CN112202409B - 低噪声放大模块、接收机和信号处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开的低噪声放大模块，包括用于接收外部输入的射频信号的射频信号输入端、用于输出放大或衰减后的射频信号的射频信号输出端、用于接收第一控制信号的第一控制信号输入端和用于接收第二控制信号的第二控制信号输入端，还包括低噪声放大器和旁通电路；所述低噪声放大器对所述射频信号进行放大，以得到放大后的射频信号；所述旁通电路对所述射频信号进行衰减，以得到衰减后的射频信号；其中，所述低噪声放大器和所述旁通电路的导通状态分别根据所述第一控制信号和所述第二控制信号进行调整，所述衰减的衰减量根据所述第二控制信号的电压大小进行调整。本发明还公开了接收机和信号处理方法，能实现对输入信号的衰减可调，能有效提高通信质量。

Description

低噪声放大模块、接收机和信号处理方法

技术领域

本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种低噪声放大模块、接收机和信号处理方法。

背景技术

随着电子技术的快速发展，手机、路由器等通信装置已广泛应用于国民生活和科学技术的许多领域，而低噪声放大模块则是通信装置中必不可少的组件。在通信装置中，低噪声放大模块用于将微弱的射频信号进行放大，但若低噪声放大模块接收的射频信号强度过大,会造成放大器的失真，导致通信装置的信号处理质量下降。因此，在通信装置的低噪声放大模块中，实现对强信号的衰减显得极为重要。

目前，在通信装置中，实现对强信号的衰减主要是通过以下方案：

将固定衰减器作为旁通电路集成至低噪声放大模块中，分别在低噪声放大器的输入端和输出端集成两个射频开关，若输入的射频信号为强信号，则通过射频开关将信号传输路径切换至衰减链路，射频信号经由固定衰减器进行衰减后，输出至接收机。

发明人在实施本发明实施例的过程中发现，在现有技术中，采用射频开关控制信号传输链路，会导致系统的噪声系数增大，并且，在对不同强信号输入进行衰减时，由于衰减量为固定值，因此仍然会在强弱信号切换点造成丢包现象，再次，现有方案由于衰减量固定，当信号强度继续增强达到一定的强度时仍然会造成接收机信号失真，影响通信质量。

发明内容

本发明实施例提供一种低噪声放大模块、接收机和信号处理方法，在所述低噪声放大模块中，能通过控制信号控制旁通电路的衰减量，以实现对输入信号的衰减可调，使得在输入信号的强度变化时无丢包现象，进而提高通信质量。

为实现上述目的，本发明实施例提供了一种低噪声放大模块，包括电源输入端、射频信号输入端、射频信号输出端、第一控制信号输入端和第二控制信号输入端，还包括低噪声放大器和旁通电路；

所述电源输入端用于连接外部电源，为所述低噪声放大器和所述旁通电路供电；

所述第一控制信号输入端用于接收外部输入的第一控制信号；

所述第二控制信号输入端用于接收外部输入的第二控制信号；

所述射频信号输入端用于接收外部输入的射频信号；

所述低噪声放大器，用于对所述射频信号进行放大，以得到放大后的射频信号；其中，所述低噪声放大器的导通状态根据所述第一控制信号进行调整；

所述旁通电路，用于对所述射频信号进行衰减，以得到衰减后的射频信号；其中，所述旁通电路的导通状态根据所述第二控制信号进行调整，当所述第二控制信号为高电平时截止，所述衰减的衰减量与所述第二控制信号的电压大小成正比；

所述射频信号输出端用于输出处理后的射频信号；其中，所述处理后的射频信号为所述放大后的射频信号或所述衰减后的射频信号。

作为上述方案的改进，所述电源输入端包括第二电源输入端子；

所述低噪声放大器包括第一端和第二端；所述低噪声放大器还包括第一电阻和晶体管；

所述低噪声放大器的第一端分别与所述射频信号输入端和所述第一控制信号输入端连接，以接收所述射频信号和所述第一控制信号；

所述低噪声放大器的第二端与所述射频信号输出端连接，以输出所述放大后的射频信号；

所述低噪声放大器的第二端还与所述第二电源输入端子连接，以接收所述外部电源提供的电压；

所述晶体管的基极与所述低噪声放大器的第一端连接，所述晶体管的集电极与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述低噪声放大器的第二端连接，所述晶体管的发射极接地。

作为上述方案的改进，所述低噪声放大器还包括前置噪声匹配电路，所述前置噪声匹配电路用于实现所述晶体管的噪声匹配调节；

所述前置噪声匹配电路的输入端与所述低噪声放大器的第一端连接，所述前置噪声匹配电路的输出端与所述晶体管的基极连接；

所述前置噪声匹配电路包括第一电感、第一电容和第二电容；

所述第一电感的第一端与所述前置噪声匹配电路的输入端连接，所述第一电感的第二端与所述前置噪声匹配电路的输出端连接，所述第一电容的第一端与所述第一电感的第一端连接，所述第一电容的第二端接地，所述第二电容的第一端与所述第一电感的第二端连接，所述第二电容的第二端接地。

作为上述方案的改进，所述电源输入端还包括第一电源输入端子；

所述旁通电路包括第一端、第二端和第三端；所述旁通电路还包括衰减电路单元和第三电容；

所述旁通电路的第一端与所述射频信号输入端连接，以接收所述射频信号；

所述旁通电路的第二端与所述射频信号输出端连接，以输出所述衰减后的射频信号；

所述旁通电路的第二端还与所述第二电源输入端子连接，以接收所述外部电源提供的电压；

所述旁通电路的第三端与所述第二控制信号输入端连接，以接收所述第二控制信号；

其中，所述衰减电路单元包括第二电阻、第三电阻、第四电阻和二极管单元；

所述第二电阻的第一端与所述第一电源输入端子连接，以接收所述外部电源提供的电压；

所述第二电阻的第一端还通过所述第三电容与所述旁通电路的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述二极管单元的第一端连接，所述二极管单元的第二端与所述第三电阻的第一端连接，所述第三电阻的第二端与所述旁通电路的第二端连接，所述二极管单元的第三端与所述第四电阻的第一端连接，所述第四电阻的第二端与所述旁通电路的第三端连接；

其中，所述二极管单元包括第一二极管和第二二极管；

所述第一二极管的正极与所述二极管单元的第一端连接，所述第一二极管的负极与所述第二二极管的负极连接，所述第一二极管的负极还与所述二极管单元的第三端连接，所述第二二极管的正极与所述二极管单元的第二端连接。

作为上述方案的改进，所述旁通电路还包括与所述第一二极管对应的第一谐振单元，以及与所述第二二极管对应的第二谐振单元；

每一谐振单元包括谐振电感和谐振电容，所述谐振电感的第一端与相应的二极管的正极连接，所述谐振电感的第二端与所述谐振电容的第一端连接，所述谐振电容的第二端与相应的二极管的负极连接。

作为上述方案的改进，所述旁通电路还包括第一电源单元；

所述第一电源单元的输入端与所述第一电源输入端子连接，所述第一电源单元的输出端与所述第二电阻的第一端连接；

所述第一电源单元包括第二电感和第四电容；

所述第二电感的第一端与所述第一电源单元的输入端连接，所述第二电感的第二端与所述第一电源单元的输出端连接，所述第四电容的第一端与所述第二电感的第一端连接，所述第四电容的第二端接地。

作为上述方案的改进，所述低噪声放大模块还包括第一控制单元；

所述第一控制单元的输入端与所述第一控制信号输入端连接，所述第一控制单元的输出端与所述低噪声放大器的第一端连接；

所述第一控制单元包括第三电感、第五电容、第五电阻和第六电阻；

所述第五电阻的第一端与所述第一控制单元的输入端连接，所述第五电阻的第二端与所述第三电感的第一端连接，所述第三电感的第二端与所述第一控制单元的输出端连接，所述第五电容的第一端与所述第三电感的第一端连接，所述第五电容的第二端接地，所述第六电阻的第一端与所述第五电阻第二端连接，所述第六电阻第二端接地。

作为上述方案的改进，所述低噪声放大模块还包括第二电源单元；

所述第二电源单元的输入端与所述第二电源输入端子连接，所述第二电源单元的输出端分别与所述低噪声放大器的第二端和所述旁通电路的第二端连接；

所述第二电源单元包括第七电阻、第四电感、第六电容、第七电容和第八电容；

所述第七电阻的第一端与所述第二电源单元的输入端连接，所述第七电阻的第二端与所述第四电感的第一端连接，所述第四电感的第二端与所述第二电源单元的输出端连接，所述第六电容的第一端与所述第七电阻的第一端连接，所述第六电容的第二端接地，所述第七电容的第一端与所述第六电容的第一端连接，所述第七电容的第二端接地，所述第八电容的第一端与所述第四电感的第一端连接，所述第八电容的第二端接地。

作为上述方案的改进，所述低噪声放大模块还包括第二控制单元；

所述第二控制单元的输入端与所述第二控制信号输入端连接，所述第二控制单元的输出端与所述旁通电路的第三端连接；

所述第二控制单元包括第五电感和第九电容；

所述第五电感的第一端与所述第二控制单元的输入端连接，所述第五电感的第二端和所述第二控制单元的输出端相连，所述第九电容的第一端与所述第五电感的第一端连接，所述第九电容的第二端接地。

作为上述方案的改进，所述低噪声放大模块还包括第十电容和第十一电容；

所述低噪声放大器和所述旁通电路均通过所述第十电容与所述射频信号输入端连接，所述低噪声放大器和所述旁通电路均通过所述第十一电容与所述射频信号输出端连接。

本发明实施例还提供了一种接收机，包括电源、控制模块和如上任一项所述的低噪声放大模块；

所述电源用于为所述低噪声放大模块供电；

所述控制模块用于根据所述低噪声放大模块接收到的射频信号的强度生成第一控制信号和第二控制信号，并分别输出所述第一控制信号和所述第二控制信号至所述低噪声放大模块的第一控制信号输入端和第二控制信号输入端；

所述低噪声放大模块用于根据接收到的第一控制信号和第二控制信号，对射频信号输入端接收到的射频信号进行放大或衰减，并通过射频信号输出端将经过放大或衰减处理的射频信号输出至后级电路。

本发明实施例还提供了一种信号处理方法，应用于如上任一项所述的低噪声放大模块，包括步骤：

接收外部输入的第一控制信号、第二控制信号和射频信号；

当所述第一控制信号和所述第二控制信号均为高电平时，通过所述低噪声放大器对所述射频信号进行放大，以得到放大后的射频信号，并输出所述放大后的射频信号；

当所述第一控制信号为低电平时，通过所述旁通电路对所述射频信号进行衰减，以得到衰减后的射频信号，并输出所述衰减后的射频信号；其中，所述衰减的衰减量根据所述第二控制信号的电压大小进行调整。

与现有技术相比，本发明实施例公开的一种低噪声放大模块、接收机和信号处理方法，通过第一控制信号输入端和第二控制信号输入端接收到的外部输入的第一控制信号和第二控制信号，调整低噪声放大器和旁通电路的导通状态，以及控制所述旁通电路的衰减量，进而通过所述低噪声放大器对射频信号输入端接收到的射频信号进行放大处理，或者，通过所述旁通电路对所述射频信号进行衰减处理，再通过射频信号输出端输出处理后的射频信号。由于所述低噪声放大器和所述旁通电路的导通状态，可根据外部输入的第一控制信号和第二控制信号进行调整，避免了采用射频开关控制信号传输链路而造成系统的噪声系数增大，并且，可根据外部输入的第二控制信号控制所述旁通电路的衰减量，在对不同信号强度的输入信号进行衰减时，衰减量可调，使得在输入信号的强度变化时无丢包现象，提高了通信质量。

附图说明

图1是本发明实施例1提供的一种低噪声放大模块的结构示意图。

图2是本发明实施例2提供的一种低噪声放大模块中的低噪声放大器的结构示意图。

图3是本发明实施例3提供的一种低噪声放大器中的前置噪声匹配电路的结构示意图。

图4是本发明实施例4提供的一种低噪声放大模块中的旁通电路的结构示意图。

图5是本发明实施例5提供的另一种低噪声放大模块中的旁通电路的结构示意图。

图6是本发明实施例6提供的一种低噪声放大模块中的第一电源单元的结构示意图。

图7是本发明实施例7提供的一种低噪声放大模块中的第一控制单元的结构示意图。

图8是本发明实施例8提供的一种低噪声放大模块中的第二电源单元的结构示意图。

图9是本发明实施例9提供的一种低噪声放大模块中的第二控制单元的结构示意图。

图10是本发明实施例10提供的另一种低噪声放大模块的结构示意图。

图11是本发明实施例11提供的又一种低噪声放大模块的结构示意图。

图12是本发明实施例12提供的一种接收机的结构示意图。

图13是本发明实施例13提供的一种信号处理方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

参见图1，是本发明实施例1提供的一种低噪声放大模块的结构示意图。

本发明实施例1提供了一种低噪声放大模块100，所述低噪声放大模块100包括电源输入端A、射频信号输入端100a、射频信号输出端100b、第一控制信号输入端100c和第二控制信号输入端100d，还包括低噪声放大器110和旁通电路120。

所述电源输入端A用于连接外部电源，从而为所述低噪声放大器110和所述旁通电路120供电。其中，所述外部电源可以是3.3V或其他电源电压。

所述第一控制信号输入端100c用于接收外部输入的第一控制信号，所述第一控制信号为直流信号，可以是连接信号发生装置，以获取所述信号发生装置输出的直流信号，例如连接接收机的GPIO或接收机的其他控制信号输出端口，以获取所述接收机输出的直流信号，也可以是连接其他的信号发生装置以获取其输出的直流信号，均不影响本发明可取得的有益效果。

所述第二控制信号输入端100d用于接收外部输入的第二控制信号，所述第二控制信号为直流信号，可以是连接信号发生装置，以获取所述信号发生装置输出的直流信号，例如连接接收机的GPIO或接收机的其他控制信号输出端口，以获取所述接收机输出的直流信号，也可以是连接其他的信号发生装置以获取其输出的直流信号，均不影响本发明可取得的有益效果。

所述射频信号输入端100a用于接收外部输入的射频信号，可以是连接信号采集装置，以获取所述信号采集装置输出的射频信号，例如连接天线以获取所述天线输出的射频信号；也可以是连接其他的信号采集装置以获取其输出的射频信号，均不影响本发明可取得的有益效果。

所述低噪声放大器110为具有信号放大功能的单元电路，例如是采用晶体管或参量放大器组成的单元电路等。所述低噪声放大器110与所述射频信号输入端100a连接，用于对所述射频信号进行放大，以得到放大后的射频信号。其中，所述低噪声放大器110还与所述第一控制信号输入端100c连接，所述低噪声放大器110的导通状态根据所述第一控制信号进行调整。

所述旁通电路120为具有信号衰减功能的单元电路，例如是采用数控衰减器或PIN二极管组成的单元电路等。所述旁通电路120与所述射频信号输入端100a连接，用于对所述射频信号进行衰减，以得到衰减后的射频信号。其中，所述旁通电路120还与所述第二控制信号输入端100d连接，所述旁通电路120的导通状态根据所述第二控制信号进行调整，所述衰减的衰减量根据所述第二控制信号的电压大小进行调整。

所述射频信号输出端100b，分别与所述低噪声放大器110和所述旁通电路120连接，用于输出处理后的射频信号。其中，所述处理后的射频信号为所述放大后的射频信号或所述衰减后的射频信号。

以所述第一控制信号输入端100c和所述第二控制信号输入端100d连接接收机的GPIO口，所述射频信号输入端100a连接天线为例，在所述低噪声放大模块100的工作过程中，所述第一控制信号输入端100c接收所述接收机输出的直流信号以作为第一控制信号，所述第二控制信号输入端100d接收所述接收机输出的另一直流信号以作为第二控制信号，所述射频信号输入端100a接收所述天线输出的射频信号。所述低噪声放大器110的导通状态根据所述第一控制信号调整，所述旁通电路120的导通状态根据所述第二控制信号调整，当所述低噪声放大器110导通且所述旁通电路120为截止状态时，所述低噪声放大器110对所述射频信号进行放大，以得到放大后的射频信号，并将放大后的射频信号通过所述射频信号输出端100b输出；当所述旁通电路120导通且所述低噪声放大器110为截止状态时，此时根据所述第二控制信号输入端所接收的第二控制信号的电压大小调整所述旁通电路120的衰减量，并对所述射频信号进行衰减，以得到衰减后的射频信号，并将衰减后的射频信号通过所述射频信号输出端100b输出。

在一个具体的实施方式中，可以是将所述低噪声放大器110设置为当所述第一控制信号为高电平时导通，当所述第一控制信号为低电平时截止，将所述旁通电路120设置为当所述第二控制信号为高电平时截止，并且其衰减量与所述第二控制信号的电压大小成正比。

本发明实施例1公开的一种低噪声放大模块，通过第一控制信号输入端和第二控制信号输入端接收到的外部输入的第一控制信号和第二控制信号，调整低噪声放大器和旁通电路的导通状态，以及控制所述旁通电路的衰减量，进而通过所述低噪声放大器对射频信号输入端接收到的射频信号进行放大处理，或者，通过所述旁通电路对所述射频信号进行衰减处理，再通过射频信号输出端输出处理后的射频信号。由于所述低噪声放大器和所述旁通电路的导通状态，可根据外部输入的第一控制信号和第二控制信号进行调整，避免了采用射频开关控制信号传输链路而造成系统的噪声系数增大，并且，可根据外部输入的第二控制信号控制所述旁通电路的衰减量，在对不同信号强度的输入信号进行衰减时，衰减量可调，使得在输入信号的强度变化时无丢包现象，提高了通信质量。

作为一个优选实施例，本发明实施例2在实施例1提供的低噪声放大模块100的基础上进行改进。参见图2，是本发明实施例2提供的一种低噪声放大模块中的低噪声放大器的结构示意图。

本发明实施例2提供的低噪声放大模块中，所述电源输入端A包括第二电源输入端子。

所述低噪声放大器110包括第一端110a和第二端110b；所述低噪声放大器110还包括第一电阻R1和晶体管Q1。优选地，所述晶体管Q1为NPN型三极管。

所述低噪声放大器110的第一端110a用于与所述射频信号输入端100a连接，以接收所述射频信号，所述低噪声放大器110的第一端110a还与所述第一控制信号输入端100c连接，以接收所述第一控制信号。

所述低噪声放大器110的第二端110b用于与所述射频信号输出端100b连接，以输出所述放大后的射频信号，所述低噪声放大器110的第二端110b还与所述第二电源输入端子连接，以接收所述外部电源提供的电压。

所述晶体管Q1的基极与所述低噪声放大器110的第一端110a连接，所述晶体管Q1的集电极与所述第一电阻R1的第一端连接，所述第一电阻R1的第二端与所述低噪声放大器110的第二端110b连接，所述晶体管Q1的发射极接地。

当所述低噪声放大器110的第一端110a接收到的第一控制信号为低电平时，此时所述晶体管Q1为截止状态，则所述低噪声放大器110也为截止状态。当所述低噪声放大器110的第一端110a接收到的控制信号为高电平时，由所述低噪声放大器110的第二端110b接收到的直流电压提供驱动电压给晶体管Q1，此时所述晶体管Q1是导通的，则所述低噪声放大器110处于导通状态，所述晶体管Q1可以将微弱信号放大为一定强度的信号。所述低噪声放大器110的第一端110a接收到射频信号，所述射频信号输入到所述晶体管Q1的基极，通过所述晶体管Q1对所述射频信号进行放大后，经由所述晶体管Q1的集电极输出至所述低噪声放大器110的第二端110b。

可以理解地，当所述低噪声放大器110的第一端110a接收到射频信号为弱信号时，所述低噪声放大器110的第一端110a接收到的控制信号为高电平，此时所述晶体管Q1处于导通状态，所述射频信号通过所述晶体管Q1进行放大后，经由所述低噪声放大器110的第二端110b输出。

本发明实施例2在实施例1提供的低噪声放大模块100的基础上，通过第一电阻和晶体管构建低噪声放大器，有利于低噪声放大器的工作稳定性，简化了低噪声放大器的电路结构，降低了所述低噪声放大模块的复杂度和设计难度。

参见图3，是本发明实施例3提供的一种前置噪声匹配电路的结构示意图。

作为一个优选实施例，在实施例2的基础上，进一步地，本发明实施例3提供的低噪声放大模块中，所述低噪声放大器110还包括前置噪声匹配电路111。

所述前置噪声匹配电路111用于所述晶体管Q1的噪声匹配调节；

所述前置噪声匹配电路111的输入端111a与所述低噪声放大器110的第一端110a连接，所述前置噪声匹配电路111的输出端111b与所述晶体管Q1的基极连接；

所述前置噪声匹配电路111包括第一电感L1、第一电容C1和第二电容C2；

所述第一电感L1的第一端与所述前置噪声匹配电路111的输入端111a连接，所述第一电感L1的第二端与所述前置噪声匹配电路111的输出端111b连接，所述第一电容C1的第一端与所述第一电感L1的第一端连接，所述第一电容C1的第二端接地，所述第二电容C2的第一端与所述第一电感L1的第二端连接，所述第二电容C2的第二端接地。

所述前置噪声匹配电路111通过输入端111a接收所述射频信号输入端100a输入的射频信号，对接收到的射频信号进行阻抗变换，使所述低噪声放大器110处于最佳噪声系数工作状态，并通过所述输出端111b输出所述阻抗变换后的射频信号至所述晶体管Q1。可以理解地，上述情况仅作为本发明的一种优选举例，不构成对本发明实施的限定，在实际情况中，前置单元还可以有其他作用，均不影响本发明可取得的有益效果。

本发明实施例3在实施例2提供的低噪声放大模块100的基础上，通过前置噪声匹配电路对接收到的射频信号进行阻抗变换，使所述低噪声放大器处于最佳噪声工作状态，进一步提高了通信质量。

参见图4，是本发明实施例4提供的一种低噪声放大模块中的旁通电路的结构示意图。

作为优选实施例，在实施例2的基础上，进一步地，本发明实施例4提供的低噪声放大模块中，所述电源输入端还包括第一电源输入端子。

所述旁通电路120包括第一端120a、第二端120b和第三端120c；所述旁通电路120还包括衰减电路单元121和第三电容C3。

所述旁通电路120的第一端120a与所述射频信号输入端100a连接，以接收所述射频信号。

所述旁通电路120的第二端120b与所述射频信号输出端100b连接，以输出所述衰减后的射频信号。

所述旁通电路的第二端120b还与所述第二电源输入端子连接，以接收所述外部电源提供的电压。

所述旁通电路的第三端120c与所述第二控制信号输入端100d连接，以接收所述第二控制信号。

其中，所述衰减电路单元121包括第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4和二极管单元U1。优选地，所述二极管单元U1为共阴二极管。

所述第二电阻R2的第一端与所述第一电源输入端子连接，以接收所述外部电源提供的电压。

所述第二电阻R2的第一端还通过所述第三电容C3与所述旁通电路120的第一端120a连接，所述第二电阻R2的第二端与所述二极管单元U1的第一端U1a连接，所述二极管单元U1的第二端U1b与所述第三电阻R3的第一端连接，所述第三电阻R3的第二端与所述旁通电路120的第二端120b连接，所述二极管单元U1的第三端U1c与所述第四电阻R4的第一端连接，所述第四电阻R4的第二端与所述旁通电路120的第三端120c连接。

其中，所述二极管单元U1包括第一二极管D1和第二二极管D2。优选地，所述第一二极管D1和所述第二二极管D2均为PIN二极管。

所述第一二极管D1的正极与所述二极管单元U1的第一端U1a连接，所述第一二极管D1的负极与所述第二二极管D2的负极连接，所述第一二极管D1的负极还与所述二极管单元U1的第三端U1c连接，所述第二二极管D2的正极与所述二极管单元U1的第二端U1b连接。需要说明的是，采用两个二极管组成二极管单元，可在二极管的截止状态下增大所述旁通电路的隔离度，减小所述旁通电路对处于导通状态的低噪声放大器的影响。

当所述旁通电路120的第三端120c接收到的第二控制信号为高电平时，二极管单元U1为截止状态，此时所述旁通电路120具有较大的衰减量。当所述旁通电路120的第三端120c接收到的第二控制信号电平降低时，由所述第二电阻R2的第一端接收到的所述外部电源提供的电压提供驱动电压给所述二极管单元U1中的第一二极管D1，由所述旁通电路120的第二端120b接收到的所述外部电源提供的电压提供驱动电压给第二二极管D2，此时所述二极管单元U1的第一二极管D1和第二二极管D2是导通的，则所述旁通电路120处于导通状态。通过所述旁通电路120的第一端120a接收的射频信号输入所述旁通电路120，由所述二极管单元U1以及第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4构成的衰减电路单元121可以对射频信号进行衰减，以得到衰减后的射频信号，并通过所述第二端120b输出所述衰减后的射频信号。所述衰减的衰减量可以根据所述二极管单元U1的导通电流调整，所述二极管单元U1的导通电流越小，则所述衰减的衰减量越大，所述二极管单元U1的导通电流越大，则所述衰减的衰减量越小。在保证所述二极管单元U1可导通的情况下，所述二极管单元U1的导通电流可以根据所述第二控制信号的电压大小进行调整，所述第二控制信号的电压越大，所述二极管单元U1的导通电流越小，则所述衰减的衰减量越大，反之，所述第二控制信号的电压越小，所述二极管单元U1的导通电流越大，则所述衰减的衰减量越小。此外，所述二极管单元U1的导通电流也可以通过改变第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4的电阻大小进行调整，通过改变第二电阻R2、第三电阻R3和第四电阻R4的电阻大小可以调整所述旁通电路的衰减量变化范围。

可以理解地，当所述旁通电路120的第三端120c连接控制信号发生器时，若所述旁通电路120的第一端120a接收的射频信号为强信号，所述旁通电路120的第三端120c接收到的第二控制信号电压大小通过控制信号发生器进行调整，所述旁通电路处于导通状态，所述射频信号通过所述二极管单元U1进行衰减后，经由所述旁通电路的第二端120b输出。

参见图5，是本发明实施例5提供的另一种低噪声放大模块中的旁通电路的结构示意图。

作为优选实施例，在实施例2的基础上，进一步地，本发明实施例5提供的低噪声放大模块中，所述旁通电路120还包括与所述第一二极管D1对应的第一谐振单元1211，以及与所述第二二极管D2对应的第二谐振单元1212；

第一谐振单元1211包括第一谐振电感L6和第一谐振电容C12，所述第一谐振电感L6的第一端与所述第一二极管D1的正极连接，所述第一谐振电感L6的第二端与所述第一谐振电容C12的第一端连接，所述第一谐振电容C12的第二端与所述第一二极管D1的负极连接；

第二谐振单元1212包括第二谐振电感L7和第二谐振电容C13，所述第二谐振电感L7的第一端与所述第二二极管D2的正极连接，所述第二谐振电感L7的第二端与所述第二谐振电容C13的第一端连接，所述第二谐振电容C13的第二端与所述第二二极管D2的负极连接。

需要说明的是，由谐振电感和谐振电容组成的谐振单元可以对所述射频信号进行选频，以得到特定频段或特定频率的射频信号，可以是通过谐振单元对所述射频信号进行选频，以得到2.4G频段的射频信号，也可以是得到其他频段或其他频率的射频信号，均不影响本发明可取得的有益效果。可以理解地，上述情况仅作为本发明的一种优选举例，不构成对本发明实施的限定，在实际情况中，谐振单元还可以有其他作用，均不影响本发明可取得的有益效果。

参见图6，是本发明实施例6提供的一种低噪声放大模块中的第一电源单元的结构示意图。

作为优选实施例，在实施例4的基础上，进一步地，本发明实施例6提供的低噪声放大模块中，所述旁通电路120还包括第一电源单元130。

所述第一电源单元130的输入端130a与所述第一电源输入端子连接，所述第一电源单元130的输出端130b与所述第二电阻R2的第一端连接；

所述第一电源单元130包括第二电感L2和第四电容C4；

所述第二电感L2的第一端与所述第一电源单元130的输入端130a连接，所述第二电感L2的第二端与所述第一电源单元130的输出端130b连接，所述第四电容C4的第一端与所述第二电感L2的第一端连接，所述第四电容C4的第二端接地。

所述第一电源单元130通过其输入端130a接收外部电源输入的电源电压，对接收到的电源电压进行滤波，以滤除所述电源电压的纹波和噪声，防止所述电源电压的噪声对所述低噪声放大模块100构成干扰，同时第二电感L2和第四电容C4构成的LC电路还可以防止所述射频信号泄露到外部电源处，所述第一电源单元130通过其输出端130b输出滤波后的电源电压至所述旁通电路120。可以理解地，上述情况仅作为本发明的一种优选举例，不构成对本发明实施的限定，在实际情况中，第一电源单元还可以有其他作用，均不影响本发明可取得的有益效果。

参见图7，是本发明实施例7提供的一种低噪声放大模块中的第一控制单元的结构示意图。

作为优选实施例，在实施例2的基础上，进一步地，本发明实施例7提供的低噪声放大模块中，所述低噪声放大模块100还包括第一控制单元140。

所述第一控制单元140的输入端140a与所述第一控制信号输入端100c连接，所述第一控制单元140的输出端140b与所述低噪声放大器110的第一端110a连接；

所述第一控制单元140包括第三电感L3、第五电容C5、第五电阻R5和第六电阻R6；

所述第五电阻R5的第一端与所述第一控制单元140的输入端140a连接，所述第五电阻R5的第二端与所述第六电阻R6的第一端连接，所述第六电阻R6的第二端接地，所述第三电感L3的第一端与所述第五电阻R5的第二端连接，所述第三电感L3的第二端与所述第一控制单元140的输出端140b连接，所述第五电容C5的第一端与所述第三电感L3的第一端连接，所述第五电容C5的第二端接地。

所述第一控制单元140通过其输入端140a接收所述第一控制信号输入端100c输入的第一控制信号，对接收到的第一控制信号进行分压和滤波，以滤除所述第一控制信号的噪声，并通过其输出端140b输出滤波后的第一控制信号至所述低噪声放大器110，以防止所述第一控制信号的噪声对所述低噪声放大器110的工作构成干扰，进一步提高了通信质量，同时还可以防止射频信号泄露到第一控制信号输入端100c，避免所述射频输入信号能量损失。可以理解地，上述情况仅作为本发明的一种优选举例，不构成对本发明实施的限定，在实际情况中，第一控制单元还可以有其他作用，均不影响本发明可取得的有益效果。

作为一个优选实施例，本发明实施例8在实施例4提供的低噪声放大模块100的基础上进行改进。参见图8，是本发明实施例8提供的一种低噪声放大模块中的第二电源单元的结构示意图。

在实施例4的基础上，进一步地，本发明实施例8提供的低噪声放大模块中，所述低噪声放大模块100还包括第二电源单元150。

所述第二电源单元150的输入端150a与所述第二电源输入端子连接，所述第二电源单元150的输出端150b分别与所述低噪声放大器110的第二端110b和所述旁通电路120的第二端120b连接；

所述第二电源单元150包括第七电阻R7、第四电感L4、第六电容C6、第七电容C7和第八电容C8；

所述第七电阻R7的第一端与所述第二电源单元150的输入端150a连接，所述第七电阻R7的第二端与所述第四电感L4的第一端连接，所述第四电感L4的第二端与所述第二电源单元150的输出端150b连接，所述第六电容C6的第一端与所述第七电阻R7的第一端连接，所述第六电容C6的第二端接地，所述第七电容C7的第一端与所述第六电容C6的第一端连接，所述第七电容C7的第二端接地，所述第八电容C8的第一端与所述第四电感L4的第一端连接，所述第八电容C8的第二端接地。

所述第二电源单元150通过其输入端150a接收外部电源提供的电源电压，对接收到的电源电压进行滤波，以滤除所述电源电压的纹波和噪声，并通过所述输出端150b输出所述滤波后的电源电压至所述低噪声放大器110和所述旁通电路120，防止所述电源电压的噪声对所述低噪声放大模块的工作构成干扰。可以理解地，上述情况仅作为本发明的一种优选举例，不构成对本发明实施的限定，在实际情况中，第二电源单元还可以有其他作用，均不影响本发明可取得的有益效果。

