CN116981276A - 一种薄膜、电致发光器件、显示屏及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本申请公开一种薄膜、电致发光器件、显示屏及其制备方法，属于电致发光技术领域。本申请的薄膜的材料包括导电聚合物和温敏高分子化合物，所述温敏高分子化合物为分子内同时具有亲水基团和疏水基团的化合物。本申请能够在该薄膜的表面上通过溶液干燥形成新薄膜时，确保新薄膜的成膜均匀性。

Description

一种薄膜、电致发光器件、显示屏及其制备方法
技术领域
本申请涉及电致发光技术领域，具体涉及一种薄膜、电致发光器件、电致发光显示屏及其制备方法。
背景技术
现有量子点电致发光(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)器件/有机电激光显示(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)器件均为有机无机复合器件，即空穴注入与传输是有机材料，电子注入与传输为无机材料。在实际喷墨打印这种结构的QLED器件/OLED器件时，我们发现无法确保发光层(尤其是QLED器件的量子点发光层)的成膜均匀性，进行影响这些QLED器件/OLED器件用于显示时的发光效果。
发明内容
有鉴于此，本申请提供一种薄膜、电致发光器件、电致发光显示屏及其制备方法，旨在改善现有的电致发光器件结构无法在喷墨打印、溶液涂覆等溶液法沉积薄膜时确保发光层的成膜均匀性的技术问题。
本申请实施例是这样实现的，一种薄膜，所述薄膜的材料包括导电聚合物和温敏高分子化合物，所述温敏高分子化合物为分子内同时具有亲水基团和疏水基团的化合物。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜的材料由所述导电聚合物和所述温敏高分子化合物组成。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述薄膜内，沿着所述薄膜的厚度方向，所述温敏高分子化合物的分布逐渐变大或变小。
可选的，在本申请的一些实施例中，以所述薄膜的总质量计，所述温敏高分子化合物在所述薄膜中的质量分数为3～10％wt。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述预设温度响应范围为28～35℃；和/或，所述温敏高分子化合物为聚(N-异丙基丙烯酰胺)。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述导电聚合物包括苯胺单体、噻吩单体以及芴类单体中的任意一种形成的均聚物或任意组合形成的共聚物；和/或，所述导电聚合物为可交联的聚合物。
本申请还提供一种电致发光器件，包括层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层、阴极，其中，所述空穴传输层为上述的薄膜。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述空穴传输层的厚度为10nm～50nm。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述发光层包括量子点，所述量子点选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述电致发光器件在所述阳极和所述空穴传输层之间还设置有空穴注入层；和或，所述电致发光器件在所述阴极和所述发光层之间还设置有电子传输层。
本申请还提供一种显示屏，包括若干像素，每一所述像素为上述的电致发光器件。
相应的，本申请实施例还提供一种电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：提供阳极基板；提供包括导电聚合物与温敏高分子化合物的有机溶液，将所述有机溶液设置于所述阳极基板上形成膜层后，对所述膜层进行干燥处理，得到空穴传输层；在所述空穴传输层上设置发光层；在所述发光层设置阴极；其中，所述温敏高分子化合物的分子内具有亲水基团和疏水基团。
可选的，在本申请的一些实施例中，通过溶液法将所述有机溶液设置于所述阳极基板上形成所述膜层。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述干燥处理包括第一干燥处理，所述第一干燥处理为真空减压干燥处理，所述真空减压干燥处理时的工作温度为35℃～80℃，持续时间为2min～15min。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述干燥处理还包括第二干燥处理，所述第二干燥处理为高温退火处理，所述高温退火处理时的工作温度为100℃～250℃，持续时间为5min～60min。
