CN116888655A - 显示基板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种显示基板和显示装置，显示基板包括：基底和设置于基底上的多个子像素，多个子像素呈阵列分布，多个子像素划分为多列子像素列；显示基板还包括：多条数据线(10)，数据线(10)与对应的一列子像素列中的各子像素分别耦接；多个触控电极和多条触控信号线(20)，触控信号线(20)与对应的触控电极耦接；触控信号线(20)在基底上的正投影与对应的数据线(10)在基底上的正投影相邻；触控信号线(20)包括相耦接的第一触控部分(201)和第二触控部分(202)，第一触控部分(201)与第二触控部分(202)异层设置，第二触控部分(202)与数据线(10)同层同材料设置。
Description
本公开涉及显示技术领域，尤其涉及一种显示基板和显示装置。
随着触控显示技术的不断发展，触控显示装置的应用范围越来越广泛。触控显示装置集成了触控功能和显示功能，能够根据需要显示相应的画面，还能够识别用户在触控显示装置上的触控位置实现相应的触控功能。
为了满足更多应用场景的需要，触控显示装置的类型越来越多，例如：窄边框触控显示装置，大尺寸触控显示装置，小尺寸触控显示装置等。
发明内容
本公开的目的在于提供一种显示基板和显示装置。
为了实现上述目的，本公开提供如下技术方案：
本公开的第一方面提供一种显示基板，包括：基底和设置于所述基底上的多个子像素，所述多个子像素呈阵列分布，所述多个子像素划分为多列子像素列；所述显示基板还包括：
多条数据线，所述数据线与对应的一列子像素列中的各子像素分别耦接；
多个触控电极和多条触控信号线，所述触控信号线与对应的触控电极耦接；所述触控信号线在所述基底上的正投影与对应的数据线在所述基底上的正投影相邻；所述触控信号线包括相耦接的第一触控部分和第二触控部分，所述第一触控部分与所述第二触控部分异层设置，所述第二触控部分与所述数据线同层同材料设置。
可选的，所述第一触控部分的一部分位于所述第二触控部分与所述基底之间。
可选的，所述显示基板还包括遮光层，所述第一触控部分与所述遮光层同层同材料设置。
可选的，所述多个子像素划分为多行子像素行；所述显示基板还包括多 条栅线，所述栅线与对应的一行子像素行中的各子像素分别耦接；
所述第一触控部分与所述栅线同层同材料设置。
可选的，所述第一触控部分包括沿远离所述基底的方向依次层叠设置的钼金属层，铝金属层和钼金属层。
可选的，在同一条触控信号线中，所述第一触控部分的长度与所述触控信号线在所述基底上的正投影的总长度的比值大于50％。
可选的，在同一条触控信号线中，所述第一触控部分与相邻的第二触控部分通过过孔耦接。
可选的，所述多个子像素划分为多行子像素行；所述显示基板还包括多条栅线，所述栅线与对应的一行子像素行中的各子像素分别耦接；
沿所述数据线的延伸方向，所述栅线在所述基底上的正投影与所述第一触控部分在所述基底上的正投影交替排列。
可选的，所述子像素还包括像素电极，所述第一触控部分在所述基底上的正投影，与所述像素电极在所述基底上的正投影不交叠。
可选的，所述子像素还包括公共电极，所述第一触控部分在所述基底上的正投影，与所述公共电极在所述基底上的正投影至少部分交叠。
可选的，至少部分所述第二触控部分在所述基底上的正投影，与所述栅线在所述基底上的正投影部分交叠。
可选的，所述数据线与所述子像素列交替设置；所述多条数据线包括多条第一数据线和多条第二数据线，所述多条触控信号线与所述多条第一数据线一一对应，所述触控信号线与对应的所述第一数据线相邻；至少部分相邻的所述触控信号线和所述第一数据线位于相邻的两列子像素列之间；
所述第一数据线包括第一数据部分和第二数据部分，沿所述第一数据线的延伸方向，所述第一数据部分与所述第二数据部分交替设置，所述第二数据部分与对应的子像素中的控制晶体管耦接；
