CN116683874A - 一种低噪声放大器 - Google Patents
一种低噪声放大器 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116683874A CN116683874A CN202310556073.8A CN202310556073A CN116683874A CN 116683874 A CN116683874 A CN 116683874A CN 202310556073 A CN202310556073 A CN 202310556073A CN 116683874 A CN116683874 A CN 116683874A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- transistor
- noise amplifier
- module
- capacitor
- inductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 claims abstract description 38
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 claims abstract description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 68
- 238000001914 filtration Methods 0.000 claims description 43
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 230000002633 protecting effect Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/26—Modifications of amplifiers to reduce influence of noise generated by amplifying elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/32—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion
- H03F1/3205—Modifications of amplifiers to reduce non-linear distortion in field-effect transistor amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
- H03F1/523—Circuit arrangements for protecting such amplifiers for amplifiers using field-effect devices
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/56—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for
- H03F1/565—Modifications of input or output impedances, not otherwise provided for using inductive elements
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/294—Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being a low noise amplifier [LNA]
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
- H03F2200/372—Noise reduction and elimination in amplifier
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02D—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES [ICT], I.E. INFORMATION AND COMMUNICATION TECHNOLOGIES AIMING AT THE REDUCTION OF THEIR OWN ENERGY USE
- Y02D30/00—Reducing energy consumption in communication networks
- Y02D30/70—Reducing energy consumption in communication networks in wireless communication networks
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Amplifiers (AREA)
Abstract
本发明公开了一种低噪声放大器，包括：输入匹配模块、放大模块、输出匹配模块和旁路模块；输入匹配模块接入低噪声放大器的输入信号；放大模块用于对信号进行放大处理；输出匹配模块连接低噪声放大器的输出端，输出匹配模块用于抑制干扰信号并将处理后的信号输出至低噪声放大器的输出端；旁路模块包括主路保护单元和信号传输单元，主路保护单元与输入匹配模块连接，信号传输单元连接低噪声放大器的输入端和低噪声放大器的输出端，主路保护单元用于在旁路模式下，与输入匹配模块的至少部分元件构成并联谐振结构，以将信号功率通过信号传输单元传输，信号传输单元用于在旁路模式下将放大模块旁路。本发明可以避免大功率信号对电路元件的损坏。
Description
技术领域
本发明涉及无线通信技术领域，尤其涉及一种低噪声放大器。
背景技术
随着无线通讯技术的发展，对接收机的要求越来越高，低噪声放大器作为接收机的重要部分，对接收机的性能具有重要作用。
目前，低噪声放大器一般采用隔离器、低噪声管和放大管构成，实现对输入信号的放大，然而，低噪声放大器在接收到的信号功率较大时可能导致内部的晶体管被击穿，不能继续正常工作。
发明内容
本发明提供了一种低噪声放大器，以解决现有技术中低噪声放大器接收到的信号功率较大时损坏内部元件的问题。
根据本发明的一方面，提供了一种低噪声放大器，包括：输入匹配模块、放大模块、输出匹配模块和旁路模块；
所述输入匹配模块连接所述低噪声放大器的输入端以及所述放大模块，所述输入匹配模块接入所述低噪声放大器的输入信号；
所述放大模块用于对信号进行放大处理；
所述输出匹配模块连接所述放大模块和所述低噪声放大器的输出端，所述输出匹配模块用于抑制干扰信号并将处理后的信号输出至所述低噪声放大器的输出端；
所述旁路模块包括主路保护单元和信号传输单元，所述主路保护单元与所述输入匹配模块连接，所述信号传输单元连接所述低噪声放大器的输入端和所述低噪声放大器的输出端，所述主路保护单元用于在旁路模式下，与所述输入匹配模块的至少部分元件构成并联谐振结构，以将信号功率通过所述信号传输单元传输，所述信号传输单元用于在所述旁路模式下将所述放大模块旁路。
可选的，所述输入匹配模块包括第一电感和第二电感，所述第一电感的第一端连接所述低噪声放大器的输入端，所述第一电感的第二端连接所述放大模块，所述第二电感的第一端连接所述放大模块，所述第二电感的第二端接地；所述主路保护单元包括第一晶体管和第一电容，所述第一晶体管的第一极连接所述第一电感的第一端，所述第一晶体管的第二极连接所述第一电容的第一端，所述第一晶体管的控制极接入第一使能信号，所述第一电容的第二端连接所述第一电感的第二端。
可选的，所述信号传输单元包括第二电容、第二晶体管、第一电阻和第三电容，所述第二电容的第一端连接所述第一电感的第一端，所述第二电容的第二端连接所述第二晶体管的第一极，所述第二晶体管的控制极接入所述第一使能信号，所述第二晶体管的第二极连接所述第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端连接所述第三电容的第一端，所述第三电容的第二端连接所述低噪声放大器的输出端。
可选的，所述输出匹配模块包括第一滤波单元、第二滤波单元和陷波单元；所述第一滤波单元的第一端连接所述放大模块，所述第一滤波单元的第二端连接所述第二滤波单元的第一端和所述陷波单元的第一端，所述陷波单元的第二端接地，所述第二滤波单元的第二端连接所述低噪声放大器的输出端。
可选的，所述第一滤波单元包括第三电感和第四电容，所述第三电感的第一端连接所述第一滤波单元的第一端，所述第三电感的第二端连接第一电源，所述第四电容的第一端连接所述第三电感的第一端，所述第四电容的第二端连接所述第一滤波单元的第二端。
