CN110768638B - 单电压控制电调衰减电路和稳幅装置 - Google Patents

Abstract

本发明属于低中频接收系统技术领域，涉及一种单电压控制电调衰减电路和稳幅装置。所述电路包括：控制模块、第一衰减模块、第二衰减模块和第三衰减模块；控制模块将外部电源的电压转换为预设电压输出给第一衰减模块和第三衰减模块，且根据外部电源的电压向第二衰减模块输出导通电压；第一衰减模块和第三衰减模块在接收到预设电压后控制端电压均升高，第二衰减模块在接收到导通电压后控制端电压降低，射频信号经过第一衰减模块、第二衰减模块和第三衰减模块得到衰减信号。本发明具有结构简单、单电压控制、高输出P‑1和适用频率范围大等优点，方便在低中频系统中的使用。

Description

单电压控制电调衰减电路和稳幅装置

技术领域

本发明属于低中频接收系统技术领域，更具体地说，是涉及一种单电压控制电调衰减电路和稳幅装置。

背景技术

自动增益控制(Auto-Gain Control)，简称AGC，广泛应用现代接收系统。在接收系统中，因发射信号源距离接收端的距离在不断发生变化，接收端的接收信号功率也随之产生改变，但对于整个接收链路，需要对大信号进行有效衰减，避免接收机大信号状态下阻塞。但现有的电调衰减电路均存在尺寸大、控制复杂等问题，不满足低中频系统的要求。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种单电压控制电调衰减电路和稳幅装置，以解决现有技术中的电调衰减电路存在尺寸大、控制复杂，不满足中低频系统要求的问题。

本发明实施例的第一方面提供了一种单电压控制电调衰减电路，包括：控制模块、第一衰减模块、第二衰减模块和第三衰减模块；所述控制模块的电压端适于与外部电源连接，所述控制模块的第一输出端与所述第一衰减模块的控制端和所述第三衰减模块的控制端均连接，所述控制模块的第二输出端与所述第二衰减模块的的控制端连接；所述第一衰减模块的输入端和所述第二衰减模块的输入端均适于与外部信号发送设备连接，所述第二衰减模块的输出端和所述第三衰减模块的输入端均适于与外部信号接收设备连接；

所述控制模块用于将接收到的外部电源的电压转换为预设电压输出给所述第一衰减模块和所述第三衰减模块，且根据所述外部电源的电压向所述第二衰减模块输出导通电压；

所述第一衰减模块和所述第三衰减模块在接收到所述预设电压后控制端电压均升高，所述第二衰减模块用于在接收到所述导通电压后控制端电压降低；同时外部信号发送设备的射频信号经过所述第一衰减模块、所述第二衰减模块和所述第三衰减模块得到衰减信号，所述衰减信号通过所述第二衰减模块的输出端输入到外部信号接收设备。

可选的，所述控制模块包括：第一分压电阻、第二分压电阻、补偿单元和控制单元；

所述第一分压电阻的第一端作为所述控制模块的电压端，所述第一分压电阻的第二端作为所述控制模块的第一输出端，所述第一分压电阻的第二端还与所述第二分压电阻的第一端连接；所述第二分压电阻的第二端与所述控制单元的输入端和所述补偿单元的第一端连接；所述控制单元的输出端也作为所述控制模块的第二输出端，所述控制单元的输出端还接第二电源；所述补偿单元的第二端与所述控制单元的输出端连接，所述补偿单元的第三端接地；

外部电源的电压经过所述第一分压电阻为所述第一衰减模块和所述第三衰减模块提供预设电压；所述控制单元根据外部电源的电压为所述第二衰减模块提供导通电压；所述补偿单元为所述第一衰减模块、所述第二衰减模块和所述第三衰减模块提供温度补偿。

可选的，所述补偿单元包括：第一电阻、第二电阻和第一晶体管；

所述第一电阻的第一端作为所述补偿单元的第一端，所述第一电阻的第二端与所述第一晶体管的栅极连接；所述第一晶体管的栅极还与所述第一晶体管的漏极连接，所述第一晶体管的漏极还与所述第二电阻的第一端连接，所述第一晶体管的源极作为所述补偿单元的第三端；所述第二电阻的第二端作为所述补偿单元的第二端。