可以理解地，实施例8提供的低噪声放大模块100，可以与上述任一实施例结合，以得到本发明的更优选实施例。

作为实施例4的另一个优选实施例，本发明实施例8在实施例4提供的低噪声放大模块100的基础上，通过第二电源单元对接入的电源电压进行滤波，防止所述电源电压的噪声对所述低噪声放大模块构成干扰，进一步提高了通信质量。

作为一个优选实施例，本发明实施例9在实施例4提供的低噪声放大模块100的基础上进行改进。参见图9，是本发明实施例9提供的一种低噪声放大模块中的第二控制单元的结构示意图。

在实施例4的基础上，进一步地，本发明实施例9提供的低噪声放大模块中，所述低噪声放大模块100还包括第二控制单元160；

所述第二控制单元160的输入端160a与所述第二控制信号输入端100d连接，所述第二控制单元160的输出端160b与所述旁通电路120的第三端120c连接；

所述第二控制单元160包括第五电感L5和第九电容C9，第五电感L5的第一端与第二控制单元160的输入端160a连接，第五电感L5的第二端与所述第二控制单元160的输出端160b连接，所述第九电容C9第一端与第五电感L5的第一端连接，第九电容C9的第二端接地。

所述第二控制单元160通过其输入端160a接收所述第二控制信号输入端100d输入的第二控制信号，对接收到的第二控制信号进行滤波，以滤除所述第二控制信号的噪声，并通过其输出端160b输出所述滤波后的第二控制信号至所述旁通电路120，防止所述第二控制信号的噪声对所述旁通电路120构成干扰，所述第二控制单元160还可以防止所述旁通电路120的射频信号泄露到第二控制信号输入端100d。可以理解地，上述情况仅作为本发明的一种优选举例，不构成对本发明实施的限定，在实际情况中，第二控制单元还可以有其他作用，均不影响本发明可取得的有益效果。

可以理解地，实施例9可以与上述实施例5-8结合，以得到本发明的更优选实施例。

作为实施例4的另一个优选实施例，本发明实施例9在实施例4提供的低噪声放大模块100的基础上，通过第二控制单元对接收到的第二控制信号进行滤波，防止所述第二控制信号的噪声对所述低噪声放大模块构成干扰，同时还可以防止所述低噪声放大器的射频信号泄露到第二控制信号输入端，进一步提高了通信质量。

作为一个优选实施例，本发明实施例10在实施例1提供的低噪声放大模块100的基础上进行改进。参见图10，是本发明实施例10提供的另一种低噪声放大模块的结构示意图。

所述低噪声放大模块100还包括第十电容C10和第十一电容C11；

所述低噪声放大器110和所述旁通电路120均通过所述第十电容C10与所述射频信号输入端100a连接，所述低噪声放大器110和所述旁通电路120均通过所述第十一电容C11与所述射频信号输出端100b连接。

所述低噪声放大器110和所述旁通电路120通过所述第十电容C10连接所述射频信号输入端100a，以阻隔直流信号，从而防止直流信号通过所述射频信号输入端100a泄漏至前级电路。

所述低噪声放大器110和所述旁通电路120输出的信号，通过第十一电容C11阻隔直流信号，以防止直流信号通过所述射频信号输出端100b泄漏至后级电路。

可以理解地，实施例10提供的低噪声放大模块100，可以与上述任一实施例结合，以得到本发明的更优选实施例。

作为实施例1的另一个优选实施例，本发明实施例10在实施例1提供的低噪声放大模块100的基础上，通过第十电容阻隔直流信号，以防止直流信号通过所述射频信号输入端泄漏至前级电路，并通过第十一电容阻隔直流信号，以防止直流信号通过所述射频信号输出端泄漏至后级电路，进一步提高了通信质量。

参见图11，是本发明实施例11提供的又一种低噪声放大模块的结构示意图。

本发明实施例11提供的一种低噪声放大模块100，包括如上述实施例1至10中的所有技术特征，具体包括电源输入端A、射频信号输入端100a、射频信号输出端100b、第一控制信号输入端100c和第二控制信号输入端100d，还包括低噪声放大器110、旁通电路120、前置噪声匹配电路111、第一电源单元130、第一控制单元140、第二电源单元150、第二控制单元160、第十电容C10和第十一电容C11。其中，所述电源输入端A包括第一电源输入端子A1和第二电源输入端子A2。

需要说明的是，本发明实施例提供的低噪声放大模块100中各元件的具体连接关系可以参考上述实施例1至10中的具体内容，在此不再赘述。

本实施例中提供的所述低噪声放大模块100取得效果的过程如实施例1至10所述，在此不作赘述。

本发明实施例11公开的一种低噪声放大模块，通过第一控制信号输入端和第二控制信号输入端接收到的外部输入的第一控制信号和第二控制信号，调整低噪声放大器和旁通电路的导通状态，以及控制所述旁通电路的衰减量，进而通过所述低噪声放大器对射频信号输入端接收到的射频信号进行放大处理，或者，通过所述旁通电路对所述射频信号进行衰减处理，再通过射频信号输出端输出处理后的射频信号。由于所述低噪声放大器和所述旁通电路的导通状态，可根据外部输入的第一控制信号和第二控制信号进行调整，避免了采用射频开关控制信号传输链路而造成系统的噪声系数增大，并且，可根据外部输入的第二控制信号控制所述旁通电路的衰减量，在对不同信号强度的输入信号进行衰减时，衰减量可调，使得在输入信号的强度变化时无丢包现象，提高了通信质量。

参见图12，是本发明实施例12提供的一种接收机的结构示意图。

本发明实施例12提供了一种接收机200，所述接收机200包括电源210、控制模块220和如上任一实施例所述的低噪声放大模块100；

所述电源210与所述低噪声放大模块100的电源输入端A连接，为所述低噪声放大模块100提供工作电压；

所述控制模块220与所述低噪声放大模块100的第一控制信号输入端100c和第二控制信号输入端100d连接；

所述控制模块220用于根据所述低噪声放大模块100的射频信号输入端100a接收到的射频信号的强度生成第一控制信号和第二控制信号，并分别输出所述第一控制信号和所述第二控制信号至所述低噪声放大模块100的第一控制信号输入端100c和第二控制信号输入端100d；

所述低噪声放大模块100用于根据接收到的第一控制信号和第二控制信号，对其射频信号输入端100a接收到的射频信号进行放大或衰减，并通过其射频信号输出端100b将经过放大或衰减处理的射频信号输出至后级电路。

所述接收机200取得效果的过程如上述低噪声放大模块实施例所述，在此不作赘述。

具体的，所述控制模块220可以是在检测到所述低噪声放大模块100接收到的射频信号为弱信号时，生成均为高电平的第一控制信号和第二控制信号，在检测到所述射频信号为强信号时，生成低电平的第一控制信号，及根据所述射频信号的信号强度确定所述第二控制信号的电压大小，并根据所述电压大小生成第二控制信号，分别输出生成的第一控制信号和第二控制信号至所述低噪声放大模块100的第一控制信号输入端100c和第二控制信号输入端100d。在检测到所述射频信号为强信号时，还可以实时根据所述射频信号的信号大小调整第二控制信号的电压输出大小。需要说明的是，不同的所述第二控制信号的电压大小对应不同的所述低噪声放大模块100的旁通电路中的晶体管单元导通阻抗大小，不同的所述晶体管单元导通阻抗大小对应不同的所述旁通电路阻抗大小，不同的所述旁通电路阻抗大小对所述射频信号的衰减量大小不一样，所述射频信号强度越大对应所述第二控制信号的电压就越大，所述第二控制信号的电压越大对应所述衰减的衰减量就越大，以控制通过低噪声放大模块100后的射频信号满足接收机200的接收范围，提升接收机的信号处理能力。在实际应用中，可以通过调节控制信号的电压大小来调整所述低噪声放大模块的衰减量，并通过扫描接收机的丢包率，确定强弱信号转换点无丢包现象时的衰减值，此时，所述衰减值为强弱信号转换的最佳衰减值，以使得强弱信号转换可平滑过渡。

本发明实施例12公开的一种接收机，包括如上述任一实施例的低噪声放大模块，通过控制模块生成的第一控制信号和第二控制信号，调整低噪声放大器和旁通电路的导通状态，以及控制所述旁通电路的衰减量，进而通过所述低噪声放大器对射频信号输入端接收到的射频信号进行放大处理，或者，通过所述旁通电路对所述射频信号进行衰减处理，再通过射频信号输出端输出处理后的射频信号。由于所述低噪声放大器和所述旁通电路的导通状态，可根据第一控制信号和第二控制信号进行调整，避免了采用射频开关控制信号传输链路而造成系统的噪声系数增大，并且，可根据所述第二控制信号控制所述旁通电路的衰减量，在对不同信号强度的输入信号进行衰减时，衰减量可调，使得在输入信号的强度变化时无丢包现象，提高了通信质量。

参见图13，是本发明实施例13提供的一种信号处理方法的流程示意图。

本发明实施例13提供了一种信号处理方法，应用于如实施例1至11中任一项所述的低噪声放大模块。所述信号处理方法包括步骤：

S110、接收外部输入的第一控制信号、第二控制信号和射频信号；其中，所述第一控制信号为高电平或低电平，所述第二控制信号电压大小与外部接收射频信号强度有关；

S120、当所述第一控制信号和所述第二控制信号均为高电平时，通过所述低噪声放大器对所述射频信号进行放大，以得到放大后的射频信号，并输出所述放大后的射频信号；

S130、当所述第一控制信号为低电平时，通过所述旁通电路对所述射频信号进行衰减，以得到衰减后的射频信号，并输出所述衰减后的射频信号；其中，所述衰减的衰减量根据所述第二控制信号的电压大小进行调整。

所述信号处理方法应用在低噪声放大模块中取得效果的过程如上述低噪声放大模块实施例所述，在此不作赘述。

示例性地，高电平表示能使所述低噪声放大器110导通且使所述旁通电路截止的电压，低电平表示能使所述低噪声放大器110截止的电压。

本发明实施例13公开的一种信号处理方法，根据外部输入的第一控制信号和第二控制信号，调整低噪声放大器和旁通电路的导通状态，以及控制所述旁通电路的衰减量，进而通过所述低噪声放大器对射频信号输入端接收到的射频信号进行放大处理，或者，通过所述旁通电路对所述射频信号进行衰减处理，并输出所述处理后的射频信号。由于所述低噪声放大器和所述旁通电路的导通状态，可根据外部输入的第一控制信号和第二控制信号进行调整，避免了采用射频开关控制信号传输链路而造成系统的噪声系数增大，并且，可根据外部输入的第二控制信号控制所述旁通电路的衰减量，在对不同信号强度的输入信号进行衰减时，衰减量可调，使得在输入信号的强度变化时无丢包现象，提高了通信质量。

需说明的是，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。另外，本发明提供的装置实施例附图中，模块之间的连接关系表示它们之间具有通信连接，具体可以实现为一条或多条通信总线或信号线。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。

以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (12)

1.一种低噪声放大模块，其特征在于，包括电源输入端、射频信号输入端、射频信号输出端、第一控制信号输入端和第二控制信号输入端，还包括低噪声放大器和旁通电路；

所述电源输入端用于连接外部电源，为所述低噪声放大器和所述旁通电路供电；

所述第一控制信号输入端用于接收外部输入的第一控制信号；

所述第二控制信号输入端用于接收外部输入的第二控制信号；

所述射频信号输入端用于接收外部输入的射频信号；

所述低噪声放大器，用于对所述射频信号进行放大，以得到放大后的射频信号；其中，所述低噪声放大器的导通状态根据所述第一控制信号进行调整；

所述旁通电路，用于对所述射频信号进行衰减，以得到衰减后的射频信号；其中，所述旁通电路的导通状态根据所述第二控制信号进行调整，当所述第二控制信号为高电平时截止，所述衰减的衰减量与所述第二控制信号的电压大小成正比；

所述射频信号输出端用于输出处理后的射频信号；其中，所述处理后的射频信号为所述放大后的射频信号或所述衰减后的射频信号。

2.如权利要求1所述的低噪声放大模块，其特征在于，所述电源输入端包括第二电源输入端子；

所述低噪声放大器包括第一端和第二端；所述低噪声放大器还包括第一电阻和晶体管；

所述低噪声放大器的第一端分别与所述射频信号输入端和所述第一控制信号输入端连接，以接收所述射频信号和所述第一控制信号；

所述低噪声放大器的第二端与所述射频信号输出端连接，以输出所述放大后的射频信号；

所述低噪声放大器的第二端还与所述第二电源输入端子连接，以接收所述外部电源提供的电压；

所述晶体管的基极与所述低噪声放大器的第一端连接，所述晶体管的集电极与所述第一电阻的第一端连接，所述第一电阻的第二端与所述低噪声放大器的第二端连接，所述晶体管的发射极接地。

3.如权利要求2所述的低噪声放大模块，其特征在于，所述低噪声放大器还包括前置噪声匹配电路，所述前置噪声匹配电路用于实现所述晶体管的噪声匹配调节；

所述前置噪声匹配电路的输入端与所述低噪声放大器的第一端连接，所述前置噪声匹配电路的输出端与所述晶体管的基极连接；

所述前置噪声匹配电路包括第一电感、第一电容和第二电容；

所述第一电感的第一端与所述前置噪声匹配电路的输入端连接，所述第一电感的第二端与所述前置噪声匹配电路的输出端连接，所述第一电容的第一端与所述第一电感的第一端连接，所述第一电容的第二端接地，所述第二电容的第一端与所述第一电感的第二端连接，所述第二电容的第二端接地。

4.如权利要求2所述的低噪声放大模块，其特征在于，所述电源输入端还包括第一电源输入端子；

所述旁通电路包括第一端、第二端和第三端；所述旁通电路还包括衰减电路单元和第三电容；

所述旁通电路的第一端与所述射频信号输入端连接，以接收所述射频信号；

所述旁通电路的第二端与所述射频信号输出端连接，以输出所述衰减后的射频信号；

所述旁通电路的第二端还与所述第二电源输入端子连接，以接收所述外部电源提供的电压；

所述旁通电路的第三端与所述第二控制信号输入端连接，以接收所述第二控制信号；

其中，所述衰减电路单元包括第二电阻、第三电阻、第四电阻和二极管单元；

所述第二电阻的第一端与所述第一电源输入端子连接，以接收所述外部电源提供的电压；

所述第二电阻的第一端还通过所述第三电容与所述旁通电路的第一端连接，所述第二电阻的第二端与所述二极管单元的第一端连接，所述二极管单元的第二端与所述第三电阻的第一端连接，所述第三电阻的第二端与所述旁通电路的第二端连接，所述二极管单元的第三端与所述第四电阻的第一端连接，所述第四电阻的第二端与所述旁通电路的第三端连接；

其中，所述二极管单元包括第一二极管和第二二极管；

所述第一二极管的正极与所述二极管单元的第一端连接，所述第一二极管的负极与所述第二二极管的负极连接，所述第一二极管的负极还与所述二极管单元的第三端连接，所述第二二极管的正极与所述二极管单元的第二端连接。

5.如权利要求4所述的低噪声放大模块，其特征在于，所述旁通电路还包括与所述第一二极管对应的第一谐振单元，以及与所述第二二极管对应的第二谐振单元；

每一谐振单元包括谐振电感和谐振电容，所述谐振电感的第一端与相应的二极管的正极连接，所述谐振电感的第二端与所述谐振电容的第一端连接，所述谐振电容的第二端与相应的二极管的负极连接。

6.如权利要求4所述的低噪声放大模块，其特征在于，所述旁通电路还包括第一电源单元；

所述第一电源单元的输入端与所述第一电源输入端子连接，所述第一电源单元的输出端与所述第二电阻的第一端连接；

所述第一电源单元包括第二电感和第四电容；

所述第二电感的第一端与所述第一电源单元的输入端连接，所述第二电感的第二端与所述第一电源单元的输出端连接，所述第四电容的第一端与所述第二电感的第一端连接，所述第四电容的第二端接地。

7.如权利要求2所述的低噪声放大模块，其特征在于，所述低噪声放大模块还包括第一控制单元；

所述第一控制单元的输入端与所述第一控制信号输入端连接，所述第一控制单元的输出端与所述低噪声放大器的第一端连接；

所述第一控制单元包括第三电感、第五电容、第五电阻和第六电阻；

所述第五电阻的第一端与所述第一控制单元的输入端连接，所述第五电阻的第二端与所述第三电感的第一端连接，所述第三电感的第二端与所述第一控制单元的输出端连接，所述第五电容的第一端与所述第三电感的第一端连接，所述第五电容的第二端接地，所述第六电阻的第一端与所述第五电阻第二端连接，所述第六电阻第二端接地。

8.如权利要求4所述的低噪声放大模块，其特征在于，所述低噪声放大模块还包括第二电源单元；

所述第二电源单元的输入端与所述第二电源输入端子连接，所述第二电源单元的输出端分别与所述低噪声放大器的第二端和所述旁通电路的第二端连接；

所述第二电源单元包括第七电阻、第四电感、第六电容、第七电容和第八电容；

所述第七电阻的第一端与所述第二电源单元的输入端连接，所述第七电阻的第二端与所述第四电感的第一端连接，所述第四电感的第二端与所述第二电源单元的输出端连接，所述第六电容的第一端与所述第七电阻的第一端连接，所述第六电容的第二端接地，所述第七电容的第一端与所述第六电容的第一端连接，所述第七电容的第二端接地，所述第八电容的第一端与所述第四电感的第一端连接，所述第八电容的第二端接地。

9.如权利要求4所述的低噪声放大模块，其特征在于，所述低噪声放大模块还包括第二控制单元；

所述第二控制单元的输入端与所述第二控制信号输入端连接，所述第二控制单元的输出端与所述旁通电路的第三端连接；

所述第二控制单元包括第五电感和第九电容；

所述第五电感的第一端与所述第二控制单元的输入端连接，所述第五电感的第二端和所述第二控制单元的输出端相连，所述第九电容的第一端与所述第五电感的第一端连接，所述第九电容的第二端接地。

10.如权利要求1至9任一项所述的低噪声放大模块，其特征在于，所述低噪声放大模块还包括第十电容和第十一电容；

所述低噪声放大器和所述旁通电路均通过所述第十电容与所述射频信号输入端连接，所述低噪声放大器和所述旁通电路均通过所述第十一电容与所述射频信号输出端连接。

11.一种接收机，其特征在于，包括电源、控制模块和如权利要求1至10任一项所述的低噪声放大模块；

所述电源用于为所述低噪声放大模块供电；

所述控制模块用于根据所述低噪声放大模块接收到的射频信号的强度生成第一控制信号和第二控制信号，并分别输出所述第一控制信号和所述第二控制信号至所述低噪声放大模块的第一控制信号输入端和第二控制信号输入端；

所述低噪声放大模块用于根据接收到的第一控制信号和第二控制信号，对射频信号输入端接收到的射频信号进行放大或衰减，并通过射频信号输出端将经过放大或衰减处理的射频信号输出至后级电路。

12.一种信号处理方法，应用于如权利要求1至10任一项所述的低噪声放大模块，其特征在于，包括步骤：

接收外部输入的第一控制信号、第二控制信号和射频信号；

当所述第一控制信号和所述第二控制信号均为高电平时，通过所述低噪声放大器对所述射频信号进行放大，以得到放大后的射频信号，并输出所述放大后的射频信号；

当所述第一控制信号为低电平时，通过所述旁通电路对所述射频信号进行衰减，以得到衰减后的射频信号，并输出所述衰减后的射频信号；其中，所述衰减的衰减量根据所述第二控制信号的电压大小进行调整。