CN116965170A - 一种发光器件及其制备方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

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CN116965170A CN202280000257.XA CN202280000257A CN116965170A CN 116965170 A CN116965170 A CN 116965170A CN 202280000257 A CN202280000257 A CN 202280000257A CN 116965170 A CN116965170 A CN 116965170A
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Abstract

一种发光器件包括第一电极、电子传输层、量子点发光层和第二电极。电子传输层设置于第一电极一侧。量子点发光层设置于电子传输层远离第一电极一侧。第二电极设置于量子点发光层远离第一电极一侧。发光器件还包括多个调节图案。多个调节图案在参考面上的正投影间隔分布。参考面平行于第一电极所在的平面。多个调节图案设置于第一电极和量子点发光层之间，且与电子传输层接触。电子传输层在参考面上的正投影的至少部分，位于多个调节图案在参考面上的正投影的间隙区域。多个调节图案被配置为，阻挡由第一电极向量子点发光层传输的电子；或，形成电子陷阱，以捕获由第一电极向量子点发光层传输的电子。

Description

一种发光器件及其制备方法、显示面板和显示装置 技术领域
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件及其制备方法、显示面板和显示装置。
背景技术
量子点作为新型的发光材料，具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、使用寿命长等优点，成为目前新型发光二极管(light-emitting diode，简称LED)发光材料的研究热点。因此，以量子点材料作为发光层的量子点发光二极管(quantumdot light emitting diodes，简称QLED)成为了目前新型显示装置研究的主要方向。
发明内容
一方面，提供一种发光器件。所述发光器件包括第一电极、电子传输层、量子点发光层和第二电极。电子传输层设置于所述第一电极一侧。量子点发光层设置于所述电子传输层远离所述第一电极一侧。第二电极设置于所述量子点发光层远离所述第一电极一侧。所述发光器件还包括多个调节图案。所述多个调节图案在参考面上的正投影间隔分布。所述参考面平行于所述第一电极所在的平面。所述多个调节图案设置于所述第一电极和所述量子点发光层之间，且与所述电子传输层接触。所述电子传输层在所述参考面上的正投影的至少部分，位于所述多个调节图案在所述参考面上的正投影的间隙区域。所述多个调节图案被配置为，阻挡由所述第一电极向所述量子点发光层传输的电子；或，形成电子陷阱，以捕获由所述第一电极向所述量子点发光层传输的电子。
在一些实施例中，所述多个调节图案包括绝缘的透明氧化物材料。
在一些实施例中，所述多个调节图案包括空穴传输型的透明氧化物材料。
在一些实施例中，所述多个调节图案包括钼的氧化物、镍的氧化物、锆的氧化物和钒的氧化物中的至少一种。
在一些实施例中，所述空穴传输型的透明氧化物材料的最低未占分子轨道能级，浅于所述电子传输层的最低未占分子轨道能级。
在一些实施例中，所述发光器件还包括设置于所述量子点发光层和所述第二电极之间的空穴传输层，所述多个调节图案与所述空穴传输层的材料相同。
在一些实施例中，所述多个调节图案包括至少两层二维半导体层，所述 至少两层二维半导体层形成摩尔超晶格结构。
在一些实施例中，所述至少两层二维半导体层包括二硫化钨、二硒化钨、硒化钼、硫化钨、石墨烯、硼烯、氮化硼和氯氧化铋纳米片中的至少两种的组合。
在一些实施例中，所述多个调节图案排列成多行多列。任意相邻两行调节图案之间的间距相等，和/或，任意相邻两列调节图案之间的间距相等。
在一些实施例中，所述第二电极远离所述第一电极的表面具有高低起伏的形貌。
在一些实施例中，所述多个调节图案设置于所述电子传输层内部。所述电子传输层包括与所述第一电极接触的第一表面，和与所述量子点发光层接触的第二表面。所述多个调节图案与所述第一表面之间，及，所述多个调节图案与所述第二表面之间，均具有间距。
在一些实施例中，所述电子传输层包括第一电子传输子层和第二电子传输子层，所述第一电子传输子层相对于所述第二电子传输子层靠近所述第一电极。所述多个调节图案位于所述第一电子传输子层和所述第二电子传输子层之间，所述第二电子传输子层的至少部分填充所述多个调节图案之间的间隙，且与所述第一电子传输子层接触。
在一些实施例中，所述多个调节图案设置于所述电子传输层与所述量子点发光层之间。
在一些实施例中，所述量子点发光层通过所述多个调节图案之间的间隙，与所述电子传输层接触。
在一些实施例中，所述多个调节图案与所述量子点发光层接触的表面中单位面积内的晶格缺陷的数量，少于所述电子传输层与所述量子点发光层接触的表面中单位面积内的晶格缺陷的数量。
在一些实施例中，所述多个调节图案设置于所述第一电极与所述电子传输层之间。所述电子传输层通过所述多个调节图案之间的间隙，与所述第一电极接触。
在一些实施例中，所述电子传输层为N型无机半导体薄膜。
另一方面，提供一种发光器件。所述发光器件包括第一电极、电子传输层、量子点发光层、第二电极和调节层。电子传输层设置于所述第一电极一侧。量子点发光层设置于所述电子传输层远离所述第一电极一侧。第二电极设置于所述量子点发光层远离所述第一电极一侧。调节层设置于所述第一电极和所述量子点发光层之间，且与所述电子传输层接触。所述调节层为连续 的膜层结构，且所述调节层包括至少两层二维半导体层，所述至少两层二维半导体层形成摩尔超晶格结构。所述调节层被配置为，形成电子陷阱，以捕获由所述第一电极向所述量子点发光层传输的电子。
在一些实施例中，所述调节层包括二硫化钨、二硒化钨、硒化钼、硫化钨、石墨烯、硼烯、氮化硼和氯氧化铋纳米片中的至少两种的组合。
在一些实施例中，相邻两层二维半导体层层间转动角度小于或等于10°。
在一些实施例中，所述电子传输层包括第一电子传输子层和第二电子传输子层。沿垂直于所述第一电极所在的平面且由所述第一电极指向所述量子点发光层的方向，所述第一电子传输子层、所述调节层和所述第二电子传输子层依次叠置。或，所述调节层设置于所述电子传输层与所述量子点发光层之间；或，所述调节层设置于所述第一电极与所述电子传输层之间。
在一些实施例中，所述电子传输层为N型无机半导体薄膜。
在一些实施例中，所述电子传输层的表面粗糙度小于所述量子点发光层的表面粗糙度。
另一方面，提供一种发光器件的制备方法。该方法包括在基底上形成第一电极。在所述第一电极远离所述基底的一侧形成电子传输层，所述电子传输层包括N型无机半导体材料。在所述电子传输层远离所述基底的一侧形成量子点发光层。在所述量子点发光层远离所述基底的一侧形成第二电极。其中，在形成所述第一电极之后，且在形成所述量子点发光层之前，还包括：形成间隔分布的多个调节图案，所述多个调节图案与所述电子传输层接触。所述电子传输层在所述基底上的正投影的至少部分，位于所述多个调节图案在所述基底上的正投影的间隙区域。
在一些实施例中，形成所述多个调节图案，在形成所述电子传输层之前或之后。
在一些实施例中，形成所述电子传输层和形成所述多个调节图案，包括在所述第一电极远离所述基底的一侧形成第一电子传输子层。在所述第一电子传输子层远离所述基底的一侧形成多个调节图案。在所述多个调节图案远离所述基底的一侧形成第二电子传输子层。其中，所述第一电子传输子层和所述第二电子传输子层形成电子传输层。
在一些实施例中，形成所述多个调节图案，包括基于掩膜板，沉积预设材料，形成间隔分布的多个调节图案。或，沉积预设材料，形成调节膜；图案化所述调节膜，形成间隔分布的多个调节图案。
在一些实施例中，采用溅射工艺，形成所述电子传输层。
另一方面，提供一种发光器件的制备方法。该方法包括在基底上形成第一电极。在所述第一电极远离所述基底的一侧形成电子传输层，所述电子传输层包括N型无机半导体材料。在所述电子传输层远离所述基底的一侧形成量子点发光层。在所述量子点发光层远离所述基底的一侧形成第二电极。其中，在形成所述第一电极之后，且在形成所述量子点发光层之前，还包括：形成调节层。所述调节层与所述电子传输层接触；所述调节层为连续的膜层结构，且所述调节层包括至少两层二维半导体层，所述至少两层二维半导体层形成摩尔超晶格结构。
另一方面，提供一种显示面板。该显示面板包括背板和多个发光器件。所述背板包括衬底，及设置于所述衬底上的多个像素电路。
多个发光器件设置于所述背板上，所述多个发光器件为上述任一实施例所述的发光器件。至少一个发光器件的第一电极相对于第二电极靠近所述背板，且一个所述发光器件的第一电极与一个像素电路电连接。
在一些实施例中，相邻两个所述发光器件之间的间距为第一间距。所述发光器件包括间隔分布的多个调节图案，相邻两个调节图案之间的间距为第二间距。所述第二间距小于或等于所述第一间距。
在一些实施例中，所述发光器件具有发光区；所述多个调节图案的面积小于或等于所述发光区的面积。
在一些实施例中，显示面板还包括像素界定层。像素界定层设置于所述多个像素电路远离所述衬底一侧。所述像素界定层设有多个开口，一个所述发光器件的量子点发光层的至少部分位于一个开口内，所述开口界定相应的发光器件的发光区。
另一方面，提供一种显示装置。所述显示装置包括显示面板。所述显示面板为上述任一实施例所述的显示面板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开中的技术方案，下面将对本公开一些实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本公开的一些实施例的附图，对于本领域普通技术人员来讲，还可以根据这些附图获得其他的附图。此外，以下描述中的附图可以视作示意图，并非对本公开实施例所涉及的产品的实际尺寸、方法的实际流程、信号的实际时序等的限制。
图1为根据一些实施例的显示装置的结构图；
图2为根据一些实施例的显示面板的一种俯视结构图；
图3为图2所示的一种显示面板沿剖面线Z-Z＇处的剖面图；
图4为根据一些实施例的发光器件的结构图；
图5A为图3中显示面板的Q处的一种局部放大图；
图5B为图3中显示面板的Q处的另一种局部放大图；
图5C为图3中显示面板的Q处的另一种局部放大图；
图6A为根据一些实施例的电子传输层的一种俯视结构图；
图6B为根据一些实施例的电子传输层的另一种俯视结构图；
图6C为根据一些实施例的电子传输层的又一种俯视结构图；
图7A为图3中显示面板的Q处的另一种局部放大图；
图7B为图3中显示面板的Q处的另一种局部放大图；
图7C为图3中显示面板的Q处的另一种局部放大图；
图8～图12为根据一些实施例的发光器件的制备方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合附图，对本公开一些实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本公开一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本公开所提供的实施例，本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非上下文另有要求，否则，在整个说明书和权利要求书中，术语“包括(comprise)”及其其他形式例如第三人称单数形式“包括(comprises)”和现在分词形式“包括(comprising)”被解释为开放、包含的意思，即为“包含，但不限于”。在说明书的描述中，术语“一个实施例(one embodiment)”、“一些实施例(some embodiments)”、“示例性实施例(exemplary embodiments)”、“示例(example)”、“特定示例(specific example)”或“一些示例(some examples)”等旨在表明与该实施例或示例相关的特定特征、结构、材料或特性包括在本公开的至少一个实施例或示例中。上述术语的示意性表示不一定是指同一实施例或示例。此外，所述的特定特征、结构、材料或特点可以以任何适当方式包括在任何一个或多个实施例或示例中。
以下，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本公开实施例的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。