可选的，所述控制单元包括：第三电阻和第二晶体管；

所述第三电阻的第一端作为所述控制单元的输入端连接，所述第三电阻的第二端与所述第二晶体管的栅极连接；所述第二晶体管的漏极作为所述控制单元的输出端，所述第二晶体管的源极接地。

可选的，所述第一衰减模块包括：第四电阻和第一晶体管组；

所述第四电阻的第一端作为所述第一衰减模块的控制端，所述第四电阻的第二端与所述第一晶体管组的栅极连接；所述第一晶体管组的源极作为所述第一衰减模块的输入端，所述第一晶体管组的漏极接地。

可选的，所述第一晶体管组包括：第三晶体管和第四晶体管；

所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极均与所述第四电阻的第二端连接；所述第三晶体管的源极作为所述第一衰减模块的输入端，所述第三晶体管的漏极与所述第四晶体管的源极连接；所述第四晶体管的漏极接地。

可选的，所述第二衰减模块包括：第五晶体管、第五电阻和匹配阻抗；

所述第五晶体管的源极作为所述第二衰减模块的输入端，所述第五晶体管的源极还通过所述匹配阻抗与所述第五晶体管的漏极连接，所述第五晶体管的漏极作为所述第二衰减模块的输出端，所述第五晶体管的栅极与所述第五电阻的第一端连接，所述第五电阻的第二端作为所述第二衰减模块的控制端。

可选的，所述第三衰减模块包括：第六电阻和第二晶体管组；

所述第六电阻的第一端作为所述第三衰减模块的控制端，所述第六电阻的第二端与所述第二晶体管组的栅极连接；所述第二晶体管组的源极作为所述第三衰减模块的输入端，所述第二晶体管组的漏极接地。

可选的，所述第二晶体管组包括：第六晶体管和第七晶体管；

所述第六晶体管的栅极和所述第七晶体管的栅极均与所述第六电阻的第二端连接；所述第六晶体管的源极作为所述第三衰减模块的输入端，所述第六晶体管的漏极与所述第七晶体管的源极连接；所述第七晶体管的漏极接地。

本发明实施例的第二方面提供了一种稳幅装置，包括如上述实施例的第一方面提供的任一项所述的单电压控制电调衰减电路。

本发明实施例中单电压控制电调衰减电路和稳幅装置与现有技术相比的有益效果在于：电路主要包括：控制模块、第一衰减模块、第二衰减模块和第三衰减模块，结构简单、功耗低，降低了衰减器尺寸；控制模块将接收到的外部电源的电压转换为预设电压输出给第一衰减模块和第三衰减模块，且根据外部电源的电压向第二衰减模块输出导通电压，实现单电压控制，控制简单；第一衰减模块和第三衰减模块在接收到预设电压后控制端电压均升高，第二衰减模块在接收到导通电压后控制端电压降低，射频信号经过第一衰减模块、第二衰减模块和第三衰减模块得到衰减信号，实现了高输出P-1，适用频率范围大，方便在低中频系统中的使用。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的单电压控制电调衰减电路的结构示意图；

图2为本发明实施例提供的单电压控制电调衰减电路的电路示意图；

图3为本发明实施例提供的另一种单电压控制电调衰减电路的电路示意图；

图4为本发明实施例提供的又一种单电压控制电调衰减电路的电路示意图。

具体实施方式

为了使本发明所要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

实施例一

参见图1，本发明实施例提供的一种单电压控制电调衰减电路，主要包括：控制模块100、第一衰减模块200、第二衰减模块300和第三衰减模块400。控制模块100的电压端适于与外部电源连接，控制模块100的第一输出端与第一衰减模块200的控制端和第三衰减模块400的控制端均连接，控制模块100的第二输出端与第二衰减模块300的的控制端连接；第一衰减模块200的输入端和第二衰减模块300的输入端均适于与外部信号发送设备连接，第二衰减模块300的输出端和第三衰减模块400的输入端均适于与外部信号接收设备连接。

控制模块100将接收到的外部电源的电压转换为预设电压输出给第一衰减模块200和第三衰减模块400，且根据所述外部电源的电压向第二衰减模块300输出导通电压；第一衰减模块200和第三衰减模块400在接收到所述预设电压后控制端电压均升高，第二衰减模块300在接收到所述导通电压后控制端电压降低，同时外部信号发送设备的射频信号经过第一衰减模块200、第二衰减模块300和第三衰减模块400得到衰减信号，衰减信号通过第二衰减模块300的输出端输入到外部信号接收设备。

实际应用中，本发明可以用于低中频接收系统内部的稳幅模块中，结合稳幅模块中功率检波、环路电压控制等外围电路可以为中频处理端口提供稳定幅度的中频信号，相比于PIN电调衰减器，该电路可利用砷化镓工艺进行芯片化，尺寸小，相比于其他场效应晶体管电调衰减器，该电路具有单电压控制、高输出P-1和应用频率低的特点，有助于在星载设备、弹载设备等低中频系统中使用。P-1是指放大器1dB压缩点的功率，例如在射频衰减电路的衰减由4dB到5dB时，本实施例的电调衰减电路可以保证射频信号的输出功率依然是较大的，即为高输出P-1。

上述单电压控制电调衰减电路，结构简单、功耗低，降低了衰减器尺寸；控制模块100将外部电源的电压转换为预设电压和导通电压，实现单电压控制，控制简单；第一衰减模块200和第三衰减模块400在接收到预设电压后控制端电压均升高，第二衰减模块300在接收到导通电压后控制端电压降低，射频信号经过第一衰减模块200、第二衰减模块300和第三衰减模块400得到衰减信号，实现高输出P-1，适用频率范围大，方便在低中频系统中的使用。

在一个实施例中，参见图2，控制模块100包括：第一分压电阻Rf1、第二分压电阻Rf2、补偿单元110和控制单元120；第一分压电阻Rf1的第一端作为控制模块100的电压端，第一分压电阻Rf1的第二端作为控制模块100的第一输出端，第一分压电阻Rf1的第二端还与第二分压电阻Rf2的第一端连接；第二分压电阻Rf2的第二端与控制单元120的输入端和补偿单元110的第一端连接；控制单元120的输出端也作为控制模块100的第二输出端，控制单元120的输出端还接5V电压；补偿单元110的第二端与控制单元120的输出端连接，补偿单元110的第三端接地。可选的，控制模块100还可以包括电阻R10，控制单元120的输出端通过电阻R10接5V电压。

外部电源的电压经过第一分压电阻Rf1为第一衰减模块200和第三衰减模块400提供预设电压；控制单元120根据外部电源的电压为第一衰减模块200第二衰减模块300提供导通电压；补偿单元110为第一衰减模块200、第二衰减模块300和第三衰减模块400提供温度补偿。

可选的，补偿单元110包括：第一电阻R1、第二电阻R2和第一晶体管Q1；第一电阻R1的第一端作为补偿单元110的第一端，第一电阻R1的第二端与第一晶体管Q1的栅极连接；第一晶体管Q1的栅极还与第一晶体管Q1的漏极连接，第一晶体管Q1的漏极还与第二电阻R2的第一端连接，第一晶体管Q1的源极作为补偿单元110的第三端；第二电阻R2的第二端作为补偿单元110的第二端，与控制单元120的输出端连接。

可选的，控制单元120包括：第三电阻R3和第二晶体管Q2；第三电阻R3的第一端作为控制单元120的输入端连接，第三电阻R3的第二端与第二晶体管Q2的栅极连接；第二晶体管Q2的漏极作为控制单元120的输出端，第二晶体管Q2的源极接地。

在一个实施例中，参见图2，第一衰减模块200可以包括：第四电阻R4和第一晶体管组Qz1；第四电阻R4的第一端作为第一衰减模块200的控制端，第四电阻R4的第二端与第一晶体管组Qz1的栅极连接；第一晶体管组Qz1的源极作为第一衰减模块200的输入端，第一晶体管组Qz1的漏极接地，第一晶体管组Qz1包括至少一个晶体管。第一晶体管组Qz1在接收到控制模块100的预设电压后栅压升高。

示例性的，第一晶体管组Qz1可以包括一个晶体管。参见图3，第一晶体管组Qz1包括晶体管Q11，晶体管Q11的栅极与第四电阻R4的第二端连接，晶体管Q11的源极作为第一衰减模块200的输入端，晶体管Q11的漏极接地。

可选的，为了使本实施例的衰减器实现高输出P-1，第一晶体管组Qz1可以包括2个晶体管，参见图4，第一晶体管组Qz1包括：第三晶体管Q3和第四晶体管Q4；第三晶体管Q3的栅极和第四晶体管Q4的栅极均与第四电阻R4的第二端连接；第三晶体管Q3的源极作为第一衰减模块200的输入端，第三晶体管Q3的漏极与第四晶体管Q4的源极连接；第四晶体管Q4的漏极接地。

