CN116979911A - 一种放大器结构、控制方法、芯片及电子设备 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种放大器结构、控制方法、芯片及电子设备，属于电子电路技术领域，放大器结构包括逻辑控制电路、旁路开关电路以及放大器电路；逻辑控制电路，接收外部触发信号生成工作状态切换信号；工作状态切换信号包括第一控制信号α以及第二控制信号β；旁路开关电路和放大器电路并联在射频输入端口Rfin和射频输出端口Rfout，第一控制信号α旁路开关电路的通断，第二控制信号β控制放大器电路的通断。由于第一控制信号α和第二控制信号β同时生成，即同时控制旁路开关电路和放大器电路的通断，无需进行分别控制，便于旁路开关电路和放大器电路快速切换至所需工作状态，实现了便于对旁路开关电路和放大器电路控制的有益效果。

Description

一种放大器结构、控制方法、芯片及电子设备

技术领域

本发明涉及电子电路技术领域，尤其是涉及一种放大器结构、控制方法、芯片及电子设备。

背景技术

放大器是把输入信号的电压或功率进行放大的装置，由电子管或晶体管、电源变压器和其他电器元件组成。广泛应用于通讯、广播、雷达、电视、自动控制等装置中。

目前，为了提高放大器的可靠性和灵活性，以保护放大器并控制增益，通常会给放大器中的放大器电路配置旁路电路，如何对旁路电路以及放大器电路进行控制，以便放大器满足相关使用需求是目前亟待解决的问题。

发明内容

为了便于对放大器电路和旁路电路进行控制，本申请提供了一种放大器结构、控制方法、芯片及电子设备。

第一方面，本申请提供的一种放大器结构，采用如下的技术方案：

一种放大器结构，包括：逻辑控制电路、旁路开关电路以及放大器电路；

逻辑控制电路，接收外部触发信号，以生成工作状态切换信号；其中，所述工作状态切换信号包括第一控制信号α以及第二控制信号β；所述第一控制信号α控制所述放大器电路的通断，所述第二控制信号β控制旁路开关电路的通断；

所述旁路开关电路与所述放大器电路并联设置在射频输入端口Rfin和射频输出端口Rfout之间。

通过采用上述技术方案，利用逻辑控制电路生成工作状态切换信号，能够同时得到第一控制信号α和第二控制信号β，由第一控制信号α控制并联于射频输入端口Rfin和射频输出端口Rfout之间的旁路开关电路的通断，由第二控制信号β控制放大器电路的通断，从而使得旁路开关电路和放大器电路能够快速切换至所需的工作状态，进而便于对旁路开关电路和放大器电路进行控制。

可选的，所述外部触发信号包括第一触发信号Va以及第二触发信号Vb，所述逻辑控制电路包括第一非门N1、第二非门N2、与门A1以及第一晶体管Q1；

所述第一非门N1的输入端连接于旁路开关电路以及第一触发信号Va、输出端连接于与门A1的第一输入端；

所述第二非门N2的输入端用于连接于第二触发信号Vb、输出端连接于与门A1的第二输入端；

所述与门A1的输出端连接于第一晶体管Q1的栅极；

所述第一晶体管Q1的漏极连接于电路电源VDD、源极连接于放大器电路。

通过采用上述技术方案，第一非门N1的输入端连接于旁路开关电路且第一非门N1的输入端向旁路开关电路输出第一控制信号α，即第一控制信号α与第一触发信号Va保持一致，以实现对旁路开关电路的控制。第一触发信号Va和第二触发信号Vb经过第一非门N1、第二非门N2以及与门A1的处理后，第一晶体管Q1的栅极接收与门A1的输出端的信号，通过与门A1输出端的信号控制第一晶体管Q1的通断，以向放大器电路输出第二控制信号β，从而对放大器电路进行控制。通过第一控制信号α以及第二控制信号β即能够实现控制放大器电路和旁路开关电路处于不同的工作状态，并且由非门和与门A1的工作原理可知，第一非门N1的输入端和与门A1的输出端不能均输出高电平，所以在从一定程度上避免了放大器电路和旁路开关电路均导通的现象出现，在较为方便控制放大器电路和旁路开关电路的工作状态的同时减小了出现故障的可能性。

可选的，所述旁路开关电路包括第二晶体管Q2，所述第二晶体管Q2的漏极连接于射频输入端口Rfin、源极连接于射频输出端口Rfout、栅极连接于逻辑控制电路，以接收逻辑控制电路生成的第二控制信号β。

通过采用上述技术方案，第二晶体管Q2的栅极接收第二控制信号β，并根据第二控制信号β控制第二晶体管Q2的通断，从而实现了射频输入端口Rfin以及射频输出端口Rfout之间旁路的通断。

可选的，所述旁路开关电路还包括第三晶体管Q3以及第四晶体管Q4；所述工作状态切换信号还包括第三控制信号γ且所述第三控制信号γ和第一控制信号α相位相反；

所述第三晶体管Q3的栅极连接于逻辑控制电路以接收第三控制信号γ、漏极连接于第二晶体管Q2的源极以及第四晶体管Q4的漏极，所述第三晶体管Q3的源极接地；

所述第四晶体管Q4的栅极连接于所述逻辑控制电路以接收第一控制信号α、源极连接于射频输出端口Rfout。

通过采用上述技术方案，由于第三控制信号γ和第一控制信号α相位相反，所以第三晶体管Q3和第四晶体管Q4中仅有一个导通，当第三晶体管Q3截止第四晶体管Q4导通时，旁路开关电路导通；当第三晶体管Q3导通第四晶体管Q4截止时，旁路开关电路切断，此时若旁路开关电路中存在漏电流，由第三晶体管Q3进行放电，以阻止漏电流流向射频输出端口Rfout，从而实现了在旁路开关电路切断时隔离度高的效果。

可选的，所述放大器电路包括第五晶体管Q5、第六晶体管Q6、第一分压子电路以及第二分压子电路；

所述第五晶体管Q5的栅极连接于射频输入端口Rfin以及第一分压子电路、源极接地、漏极连接于第六晶体管Q6的源极；

所述第六晶体管Q6的栅极连接于第二分压子电路的输出端、漏极连接于电路电源VDD；

所述第一分压子电路与第二分压子电路并联设置，所述第一分压子电路的输入端连接于逻辑控制电路，接收第二控制信号β以向第五晶体管Q5提供偏置电压；

所述第二分压子电路的输入端连接于逻辑控制电路，接收第二控制信号β以向第六晶体管Q6提供偏置电压。

通过采用上述技术方案，第二控制信号β同时流向第一分压子电路和第二分压子电路，当第二控制信号β为高电平信号时，第一分压子电路和第二分压子电路进行分压，第一分压子电路将分压后的第二控制信号β输出至第五晶体管Q5的栅极，以向第五晶体管Q5提供偏置电压使第五晶体管Q5导通；第二分压子电路将分压后的第二控制信号β输出至第六晶体管Q6的栅极，向第六晶体管Q6提供偏置电压，使得第六晶体管Q6导通，此时放大器电路正常工作。当第二控制信号β为低电平信号时，第五晶体管Q5和第六晶体管Q6均关断，使得放大器电路关断。从而实现了对放大器电路通断的控制。

可选的，所述第一分压子电路包括第一电阻器R1、第二电阻器R2以及第七晶体管Q7；

所述第一电阻器R1，一端连接于第一分压子电路的输入端，另一端连接于第七晶体管Q7的栅极、第七晶体管Q7的漏极以及第一分压子电路的输出端；

所述第二电阻器R2，一端连接于第七晶体管Q7的源极，另一端接地。

通过采用上述技术方案，当放大器电路正常导通工作时，第七晶体管Q7导通且第七晶体管Q7工作在可变电阻区，通过第七晶体管Q7的分压减缓放大器电路的第一控制端的电压变化趋势，从而使得放大器电路工作的更加稳定。

第二方面，本申请提供一种旁路电路控制方法，采用如下技术方案：

一种旁路电路控制方法，应用于上述任意一项所述的逻辑控制电路，包括：

获取当前设定的工作状态；所述工作状态包括放大模式、旁路模式以及关断模式；

根据预设映射表以及当前设定的工作状态，得到外部触发信号；其中，所述预设映射表包括工作状态和外部触发信号的对应关系；

将外部触发信号发送至逻辑控制电路。

通过采用上述技术方案，基于当前设定的工作状态以及预设的映射表，生成对应的外部触发信号并将外部触发信号发送至逻辑控制电路，以便逻辑控制电路根据外部触发信号控制放大器电路以及旁路开关电路进入对应的工作状态，通过生成数字信号的外部触发信号即能够实现对使放大器电路以及旁路开关电路进入设定的工作状态，使得对放大器电路以及旁路开关电路的控制更加方便。

可选的，所述外部触发信号包括第一触发信号Va以及第二触发信号Vb；所述根据预设映射表以及当前设定的工作状态，得到外部触发信号，具体包括：

在当前设定的工作状态为放大模式时，根据预设映射表，生成低电平的第一触发信号Va以及低电平的第二触发信号Vb；

在当前设定的工作状态为旁路模式时，根据预设映射表，生成高电平的第一触发信号Va以及低电平的第二触发信号Vb，或，生成高电平的第一触发信号Va以及高电平的第二触发信号Vb；

在当前设定的工作状态为关断模式时，根据预设映射表，生成低电平的第一触发信号Va以及高电平的第二触发信号Vb。

第三方面，本申请提供一种芯片，采用如下技术方案：

一种芯片，包括放大器电路及上述任意一项所述的一种放大器旁路电路。

第四方面，本申请提供一种电子设备，采用如下技术方案：

一种电子设备，包括上述的一种芯片。

综上所述，本申请具有以下有益技术效果：

通过逻辑控制电路生成工作状态切换信号，以同时得到第一控制信号α和第二控制信号β，由第一控制信号α控制并联于射频输入端口Rfin和射频输出端口Rfout的通断，由第二控制信号β控制放大器电路的通断，由于第一控制信号α和第二控制信号β同时生成，所以能够同时控制旁路开关电路和放大器电路的通断，无需对旁路开关电路和放大器电路进行分别控制，响应速度更快，从而便于旁路开关电路和放大器电路能够快速切换至所需的工作状态，进而便于对旁路开关电路和放大器电路的进行控制。

附图说明

图1是本申请其中一实施例放大器电路的结构框图。

图2是本申请其中一实施例放大器电路连接结构图。

图3是本申请其中一实施例放大器电路工作在旁路状态时插损的示意图。

图4是本申请其中一实施例放大器电路工作在关断状态时的隔离度的示意图。

图5是本申请其中一实施例用于展示逻辑控制电路输入输出信号真值表的示意图。

图6是本申请其中一实施例放大器结构控制方法的流程图。

附图标记说明：1、逻辑控制电路；2、旁路开关电路；3、放大器电路；31、第一分压子电路；32、第二分压子电路；33、输入匹配子电路；34、输出匹配子电路；35、稳定子电路。

具体实施方式

为了使本申请的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图实施例，对本申请进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本申请，并不用于限定本申请。

术语解释：

插损，即插入损耗，指开关处于导通状态下损耗的总功率，以分贝(db)来表示。由于插损会直接导致系统噪声系数的增大，因此插损是衡量设备性能的重要指标。

隔离度，指电路输出端到输入端之间的衰减度，以分贝(db)来表示，是衡量关断状态有效性的指标。

本申请实施例公开一种放大器结构。参照图1，一种放大器结构包括逻辑控制电路1、旁路开关电路2以及放大器电路3；

逻辑控制电路1，接收外部触发信号，以生成工作状态切换信号；

其中，工作状态切换信号包括第一控制信号α以及第二控制信号β；第一控制信号α控制所述放大器电路3的通断，第二控制信号β控制旁路开关电路2的通断。

应当理解，第一控制信号α和第二控制信号β均为电平信号，即第一控制信号α可以是低电平或高电平两种状态，第二控制信号β同样可以是低电平或高电平两种状态。

旁路开关电路2与放大器电路3并联设置在射频输入端口Rfin和射频输出端口Rfout之间。

需要说明的是，在本实施例中，放大器电路3可以是共源共栅放大器，在其他实施例中，放大器电路3也可以是其他种类的放大器，在此不做具体限定。

上述实施方式中，利用逻辑控制电路1生成工作状态切换信号，能够同时得到第一控制信号α和第二控制信号β，由第一控制信号α控制并联于射频输入端口Rfin和射频输出端口Rfout之间的旁路开关电路2的通断，由第二控制信号β控制放大器电路3的通断，从而使得旁路开关电路2和放大器电路3能够快速切换至所需的工作状态，进而便于对旁路开关电路2和放大器电路3进行控制。

