CN116896334A - 功率放大电路 - Google Patents

Abstract

提供一种功率放大电路，能够抑制放大器的破坏。功率放大电路具备：第1放大器，其通过从电压供给源供给的第1电压进行动作，将第1信号放大后输出放大信号；偏置用晶体管，其具有被供给偏置控制电流的基极或栅极以及通过第1电阻元件向所述第1放大器供给偏置的发射极或源极；以及保护电路，其根据所述放大信号和基于所述第1电压的第2信号，使所述偏置控制电流的一部分流向接地。

Description

功率放大电路

技术领域

本发明涉及功率放大电路。

背景技术

存在一种无线机，在具备驱动放大器和功率放大器的结构中，根据从驱动放大器输出的信号的电压对驱动放大器的偏置进行控制(例如参照专利文献1)。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2014-90299号公报

发明内容

发明要解决的问题

在专利文献1所记载的无线机中，基于从驱动放大器向功率放大器的输入功率的监视值、或者功率放大器的输出功率的监视值，来判定有无功率放大器的增益变动。具体而言，在基于向功率放大器的输入功率的监视值而判定为存在功率放大器的增益变动的情况下，向对驱动放大器的偏置电压进行控制的驱动控制部输出功率放大器的输出功率的监视值，执行驱动放大器的偏置电压的控制。另一方面，在基于向功率放大器的输入功率的监视值而判定为不存在功率放大器的增益变动的情况下，基于功率放大器的输出功率的监视值，判定有无功率放大器的增益变动。在判定为存在功率放大器的增益变动的情况下，对功率放大器的偏置电压进行控制。

但是，例如在驱动放大器的驱动电压发生了变动时，驱动放大器的输出功率也发生变动。在专利文献1所记载的无线机中，在驱动放大器的输出功率变得过大的情况下，驱动放大器或功率放大器有时受到破坏。

本发明是鉴于这样的情况而完成的，其目的在于，提供一种能够抑制放大器的破坏的功率放大电路。

用于解决问题的手段

本发明的一方面的功率放大电路具备：第1放大器，其通过从电压供给源供给的第1电压进行动作，将第1信号放大后输出放大信号；偏置用晶体管，其具有被供给偏置控制电流的基极或栅极以及通过第1电阻元件向所述第1放大器供给偏置的发射极或源极；以及保护电路，其根据所述放大信号和基于所述第1电压的第2信号，使所述偏置控制电流的一部分流向接地。

另外，本发明的另一方面的功率放大电路具备：第1放大器，其向负载供给功率；偏置用晶体管，其具有被供给偏置控制电流的基极或栅极以及通过第1电阻元件向所述第1放大器供给偏置的发射极或源极；以及保护电路，其根据基于所述负载的变化的第3信号，使所述偏置控制电流的一部分流向接地。

发明效果

根据本发明，能够提供能够抑制放大器的破坏的功率放大电路。

附图说明

图1是功率放大电路101的电路图。

图2是作为电压电平偏移电路301的一例的电压电平偏移电路301a的电路图。

图3是作为电压电平偏移电路301的一例的电压电平偏移电路301b的电路图。

图4是作为电压电平偏移电路301的一例的电压电平偏移电路301c的电路图。

图5是示出放大信号RF1的RF振幅较小的情况下的晶体管251的基极电压Vb251和发射极电压Ve251的时间变化的一例的图。

图6是示出放大信号RF1的RF振幅较大的情况下的晶体管251的基极电压Vb251和发射极电压Ve251的时间变化的一例的图。

图7是功率放大电路102的电路图。

图8是示出相对于从输出端子32观察后级的电路时的反射系数Γ的绝对值的节点N4处的电压的振幅变化A1的一例的图。

图9是示出相对于从输出端子32观察后级的电路时的反射系数Γ的绝对值的驱动级放大器50的输出功率变化P1的一例的图。

图10是功率放大电路103的电路图。

图11是功率放大电路104的电路图。

图12是功率放大电路105的电路图。

图13是功率放大电路106的电路图。

图14是功率放大电路107的电路图。

图15是功率放大电路108的电路图。

附图标记说明

20…输入匹配电路；

21…级间匹配电路；

31…输入端子；

32…输出端子；

40…平衡不平衡转换器；

40a、40b、40c…电感器；

41…平衡不平衡转换器；

41a、41b、41c…电感器；

42…平衡不平衡转换器；

42a、42b、42c…电感器；

50、51…驱动级放大器；

52、53…功率级放大器；

54…驱动级差动对；

55…功率级差动对；

81、82…钳位电路；

101、102、103、104、105、106、107、108…功率放大电路；

151…驱动级偏置供给电路；

152、153…偏置用晶体管；

154…参照电压生成电路；

155…驱动级偏置供给电路；

161、162…功率级偏置供给电路；

171…电流供给端子；

172…电池电压供给端子；

173、174…控制信号供给端子；

175、176…电源电压供给端子；

201、202、203、204…保护电路；

301、301a、301b、301c…电压电平偏移电路。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式详细进行说明。需要说明的是，针对相同的要素标注相同的标记，尽量省略重复的说明。

[第1实施方式]

对第1实施方式的功率放大电路101进行说明。图1是功率放大电路101的电路图。如图1所示，功率放大电路101是放大向输入端子31供给的输入信号RFin(第1信号)并将输出信号RFout从输出端子32输出的二级放大电路。输入信号RFin例如是RF(RadioFrequency，无线电频率)信号。在输出端子32的后级连接有天线等负载(未图示)。

功率放大电路101具备输入匹配电路20、级间匹配电路21、电感器26、驱动级放大器50、功率级放大器52、驱动级偏置供给电路151、电阻元件156、功率级偏置供给电路161、保护电路201、电容器211(第2电容器)、电阻元件212、以及电压电平偏移电路301(电压偏移电路)。

驱动级放大器50包括输入端子50a、输出端子50b、放大晶体管50c(第1放大器)、电容器50d、以及电阻元件50e(第1电阻元件)。功率级放大器52包括输入端子52a、输出端子52b、放大晶体管52c(第2放大器)、电容器52d、以及电阻元件52e和52f。驱动级偏置供给电路151包括偏置用晶体管152和参照电压生成电路154。保护电路201包括晶体管251(第1晶体管)和252(第2晶体管)、电容器253(第1电容器)、以及电阻元件254和255。

在本实施方式中，放大晶体管50c和52c、偏置用晶体管152以及晶体管251和252等晶体管例如由异质结双极晶体管(HBT：Heterojunction Bipolar Transistor)等双极晶体管构成。需要说明的是，该晶体管也可以由场效应晶体管(MOSFET：Metal-oxide-semiconductor Field-Effect Transistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)等其他的晶体管构成。在该情况下，将基极、集电极及发射极分别改成栅极、漏极及源极来读即可。

驱动级放大器50放大通过输入匹配电路20从输入端子31向输入端子50a供给的输入信号RFin，将放大信号RF1从输出端子50b输出。

详细而言，电源电压供给端子175(电压供给源和低阻抗节点)供给用于使驱动级放大器50中的放大晶体管50c进行动作的电源电压VCC1(第1电压)。输出端子50b通过电感器26而与电源电压供给端子175连接。例如，在功率放大电路101中进行包络跟踪(Envelopetracking)控制的情况下，电源电压VCC1发生变化。

放大晶体管50c具有与输出端子50b连接的集电极、通过电容器50d而与输入端子50a连接的基极、以及与接地连接的发射极。

驱动级偏置供给电路151通过电阻元件50e向放大晶体管50c的基极供给偏置。详细而言，驱动级偏置供给电路151包括偏置用晶体管152和参照电压生成电路154。

偏置用晶体管152具有与电池电压供给端子172连接的集电极、与节点N2连接的基极、以及通过电阻元件50e而与放大晶体管50c的基极连接的发射极。

电阻元件156具有与电流供给端子171连接的第1端、以及与节点N1连接的第2端。参照电压生成电路154具有通过节点N1而与节点N2连接的第1端、以及与接地连接的第2端。参照电压生成电路154例如包括串联连接的多个二极管。通过从电流供给端子171供给的电流向该多个二极管流动，在节点N1生成相对于接地大致固定的参照电压。通过该参照电压，使偏置用晶体管152成为导通状态，从节点N1朝向偏置用晶体管152的基极和保护电路201流动偏置控制电流Ib。

级间匹配电路21具有与驱动级放大器50中的输出端子50b连接的第1端、以及与功率级放大器52中的输入端子52a连接的第2端。级间匹配电路21对驱动级放大器50与功率级放大器52之间的阻抗进行匹配。

功率级偏置供给电路161通过从电池电压供给端子172供给的电压进行动作。通过从控制信号供给端子173(控制电流源)输入的控制电流来控制功率级偏置供给电路161。功率级偏置供给电路161生成向功率级放大器52供给的偏置电压，将生成的偏置电压从输出端子161a输出。

功率级放大器52放大从级间匹配电路21的第2端向输入端子52a供给的放大信号RF1，将输出信号RFout从输出端子52b输出。

详细而言，功率级放大器52中的电容器52d具有通过输入端子52a而与级间匹配电路21的第2端连接的第1端、以及第2端。

放大晶体管52c具有通过输出端子52b而与输出端子32连接的集电极、通过电阻元件52f而与电容器52d的第2端连接的基极、以及与接地连接的发射极。

电阻元件52e具有与功率级偏置供给电路161的输出端子161a连接的第1端、以及与电容器52d的第2端连接的第2端。

电压电平偏移电路301连接在电源电压供给端子175与保护电路201中的晶体管251的基极之间。电压电平偏移电路301使从电源电压供给端子175供给的电源电压VCC1偏移后供给到晶体管251的基极。

图2是作为电压电平偏移电路301的一例的电压电平偏移电路301a的电路图。如图2所示，电压电平偏移电路301a包括N(N为1以上的整数)个晶体管302(第1二极管)。

在N为1的情况下，晶体管302具有与电源电压供给端子175连接的集电极、与集电极连接的基极、以及与晶体管251的基极连接的发射极。在该情况下，从电源电压VCC1减去晶体管302的基极发射极间的电压(或者导通电压)Vbes而得到的电压作为后述的基极电压Vb251被供给到晶体管251的基极。以下，有时将晶体管的集电极与该晶体管的基极的连接称为第1二极管连接。

在N为2以上的情况下，N个第1二极管连接的晶体管302被串联连接为发射极成为晶体管251的基极侧。在该情况下，从电源电压VCC1减去将电压Vbes与N相乘的电压而得到的电压作为后述的基极电压Vb251被供给到晶体管251的基极。

图3是作为电压电平偏移电路301的一例的电压电平偏移电路301b的电路图。如图3所示，电压电平偏移电路301b包括N个晶体管302。

在N为1的情况下，晶体管302具有与晶体管251的基极连接的集电极、基极、以及与基极及电源电压供给端子175连接的发射极。在该情况下，从电源电压VCC1减去晶体管302的集电极基极间的电压Vcb而得到的电压作为后述的基极电压Vb251被供给到晶体管251的基极。以下，有时将晶体管的发射极与该晶体管的基极的连接称为第2二极管连接。

在N为2以上的情况下，N个第2二极管连接的晶体管302被串联连接为集电极成为晶体管251的基极侧。在该情况下，从电源电压VCC1减去将电压Vcb与N相乘的电压而得到的电压作为后述的基极电压Vb251被供给到晶体管251的基极。

图4是作为电压电平偏移电路301的一例的电压电平偏移电路301c的电路图。如图4所示，电压电平偏移电路301c包括N个二极管303(第1二极管)。

在N为1的情况下，二极管303具有与晶体管251的基极连接的阴极、以及与电源电压供给端子175连接的阳极。在该情况下，从电源电压VCC1减去二极管303的正向电压而得到的电压作为后述的基极电压Vb251被供给到晶体管251的基极。

在N为2以上的情况下，N个二极管303被串联连接为阴极成为晶体管251的基极侧。在该情况下，从电源电压VCC1减去将正向电压与N相乘的电压而得到的电压作为后述的基极电压Vb251被供给到晶体管251的基极。以下，有时将由电压电平偏移电路301偏移的电压称为偏移电压Vsft。

如图1所示，保护电路201根据放大信号RF1和基于电源电压VCC1的第2信号，使偏置控制电流Ib的一部分流向接地。具体而言，第2信号是向晶体管251的基极供给的基极电压Vb251。保护电路201在基极电压Vb251大于晶体管251的基极发射极间的电压(或者导通电压)Vbe的两倍的电压、或者晶体管251和晶体管252均导通的电压即2Vbe的情况下，当放大信号RF1的振幅大于规定值时，使偏置控制电流Ib的一部分作为保护电流Ip流向接地，由此对驱动级放大器50和功率级放大器52进行保护。

详细而言，保护电路201中的晶体管251具有与节点N2连接的集电极、与电压电平偏移电路301的第2端连接的基极、以及发射极。

电阻元件212具有与晶体管251的发射极连接的第1端、以及第2端。电容器211具有与电阻元件212的第2端连接的第1端、以及与功率级放大器52的输入端子52a连接的第2端。电容器211是为了切断直流而设置的。

电容器253具有与晶体管251的基极连接的第1端、以及与接地连接的第2端。

晶体管252具有与节点N2连接的集电极、通过电阻元件255而与晶体管251的发射极连接的基极、以及通过电阻元件254而与接地连接的发射极。

以下，对保护电路201的动作进行说明。保护电路201优选在通常动作时不进行动作。例如，在晶体管251和252的导通电压(具体而言，晶体管251和252的基极发射极间的电压)为Vbe时，预先将2Vbe+Vsft设定为大于通常动作时的电源电压VCC1的上限电压，由此，通常动作时的电源电压VCC1成为2Vbe+Vsft以下。由此，能够将通常动作时的晶体管251和252维持为截止状态，因此，能够不使保护电路201进行动作。在该情况下，保护电路201不使保护电流Ip从节点N2流向接地，因此，维持了偏置控制电流Ib，驱动级放大器50进行通常动作。

在功率放大电路101中成为VCC1＞2Vbe+Vsft时，能够使晶体管251和252从截止状态转变到导通状态，使保护电路201成为动作状态。

图5是示出放大信号RF1的RF振幅较小的情况下的晶体管251的基极电压Vb251和发射极电压Ve251的时间变化的一例的图。需要说明的是，在图5中，横轴表示时间，纵轴表示电压。

如图5所示，由于晶体管251的基极通过电容器253而接地，因此，晶体管251的基极电压Vb251不随时间变化，大致为固定。

通过电容器211和电阻元件212向晶体管251的发射极输入放大信号RF1的RF振幅。RF振幅较小的情况下的晶体管251的发射极电压Ve251的时间平均成为平均电压Val。

图6是示出放大信号RF1的RF振幅较大的情况下的晶体管251的基极电压Vb251和发射极电压Ve251的时间变化的一例的图。需要说明的是，图6的观察方法与图5相同。

如图6所示，晶体管251的发射极电压Ve251不低于从基极电压Vb251减去Vbe而得到的电压Vc，因此，在放大信号RF1的RF振幅较大的情况下，发射极电压Ve251的时间变化的波形成为比电压Vc低的电压部分缺失的形状。因此，放大信号RF1的RF振幅较大的情况下的发射极电压Ve251的平均电压Va2比图5所示的平均电压Va1大。

即，在放大信号RF1的RF振幅变大时，晶体管252的基极电压上升，晶体管252的集电极电流变大。由此，能够使偏置控制电流Ib的一部分作为保护电流Ip流向接地，因此，能够降低驱动级放大器50的输出功率电平。因此，在电源电压VCC1比2Vbe+Vsft大的情况下，当放大信号RF1的RF振幅变大时，能够通过保护电路201使偏置控制电流Ib的一部分作为保护电流Ip流向接地，因此，能够降低驱动级放大器50和功率级放大器52受到破坏的可能性。

[第2实施方式]

对第2实施方式的功率放大电路102进行说明。在第2实施方式以后，省略关于与第1实施方式共同的事项的记述，仅对不同点进行说明。尤其是针对由相同的结构产生的相同的作用效果，不在每个实施方式中逐次提及。

图7是功率放大电路102的电路图。如图7所示，第2实施方式的功率放大电路102在功率级成为功率级差动对55(第1差动对)这方面与第1实施方式的功率放大电路101不同。

功率放大电路102与图1所示的功率放大电路101相比，代替级间匹配电路21和电感器26而具备平衡不平衡转换器41(第1平衡不平衡转换器)，并且还具备平衡不平衡转换器42(第2平衡不平衡转换器)、功率级放大器53、电容器72和73、以及功率级偏置供给电路162。

功率级放大器53包括输入端子53a、输出端子53b、放大晶体管53c(第3放大器)、电容器53d、以及电阻元件53e和53f。

平衡不平衡转换器41包括电感器41a(第1电感器)、41b(第2电感器)及41c(第3电感器)。平衡不平衡转换器42包括电感器42a(第4电感器)、42b(第5电感器)及42c(第6电感器)。

功率级放大器53及功率级偏置供给电路162的结构与功率级放大器52及功率级偏置供给电路161分别相同。

平衡不平衡转换器41将从驱动级放大器50输出的单端信号即放大信号RF1转换成作为差动信号的放大信号RFp2和RFm2。平衡不平衡转换器41和电容器72对驱动级放大器50与功率级差动对55之间的阻抗进行匹配。

详细而言，平衡不平衡转换器41中的电感器41a具有与驱动级放大器50中的输出端子50b连接的第1端、以及与电源电压供给端子175连接的第2端。

电感器41b具有与功率级放大器52的输入端子52a连接的第1端、以及成为节点N4的第2端，并且与电感器41a电磁场耦合。保护电路201中的晶体管251的发射极通过电阻元件212及电容器211而与节点N4连接。

电感器41c具有与电感器41b的第2端即节点N4连接的第1端、以及与功率级放大器53的输入端子53a连接的第2端，并且与电感器41a电磁场耦合。电感器41c具有与电感器41b的电感大致相同的电感。

即，电感器41a是初级侧电感器。电感器41b和41c是次级侧电感器。而且，节点N4成为次级侧电感器的中点。

需要说明的是，这里所说的“中点”不限于从次级侧电感器的一端到中点的距离与从次级侧电感器的另一端到中点的距离相等的点。“中点”也可以是从次级侧电感器的一端到中点的距离与从次级侧电感器的另一端到中点的距离不同的点。即，电感器41c也可以具有与电感器41b的电感不同的电感。

电容器72具有与功率级放大器52的输入端子52a连接的第1端、以及与功率级放大器53的输入端子53a连接的第2端。

功率级差动对55包括功率级放大器52和53。功率级放大器52将放大信号RFp2放大后输出放大信号RFp3。功率级放大器53将放大信号RFm2放大后输出放大信号RFm3。

功率级放大器53中的电容器53d具有与输入端子53a连接的第1端、以及第2端。

放大晶体管53c具有与输出端子53b连接的集电极、通过电阻元件53f而与电容器53d的第2端连接的基极、以及与接地连接的发射极。电阻元件53e具有与功率级偏置供给电路162的输出端子162a连接的第1端、以及与电容器53d的第2端连接的第2端。

平衡不平衡转换器42将从功率级放大器52和53分别输出的放大信号RFp3和RFm3转换成作为单端信号的输出信号RFout。平衡不平衡转换器42和电容器73对功率级差动对55与输出端子32的后级的电路即负载之间的阻抗进行匹配。

详细而言，电容器73具有与功率级放大器52的输出端子52b连接的第1端、以及与功率级放大器53的输出端子53b连接的第2端。

平衡不平衡转换器42中的电感器42b具有与功率级放大器52的输出端子52b连接的第1端、以及成为节点N5的第2端。从电源电压供给端子176向节点N5供给功率级放大器52和53的电源电压。

电感器42c具有与电感器42b的第2端即节点N5连接的第1端、以及与功率级放大器53的输出端子53b连接的第2端。电感器42c具有与电感器42b的电感大致相同的电感。

电感器42a具有与输出端子32连接的第1端、以及与接地连接的第2端，并且与电感器42b及42c电磁场耦合。

即，电感器42b和42c是初级侧电感器。电感器42a是次级侧电感器。而且，节点N5成为初级侧电感器的中点。

需要说明的是，这里所说的“中点”不限于从次级侧电感器的一端到中点的距离与从次级侧电感器的另一端到中点的距离相等的点。“中点”也可以是从次级侧电感器的一端到中点的距离与从次级侧电感器的另一端到中点的距离不同的点。即，电感器42c也可以具有与电感器42b的电感不同的电感。

以下，对功率放大电路102的动作进行说明。图8是示出相对于从输出端子32观察后级的电路即负载时的反射系数Γ的绝对值的节点N4处的电压的振幅变化A1的一例的图。需要说明的是，在图8中，横轴表示反射系数Γ的绝对值，纵轴表示平衡不平衡转换器41的节点N4处的电压的振幅。

如图8所示，例如，当与输出端子32连接的负载的阻抗为50欧姆时，反射系数Γ的绝对值成为零。另一方面，当负载的阻抗从50欧姆偏离时，反射系数Γ的绝对值变大。

通常，差动放大器的平衡不平衡转换器被设计为在负载的阻抗为50欧姆时成为对称。在平衡不平衡转换器41对称地进行动作的情况下，在节点N4处，差动信号相互抵消。即，在反射系数Γ的绝对值为零时，节点N4处的电压振幅为零。

当负载的阻抗从50欧姆偏离时，平衡不平衡转换器成为非对称。在平衡不平衡转换器41非对称地进行动作的情况下，在节点N4处，差动信号彼此的抵消变得不完全。在该情况下，如振幅变化A1所示，节点N4处的电压振幅根据反射系数Γ的绝对值而变大。即，从节点N4输出RF信号RFul(第3信号)，因此，保护电路201进行动作。

图9是示出相对于从输出端子32观察后级的电路即负载时的反射系数Γ的绝对值的驱动级放大器50的输出功率变化P1的一例的图。需要说明的是，在图9中，横轴表示反射系数Γ的绝对值，纵轴表示从驱动级放大器50输出的功率。

如图9所示，在负载的阻抗从50欧姆偏离、电源电压VCC1大于2Vbe+Vsft、并且放大信号RF1的RF振幅变大时，保护电路201进行动作。当保护电路201进行动作时，如输出功率变化P1所示，驱动级放大器50的输出功率被降低。其结果是，保护了驱动级放大器50和功率级放大器52及53。

[第3实施方式]

对第3实施方式的功率放大电路103进行说明。图10是功率放大电路103的电路图。如图10所示，第3实施方式的功率放大电路103在保护电路与电源电压VCC1的电平无关地进行动作这方面与第2实施方式的功率放大电路102不同。

功率放大电路103与图7所示的功率放大电路102相比，代替保护电路201而具备保护电路202。保护电路202与图7所示的保护电路201相比，还包括电阻元件256(第2电阻元件)和257。

电阻元件256具有与节点N2连接的第1端、以及第2端。电阻元件257具有与节点N2连接的第1端、以及第2端。

晶体管251具有与电阻元件257的第2端连接的集电极、与电阻元件256的第2端及电容器253的第1端连接的基极、以及通过电阻元件212和电容器211而与平衡不平衡转换器41中的节点N4连接的发射极。

晶体管252具有与电阻元件257的第2端连接的集电极、通过电阻元件255而与晶体管251的发射极连接的基极、以及通过电阻元件254而与接地连接的发射极。

在图7所示的功率放大电路102中，当电源电压VCC1大于2Vbe+Vsft时，保护电路201从截止状态转变到导通状态，有时急剧地流动电流。此时，放大器的特性劣化可能变大。

与此相对，在图10所示的功率放大电路103中，从电流供给端子171通过电阻元件156和256向晶体管251的基极始终供给偏置电流，因此，保护电路202始终成为导通状态。

由此，在保护电路202中能够抑制急剧地流动电流，因此，能够抑制放大器的特性劣化。

因此，在功率放大电路103中，在与电源电压VCC1的电平无关地负载的阻抗从50欧姆偏离且放大信号RF1的RF振幅变大时，保护电路202进行动作。

[第4实施方式]

对第4实施方式的功率放大电路104进行说明。图11是功率放大电路104的电路图。如图11所示，第4实施方式的功率放大电路104在从控制信号供给端子173供给保护电路中的晶体管251的偏置这方面与第3实施方式的功率放大电路103不同。

功率放大电路104与图10所示的功率放大电路103相比，代替保护电路202而具备保护电路203。保护电路203与图10所示的保护电路202相比，不包括电阻元件255、256及257。

晶体管251被第1二极管连接，具有与控制信号供给端子173及电容器253的第1端连接的集电极及基极、以及通过电阻元件212及电容器211而与平衡不平衡转换器41中的节点N4连接的发射极。

晶体管252具有与节点N2连接的集电极、与晶体管251的发射极连接的基极、以及通过电阻元件254而与接地连接的发射极。

在图10所示的功率放大电路103中，成为偏置用晶体管152以及晶体管251和252从电流供给端子171偏置的结构。因此，当为了提高驱动级放大器50的基极偏置而增大从电流供给端子171供给的电流时，晶体管251和252的集电极电流也增加，难以独立地对保护电路202的动作和驱动级放大器50的偏置进行调整。

与此相对，在图11所示的功率放大电路104中，通过将向偏置用晶体管152供给偏置的电流供给端子171与向晶体管251及252供给偏置的控制信号供给端子173设为不同系统，能够独立地对保护电路203的动作与驱动级放大器50的偏置进行调整。

需要说明的是，晶体管251的集电极也可以为连接到与电流供给端子171及控制信号供给端子173不同的新的控制端子的结构。根据这样的结构，能够独立地对保护电路203的动作与功率级放大器52的偏置进行调整。但是，通过设置新的控制端子，有时芯片尺寸变大，因此，如图11所示，在晶体管251的集电极与控制信号供给端子173连接的结构中，能够减小芯片尺寸，因此是优选的。

[第5实施方式]

对第5实施方式的功率放大电路105进行说明。图12是功率放大电路105的电路图。如图12所示，第5实施方式的功率放大电路105在晶体管251和252的集电极电流均从电流供给端子171被供给这方面与第4实施方式的功率放大电路104不同。

功率放大电路105与图11所示的功率放大电路104相比，代替保护电路203而具备保护电路204。保护电路204与图11所示的保护电路203相比，还包括电阻元件256和257。

电阻元件256具有与控制信号供给端子173连接的第1端、以及第2端。电阻元件257具有与节点N2连接的第1端、以及第2端。

晶体管251具有与电阻元件257的第2端连接的集电极、与电阻元件256的第2端及电容器253的第1端连接的基极、以及通过电阻元件212及电容器211而与平衡不平衡转换器41中的节点N4连接的发射极。

晶体管252具有与电阻元件257的第2端连接的集电极、与晶体管251的发射极连接的基极、以及通过电阻元件254而与接地连接的发射极。

[第6实施方式]

对第6实施方式的功率放大电路106进行说明。图13是功率放大电路106的电路图。如图13所示，第6实施方式的功率放大电路106在晶体管251的发射极通过电阻元件212及电容器211而与平衡不平衡转换器42中的节点N5连接这方面与第4实施方式的功率放大电路104不同。

例如，当与输出端子32连接的负载的阻抗为50欧姆时，平衡不平衡转换器42对称地进行动作。此时，在节点N5处，差动信号相互抵消，因此，节点N5处的电压振幅为零。

当负载的阻抗从50欧姆偏离时，平衡不平衡转换器42非对称地进行动作。此时，在节点N5处，差动信号彼此的抵消变得不完全，节点N5处的电压振幅根据反射系数Γ的绝对值而变大。即，从节点N5输出RF信号RFu2(第3信号)，因此，保护电路203进行动作。

[第7实施方式]

对第7实施方式的功率放大电路107进行说明。图14是功率放大电路107的电路图。如图14所示，第7实施方式的功率放大电路107在驱动级也成为差动对这方面与第4实施方式的功率放大电路104不同。

功率放大电路107与图11所示的功率放大电路104相比，代替输入匹配电路20和驱动级偏置供给电路151而具备平衡不平衡转换器40(第3平衡不平衡转换器)和驱动级偏置供给电路155，并且还具备驱动级放大器51。

平衡不平衡转换器40包括电感器40a(第7电感器)、40b(第8电感器)及40c(第9电感器)。驱动级放大器51包括输入端子51a、输出端子51b、放大晶体管51c(第4放大器)、电容器51d、以及电阻元件51e。

驱动级偏置供给电路155与图11所示的驱动级偏置供给电路151相比，还包括偏置用晶体管153。驱动级放大器51的结构与驱动级放大器50相同。

平衡不平衡转换器40将从输入端子31供给的单端信号即输入信号RFin转换成作为差动信号的信号RFpin和RFmin。平衡不平衡转换器40对输入端子31的前级的电路与驱动级放大器50及51之间的阻抗进行匹配。

详细而言，平衡不平衡转换器40中的电感器40a具有与输入端子31连接的第1端、以及与接地连接的第2端。电感器40b具有与驱动级放大器50的输入端子50a连接的第1端、以及成为节点N3的第2端，并且与电感器40a电磁场耦合。保护电路203中的晶体管251的发射极通过电阻元件212及电容器211而与节点N3连接。

电感器40c具有与电感器40b的第2端即节点N3连接的第1端、以及与驱动级放大器51的输入端子51a连接的第2端，并且与电感器40a电磁场耦合。电感器40c具有与电感器40b的电感大致相同的电感。

即，电感器40a是初级侧电感器。电感器40b和40c是次级侧电感器。而且，节点N3成为次级侧电感器的中点。

需要说明的是，这里所说的“中点”不限于从次级侧电感器的一端到中点的距离与从次级侧电感器的另一端到中点的距离相等的点。“中点”也可以是从次级侧电感器的一端到中点的距离与从次级侧电感器的另一端到中点的距离不同的点。即，电感器40c也可以具有与电感器40b的电感不同的电感。

驱动级差动对54(第2差动对)包括驱动级放大器50和51。驱动级放大器50将信号RFpin放大后输出放大信号RFp1。驱动级放大器51将信号RFmin放大后输出放大信号RFm1。

驱动级放大器51中的电容器51d具有与输入端子51a连接的第1端、以及第2端。

放大晶体管51c具有与输出端子51b连接的集电极、与电容器51d的第2端连接的基极、以及与接地连接的发射极。电阻元件51e具有第1端、以及与电容器51d的第2端连接的第2端。

驱动级偏置供给电路155中的偏置用晶体管153具有与电池电压供给端子172连接的集电极、与节点N2连接的基极、以及与驱动级放大器51中的电阻元件51e的第1端连接的发射极。

平衡不平衡转换器41和电容器72对驱动级差动对54与功率级差动对55之间的阻抗进行匹配。

详细而言，平衡不平衡转换器41中的电感器41b具有与驱动级放大器50的输出端子50b连接的第1端、以及成为节点N4的第2端。从电源电压供给端子175向节点N4供给驱动级放大器50和51的电源电压。

电感器41c具有与电感器41b的第2端即节点N4连接的第1端、以及与驱动级放大器51的输出端子51b连接的第2端。

电感器41a具有与功率级放大器52的输入端子52a连接的第1端、以及与功率级放大器53的输入端子53a连接的第2端，并且与电感器41b及41c电磁场耦合。

即，电感器41b和41c是初级侧电感器。电感器41a是次级侧电感器。而且，节点N4成为初级侧电感器的中点。

例如，当与输出端子32连接的负载的阻抗为50欧姆时，平衡不平衡转换器40对称地进行动作。此时，在节点N3处，差动信号相互抵消，因此，节点N3处的电压振幅为零。

当负载的阻抗从50欧姆偏离时，平衡不平衡转换器40非对称地进行动作。此时，在节点N3处，差动信号彼此的抵消变得不完全，节点N3处的电压振幅根据反射系数Γ的绝对值而变大。即，从节点N3输出RF信号RFu3(第3信号)，因此，保护电路203进行动作。

[第8实施方式]

对第8实施方式的功率放大电路108进行说明。图15是功率放大电路108的电路图。如图15所示，第8实施方式的功率放大电路108在具备钳位电路这方面与第6实施方式的功率放大电路106不同。

功率放大电路108与图13所示的功率放大电路106相比，还具备钳位电路81(第1钳位电路)和82(第2钳位电路)。钳位电路81包括M(M为1以上的整数)个二极管81a(第2二极管)。钳位电路82包括M个二极管82a(第3二极管)。

在M为1的情况下，钳位电路81中的二极管81a具有与功率级放大器52的输出端子52b连接的阳极、以及与接地连接的阴极。在钳位电路81中，在二极管81a与接地之间设置有节点N6。

钳位电路82中的二极管82a具有与功率级放大器53的输出端子53b连接的阳极、以及与接地连接的阴极。在钳位电路82中，在二极管82a与接地之间设置有节点N7。

在M为2以上的情况下，钳位电路81中的M个二极管81a在功率级放大器52的输出端子52b与接地之间被串联连接为阳极成为功率级放大器52的输出端子52b侧。

在钳位电路81中，在从功率级放大器52的输出端子52b侧数起第K(1以上且(M-1)以下的整数)个二极管81a与第(K+1)个二极管81a之间设置有节点N6。

钳位电路82中的M个二极管82a在功率级放大器53的输出端子53b与接地之间被串联连接为阳极成为功率级放大器53的输出端子53b侧。

在钳位电路82中，在从功率级放大器53的输出端子53b侧数起第K个二极管82a与第(K+1)个二极管82a之间设置有节点N7。

晶体管251的发射极通过电阻元件212及电容器211而与节点N6及N7连接。

例如，当与输出端子32连接的负载的阻抗为50欧姆时，平衡不平衡转换器42对称地进行动作。即便平衡不平衡转换器42对称地进行动作，当放大信号RFp3和RFm3的振幅较大时，在节点N6和N7处也产生电压振幅。即，从节点N6和N7输出RF信号RFu4(第3信号)，因此，保护电路203进行动作。

当负载的阻抗从50欧姆偏离时，平衡不平衡转换器42非对称地进行动作。当平衡不平衡转换器42非对称地进行动作时，在节点N6和N7处产生电压振幅。即，从节点N6和N7输出RF信号RFu4，因此，保护电路203进行动作。

另外，大多情况下，功率级差动对55以及钳位电路81和82形成于半导体基板，并且，平衡不平衡转换器42形成于模块基板。因此，在图13所示的功率放大电路106中，从模块基板中的节点N5向半导体基板中的晶体管251的发射极的布线并不简单。

与此相对，在功率放大电路108中，在半导体基板内，能够简单地形成从节点N6和N7向晶体管251的发射极的布线。

需要说明的是，在保护电路201～204中，针对设置有电阻元件254的结构进行了说明，但不限于此。也可以构成为不设置电阻元件254，而将晶体管252的发射极与接地直接连接。

另外，在保护电路201和202中，针对设置有电阻元件255的结构进行了说明，但不限于此。也可以构成为不设置电阻元件255，而将晶体管252的基极与晶体管251的发射极直接连接。

另外，在保护电路202和204中，针对设置有电阻元件257的结构进行了说明，但不限于此。也可以构成为不设置电阻元件257，而将晶体管251的集电极及晶体管252的集电极基极与偏置用晶体管152的基极直接连接。

另外，在功率放大电路103、104及105中，针对平衡不平衡转换器41中的电感器41a的第2端与电源电压供给端子175连接的结构进行了说明，但不限于此。电感器41a的第2端只要是看起来是低阻抗的节点即可，也可以是与接地等连接的结构。

以上，对本发明的例示的实施方式进行了说明。在功率放大电路101和102中，放大晶体管50c通过从电源电压供给端子175供给的电源电压VCC1进行动作，将输入信号RFin放大后输出放大信号RF1。偏置用晶体管152具有被供给偏置控制电流Ib的基极、以及通过电阻元件50e向放大晶体管50c供给偏置的发射极。保护电路201根据放大信号RF1和基于电源电压VCC1的基极电压Vb251而使作为偏置控制电流Ib的一部分的保护电流Ip流向接地。

根据这样的结构，在电源电压VCC1发生变动而变高、并且放大信号RF1的输出功率变大时，能够使偏置控制电流Ib的一部分作为保护电流Ip流向接地，因此，能够减小向偏置用晶体管152的基极供给的电流。由此，能够减小向放大晶体管50c供给的偏置，因此，能够减小放大晶体管50c的输出功率，抑制放大晶体管50c以及与放大晶体管50c的后级连接的放大器的输出功率变得过大。因此，能够抑制放大器的破坏。

另外，在功率放大电路101和102的保护电路201中，晶体管251具有通过电容器253而与接地连接的基极、以及通过电容器211被输入放大信号RF1的发射极。晶体管252具有与偏置用晶体管152的基极连接的集电极、与晶体管251的发射极连接的基极、以及与接地连接的发射极。

根据这样的结构，能够通过电容器253将晶体管251的基极的电压保持为大致固定。晶体管251的发射极的平均电压根据放大信号RF1的振幅的大小而变大。当放大信号RF1的振幅变大时，晶体管251的发射极的平均电压变高，能够使晶体管252成为导通状态，因此，能够使保护电流Ip从晶体管252的集电极流向接地。即，能够实现在放大信号RF1的输出功率变大时使晶体管252成为导通状态而使向偏置用晶体管152的基极供给的偏置控制电流Ib的一部分作为保护电流Ip流向接地的电路。

另外，在功率放大电路102～108中，放大晶体管50c向负载供给功率。偏置用晶体管152具有被供给偏置控制电流Ib的基极、以及通过电阻元件50e向放大晶体管50c供给偏置的发射极。保护电路201～204根据基于负载的变化的RF信号RFu1、RFu2、RFu3或RFu4，使作为偏置控制电流Ib的一部分的保护电流Ip流向接地。

例如，在差动对向负载供给功率的情况下，当负载发生了变动时，差动信号的平衡破坏，构成差动对的一个放大器的输出功率有时变得过大。根据上述的结构，当负载发生变动而使构成差动对的一个放大器的输出功率变得过大时，能够使偏置控制电流Ib的一部分作为保护电流Ip流向接地，因此，能够减小向偏置用晶体管152的基极供给的电流。由此，能够减小向放大晶体管50c供给的偏置，因此，能够减小放大晶体管50c的输出功率，抑制放大晶体管50c以及与放大晶体管50c的后级连接的差动对的输出功率变得过大。因此，能够抑制放大器的破坏。

另外，在功率放大电路102中，放大晶体管50c通过从电源电压供给端子175供给的电源电压VCC1进行动作。保护电路201还根据基于电源电压VCC1的基极电压Vb251而使保护电流Ip流向接地。

根据这样的结构，在电源电压VCC1发生变动而变高、并且放大信号RF1的输出功率变大时，能够使偏置控制电流Ib的一部分作为保护电流Ip流向接地，因此，能够减小向偏置用晶体管152的基极供给的电流。由此，能够减小向放大晶体管50c供给的偏置，因此，能够减小放大晶体管50c的输出功率，抑制放大晶体管50c以及与放大晶体管50c的后级连接的差动对的输出功率变得过大。因此，能够抑制放大器的破坏。

另外，在功率放大电路102～108的保护电路201～204中，晶体管251具有通过电容器253而与接地连接的基极、以及通过电容器211被输入RF信号RFu1、RFu2、RFu3或RFu4的发射极。晶体管252具有与偏置用晶体管152的基极连接的集电极、与晶体管251的发射极连接的基极、以及与接地连接的发射极。

根据这样的结构，能够通过电容器253将晶体管251的基极的电压保持为大致固定。晶体管251的发射极的平均电压根据RF信号RFu1、RFu2、RFu3或RFu4的振幅的大小而变大。当负载的阻抗发生变化且RF信号RFu1、RFu2、RFu3或RFu4的振幅变大时，晶体管251的发射极的平均电压变高，能够使晶体管252成为导通状态，因此，能够使保护电流Ip从晶体管252的集电极流向接地。即，能够实现在负载的阻抗发生了变化时使晶体管252成为导通状态而使向偏置用晶体管152的基极供给的偏置控制电流Ib的一部分作为保护电流Ip流向接地的电路。

另外，在功率放大电路101和102中，放大晶体管50c通过从电源电压供给端子175供给的电源电压VCC1进行动作。保护电路201中的晶体管251的基极与电源电压供给端子175连接。

根据这样的结构，能够根据电源电压VCC1使晶体管251成为导通状态或截止状态。因此，在向放大晶体管50c供给的电源电压VCC1变大时，能够使保护电路201进行动作，另外，在电源电压VCC1变小时，能够使保护电路201停止。

另外，在功率放大电路101和102中，电压电平偏移电路301连接在保护电路201中的晶体管251的基极与电源电压供给端子175之间，使电源电压VCC1偏移。

根据这样的结构，在电源电压VCC1大于晶体管251的基极发射极间的电压Vbe、晶体管252的基极发射极间的电压Vbe以及电压电平偏移电路301的偏移电压Vsft之和时，能够使保护电路201进行动作。因此，通过适当地设定偏移电压Vsft，能够对保护电路201的动作开始电压进行调整。

另外，在功率放大电路101和102中，电压电平偏移电路301包括一个以上的第1二极管。

根据这样的结构，能够通过适当地设定第1二极管的个数的简单方法对偏移电压Vsft进行调整。

另外，在功率放大电路103的保护电路202中，晶体管251的基极与偏置用晶体管152的基极连接。

根据这样的结构，能够与电源电压VCC1无关地使保护电路202进行动作，因此，能够抑制在保护电路202中急剧地流动电流。由此，能够抑制放大器的特性劣化。

另外，在功率放大电路103中，电阻元件256连接在晶体管251的基极与偏置用晶体管152的基极之间。

根据这样的结构，能够通过适当地设定电阻元件256的电阻值的简单方法来调整向晶体管251的基极供给的电压。

另外，在功率放大电路104～108中，放大晶体管52c设置在放大晶体管50c的后级。功率级偏置供给电路161被从控制信号供给端子173供给的电流控制，向放大晶体管52c供给偏置。而且，晶体管251的基极与控制信号供给端子173连接。

例如，在从电流供给端子171供给晶体管251的偏置的情况下，当为了提高放大晶体管50c的基极偏置而增大从电流供给端子171供给的电流时，晶体管251和252的集电极电流也增加。因此，难以独立地对保护电路的动作和放大晶体管50c的偏置进行调整。根据上述的结构，通过将向偏置用晶体管152供给偏置的电流供给端子171与向晶体管251及252供给偏置的控制信号供给端子173设为不同系统，能够独立地对保护电路的动作和放大晶体管50c的偏置进行调整。

另外，在功率放大电路102～105中，功率级差动对55包括放大晶体管52c和53c，设置于放大晶体管50c的后级。平衡不平衡转换器41设置在放大晶体管50c与功率级差动对55之间。在平衡不平衡转换器41中，电感器41a具有与驱动级放大器50的输出端子50b连接的第1端、以及与电源电压供给端子175连接的第2端。电感器41b具有与功率级放大器52的输入端子52a连接的第1端、以及输出RF信号RFu1的第2端，并且与电感器41a电磁场耦合。电感器41c具有与电感器41b的第2端连接的第1端、以及与功率级放大器53的输入端子53a连接的第2端，并且与电感器41a电磁场耦合。

通常，当负载的阻抗例如为50欧姆时，平衡不平衡转换器41对称地进行动作，在电感器41b的第2端即电感器41c的第1端，差动信号相互抵消。因此，RF信号RFu1的电压振幅为零。另一方面，当负载的阻抗从50欧姆偏离时，平衡不平衡转换器41非对称地进行动作，在电感器41b的第2端，差动信号彼此的抵消变得不完全。在该情况下，RF信号RFu1的电压振幅变大。即，从电感器41b的第2端输出的RF信号RFu1的振幅变大，因此，能够使保护电路进行动作。

另外，在功率放大电路106中，功率级差动对55包括放大晶体管52c和53c，设置于放大晶体管50c的后级。平衡不平衡转换器42设置于功率级差动对55的后级。在平衡不平衡转换器42中，电感器42a具有与输出端子32连接的第1端、以及与接地连接的第2端。电感器42b具有与功率级放大器52的输出端子52b连接的第1端、以及输出RF信号RFu2的第2端，并且与电感器42a电磁场耦合。电感器42c具有与电感器42b的第2端连接的第1端、以及与功率级放大器53的输出端子53b连接的第2端，并且与电感器42a电磁场耦合。

通常，当负载的阻抗例如为50欧姆时，平衡不平衡转换器42对称地进行动作，在电感器42b的第2端即电感器42c的第1端，差动信号相互抵消。因此，RF信号RFu2的电压振幅为零。另一方面，当负载的阻抗从50欧姆偏离时，平衡不平衡转换器42非对称地进行动作，在电感器42b的第2端，差动信号彼此的抵消变得不完全。在该情况下，RF信号RFu2的电压振幅变大。即，从电感器42b的第2端输出的RF信号RFu2的振幅变大，因此，能够使保护电路进行动作。

另外，在功率放大电路107中，放大晶体管51c与放大晶体管50c形成驱动级差动对54。平衡不平衡转换器40设置于驱动级差动对54的前级。在平衡不平衡转换器40中，电感器40a具有与输入端子31连接的第1端、以及与接地连接的第2端。电感器40b具有与驱动级放大器50的输入端子50a连接的第1端、以及输出RF信号RFu3的第2端，并且与电感器40a电磁场耦合。电感器40c具有与电感器40b的第2端连接的第1端、以及与驱动级放大器51的输入端子51a连接的第2端，并且与电感器40a电磁场耦合。

通常，在负载的阻抗例如为50欧姆时，平衡不平衡转换器40对称地进行动作，在电感器40b的第2端即电感器40c的第1端，差动信号相互抵消。因此，RF信号RFu3的电压振幅为零。另一方面，当负载的阻抗从50欧姆偏离时，平衡不平衡转换器40非对称地进行动作，在电感器40b的第2端，差动信号彼此的抵消变得不完全。在该情况下，RF信号RFu3的电压振幅变大。即，从电感器40b的第2端输出的RF信号RFu3的振幅变大，因此，能够使保护电路进行动作。

另外，在功率放大电路108中，功率级差动对55包括放大晶体管52c和53c，设置于放大晶体管50c的后级。钳位电路81设置在功率级放大器52的输出端子52b与接地之间，包括一个以上的二极管81a。钳位电路82设置在功率级放大器53的输出端子53b与接地之间，包括一个以上的二极管82a。从二极管81a的阴极和二极管82a的阴极输出RF信号RFu4。

例如，当负载的阻抗为50欧姆时，从放大晶体管52c和53c分别输出的放大信号RFp3和RFm3的平衡得以保持，但在放大信号RFp3和RFm3的振幅较大时，在二极管81a的阴极和二极管82a的阴极产生电压振幅。即，从二极管81a的阴极和二极管82a的阴极输出的RF信号RFu4的振幅变大，因此，能够使保护电路进行动作。另外，当负载的阻抗从50欧姆偏离时，放大信号RFp3和RFm3的平衡破坏，在二极管81a的阴极和二极管82a的阴极产生电压振幅。即，从二极管81a的阴极和二极管82a的阴极输出的RF信号RFu4的振幅变大，因此，能够使保护电路进行动作。