在描述一些实施例时，可能使用了“耦接”和“连接”及其衍伸的表达。例如，描述一些实施例时可能使用了术语“连接”以表明两个或两个以上部 件彼此间有直接物理接触或电接触。又如，描述一些实施例时可能使用了术语“耦接”以表明两个或两个以上部件有直接物理接触或电接触。然而，术语“耦接”或“通信耦合(communicatively coupled)”也可能指两个或两个以上部件彼此间并无直接接触，但仍彼此协作或相互作用。这里所公开的实施例并不必然限制于本文内容。
“A、B和C中的至少一个”与“A、B或C中的至少一个”具有相同含义，均包括以下A、B和C的组合：仅A，仅B，仅C，A和B的组合，A和C的组合，B和C的组合，及A、B和C的组合。
“A和/或B”，包括以下三种组合：仅A，仅B，及A和B的组合。
如本文中所使用，根据上下文，术语“如果”任选地被解释为意思是“当……时”或“在……时”或“响应于确定”或“响应于检测到”。类似地，根据上下文，短语“如果确定……”或“如果检测到[所陈述的条件或事件]”任选地被解释为是指“在确定……时”或“响应于确定……”或“在检测到[所陈述的条件或事件]时”或“响应于检测到[所陈述的条件或事件]”。
另外，“基于”的使用意味着开放和包容性，因为“基于”一个或多个所述条件或值的过程、步骤、计算或其他动作在实践中可以基于额外条件或超出所述的值。
如本文所使用的那样，“约”、“大致”或“近似”包括所阐述的值以及处于特定值的可接受偏差范围内的平均值，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。
如本文所使用的那样，“平行”、“垂直”、“相等”包括所阐述的情况以及与所阐述的情况相近似的情况，该相近似的情况的范围处于可接受偏差范围内，其中所述可接受偏差范围如由本领域普通技术人员考虑到正在讨论的测量以及与特定量的测量相关的误差(即，测量系统的局限性)所确定。例如，“平行”包括绝对平行和近似平行，其中近似平行的可接受偏差范围例如可以是5°以内偏差；“垂直”包括绝对垂直和近似垂直，其中近似垂直的可接受偏差范围例如也可以是5°以内偏差。“相等”包括绝对相等和近似相等，其中近似相等的可接受偏差范围内例如可以是相等的两者之间的差值小于或等于其中任一者的5％。
应当理解的是，当层或元件被称为在另一层或基板上时，可以是该层或元件直接在另一层或基板上，或者也可以是该层或元件与另一层或基板之间存在中间层。
本文参照作为理想化示例性附图的剖视图和/或平面图描述了示例性实施方式。在附图中，为了清楚，放大了层和区域的厚度。因此，可设想到由于例如制造技术和/或公差引起的相对于附图的形状的变动。因此，示例性实施方式不应解释为局限于本文示出的区域的形状，而是包括因例如制造而引起的形状偏差。例如，示为矩形的蚀刻区域通常将具有弯曲的特征。因此，附图中所示的区域本质上是示意性的，且它们的形状并非旨在示出设备的区域的实际形状，并且并非旨在限制示例性实施方式的范围。
本公开的一些实施例提供了一种发光器件11及其制备方法、显示面板10和显示装置100。以下对发光器件11及其制备方法、显示面板10和显示装置100分别进行介绍。
如图1所示，本公开的一些实施例提供了一种显示装置100，该显示装置100可以是显示不论运动(例如，视频)还是固定(例如，静止图像)的且不论文字还是的图像的任何装置。更明确地说，预期所述实施例可实施在多种电子装置中或与多种电子装置关联，所述多种电子装置例如(但不限于)移动电话、无线装置、个人数据助理、手持式或便携式计算机、全球定位系统接收器/导航器、相机、视频播放器、摄像机、游戏控制台、手表、时钟、计算器、电视监视器、平板显示器、计算机监视器、汽车显示器(例如，里程表显示器等)、导航仪、座舱控制器和/或显示器、相机视图的显示器(例如，车辆中后视相机的显示器)、电子相片、电子广告牌或指示牌、投影仪、建筑结构、包装和美学结构(例如，对于一件珠宝的图像的显示器)等。
在一些实施例中，如图1所示。显示装置100包括显示面板10，该显示面板10为QLED显示面板。
如图2所示，显示面板10具有显示区A和位于显示区A至少一侧的周边区B。附图2以周边区B包围显示区A为例进行示意。
其中，显示区A为显示图像的区域，显示区A被配置为设置子像素P。周边区B为不显示的区域，周边区B可以被配置为设置扫描驱动电路、电路走线和绑定引脚等。
示例性地，如图2和图3所示，上述显示面板10包括设置在衬底121的一侧、且位于显示区A的多个子像素P。该多个子像素P排列为多行和多列，每行子像素P可以包括沿第二方向X排列的多个子像素P，每列子像素P可以包括沿第一方向Y排列的多个子像素P。
在一些实施例中，如图3所示，该显示面板10包括发光器件11和背板(Backplane，简称BP)12。背板12包括衬底121和多个像素电路122，多 个像素电路122设置于衬底121上。其中，如图2和图3所示，每个子像素P均包括一个发光器件11和一个像素电路122。
如图3所示，像素电路122包括多个薄膜晶体管。薄膜晶体管包括有源层、源极、漏极和栅极，源极和漏极分别与有源层接触。
如图3所示，沿垂直与衬底121，且由像素电路122指向发光器件11，发光器件11包括依次设置的第一电极111、发光功能层112以及第二电极113，即第一电极111相对于第二电极113靠近背板12。发光功能层112设置于第一电极111远离背板12的一侧，第二电极113设置于发光功能层112远离第一电极111一侧。
在一些实施例中，一个第一电极111和一个像素电路122中的驱动晶体管源极或漏极电连接，且第一电极111为阳极，第二电极113为阴极，即正置结构。在另一些实施例中，一个第一电极111和一个像素电路122的驱动晶体管源极或漏极电连接，且第一电极111为阴极，第二电极113为阳极，即倒置结构。
其中，如图3和图4所示，发光功能层112包括量子点发光层114、电子传输层(election transporting layer，简称ETL)115，还包括空穴传输层(hole transporting layer，简称HTL)116和/或空穴注入层(hole injection layer，简称HIL)117。
可以理解的是，正置结构中的发光功能层112所包括的膜层的堆叠方向，与倒置结构中的发光功能层112所包括的膜层堆叠方向相反，以下以发光功能层112包括电子传输层115、量子点发光层114、空穴传输层116和空穴注入层117为例进行示意性说明。
在正置结构中，空穴注入层117设置于第一电极111靠近第二电极113一侧。空穴传输层116设置于空穴注入层117远离第一电极111一侧。量子点发光层114设置于空穴传输层116远离第一电极111一侧。电子传输层115设置于量子点发光层114远离第一电极111一侧。
在倒置结构中，如图4所示，电子传输层115设置于第一电极111靠近第二电极113一侧。量子点发光层114设置于电子传输层115远离第一电极111一侧。空穴传输层116设置于量子点发光层114远离第一电极111一侧。空穴注入层117设置于空穴传输层116远离第一电极111一侧。
如图3和图4所示，显示面板10还包括像素界定层PDL。像素界定层PDL设置于多个像素电路122远离衬底121一侧。像素界定层PDL设有多个开口，一个发光器件11的量子点发光层114的至少部分位于一个开口内，开 口界定相应的发光器件11的发光区。
相关技术中，在采用喷墨打印工艺制备第一电极111和第二电极113之间的多个膜层之前，会预先制备像素界定层PDL，用于制备发光功能层112的墨水部分会覆盖在像素界定层PDL的开口侧壁以及像素界定层PDL的上方，极大的影响了发光功能层112的形貌及厚度均匀性，对发光器件11性能和均匀性会造成了极大的影响，进而影响量子点发光二极管的量产。
为了降低第一电极111和第二电极113之间的多个膜层的厚度不均匀的问题，采用溅射工艺形成电子传输层115。但是，溅射工艺所形成的电子传输层115材料迁移率较大，注入电子较多，影响载流子平衡，从而导致多余的电荷在量子点发光层114富集，光子会将能量传递给其附近的自由电荷，从而导致非辐射复合，导致量子产率降低，最终影响发光器件11发光效率。
基于此，本公开的一些实施例所提供的发光器件11。如图5A所示，该发光器件11还包括多个调节图案118。多个调节图案118在参考面M上的正投影间隔分布。参考面M平行于第一电极111所在的平面。
其中，如图3与图5A所示，多个调节图案118可以分布在同一参考面M上，或不同的参考面M上，即多个调节图案118与第一电极111之间的间距可以是相等或不相等，根据实际需求选择，本公开实施例对此不做具体限定。
其中，多个调节图案118设置于第一电极111和量子点发光层114之间，且与电子传输层115接触。电子传输层115在参考面M上的正投影的至少部分，位于多个调节图案118在参考面M上的正投影的间隙区域。多个调节图案118被配置为，阻挡由第一电极111向量子点发光层114传输的电子；或，形成电子陷阱，以捕获由第一电极111向量子点发光层114传输的电子。也就是说，该发光器件11可以通过多个调节图案118阻挡或捕获第一电极111向量子点发光层114传输的电子，从而降低电子传输性，增加载流子平衡，降低富余电子在量子点的积累。
由上述可知，在本公开的实施例中，在第一电极111和量子点发光层114之间的多个调节图案118，可以阻挡由第一电极111向量子点发光层114传输电子，或，形成电子陷阱捕获由第一电极111向量子点发光层114传输电子。这样，在保证电子仍然有传输通道的情况下，即多个调节图案118不会阻断电子传输的情况下，缩减了电子传输通道，降低了电子传输能力。最终提高发光器件11的发光效率。
在一些实施例中，上述多个调节图案118的面积小于或等于该发光器件11的发光区的面积。此外，多个调节图案118可以与空穴传输层116的材料 相同。
在一些实施例中，多个调节图案118包括绝缘的透明氧化物材料，该透明氧化物材料为绝缘材料，其带隙超过4eV，其最低未占轨道(lowest unoccupied molecular orbital，简称LUMO)能级浅于-3eV，其最高已占轨道(highest occupied molecularorbital，简称HOMO)能级深于-7eV。此外，绝缘的透明氧化物材料的电荷迁移率小于或等于10 -6cm 2/(V·s)，通过阻挡电子，从而降低电子传输性。
示例性地，多个调节图案118包括氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的至少一种。需要说明的是，氧化硅包括SiO、SiO 2和Si 2O 6，本公开实施例对此不做具体限定。
在另一些实施例中，多个调节图案118包括空穴传输型的透明氧化物材料。空穴传输型的透明氧化物材料的最低未占分子轨道能级，浅于电子传输层115的最低未占分子轨道能级。空穴传输型的透明氧化物材料可以捕获电子，作为电子陷阱，降低电子传输性。
示例性地，多个调节图案118包括钼的氧化物、镍的氧化物、锆的氧化物和钒的氧化物中的至少一种，本公开实施例对此不做具体限定。
需要说明的是，钼的氧化物包括氧化钼、二氧化钼和三氧化钼，镍的氧化物包括氧化镍和三氧化二镍。锆的氧化物包括二氧化锆。钒的氧化物包括一氧化钒、三氧化二钒、二氧化钒和五氧化二钒，本公开实施例不限于此。
在又一些实施例中，多个调节图案118包括至少两层二维半导体层，至少两层二维半导体层形成摩尔超晶格结构。该多个调节图案118可以形成电子陷阱，将电子束缚在晶格结构中。从而降低电子传输性。
需要说明的是，摩尔超晶格结构是至少两层二维材料在层间范德华力的作用下，通过垂直堆积进行组装，实现不共格、可相互旋转的两种晶体之间的耦合结构。摩尔超晶格结构可以是同质材料层间通过不同角度形成，也可以是异质材料由晶格失配形成。
需要说明的是，摩尔超晶格结构的原理为：当原子级薄的晶体组装时(单层的原子级薄的厚度一般为 如单层石墨烯厚度为 )，层间的晶格失配和旋转会导致不同的摩尔超晶格结构。摩尔超晶格结构中的倒易空间会直接影响动量空间，层间相互作用可以改变声子模式和电荷分布，从而调节其能带结构和电荷分布。以同质的石墨烯为例，当层间转动角度比较小(小于5°)时，层间耦合作用比较强，尤其当旋转角度接近魔角(1.1°)时，电子运动变慢，可以近似看成定域在超晶格中。此外，通过构筑硼烯、石墨 烯/氮化硼、以及过渡金属二硫属化合物、过渡金属二硫属化合物异质结等结构之间的超晶格，也可以调控其能带结构和电子特性。对于不同的二维材料，其层间的角度需要不同角度从而对电子具有最强作用，一般而言这个角度不超过10°，大部分这个角度在5°以下，如双层石墨烯的最佳角度为1.1°，石墨烯/氮化硼的最佳角度为2°。
示例性地，至少两层二维半导体层包括二硫化钨(WS2)、二硒化钨(WSe2)、硒化钼、硫化钨、石墨烯、硼烯、氮化硼、螺旋的氯氧化铋(BiOCl)纳米片中的至少两种的组合，本公开实施例对此不做具体限定。
在一些实施例中，如图5A所示，第二电极113远离第一电极111的表面具有高低起伏的形貌，以提高发光器件11的出光效率。
其中，第二电极113远离第一电极111的表面具有高低起伏的形貌指的是，第二电极113远离第一电极111的表面为不平整的表面。示例性地，第二电极113远离第一电极111的表面具有多个凸起，每个凸起与一个调节图案118相对应，从而导致发光器件11的出光面(第二电极113远离第一电极111的表面)呈现一定的曲面结构，并提高了发光器件11的出光效率。
在一些实施例中，如图5A所示，多个调节图案118设置于电子传输层115内部。电子传输层115包括与第一电极111接触的第一表面1150，和与量子点发光层114接触的第二表面1151。多个调节图案118与第一表面1150之间，及，多个调节图案118与第二表面1151之间，均具有间距。
其中，如图5A所示，电子传输层115包括第一电子传输子层1152和第二电子传输子层1153，第一电子传输子层1152相对于第二电子传输子层1153靠近第一电极111。多个调节图案118位于第一电子传输子层1152和第二电子传输子层1153之间，第二电子传输子层1153的至少部分填充多个调节图案118之间的间隙，且与第一电子传输子层1152接触。
在另一些实施例中，如图5B所示，多个调节图案118设置于电子传输层115与量子点发光层114之间。量子点发光层114通过多个调节图案118之间的间隙，与电子传输层115接触。多个调节图案118位于电子传输层115与量子点发光层114之间，这样一来，多个调节图案118可以作为电子陷阱降低电子传输性。此外，由于晶格缺陷会淬灭量子点发光层114，并且多个调节图案118与量子点发光层114接触的表面中单位面积内的晶格缺陷的数量，少于电子传输层115与量子点发光层114接触的表面中单位面积内的晶格缺陷的数量，因此，设置于电子传输层115与量子点发光层114之间的多个调节图案118还可以作为钝化层，通过减少电子传输层115和量子点发光层114 之间的接触面积，降低与量子点发光层114接触的膜层对量子点发光层114的淬灭作用。
示例性地，电子传输层115的材料可以为氧化锌，调节图案118的材料可以为一氧化硅，这样获得的调节图案118与量子点发光层114接触的表面中单位面积内的晶格缺陷的数量，远小于电子传输层115与量子点发光层114接触的表面中单位面积内的晶格缺陷的数量，可以大幅度地降低与量子点发光层114接触的膜层对量子点发光层114的淬灭作用。
在又一些实施例中，如图5C所示，多个调节图案118设置于第一电极111与电子传输层115之间。电子传输层115通过多个调节图案118之间的间隙，与第一电极111接触。
其中，调节图案118和量子点发光层114接触面积，可以为量子点发光层114面积的30％～70％，电子传输层115和量子点发光层114接触面积，可以为量子点发光层114面积的30％～70％。例如，调节图案118和量子点发光层114接触面积，为量子点发光层114面积的30％，电子传输层115和量子点发光层114接触面积，为量子点发光层114面积的70％。又例如，调节图案118和量子点发光层114接触面积，为量子点发光层114面积的70％，电子传输层115和量子点发光层114接触面积，为量子点发光层114面积的30％。
在一些实施例中，如图6A所示，至少一个调节图案118在参考面M上的正投影的形状为圆形。在另一些实施例中，如图6B所示，至少一个调节图案118在参考面M上的正投影的形状为三角形。在又一些实施例中，如图6C所示，至少一个调节图案118在参考面M上的正投影的形状为正四边形。此外调节图案118还可以为棱形、梯形或椭圆形。本公开实施例对此不做具体限定。不同形状均能够增加膜层界面的粗糙度，可以降低光波导模式的比例，增加出光比例。
基于上述，如图6A、图6B和图6C所示，多个调节图案118可以排列成多行多列。任意相邻两行调节图案118之间的间距相等，和/或，任意相邻两列调节图案118之间的间距相等。
其中，如图5C所示，调节图案118的厚度H1为0.5nm～20nm。此范围需考虑到单层原子层厚度，同时电子传输层115厚度H2为20nm～60nm，因此调节图案118的厚度H1不超过20nm，能确保调节图案118不影响发光器件11整体导电通道。相邻调节图案118之间的间距D3为0.5μm～20μm，该间距D3考虑到像素大小，500ppi像素约10μm、300ppi像素约为20μm，其间距D3考虑不超过像素尺寸。此外调节图案118的面积约为QLED像素尺寸 的5％～50％。
本公开的实施例还提供一种发光器件11。该发光器件11包括调节层119，如图7A所示，发光器件11包括第一电极111、电子传输层115、量子点发光层114、空穴传输层116、空穴注入层117、第二电极113和调节层119。电子传输层115设置于第一电极111一侧。量子点发光层114设置于电子传输层115远离第一电极111一侧。空穴传输层116设置于量子点发光层114远离第一电极111一侧。空穴注入层117设置于空穴传输层116远离第一电极111一侧。第二电极113设置于空穴注入层117远离第一电极111一侧。调节层119设置于第一电极111和量子点发光层114之间，且与电子传输层115接触。调节层119为连续的膜层结构，且调节层119包括至少两层二维半导体层，至少两层二维半导体层形成摩尔超晶格结构。调节层119被配置为，形成电子陷阱，以捕获由第一电极111向量子点发光层114传输的电子。该调节层119形成电子陷阱，将电子束缚在晶格的结构中，从而降低电子传输性，提高发光器件11的发光效率。
需要说明的是，该摩尔超晶格结构可以将电子束缚在晶格结构中，从而降低电子传输性，并不会完全阻断电子传输。因此，该调节层119可以为连续整层结构，即电子传输层115和量子点发光层114接触面积为零。
在一些实施例中，调节层119包括二硫化钨、二硒化钨、硒化钼、硫化钨、石墨烯、硼烯、氮化硼、螺旋的氯氧化铋纳米片中的至少两种的组合。本公开实施例对此不做具体限定。
在一些实施例中，相邻两层二维半导体层层间转动角度小于或等于10°，以对电子起到最强的束缚作用。
在一些实施例中，如图7A所示，电子传输层115包括第一电子传输子层1152和第二电子传输子层1153。沿垂直于第一电极111所在的平面且由第一电极111指向量子点发光层114的方向，第一电子传输子层1152、调节层119和第二电子传输子层1153依次叠置。
在另一些实施例中，如图7B所示，调节层119设置于电子传输层115与量子点发光层114之间。调节层119可以作为电子陷阱，降低电子传输性，还可以减少电子传输层115和量子点发光层114的接触面积，降低电子传输层115对量子点发光层114的淬灭作用。此外，由于晶格缺陷会淬灭量子点发光层114，并且调节层119与量子点发光层114接触的表面中单位面积内的晶格缺陷的数量，少于电子传输层115与量子点发光层114接触的表面中单位面积内的晶格缺陷的数量，因此，设置于电子传输层115与量子点发光层 114之间的调节层119还可以作为钝化层，通过减少电子传输层115和量子点发光层114之间的接触面积，降低与量子点发光层114接触的膜层对量子点发光层114的淬灭作用。
在又一些实施例中，如图7C所示，调节层119设置于第一电极111与电子传输层115之间。
本公开的实施例所提供的显示面板10。包括上述任一实施例所述的发光器件11。
其中，如图3所示，在发光器件11包括多个调节图案118的情况下，相邻两个发光器件11之间的间距为第一间距D1。相邻两个调节图案118之间的间距为第二间距D2。第二间距D2小于或等于第一间距D1。
本公开的一些实施例所提供的发光器件11的制备方法，如图8所示，包括：S11～S15。
S11、在基底上形成第一电极111。
示例性地，在基底上的表面通过涂覆或化学沉积的方法形成第一导电层，对第一导电层进行掩膜曝光、显影以及刻蚀工艺形成多个第一电极111。
其中，第一导电层的材料可以是玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate，简称PET)，透明的氧化铟锡(indiumtin oxides，简称ITO)、掺氟的二氧化锡(fdoped SnO 2，简称FTO薄膜)或导电聚合物等，也可以是不透明的铝(Al)或银(Ag)等金属电极，本公开实施例不限于此。
S12、在第一电极111远离基底的一侧形成电子传输层115，电子传输层115包括N型无机半导体材料。
示例性地，可以采用溶胶凝胶法、纳米粒子旋涂法或溅射工艺形成电子传输层115。例如，采用溅射工艺形成电子传输层115。其中，电子传输层115为N型无机半导体薄膜。N型无机半导体薄膜包括氧化锌(ZnO)或镁(Mg)、铝(Al)、锆(Zr)、钇(Y)等掺杂的氧化锌(ZnO)薄膜，厚度在50nm～300nm，本公开实施例不限于此。
在一些实施例中，电子传输层115的表面粗糙度小于量子点发光层114的表面粗糙度。这样一来，可以降低电子传输性，提高发光器件11的发光效率。电子传输层115可以通过溅射工艺形成，溅射工艺形成的电子传输层115的表面粗糙度小于3nm。电子传输层115的表面粗糙度小于量子点发光层114的表面粗糙度。
S14、在电子传输层115远离基底的一侧形成量子点发光层114。
示例性地，可以采用喷墨打印工艺形成量子点发光层114。其中，量子点 发光层114的厚度为20nm～50nm，本公开实施例不限于此。
S15、在量子点发光层114远离基底的一侧形成第二电极113。
示例性地，在量子点发光层114远离基底的一侧通过涂覆或化学沉积的方法形成第二导电层，对第二导电层进行掩膜曝光、显影以及刻蚀工艺形成多个第二电极113。
其中，第二导电层的材料可以是铝(Al)或银(Ag)等金属，也可以采用磁控溅射的方式沉积铟锌氧化物(IZO)，其厚度为10nm～100nm，本公开实施例不限于此。
在S11和S14之间，上述制备方法还包括：S13。
S13、形成间隔分布的多个调节图案118。
上述步骤中，多个调节图案118与电子传输层115接触。电子传输层115在基底上的正投影的至少部分，位于多个调节图案118在基底上的正投影的间隙区域。
示例性地，多个调节图案118可以采用掩膜板直接沉积形成，或者采用掩膜曝光、显影以及刻蚀的方式形成。
其中，S13可以在S12之前，也可以在S12之后，本公开对此不作具体限定。
由上述可知，第一电极111相对于第二电极113靠近背板12，且一个发光器件11的第一电极111与一个像素电路122电连接，形成倒置结构。这样，通过采用溅射法形成电子传输层115，之后再通过喷墨打印形成量子点发光层114，由于采用溅射法形成的电子传输层115，不会覆盖像素界定层PDL开口的侧壁及上方，电子传输层115的厚度均匀，因此可以提高后续工艺形成的量子点发光层114的厚度的均匀性，从而提高发光器件11性能。
在一些实施例中，如图9所示，形成电子传输层115和形成多个调节图案118，包括：S121、S122和S123。
S121、在第一电极111远离基底的一侧形成第一电子传输子层1152。
示例性地，可以采用溶胶凝胶法、纳米粒子旋涂法或溅射工艺形成第一电子传输子层1152。例如，采用溅射工艺形成第一电子传输子层1152。其中，第一电子传输子层1152为N型无机半导体薄膜。N型无机半导体薄膜包括氧化锌(ZnO)或镁(Mg)、铝(Al)、锆(Zr)、钇(Y)等掺杂的氧化锌(ZnO)薄膜，本公开实施例不限于此。
S122、在第一电子传输子层1152远离基底的一侧形成多个调节图案118。
示例性地，多个调节图案118可以采用掩膜板直接沉积形成，或者采用 掩膜曝光、显影以及刻蚀的方式形成。
S123、在多个调节图案118远离基底的一侧形成第二电子传输子层1153。其中，第一电子传输子层1152和第二电子传输子层1153形成电子传输层115。
示例性地，第二电子传输子层1153为N型无机半导体薄膜。N型无机半导体薄膜包括氧化锌(ZnO)或镁(Mg)、铝(Al)、锆(Zr)、钇(Y)等掺杂的氧化锌(ZnO)薄膜，本公开实施例不限于此。此外，第二电子传输子层1153厚度可根据需要进行磁控溅射方式沉积。
在一些实施例中，如图10和图11所示，S122包括S1221或S1222～S1223。
S1221、基于掩膜板，沉积预设材料，形成间隔分布的多个调节图案118。
其中，上述预设材料为调节图案118的材料，具体可以参考上文，本公开在此不做赘述。
S1222、沉积预设材料，形成调节膜。
其中，上述预设材料为调节图案118的材料，具体可以参考上文，本公开在此不做赘述。
S1223、图案化调节膜，形成间隔分布的多个调节图案118。
示例性地，对调节膜进行掩膜曝光、显影以及刻蚀工艺形成间隔分布的多个调节图案118。
在另一些实施例中，如图12所示，本公开的一些实施例所提供的发光器件11的制备方法包括：S21～S24。
S21、在基底上形成第一电极111。
示例性地，在基底上的表面通过涂覆或化学沉积的方法形成第一导电层，对第一导电层进行进行掩膜曝光、显影以及刻蚀工艺形成多个第一电极111。
其中，第一导电层的材料可以是玻璃、聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate，简称PET)，透明的氧化铟锡(Indium Tin Oxides，简称ITO)、掺氟的二氧化锡(Fdoped SnO 2，简称FTO薄膜)或导电聚合物等，也可以是不透明的铝(Al)或银(Ag)等金属电极。本公开实施例不限于此。
S22、在第一电极111远离基底的一侧形成电子传输层115。
示例性地，可以采用溶胶凝胶法、纳米粒子旋涂法或溅射工艺形成电子传输层115。例如，采用溅射工艺形成电子传输层115。其中，电子传输层115为N型无机半导体薄膜。N型无机半导体薄膜包括氧化锌(ZnO)或镁(Mg)、铝(Al)、锆(Zr)、钇(Y)等掺杂的氧化锌(ZnO)薄膜，厚度在50nm～300nm，本公开实施例不限于此。
S24、在电子传输层115远离基底的一侧形成量子点发光层114。
示例性地，量子点发光层114的厚度为20nm～50nm，可根据需要进行喷墨打印等方式沉积不同的厚度，本公开实施例不限于此。
其中，一个发光器件11的第一电极111与一个像素电路122电连接，形成倒置的结构，从而提高量子点发光层114的厚度的均匀性。此外量子点发光层114靠近第一电极111的一侧只有溅射形成的电子传输层115，以解决量子点发光层114喷墨打印时，出现墨水覆盖像素界定层PDL的开口侧壁和上方的问题。
S25、在量子点发光层114远离基底的一侧形成第二电极113。
示例性地，第二电极113可以是铝(Al)或银(Ag)等金属，也可以采用磁控溅射的方式沉积铟锌氧化物(IZO)，其厚度为10nm～100nm，本公开实施例不限于此。
在S21和S24之间，上述制备方法还包括：S23。
S23、形成调节层119
上述步骤中，调节层119与电子传输层115接触；调节层119为连续的膜层结构，且调节层119包括至少两层二维半导体层，至少两层二维半导体层形成摩尔超晶格结构。
示例性地，多个调节层119可以采用掩膜板直接沉积形成，或者采用掩膜曝光、显影以及刻蚀的方式形成。
其中，S23可以在S22之前，也可以在S22之后，本公开对此不作具体限定。
综上所述，本公开的一些实施例提供的发光器件11，该多个调节图案118通过阻挡由第一电极111向量子点发光层114传输电子或形成电子陷阱捕获由第一电极111向量子点发光层114传输电子，在保证电子仍然有传输通道的情况下，多个调节图案118不会阻断电子传输，但实现了电子传输通道变窄，降低电子传输能力。此外调节层119形成电子陷阱，将电子束缚在晶格的结构中，从而降低电子传输性，最终提高发光器件11的发光效率。
以上，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (34)

  1. 一种发光器件，包括：
    第一电极；
    设置于所述第一电极一侧的电子传输层；
    设置于所述电子传输层远离所述第一电极一侧的量子点发光层；
    设置于所述量子点发光层远离所述第一电极一侧的第二电极；
    所述发光器件还包括多个调节图案，所述多个调节图案在参考面上的正投影间隔分布，所述参考面平行于所述第一电极所在的平面；所述多个调节图案设置于所述第一电极和所述量子点发光层之间，且与所述电子传输层接触；所述电子传输层在所述参考面上的正投影的至少部分，位于所述多个调节图案在所述参考面上的正投影的间隙区域；
    所述多个调节图案被配置为，阻挡由所述第一电极向所述量子点发光层传输的电子；或，形成电子陷阱，以捕获由所述第一电极向所述量子点发光层传输的电子。
  2. 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述多个调节图案包括绝缘的透明氧化物材料。
  3. 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述多个调节图案包括空穴传输型的透明氧化物材料。
  4. 根据权利要求3所述发光器件，其中，所述多个调节图案包括钼的氧化物、镍的氧化物、锆的氧化物和钒的氧化物中的至少一种。
  5. 根据权利要求3或4所述的发光器件，其中，所述空穴传输型的透明氧化物材料的最低未占分子轨道能级，浅于所述电子传输层的最低未占分子轨道能级。
  6. 根据权利要求3～5中任一项所述的发光器件，其中，所述发光器件还包括设置于所述量子点发光层和所述第二电极之间的空穴传输层，所述多个调节图案与所述空穴传输层的材料相同。
  7. 根据权利要求1所述的发光器件，其中，所述多个调节图案包括至少两层二维半导体层，所述至少两层二维半导体层形成摩尔超晶格结构。
  8. 根据权利要求7所述的发光器件，其中，所述至少两层二维半导体层包括二硫化钨、二硒化钨、硒化钼、硫化钨、石墨烯、硼烯、氮化硼和氯氧化铋纳米片中的至少两种的组合。
  9. 根据权利要求1～8中任一项所述的发光器件，其中，所述多个调节图案排列成多行多列；
    任意相邻两行调节图案之间的间距相等，和/或，任意相邻两列调节图案 之间的间距相等。
  10. 根据权利要求1～9中任一项所述的发光器件，其中，所述第二电极远离所述第一电极的表面具有高低起伏的形貌。
  11. 根据权利要求1～10中任一项所述的发光器件，其中，所述多个调节图案设置于所述电子传输层内部；
    所述电子传输层包括与所述第一电极接触的第一表面，和与所述量子点发光层接触的第二表面；所述多个调节图案与所述第一表面之间，及，所述多个调节图案与所述第二表面之间，均具有间距。
  12. 根据权利要求11所述的发光器件，其中，所述电子传输层包括第一电子传输子层和第二电子传输子层，所述第一电子传输子层相对于所述第二电子传输子层靠近所述第一电极；所述多个调节图案位于所述第一电子传输子层和所述第二电子传输子层之间，所述第二电子传输子层的至少部分填充所述多个调节图案之间的间隙，且与所述第一电子传输子层接触。
  13. 根据权利要求1～10中任一项所述的发光器件，其中，所述多个调节图案设置于所述电子传输层与所述量子点发光层之间。
  14. 根据权利要求13所述的发光器件，其中，所述量子点发光层通过所述多个调节图案之间的间隙，与所述电子传输层接触。
  15. 根据权利要求13或14所述的发光器件，其中，所述多个调节图案与所述量子点发光层接触的表面中单位面积内的晶格缺陷的数量，少于所述电子传输层与所述量子点发光层接触的表面中单位面积内的晶格缺陷的数量。
  16. 根据权利要求1～10中任一项所述的发光器件，其中，所述多个调节图案设置于所述第一电极与所述电子传输层之间，所述电子传输层通过所述多个调节图案之间的间隙，与所述第一电极接触。