作为本实施例可能的应用场景，放大器结构可以应用于接收机。

目前，对于旁路电路的控制通常采用分离式的控制，即需要分别控制放大器电路3和旁路开关电路2，如申请公布号为CN 115567013 A的中国专利提供的一种基于旁路模式的低噪声放大器电路3，其中采用了第一电源VCC1和第二电源VCC2对放大器的通断进行控制，采用了第三电源VCC3对旁路电路的通断进行控制，需要分别设置第一电源VCC1、第二电源VCC2以及第三电源VCC3的电平，且可能出现第一电源VCC1、第二电源VCC2以及第三电源VCC3无法同时进行电平的变化，导致难以对第一电源VCC1、第二电源VCC2以及第三电源VCC3进行设置。

基于此，参照图2，本申请实施例提供一种逻辑控制电路1的实施方式，下面进行具体介绍。

外部触发信号包括第一触发信号Va以及第二触发信号Vb，逻辑控制电路1包括第一非门N1、第二非门N2、与门A1以及第一晶体管Q1；

第一非门N1的输入端连接于旁路开关电路2以及第一触发信号Va、输出端连接于与门A1的第一输入端；

第二非门N2的输入端用于连接于第二触发信号Vb、输出端连接于与门A1的第二输入端；

与门A1的输出端连接于第一晶体管Q1的栅极；

第一晶体管Q1的漏极连接于电路电源VDD、源极连接于放大器电路3。

由于第一控制信号α控制所述放大器电路3的通断，第二控制信号β控制旁路开关电路2的通断，根据上述的第一控制信号α和第二控制信号β的组合能够对旁路开关电路2和放大器电路3的工作状态进行控制。第一种，放大器电路3导通，旁路开关电路2关断；第二种，放大器电路3关断，旁路开关电路2导通；第三种，放大器电路3和旁路开关电路2均关断。不会出现放大器电路3和旁路开关电路2均导通的情况，若放大器电路3和旁路开关电路2均导通，则可能会形成环路，导致自激。

上述实施方式中，第一非门N1的输入端连接于旁路开关电路2且第一非门N1的输入端向旁路开关电路2输出第一控制信号α，即第一控制信号α与第一触发信号Va保持一致，以实现对旁路开关电路2的控制。第一触发信号Va和第二触发信号Vb经过第一非门N1、第二非门N2以及与门A1的处理后，第一晶体管Q1的栅极接收与门A1的输出端的信号，通过与门A1输出端的信号控制第一晶体管Q1的通断，以向放大器电路3输出第二控制信号β，从而对放大器电路3进行控制。通过第一控制信号α以及第二控制信号β即能够实现控制放大器电路3和旁路开关电路2处于不同的工作状态，并且由非门和与门A1的工作原理可知，第一非门N1的输入端和与门A1的输出端不能均输出高电平，所以在从一定程度上避免了放大器电路3和旁路开关电路2均导通的现象出现，在较为方便控制放大器电路3和旁路开关电路2的工作状态的同时减小了出现故障的可能性。

参照图2，作为旁路开关电路2的一种实施方式，旁路开关电路2包括第二晶体管Q2，所述第二晶体管Q2的漏极连接于射频输入端口Rfin、源极连接于射频输出端口Rfout、栅极连接于逻辑控制电路1，以接收逻辑控制电路1生成的第二控制信号β。

另外，旁路开关电路2还包括两个第一电容器C1，两个第一电容器C1分别串接在射频输入端口Rfin以及射频输出端口Rfout处。

上述实施方式中，第二晶体管Q2的栅极接收第二控制信号β，并根据第二控制信号β控制第二晶体管Q2的通断，从而实现了射频输入端口Rfin以及射频输出端口Rfout之间旁路的通断。

应当理解，旁路开关电路2采用第五晶体管Q5或其他半导体元器件，半导体元器件具有便于控制的优点，但同时半导体元器件普遍存在漏电流的问题，使得旁路开关电路2在关断状态下依旧会存在漏电流，使得旁路开关电路2的隔离度较低。

基于上述问题，作为旁路开关电路2的进一步实施方式，放大器结构还包括第三晶体管Q3以及第四晶体管Q4，用于提高旁路开关电路2的隔离度。下面进行详细介绍。

工作状态切换信号还包括第三控制信号γ且所述第三控制信号γ和第一控制信号α相位相反；

第三晶体管Q3的栅极连接于逻辑控制电路1以接收第三控制信号γ、漏极连接于第二晶体管Q2的源极以及第四晶体管Q4的漏极，第三晶体管Q3的源极接地；

第四晶体管Q4的栅极连接于所述逻辑控制电路1以接收第一控制信号α、源极连接于射频输出端口Rfout。

上述实施方式中，由于第三控制信号γ和第一控制信号α相位相反，所以第三晶体管Q3和第四晶体管Q4中仅有一个导通，当第三晶体管Q3截止第四晶体管Q4导通时，旁路开关电路2导通；当第三晶体管Q3导通第四晶体管Q4截止时，旁路开关电路2切断，此时若旁路开关电路2中存在漏电流，由第三晶体管Q3进行放电，以阻止漏电流流向射频输出端口Rfout，从而实现了在旁路开关电路2切断时隔离度高的效果。

如图3所示，图3展示了在放大器电路3关断旁路开关电路2导通状态下，旁路开关电路2的插损，旁路开关电路2的导通状态下的插入损耗较小，尽量较小对系统噪声性能的影响。

参照图4，图4展示了在放大器电路3关断旁路开关电路2关断状态下，该电路的隔离度。

参照图2，作为放大器电路3的一种实施方式，放大器路包括第五晶体管Q5、第六晶体管Q6、第一分压子电路31以及第二分压子电路32；

第五晶体管Q5的栅极连接于射频输入端口Rfin以及第一分压子电路31、源极接地、漏极连接于第六晶体管Q6的源极；

第六晶体管Q6的栅极连接于第二分压子电路32的输出端、漏极连接于电路电源VDD；

第一分压子电路31与第二分压子电路32并联设置，所述第一分压子电路31的输入端连接于逻辑控制电路1，接收第二控制信号β以向第五晶体管Q5提供偏置电压；

第二分压子电路32的输入端连接于逻辑控制电路1，接收第二控制信号β以向第六晶体管Q6提供偏置电压。

上述实施方式中，由于第一分压子电路31和第二分压子电路32均受控于第二控制信号β，第一分压子电路31和第二分压子电路32能够同时利用分压后的第二控制信号β对放大器电路3的通断进行控制，具体地，第二控制信号β同时流向第一分压子电路31和第二分压子电路32，当第二控制信号β为高电平信号时，第一分压子电路31和第二分压子电路32进行分压，第一分压子电路31将分压后的第二控制信号β输出至第五晶体管Q5的栅极，以向第五晶体管Q5提供偏置电压使第五晶体管Q5导通；第二分压子电路32将分压后的第二控制信号β输出至第六晶体管Q6的栅极，向第六晶体管Q6提供偏置电压，使得第六晶体管Q6导通，此时放大器电路3正常工作。当第二控制信号β为低电平信号时，第五晶体管Q5和第六晶体管Q6均关断，使得放大器电路3关断。从而实现了对放大器电路3通断的控制。

参照图2，作为第一分压子电路31的一种实施方式，第一分压子电路31包括第一电阻器R1、第二电阻器R2以及第七晶体管Q7；

第一电阻器R1，一端连接于第一分压子电路31的输入端，另一端连接于第七晶体管Q7的栅极、第七晶体管Q7的漏极以及第一分压子电路31的输出端；

第二电阻器R2，一端连接于第七晶体管Q7的源极，另一端接地。

上述实施方式中，当放大器电路3正常导通工作时，第七晶体管Q7为晶体管的二极管接法，此时第七晶体管Q7等效为一个电阻，通过第七晶体管Q7与第一电阻器R1和第二电阻器R2的分压给第五晶体管Q5的栅极提供偏置电压，以减小阈值电压波动对放大器电路3静态工作电流的影响。