可选的，所述陷波单元包括第四电感和第五电容，所述第五电容的第一端连接所述陷波单元的第一端，所述第五电容的第二端连接所述第四电感的第一端，所述第四电感的第二端连接所述陷波单元的第二端。
可选的，所述第二滤波单元包括第六电容，所述第五电容的第一端连接所述第二滤波单元的第一端，所述第五电容的第二端连接所述第四电感的第一端，所述第四电感的第二端接地，所述第六电容的第一端连接所述第五电容的第一端，所述第六电容的第二端连接所述第二滤波单元的输出端。
可选的，所述放大模块包括第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管，所述第三晶体管的控制极连接所述输入匹配模块，所述第三晶体管的第一极连接所述第四晶体管的第二极，所述第三晶体管的第二极连接所述第五晶体管的第一极，所述第五晶体管的控制极接入第二使能信号，所述第五晶体管的第二极连接所述输入匹配模块，所述第四晶体管的控制极连接第一电源，所述第四晶体管的第一极连接所述输出匹配模块。
可选的，所述低噪声放大器还包括偏置模块，所述偏置模块的输入端连接第二电源，所述偏置模块的输出端连接所述放大模块，所述偏置模块用于提供偏置电源。
可选的，所述偏置模块包括第六晶体管和第二电阻，所述第六晶体管的第一极连接所述偏置模块的输入端，所述第六晶体管的第二极接地，所述第六晶体管的控制极连接所述第二电阻的第一端和所述第六晶体管的第一极，所述第二电阻的第二端连接所述偏置模块的输出端。
本发明实施例的技术方案，提供了一种低噪声放大器，包括：输入匹配模块、放大模块、输出匹配模块和旁路模块；输入匹配模块接入低噪声放大器的输入信号；放大模块用于对信号进行放大处理；输出匹配模块连接低噪声放大器的输出端，输出匹配模块用于抑制干扰信号并将处理后的信号输出至低噪声放大器的输出端；旁路模块包括主路保护单元和信号传输单元，主路保护单元与输入匹配模块连接，信号传输单元连接低噪声放大器的输入端和低噪声放大器的输出端，主路保护单元用于在旁路模式下，与输入匹配模块的至少部分元件构成并联谐振结构，以将信号功率通过信号传输单元传输，信号传输单元用于在旁路模式下将放大模块旁路。由于在输入信号为大功率信号时，低噪声放大器处于旁路模式，此时，主路保护单元与输入匹配模块的至少部分元件构成并联谐振结构，以将信号功率通过信号传输单元传输，避免了大功率信号对电路元件的损坏，解决了现有技术中低噪声放大器接收到的信号功率较大时可能损坏内部元件的问题。
应当理解，本部分所描述的内容并非旨在标识本发明的实施例的关键或重要特征，也不用于限制本发明的范围。本发明的其它特征将通过以下的说明书而变得容易理解。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例提供的一种低噪声放大器的结构示意图；
图2是本发明实施例提供的一种低噪声放大器的电路图；
图3是本发明实施例提供的另一种低噪声放大器的电路图；
图4本发明实施例提供的另一种低噪声放大器的电路图；
图5本发明实施例提供的另一种低噪声放大器的电路图。
具体实施方式
为了使本技术领域的人员更好地理解本发明方案，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本发明保护的范围。
需要说明的是，本发明的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本发明的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些步骤或单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
本发明实施例提供了一种低噪声放大器，图1是本发明实施例提供的一种低噪声放大器的结构示意图，如图1所示，低噪声放大器包括输入匹配模块110、放大模块120、输出匹配模块130和旁路模块140；输入匹配模块110连接低噪声放大器的输入端Vin以及放大模块120，输入匹配模块110接入低噪声放大器的输入信号；放大模块120用于对信号进行放大处理；输出匹配模块130连接放大模块120和低噪声放大器的输出端Vout，输出匹配模块130用于抑制干扰信号并将处理后的信号输出至低噪声放大器的输出端Vout；旁路模块140包括主路保护单元141和信号传输单元142，主路保护单元141与输入匹配模块110连接，信号传输单元142连接低噪声放大器的输入端Vin和低噪声放大器的输出端Vout，主路保护单元141用于在旁路模式下，与输入匹配模块110的至少部分元件构成并联谐振结构，以将信号功率通过信号传输单元142传输，信号传输单元142用于在旁路模式下将放大模块120旁路。
本实施例中，低噪声放大器是噪声系数很低的放大器，一般用作各类无线电接收机的高频或中频前置放大器。输入匹配模块110可以调节低噪声放大器中的电路参数，例如，调节电路中的阻抗，有利于优化低噪声放大器的性能指标。放大模块120是进行信号放大的模块，例如，放大模块包括晶体管等放大元件。输出匹配模块130是输出放大信号的模块，同时，输出匹配模块130具有抑制干扰信号的作用。旁路模块140是与主路并联的通路，其中，主路由输入匹配模块110、放大模块120和输出匹配模块130构成。主路保护单元141工作在旁路模式并对低噪声放大器的主路具有保护作用，例如，主路保护单元141可以包括开关元件，当低噪声放大器工作在旁路模式时，开关元件导通，当低噪声放大器工作在主路模式时，开关元件断开。信号传输单元142是在旁路模式下传输信号的单元，例如，信号传输单元142包括抗干扰元件等。
示例性的，低噪声放大器的输入端Vin接收无线网络发射的信号，当低噪声放大器接收到信号的功率不大于预设阈值时，由输入匹配模块110、放大模块120和输出匹配模块130构成的主路处于工作状态，旁路模块140处于关断状态，输入匹配模块110将接收到的信号传输到放大模块120，放大模块120对信号进行放大后传输至输出匹配模块130，输出匹配模块130通过对输入信号中的干扰信号进行抑制，并将处理后的信号输出至低噪声放大器的输出端Vout。当低噪声放大器接收到信号的功率大于预设阈值时，低噪声放大器的主路关断，旁路模块140导通，在旁路模式下，主路保护单元141与输入匹配模块110的至少部分元件构成并联谐振结构，由于并联谐振结构具有阻抗较大的特点，使得信号功率主要通过信号传输单元142传输，避免了信号功率通过主路传输，以防大功率信号损坏电路元件。
本实施例技术方案，提供了一种低噪声放大器，包括：输入匹配模块、放大模块、输出匹配模块和旁路模块；输入匹配模块接入低噪声放大器的输入信号；放大模块用于对信号进行放大处理；输出匹配模块连接低噪声放大器的输出端，输出匹配模块用于抑制干扰信号并将处理后的信号输出至低噪声放大器的输出端；旁路模块包括主路保护单元和信号传输单元，主路保护单元与输入匹配模块连接，信号传输单元连接低噪声放大器的输入端和低噪声放大器的输出端，主路保护单元用于在旁路模式下，与输入匹配模块的至少部分元件构成并联谐振结构，以将信号功率通过信号传输单元传输，信号传输单元用于在旁路模式下将放大模块旁路。由于在输入信号为大功率信号时，低噪声放大器处于旁路模式，此时，主路保护单元与输入匹配模块的至少部分元件构成并联谐振结构，以将信号功率通过信号传输单元传输，避免了大功率信号对电路元件的损坏，解决了现有技术中低噪声放大器接收到的信号功率较大时可能损坏内部元件的问题。
图2是本发明实施例提供的一种低噪声放大器的电路图，如图2所示，输入匹配模块110包括第一电感L1和第二电感L2，第一电感L1的第一端连接低噪声放大器的输入端Vin，第一电感L1的第二端连接放大模块120，第二电感L2的第一端连接放大模块120，第二电感L2的第二端接地；主路保护单元141包括第一晶体管Q1和第一电容C1，第一晶体管Q1的第一极连接第一电感L1的第一端，第一晶体管Q1的第二极连接第一电容C1的第一端，第一晶体管Q1的控制极接入第一使能信号BEN，第一电容C1的第二端连接第一电感L1的第二端。信号传输单元142包括第二电容C2、第二晶体管Q2、第一电阻R1和第三电容C3，第二电容C2的第一端连接第一电感L1的第一端，第二电容C2的第二端连接第二晶体管Q2的第一极，第二晶体管Q2的控制极接入第一使能信号BEN，第二晶体管Q2的第二极连接第一电阻R1的第一端，第一电阻R1的第二端连接第三电容C3的第一端，第三电容C3的第二端连接低噪声放大器的输出端Vout。
本实施例中，第二电感L2作为低噪声放大器中的反馈电感，第二电感L2的电感值越大，电路反馈越强，使得电路增益越小，电路越稳定。第一电感L1和第二电感L2参与输入匹配，例如，通过调节第二电感L2的参数，可以将输入匹配模块110阻抗的实部匹配到50Ω，通过调节第一电感L1的参数，将阻抗虚部匹配到接近0，使得低噪声放大器的性能指标最优。
本实施例中，当低噪声放大器的输入信号的功率大于预设阈值时，低噪声放大器工作在旁路模式。示例性的，第一晶体管Q1的控制极接入的第一使能信号BEN为高电平信号，第二晶体管Q2的控制极接入的第一使能信号BEN为高电平信号，第一晶体管Q1和第二晶体管Q2均导通，低噪声放大器的输入信号通过低噪声放大器的输入端Vin传输到信号传输单元142，信号传输单元142通过对输入信号进行处理并将处理后的信号传输至低噪声放大器的输出端Vout。其中，第二电容C2和第三电容C3具有阻隔直流的作用，第一电阻R1可以衰减信号传输单元142传输的信号。在旁路模式下，主路保护单元141中的第一电容C1与输入匹配模块110中的第一电感L1构成并联谐振电路，由于并联谐振电路的阻抗较大，使得较大功率的输入信号更多地通过旁路模块140中的信号传输单元142进行传输，提高了旁路模式下信号传输的线性度，避免了大功率输入信号通过主路传输，对低噪声放大器具有保护作用。
图3是本发明实施例提供的另一种低噪声放大器的电路图，如图3所示，输出匹配模块130包括第一滤波单元310、第二滤波单元320和陷波单元330；第一滤波单元310的第一端连接放大模块120，第一滤波单元310的第二端连接第二滤波单元320的第一端和陷波单元330的第一端，陷波单元330的第二端接地，第二滤波单元320的第二端连接低噪声放大器的输出端Vout。其中，第一滤波单元310是用于滤除低频信号的高通滤波单元，第二滤波单元320是用于滤除低频信号的高通滤波单元，陷波单元330可以滤除某一频率点的信号。
继续参考图3，第一滤波单元310包括第三电感L3和第四电容C4，第三电感L3的第一端连接第一滤波单元310的第一端，第三电感L3的第二端连接第一电源V1，第四电容C4的第一端连接第三电感L3的第一端，第四电容C4的第二端连接第一滤波单元310的第二端。陷波单元330包括第四电感L4和第五电容C5，第五电容C5的第一端连接陷波单元330的第一端，第五电容C5的第二端连接第四电感L4的第一端，第四电感L4的第二端连接陷波单元330的第二端。第二滤波单元320包括第六电容C6，第五电容C5的第一端连接第二滤波单元320的第一端，第五电容C5的第二端连接第四电感L4的第一端，第四电感L4的第二端接地，第六电容C6的第一端连接第五电容C5的第一端，第六电容C6的第二端连接第二滤波单元320的输出端。
本实施例中，第一滤波单元310、第二滤波单元320和陷波单元330通过调节参数可以将输出匹配模块130阻抗的实部匹配到50Ω，阻抗虚部匹配到接近0，输出匹配模块130通过使用两个高通滤波器与一个陷波电路，可实现更大的带外抑制深度，由于输出匹配模块130属于多阶匹配，可以增加输出匹配的带宽。
本实施例中，低噪声放大器还包括第三电阻R3和第四电阻R4，第三电阻R3的第一端连接第一电源V1，第三电阻R3的第二端连接第四电阻R4的第一端和放大模块120，第四电阻R4的第二端接地，第三电阻R3和第四电阻R4对第一电源V1进行分压，并将分压后的电压传输到放大模块120。
本实施例中，当低噪声放大器的输入信号的功率不大于预设阈值时，由输入匹配模块110、放大模块120和输出匹配模块130构成的主路处于工作状态，旁路模块140处于关断状态。低噪声放大器的输入信号通过输入匹配模块110传输到放大模块120，放大模块120对输入信号进行放大后传输至输出匹配模块130的第一滤波单元310、第二滤波单元320和陷波单元330，第一滤波单元310和第二滤波单元320分别对输入信号进行抗干扰处理，滤除输入信号中较低频率的信号，例如，无线网络可以发射2.4GHz和5GHz频段的电波信号，第一滤波单元131和第二滤波单元132可以分别对输入信号中的2.4GHz频段的信号进行抑制，陷波单元133滤除2.4GHz频段的信号，提高了低噪声放大器的带外抑制能力。
图4本发明实施例提供的另一种低噪声放大器的电路图，如图4所示，放大模块120包括第三晶体管Q3、第四晶体管Q4和第五晶体管Q5，第三晶体管Q3的控制极连接输入匹配模块110，第三晶体管Q3的第一极连接第四晶体管Q4的第二极，第三晶体管Q3的第二极连接第五晶体管Q5的第一极，第五晶体管Q5的控制极接入第二使能信号LEN，第五晶体管Q5的第二极连接输入匹配模块110，第四晶体管Q4的控制极连接第三电阻R3和第四电阻R4之间的连接点，第四晶体管Q4的第一极连接输出匹配模块130。
本实施例中，放大模块120的第三晶体管Q3和第四晶体管Q4构成共源共栅结构，具有输入阻抗较低的优点。第三晶体管Q3为共源放大晶体管，具有放大的作用，第四晶体管Q4为共栅晶体管，具有提高反向隔离的作用，第四晶体管Q4的控制极(即栅极)连接第三电阻R3和第四电阻R4之间的连接点，第四晶体管Q4的控制极电压由第三电阻R3和第四电阻R4通过对第一电源V1分压提供。第三晶体管Q3的第二极(即源极)连接第五晶体管Q5的第一极，第五晶体管Q5作为放大模块120的开关，示例性的，当第五晶体管Q5的控制极接入的第二使能信号LEN为高电平信号时，第五晶体管Q5导通，放大模块120导通，当第五晶体管Q5的控制极接入的第二使能信号LEN为低电平信号时，第五晶体管Q5关断，放大模块120关断。由于第五晶体管Q5的宽长比较大，因此，第五晶体管Q5的导通电阻较大，因此，第五晶体管Q5对放大模块120工作性能影响较小。
本实施例中，当第五晶体管Q5导通时，第一晶体管Q1和第二晶体管Q2均关断，低噪声放大器工作于主路模式，当第五晶体管Q5关断时，第一晶体管Q1和第二晶体管Q2均导通，低噪声放大器工作于旁路模式。在旁路模式下，第五晶体管Q5关断，可以最大限度的减小输入信号从第三晶体管Q3的第二极(即源极)漏到地。在主路模式下，由于第一晶体管Q1关断，第一电容C1不再与第一电感L1构成并联谐振电路，因此，旁路模块140不会对低噪声放大器的主路模式产生干扰。
图5本发明实施例提供的另一种低噪声放大器的电路图，如图5所示，低噪声放大器还包括偏置模块510，偏置模块510的输入端连接第二电源V2，偏置模块510的输出端连接放大模块120，偏置模块510用于提供偏置电源。其中，偏置模块510是用于提供偏置电源的模块，第二电源V2可以采用带隙基准源，由于带隙基准源具有较好的稳定性，不易受到温度的影响，使得偏置模块510提供的偏置电源较稳定，保证低噪声放大器的稳定工作。
继续参考图5，偏置模块510包括第六晶体管Q6和第二电阻R2，第六晶体管Q6的第一极连接偏置模块510的输入端，第六晶体管Q6的第二极接地，第六晶体管Q6的控制极连接第二电阻R2的第一端和第六晶体管Q6的第一极，第二电阻R2的第二端连接偏置模块510的输出端。
本实施例中，第六晶体管Q6的连接方式为二极管连接方式，第六晶体管Q6的控制极(即栅极)电压可以通过调节自身的参数进行调节，当第六晶体管Q6的选型完成后，第六晶体管Q6的控制极电压由第二电源V2决定，第二电源V2采用带隙基准源，使得第六晶体管Q6的控制极电压较稳定，由于第六晶体管Q6与第三晶体管Q3构成电流镜，因此，第三晶体管Q3的控制极电压稳定，实现了偏置模块510提供稳定偏置电源的目的。
本实施例中，低噪声放大器根据输入信号的功率可以工作在主路模式或旁路模式。主路模式下，输入匹配模块通过调节参数提高低噪声放大器的性能指标，输出匹配模块通过第一滤波单元、第二滤波单元和陷波单元提高了低噪声放大器的带外抑制能力。旁路模式下，主路保护单元将第一电容C1与输入匹配模块中的第一电感L1构成并联谐振结构，利用并联谐振结构具有阻抗较大的特点，使得信号功率通过信号传输单元传输，避免了信号功率通过主路传输导致损坏电路元件。
应该理解，可以使用上面所示的各种形式的流程，重新排序、增加或删除步骤。例如，本发明中记载的各步骤可以并行地执行也可以顺序地执行也可以不同的次序执行，只要能够实现本发明的技术方案所期望的结果，本文在此不进行限制。
上述具体实施方式，并不构成对本发明保护范围的限制。本领域技术人员应该明白的是，根据设计要求和其他因素，可以进行各种修改、组合、子组合和替代。任何在本发明的精神和原则之内所作的修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明保护范围之内。
Claims (10)
1.一种低噪声放大器，其特征在于，包括：输入匹配模块、放大模块、输出匹配模块和旁路模块；
所述输入匹配模块连接所述低噪声放大器的输入端以及所述放大模块，所述输入匹配模块接入所述低噪声放大器的输入信号；
所述放大模块用于对信号进行放大处理；
所述输出匹配模块连接所述放大模块和所述低噪声放大器的输出端，所述输出匹配模块用于抑制干扰信号并将处理后的信号输出至所述低噪声放大器的输出端；
所述旁路模块包括主路保护单元和信号传输单元，所述主路保护单元与所述输入匹配模块连接，所述信号传输单元连接所述低噪声放大器的输入端和所述低噪声放大器的输出端，所述主路保护单元用于在旁路模式下，与所述输入匹配模块的至少部分元件构成并联谐振结构，以将信号功率通过所述信号传输单元传输，所述信号传输单元用于在所述旁路模式下将所述放大模块旁路。
2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述输入匹配模块包括第一电感和第二电感，所述第一电感的第一端连接所述低噪声放大器的输入端，所述第一电感的第二端连接所述放大模块，所述第二电感的第一端连接所述放大模块，所述第二电感的第二端接地；
所述主路保护单元包括第一晶体管和第一电容，所述第一晶体管的第一极连接所述第一电感的第一端，所述第一晶体管的第二极连接所述第一电容的第一端，所述第一晶体管的控制极接入第一使能信号，所述第一电容的第二端连接所述第一电感的第二端。
3.根据权利要求2所述的低噪声放大器，其特征在于，所述信号传输单元包括第二电容、第二晶体管、第一电阻和第三电容，所述第二电容的第一端连接所述第一电感的第一端，所述第二电容的第二端连接所述第二晶体管的第一极，所述第二晶体管的控制极接入所述第一使能信号，所述第二晶体管的第二极连接所述第一电阻的第一端，所述第一电阻的第二端连接所述第三电容的第一端，所述第三电容的第二端连接所述低噪声放大器的输出端。
4.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述输出匹配模块包括第一滤波单元、第二滤波单元和陷波单元；所述第一滤波单元的第一端连接所述放大模块，所述第一滤波单元的第二端连接所述第二滤波单元的第一端和所述陷波单元的第一端，所述陷波单元的第二端接地，所述第二滤波单元的第二端连接所述低噪声放大器的输出端。
5.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第一滤波单元包括第三电感和第四电容，所述第三电感的第一端连接所述第一滤波单元的第一端，所述第三电感的第二端连接第一电源，所述第四电容的第一端连接所述第三电感的第一端，所述第四电容的第二端连接所述第一滤波单元的第二端。
6.根据权利要求4所述的低噪声放大器，其特征在于，所述陷波单元包括第四电感和第五电容，所述第五电容的第一端连接所述陷波单元的第一端，所述第五电容的第二端连接所述第四电感的第一端，所述第四电感的第二端连接所述陷波单元的第二端。
7.根据权利要求6所述的低噪声放大器，其特征在于，所述第二滤波单元包括第六电容，所述第五电容的第一端连接所述第二滤波单元的第一端，所述第五电容的第二端连接所述第四电感的第一端，所述第四电感的第二端接地，所述第六电容的第一端连接所述第五电容的第一端，所述第六电容的第二端连接所述第二滤波单元的输出端。
8.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，所述放大模块包括第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管，所述第三晶体管的控制极连接所述输入匹配模块，所述第三晶体管的第一极连接所述第四晶体管的第二极，所述第三晶体管的第二极连接所述第五晶体管的第一极，所述第五晶体管的控制极接入第二使能信号，所述第五晶体管的第二极连接所述输入匹配模块，所述第四晶体管的控制极连接第一电源，所述第四晶体管的第一极连接所述输出匹配模块。
9.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其特征在于，还包括偏置模块，所述偏置模块的输入端连接第二电源，所述偏置模块的输出端连接所述放大模块，所述偏置模块用于提供偏置电源。
10.根据权利要求9所述的低噪声放大器，其特征在于，所述偏置模块包括第六晶体管和第二电阻，所述第六晶体管的第一极连接所述偏置模块的输入端，所述第六晶体管的第二极接地，所述第六晶体管的控制极连接所述第二电阻的第一端和所述第六晶体管的第一极，所述第二电阻的第二端连接所述偏置模块的输出端。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310556073.8A CN116683874A (zh) | 2023-05-17 | 2023-05-17 | 一种低噪声放大器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310556073.8A CN116683874A (zh) | 2023-05-17 | 2023-05-17 | 一种低噪声放大器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116683874A true CN116683874A (zh) | 2023-09-01 |
Family
ID=87777882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310556073.8A Pending CN116683874A (zh) | 2023-05-17 | 2023-05-17 | 一种低噪声放大器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116683874A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116979911A (zh) * | 2023-09-20 | 2023-10-31 | 中科海高(成都)电子技术有限公司 | 一种放大器结构、控制方法、芯片及电子设备 |
-
2023
- 2023-05-17 CN CN202310556073.8A patent/CN116683874A/zh active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN116979911A (zh) * | 2023-09-20 | 2023-10-31 | 中科海高(成都)电子技术有限公司 | 一种放大器结构、控制方法、芯片及电子设备 |
| CN116979911B (zh) * | 2023-09-20 | 2023-12-15 | 中科海高(成都)电子技术有限公司 | 一种放大器结构、控制方法、芯片及电子设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US20150236748A1 (en) | Devices and Methods for Duplexer Loss Reduction | |
| EP1079533B1 (en) | Parallel operation of devices using multiple communication standards | |
| KR20080047623A (ko) | 다단식 공진 증폭기 시스템 및 방법 | |
| JP2009290411A (ja) | 低雑音受信装置 | |
| KR20020026836A (ko) | 파워 증폭기 | |
| KR20230111249A (ko) | 정합 회로, 무선 주파수 전-단부 전력 증폭 회로, 및이동 통신 기기 | |
| CN214851148U (zh) | 一种s波段功率放大组件 | |
| CN112202409B (zh) | 低噪声放大模块、接收机和信号处理方法 | |
| CN116683874A (zh) | 一种低噪声放大器 | |
| KR100789918B1 (ko) | 광대역 저잡음 증폭기의 입력 매칭 회로 | |
| CN105429656A (zh) | 基于短波宽带接收解调前端的信号处理装置 | |
| CN109525203B (zh) | 一种基于GaAs pHEMT工艺的中频放大器 | |
| CN113098403A (zh) | 基于GaAs pHEMT工艺的超宽带低电流驱动放大器 | |
| TWI483542B (zh) | 放大器電路 | |
| KR100533641B1 (ko) | 필터링 커플러를 갖는 듀얼밴드 송신기 | |
| EP1026830B1 (en) | Antenna circuit | |
| Barth et al. | A double notch RF filter architecture for SAW-less GPS receivers | |
| CN213783252U (zh) | 低噪声放大电路与电子设备 | |
| CN108494375A (zh) | 一种集成可重构陷波滤波器的超宽带功率放大器 | |
| CN210297646U (zh) | 一种低噪声放大模块 | |
| CN115276568B (zh) | 小型化滤波低噪声放大器及接收机 | |
| CN220798222U (zh) | 基于巴特沃兹带通滤波器的低噪声放大器 | |
| KR100514679B1 (ko) | 이동통신 단말기의 알에프 최종단 모듈구조 | |
| CN112436809B (zh) | 低噪声放大器、低噪声放大电路与电子设备 | |
| CN108270415B (zh) | 利用baw谐振器的并联谐振的带通滤波器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination |