CN116904962A - 一种处理设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种处理设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法。其中处理设备包括反应室、加热装置和真空室。反应室内形成反应腔。加热装置包括加热室。加热室套设于反应室外。真空室内形成真空腔，反应室和加热装置设置于真空腔内。该结构的设置，实现了待反应物从传片到进入反应腔内始终保持真空状态，无需破真空，进而待反应物无需与大气接触，以使得待反应物之间气体流阻更加一致，能够有效提高待反应物之间的膜厚均匀性。同时，能够避免反应腔内待反应物在发生反应时，不会受到大气压强以及大气温度的干扰，以保证反应腔内气体的均匀性，使得待反应物之间气体流阻的一致性更好，进而待反应物之间的膜厚均匀性也更好。

Description

一种处理设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法

技术领域

本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种处理设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法。

背景技术

在现有的高温TIN薄膜工艺中，通常采用真空侧和大气侧结合的方式来实现。具体地，反应腔内为真空侧，而反应腔外往往是大气侧，此时在传输过程中会破真空，对待反应物之间的气体流阻一致性造成影响，进而影响待反应物之间的膜厚均匀性。

发明内容

本申请提供一种处理设备、半导体镀膜设备及其镀膜方法，以解决待反应物之间气体流阻不一致导致的膜厚均匀性较差的技术问题。

为解决上述技术问题，本申请采用的一个技术方案是：一种处理设备，包括反应室，所述反应室内形成反应腔；加热装置，所述加热装置包括加热室，所述加热室套设于所述反应室外；真空室，所述真空室内形成真空腔，所述加热装置和所述反应室设置于所述真空腔内。

根据本申请一实施方式，所述反应室包括：所述反应室包括相对设置的第一端和第二端，所述第一端封闭设置，所述第二端敞口设置；所述处理设备还包括端盖，所述端盖可升降盖设于所述第二端，用于封堵或打开所述反应腔。

根据本申请一实施方式所述处理设备还包括：承接件，转动设置于所述端盖，所述承接件用于承接待反应物，且用于伸入所述反应腔内；转动件，转动设置于所述端盖，所述转动件的一端连接所述承接件，另一端穿出所述端盖延伸至所述真空腔内。

根据本申请一实施方式，所述处理设备还包括：基板，连接所述加热室和所述反应室的所述第二端；支撑板，设置于所述基板和所述反应室之间，在所述端盖盖设于所述第二端时，所述端盖与所述支撑板抵接；第一密封件，所述密封件设置于所述基板和所述支撑板之间，和/或，所述密封件设置于所述支撑板和/或反应室之间；第二密封件，所述第二密封件设置于所述转动件与所述端盖的连接处。

根据本申请一实施方式，所述转动件为磁流体结构。

根据本申请一实施方式，所述第一密封件和/或第二密封件的密封方式为金属法兰密封。

根据本申请一实施方式，所述处理设备包括：第一冷却系统，设置于所述端盖，所述第一冷却系统包括第一通槽，所述第一通槽围绕所述第二密封件设置，用于对所述第二密封件降温；第二冷却系统，设置于所述基板，所述第二冷却系统包括第二通槽，所述第二通槽围绕所述第一密封件设置，用于对所述第一密封件降温。

根据本申请一实施方式，所述加热装置还包括：加热器，设置于所述端盖朝向所述反应腔一侧，所述加热器与所述加热室围拢并罩设所述反应腔，所述加热器和所述加热室对所述反应腔进行加热。

根据本申请一实施方式，所述真空室朝向所述端盖一端形成对接口，所述反应室和所述加热装置设置于所述真空腔体内；所述处理设备还包括波纹管，所述波纹管连接所述对接口，所述转动轴延伸至所述波纹管内，所述真空室和所述波纹管围拢形成所述真空腔。

根据本申请一实施方式，所述处理设备还包括：进气管道，设置于所述端盖，连通所述端盖和所述转动件的连接处。

根据本申请一实施方式，所述反应室采用石英材质、陶瓷材质或云母材质。

为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：一种半导体镀膜设备，所述半导体镀膜设备包括上述任一所述的反应设备。

为解决上述技术问题，本申请采用的又一个技术方案是：一种镀膜方法，包括：将反应室放置于真空室内；将待反应物从所述真空室内传片至所述反应室内；通过加热装置对所述反应室进行加热。

本申请的有益效果是：本申请通过在真空室内形成真空腔，反应室和加热装置设置于真空腔内，实现了待反应物从传片到进入反应腔内始终保持真空状态，无需破真空，进而待反应物无需与大气接触，以使得待反应物之间气体流阻更加一致，能够有效提高待反应物之间的膜厚均匀性。同时，加热装置设置于真空腔内，反应腔与大气之间通过真空腔间隔，也能够避免反应腔内待反应物在发生反应时，不会受到大气压强以及大气温度的干扰，以保证反应腔内气体的均匀性，使得待反应物之间气体流阻的一致性更好，进而待反应物之间的膜厚均匀性也更好。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图，其中：

图1是本申请的处理设备一实施例的爆炸结构示意图；

图2是本申请的处理设备一实施例的剖面结构示意图；

图3是本申请的处理设备又一实施例的剖面结构示意图；

图4为本申请的镀膜方法一实施例的流程示意图。

具体实施方式

为使本申请的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图，对本申请的具体实施方式做详细的说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅用于解释本申请，而非对本申请的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本申请相关的部分而非全部结构。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

在本文中提及“实施例”意味着，结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本申请的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例，也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是，本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。

在本申请的描述中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。

在本申请的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接或可以相互通讯；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。

请参阅图1至图2，图1是本申请的处理设备一实施例的爆炸结构示意图；图2是本申请的处理设备一实施例的剖面结构示意图。

本申请一实施例提供了一种处理设备10。处理设备10包括反应室111、加热装置11和真空室12。其中反应室111内形成反应腔1111，反应腔1111用于待反应物发生反应。加热装置11包括加热室112。其中加热室112套设于反应室111外。加热室112用于对反应室111进行加热。真空室12内形成真空腔121。反应室111和加热装置11设置于真空腔121内。

由上述结构可知，加热室112和反应室111均设置于真空腔121内。因此，当待反应物在反应室111内发生反应的过程中，反应腔1111与大气之间通过真空腔121间隔，以避免反应腔1111内的待反应物在发生反应时，受到大气压强以及大气温度的干扰，此时反应腔1111内的空气密度的一致性较好，因此能够很好地保证反应腔1111内气体的均匀性。同时，待反应物之间气体流阻的一致性更好，待反应物在反应腔1111内发生反应后能够使得待反应物之间的膜厚均匀性更好。进一步地，加热室112和反应室111均设置于真空腔121，因真空腔121和反应腔1111内均是真空环境，因此当待反应物传片进入反应腔1111内的过程中，整个过程始终保持真空状态，无需破真空结构，进而待反应物无需与大气接触，反应腔1111内的气体单一性好，密度不会因待反应物传片至反应腔1111内而发生变化，因此能够更好地保证了待反应物之间气体流阻的一致性，当待反应物在反应腔1111内发生反应时待反应物之间的膜厚均匀性也更好。

需要说明的是，真空室12内在整个反应的过程中始终通过外接泵体的方式对真空室12内进行抽真空，在待反应物传片至反应腔1111内的过程中，首先待反应物通过机械手传片至真空室12内，而待反应物上的气体或杂质均会在外接泵体抽气的过程中被排出真空室12外，然后待反应物再从真空室12内通过机械手将其传片至反应腔1111内，进而使得待反应物在反应腔1111内发生反应。同样地，当待反应物反应结束后，首先利用机械手从反应腔1111内将其取出至真空室12内，再利用机械手将其从真空室12取出至大气环境中。因此，待反应物整个传片过程中不需要破真空，整个过程中不会受到气体流阻的影响，进而能够保证待反应物之间的膜厚均匀性。

其中，待反应物可以是晶圆，待反应物也可以其他物品，此处不作限制。

本申请一实施例中，反应室111包括相对设置的第一端1113和第二端1114。其中第一端1113封闭设置，第二端1114敞口设置。处理设备10还包括端盖1115，其中端盖1115可升降盖设于第二端1114，用于封堵或打开反应腔1111。具体地，待反应物在反应腔1111内发生反应时，端盖1115盖设于反应室111的第二端1114，当需要将待反应物传片至反应腔1111内时，此时端盖1115打开。由于反应室111设置于真空腔121内，因此，待反应物在传片的过程中，也能够始终保持真空的环境，无需破真空结构，进而待反应物无需与大气接触，反应腔1111内的气体单一性好，进而能够更好地保证了待反应物之间气体流阻的一致性，当待反应物在反应腔1111内发生反应时待反应物之间的膜厚均匀性也更好。

在一些实施例中，处理设备10还包括承接件116和转动件118。其中，承接件116转动设置于端盖1115。承接件116用于承接待反应物，且用于伸入反应腔1111内。转动件118转动设置于端盖1115，转动件118的一端连接承接件116，另一端穿出端盖1115延伸至真空腔121内。承接件116的设置，能够使得待反应物在反应腔1111内的分布更稳定且均匀。转动件118的设置，能够带动承接件116转动，进而使得待反应物在反应腔1111内反应时，气体分布于待反应物上能够更加均匀，此时待反应物之间的膜厚更均匀。

具体地，在待反应物从传片到进入反应腔1111内的过程中，首先通过机械手将待反应物传片至真空室12内，其次端盖1115下降至打开反应室111的第二端1114，端盖1115带动承接件116一起下降，此时利用机械手将待反应物放置于承接件116，然后再通过端盖1115带动承接件116以及待反应物上升至反应腔1111内直至端盖1115覆盖反应室111的第二端1114。在待反应物在反应腔1111内反应的过程中，转动件118旋转，进而带动承接件116旋转，使得待反应物能够在反应腔1111内反应时，气体分布于待反应物上能够更加均匀，此时，待反应物之间的膜厚也更均匀。

进一步地，处理设备10还包括基板1116、支撑板1117、第一密封件1118和第二密封件119。其中，基板1116连接加热室112和反应室111的第二端1114。支撑板1117设置于基板1116和反应室111之间，在端盖1115盖设于第二端1114时，端盖1115与支撑板1117抵接。第一密封件1118设置于基板1116和支撑板1117之间，和/或，密封件1118设置于支撑板1117和/或反应室111之间。第二密封件119设置于转动件118和端盖1115的连接处。基板1116的设置可以对加热室112和反应室111起到一定的支撑作用。支撑板1117也可以对反应室111起到很好的支撑作用，整个结构上更加稳定。第一密封件1118的设置，能够避免反应腔1111内的反应气体泄露对真空室12内的真空环境造成影响，同时，也避免反应腔1111内的气体浓度下降，对待反应物的反应效率造成影响。第二密封件119的设置，能够保证转动件118在旋转的过程中，反应腔1111内的密封性。

具体地，当端盖1115未盖设于第二端1114时，支撑板1117与基板1116抵接，支撑板1117之间形成有敞口区域。当端盖1115下降至反应室111的第二端1114打开时，反应室111与真空腔121连通。当端盖1115上升至反应室111的第二端1114封堵时，此时端盖1115与支撑板1117抵接，并且端盖1115恰好能够堵住敞口区域，以保证反应腔1111内的密封性。此外，第一密封件1118的设置，能够对反应腔1111内的密封性起到一定的加强作用。第二密封件119对转动件118和端盖1115的连接处起到很好的密封作用，以避免在转动件118转动的过程中，转动件118和端盖1115之间的缝隙对反应腔1111内的密封性造成影响。因此第二密封件119能够在转动件118转动的情况下，始终保证反应腔1111内的密封性，从而保证反应腔1111内的气体浓度，进而保证待反应物的反应效率。

需要说明的是，第一密封件1118设置为环形件，第一密封件1118可套设于基板1116和1117之间，第一密封件1118也可以套设于支撑板1117和反应室111之间，第一密封件1118还可以同时设置于基板1116和支撑板1117之间和支撑板1117和反应室111之间，此处不做限制。第二密封件119也是环形件，第二密封件119能够避免在转动件118转动的过程中，转动件118和端盖1115之间的缝隙对反应腔1111内的密封性造成影响。因此第一密封件1118和第二密封件119均能够有效避免反应腔1111内的反应气体在反应过程中发生泄露，一方面对真空腔121内的环境造成一定的破坏，另一方面也能够避免反应腔1111内的反应气体因泄露而浓度降低，进而影响待反应物之间的膜厚均匀性。进一步地，第一密封件1118可以是普通的橡胶材质的密封件，橡胶材质的第一密封件1118的原材料成本更低，进而能够使得处理设备10的制造成本更低。此处对第一密封件1118的材质不做具体限制。同样地，第二密封件119可以是普通的橡胶材质的密封件，橡胶材质的第二密封件119原材料成本更低，进而使得处理设备10的制造成本更低。此处对第二密封件119的材质不做具体限制。