可选的，在本申请的一些实施例中，以所述空穴传输层的总质量计，所述温敏高分子化合物在所述空穴传输层中的质量分数为3～10％wt。
可选的，在本申请的一些实施例中，所述温敏高分子化合物的温度响应范围为28～35℃；和/或，所述温敏高分子化合物为聚(N-异丙基丙烯酰胺)。
可选的，在本申请的一些实施例中，还包括以下步骤：在所述阳极基板和所述空穴传输层之间设置空穴注入层；和或，在所述阴极和所述发光层之间设置电子传输层。
在本申请中，其薄膜的材料包括导电聚合物和温敏高分子化合物。由于温敏高分子化合物的分子内同时具有亲水基团和疏水基团，其会在一温度响应范围内产生亲水/疏水间的可逆构象变化，具体体现在当温敏高分子化合物的温度高于其温度响应范围时，温敏高分子化合物会使得该薄膜的表面处于疏水状态。因而，当在该薄膜的表面上通过溶液干燥形成新薄膜时，可利用溶液干燥过程中使得温敏高分子化合物的温度高于其温度响应范围时，温敏高分子化合物会使得该薄膜的表面处于疏水状态的特性，来利于新薄膜的成膜调控，进而能够确保新薄膜的成膜均匀性。同时，当该薄膜用作电致发光器件的空穴传输层时，亦可利用温敏高分子化合物在发光层溶液干燥形成发光层(尤其是QLED器件的量子点发光层)时，使得当前空穴传输层的表面处于疏水状态的特性，来利于发光层的成膜调控，进而确保发光层(尤其是QLED器件的量子点发光层)的成膜均匀性。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本申请实施例提供的薄膜的结构示意图。
图2是本申请实施例提供的薄膜的制备方法的流程框图。
图3是本申请实施例提供的电致发光器件的结构示意图。
图4是图3所示电致发光器件的另一种结构示意图。
图5是本申请实施例提供的电致发光器件的制备方法的流程框图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”具体为附图中的图面方向。另外，在本申请的描述中，术语“包括”是指“包括但不限于”。本发明的各种实施例可以以一个范围的形式存在；应当理解，以一范围形式的描述仅仅是因为方便及简洁，不应理解为对本发明范围的硬性限制；因此，应当认为所述的范围描述已经具体公开所有可能的子范围以及该范围内的单一数值。例如，应当认为从1到6的范围描述已经具体公开子范围，例如从1到3，从1到4，从1到5，从2到4，从2到6，从3到6等，以及所述范围内的单一数字，例如1、2、3、4、5及6，此不管范围为何皆适用。另外，每当在本文中指出数值范围，是指包括所指范围内的任何引用的数字(分数或整数)。
现有量子点电致发光(Quantum Dot Light Emitting Diodes，简称QLED)器件/有机电激光显示(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)器件均为有机无机复合器件，即空穴注入与传输是有机材料，电子注入与传输为无机材料。在实际喷墨打印这种结构的QLED器件/OLED器件时，我们发现无法确保发光层(尤其是QLED器件的量子点发光层)的成膜均匀性，进而影响这些QLED器件/OLED器件用于显示时的发光效果。
基于此，有必要提供一种新的电致发光器件的结构解决方案，以改善现有的电致发光器件结构无法在喷墨打印、溶液涂覆等溶液法沉积薄膜时确保发光层的成膜均匀性的技术问题。
在一个实施例中，如图1所示，本实施例提供一种薄膜100，该薄膜100的材料包括导电聚合物110和温敏高分子化合物120，温敏高分子化合物120为分子内同时具有亲水基团和疏水基团的化合物。
需要说明的是，图1仅为薄膜100内各化合物混合的简单示意，而非薄膜100的实际结构。上述导电聚合物主要是具有导电性的一类聚合材料，可以是本身具有导电功能或掺杂其他材料后也具有导电功能的一种聚合物材料，也可以通过填充复合材料，表面混合或层压普通聚合物材料和各种导电材料获得导电性。上述导电聚合物具体可以包括苯胺单体、噻吩单体以及芴类单体中的任意一种形成的均聚物或任意组合形成的共聚物。
这样一来，由于温敏高分子化合物120的分子内同时具有亲水基团和疏水基团，其会在一温度响应范围内产生亲水/疏水间的可逆构象变化，具体体现在当温敏高分子化合物120的温度高于其温度响应范围时，温敏高分子化合物会使得该薄膜100的表面处于疏水状态。因而，当在本申请实施例的薄膜100的表面上通过溶液干燥形成新薄膜时，可利用溶液干燥过程中使得温敏高分子化合物120的温度高于其温度响应范围时，温敏高分子化合物120会使得该薄膜100的表面处于疏水状态的特性，来利于新薄膜的成膜调控，进而能够确保新薄膜的成膜均匀性。同时，当该薄膜100用作电致发光器件的空穴传输层时，亦可利用温敏高分子化合物在发光层溶液干燥形成发光层(尤其是QLED器件的量子点发光层)时，使得当前空穴传输层的表面处于疏水状态的特性，来利于发光层的成膜调控，进而确保发光层(尤其是QLED器件的量子点发光层)的成膜均匀性。
在一些示例中，如图1所示，该薄膜100的材料仅由导电聚合物110和温敏高分子化合物120组成，以通过两者混合形成该薄膜100。
在一些示例中，如图1所示，该薄膜100内，沿着薄膜100的厚度方向，温敏高分子化合物120的分布逐变大或变小，即以图1所示方向，越往上，温敏高分子化合物120的分布越大，越往下，温敏高分子化合物120的分布越小，这样可使得温敏高分子化合物120的分布主要集中在薄膜100的表面(具体可为图1所示的上表面)，以便于薄膜100的表面更好地在温敏高分子化合物120的作用下，处于疏水状态。
在一些示例中，如图1所示，以薄膜100的总质量计，温敏高分子化合物120在薄膜100中的质量分数为3～10％wt，相应的，导电聚合物110在薄膜100中的质量分数为90～97％wt。温敏高分子化合物120的温度响应范围具体可为28～35℃，即温敏高分子化合物120的温度响应范围优选为28～35℃，此时，该温敏高分子化合物120具体可为聚(N-异丙基丙烯酰胺)。由于聚(N-异丙基丙烯酰胺)的分子内同时具有亲水性的酰氨基和疏水性的异丙基，其在28℃～35℃的温度响应范围内会产生亲水/疏水间的可逆构象变化。即当周围的温度低于该温度响应范围时，聚(N-异丙基丙烯酰胺)的高分子链中酰氨基与周围水分子间存在着强烈的氢键作用力(亲水作用力)，使高分子链与溶剂具有较好的亲和性，此时聚(N-异丙基丙烯酰胺)的高分子链呈现出伸展状态，具有一定的亲水特性。而当周围的温度高于该温度响应范围时，水分子与酰氨基之间的亲水作用力减弱，聚(N-异丙基丙烯酰胺)的高分子链中异丙基间的疏水作用力得以加强，使高分子链中的疏水作用逐渐加强并起主导作用，进而使得高分子链通过疏水作用互相聚集，形成疏水层，此时，聚(N-异丙基丙烯酰胺)的高分子链由疏松的线团结构转变为紧密的胶粒状，具有一定的疏水水特性。由于在溶液干燥形成新薄膜时，其工作温度一般都高于该温度响应范围，因而，当在该薄膜100的表面上通过溶液干燥形成新薄膜时，可利用聚(N-异丙基丙烯酰胺)在溶液干燥过程中，其温度高于其临界温度，使得薄膜100的表面处于疏水状态的特性，来利于新薄膜的成膜调控，进而能够确保新薄膜的成膜均匀性。同时，当该薄膜100用作电致发光器件的空穴传输层时，亦可利用聚(N-异丙基丙烯酰胺)在发光层溶液干燥形成发光层(尤其是QLED器件的量子点发光层)时，使得当前空穴传输层的表面处疏水状态的特性，来利于发光层的成膜调控，进而确保发光层(尤其是QLED器件的量子点发光层)的成膜均匀性。除此之外，上述温敏高分子化合物120亦可以是其它温度响应范围与聚(N-异丙基丙烯酰胺)相接近的温敏高分子化合物。
在一些示例中，上述导电聚合物110具体可为可交联的聚合物，即表明该导电聚合物内含有交联基团(交联基团就是未发生反应的官能团，即链状高分子通过其它功能团在一定条件下形成的网状聚合物，可降低高分子在溶剂的可溶性，能够在高温等条件下进一步发生化学反应，交联基团具体可以是双键、环丁烯、或环氧基团)。由于制备双层薄膜时会有界面互溶问题，而薄膜100的材料包括导电聚合物110和温敏高分子化合物120，上述导电聚合物110为可交联的聚合物，则可有效避免在上述薄膜100上设置新薄膜时，对上述薄膜100的表面造成破坏。另外，可通过不含交联基团的导电结构单元(如苯胺单体、噻吩单元、或者芴单元等)与含有交联基团(如双键、环丁烯、或者环氧基团等)的导电结构单元(如苯胺单体、噻吩单元、或者芴单元等)或非导电结构单元(如苯乙烯基或亚甲基等)共聚形成上述的可交联的聚合物，其中含有交联基团的结构单元在相应聚合物中的占比可以为1～5％。
在一些示例中，导电聚合物110与温敏高分子化合物120共混形成薄膜100的总厚度具体可在10nm～50nm，以满足相应电致发光器件对空穴传输层的要求。
在一个实施例中，如图2所示，本实施例提供一种薄膜的制备方法，该制备方法包括以下步骤：
步骤S110：提供基板。
具体地，本实施例的制备方法主要应用于上述实施例中薄膜100的制备过程中，因而，以图1的薄膜100为例，对本实施例的各方法步骤进行相应说明。
需要说明的是，基板主要作为制备薄膜100的载体，故图1所示制作完成的薄膜100并未图示该基板。
步骤S120：提供包括导电聚合物与温敏高分子化合物的有机溶液，将有机溶液设置于基板上形成膜层后，对该膜层进行干燥处理，得到薄膜。
具体地，如图1所示，提供包括导电聚合物110与温敏高分子化合物120的有机溶液，将有机溶液设置于基板上形成膜层，其具体设置方式可以是通过溶液法将有机溶液设置于基板上形成膜层，上述溶液法具体可以是旋涂、喷墨打印或狭缝式涂布的方式将有机溶液设置于基板上形成膜层。
当形成膜层后，便可对该膜层进行干燥处理，来得到薄膜100，该干燥处理具体可包括第一干燥处理与第二干燥处理。其中，第一干燥处理具体可为真空减压干燥处理，该真空减压干燥处理时的工作温度为35℃～80℃，持续时间为2min～15min。第二干燥处理具体可为高温退火处理，该高温退火处理时的工作温度为100℃～250℃，持续时间为5min～60min。这里通过设置两次干燥处理来得到薄膜100的目的在于，可在第一干燥处理时先形成薄膜100的雏形(在该雏形中，温敏高分子化合物120会在其表面(具体可以是图1所示的上表面)聚集，即越临近其表面，温敏高分子化合物的分布越大)，再在第二干燥处理时除掉该雏形内多余的溶剂，来得到薄膜100，最终得到的薄膜100内，沿着薄膜100的厚度方向，温敏高分子化合物120的分布逐渐变大或变小。另外，由于第一干燥处理采用的是真空减压干燥处理，该真空减压干燥处理时的工作温度为35℃～80℃，即可在比较低的温度下实现膜层的初步干燥处理来形成薄膜100的雏形，这样可利于薄膜100的成膜调控，确保薄膜100的成膜均匀性，且可避免此过程中过高的温度给温敏高分子化合物120带来的不良影响。
上述导电聚合物110优选包括苯胺单体、噻吩单体以及芴类单体中的任意一种形成的均聚物或任意组合形成的共聚物。上述温敏高分子化合物120为分子内同时具有亲水基团和疏水基团的化合物，该温敏高分子化合物120的温度响应范围具体可为28～35℃，该温敏高分子化合物120具体可为聚(N-异丙基丙烯酰胺)，且以薄膜100的总质量计，温敏高分子化合物120在薄膜100中的质量分数为3～10％wt，相应的，导电聚合物110在薄膜100中的质量分数为90～97％wt。最终制备出来的空穴传输层220的总厚度具体可在10nm～50nm。
同时，上述导电聚合物110具体可为可交联的聚合物，即其聚合物内含有交联基团，可有效避免在上述薄膜100上设置新薄膜时，对上述薄膜100的表面造成破坏。
由于本申请的温敏高分子化合物120的分子内同时具有亲水基团和疏水基团，其会在一温度响应范围内产生亲水/疏水间的可逆构象变化，具体体现在当温敏高分子化合物120的温度高于其温度响应范围时，温敏高分子化合物会使得该薄膜100的表面处于疏水状态。因而，当在本申请实施例制备出来的薄膜100的表面上通过溶液干燥形成新薄膜时，可利用溶液干燥过程中使得温敏高分子化合物120的温度高于预设温度响应范围时，温敏高分子化合物120会使得该薄膜100的表面处于疏水状态的特性，来利于新薄膜的成膜调控，进而能够确保新薄膜的成膜均匀性。同时，当该薄膜100用作电致发光器件的空穴传输层时，亦可利用温敏高分子化合物在发光层溶液干燥形成发光层(尤其是QLED器件的量子点发光层)时，使得当前空穴传输层的表面处于疏水状态的特性，来利于发光层的成膜调控，进而确保发光层(尤其是QLED器件的量子点发光层)的成膜均匀性。
在一个实施例中，如图3所示，本实施例提供一种电致发光器件，该电致发光器件200包括层叠设置的阳极210、空穴传输层220、发光层230、阴极240，其中，空穴传输层220具体可为上述实施例中的薄膜100，且该空穴传输层的厚度为10nm～50nm。
需要说明的是，图3仅为电致发光器件的各层布局的简单示意，而非电致发光器件的实际结构。该电致发光器件具体可以是QLED器件，亦可以是OLED器件，当该电致发光器件为QLED器件时，该发光层230具体可包括量子点，该量子点选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，单一结构量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，该II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，该III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种，该I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种。该核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，该核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种。
这样一来，本申请实施例的电致发光器件200，其空穴传输层220由于选用了上述的薄膜100，可利用温敏高分子化合物在发光层溶液干燥形成发光层230(尤其是QLED器件的量子点发光层)时，使得当前空穴传输层220的表面处于疏水状态的特性，来利于发光层230的成膜调控，进而确保发光层230(尤其是QLED器件的量子点发光层)的成膜均匀性。
在一些示例中，如图4所示，电致发光器件200在阳极210和空穴传输层220之间优选还设置有空穴注入层250；和或，电致发光器件200在阴极240和发光层230之间优选还设置有电子传输层260，以实现电致发光器件200的基本发光功能。
在一个实施例中，本实施例提供一种显示屏，包括若干像素，每一像素为上述的电致发光器件200。由于电致发光器件200用于显示时，其会对发光层230的成膜均匀性提出更高的要求，以确保本显示屏的显示效果。因而，本申请实施例的显示屏的像素采用了上述的电致发光器件，其空穴传输层220可利用温敏高分子化合物在发光层溶液干燥形成发光层230(尤其是QLED器件的量子点发光层)时，使得当前空穴传输层220的表面处于疏水状态的特性，来利于发光层230的成膜调控，进而确保发光层230(尤其是QLED器件的量子点发光层)的成膜均匀性，从而，确保本显示屏的显示效果。
在一个实施例中，如图5所示，本实施例提供一种电致发光器件的制备方法，该制备方法具体包括以下步骤：
步骤S210：提供阳极基板。
具体地，本实施例的制备方法主要应用于上述实施例中电致发光器件的制备过程中，因而，以图3的电致发光器件200为例，对本实施例的各方法步骤进行相应说明。
如图3所示，提供阳极基板，该阳极基板具体可以是蒸镀或溅射有阳极210的基板，当制备的电致发光器件为底发射结构时，该阳极可以是ITO、IZO、AZO、IGZO等导电透明氧化物，当制备的量子点电致发光器件为顶发射结构时，该阳极也可以是Ag、Au、Al、Mg等金属以及金属合金。
步骤S220：提供包括导电聚合物与温敏高分子化合物的有机溶液，将有机溶液设置于阳极基板上形成膜层后，对膜层进行干燥处理，得到空穴传输层。
具体地，如图3所示，提供包括导电聚合物与温敏高分子化合物的有机溶液，将该有机溶液设置于阳极基板的阳极210上形成膜层，其具体设置方式可以是通过溶液法的方式将有机溶液设置于阳极基板的阳极210上形成膜层，上述溶液法具体可以是旋涂、喷墨打印或狭缝式涂布的方式将有机溶液设置于基板上形成膜层。
当形成膜层后，便可对该膜层进行干燥处理，来得到空穴传输层220，该干燥处理具体可包括第一干燥处理与第二干燥处理。其中，第一干燥处理具体可为真空减压干燥处理，该真空减压干燥处理时的工作温度为35℃～80℃，持续时间为2min～15min。第二干燥处理具体可为高温退火处理，该高温退火处理时的工作温度为100℃～250℃，持续时间为5min～60min。这里通过设置两次干燥处理来得到空穴传输层220的目的在于，可在第一干燥处理时先形成空穴传输层220的雏形(在该雏形中，温敏高分子化合物120会在其表面(具体可以是图3所示的上表面)聚集，即越临近其表面，温敏高分子化合物的分布越大)，再在第二干燥处理时除掉该雏形内多余的溶剂，来得到空穴传输层220，最终得到的空穴传输层220内，沿着空穴传输层220的厚度方向，温敏高分子化合物的分布逐渐变大或变小。另外，由于第一干燥处理采用的是真空减压干燥处理，该真空减压干燥处理时的工作温度为35℃～80℃，即可在比较低的温度下实现膜层的初步干燥处理来形成空穴传输层220的雏形，这样可利于空穴传输层220的成膜调控，确保空穴传输层220的成膜均匀性，且可避免此过程中过高的温度给温敏高分子化合物带来的不良影响。
上述导电聚合物优选包括苯胺单体、噻吩单体以及芴类单体中的任意一种形成的均聚物或任意组合形成的共聚物。上述温敏高分子化合物为分子内同时具有亲水基团和疏水基团的化合物，该温敏高分子化合物的温度响应范围具体可为28～35℃，该温敏高分子化合物具体可为聚(N-异丙基丙烯酰胺)，且以薄膜100的总质量计，温敏高分子化合物在空穴传输层220中的质量分数为3～10％wt，相应的，导电聚合物在空穴传输层220中的质量分数为90～97％wt。。最终制备出来的空穴传输层220的总厚度具体可在10nm～50nm。
同时，上述导电聚合物具体可为可交联的聚合物，即其聚合物内含有交联基团，可有效避免在上述空穴传输层220上设置发光层230时，对上述空穴传输层220的表面造成破坏。
步骤S230：在空穴传输层上设置发光层。
具体地，如图3所示，在空穴传输层220上设置发光层230，具体可以是将含有发光层材料的化合物溶液喷墨打印在空穴传输层220上，由于空穴传输层220的温敏高分子化合物具体可为聚(N-异丙基丙烯酰胺)，该聚(N-异丙基丙烯酰胺)的质量分数优选为3～10％wt，且该聚(N-异丙基丙烯酰胺)以28℃～35℃作为温度响应范围，当高于该温度响应范围，可使得空穴传输层220的表面处于对疏水状态。
这样一来，当此时进行真空减压干燥处理或烘烤干燥处理时，真空减压干燥时的温度为35～80℃，烘烤干燥处理时的温度为80-180℃，均高于该临界温度，此时，上述温敏高分子化合物可使得空穴传输层220的表面处于疏水状态，以利于发光层230(尤其是QLED器件的量子点发光层)的成膜调控，进而确保发光层230(尤其是QLED器件的量子点发光层)的成膜均匀性。
另外，上述电致发光器件为QLED器件时，上述发光层材料具体可包括量子点，该量子点选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，单一结构量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，该II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，该III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种，该I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种。该核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，该核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种。上述化合物溶液的溶剂具体可包括甲苯、氯苯以及环己基苯中的任意一种，或者其它含有芳香烃的化合物，最终制备出来的发光层230的厚度具体可为10nm～50nm。
步骤S240：在发光层设置阴极。
具体地，如图3所示，在发光层230上制备阴极240，具体可以是通过蒸镀或溅射工艺在发光层230上设置阴极240，阴极240可以是Al、Ag、Mg等金属电极。当制备的电致发光器件为底发射结构时，该阴极240的厚度优选为80nm～150nm，当制备的电致发光器件为顶发射结构时，该阴极240的厚度优选为5nm～40nm。
这样一来，本申请实施例的电致发光器件的制备方法，其制备出来的电致发光器件，其空穴传输层220可利用温敏高分子化合物在发光层溶液干燥形成发光层(尤其是QLED器件的量子点发光层)时，使得当前空穴传输层220的表面处于疏水状态的特性，来利于发光层230的成膜调控，进而确保发光层230(尤其是QLED器件的量子点发光层)的成膜均匀性。
另外，请参阅图4，本实施例的电致发光器件的制备方法，还可在阳极基板和空穴传输层220之间设置空穴注入层250，其具体过程可以是，先在阳极基板210上设置空穴注入层250(具体设置过程可以是，将含有空穴注入材料的溶液喷墨打印在阳极基板的阳极210上，并进行烘烤干燥处理，以得到空穴注入层，烘烤干燥处理的烘烤温度为180℃～250℃，空穴注入层的厚度具体可为10nm～60nm。上述空穴注入材料包括聚噻吩、聚苯胺等导电高分子材料及其衍生物，除了可采用喷墨打印的方式外，其还可采用旋涂的方式或狭缝式涂布的方式将空穴注入材料设置在阳极基板的阳极210上)，再通过上述方法步骤的方式在空穴注入层250上设置空穴传输层220。
还有，请参阅图4，本实施例的电致发光器件的制备方法，亦可在阴极240和发光层230之间设置电子传输层260，先在发光层230上设置电子传输层260(具体设置过程可以是，将含有电子传输材料的溶液喷墨打印在发光层230上，并进行烘烤干燥处理，以得到电子传输层260。其中，该电子传输材料为金属氧化物ZnxMgyO，其中x是0.9，y是0.1。上述烘烤干燥处理的烘烤温度优选为60℃～150℃，最终制备出来的电子传输层260的厚度具体可为10nm～100nm，除了可采用喷墨打印的方式外，其还可采用旋涂的方式或狭缝式涂布的方式将含有电子传输材料的溶液设置在发光层230上)，再通过上述方法步骤的方式在电子传输层260上设置阴极240。
下面通过具体实施例、对比例和实验例对本申请的技术方案及技术效果进行详细说明，以下实施例仅仅是本申请的部分实施例，并非对本申请作出具体限定。
实施例1
本实施例提供了一种电致发光器件及其制备方法，电致发光器件结构组成参阅图4，本实施例的电致发光器件包括依次层叠设置的阳极210、空穴注入层250、空穴传输层220、发光层230、电子传输层260以及阴极240。
本实施例中电致发光器件的制备方法包括如下步骤：
在阳极基板的阳极210上设置空穴注入层250，该空穴注入层250的材料为聚噻吩，空穴注入层250的厚度为40nm；
在空穴注入层250上设置空穴传输层220，具体为，提供包括导电聚合物(具体为苯胺单体与含有双键的苯胺单体共聚形成的可交联的共聚物，其中含有双键的苯胺单体在该共聚物中的摩尔比为3％)与温敏高分子化合物(具体为聚(N-异丙基丙烯酰胺))的有机溶液，将该有机溶液设置于基板上形成膜层后，对膜层依次进行真空减压干燥处理(工作温度具体为60℃，持续时间为10min)及高温退火处理(工作温度具体为150℃，持续时间为15min)，得到空穴传输层220，其厚度为40nm，且以空穴传输层220的总质量计，聚(N-异丙基丙烯酰胺)在空穴传输层220中的质量分数为10％wt；