参照图2，作为第二分压子电路32的一种实施方式，第二分压子电路32包括第三电阻器R3以及第四电阻器R4，下面进行详细介绍。

第三电阻器R3，一端连接于第二分压子电路32的输入端，另一端连接于第四电阻器R4的一端以及第二分压子电路32的输出端，第四电阻器R4的另一端接地。

参照图2，作为放大器电路3的进一步实施方式，放大器电路3还包括输入匹配子电路33、输出匹配子电路34以及稳定子电路35；

其中，输入匹配子电路33的输入端连接于射频输入端口Rfin、输出端连接于第六晶体管Q6的栅极以及第一分压子电路31的输出端；

输出匹配子电路34的输入端与第五晶体管Q5的漏极连接，输出端与射频输出端口Rfout连接，匹配端与输入匹配子电路33的输出端连接；

稳定子电路35的一端与第二分压子电路32的输出端第五晶体管Q5的栅极连接，另一端接地。

具体地，输入匹配子电路33包括第二电容器C2、第三电容器C3以及第五电阻器R5，第三电容器C3的一端与输入匹配子电路33的输入端连接，另一端与第二电容器C2的一端以及第五电阻器R5的一端连接，第二电容器C2的另一端接地，第五电阻器R5的另一端与输入匹配子电路33的输出端连接。

输出匹配子电路34包括第四电容器C4、第五电容器C5以及第六电阻器R6，第五电容器C5的一端与输出匹配子电路34的输出端连接，另一端与第六电阻器R6的一端以及输出匹配子电路34的输入端连接，第六电阻器R6的另一端与第四电容器C4的一端连接，第四电容器C4的另一端与输出匹配子电路34的匹配端连接。

稳定子电路35包括第七电阻器R7以及第六电容器C6，第七电阻器R7的一端与稳定子电路35的一端连接，第七电阻器R7的另一端接地。

参照图5，图5展示了逻辑控制电路1输入输出信号的真值表，结合真值表对放大器结构的工作原理进行进一步阐述。

当Va为低电平，Vb为低电平时，第一控制信号α为低电平，则第三控制信号γ为高电平，此时旁路开关电路2中对第二晶体管Q2以及第四晶体管Q4关断，第三晶体管Q3导通，旁路开关电路2处于关断状态。且此时与门A1输出高电平信号，使第一晶体管导通，第二控制信号β为高电平，第一分压子电路31和第二分压子电路32正常工作分压，第五晶体管Q5和第六晶体管Q6的栅极得到偏置电压，放大器电路3正常工作。所以当Va为低电平，Vb为低电平，放大器结构工作在放大模式。

当Va为高电平，Vb为低电平或高电平时，第一控制信号α为高电平，则第三控制信号γ为低电平，旁路开关电路2中第二晶体管Q2以及第四晶体管Q4导通，第三晶体管Q3关断，使旁路开关电路2处于导通状态。且此时与门A1输出低电平信号，使第一晶体管关断，即第二控制信号β为低电平，第一分压子电路31和第二分压子电路32输出电压均接近于0V，使得第五晶体管Q5和第六晶体管Q6关断，放大器电路3关断。所以当Va为高电平，Vb为低电平或高电平时，放大器结构工作在旁路模式。

当Va为低电平，Vb为高电平时，第一控制信号α为低电平，则第三控制信号γ为高电平，此时旁路开关电路2中第二晶体管Q2以及第四晶体管Q4关断，第三晶体管Q3导通，使得旁路开关电路2处于关断状态。且此时与门A1输出低电平信号，使第一晶体管关断，即第二控制信号β为低电平，第一分压子电路31和第二分压子电路32输出电压均接近于0V，使得第五晶体管Q5和第六晶体管Q6关断，放大器电路3关断，所以当Va为低电平，Vb为高电平时，放大器结构工作在关断模式。

本实施里还公开一种放大器控制方法。

参照图6，一种放大器控制方法，应用于上述的逻辑控制电路1，包括：

步骤S1：获取当前设定的工作状态；

其中，工作状态包括放大模式、旁路模式以及关断模式；

其中，工作状态可以由人工进行设定切换，也可以由检波器等信号测量设备根据放大器电路3的输入信号进行自动设定。

具体地，根据实际使用的场景可以设定不同的工作状态切换阈值，例如，通过检波器等信号测量设备获取放大器电路3的输入信号的幅度，当输入信号的幅度高于预设的第一切换阈值时，将工作状态设定为旁路模式；当输入信号的幅度低于预设的第一切换阈值时，将工作状态设定为放大模式；当不需要该具有旁路功能的放大器电路3工作时，可将工作状态设定为关断状态。

步骤S2：根据预设映射表以及当前设定的工作状态，得到外部触发信号；

其中，预设映射表包括工作状态和外部触发信号的对应关系；预设映射表需要根据图5中逻辑控制电路1的真值表进行设定。

步骤S3：将外部触发信号发送至逻辑控制电路1。

上述实施方式中，基于当前设定的工作状态以及预设的映射表，生成对应的外部触发信号并将外部触发信号发送至逻辑控制电路1，以便逻辑控制电路1根据外部触发信号控制放大器电路3以及旁路开关电路2进入对应的工作状态，通过生成数字信号的外部触发信号即能够实现对使放大器电路3以及旁路开关电路2进入设定的工作状态，使得对放大器电路3以及旁路开关电路2的控制更加方便。

作为步骤S2的一种实施方式，步骤S2包括下述步骤S21-步骤S23；且外部触发信号包括第一触发信号Va以及第二触发信号Vb；下面进行详细介绍。

步骤S21：在当前设定的工作状态为放大模式时，根据预设映射表，生成低电平的第一触发信号Va以及低电平的第二触发信号Vb；

步骤S22：在当前设定的工作状态为旁路模式时，根据预设映射表，生成高电平的第一触发信号Va以及低电平的第二触发信号Vb，或，生成高电平的第一触发信号Va以及高电平的第二触发信号Vb；

步骤S23：在当前设定的工作状态为关断模式时，根据预设映射表，生成低电平的第一触发信号Va以及高电平的第二触发信号Vb。

上述实施方式中，在不同的工作模式下基于预设映射表生成不同的第一触发信号Va和第二触发信号Vb，由第一触发信号Va和第二触发信号Vb共同对逻辑控制电路1的输出进行控制，以便逻辑控制电路1在接收到第一触发信号Va和第二触发信号Vb的组合时，能够准确对放大器电路3以及旁路开关电路2进行控制。

需要说明的是，在上述实施例中，对各个实施例的描述各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。

本实施例还公开一种芯片。

一种芯片，包括上述一种放大器结构。

本实施例还公开一种电子设备

一种电子设备，包括上述的一种芯片。

其中，电子设备可以是零中频接收机或限幅器。

以上均为本申请的较佳实施例，并非依此限制本申请的保护范围，本说明书（包括摘要和附图）中公开的任一特征，除非特别叙述，均可被其他等效或者具有类似目的的替代特征加以替换。即，除非特别叙述，每个特征只是一系列等效或类似特征中的一个例子而已。

Claims (10)

1.一种放大器结构，其特征在于，包括逻辑控制电路(1)、旁路开关电路(2)以及放大器电路（3）；

逻辑控制电路(1)，接收外部触发信号，以生成工作状态切换信号；其中，所述工作状态切换信号包括第一控制信号α以及第二控制信号β；所述第一控制信号α控制所述放大器电路（3）的通断，所述第二控制信号β控制旁路开关电路（2）的通断；

所述旁路开关电路（2）与所述放大器电路（3）并联设置在射频输入端口Rfin和射频输出端口Rfout之间。

2.根据权利要求1所述的一种放大器结构，其特征在于：所述外部触发信号包括第一触发信号Va以及第二触发信号Vb，所述逻辑控制电路(1)包括第一非门N1、第二非门N2、与门A1以及第一晶体管Q1；

所述第一非门N1的输入端连接于旁路开关电路（2）以及第一触发信号Va、输出端连接于与门A1的第一输入端；

所述第二非门N2的输入端用于连接于第二触发信号Vb、输出端连接于与门A1的第二输入端；

所述与门A1的输出端连接于第一晶体管Q1的栅极；

所述第一晶体管Q1的漏极连接于电路电源VDD、源极连接于放大器电路（3）。

3.根据权利要求2所述的一种放大器结构，其特征在于：所述旁路开关电路（2）包括第二晶体管Q2，所述第二晶体管Q2的漏极连接于射频输入端口Rfin、源极连接于射频输出端口Rfout、栅极连接于逻辑控制电路(1)，以接收逻辑控制电路(1)生成的第二控制信号β。

4.根据权利要求1所述的一种放大器结构，所述旁路开关电路（2）还包括第三晶体管Q3以及第四晶体管Q4；所述工作状态切换信号还包括第三控制信号γ且所述第三控制信号γ和第一控制信号α相位相反；

所述第三晶体管Q3的栅极连接于逻辑控制电路（1）以接收第三控制信号γ、漏极连接于第二晶体管Q2的源极以及第四晶体管Q4的漏极，所述第三晶体管Q3的源极接地；

所述第四晶体管Q4的栅极连接于所述逻辑控制电路(1)以接收第一控制信号α、源极连接于射频输出端口Rfout。

5.根据权利要求1所述的一种放大器结构，其特征在于：所述放大器电路(3)包括第五晶体管Q5、第六晶体管Q6、第一分压子电路(31)以及第二分压子电路(32)；

所述第五晶体管Q5的栅极连接于射频输入端口Rfin以及第一分压子电路(31)、源极接地、漏极连接于第六晶体管Q6的源极；

所述第六晶体管Q6的栅极连接于第二分压子电路(32)的输出端、漏极连接于电路电源VDD；

所述第一分压子电路（31）与第二分压子电路(32)并联设置，所述第一分压子电路（31）的输入端连接于逻辑控制电路(1)，接收第二控制信号β以向第五晶体管Q5提供偏置电压；

所述第二分压子电路(32)的输入端连接于逻辑控制电路(1)，接收第二控制信号β以向第六晶体管Q6提供偏置电压。

6.根据权利要求5所述的一种放大器结构，其特征在于：

所述第一分压子电路(31)包括第一电阻器R1、第二电阻器R2以及第七晶体管Q7；

所述第一电阻器R1，一端连接于第一分压子电路(31)的输入端，另一端连接于第七晶体管Q7的栅极、第七晶体管Q7的漏极以及第一分压子电路(31)的输出端；

所述第二电阻器R2，一端连接于第七晶体管Q7的源极，另一端接地。

7.一种放大器控制方法，应用于如权利要求1-6任意一项所述的一种放大器结构，其特征在于：

获取当前设定的工作状态；所述工作状态包括放大模式、旁路模式以及关断模式；

根据预设映射表以及当前设定的工作状态，得到外部触发信号；其中，所述预设映射表包括工作状态和外部触发信号的对应关系；

将外部触发信号发送至逻辑控制电路(1)。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于：所述外部触发信号包括第一触发信号Va以及第二触发信号Vb；所述根据预设映射表以及当前设定的工作状态，得到外部触发信号，具体包括：

在当前设定的工作状态为放大模式时，根据预设映射表，生成低电平的第一触发信号Va以及低电平的第二触发信号Vb；

在当前设定的工作状态为旁路模式时，根据预设映射表，生成高电平的第一触发信号Va以及低电平的第二触发信号Vb，或，生成高电平的第一触发信号Va以及高电平的第二触发信号Vb；

在当前设定的工作状态为关断模式时，根据预设映射表，生成低电平的第一触发信号Va以及高电平的第二触发信号Vb。

9.一种芯片，其特征在于：包括放大器电路及权利要求1-6任意一项所述的一种放大器结构。

10.一种电子设备，其特征在于：包括权利要求9所述的一种芯片。