所述第二数据线包括依次循环设置的第三数据部分，第四数据部分和第五数据部分，所述第四数据部分与对应的子像素中的控制晶体管耦接，所述第五数据部分在所述基底上的正投影与所述栅线在所述基底上的正投影至少部分交叠；
所述第三数据部分在垂直于其自身延伸方向上的宽度，大于所述第一数据部分在垂直于其自身延伸方向上的宽度，且大于所述第一触控部分在垂直于其自身延伸方向上的宽度。
可选的，所述多列子像素列划分为多列像素单元列，每列像素单元列包括相邻的至少两列子像素列；所述触控信号线与所述像素单元列交替设置。
可选的，所述子像素包括控制晶体管和像素电极，所述控制晶体管的栅极与对应的栅线耦接，所述控制晶体管的第一极与对应的数据线耦接，所述控制晶体管的第二极与所述像素电极耦接；
所述显示基板还包括遮光层，所述遮光层包括多个遮光图形，所述遮光图形在所述基底上的正投影，与对应的所述控制晶体管的沟道部分在所述基底上的正投影至少部分交叠。
基于上述显示基板的技术方案，本公开的第二方面提供一种显示装置，包括上述显示基板。
此处所说明的附图用来提供对本公开的进一步理解，构成本公开的一部分，本公开的示意性实施例及其说明用于解释本公开，并不构成对本公开的不当限定。在附图中：
图1为本公开实施例提供的显示基板的第一布局示意图；
图2为图1中遮光层和有源层以及栅金属层的布局示意图；
图3为图3中栅线和数据线以及触控信号线的布局示意图；
图4为本公开实施例提供的显示基板的第二布局示意图；
图5为图4中遮光层和有源层以及栅金属层的布局示意图；
图6为本公开实施例提供的对多个显示基板测试线电阻均值和电阻均一性的示意图；
图7为本公开实施例提供的对两个显示基板采样的24处线电阻值示意图；
图8为图1中连接第一触控部分和第二触控部分的过孔的截面电镜图；
图9为图3中连接第一触控部分和第二触控部分的过孔的截面电镜图。
为了进一步说明本公开实施例提供的显示基板和显示装置，下面结合说明书附图进行详细描述。
本公开提供一种触控显示装置，所述触控显示装置包括栅线和多条数据线，所述栅线与所述数据线交叉设置，限定出多个子像素。所述触控显示装置还包括多个触控电极和多条触控信号线，所述触控信号线与对应的触控电极耦接。所述触控信号线与所述数据线同层同材料设置，所述触控信号线与部分数据线相邻。
上述触控显示装置中，所述触控信号线与所述数据线同层同材料设置，所述触控信号线与所述数据线在同一次构图工艺中形成。
该构图工艺主要包括如下流程：形成导电材料层。然后在该导电材料层上继续形成光刻胶，利用掩膜版对所述光刻胶进行曝光，形成光刻胶保留区域和光刻胶去除区域，所述光刻胶保留区域与所述触控信号线和所述数据线所在区域相对应，所述光刻胶去除区域与除所述触控信号线和所述数据线所在区域之外的其他区域相对应。利用显影液将位于所述光刻胶去除区域的光刻胶去除。以所述光刻胶保留区域剩余的光刻胶为掩膜，将光刻胶去除区域暴露出的导电材料层刻蚀去除。最后去除剩余的光刻胶，形成所述触控信号线和所述数据线。
由于在触控显示装置的部分区域，所述触控信号线与所述数据线相邻，这样所述触控信号线与相邻的数据线之间的间距很小，在进行上述刻蚀工艺时，容易在触控信号线和相邻的数据线之间残留导电材料，导致触控信号线和相邻的数据线之间发生短路不良。
而由于自动光学检测(AOI)设备检出能力有限，会有部分不良被漏检，进而导致后续形成的触控显示装置在显示时出现方格线不良。这种不良的发生率能够达到1.5％，对于大尺寸的触控显示产品这种不良更加凸显，发生率能够达到4％左右。
请参阅图1至图5，本公开实施例提供了一种显示基板，包括：基底和 设置于所述基底上的多个子像素，所述多个子像素呈阵列分布，所述多个子像素划分为多列子像素列；所述显示基板还包括：
多条数据线10(包括第一数据线101和第二数据线102)，所述数据线10与对应的一列子像素列中的各子像素分别耦接；
多个触控电极和多条触控信号线20，所述触控信号线20与对应的触控电极耦接；所述触控信号线20在所述基底上的正投影与对应的数据线10在所述基底上的正投影相邻；所述触控信号线20包括相耦接的第一触控部分201和第二触控部分202，所述第一触控部分201与所述第二触控部分202异层设置，所述第二触控部分202与所述数据线10同层同材料设置。
示例性的，所述多个子像素划分为多行子像素行和多列子像素列。所述多行子像素行沿第一方向排列，每行子像素行包括沿第二方向排列的多个子像素。所述多列子像素列沿所述第二方向排列，每列子像素列包括沿所述第一方向排列的多个子像素。示例性的，所述第一方向与所述第二方向相交。所述第一方向包括纵向，所述第二方向包括横向。
示例性的，所述显示基板还包括多条栅线40和多条数据线10，所述栅线40包括沿所述第二方向延伸的至少部分，所述数据线10包括沿所述第一方向延伸的至少部分。所述多条栅线40与所述多行子像素行一一对应。所述多条数据线10与所述多列子像素列一一对应。
示例性的，每个子像素均包括像素开口区，所述像素开口区为子像素的有效发光区域。
示例性的，所述触控电极呈阵列分布，每个触控电极在所述基底上的正投影，与至少两个像素开口在所述基底上的正投影至少部分交叠。
示例性的，所述触控信号线20包括沿所述第一方向延伸的至少部分。所述触控信号线20与对应的触控电极耦接，所述触控信号线20能够传输其耦接的触控电极上的触控信号。
示例性的，所述多条触控信号线20与至少部分所述数据线10一一对应，所述触控信号线20在所述基底上的正投影与对应的数据线10在所述基底上的正投影相邻。所述触控信号线20和对应的所述数据线10位于相邻的两列像素开口区之间。
示例性的，所述第一触控部分201和所述第二触控部分202之间具有绝缘层，所述第一触控部分201和所述第二触控部分202分别在不同的构图工艺中形成。所述第二触控部分202与所述数据线10同层同材料设置，所述第二触控部分202与所述数据线10能够在同一次构图工艺中同时形成。
根据上述显示基板的具体结构可知，本公开实施例提供的显示基板中，通过设置触控信号线20包括相耦接的第一触控部分201和第二触控部分202，所述第一触控部分201与所述第二触控部分202异层设置，所述第二触控部分202与所述数据线10同层同材料设置；使得每条触控信号线20中的所述第一触控部分201均能够与所述数据线10异层设置，从而使得所述第一触控部分201能够与所述数据线10在不同的构图工艺中形成，缩小了所述触控信号线20与对应的数据线10之间在同一膜层中相邻设置的布线比例，从而降低了刻蚀工艺中在触控信号线20和相邻的数据线10之间残留导电材料的风险，提升了触控信号线20和相邻的数据线10的制作良率，有效降低了显示基板在显示时出现方格线不良的概率。
如图1，图3和图4所示，在一些实施例中，所述第一触控部分201的一部分位于所述第二触控部分202与所述基底之间。
示例性的，所述第一触控部分201相对于所述第二触控部分202更靠近所述显示基板的基底。
示例性的，在同一条触控信号线20中，所述第一触控部分201在所述基底上的正投影与相邻的第二触控部分202在所述基底上的正投影具有交叠区域，在该交叠区域，所述第一触控部分201位于所述第二触控部分202与所述基底之间。
示例性的，所述第一触控部分201可以与位于所述第二触控部分202和所述基底之间的导电结构同层同材料设置，这样使得所述第一触控部分201能够与所述导电结构在同一次构图工艺中同时形成，避免为了制作所述第一触控部分201而增加额外的构图工艺，从而有效简化了显示基板的制作工艺流程，降低了显示基板的制作成本。
在一些实施例中，所述第二触控部分202的一部分位于所述第一触控部分201与所述基底之间。
示例性的，所述第二触控部分202相对于所述第一触控部分201更靠近所述显示基板的基底。
示例性的，在同一条触控信号线20中，所述第一触控部分201在所述基底上的正投影与相邻的第二触控部分202在所述基底上的正投影具有交叠区域，在该交叠区域，所述第二触控部分202位于所述第一触控部分201与所述基底之间。