需要说明的是，以上说明的各实施方式用于使本发明的理解变得容易，并不用于限定地解释本发明。本发明在不脱离其主旨的范围内能够进行变更/改良，并且本发明也包括其等效物。即，本领域技术人员对各实施方式适当加以设计变更而得到的实施方式只要具备本发明的特征，则也包含在本发明的范围内。例如，各实施方式具备的各要素及其配置、材料、条件、形状、尺寸等不限定于例示的情况，能够适当变更。另外，各实施方式是例示，当然能够进行不同实施方式所示的结构的部分置换或组合，它们只要具备本发明的特征，则也包含在本发明的范围内。

Claims (15)

1.一种功率放大电路，具备：

第1放大器，其通过从电压供给源供给的第1电压进行动作，将第1信号放大后输出放大信号；

偏置用晶体管，其具有被供给偏置控制电流的基极或栅极以及通过第1电阻元件向所述第1放大器供给偏置的发射极或源极；以及

保护电路，其根据所述放大信号和基于所述第1电压的第2信号，使所述偏置控制电流的一部分流向接地。

2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其中，

所述保护电路包括：

第1晶体管，其具有通过第1电容器而与所述接地连接的基极或栅极以及通过第2电容器而被输入所述放大信号的发射极或源极；以及

第2晶体管，其具有与所述偏置用晶体管的所述基极或所述栅极连接的集电极或漏极、与所述第1晶体管的所述发射极或所述源极连接的基极或栅极以及与所述接地连接的发射极或源极。

3.一种功率放大电路，具备：

第1放大器，其向负载供给功率；

偏置用晶体管，其具有被供给偏置控制电流的基极或栅极以及通过第1电阻元件向所述第1放大器供给偏置的发射极或源极；以及

保护电路，其根据基于所述负载的变化的第3信号，使所述偏置控制电流的一部分流向接地。

4.根据权利要求3所述的功率放大电路，其中，

所述第1放大器通过从电压供给源供给的第1电压进行动作，

所述保护电路还根据基于所述第1电压的第2信号，使所述一部分流向所述接地。

5.根据权利要求3或4所述的功率放大电路，其中，

所述保护电路包括：

第1晶体管，其具有通过第1电容器而与所述接地连接的基极或栅极以及通过第2电容器而被输入所述第3信号的发射极或源极；以及

第2晶体管，其具有与所述偏置用晶体管的所述基极或所述栅极连接的集电极或漏极、与所述第1晶体管的所述发射极或所述源极连接的基极或栅极以及与所述接地连接的发射极或源极。

6.根据权利要求2或5所述的功率放大电路，其中，

所述第1放大器通过从电压供给源供给的第1电压进行动作，

所述保护电路中的所述第1晶体管的所述基极或所述栅极与所述电压供给源连接。

7.根据权利要求6所述的功率放大电路，其中，

所述功率放大电路还具备电压偏移电路，该电压偏移电路连接在所述保护电路中的所述第1晶体管的所述基极或所述栅极与所述电压供给源之间，使所述第1电压偏移。

8.根据权利要求7所述的功率放大电路，其中，

所述电压偏移电路包括一个以上的第1二极管。

9.根据权利要求2或5所述的功率放大电路，其中，

所述保护电路中的所述第1晶体管的所述基极或所述栅极与所述偏置用晶体管的所述基极或所述栅极连接。

10.根据权利要求9所述的功率放大电路，其中，

所述功率放大电路还具备第2电阻元件，该第2电阻元件连接在所述保护电路中的所述第1晶体管的所述基极或所述栅极与所述偏置用晶体管的所述基极或所述栅极之间。

11.根据权利要求2或5所述的功率放大电路，其中，

所述功率放大电路还具备：

第2放大器，其设置于所述第1放大器的后级；以及

偏置供给电路，其被从控制电流源供给的电流控制，向所述第2放大器供给偏置，

所述保护电路中的所述第1晶体管的所述基极或所述栅极与所述控制电流源连接。

12.根据权利要求3至5中任一项所述的功率放大电路，其中，

所述功率放大电路还具备：

第1差动对，其包括第2放大器和第3放大器，设置于所述第1放大器的后级；以及

第1平衡不平衡转换器，其设置在所述第1放大器与所述第1差动对之间，

所述第1平衡不平衡转换器包括：

第1电感器，其具有与所述第1放大器的输出端子连接的第1端以及与低阻抗节点连接的第2端；

第2电感器，其具有与所述第2放大器的输入端子连接的第1端以及输出所述第3信号的第2端，并且与所述第1电感器电磁场耦合；以及

第3电感器，其具有与所述第2电感器的所述第2端连接的第1端以及与所述第3放大器的输入端子连接的第2端，并且与所述第1电感器电磁场耦合。

13.根据权利要求3至5中任一项所述的功率放大电路，其中，

所述功率放大电路还具备：

第1差动对，其包括第2放大器和第3放大器，设置于所述第1放大器的后级；以及

第2平衡不平衡转换器，其设置于所述第1差动对的后级，

所述第2平衡不平衡转换器包括：

第4电感器，其具有与所述功率放大电路的输出端子连接的第1端以及与接地连接的第2端；

第5电感器，其具有与所述第2放大器的输出端子连接的第1端以及输出所述第3信号的第2端，并且与所述第4电感器电磁场耦合；以及

第6电感器，其具有与所述第5电感器的所述第2端连接的第1端以及与所述第3放大器的输出端子连接的第2端，并且与所述第4电感器电磁场耦合。

14.根据权利要求3至5中任一项所述的功率放大电路，其中，

所述功率放大电路还具备：

第4放大器，其与所述第1放大器形成第2差动对；以及

第3平衡不平衡转换器，其设置于所述第2差动对的前级，

所述第3平衡不平衡转换器包括：

第7电感器，其具有与所述功率放大电路的输入端子连接的第1端以及与接地连接的第2端；

第8电感器，其具有与所述第1放大器的输入端子连接的第1端以及输出所述第3信号的第2端，并且与所述第7电感器电磁场耦合；以及

第9电感器，其具有与所述第8电感器的所述第2端连接的第1端以及与所述第4放大器的输入端子连接的第2端，并且与所述第7电感器电磁场耦合。

15.根据权利要求3至5中任一项所述的功率放大电路，其中，

所述功率放大电路还具备：

第1差动对，其包括第2放大器和第3放大器，设置于所述第1放大器的后级；

第1钳位电路，其设置在所述第2放大器的输出端子与接地之间，包括一个以上的第2二极管；以及

第2钳位电路，其设置在所述第3放大器的输出端子与接地之间，包括一个以上的第3二极管，

从所述第2二极管的阴极和所述第3二极管的阴极输出所述第3信号。