CN116926513B - 一种pecvd设备 - Google Patents

一种pecvd设备 Download PDF

Info

Publication number
CN116926513B
CN116926513B CN202311189516.0A CN202311189516A CN116926513B CN 116926513 B CN116926513 B CN 116926513B CN 202311189516 A CN202311189516 A CN 202311189516A CN 116926513 B CN116926513 B CN 116926513B
Authority
CN
China
Prior art keywords
chamber
spin
conveying
drying
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202311189516.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN116926513A (zh
Inventor
李国强
衣新燕
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Guangzhou Everbright Technology Co ltd
Original Assignee
Guangzhou Everbright Technology Co ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Guangzhou Everbright Technology Co ltd filed Critical Guangzhou Everbright Technology Co ltd
Priority to CN202311189516.0A priority Critical patent/CN116926513B/zh
Publication of CN116926513A publication Critical patent/CN116926513A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN116926513B publication Critical patent/CN116926513B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/02Pretreatment of the material to be coated
    • C23C16/0227Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54Apparatus specially adapted for continuous coating
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

本发明涉及化学气相沉积技术领域,具体公开了一种PECVD设备,该PECVD设备包括传输室、上片室、清洗室、甩干室、沉积室及下片室;上片室、清洗室、甩干室、沉积室及下片室依次螺旋设置在传输室侧壁上;传输室内设有螺旋输送装置,螺旋输送装置包括输送杆、螺旋驱动机构及多个输送组件;输送杆竖直设置在传输室内,多个输送组件螺旋设置在输送杆上;螺旋驱动机构用于驱动输送杆进行螺旋升降运动;该PECVD设备实现了衬底的清洗、甩干、沉积反应、下料存放处理,整个过程均在设备内部进行,避免了衬底在清洗结束后的转移过程中再次受到外界环境污染而影响沉积效果,使得该PECVD设备具有制备效率高、沉积效果好的特点。

Description

一种PECVD设备
技术领域
本申请涉及化学气相沉积技术领域,具体而言,涉及一种PECVD设备。
背景技术
PECVD为常用的半导体镀膜技术,其需要准备表面洁净平整的衬底作为基体进行沉积处理,因此,衬底在置入PECVD设备前一般需要进行清洗及甩干处理以清除表面的污染物,然而,衬底在清洗甩干后置入PECVD的过程中容易沾染环境中的颗粒物而受到外界环境的二次污染,进而影响薄膜沉积效果。
针对上述问题,目前尚未有有效的技术解决方案。
发明内容
本申请的目的在于提供一种PECVD设备,以在PECVD内进行清洗、甩干、沉积处理,从而避免外界环境对衬底造成二次污染。
本申请提供了一种PECVD设备,所述PECVD设备包括传输室、上片室、清洗室、甩干室、沉积室及下片室;
所述上片室、清洗室、甩干室、沉积室及下片室依次螺旋设置在所述传输室侧壁上;
所述传输室内设有螺旋输送装置,所述螺旋输送装置包括输送杆、螺旋驱动机构及多个输送组件;
所述输送杆竖直设置在所述传输室内,多个所述输送组件螺旋设置在所述输送杆上;
所述螺旋驱动机构用于驱动所述输送杆进行螺旋升降运动。
本申请提供的PECVD设备在传输室上螺旋设置上片室、清洗室、甩干室、沉积室及下片室,并在螺旋输送装置的配合下将包含衬底的衬底托盘依次送入清洗室、甩干室、沉积室及下片室进行相应处理,实现了衬底的清洗、甩干、沉积反应、下料存放处理,整个过程均在设备内部进行,避免了衬底在清洗结束后的转移过程中再次受到外界环境污染而影响沉积效果,使得本申请的PECVD设备具有制备效率高、沉积效果好的特点。
所述的PECVD设备,其中,所述甩干室内设有甩干装置,所述甩干装置包括:甩干支座、承托座、升降机构、夹指、连杆、旋转机构及顶升机构;
所述承托座与甩干支座升降连接,并由所述升降机构驱动升降,用于接收所述输送组件送入的衬底托盘;
多个所述夹指圆周阵列分布在所述承托座外侧,并与所述甩干支座铰接;
所述承托座底部通过所述连杆与所述夹指一端铰接;
所述旋转机构设置在所述甩干支座底部,用于驱动所述甩干支座往复旋转;
所述顶升机构设置在所述甩干支座上,用于顶升分离所述衬底托盘上的衬底。
在该示例中,该甩干装置能实现衬底托盘的承托、衬底分离、衬底独立甩干处理,使得对衬底执行的甩干处理能有序进行。
所述的PECVD设备,其中,所述夹指另一端具有夹槽,所述夹槽上设有弹性件。
所述的PECVD设备,其中,所述承托座转动连接有多个滚轮。
所述的PECVD设备,其中,所述甩干室内还设有推出机构,所述推出机构包括设于所述承托座一侧用于限定衬底托盘送入位置的限位挡板以及用于驱动限位挡板水平位移的推送杆。
所述的PECVD设备,其中,所述顶升机构包括多个顶升组件,所述顶升组件包括顶升杆、顶升弹性件和压板,所述压板固定在所述顶升杆底部,所述顶升弹性件两端分别与所述甩干支座和所述压板固定连接,所述承托座和所述甩干支座均具有能与所述顶升杆滑动配合的顶升槽。
在该示例中,在夹指初步夹持衬底后,承托座底面与压板接触,承托座继续下降能使夹指夹紧衬底,并压紧压板以使顶升杆跟随承托座下降,使得顶升杆顶部与衬底分离,从而避免衬底在甩干过程中顶升杆与衬底底面接触而造成磨损。
所述的PECVD设备,其中,所述清洗室内设有喷淋组件和用于承托衬底托盘的承载机构。
所述的PECVD设备,其中,所述输送组件包括输送支座和水平输送机构;
所述输送支座固定在所述输送杆上,且具有朝向所述传输室开设的输送槽;
所述水平输送机构安装在所述输送槽上,用于推送或接收衬底托盘。
所述的PECVD设备,其中,所述上片室、所述清洗室、所述甩干室、所述沉积室及下片室靠近传输室的一侧均设有插板阀。
所述的PECVD设备,其中,所述上片室和下片室内均设有用于存放衬底托盘的片匣以及用于调节所述片匣高度的升降组件。
由上可知,本申请提供的PECVD设备在传输室上螺旋设置上片室、清洗室、甩干室、沉积室及下片室,并在螺旋输送装置的配合下将包含衬底的衬底托盘依次送入清洗室、甩干室、沉积室及下片室进行相应处理,实现了衬底的清洗、甩干、沉积反应、下料存放处理,整个过程均在设备内部进行,避免了衬底在清洗结束后的转移过程中再次受到外界环境污染而影响沉积效果,使得本申请的PECVD设备具有制备效率高、沉积效果好的特点。
附图说明
图1为本申请实施例提供的PECVD设备的俯视图。
图2为本申请实施例提供的PECVD设备的右视向剖视图。
图3为衬底托盘的结构示意图。
图4为甩干装置的侧视结构示意图。
图5为甩干装置的立体结构示意图。
图6为甩干装置的另一角度的立体结构示意图。
图7为承托座与夹指的连接结构示意图。
图8为清洗室的结构示意图。
图9为输送杆与输送组件的连接结构示意图。
附图标记:1、传输室;2、上片室;3、清洗室;4、甩干室;5、沉积室;6、下片室;7、衬底托盘;8、插板阀;11、输送杆;12、螺旋驱动机构;13、输送组件; 31、喷淋组件;32、承载机构;33、排液组件;41、甩干支座;42、承托座;43、升降机构;44、夹指;45、连杆;46、旋转机构;47、顶升机构;48、推出机构;61、片匣;62、升降组件;71、让位槽;121、螺杆;122、螺母;123、转动机构;131、输送支座;132、水平输送机构;133、导轮;421、滚轮;441、夹槽;442、弹性件;471、顶升杆;472、顶升弹性件;473、压板;481、限位挡板;482、推送杆。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施方式,所述实施方式的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的,仅用于解释本发明,而不能理解为对本发明的限制。
在本发明的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本发明和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本发明的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本发明的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
在本发明中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本发明。此外,本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
第一方面,请参照图1-图9,本申请一些实施例提供了一种PECVD设备,PECVD设备包括传输室1、上片室2、清洗室3、甩干室4、沉积室5及下片室6;
上片室2、清洗室3、甩干室4、沉积室5及下片室6依次螺旋设置在传输室1侧壁上;
传输室1内设有螺旋输送装置,螺旋输送装置包括输送杆11、螺旋驱动机构12及多个输送组件13;
输送杆11竖直设置在传输室1内,多个输送组件13螺旋设置在输送杆11上;
螺旋驱动机构12用于驱动输送杆11进行螺旋升降运动。
具体地,PECVD指等离子体增强化学气相沉积;本申请实施例的PECVD设备在传输室1上集成安装上片室2、清洗室3、甩干室4、沉积室5及下片室6,其中,上片室2用于存放未加工的工件(即衬底),下片室6用于存放已加工完成的工件,清洗室3用于对沉积处理前的工件进行上表面清洗,甩干室4用于对清洗完成后的工件进行甩干处理,沉积室5用于对甩干处理后的工件进行化学气相沉积;在本申请实施例中,衬底需要在同一设备内进行多个工序的处理,且传输室1采用了螺旋输送装置替换现有的传输室机械手,故工件优选为由衬底托盘7承托的衬底,即本申请实施例的PECVD设备以传输携带衬底的衬底托盘7的形式进行工件转移。
更具体地,螺旋驱动机构12驱动输送杆11进行螺旋升降运动,能使输送组件13与对应的上片室2或清洗室3或甩干室4或沉积室5或下片室6连接。
更具体地,上片室2、清洗室3、甩干室4、沉积室5及下片室6为沿一条螺旋线设置在传输室1侧壁上,且优选为由下至上螺旋分布,多个输送组件13沿另一螺旋线设置在输送杆11表面上;其中,上片室2、清洗室3、甩干室4、沉积室5及下片室6与传输室1的连接端等距设置,多个输送组件13在输送杆11上的连接位置也为等距设置,使得任一输送组件13与上片室2、清洗室3、甩干室4、沉积室5及下片室6中任一腔室配对连接时,其余输送组件13同时也有与之配对连接的腔室。
本申请实施例中的PECVD设备的工作原理如下:输送杆11在螺旋驱动机构12的驱动作用下进行螺旋升降,能切换其上输送组件13连接的腔室,使得同一输送组件13能至少在与两个腔室配对连接的状态中进行切换;在本申请实施例中,输送杆11基于单一固定行程往复进行螺旋上升和螺旋下降运动,使得每个输送组件13在与两个腔室配对连接的状态中进行重复切换,以对不同腔室内的衬底托盘7进行取放料处理,其中,输送组件13在输送杆11螺旋下降后进行取料处理,即取出对应腔室中的衬底托盘7,输送组件13在输送杆11螺旋上升后进行放料处理,即将衬底托盘7置于对应的腔室中;由此,本申请实施例的PECVD设备输送杆11螺旋升降过程中,能将每个衬底托盘7逐级往上提升,以使衬底托盘7中的衬底依次进行清洗、甩干、沉积反应、下料存放处理;该实施方式能在单一设备内实现衬底的清洗、甩干、沉积连续性加工。
更具体地,输送组件13的数量为4个或5个,优选为4个,上片室2、清洗室3、甩干室4、沉积室5及下片室6中需要进行取料处理的对象为上片室2、清洗室3、甩干室4及沉积室5,上片室2、清洗室3、甩干室4、沉积室5及下片室6中需要进行放料处理的对象为清洗室3、甩干室4、沉积室5及下片室6,因此,设置4个输送组件13便能满足设备连续输送的需求。
更具体地,输送杆11在螺旋上升前,应确保各个输送组件13均已完成取料处理,输送杆11在螺旋下降前,应确保各个输送组件13均已完成放料处理。
本申请实施例的PECVD设备在传输室1上螺旋设置上片室2、清洗室3、甩干室4、沉积室5及下片室6,并在螺旋输送装置的配合下将包含衬底的衬底托盘7依次送入清洗室3、甩干室4、沉积室5及下片室6进行相应处理,实现了衬底的清洗、甩干、沉积反应、下料存放处理,整个过程均在设备内部进行,避免了衬底在清洗结束后的转移过程中再次受到外界环境污染而影响沉积效果,使得本申请实施例的PECVD设备具有制备效率高、沉积效果好的特点。
更具体地,沉积室5为用于对衬底进行PECVD处理的腔室,其包含现有进行PECVD所需的设备架构,在此不再赘述。
更具体地,本申请实施例的PECVD设备配有真空组件,用于调配设备内部的各个腔室的真空度和气体组分,可采用现有的真空组件,在此不再赘述。
在一些优选的实施方式中,甩干室4内设有甩干装置,甩干装置包括:甩干支座41、承托座42、升降机构43、夹指44、连杆45、旋转机构46及顶升机构47;
承托座42与甩干支座41升降连接,并由升降机构43驱动升降,用于接收输送组件13送入的衬底托盘7;
多个夹指44圆周阵列分布在承托座42外侧,并与甩干支座41铰接;
承托座42底部通过连杆45与夹指44一端铰接;
旋转机构46设置在甩干支座41底部,用于驱动甩干支座41往复旋转;
顶升机构47设置在甩干支座41上,用于顶升分离衬底托盘7上的衬底。
具体地,承托座42用于接收来自输送组件13在放料处理中送入的衬底托盘7;在衬底托盘7输送到位后,升降机构43驱动承托座42下降,同时顶升机构47在承托座42下降过程中顶起衬底托盘7上的衬底以使衬底和衬底托盘7分离,而夹指44在承托座42下降及连杆45的摆动作用下朝向承托座42上方摆动(如图7所示,夹指44中部通过转轴与甩干支座41铰接,靠近承托座42的一侧的末端通过连杆45与承托座42铰接,承托座42在下降过程中拉扯连杆45下降,连杆45在夹指44限制下逆时针摆动进而带到夹指44逆时针摆动,从而使得夹指44朝向承托座42上方摆动),直至抵触在衬底边缘,使得多个夹指44配合固定衬底;在完成衬底分离固定后,旋转机构46驱动甩干支座41往复转动即可利用夹指44带动衬底进行转动以将其上液体向外甩干,以完成甩干处理;甩干处理后,各个部件动作复位即可将甩干后的衬底放置在衬底托盘7上,等待输送组件13进行取料处理。
更具体地,该甩干装置能实现衬底托盘7的承托、衬底分离、衬底独立甩干处理,使得对衬底执行的甩干处理能有序进行。
更具体地,夹指44以甩干支座41的转动轴心线为中心圆周阵列。
更具体地,旋转机构46可以是安装在甩干室4内的电驱动的皮带轮组件和电驱动的齿轮组件。
在一些优选的实施方式中,夹指44另一端具有夹槽441,夹槽441上设有弹性件442。
具体地,夹槽441用于夹持衬底,在夹槽441内设置弹性件442能避免承托座42下降行程过大而导致夹指44对衬底施加的夹持力度过大而碾碎衬底。
更具体地,弹性件442优选为橡胶垫。
在一些优选的实施方式中,承托座42转动连接有多个滚轮421。
具体地,设置滚轮421能利于甩干室4接收及送出衬底托盘7,并利用这些滚轮421承托分离衬底后的衬底托盘7,设置滚轮421也能避免衬底托盘7底部产生磨损而影响衬底托盘7高度以致于影响到后续沉积处理的加工精度。
在一些优选的实施方式中,滚轮421内设有加热组件(图示未画出),该加热组件优选为电热丝加热组件。
具体地,甩干处理目的是清除衬底上表面的液体及液体携带的杂质,以避免液体及液体携带的杂质残留在衬底上表面而影响沉积处理,进而影响沉积处理的镀膜均匀性;然而,清洗处理后及甩干处理过程中,衬底托盘7上也可能残留液体,这些残留的液体可能影响衬底的放置平整度而影响衬底的放置平整度,继而影响沉积处理的镀膜均匀性;因此,在本申请实施例中,用于暂时承托衬底托盘7的滚轮421内设有加热组件,以在衬底与衬底托盘7分离时,对衬底托盘7进行加热,以蒸干其上表面的液体,避免这些液体影响衬底的放置状态。
在一些优选的实施方式中,甩干室4内还设有推出机构48,推出机构48包括设于承托座42一侧用于限定衬底托盘7送入位置的限位挡板481以及用于驱动限位挡板481水平位移的推送杆482。
具体地,限位挡板481设置在承托座42远离传输室1的一侧,用于限定衬底托盘7的送入位置,即用于定位衬底托盘7,还用于在甩干处理结束后,在推送杆482的驱动作用下将衬底托盘7推送至输送组件13内,以完成输送组件13的取料处理;
更具体地,推送杆482为气缸、电动杆、液压缸中的一种。
在一些优选的实施方式中,顶升机构47包括多个顶升组件,顶升组件包括顶升杆471、顶升弹性件472和压板473,压板473固定在顶升杆471底部,顶升弹性件472两端分别与甩干支座41和压板473固定连接,承托座42和甩干支座41均具有能与顶升杆471滑动配合的顶升槽。
具体地,在承托座42下降初期,承托座42尚未与压板473接触,顶升杆471保持不动,使得顶升杆471进行相对于承托座42的上升运动,而穿过顶升槽并凸出于承托座42以将衬底托盘7上的衬底顶起,从而实现衬底与衬底托盘7的分离;在夹指44初步夹持衬底(衬底边缘开始进入夹槽441或开始接触弹性件442)后,承托座42底面与压板473接触,承托座42继续下降能使夹指44夹紧衬底,并压紧压板473以使顶升杆471跟随承托座42下降,使得顶升杆471顶部与衬底分离,从而避免衬底在甩干过程中顶升杆471与衬底底面接触而造成磨损。
更具体地,顶升弹性件472优选为压缩弹簧。
更具体地,如图3所示,衬底托盘7设有多个供顶升杆471穿过的让位槽71,使得顶升杆471能顺利穿过衬底托盘7以分离衬底;其次,在衬底分离后,顶升杆471能与承托座42配合限定衬底托盘7的放置位置,能避免衬底托盘7在甩干支座41转动过程中产生位移或飞出。
在一些优选的实施方式中,清洗室3内设有喷淋组件31和用于承托衬底托盘7的承载机构32。
具体地,喷淋组件31用于对衬底托盘7上的衬底的顶面喷淋清洗液以去除衬底上表面的污染物;承载机构32为用于承载衬底托盘7的支撑结构,其表面也优选为设置多个用于承托衬底托盘7的滚轮421;
更具体地,清洗室3底部还设有用于排除清洗液的排液组件33。
更具体地,清洗室3内还设有与甩干室4一致的推出机构48,用于对衬底托盘7进行限位和用于完成输送组件13的取料处理。
更具体地,沉积室5内还设有与甩干室4一致的推出机构48,用于对衬底托盘7进行限位和用于完成输送组件13的取料处理。
在一些优选的实施方式中,输送组件13包括输送支座131和水平输送机构132;
输送支座131固定在输送杆11上,且具有朝向传输室1开设的输送槽;
水平输送机构132安装在输送槽上,用于推送或接收衬底托盘7。
具体地,衬底托盘7两侧优选为具有平边,输送槽边缘转动安装有导轮133,用于限定衬底托盘7的朝向,确保衬底托盘7在输送组件13上保持特定朝向进行输送,确保各个处理能顺利、准确地执行。
更具体地,水平输送机构132可以为滚轮输送机构(图示未画出驱动器件)、直线推动机构或皮带轮输送机构中的一种。
在一些优选的实施方式中,上片室2、清洗室3、甩干室4、沉积室5及下片室6靠近传输室1的一侧均设有插板阀8。
具体地,插板阀8能密封对应的腔室,能避免不同腔室在工作时影响传输室1环境而引起不同腔室的工作环境产生变化的问题出现,如隔绝清洗液进入传输室1以及避免甩干室4甩出液体进入传输室1等。
在一些优选的实施方式中,上片室2和下片室6内均设有用于存放衬底托盘7的片匣61以及用于调节片匣61高度的升降组件62。
具体地,升降组件62用于调节片匣61高度,使得上片室2内放置在片匣61中不同位置的衬底托盘7能顺利送入输送组件13内,也使得输送组件13能将沉积处理完成的衬底托盘7送入下片室6内片匣61中的不同位置处。
更具体地,上片室2还设有推出组件,用于将片匣61中衬底推入输送组件13内,其可为与甩干室4一致的推出机构48。
在一些优选的实施方式中,螺旋驱动机构12包括:螺杆121、螺母122和转动机构123,其中,螺杆121与输送杆11固定连接,螺母122与螺杆121螺纹连接,螺母122转动安装在传输室1底部,转动机构123用于驱动螺母122转动。
具体地,螺杆121通过密封轴承与传输室1密封连接,螺母122及转动机构123设置在传输室1外,避免外部气体进入设备内而影响工件加工质量。
更具体地,转动机构123驱动螺母122进行转动,使得螺杆121进行相对于传输室1的螺旋上升或螺旋下降运动,进而带动输送杆11进行螺旋上升或螺旋下降运动。
在本说明书的描述中,参考术语“一个实施方式”、“某些实施方式”、“示意性实施方式”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合所述实施方式或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施方式或示例中。在本说明书中,对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施方式或示例。而且,描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施方式或示例中以合适的方式结合。
以上所述的仅是本发明的一些实施方式。对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明创造构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。

Claims (8)

1.一种PECVD设备,其特征在于,所述PECVD设备包括传输室、上片室、清洗室、甩干室、沉积室及下片室;
所述上片室、清洗室、甩干室、沉积室及下片室依次螺旋设置在所述传输室侧壁上;
所述传输室内设有螺旋输送装置,所述螺旋输送装置包括输送杆、螺旋驱动机构及多个输送组件;
所述输送杆竖直设置在所述传输室内,多个所述输送组件螺旋设置在所述输送杆上;
所述螺旋驱动机构用于驱动所述输送杆进行螺旋升降运动;
所述甩干室内设有甩干装置,所述甩干装置包括:甩干支座、承托座、升降机构、夹指、连杆、旋转机构及顶升机构;
所述承托座与甩干支座升降连接,并由所述升降机构驱动升降,用于接收所述输送组件送入的衬底托盘;
多个所述夹指圆周阵列分布在所述承托座外侧,并与所述甩干支座铰接;
所述承托座底部通过所述连杆与所述夹指一端铰接;
所述旋转机构设置在所述甩干支座底部,用于驱动所述甩干支座往复旋转;
所述顶升机构设置在所述甩干支座上,用于顶升分离所述衬底托盘上的衬底;
所述顶升机构包括多个顶升组件,所述顶升组件包括顶升杆、顶升弹性件和压板,所述压板固定在所述顶升杆底部,所述顶升弹性件两端分别与所述甩干支座和所述压板固定连接,所述承托座和所述甩干支座均具有能与所述顶升杆滑动配合的顶升槽。
2.根据权利要求1所述的PECVD设备,其特征在于,所述夹指另一端具有夹槽,所述夹槽上设有弹性件。
3.根据权利要求1所述的PECVD设备,其特征在于,所述承托座转动连接有多个滚轮,所述滚轮内设有加热组件。
4.根据权利要求1所述的PECVD设备,其特征在于,所述甩干室内还设有推出机构,所述推出机构包括设于所述承托座一侧用于限定衬底托盘送入位置的限位挡板以及用于驱动限位挡板水平位移的推送杆。
5.根据权利要求1所述的PECVD设备,其特征在于,所述清洗室内设有喷淋组件和用于承托衬底托盘的承载机构。
6.根据权利要求1所述的PECVD设备,其特征在于,所述输送组件包括输送支座和水平输送机构;
所述输送支座固定在所述输送杆上,且具有朝向所述传输室开设的输送槽;
所述水平输送机构安装在所述输送槽上,用于推送或接收衬底托盘。
7.根据权利要求1所述的PECVD设备,其特征在于,所述上片室、所述清洗室、所述甩干室、所述沉积室及下片室靠近传输室的一侧均设有插板阀。
8.根据权利要求1所述的PECVD设备,其特征在于,所述上片室和下片室内均设有用于存放衬底托盘的片匣以及用于调节所述片匣高度的升降组件。
CN202311189516.0A 2023-09-15 2023-09-15 一种pecvd设备 Active CN116926513B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311189516.0A CN116926513B (zh) 2023-09-15 2023-09-15 一种pecvd设备

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202311189516.0A CN116926513B (zh) 2023-09-15 2023-09-15 一种pecvd设备

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN116926513A CN116926513A (zh) 2023-10-24
CN116926513B true CN116926513B (zh) 2024-01-09

Family

ID=88380684

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202311189516.0A Active CN116926513B (zh) 2023-09-15 2023-09-15 一种pecvd设备

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN116926513B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6029369A (en) * 1997-09-10 2000-02-29 Speedfam-Ipec Corporation Methods for spin drying a workpiece
CN102054910A (zh) * 2010-11-19 2011-05-11 理想能源设备有限公司 Led芯片工艺集成系统及其处理方法
CN110062818A (zh) * 2016-10-12 2019-07-26 朗姆研究公司 用于半导体处理的晶片定位基座
CN114512574A (zh) * 2022-04-20 2022-05-17 季华实验室 一种异质结太阳能电池的连续化制造设备
CN116313898A (zh) * 2023-01-10 2023-06-23 拓思精工科技(苏州)有限公司 一种晶圆的清洗、甩干装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6029369A (en) * 1997-09-10 2000-02-29 Speedfam-Ipec Corporation Methods for spin drying a workpiece
CN102054910A (zh) * 2010-11-19 2011-05-11 理想能源设备有限公司 Led芯片工艺集成系统及其处理方法
CN110062818A (zh) * 2016-10-12 2019-07-26 朗姆研究公司 用于半导体处理的晶片定位基座
CN114512574A (zh) * 2022-04-20 2022-05-17 季华实验室 一种异质结太阳能电池的连续化制造设备
CN116313898A (zh) * 2023-01-10 2023-06-23 拓思精工科技(苏州)有限公司 一种晶圆的清洗、甩干装置

Also Published As

Publication number Publication date
CN116926513A (zh) 2023-10-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107365980B (zh) 一种石墨舟自动装卸片设备
KR101487382B1 (ko) 인라인 반도체 제조시스템
KR100514624B1 (ko) 기판의정렬장치및방법
WO2018076423A1 (zh) 自动上料系统
CN100442448C (zh) 基片处理装置
KR20010050063A (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
CN107030077B (zh) 改进型玻璃镀膜擦拭设备
CN113078089A (zh) 晶圆转移装置、半导体工艺设备、晶圆转移控制方法
CN110739245B (zh) 用于处理基板的装置和方法
CN112234021A (zh) 载板升降装置和硅片处理设备
CN116926513B (zh) 一种pecvd设备
CN110739202B (zh) 用于处理基板的设备和方法
JP3521330B2 (ja) 基板搬送処理装置
CN117410208A (zh) 晶圆清洗系统及清洗方法
KR101768519B1 (ko) 기판 처리 설비
CN111282781A (zh) 物料输送装置和具有该物料输送装置的并线点胶机器人
CN212582004U (zh) 电池片镀膜设备
CN108699681B (zh) 成膜装置
CN113682524A (zh) 一种玻璃基板包装系统及包装方法
CN219885094U (zh) 一种基于机器人上下料输送装置
CN211056195U (zh) 四头叠片机械手装置
CN219163356U (zh) 一种硅片清洗用的载具与硅片分离单元
CN111790710B (zh) 位置转换装置和清洗设备
CN112122727B (zh) 一种高可靠性高浪涌冲击能力半导体防护器件的成型工艺
CN212316239U (zh) 一种镀膜上下料机构

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant