CN116936257A - 导电膏和多层电子组件 - Google Patents

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Abstract

本公开提供一种导电膏和多层电子组件。所述导电膏包括：包含Cu颗粒的导电材料；以及包括包含碱金属的氧化物的玻璃料，其中，相对于所述Cu颗粒的总含量，所述碱金属的含量大于等于0.16wt％且小于等于0.35wt％。

Description

导电膏和多层电子组件
本申请要求于2022年4月22日在韩国知识产权局提交的第10-2022-0049804号韩国专利申请的优先权的权益，所述韩国专利申请的公开内容通过引用被全部包含于此。
技术领域
本公开涉及一种导电膏和多层电子组件。
背景技术
多层陶瓷电容器(MLCC，一种多层电子组件)可以是安装在各种电子产品(诸如，成像装置(包括液晶显示器(LCD)和等离子体显示面板(PDP))、计算机、智能电话或移动电话)的印刷电路板上以用于在其中充电和从其放电的片式电容器。
多层陶瓷电容器具有小尺寸，实现高电容，并且容易安装在电路板上，因此可用作各种电子装置的组件。随着各种类型的电子装置(诸如计算机和移动装置)具有更小的尺寸和更高的输出，对多层陶瓷电容器具有更小的尺寸和更高的电容的需求已经增加。
另外，近年来，随着对电子产品的行业关注已经增加，多层陶瓷电容器已经需要具有高可靠性特性以用于汽车和信息娱乐系统。
当为了使多层电子组件小型化而减薄烧结电极时，为了提高外电极的致密度，需要更多的玻璃成分来填充导电金属颗粒之间的间隙。
然而，如果烧结电极中的玻璃成分的量过度增加，则导电金属颗粒之间的间隙可能增大，使得可能出现对镀液的耐腐蚀性和抵抗外部湿气渗透的防潮可靠性劣化的缺陷。
为了解决该问题，在现有技术中已经尝试通过使用包含钡(Ba)-锌(Zn)-硼(B)基氧化物的玻璃来确保耐腐蚀性(例如，耐酸性)。然而，在这种耐酸玻璃的情况下，与铜(Cu)金属的润湿性低，使得可能出现玻璃的团聚。
由于玻璃的团聚，在烧结电极中可能产生大量的孔，使得烧结电极的致密度可能降低。因此，对镀液的耐腐蚀性和抵抗外部湿气渗透的防潮可靠性劣化的缺陷可能再次出现。
因此，需要一种玻璃的组成和多层电子组件的构造，该玻璃的组成和多层电子组件的构造能够通过提高烧结电极的致密度来改善耐酸性和防潮可靠性并且使玻璃含量的增加最小化。
发明内容
本公开的数个目的中的一个是解决如下问题：当烧结电极中包括过量的耐酸玻璃时，烧结电极的致密度显著减小。
本公开的数个目的中的一个是在不增加玻璃含量的情况下提高烧结电极的致密度。
本公开的数个目的中的一个是解决如下问题：当镀层形成在包括玻璃的烧结电极上时，由于玻璃侵蚀而导致的多层电子组件的可靠性劣化。
然而，本公开的目的不限于上面的内容，并且在描述本公开的具体实施例的过程中将更容易地理解本公开的目的。
根据本公开的一方面，一种导电膏包括：包含Cu颗粒的导电材料；以及包括包含碱金属的氧化物的玻璃料，其中，相对于所述Cu颗粒的总含量，所述碱金属的含量大于等于0.16wt％且小于等于0.35wt％。
根据本公开的一方面，一种多层电子组件包括：主体，包括多个介电层以及在第一方向上与所述介电层交替设置的第一内电极和第二内电极；第一电极层，设置在所述主体的外表面上并连接到所述第一内电极；以及第二电极层，设置在所述主体的外表面上并连接到所述第二内电极，其中，所述第一电极层和所述第二电极层包括金属和玻璃，所述金属包括Cu，所述玻璃包括包含碱金属的氧化物，并且相对于所述第一电极层和所述第二电极层中的Cu的总含量，所述碱金属的含量大于等于0.069wt％且小于等于0.149wt％。
附图说明
通过结合附图的以下具体实施方式，本公开的以上和其他方面、特征及优点将被更清楚地理解。
图1是示意性地示出根据本公开的实施例的多层电子组件的立体图。
图2是沿图1的线I-I'截取的截面图。
图3是沿图1的线II-II'截取的截面图。
图4是示出处于拆解状态的图1的主体的分解立体图。
图5是示出根据是否添加碱金属氧化物的粘合剂分解趋势的曲线图。
图6A和图6B是通过使用扫描电子显微镜观察根据是否添加碱金属氧化物的电极层的致密度而获得的图像。
图7是示出如下内容的曲线图：根据相对于导电膏中包括的Cu颗粒的玻璃料中包括的碱金属的含量的烧结后的电极层中的孔的数量。
图8是示意性地示出根据本公开的实施例的多层电子组件的立体图。
图9是沿图8的线III-III'截取的截面图。
图10是图9的区域P2的放大图。
图11A和图11B是形成在电极层的带部的端部处的密封部的图像。
图12A和图12B是通过使用扫描电子显微镜观察根据是否形成密封部的所形成的镀层的形状而获得的图像。
图13是图2的区域P1的放大图。
具体实施方式
在下文中，将参照附图如下描述本公开的实施例。然而，本公开可以以许多不同的形式例证，并且不应被解释为局限于在此阐述的具体实施例。更确切地说，提供这些实施例使得本公开将是透彻的和完整的，并且将向本领域技术人员充分地传达本公开的范围。因此，为了清楚的描述，在附图中可夸大要素的形状和尺寸，并且在附图中由相同的附图标记指示的要素为相同的要素。
在附图中，可省略某些要素以清楚地示出本公开，并且为了清楚地表示多个层和区域，可放大厚度。在相同概念的范围内具有相同功能的相同要素将使用相同的附图标记来描述。此外，在整个说明书中，应当理解的是，除非另有指示，否则当一部分“包括”一个要素时，它还能够包括另一要素，而不排除另一要素。
在附图中，第一方向可指堆叠方向或厚度(T)方向，第二方向可指长度(L)方向，第三方向可指宽度(W)方向。
导电膏
根据本公开的实施例的导电膏包括：导电材料和玻璃料，导电材料包括Cu颗粒，玻璃料包括包含碱金属的氧化物，其中，在导电膏中，相对于Cu颗粒的总含量，碱金属的含量大于等于0.16wt％且小于等于0.35wt％。
根据本公开的实施例的导电材料可包括Cu颗粒以确保可烧结性以及烧结后与内电极的接触和电连接性，并且导电材料可还包括从由铜(Cu)、镍(Ni)、银(Ag)和银-钯(Ag-Pd)组成的组中选择的至少一种，但不限于此。
当导电膏用于多层电子组件(诸如多层陶瓷电容器)的端子电极时，导电材料中包括的导电金属颗粒可用于确保与内电极的电连接性。
具体地，当烧结导电膏时，在导电金属颗粒之间产生颈状联结现象(neck shapejointing phenomenon)，并且导电金属颗粒可相互连接以确保导电性。此外，当颗粒被定位为彼此足够靠近以至在未产生颈状联结的颗粒之间引起跳跃传导(hopping conduction)时，可确保电传导。
导电金属可以是球形金属颗粒和薄片型金属颗粒的混合物，从而改善烧结后的致密度和电连接性。
导电材料的导电金属颗粒的平均粒径没有特别限制，但是就球形颗粒而言，为了改善当与玻璃成分、有机粘合剂和有机溶剂混合时的分散性，球形颗粒的平均粒径可在0.5μm至5.0μm范围内，并且就薄片型颗粒而言，薄片型颗粒的平均长轴直径可在100nm至6μm范围内。
导电膏可包括玻璃料以在烧结期间填充导电颗粒之间的空的空间。
玻璃料可包括包含Si的氧化物。包含Si的氧化物是玻璃网络形成体氧化物(glassnetwork former oxide)，并且可用于改善玻璃料的软化温度和耐酸性。包含Si的氧化物可以是SiO2。
当相对于Cu颗粒的总含量，Si的含量小于0.55wt％时，玻璃网络结构是弱的，使得耐酸性可能减弱，并且当Si的含量超过0.60wt％时，软化温度可能过度升高。
因此，在实施例中，相对于Cu颗粒的总含量，Si的含量可大于等于0.55wt％且小于等于0.60wt％。由此，可确保适当的软化温度和耐酸性。
玻璃料可包括包含Ba的氧化物。包含Ba的氧化物可用于改善玻璃料的高温可加工性并改善化学耐久性。包含Ba的氧化物可包括BaO。
玻璃料可包括包含Zn的氧化物。包含Zn的氧化物可用于降低玻璃料的熔点和软化温度，并且可用作还原剂以用于改善内电极的Ni与外电极的Cu之间的接触。包含Zn的氧化物可包括ZnO。
玻璃料可包括包含B的氧化物。包含B的氧化物可用于降低玻璃料的转变温度、软化温度等。包含B的氧化物可包括B2O3。
因此，根据实施例的导电膏的玻璃料还可包括包含Ba、Zn和B中的至少一种的氧化物。因此，可改善化学耐久性、高温可加工性和与内电极的接触，并且可获得适当的转变温度和软化温度。
根据本公开的实施例，玻璃料可包括包含碱金属的氧化物。
当烧结导电膏时，Cu颗粒之间的空的空间可利用玻璃料填充。然而，随着外电极变薄，更容易形成Cu颗粒之间的颈状联结，但是玻璃料不能填充首先形成闭环联结的Cu颗粒的闭合内部空间的可能性增加。
因此，随着外电极变薄，用于提高外电极致密度的玻璃料的含量增加。
此外，随着玻璃料的含量增加，烧结后的外电极被镀液侵蚀得更多，因此，多层电子组件的防潮可靠性可能劣化。
因此，当通过将包括包含Ba、Zn和B中的至少一种的氧化物的耐酸玻璃料添加到导电膏中来形成外电极时，耐酸玻璃料与Cu颗粒的润湿性低，使得可能出现玻璃成分的团聚，并且可能出现在烧结之后外电极中形成大量孔的问题。
根据本公开的实施例，玻璃料可包括包含碱金属的氧化物。因此，在不过度增加玻璃料的含量的情况下，可提高烧结后的外电极的致密度。
图5是示出根据是否添加碱金属氧化物的粘合剂分解趋势的曲线图。
具体地，图5示出了通过热重分析(TGA)法测量的根据温度的导电膏中包括的粘合剂的相对重量。
参照图5，就未将碱金属氧化物添加至玻璃料中的比较示例而言，能够看出粘合剂的热分解起始温度相对高，并且曲线的倾斜程度迅速改变。
此外，就将碱金属氧化物添加至玻璃料中的实施例1和2而言，能够看出与比较示例相比，粘合剂的热分解起始温度相对低，并且曲线的倾斜程度更缓慢地改变。
因此，当将碱金属氧化物添加至玻璃料时，导电膏中包括的粘合剂的热分解起始温度降低，并且以均匀的速率去除粘合剂，从而抑制Cu颗粒的快速氧化和快速形成颈状联结。因此，当通过将包含添加有碱金属氧化物的玻璃料的导电膏应用于稍后将描述的多层电子组件来形成外电极时，外电极的致密度提高，从而抑制绝缘电阻(IR)的劣化并改善防潮可靠性。
根据本公开的实施例，相对于Cu颗粒的总含量，碱金属的含量优选地大于等于0.16wt％且小于等于0.35wt％。
当相对于Cu颗粒的总含量，碱金属的含量小于0.16wt％时，相对于Cu的烧结起始温度，玻璃料的转变温度(Tg)降低，因此可能难以确保烧结后的电极层的致密度，并且类似地，当碱金属的含量超过0.35wt％时，碱金属氧化物作为烧结助剂的作用受限，使得可能难以确保烧结后的电极层的致密度。
此外，碱金属的类型没有特别限制。然而，当碱金属包括Li和K中的至少一种时，可通过降低场强度(field strength，离子的电荷/(离子半径)^2)来改善玻璃的润湿性。另外，当玻璃中包括碱金属时，玻璃的网络结合可被部分破坏，从而可调节玻璃的转变温度(Tg)。
除此之外，导电膏可包括粘合剂和溶剂(诸如乙基纤维素、硝化纤维素和丙烯酸类树脂)，并且如果需要，导电膏可包括分散剂、活化剂等。
此外，当形成稍后描述的根据本公开的各种实施例的多层电子组件的外电极中包括的电极层时，可使用根据本公开的各种实施例的导电膏。
然而，不必须应用上述导电膏，并且能够应用各种组成的导电膏以提高外电极中包括的电极层的致密度，从而确保耐酸性和防潮可靠性。
多层电子组件
图1是示意性地示出根据本公开的实施例的多层电子组件的立体图。
图2是沿图1的线I-I'截取的截面图。
图3是沿图1的线II-II'截取的截面图。
图4是示出处于拆解状态的图1的主体的分解立体图。
在下文中，将参照图1至图4详细描述根据本公开的实施例的多层电子组件100，但是省略了与上述导电膏中描述的内容重复的部分以避免重复描述。
参照图1至图4，根据本公开的实施例的多层电子组件100包括：主体110，包括多个介电层111以及在第一方向上与介电层111交替设置的第一内电极121和第二内电极122；第一电极层131，设置在主体110外部并连接到第一内电极121；以及第二电极层141，设置在主体110外部并连接到第二内电极122，其中，第一电极层131和第二电极层141包括金属和玻璃，所述金属包括Cu，所述玻璃包括包含碱金属的氧化物，并且，在电极层中，相对于Cu的总含量，碱金属的含量大于等于0.069wt％且小于等于0.149wt％。
主体110具有交替堆叠的介电层111以及内电极121和122。
主体110的具体形状没有特别限制，但是如图1至图3中所示，主体110可具有六面体形状或类似于六面体形状的形状。由于主体110中包括的陶瓷粉末在烧结工艺期间的收缩，主体110可大体上具有六面体形状，但是不具有拥有完美直线的六面体形状。
主体110可具有在第一方向(厚度方向)上彼此相对的第一表面1和第二表面2、连接到第一表面1和第二表面2并且在第二方向(长度方向)上彼此相对的第三表面3和第四表面4以及连接到第一表面1至第四表面4并且在第三方向(宽度方向)上彼此相对的第五表面5和第六表面6。
形成主体110的多个介电层111处于烧结的状态，并且相邻的介电层111可以是一体的，使得它们之间的边界在不使用扫描电子显微镜(SEM)的情况下难以确定。
用于形成介电层111的原材料没有特别限制，只要使用该原材料可获得足够的静电电容即可。例如，用于形成介电层111的原材料可以是钛酸钡(BaTiO3)基材料、铅复合钙钛矿基材料、钛酸锶(SrTiO3)基材料等。钛酸钡基材料可包括BaTiO3基陶瓷粉末，并且BaTiO3基陶瓷粉末可包括例如BaTiO3或者将钙(Ca)、锆(Zr)等部分固溶在BaTiO3等中的(Ba1-xCax)TiO3(其中，0<x<1)、Ba(Ti1-yCay)O3(其中，0<y<1)、(Ba1-xCax)(Ti1-yZry)O3(其中，0<x<1，0<y<1)或Ba(Ti1-yZry)O3(其中，0<y<1)。
另外，根据本公开的目的，可将各种陶瓷添加剂、有机溶剂、增塑剂、粘合剂、分散剂等添加至作为用于形成介电层111的原材料的粉末(诸如钛酸钡(BaTiO3))中。
此外，介电层111的平均厚度td没有特别限制。
然而，通常，当介电层111形成为具有小于0.6μm的平均厚度时，特别是当介电层111的平均厚度小于等于0.35μm时，存在可靠性可能劣化的担忧。
根据本公开的实施例，通过相对于Cu的总含量将碱金属的含量调节为大于等于0.069wt％且小于等于0.149wt％，可确保第一电极层131和第二电极层141的致密度，使得即使当介电层111的平均厚度td小于等于0.35μm时，也可改善多层电子组件100的可靠性。
介电层111的平均厚度td可意味着设置在第一内电极121与第二内电极122之间的介电层111的平均厚度。
介电层111的平均厚度可从通过如下方式获得的图像中测量：使用放大倍数为10000的扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110在长度方向和厚度方向(L-T方向)上的截面。更具体地，介电层111的平均厚度可通过如下方式测量：在获得的图像中，测量一个介电层的在长度方向上等间隔定位的30个点处的厚度然后取平均值。可在电容形成部Ac中指定等间隔定位的30个点。另外，当通过将平均厚度的测量扩展至10个介电层来测量平均厚度时，介电层的平均厚度可更一般化。
此外，主体110可包括电容形成部Ac以及覆盖部112和113，电容形成部Ac设置在主体110中并且包括设置为彼此相对且有介电层111介于它们之间的第一内电极121和第二内电极122，覆盖部112和113分别设置在电容形成部Ac的上方和下方。
另外，对电容器的电容形成有贡献的电容形成部Ac可通过如下方式形成：重复层叠多个第一内电极121和多个第二内电极122且使介电层111介于它们之间。
上覆盖部112和下覆盖部113可通过分别在电容形成部Ac在厚度方向上的上表面和下表面上层叠单个介电层或者两个或更多个介电层来形成，并且可基本上用于防止由物理应力或化学应力导致的对内电极的损坏。
上覆盖部112和下覆盖部113不包括内电极，并且上覆盖部112和下覆盖部113可包括与用于介电层111的材料相同的材料。
即，上覆盖部112和下覆盖部113可包括陶瓷材料，例如，钛酸钡(BaTiO3)基陶瓷材料。
此外，覆盖部112和113的平均厚度tc不需要特别限制。然而，覆盖部112和113的平均厚度tc可小于等于15μm以更容易地实现多层电子组件的小型化和高电容。另外，根据实施例，由于可通过相对于Cu的总含量将碱金属的含量调节为大于等于0.069wt％且小于等于0.149wt％来确保第一电极层131和第二电极层141的致密度，因此即使当覆盖部112和113的平均厚度tc小于等于15μm时，也可改善多层电子组件100的可靠性。
覆盖部112和113的平均厚度tc可指第一方向上的尺寸，并且可以是在电容形成部Ac的上方或下方的等间隔设置的五个点处测量的上覆盖部112或下覆盖部113在第一方向上的尺寸的平均值。
另外，边缘部114和115可设置在电容形成部Ac的侧表面上。
边缘部114和115可包括设置在电容形成部Ac在第三方向(宽度方向)上的一个侧表面上的边缘部114和设置在电容形成部Ac在第三方向(宽度方向)上的另一侧表面上的边缘部115。即，边缘部114和115可设置在电容形成部Ac在宽度方向上的两个侧表面上。
如图3中所示，边缘部114和115可指在主体110的在宽度方向-厚度方向(W-T方向)上截取的截面中第一内电极121和第二内电极122的两端与主体110的外表面之间的区域。
边缘部114和115可基本上用于防止由物理应力或化学应力导致的对内电极的损坏。
边缘部114和115可通过如下方式形成：通过将导电膏涂覆至陶瓷生片的除了要形成边缘部的区域之外的区域上来形成内电极。
另外，为了抑制由内电极121和122形成的台阶差，边缘部114和115可通过如下方式形成：层叠其上涂覆有用于内电极的导电膏的陶瓷生片，切割层叠的陶瓷生片以获得层叠体(用于形成电容形成部Ac)并使内电极暴露于层叠体在宽度方向上的两个侧表面，然后在层叠体在宽度方向上的两个侧表面上层叠单个介电层或者两个或更多个介电层。
此外，边缘部114和115的平均厚度(在第三方向上的尺寸)不需要特别限制。然而，为了更容易实现多层电子组件的小型化和高电容，边缘部114和115的平均厚度可小于等于15μm。另外，根据本公开的实施例，由于可通过相对于Cu的总含量将碱金属的含量调节为大于等于0.069wt％且小于等于0.149wt％来确保第一电极层131和第二电极层141的致密度，因此即使当边缘部114和115的平均厚度小于等于15μm时，也可改善多层电子组件100的可靠性。
内电极121和122可与介电层111交替层叠。
内电极121和122可包括第一内电极121和第二内电极122。第一内电极121和第二内电极122可交替设置为彼此面对，且介电层111介于第一内电极121和第二内电极122之间，并且第一内电极121和第二内电极122可分别暴露于主体110的第三表面3和第四表面4。
参照图2，第一内电极121可与第四表面4间隔开并可通过第三表面3暴露，第二内电极122可与第三表面3间隔开并可通过第四表面4暴露。
在这种情况下，第一内电极121和第二内电极122可通过设置在它们之间的介电层111彼此电分离。
参照图4，主体110可通过如下方式形成：交替堆叠其上印刷有用于第一内电极121的导电膏的陶瓷生片和其上印刷有用于第二内电极122的导电膏的陶瓷生片，然后烧结。
用于形成内电极121和122的材料没有特别限制，并且可使用具有优异导电性的材料。例如，内电极121和122可包括镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、锡(Sn)、钨(W)、钛(Ti)和它们的合金中的至少一种。
另外，内电极121和122可通过如下方式形成：在陶瓷生片上印刷用于内电极的导电膏，该导电膏包括镍(Ni)、铜(Cu)、钯(Pd)、银(Ag)、金(Au)、铂(Pt)、锡(Sn)、钨(W)、钛(Ti)和它们的合金中的至少一种。印刷用于内电极的导电膏的方法可以是丝网印刷法、凹版印刷法等，但本公开不限于此。
此外，内电极121和122的平均厚度te不需要特别限制。
然而，通常，当内电极121和122形成为具有小于0.6μm的平均厚度时，特别是当内电极121和122的平均厚度小于等于0.35μm时，存在可靠性可能劣化的担忧。
根据本公开的实施例，由于可通过相对于Cu的总含量将碱金属的含量调节为大于等于0.069wt％且小于等于0.149wt％来确保第一电极层131和第二电极层141的致密度，因此即使当内电极121和122的平均厚度te小于等于0.35μm时，也可改善多层电子组件100的可靠性。
因此，当内电极121和122具有小于等于0.35μm的平均厚度时，根据本公开的上述效果可更加显著，并且可更容易地实现多层电子组件的小型化和高电容。
内电极121和122的平均厚度te可意味着内电极121和122中至少一个的平均厚度。
内电极121和122的平均厚度可从通过如下方式获得的图像中测量：使用放大倍数为10000的扫描电子显微镜(SEM)扫描主体110的在长度方向和厚度方向(L-T方向)上的截面。更具体地，内电极121和122的平均厚度可通过如下方式测量：在扫描的图像中，测量一个内电极的在长度方向上的30个等间隔点处的厚度然后取平均值。可在电容形成部Ac中指定等间隔的30个点。另外，当通过将平均厚度的测量扩展至10个内电极来测量平均厚度时，内电极的平均厚度能够更一般化。
外电极130和140可设置在主体110上并分别连接到内电极121和122。
如图2中所示，外电极130和140可包括第一外电极130和第二外电极140，第一外电极130设置在主体110的第三表面3上并连接到第一内电极121，第二外电极140设置在主体110的第四表面4上并连接到第二内电极122。
在本实施例中，描述了多层电子组件100具有两个外电极130和140的结构。然而，外电极130和140的数量和形状可根据内电极121和122的形状或其他目的而改变。
此外，外电极130和140可使用任何材料(诸如金属)形成，只要它们具有导电性即可，并且具体的材料可考虑电特性和结构稳定性来确定，此外，外电极130和140可具有多层结构。
例如，外电极130和140可包括设置在主体110上的电极层131和141以及设置在电极层131和141上的镀层132和142。
此外，电极层131和141可包括设置在主体110外部并连接到第一内电极121的第一电极层131和设置在主体110外部并连接到第二内电极122的第二电极层141。
具体地，第一电极层131和第二电极层141可设置在主体110的一些表面上以分别与第一内电极121和第二内电极122直接接触从而确保电连接。
根据本公开的实施例，第一电极层131和第二电极层141可包括金属和玻璃，并且所述金属包括Cu。
当第一电极层131和第二电极层141包括Cu作为金属时，可容易地调节第一电极层131和第二电极层141的烧结期间的气氛。具体地，在用于防止内电极121和122中包括的金属镍的氧化和介电层111中包括的BaTiO3的还原的气氛中，可烧结第一电极层131和第二电极层141。
另外，第一电极层131和第二电极层141可通过将包括金属的导电膏印刷、转印或浸渍至主体110上来形成，但是其实施例不限于此。
第一镀层132和第二镀层142可分别设置在第一电极层131和第二电极层141上。根据本公开的实施例，第一镀层132可设置在第一电极层131上，第二镀层142可设置在第二电极层141上。第一镀层132和第二镀层142可用于改善安装特性。
镀层132和142的类型没有特别限制，并且镀层132和142可以是包括Cu、Ni、Sn、Ag、Au、Pd和它们的合金中的至少一种的镀层，并且可包括多个层。
作为镀层132和142的更具体的示例，镀层132和142可包括Ni镀层或Sn镀层，或者可具有Ni镀层和Sn镀层依次形成在电极层131和141上的结构，或者可具有Sn镀层、Ni镀层和Sn镀层依次形成的结构。另外，镀层132和142可包括多个Ni镀层和/或多个Sn镀层。
此外，根据本公开的实施例的第一电极层131和第二电极层141包括玻璃，并且所述玻璃包括包含碱金属的氧化物。
当第一电极层131和第二电极层141是通过烧结导电膏而形成的烧结电极时，玻璃可用于确保金属颗粒之间的可烧结性。
玻璃中包括的成分可与上述根据本公开的各种实施例的导电膏的玻璃料中包括的成分相同。玻璃料可填充在Cu颗粒之间，从而对确保可烧结性并改善机械强度作出贡献。
此外，当第一电极层131和第二电极层141变薄并且需要增加导电膏中的玻璃料的含量以确保可烧结性时，可能出现镀液的侵蚀，并且当使用耐酸玻璃料时，与Cu颗粒的润湿性低，这可能导致玻璃团聚。因此，在烧结之后，当在第一电极层131和第二电极层141中产生大量的孔且分别在第一电极层131和第二电极层141上形成第一镀层132和第二镀层142时，多层电子组件100的可靠性可能由于镀液的侵蚀而降低。
根据本公开的实施例，由于玻璃包括包含碱金属的氧化物，因此即使相对于Cu没有过量的玻璃，也可确保可烧结性，并且由于与Cu颗粒的润湿性优异，因此也可抑制玻璃团聚的现象。因此，可抑制在第一电极层131和第二电极层141中形成大量的孔，从而防止由于镀液的侵蚀导致的多层电子组件100的可靠性劣化。
根据本公开的实施例，相对于Cu的总含量，碱金属的含量大于等于0.069wt％且小于等于0.149wt％。因此，可在不过度增加玻璃成分的情况下形成致密的第一电极层131和第二电极层141，从而改善多层电子组件100的防潮可靠性。
当相对于Cu的总含量，碱金属的含量小于0.069wt％时，相对于Cu的烧结起始温度，玻璃料的转变温度(Tg)降低，这阻止了烧结。因此，第一电极层131和第二电极层141的致密度可能降低。当相对于Cu的总含量，碱金属的含量超过0.149wt％时，碱金属氧化物作为烧结助剂的作用受限，使得第一电极层131和第二电极层141的致密度可能降低。
当使用根据本公开的各种实施例的导电膏形成第一电极层131和第二电极层141时，第一电极层131和第二电极层141可包括金属和玻璃，所述金属可包括Cu，并且所述玻璃可包括包含碱金属的氧化物。另外，例如，由于在于烧结期间碱金属可能容易蒸发或扩散到主体中，因此，所形成的第一电极层131和第二电极层141中的碱金属的含量可低于所使用的导电膏中包含的碱金属的含量。
另外，碱金属的类型没有特别限制。然而，当碱金属包括Li和K中的至少一种时，可通过降低场强度来改善玻璃的润湿性。另外，当玻璃中包括碱金属时，玻璃的网络结合中的一些可能被破坏，使得可调节玻璃的转变温度(Tg)。
在实施例中，玻璃可包括包含Ba、Zn和B中的至少一种的氧化物。因此，通过改善玻璃的耐酸性，可改善多层电子组件的防潮可靠性和耐酸性。此外，为了改善耐酸性，当玻璃包括包含Ba、Zn和B中的至少一种的氧化物时，由于与Cu颗粒的润湿性低，因此可能出现玻璃成分团聚的现象，并且可能出现在烧结之后在第一电极层131和第二电极层141中形成大量孔的问题。
然而，根据本公开的实施例，玻璃包括包含碱金属的氧化物，相对于Cu的总含量，碱金属的含量可满足大于等于0.069wt％且小于等于0.149wt％，以提高第一电极层131和第二电极层141的致密度，从而抑制孔的形成。因此，当玻璃包括包含Ba、Zn和B中的至少一种的氧化物时，根据本公开的实施例的多层电子组件的耐酸性和防湿可靠性的改善效果可更加显著。
第一电极层131和第二电极层141的平均厚度没有特别限制。然而，第一电极层131和第二电极层141中的至少一个的平均厚度可小于等于20μm，以便更容易地实现多层电子组件的小型化和高电容。然而，当第一电极层131和第二电极层141中的至少一个的平均厚度小于5μm时，为了确保可烧结性，玻璃的比例可能增加，使得存在可靠性可能降低的担忧。
因此，第一电极层131和第二电极层141中的至少一个的平均厚度可大于等于5μm且小于等于20μm，更优选地，第一电极层131和第二电极层141中的至少一个的平均厚度可大于等于7μm且小于等于15μm。
根据本公开的实施例，通过相对于Cu的总含量将碱金属的含量调节为大于等于0.069wt％且小于等于0.149wt％，可确保第一电极层131和第二电极层141的致密度，使得即使当第一电极层131和第二电极层141中的至少一个的平均厚度小于20μm时，也可确保多层电子组件100的可靠性。
图13是图2的区域P1的放大图。
参照图13，第一电极层131的平均厚度可通过如下方式测量：观察多层电子组件100的在第三方向上的中央部中截取的在第二方向和第一方向(L-T方向)上的截面，并且第一电极层131的平均厚度可以是通过如下方式获得的值：对在第一方向上等间隔的五个点处测量的第一电极层131的第一连接部131a(稍后将详细描述)在第二方向上的尺寸取平均值。具体地，在从多层电子组件100在宽度方向(第三方向)上的中央部截取的多层电子组件100在长度方向(第二方向)和厚度方向(第一方向)上的截面中，第一电极层131的平均厚度可以是：第一连接部131a的在从最下内电极至最上内电极在第一方向上呈等间隔的五个点p1、p2、p3、p4和p5处的在第二方向上的尺寸的平均值，并且第二电极层141的平均厚度也可类似地测量。
多层电子组件100的尺寸不需要特别限制。
然而，为了实现小型化和高电容两者，由于应该通过减薄介电层和内电极来增加层叠的层数，因此在具有1005(长×宽，1.0mm×0.5mm)或更小的尺寸的多层电子组件100中，可靠性和每单位体积电容的改善效果可变得更加显著。
因此，考虑到制造误差、外电极的尺寸等，当多层电子组件100具有小于等于1.1mm的长度和小于等于0.55mm的宽度时，根据本公开的可靠性改善效果可更加显著。这里，多层电子组件100的长度可指多层电子组件100在第二方向上的最大尺寸，并且多层电子组件100的宽度可指多层电子组件100在第三方向上的最大尺寸。
在下文中，将参照图8和图9详细描述根据实施例的多层电子组件100'。然而，将省略与上述多层电子组件中描述的构造重复的构造的描述以避免重复描述。
参照图8和图9，在多层电子组件100'中，第一电极层131可包括第一连接部131a和第一带部131b，第一连接部131a设置在第三表面3上并连接到第一内电极121，第一带部131b从第一连接部131a延伸至第一表面1、第二表面2、第五表面5和第六表面6中的至少一个的一部分，第二电极层141可包括第二连接部141a和第二带部141b，第二连接部141a设置在第四表面4上并连接到第二内电极122，第二带部141b从第二连接部141a延伸至第一表面1、第二表面2、第五表面5和第六表面6中的至少一个的一部分。多层电子组件100'还可包括：第一密封部151，设置为从第一带部131b的端部延伸至主体的外表面的一部分上；以及第二密封部152，设置为从第二带部141b的端部延伸至主体的外表面的一部分上。这里，主体的外表面指的是主体的表面中没有被电极层覆盖的部分。
在根据实施例的多层电子组件100'中，第一电极层131可包括第一连接部131a和第一带部131b，第一连接部131a设置在第三表面3上并连接到第一内电极121，第一带部131b从第一连接部131a延伸至第一表面1、第二表面2、第五表面5和第六表面6中的每个的一部分，第二电极层141可包括第二连接部141a和第二带部141b，第二连接部141a设置在第四表面4上并连接到第二内电极122，第二带部141b从第二连接部141a延伸至第一表面1、第二表面2、第五表面5和第六表面6中的每个的一部分。
第一连接部131a和第二连接部141a分别与第一内电极121和第二内电极122直接接触，并用于确保电传导。
第一带部131b和第二带部141b设置为分别从第一连接部131a和第二连接部141a延伸至主体110的第一表面1、第二表面2、第五表面5和第六表面6中的至少一个的一部分以确保可安装性，从而用于改善多层电子组件100'的机械强度。
此外，由于第一带部131b和第二带部141b设置为延伸至主体110的第一表面1、第二表面2、第五表面5和第六表面6中的至少一个的一部分，因此第一带部131b和第二带部141b的端部可设置在主体上。第一带部131b和第二带部141b的端部可以是外部湿气渗透的路径，并且可以是在镀覆期间镀液渗透的主要路径。
另外，由于第一带部131b和第二带部141b的厚度朝向第一带部131b和第二带部141b的端部逐渐减小，因此第一带部131b和第二带部141b的端部可能容易受到外部湿气渗透和镀液侵蚀的影响。
另外，当第一电极层131和第二电极层141是包括金属和玻璃的烧结电极时，并且当第一电极层131和第二电极层141的致密度不足时，第一电极层131和第二电极层141可能更容易受到外部湿气渗透和镀液侵蚀的影响。
图9是沿图8的线III-III'截取的截面图，图10是图9的区域P2的放大图。
参照图9和图10，根据实施例的多层电子组件100'包括设置在第一电极层131上的第一镀层132以及设置在第二电极层141上的第二镀层142，其中，第一镀层132可设置为覆盖第一密封部151的至少一部分，并且第二镀层142可设置为覆盖第二密封部152的至少一部分。
图12A和图12B是通过使用扫描电子显微镜观察根据是否形成密封部的所形成的镀层的形状而获得的图像。
图12A是示出如下情况的图：在第二密封部152形成在第二带部141b的端部处的状态下，在第二电极层141上形成第二镀层142。尽管未示出，第一密封部151可按照与第二密封部152类似的方式进行设置。
当在第一密封部151和第二密封部152被镀液完全侵蚀之前完成镀覆时，镀液不会侵蚀第一带部131b和第二带部141b的端部。即，可通过第一密封部151和第二密封部152延迟和减缓镀液渗透至第一带部131b和第二带部141b的端部中的现象。
因此，第一镀层132和第二镀层142可不延伸至第一带部131b和第二带部142b与主体110之间的间隙。换句话说，第一镀层132可设置为覆盖第一密封部151的至少一部分，并且第二镀层142可设置为覆盖第二密封部152的至少一部分。
因此，第一密封部151和第二密封部152可缓解或抑制镀液渗透至第一带部131b和第二带部141b与主体110之间的间隙中的现象，以改善多层电子组件100'的防潮可靠性和对镀液的耐酸性。
另一方面，图12B示出了在未形成第二密封部152的状态下形成第二镀层142的情况。由于第一镀层132和第二镀层142直接形成在第一带部131b和第二带部141b的端部处，因此能够确认的是，可能无法抑制在形成第一镀层132和第二镀层142时镀液渗透至第一带部131b和第二带部141b与主体110之间的间隙中。
第一密封部151和第二密封部152的平均长度L1的下限没有特别限制，并且可优选地形成为足以阻截外部湿气或镀液渗透至主体110中的路径。
此外，第一密封部151和第二密封部152的平均长度L1优选为小于等于5μm，但没有特别限制，并且可根据第一电极层131和第二电极层141中包括的玻璃的含量而变化。
此外，第一密封部151和第二密封部152的平均长度L1可从通过如下方式获得的图像中测量：使用放大倍数为10000的扫描电子显微镜(SEM)扫描多层电子组件100'在第二方向和第一方向(L-T方向)上的截面。更具体地，第一密封部151和第二密封部152可存在于扫描的图像中的第一象限至第四象限中，并且第一密封部151和第二密封部152的平均长度可通过如下方式测量：测量四个第一密封部151和第二密封部152的最大长度然后取平均值。另外，通过在第三方向上的10个随机点处切割的多层电子组件100'在第二方向和第一方向(L-T方向)上的截面中测量第一密封部151和第二密封部152的平均长度L1，第一密封部151和第二密封部152的平均长度L1可更一般化。
图11A和图11B是形成在电极层的带部的端部处的密封部的图像。
图11A和图11B示出了电极层中包括的玻璃包括包含碱金属的氧化物的情况。能够确认的是，第一密封部151和第二密封部152设置为分别从第一带部131b的端部和第二带部141b的端部延伸至主体110的外表面的一部分上。
第一密封部151和第二密封部152的成分没有特别限制。然而，第一密封部151和第二密封部152可在第一电极层131和第二电极层141中包括的玻璃成分浸润至主体110的表面中时形成。
因此，在实施例中，第一密封部151和第二密封部152可包括与第一电极层131和第二电极层141中包括的玻璃相同的材料，使得可改善多层电子组件100'的防潮可靠性和对镀液的耐酸性。
(示例)
通过在添加有Li2O和K2O的玻璃料中混合Cu颗粒和有机载体来制备导电膏。
在烧结后的主体110(包括与介电层111交替设置的第一内电极121和第二内电极122)上进行疏水等离子体处理之后，将制备的导电膏涂布在表面板上，并且将导电膏涂覆在主体110的外部并进行干燥。
此后，在650℃至900℃下烧结导电膏以形成第一电极层131和第二电极层141从而制备样品。
此后，将每个样品浸在Ni镀液中，并且对于每个测试编号，测量在电极层131和141中形成的孔的数量以确定电极层的致密度。
下面的表1示出了通过如下方式获得的致密度评价：测量根据导电膏中包括的相对于Cu颗粒的含量的碱金属的含量的烧结后的电极层131和141中形成的孔的数量。
图6A和图6B是通过使用扫描电子显微镜观察根据是否添加碱金属氧化物的电极层的致密度而获得的图像。
电极层中形成的孔的数量通过如下方式获得：使用放大倍数为500的扫描电子显微镜(SEM)拍摄具有0402尺寸的样品在第三方向和第一方向(W-T方向)上的截面的图像，使用ImageJ程序调节拍摄的图像的对比度/亮度，并且测量相对暗的部分的数量。
参照图6A和图6B，图6A示出了玻璃料包括碱金属的情况，并且在图6A中，能够看出孔(暗部)的数量少，图6B示出了玻璃料不包括碱金属的情况，并且在图6B中，能够看出与图6A相比，孔(暗部)的数量增加。
在这种情况下，使用从每个测试编号的9个随机样品中拍摄的图像，以相同的方式测量孔的数量，然后获得它们的平均值。
[表1]
测试编号1是玻璃料不包括碱金属的情况，并且在测试编号1中，能够确认烧结后的电极层中的孔的数量为250，使得不能形成致密的电极层。
测试编号2是相对于Cu颗粒的总含量，玻璃料中的碱金属的含量小于0.16wt％的情况，并且在测试编号2中，能够确认烧结后的电极层中的孔的数量为188，使得不能形成致密的电极层。
测试编号3至测试编号6是相对于Cu颗粒的总含量，玻璃料中包含的碱金属的含量大于等于0.16wt％且小于等于0.35wt％的情况，并且在测试编号3至测试编号6中，能够确认烧结后的电极层中的孔的数量小于50，使得电极层的致密度是优异的。
测试编号7至测试编号9是相对于Cu颗粒的总含量，玻璃料中包含的碱金属的含量超过0.35wt％的情况，并且在测试编号7至测试编号9中，能够确认烧结后的电极层中的孔的数量超过50，使得电极层的致密度不优异。
图7是示出如下内容的曲线图：根据相对于导电膏中包含的Cu颗粒的总含量的玻璃料中包括的碱金属的含量的烧结后的电极层中的孔的数量。
参照图7，如表1中所示，能够确认的是，根据相对于导电膏中包含的Cu颗粒的总含量的玻璃料中包含的碱金属的含量，可控制烧结后的电极层中的孔的数量。
因此，根据本公开的实施例的导电膏可通过相对于Cu颗粒的总含量将玻璃料中包括的碱金属的含量调节为大于等于0.16wt％且小于等于0.35wt％来减少烧结后的电极层中形成的孔的数量，以提高电极层的致密度。
更优选地，通过相对于Cu颗粒的总含量将碱金属的含量调节为大于等于0.23wt％且小于等于0.30wt％，可将烧结后的电极层中形成的孔的数量控制为小于25，从而可进一步提高电极层的致密度。
此外，在下面的表2中在与表1中的测试编号1至测试编号9对应的样品上形成镀层从而制造多层电子组件后，测量并示出相对于最终产品中的电极层中包含的Cu的总含量的碱金属的含量。
在最终产品中，测量相对于电极层131和电极层141中包括的Cu的碱金属的含量的方法没有特别限制。例如，可将多层电子组件100插入7ml盐酸中，在180℃下处理1小时，过滤，然后可通过电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS)测量Cu和碱金属的含量(ppm)，然后可将Cu和碱金属的含量转换为相对于Cu的总含量的碱金属的含量(wt％)。
[表2]
测试编号 Cu(g) Li(g) K(g) 碱金属(g) 孔的数量
1 100 0 0 0 250
2 100 0.033 0.017 0.050 188
3 100 0.046 0.023 0.069 47
4 100 0.066 0.033 0.099 5
5 100 0.086 0.043 0.129 23
6 100 0.099 0.050 0.149 38
7 100 0.165 0.083 0.248 53
8 100 0.264 0.132 0.396 162
9 100 0.660 0.330 0.990 1000
测试编号1是玻璃不包含碱金属的情况，并且在测试编号1中，能够确认烧结后的电极层中的孔的数量为250，并且电极层的致密度不优异，使得多层电子组件的防潮可靠性不优异。
测试编号2是相对于电极层中包含的Cu的总含量，玻璃中包含的碱金属的含量小于0.069wt％的情况，并且在测试编号2中，能够确认烧结后的电极层中的孔的数量为188，并且没有形成致密的电极层，使得多层电子组件的防潮可靠性不优异。
测试编号3至测试编号6是相对于电极层中包含的Cu的总含量，玻璃中包含的碱金属的含量大于等于0.069wt％且小于等于0.149wt％的情况，并且在测试编号3至测试编号6中，能够确认烧结后的电极层中的孔的数量小于50，并且电极层的致密度是优异的，使得多层电子组件的防潮可靠性是优异的。
测试编号7至测试编号9是相对于电极层中包含的Cu的总含量，玻璃中包含的碱金属的含量超过0.149wt％的情况，并且在测试编号7至测试编号9中，能够确认烧结后的电极层中的孔的数量超过50，并且电极层的致密度不优异，使得多层电子组件的防潮可靠性不优异。
根据本公开的实施例，第一电极层和第二电极层可包括金属和玻璃，所述金属可包括Cu，所述玻璃可包括包含碱金属的氧化物，并且相对于第一电极层和第二电极层中的Cu的总含量，碱金属的含量可控制为大于等于0.069wt％且小于等于0.149wt％，使得烧结后的电极层中形成的孔的数量可控制为小于50，并且可改善多层电子组件的防潮可靠性。
如上所述，作为本公开的各种效果中的一个，烧结电极中包括的玻璃包括包含碱金属的氧化物，并且调节碱金属的含量以在不增加玻璃的总含量的情况下提高烧结电极的致密度。
作为本公开的各种效果中的一个，包括包含碱金属的氧化物的密封部形成在烧结电极的带部的端部与主体之间的界面上以改善多层电子组件的耐酸性和防潮可靠性。
作为本公开的各种效果中的一个，即使在超小的多层电子组件的情况下，也提高了烧结电极的致密度以确保优异的耐酸性和防潮可靠性。
然而，本公开的各种有益的优点和效果不限于上述内容，并且在描述本公开的具体实施例的过程中将更容易理解。
另外，本公开中使用的表述“实施例”不意味着彼此相同的实施例，并且被提供用于强调和解释不同的独特特征。然而，上面展现的实施例不排除与另一实施例的特征组合来实现。例如，除非描述与另一实施例中的内容相矛盾或冲突，否则即使一个具体的实施例中描述的内容未在另一实施例中描述，该内容也可被理解为与另一实施例相关的描述。
本公开中使用的术语仅用于描述一个实施例，并且不意在限制本公开。在这种情况下，除非上下文另有清楚地指示，否则单数表述包括复数表述。
虽然上面已经示出和描述了示例实施例，但是对于本领域技术人员来说将易于理解的是，在不脱离由所附权利要求限定的本公开的范围的情况下，可进行修改和变型。

Claims (20)

1.一种导电膏，包括：
包含Cu颗粒的导电材料；以及
包括包含碱金属的氧化物的玻璃料，
其中，相对于所述Cu颗粒的总含量，所述碱金属的含量大于等于0.16wt％且小于等于0.35wt％。
2.根据权利要求1所述的导电膏，其中，所述玻璃料还包括包含Si的氧化物，并且
相对于所述Cu颗粒的总含量，Si的含量大于等于0.55wt％且小于等于0.60wt％。
3.根据权利要求1所述的导电膏，其中，所述玻璃料还包括包含Ba、Zn和B中的至少一种的氧化物。
4.根据权利要求1所述的导电膏，其中，所述碱金属包括Li和K中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的导电膏，其中，所述导电材料还包括从由Ni、Ag和Ag-Pd组成的组中选择的至少一种。
6.根据权利要求1所述的导电膏，其中，相对于所述Cu颗粒的总含量，所述碱金属的含量大于等于0.23wt％且小于等于0.30wt％。
7.一种多层电子组件，包括：
主体，包括多个介电层以及在第一方向上与所述介电层交替设置的第一内电极和第二内电极；
第一电极层，设置在所述主体的外表面上并连接到所述第一内电极；以及
第二电极层，设置在所述主体的外表面上并连接到所述第二内电极，
其中，所述第一电极层和所述第二电极层包括金属和玻璃，
所述金属包括Cu，
所述玻璃包括包含碱金属的氧化物，并且
相对于所述第一电极层和所述第二电极层中的Cu的总含量，所述碱金属的含量大于等于0.069wt％且小于等于0.149wt％。
8.根据权利要求7所述的多层电子组件，其中，所述碱金属包括Li和K中的至少一种。
9.根据权利要求7所述的多层电子组件，其中，所述玻璃还包括包含Ba、Zn和B中的至少一种的氧化物。
10.根据权利要求7所述的多层电子组件，所述多层电子组件还包括：
第一镀层，设置在所述第一电极层上；以及
第二镀层，设置在所述第二电极层上。
11.根据权利要求7所述的多层电子组件，其中，所述第一电极层和所述第二电极层中的至少一个的平均厚度大于等于5μm且小于等于20μm。
12.根据权利要求7所述的多层电子组件，其中，所述主体包括电容形成部和覆盖部，所述电容形成部包括与所述介电层交替设置的所述第一内电极和所述第二内电极以形成电容，所述覆盖部设置在所述电容形成部在所述第一方向上的上表面和下表面上，并且
所述覆盖部的平均厚度小于等于15μm。
13.根据权利要求7所述的多层电子组件，其中，所述介电层的平均厚度小于等于0.35μm。
14.根据权利要求7所述的多层电子组件，其中，所述第一内电极和所述第二内电极的平均厚度小于等于0.35μm。
15.根据权利要求7所述的多层电子组件，其中，所述主体包括在所述第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面，并且
所述多层电子组件在所述第二方向上的最大尺寸小于等于1.1mm，并且所述多层电子组件在所述第三方向上的最大尺寸小于等于0.55mm。
16.根据权利要求7所述的多层电子组件，其中，所述主体包括在所述第一方向上彼此相对的第一表面和第二表面、连接到所述第一表面和所述第二表面并且在第二方向上彼此相对的第三表面和第四表面以及连接到所述第一表面至所述第四表面并且在第三方向上彼此相对的第五表面和第六表面，
所述第一电极层包括第一连接部和第一带部，所述第一连接部设置在所述第三表面上并连接到所述第一内电极，所述第一带部从所述第一连接部延伸至所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面中的至少一个的一部分，
所述第二电极层包括第二连接部和第二带部，所述第二连接部设置在所述第四表面上并连接到所述第二内电极，所述第二带部从所述第二连接部延伸至所述第一表面、所述第二表面、所述第五表面和所述第六表面中的至少一个的一部分，
所述多层电子组件还包括：
第一密封部，设置为从所述第一带部的端部延伸至所述主体的外表面的一部分上；以及
第二密封部，设置为从所述第二带部的端部延伸至所述主体的外表面的一部分上。
17.根据权利要求16所述的多层电子组件，所述多层电子组件还包括：
第一镀层，设置在所述第一电极层上；以及
第二镀层，设置在所述第二电极层上，
其中，所述第一镀层设置为覆盖所述第一密封部的至少一部分，并且所述第二镀层设置为覆盖所述第二密封部的至少一部分。
18.根据权利要求16所述的多层电子组件，其中，所述第一密封部和所述第二密封部包括与所述玻璃相同的材料。
19.根据权利要求10或17所述的多层电子组件，其中，所述第一镀层和所述第二镀层包括Cu、Ni、Sn、Ag、Au、Pd和它们的合金中的至少一种。
20.根据权利要求10或17所述的多层电子组件，其中，所述第一镀层和所述第二镀层中的每个包括Ni镀层或Sn镀层。
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