请参阅图3，图3是本申请的处理设备又一实施例的剖面结构示意图。

在其他实施例中，第一密封件1118可以单独采用法兰连接密封的方式进行密封，第二密封件119也可以单独采用法兰连接密封的方式进行密封，第一密封件1118和第二密封件119也可以均采用法兰密封的方式进行密封，此处不做限制。具体地，法兰连接密封方式通过法兰盘间的压力和密封垫圈的弹性变形来实现转动件118和端盖1115之间的密封性能。采用法兰连接密封方式，一方面，因法兰盘具有足够的强度和刚度，因此通常法兰盘具有更好地耐高温效果。另一方面，密封垫圈作为法兰连接密封中起到密封作用的关键部位，其能够根据使用场景的不同而选择适应强更好地材料以及型号。因此，法兰连接密封方式的整体适应性更强，并且，密封效果更佳，进而反应腔1111内的气体更不易泄露，因此待反应物之间的膜厚均匀性也更好。

在本申请的实施例中，转动件118为磁流体结构。磁流体结构的转动件118能够有效减少转动件118与端盖1115之间的摩擦力，进而能够很好地消除摩擦损失，提高转动件的转速。同时，磁流体结构更简单，且维护方便。此外，磁流体在与端盖1115之间缝隙中由磁铁所产生的磁场所固定，因此其旋转的启动和停止都较为方便。

请继续参阅图2，当然在其他实施例中，转动件118也可以是普通的转动轴结构，此处不做限制。具体地，当采用普通的转动轴结构的转动件118，一方面能够带动承接件116转动，进而使得待反应物在反应腔1111内反应时，气体分布于待反应物上能够更加均匀，此时待反应物之间的膜厚更均匀；另一方面，普通转动轴结构具有成本更低的优势。

为解决高温工艺时第一密封件1118和第二密封件1119的最高耐温问题，本申请的实施例中，加热装置11包括第一冷却系统113和第二冷却系统114。第一冷却系统113设置于端盖1115，第一冷却系统113包括第一通槽1133,第一通槽1133围绕第二密封件119设置，用于对第二密封件119降温。第二冷却系统114设置于基板1116，第二冷却系统包括第二通槽1143，第二通槽1143围绕第一密封件1118设置，用于对第一密封件1118降温。第一冷却系统113和第二冷却系统114的设置，能够很好的对第一密封件1118和第二密封件119进行降温，以避免在高温工艺的过程中，第一密封件1118和第二密封件119处温度过高，进而影响其密封性能，导致反应腔1111内的气体从端盖1115与基板1116的连接处，或者气体从端盖1115与转动件118的连接处泄露，影响反应腔1111内的气体浓度，进而使得反应腔1111内发生反应时因气体浓度密度不够造成待反应物之间的膜厚均匀性差。

在其他实施例中，第一冷却系统113还包括第一进水口1131、第一出水口1132第一通槽1133和第二子水槽1134。第一进水口1131和第一出水口1132设置于第二密封件119的两侧，第一通槽1133连通第一进水口1131和第一出水口1132。第二子水槽1134连通第一进水口1131和第一出水口1132。第二冷却系统114设置于基板1116，第二冷却系统114包括第二进水口1141、第二出水口(图中未示出)和第二通槽1143。第二进水口1141和第二出水口分布于第一密封件1118两侧，第二通槽1143连通第二进水口1141和第二出水口。

具体地，在第一冷却系统113中，冷却水从第一进水口1131流入至第一通槽1133和第二子水槽1134内，并从第一出水口1132流出，此时，流入至第一通槽1133内的冷却水能够对第二密封件119进行降温，而流入至第二子水槽1134内的冷却水能够对设置于反应室111和支撑板1117之间的第一密封件1118进行降温。在第二冷却系统中，冷却水从第二进水口1141流入至第二通槽1143内，并从第二出水口流出，进而能够对基板1116和支撑板1117处设置的第一密封件1118起到很好的降温作用。因此，第一冷却系统113和第二冷却系统114能够很好地保证第一密封件1118和第二密封件119的密封性能，进而反应腔1111内的气体不易泄露，因此反应腔1111内的气体浓度不会发生变化，从而能够更好地保证待反应物之间的膜厚均匀性。

请继续参阅图2和图3，在本申请的一实施例中，加热装置11还包括加热器115。加热器115和加热室112围拢并罩设反应腔1111，加热器115和加热室112对反应腔1111进行加热加热器115设置于端盖1115朝向反应腔1111一侧。加热器115以及加热室112能够同时对反应腔1111内进行加热，以增加反应腔1111内的温度。并且通过加热器115和加热室112同时对反应腔1111内进行加热，热量能够传递至反应腔1111内的任意角落，并且热量在反应腔1111内的分布也更均匀，以使得待反应物上温度分布更均匀，进而能够使得待反应物之间的膜厚更加均匀。

具体地，加热室112的内壁面和加热器115朝向反应腔1111的一侧上设置有加热丝，加热室112以及加热器115通过加热丝加热来实现对反应腔1111内进行加热。需要说明的是，加热丝可以疏密均匀分布，加热丝也可以上疏下密分布，加热丝还可以是弯曲分布，加热丝也可以是直线排布，此处不做限制。其次，根据反应腔1111内的温度需求，可以对加热丝的材质进行更换，当反应腔1111内的温度较高时，加热丝可以设置为钨丝或钼丝，从而能够有效提高加热室112和加热器115的加热极限温度。

在本申请的实施例中，真空室12朝向端盖1115一端形成对接口124，反应室111和加热装置11设置于真空室12内。处理设备10还包括波纹管123。其中波纹管123连接对接口124，转动件118延伸至波纹管123内，真空室12和波纹管123围拢形成真空腔121。波纹管123和真空腔体122的设置，能够使得待反应物在传片的过程中始终保持真空环境，无需破真空。并且波纹管123内的真空环境，也能够满足转动件118处的真空要求，进而使得待反应物在传片的过程中，始终处于真空环境。

进一步地，处理设备10还包括进气管道1110。进气管道1110设置于端盖1115，进气管道1110连通端盖1115和转动件118的连接处。此时，进气管道1110能够对转动件118和端盖1115之间的间隙以及转动件118和第二密封件119之间的间隙进行吹扫，以保证反应腔1111内待反应物发生反应的过程中，能够没有杂质的干扰，进而不会对待反应物之间的膜厚产生影响。

具体地，因转动件118转动，因此端盖1115与转动件118的连接处存在间隙，并且为了使得转动件118的转动更加顺畅，转动件118在端盖1115的连接处通常会涂抹润滑剂以使得转动件118的转动更顺畅。同样的，转动件118与第二密封件119之间为了转动件118转动能够更顺畅，转动件118与第二密封件119接触的一端也会设置润滑剂，以辅助转动件118的转动。而随着转动件118的转动，通常设置润滑剂处随着转动件118的转动会产生一些杂质，因此为了避免杂质进入反应腔1111内，设置进气管道1110能够对转动件118和端盖1115之间的间隙以及转动件118和第二密封件119之间的间隙进行吹扫，此时反应腔1111内待反应物发生反应的过程中，不会受到杂质的干扰，进而不会对待反应物之间的膜厚产生影响。而进气管道1110吹扫之后产生的气体会流入至真空室12内，由于真空室12始终通过采用外接泵体对真空室12进行抽真空，因此，进气管道1110吹扫之后的气体会流入真空室12内后会再次通过外接泵体对真空室12内抽真空时被排出。

需要说明的是，进气管道1110可以通入氮气或惰性气体。

由于石英材质的耐高温性能较强，因此在本申请的实施例中，反应室111采用石英材质。石英材质能够更好地解决高温工艺时，反应室111材料形变的问题。当然，在其他实施例中，反应室111也可以采用陶瓷材质，反应室111也可以采用云母材质，陶瓷材质以及云母材质均具有很好的耐高温性能，其均能够解决反应室111因高温工艺时材料形变的问题，此处不做限制。在本申请的实施例中还提供了一种半导体镀膜设备。该半导体镀膜设备包括以上反应设备10。

请参阅图4，图4为本申请的镀膜方法一实施例的流程示意图。

在本申请的实施例中提供了一种镀膜方法。该镀膜方法采用上述实施例中的反应设备10或者半导体镀膜设备。其中，镀膜方法包括：

S1、将反应室111放置于真空室12内；

S2、将待反应物从真空室12内传片至反应室111内；

S3、通过加热装置11对反应室111进行加热。

此时加热装置12和反应室111均设置于真空室12，因真空室12和反应室111内均是真空环境，因此当待反应物传片进入反应室111内的过程中，整个过程始终保持真空状态，无需破真空结构，进而待反应物无需与大气接触，反应室111内的气体单一性好，密度不会因待反应物传片至反应室111内而发生变化，因此能够更好地保证了待反应物之间气体流阻的一致性，当待反应物在反应室111内发生反应时待反应物之间的膜厚均匀性也更好。需要注意的是，术语“水平”、“竖直”等术语并不表示要求部件绝对水平或竖直，而是可以稍微倾斜；术语“平行”、“垂直”等属于也并不表示配件之间绝对平行或垂直，而是可以形成一定的角度偏差。如“水平”仅仅是指其方向相对“竖直”而言更加水平，并不是表示该结构一定要完全水平，而是可以稍微倾斜。此外，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，或者是本申请产品使用时惯常摆放的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请实施例和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。

可以理解的是，本文中“多个”的含义是至少两个，例如两个、三个等，除非有特意的限制说明。此外，术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。而术语“和/或”，仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。

以上所述仅为本申请的实施方式，并非因此限制本申请的专利范围，凡是利用本申请说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本申请的专利保护范围内。

Claims (13)

1.一种处理设备，其特征在于，包括：

反应室，所述反应室内形成反应腔；

加热装置，所述加热装置包括加热室，所述加热室套设于所述反应室外；

真空室，所述真空室内形成真空腔，所述反应室和所述加热装置和所述反应室设置于所述真空腔内。

2.根据权利要求1所述的处理设备，其特征在于，所述反应室包括相对设置的第一端和第二端，所述第一端封闭设置，所述第二端敞口设置；所述处理设备还包括端盖，所述端盖可升降盖设于所述第二端，用于封堵或打开所述反应腔。

3.根据权利要求2中所述的处理设备，其特征在于，所述处理设备还包括：

承接件，转动设置于所述端盖，所述承接件用于承接待反应物，且用于伸入所述反应腔内；

转动件，转动设置于所述端盖，所述转动件的一端连接所述承接件，另一端穿出所述端盖延伸至所述真空腔内。

4.根据权利要求3所述的处理设备，其特征在于，所述处理设备还包括：

基板，连接所述加热室和所述反应室的所述第二端；

支撑板，设置于所述基板和所述反应室之间，在所述端盖盖设于所述第二端时，所述端盖与所述支撑板抵接；

第一密封件，所述第一密封件设置于所述基板和所述支撑板之间，和/或，所述第一密封件设置于所述支撑板和/或反应室之间；

第二密封件，所述第二密封件设置于所述转动件与所述端盖的连接处。

5.根据权利要求3所述的处理设备，其特征在于，所述转动件为磁流体结构。

6.根据权利要求4所述的处理设备，其特征在于，所述第一密封件和/或所述第二密封件的密封方式为金属法兰密封。

7.根据权利要求4所述的处理设备，其特征在于，所述处理设备包括：

第一冷却系统，设置于所述端盖，所述第一冷却系统包括第一通槽，所述第一通槽围绕所述第二密封件设置，用于对所述第二密封件降温；

第二冷却系统，设置于所述基板，所述第二冷却系统包括第二通槽，所述第二通槽围绕所述第一密封件设置，用于对所述第一密封件降温。

8.根据权利要求2所述的处理设备，其特征在于，所述加热装置还包括：

加热器，设置于所述端盖朝向所述反应腔一侧，所述加热器与所述加热室围拢并罩设所述反应腔，所述加热器和所述加热室对所述反应腔进行加热。

9.根据权利要求4所述的处理设备，其特征在于，所述真空室朝向所述端盖一端形成对接口，所述反应室和所述加热装置设置于所述真空腔体内；所述处理设备还包括波纹管，所述波纹管连接所述对接口，所述转动件延伸至所述波纹管内，所述真空室和所述波纹管围拢形成所述真空腔。

10.根据权利要求3所述的处理设备，其特征在于，所述处理设备还包括：

进气管道，设置于所述端盖，连通所述端盖和所述转动件的连接处。

11.根据权利要求1所述的处理设备，其特征在于，所述反应室采用石英材质、陶瓷材质或云母材质。

12.一种半导体镀膜设备，其特征在于，所述半导体镀膜设备包括权利要求1-11任一所述的处理设备。

13.一种镀膜方法，其特征在于，包括：

将反应室放置于真空室内；

将待反应物从所述真空室内传片至所述反应室内；

通过加热装置对所述反应室进行加热。