在一个实施例中，第二衰减模块300可以包括：第五晶体管Q5、第五电阻R5和匹配阻抗Rc；第五晶体管Q5的源极作为第二衰减模块300的输入端，第五晶体管Q5的源极还通过匹配阻抗Rc与第五晶体管Q5的漏极连接，第五晶体管Q5的漏极作为第二衰减模块300的输出端，第五晶体管Q5的栅极与第五电阻R5的第一端连接，第五电阻R5的第二端作为第二衰减模块300的控制端。第五晶体管Q5在接收到控制模块100的导通电压后控制端电压降低，并结合匹配阻抗Rc将射频信号进行衰减输出预设中频信号给外部信号接收设备。

在一个实施例中，参见图2，第三衰减模块400可以包括：第六电阻R6和第二晶体管组Qz2；第六电阻R6的第一端作为第三衰减模块400的控制端，第六电阻R6的第二端与第二晶体管组Qz2的栅极连接；第二晶体管组Qz2的源极作为第三衰减模块400的输入端，第二晶体管组Qz2的漏极接地，第二晶体管组Qz2包括至少一个晶体管。第二晶体管组Qz2在接收到控制模块100的预设电压后栅压升高。

示例性的，第二晶体管组Qz2可以包括一个晶体管。参见图3，第二晶体管组Qz2包括晶体管Q12，晶体管Q12的栅极与第六电阻R6的第二端连接，晶体管Q12的源极作为第三衰减模块400的输入端，晶体管Q12的漏极接地。

可选的，为了使本实施例的衰减器实现更高输出P-1，第二晶体管组Qz2可以包括2个晶体管，参见图4，第二晶体管组Qz2包括：第六晶体管Q6和第七晶体管Q7；第六晶体管Q6的栅极和第七晶体管Q7的栅极均与第六电阻R6的第二端连接；第六晶体管Q6的源极作为第三衰减模块400的输入端，第六晶体管Q6的漏极与第七晶体管Q7的源极连接；第七晶体管Q7的漏极接地。

可选的，本实施例的第一衰减模块200内的晶体管、第二衰减模块300内的晶体管和第三衰减模块400内的晶体管的偏置电压均相等。

本实施例的晶体管均可以为场效应晶体管，优选的，可以为增强型晶体管。进一步的，本发明的单电压电调衰减电路电路可以利用GaAs工艺进行芯片化，可以有效的简化中频自动增益控制电路结构，并且能有效降低功耗、缩减器件尺寸，适用于功耗要求高和尺寸要求高的中低频自动增益控制系统中。

传统的射频微波系统通常利用PIN二极管在接收系统的中频部分实现电调衰减，其采用分立器件搭建，尺寸大，不利于产品小型化设计，适用频率范围小，而且PIN二极管衰减器需要一定的导通电流，导通电流大致在10mA左右，在功耗要求和尺寸要求高的中低频自动增益控制系统中存在一定的劣势。后来衰减器发展为利用砷化镓管芯的导通电阻特性实现电调衰减，但是这种方式需要双控制电压配合使用，控制复杂，不利用在中低频自动增益控制电路中合成，尤其不利于在星用设备上使用。

所以本实施例针对以上问题，通过改变电路结构，克服大信号对场效应管芯栅压的调制，提出一种具有单控制电压、高输出P-1、可用于低中频的π型电调衰减电路结构，为芯片化集成提供基础。同时本实施例给出了高输出P-1的办法，如图2的开关管组，本实施例通过增加并联到地的晶体管数量，能够将本实施例的电调衰减电路70MHz输出P-1提高到5dBm。

示例性的，结合图3，对本实施例的单电压控制电调衰减电路的工作流程进行具体说明：

第一衰减模块200包括第四电阻R4和晶体管Q11，第四电阻R4的第一端作为第一衰减模块200的控制端，第四电阻R4的第二端与晶体管Q11的栅极连接，晶体管Q11的源极作为第一衰减模块200的输入端，晶体管Q11的漏极接地；第三衰减模块400包括第六电阻R6和晶体管Q12，第六电阻R6的第一端作为第三衰减模块400的控制端，第六电阻R6的第二端与晶体管Q12的栅极连接，晶体管Q12的源极作为第三衰减模块400的输入端，晶体管Q12的漏极接地。

晶体管Q11、晶体管Q5、晶体管Q12、晶体管Q1、晶体管Q2均为增强型场效应管，晶体管Q11、晶体管Q5和晶体管Q12实现π型衰减网络，晶体管Q1的结电压作为对晶体管Q11、晶体管Q5和晶体管Q12的偏置电压的工艺补偿和温度补偿，利用晶体管Q2的沟道电阻作为第二衰减模块300的下偏电阻，利用外部电源的电压Vt作为电压控制，实现单电压控制。

当外部电源的电压Vt为0V时，第一衰减模块200的控制端的电压和第三衰减模块400的控制端的电压均为低电压，第二衰减模块300的控制端的电压为高电压，即晶体管Q11的栅极电压和晶体管Q12的栅极电压均为低电压，晶体管Q5的栅极电压为高电压，晶体管Q11和晶体管Q12截止，晶体管Q5导通，此时电调衰减电路为低插损态；随着外部电源的电压Vt的增加，晶体管Q2的导通电阻减小，则输入到晶体管Q5的导通电压减小，晶体管Q5的栅极电压降低，输入到晶体管Q11的预设电压和晶体管Q12的预设电压均增加，即晶体管Q11的栅极电压和晶体管Q12的栅极电压均增加，使得电路对射频信号的衰减量增加。

其中，晶体管Q1利用自身管芯的栅-源电压或栅-漏电压(该电压值由场效应管的制作工艺和当前电路温度决定)为第二衰减模块300提供补偿，保证第二衰减模块300的温度变化和工艺变化时，第二衰减模块300中晶体管Q11、晶体管Q5和晶体管Q12仍具有相同的偏置电压，使得本实施例可以衰减的信号频率在10～3000MHz范围内，衰减范围可以大于20dB，在70MHz信号输入下，本实施例输出1dB压缩点大于5dBm。

进一步的，若继续提高输出1dB压缩点功率(P-1)，则可以继续增加第一晶体管组Qz1和第二晶体管组Qz2中晶体管的数量，如图2所示，提高输出1dB压缩点功率。本实施例的对第一晶体管组Qz1和第二晶体管组Qz2中晶体管的数量不进行具体限定，第一晶体管组Qz1中晶体管的数量和第二晶体管组Qz2中晶体管的数量相等。

上述实施例中，电路主要包括控制模块100、第一衰减模块200、第二衰减模块300和第三衰减模块400，结构简单、功耗低，降低了衰减器尺寸；控制模块100接收外部电源的电压并将其转换为预设电压输出给第二衰减模块300，根据接收的外部电源的电压向第二衰减模块300输出导通电压，实现单电压控制，控制简单；第一衰减模块200和第三衰减模块400在接收到预设电压后控制端电压均升高，第二衰减模块300在接收到导通电压后控制端电压降低，射频信号经过第一衰减模块200、第二衰减模块300和第三衰减模块400得到衰减信号，实现高输出P-1，适用频率范围大，方便在低中频系统中的使用。

本实施例还提供了一种稳幅装置，可以应用于低中频接收系统，包括如上述实施例中所述的任意一种单电压控制电调衰减电路，且具有上述单电压控制电调衰减电路所具有的有益效果。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种单电压控制电调衰减电路，其特征在于，包括：控制模块、第一衰减模块、第二衰减模块和第三衰减模块；所述控制模块的电压端适于与外部电源连接，所述控制模块的第一输出端与所述第一衰减模块的控制端和所述第三衰减模块的控制端均连接，所述控制模块的第二输出端与所述第二衰减模块的的控制端连接；所述第一衰减模块的输入端和所述第二衰减模块的输入端均适于与外部信号发送设备连接，所述第二衰减模块的输出端和所述第三衰减模块的输入端均适于与外部信号接收设备连接；

所述控制模块用于将接收到的外部电源的电压转换为预设电压输出给所述第一衰减模块和所述第三衰减模块，且根据所述外部电源的电压向所述第二衰减模块输出导通电压；

所述第一衰减模块和所述第三衰减模块在接收到所述预设电压后控制端电压均升高，所述第二衰减模块用于在接收到所述导通电压后控制端电压降低；同时外部信号发送设备的射频信号经过所述第一衰减模块、所述第二衰减模块和所述第三衰减模块得到衰减信号，所述衰减信号通过所述第二衰减模块的输出端输入到外部信号接收设备。

2.如权利要求1所述的单电压控制电调衰减电路，其特征在于，所述控制模块包括：第一分压电阻、第二分压电阻、补偿单元和控制单元；

所述第一分压电阻的第一端作为所述控制模块的电压端，所述第一分压电阻的第二端作为所述控制模块的第一输出端，所述第一分压电阻的第二端还与所述第二分压电阻的第一端连接；所述第二分压电阻的第二端与所述控制单元的输入端和所述补偿单元的第一端连接；所述控制单元的输出端也作为所述控制模块的第二输出端，所述控制单元的输出端还接第二电源；所述补偿单元的第二端与所述控制单元的输出端连接，所述补偿单元的第三端接地；

外部电源的电压经过所述第一分压电阻为所述第一衰减模块和所述第三衰减模块提供预设电压；所述控制单元根据外部电源的电压为所述第二衰减模块提供导通电压；所述补偿单元为所述第一衰减模块、所述第二衰减模块和所述第三衰减模块提供温度补偿。

3.如权利要求2所述的单电压控制电调衰减电路，其特征在于，所述补偿单元包括：第一电阻、第二电阻和第一晶体管；

所述第一电阻的第一端作为所述补偿单元的第一端，所述第一电阻的第二端与所述第一晶体管的栅极连接；所述第一晶体管的栅极还与所述第一晶体管的漏极连接，所述第一晶体管的漏极还与所述第二电阻的第一端连接，所述第一晶体管的源极作为所述补偿单元的第三端；所述第二电阻的第二端作为所述补偿单元的第二端。

4.如权利要求2所述的单电压控制电调衰减电路，其特征在于，所述控制单元包括：第三电阻和第二晶体管；

所述第三电阻的第一端作为所述控制单元的输入端连接，所述第三电阻的第二端与所述第二晶体管的栅极连接；所述第二晶体管的漏极作为所述控制单元的输出端，所述第二晶体管的源极接地。

5.如权利要求1至4任一项所述的单电压控制电调衰减电路，其特征在于，所述第一衰减模块包括：第四电阻和第一晶体管组；

所述第四电阻的第一端作为所述第一衰减模块的控制端，所述第四电阻的第二端与所述第一晶体管组的栅极连接；所述第一晶体管组的源极作为所述第一衰减模块的输入端，所述第一晶体管组的漏极接地。

6.如权利要求5所述的单电压控制电调衰减电路，其特征在于，所述第一晶体管组包括：第三晶体管和第四晶体管；

所述第三晶体管的栅极和所述第四晶体管的栅极均与所述第四电阻的第二端连接；所述第三晶体管的源极作为所述第一衰减模块的输入端，所述第三晶体管的漏极与所述第四晶体管的源极连接；所述第四晶体管的漏极接地。

7.如权利要求1至4任一项所述的单电压控制电调衰减电路，其特征在于，所述第二衰减模块包括：第五晶体管、第五电阻和匹配阻抗；

所述第五晶体管的源极作为所述第二衰减模块的输入端，所述第五晶体管的源极还通过所述匹配阻抗与所述第五晶体管的漏极连接，所述第五晶体管的漏极作为所述第二衰减模块的输出端，所述第五晶体管的栅极与所述第五电阻的第一端连接，所述第五电阻的第二端作为所述第二衰减模块的控制端。

8.如权利要求1至4任一项所述的单电压控制电调衰减电路，其特征在于，所述第三衰减模块包括：第六电阻和第二晶体管组；

所述第六电阻的第一端作为所述第三衰减模块的控制端，所述第六电阻的第二端与所述第二晶体管组的栅极连接；所述第二晶体管组的源极作为所述第三衰减模块的输入端，所述第二晶体管组的漏极接地。

9.如权利要求8所述的单电压控制电调衰减电路，其特征在于，所述第二晶体管组包括：第六晶体管和第七晶体管；

所述第六晶体管的栅极和所述第七晶体管的栅极均与所述第六电阻的第二端连接；所述第六晶体管的源极作为所述第三衰减模块的输入端，所述第六晶体管的漏极与所述第七晶体管的源极连接；所述第七晶体管的漏极接地。

10.一种稳幅装置，其特征在于，包括如权利要求1至9中任一项所述的单电压控制电调衰减电路。

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