  17. 根据权利要求1～16中任一项所述的发光器件，其中，所述电子传输层为N型无机半导体薄膜。
  18. 根据权利要求1～17中任一项所述的发光器件，其中，所述电子传输层的表面粗糙度小于所述量子点发光层的表面粗糙度。
  19. 一种发光器件，包括：
    第一电极；
    设置于所述第一电极一侧的电子传输层；
    设置于所述电子传输层远离所述第一电极一侧的量子点发光层；
    设置于所述量子点发光层远离所述第一电极一侧的第二电极；
    所述发光器件还包括调节层，设置于所述第一电极和所述量子点发光层之间，且与所述电子传输层接触；所述调节层为连续的膜层结构，且所述调节层包括至少两层二维半导体层，所述至少两层二维半导体层形成摩尔超晶格结构；
    所述调节层被配置为，形成电子陷阱，以捕获由所述第一电极向所述量子点发光层传输的电子。
  20. 根据权利要求19所述的发光器件，其中，所述调节层包括二硫化钨、二硒化钨、硒化钼、硫化钨、石墨烯、硼烯、氮化硼和氯氧化铋纳米片中的至少两种的组合。
  21. 根据权利要求19或20所述发光器件，其中，相邻两层二维半导体层的层间转动角度小于或等于10°。
  22. 根据权利要求19～21中任一项所述的发光器件，其中，所述电子传输层包括第一电子传输子层和第二电子传输子层，沿垂直于所述第一电极所在的平面且由所述第一电极指向所述量子点发光层的方向，所述第一电子传输子层、所述调节层和所述第二电子传输子层依次叠置；或，
    所述调节层设置于所述电子传输层与所述量子点发光层之间；或，
    所述调节层设置于所述第一电极与所述电子传输层之间。
  23. 根据权利要求20～22中任一项所述的发光器件，其中，所述电子传输层为N型无机半导体薄膜。
  24. 一种发光器件的制备方法，包括：
    在基底上形成第一电极；
    在所述第一电极远离所述基底的一侧形成电子传输层，所述电子传输层包括N型无机半导体材料；
    在所述电子传输层远离所述基底的一侧形成量子点发光层；
    在所述量子点发光层远离所述基底的一侧形成第二电极；
    其中，在形成所述第一电极之后，且在形成所述量子点发光层之前，还包括：形成间隔分布的多个调节图案，所述多个调节图案与所述电子传输层接触；所述电子传输层在所述基底上的正投影的至少部分，位于所述多个调节图案在所述基底上的正投影的间隙区域。
  25. 根据权利要求24所述的制备方法，其中，形成所述多个调节图案，在形成所述电子传输层之前或之后。
  26. 根据权利要求24所述的制备方法，其中，形成所述电子传输层和形成所述多个调节图案，包括：
    在所述第一电极远离所述基底的一侧形成第一电子传输子层；
    在所述第一电子传输子层远离所述基底的一侧形成多个调节图案；
    在所述多个调节图案远离所述基底的一侧形成第二电子传输子层；
    其中，所述第一电子传输子层和所述第二电子传输子层形成电子传输层。
  27. 根据权利要求24～26中任一项所述的制备方法，其中，形成所述多个调节图案，包括：
    基于掩膜板，沉积预设材料，形成间隔分布的多个调节图案；或，
    沉积预设材料，形成调节膜；图案化所述调节膜，形成间隔分布的多个调节图案。
  28. 根据权利要求24～27中任一项所述的制备方法，其中，采用溅射工艺，形成所述电子传输层。
  29. 一种发光器件的制备方法，包括：
    在基底上形成第一电极；
    在所述第一电极远离所述基底的一侧形成电子传输层，所述电子传输层包括N型无机半导体材料；
    在所述电子传输层远离所述基底的一侧形成量子点发光层；
    在所述量子点发光层远离所述基底的一侧形成第二电极；
    其中，在形成所述第一电极之后，且在形成所述量子点发光层之前，还包括：形成调节层，所述调节层与所述电子传输层接触；所述调节层为连续的膜层结构，且所述调节层包括至少两层二维半导体层，所述至少两层二维半导体层形成摩尔超晶格结构。
  30. 一种显示面板，包括：
    背板，所述背板包括衬底，及设置于所述衬底上的多个像素电路；
    设置于所述背板上的多个发光器件，所述多个发光器件为如权利要求1～25中任一项所述发光器件，至少一个发光器件的第一电极相对于第二电极靠近所述背板，且一个所述发光器件的第一电极与一个像素电路电连接。
  31. 根据权利要求30所述的显示面板，其中，相邻两个所述发光器件之间的间距为第一间距；
    所述发光器件包括间隔分布的多个调节图案，相邻两个调节图案之间的间距为第二间距；
    所述第二间距小于或等于所述第一间距。
  32. 根据权利要求30或31所述的显示面板，其中，所述发光器件具有发光区；所述多个调节图案的面积小于或等于所述发光区的面积。
  33. 根据权利要求30～32中任一项所述的显示面板，还包括：
    设置于所述多个像素电路远离所述衬底一侧的像素界定层，所述像素界定层设有多个开口，一个所述发光器件的量子点发光层的至少部分位于一个开口内，所述开口界定相应的发光器件的发光区。
  34. 一种显示装置，包括：
    显示面板，所述显示面板为如权利要求30～33中任一项所述的显示面板。
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US11342527B2 (en) * 2018-03-29 2022-05-24 Sharp Kabushiki Kaisha Light-emitting element having commonly formed hole transport layer and anode electrode and light-emitting device
CN108831905B (zh) * 2018-05-28 2021-07-09 东南大学 一种基于半导体量子点的红外探测-可见光显示集成系统、制备方法及成像方法
CN111540837B (zh) * 2019-04-10 2023-02-07 广东聚华印刷显示技术有限公司 量子点发光器件和显示装置
CN112310253B (zh) * 2019-08-01 2022-01-11 Tcl科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法
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