在空穴传输层220上设置发光层230，发光层230具体为QLED器件的量子点发光层，其采用的量子点材料为CdZnSe，厚度为40nm；
在发光层230上制备电子传输层260，该电子传输层260材料为金属氧化物ZnxMgyO，其中x是0.9，y是0.1，该电子传输层260的厚度为80nm。
在该电子传输层260上设置阴极240，该阴极240为Al阴极，该阴极240的厚度为120nm。
经实验测得，本实施例的电致发光器件，其发光层230的成膜均匀性为85％，其在1000nits下电流效率是38cd/A，衰减5％的寿命是8000h。
实施例2
本实施例2的电致发光器件与实施例1的电致发光器件不同之处仅在与其设置的空穴传输层220的膜层设置不同，具体为，实施例1的空穴传输层220中，以空穴传输层220的总质量计，聚(N-异丙基丙烯酰胺)在空穴传输层220中的质量分数为10％wt，而本实施例2的空穴传输层220中，以空穴传输层220的总质量计，聚(N-异丙基丙烯酰胺)在空穴传输层220中的质量分数为5％wt。
经实验测得，本实施例的电致发光器件，其发光层230的成膜均匀性为84％，其在1000nits下电流效率是37cd/A，衰减5％的寿命是7900h。
实施例3
本实施例3的电致发光器件与实施例1的电致发光器件不同之处仅在与其设置的空穴传输层220的膜层设置不同，具体为，实施例1的空穴传输层220中，以空穴传输层220的总质量计，聚(N-异丙基丙烯酰胺)在空穴传输层220中的质量分数为10％wt，而本实施例3的空穴传输层220中，以空穴传输层220的总质量计，聚(N-异丙基丙烯酰胺)在空穴传输层220中的质量分数为3％wt。
经实验测得，本实施例的电致发光器件，其发光层230的成膜均匀性为83％，其在1000nits下电流效率是37cd/A，衰减5％的寿命是7800h。
实施例4
本实施例4的电致发光器件与实施例1的电致发光器件不同之处仅在与其设置的空穴传输层220的膜层设置不同，具体为，实施例1的空穴传输层220中，以空穴传输层220的总质量计，聚(N-异丙基丙烯酰胺)在空穴传输层220中的质量分数为10％wt，而本实施例4的空穴传输层220中，以空穴传输层220的总质量计，聚(N-异丙基丙烯酰胺)在空穴传输层220中的质量分数为1％wt。
经实验测得，本实施例的电致发光器件，其发光层230的成膜均匀性为76％，其在1000nits下电流效率是36cd/A，衰减5％的寿命是7000h。
实施例5
本实施例5的电致发光器件与实施例1的电致发光器件不同之处仅在与其设置的空穴传输层220的膜层设置不同，具体为，实施例1的空穴传输层220中的导电聚合物具体为苯胺单体与含有双键的苯胺单体共聚形成的可交联的共聚物，其中含有双键的苯胺单体在该共聚物中的摩尔比为3％，而本实施例5的空穴传输层220中的导电聚合物具体为苯胺单体形成的非交联的均聚物。
经实验测得，本实施例的电致发光器件，其发光层230的成膜均匀性为75％，其在1000nits下电流效率是36cd/A，衰减5％的寿命是7000h。
对比例1
本对比例1的电致发光器件与实施例1的电致发光器件不同之处仅在与其设置的空穴传输层220的不同，同时，其空穴传输层的设置方式如下：在空穴注入层250上采用喷墨打印方式设置空穴传输层220，该空穴传输层220的材料仅为聚苯胺形成的均聚物，其空穴传输层220的厚度为40nm，即对比例1的空穴传输层采用的是常规制备的常规结构。
经实验测得，本对比例的电致发光器件，其发光层的成膜均匀性为70％，其在1000nits下电流效率是35cd/A，衰减5％的寿命是6000h。
通过对比例1与实施例1-5的比对，可说明本申请实施例的制备方法制备所得的电致发光器件相对于传统电致发光器件，其发光层的成膜均匀性、电流效率(即器件性能)及使用寿命均得到大大提高。通过实施例1-5的比对，可说明当其空穴传输层220的导电聚合物为可交联的聚合物，温敏高分子化合物在空穴传输层220中的质量分数均在上述权要给出的值范围内时，其发光层的成膜均匀性、电流效率(即器件性能)及使用寿命均得到大幅提高。而当其空穴传输层220的导电聚合物为非交联的聚合物，温敏高分子化合物在空穴传输层220中的质量分数不在上述权要给出的值范围内时，其发光层的成膜均匀性、电流效率(即器件性能)及使用寿命的提升效果均存在不同程度的下降。
以上对本申请实施例所提供的空穴传输层、量子点电致发光器件及其制备方法进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。

Claims (18)

1.一种薄膜，其特征在于，所述薄膜的材料包括导电聚合物和温敏高分子化合物，所述温敏高分子化合物为分子内同时具有亲水基团和疏水基团的化合物。
2.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜的材料由所述导电聚合物和所述温敏高分子化合物组成。
3.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述薄膜内，沿着所述薄膜的厚度方向，所述温敏高分子化合物的分布逐渐变大或变小。
4.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，以所述薄膜的总质量计，所述温敏高分子化合物在所述薄膜中的质量分数为3～10％wt。
5.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述温敏高分子化合物的温度响应范围为28～35℃；
和/或，所述温敏高分子化合物为聚(N-异丙基丙烯酰胺)。
6.根据权利要求1所述的薄膜，其特征在于，所述导电聚合物包括苯胺单体、噻吩单体以及芴类单体中的任意一种形成的均聚物或任意组合形成的共聚物；和/或，所述导电聚合物为可交联的聚合物。
7.一种电致发光器件，其特征在于，包括层叠设置的阳极、空穴传输层、发光层、阴极，其中，所述空穴传输层为如权利要求1～6任一项所述的薄膜。
8.根据权利要求7所述的电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的厚度为10nm～50nm。
9.根据权利要求7所述的电致发光器件，其特征在于，所述发光层包括量子点，所述量子点选自单一结构量子点及核壳结构量子点中的至少一种，所述单一结构量子点选自II-VI族化合物、III-V族化合物和I-III-VI族化合物中的至少一种，所述II-VI族化合物选自CdSe、CdS、CdTe、ZnSe、ZnS、CdTe、ZnTe、CdZnS、CdZnSe、CdZnTe、ZnSeS、ZnSeTe、ZnTeS、CdSeS、CdSeTe、CdTeS、CdZnSeS、CdZnSeTe及CdZnSTe中的至少一种，所述III-V族化合物选自InP、InAs、GaP、GaAs、GaSb、AlN、AlP、InAsP、InNP、InNSb、GaAlNP及InAlNP中的至少一种，所述I-III-VI族化合物选自CuInS2、CuInSe2及AgInS2中的至少一种；所述核壳结构的量子点的核选自上述单一结构量子点中的任意一种，所述核壳结构的量子点的壳层材料选自CdS、CdTe、CdSeTe、CdZnSe、CdZnS、CdSeS、ZnSe、ZnSeS和ZnS中的至少一种。
10.根据权利要求7～9任一项所述的电致发光器件，其特征在于，所述电致发光器件在所述阳极和所述空穴传输层之间还设置有空穴注入层；和/或，所述电致发光器件在所述阴极和所述发光层之间还设置有电子传输层。
11.一种显示屏，其特征在于，包括若干像素，每一所述像素为如权利要求1～10任一项所述的电致发光器件。
12.一种电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供阳极基板；
提供包括导电聚合物与温敏高分子化合物的有机溶液，将所述有机溶液设置于所述阳极基板上形成膜层后，对所述膜层进行干燥处理，得到空穴传输层；
在所述空穴传输层上设置发光层；
在所述发光层设置阴极；
其中，所述温敏高分子化合物为分子内同时具有亲水基团和疏水基团的化合物。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，通过溶液法将所述有机溶液设置于所述阳极基板上形成所述膜层。
14.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述干燥处理包括第一干燥处理，所述第一干燥处理为真空减压干燥处理，所述真空减压干燥处理时的工作温度为35℃～80℃，持续时间为2min～15min。
15.根据权利要求14所述的制备方法，其特征在于，所述干燥处理还包括第二干燥处理，所述第二干燥处理为高温退火处理，所述高温退火处理时的工作温度为100℃～250℃，持续时间为5min～60min。
16.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，以所述空穴传输层的总质量计，所述温敏高分子化合物在所述空穴传输层中的质量分数为3～10％wt。
17.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述温敏高分子化合物的温度响应范围为28～35℃；
和/或，所述温敏高分子化合物为聚(N-异丙基丙烯酰胺)。
18.根据权利要求12～17任一项所述的制备方法，其特征在于，还包括以下步骤：
在所述阳极基板和所述空穴传输层之间设置空穴注入层；和或，在所述阴极和所述发光层之间设置电子传输层。
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