气压检测部件配置为检测所述第二车间的气压。

4.根据权利要求1所述的双开门半导体清洁设备，其特征在于，所述待清洁物料包括晶圆盒；所述双开门半导体清洁设备还包括位于所述清洁腔室内的清洗装置和干燥装置。

5.根据权利要求1所述的双开门半导体清洁设备，其特征在于，还包括：去静电装置；

所述去静电装置位于所述清洁腔室外部且位于所述出料门外侧；

所述去静电装置配置为在所述出料门打开时，向开门位置吹送离子风。

6.一种双开门半导体清洁设备的控制方法，其特征在于，所述双开门半导体清洁设备包括：清洁腔室、进料门、出料门、以及气压控制装置，所述进料门位于第一车间内，所述出料门位于第二车间内；所述方法包括：

在控制所述进料门打开之前，检测所述清洁腔室内的气压；

判断所述清洁腔室内的气压与所述第一车间的气压的大小关系；

若所述清洁腔室内的气压小于或等于所述第一车间的气压，则控制所述气压控制装置增大所述清洁腔室内的气压，直至所述清洁腔室内的气压大于所述第一车间的气压后，控制所述进料门打开；以及，

在控制所述出料门打开之前，检测所述清洁腔室内的气压；

判断所述清洁腔室内的气压与所述第二车间的气压的大小关系；

若所述清洁腔室内的气压大于或等于所述第二车间的气压，则控制所述气压控制装置减小所述清洁腔室内的气压，直至所述清洁腔室内的气压小于所述第二车间的气压后，控制所述出料门打开。

7.根据权利要求6所述的双开门半导体清洁设备的控制方法，其特征在于，

所述气压控制装置包括鼓风部件，所述控制所述气压控制装置增大所述清洁腔室内的气压，包括：控制所述鼓风部件向所述清洁腔室内鼓风以增大所述清洁腔室内的气压；和/或，

所述气压控制装置包括排风部件，所述控制所述气压控制装置减小所述清洁腔室内的气压，包括：控制所述排风部件排出所述清洁腔室内的气体以减小所述清洁腔室内的气压。

8.根据权利要求6所述的双开门半导体清洁设备的控制方法，其特征在于，所述双开门半导体清洁设备还包括去静电装置，所述去静电装置位于所述清洁腔室外部且位于所述出料门外侧；所述方法还包括：

在控制所述出料门打开的情况下，控制所述去静电装置向开门位置吹送离子风。

9.根据权利要求6所述的双开门半导体清洁设备的控制方法，其特征在于，所述双开门半导体清洁设备还包括位于所述清洁腔室内的清洗装置；所述方法还包括：

控制所述清洗装置中的旋转部件旋转以对待清洁物料进行清洗，且控制所述旋转部件旋转的转速不高于200rpm。

10.根据权利要求6所述的双开门半导体清洁设备的控制方法，其特征在于，所述方法还包括：

在所述双开门半导体清洁设备处于正常工作的状态下，若所述出料门处于打开状态，则控制所述进料门锁死；若所述进料门处于打开状态，则控制所述出料门锁死。