示例性的，所述第一触控部分201可以与位于所述第二触控部分202背向所述基底的一侧的导电结构同层同材料设置，这样使得所述第一触控部分201能够与该导电结构在同一次构图工艺中同时形成，避免为了制作所述第一触控部分201而增加额外的构图工艺，从而有效简化了显示基板的制作工艺流程，降低了显示基板的制作成本。
如图1至图3所示，在一些实施例中，所述显示基板还包括遮光层，所述第一触控部分201与所述遮光层(包括遮光图形LS)同层同材料设置。
示例性的，对于窄边框显示基板，所述显示基板中的扇出线(Fanout线)可以采用所述遮光层制作。
示例性的，所述遮光层包括沿远离所述基底的方向依次层叠设置的第一钼金属层，铝金属层和第二钼金属层。示例性的，所述第一钼金属层在垂直于所述基底的方向上的厚度为
所述铝金属层在垂直于所述基底的方向上的厚度为
所述第二钼金属层在垂直于所述基底的方向上的厚度为
上述实施例提供的显示基板中，通过将所述第一触控部分201与所述遮光层同层同材料设置，使得所述第一触控部分201能够与所述遮光层在同一次构图工艺中同时形成，避免为了制作所述第一触控部分201而增加额外的构图工艺，从而有效简化了显示基板的制作工艺流程，降低了显示基板的制作成本。
如图4和图5所示，在一些实施例中，所述多个子像素划分为多行子像素行；所述显示基板还包括多条栅线40，所述栅线40与对应的一行子像素行中的各子像素分别耦接；所述第一触控部分201与所述栅线40同层同材料设置。
示例性的，所述栅线40包括沿远离所述基底的方向依次层叠设置的第一钼金属层，铝金属层和第二钼金属层。所述栅线40采用上述结构能够满足大尺寸显示基板的栅线loading需求。同时能够满足大尺寸显示基板中触控信号线20的线电阻要求，即小于0.1Ω/sq。
上述实施例提供的显示基板中，通过将所述第一触控部分201与所述栅线40同层同材料设置，使得所述第一触控部分201能够与所述栅线40在同一次构图工艺中同时形成，避免为了制作所述第一触控部分201而增加额外的构图工艺，从而有效简化了显示基板的制作工艺流程，降低了显示基板的制作成本。
在一些实施例中，所述第一触控部分201包括沿远离所述基底的方向依次层叠设置的钼金属层，铝金属层和钼金属层。
表1
需要说明，表1中，3K，2K，8K代表显示基板分辨率。设计需求中的频率指显示基板的刷新频率。表中的箭头代表与左侧相邻的一行相同。WQ代表分辨率为2560×1440像素的高清屏幕，同时也称为2K显示屏。FLK代表闪烁情况。
表2
需要说明，表2中CD代表关键尺寸。R/C代表充电率水平。
如图6所示，横坐标代表测试的显示基板。左侧纵坐标代表在显示基板上选取24个测试点，这24个测试点对应的线电阻的电阻均值。右侧纵坐标代表显示基板的线电阻的均一性。图6中条状图形示意了显示基板中24个测试点对应的线电阻的电阻均值。曲线示意了显示基板的线电阻的均一性。
图6中，A1-A6的显示基板中，对应Mo/Al/Mo的厚度为250/3000/800。A7-B4的显示基板中，对应Mo/Al/Mo的厚度为500/3000/300。B5-C2的显示基板中，对应Mo/Al/Mo的厚度为800/3000/300。C3-C8的显示基板中，对应Mo/Al/Mo的厚度为800/3000/500。上述厚度的单位均为
需要说明，Mo/Al/Mo指的是：靠近基底的Mo金属层/Al金属层/远离基底的Mo金属层。
如图7所示，示意了两个窄边框显示基板(第一触控部分与遮光层同层同材料制作)中24个测试点对应的线电阻值。图7中横坐标代表24个测试点，纵坐标代表线电阻值。
参见上述表1和表2，图6和图7，经研究发现，主流Mobile(手机)、TPC(平板)、NB(平板电脑)等显示产品逐渐有高频需求，显示产品中的栅线40采用单层钼金属制作无法达成极高频充电规格。MNT(显示器)大尺寸高分辨率显示产品因loading过大，错充严重，无法正常显示。车载、NB显 示产品在中尺寸TDDI产品中因为栅线loading的增大导致栅线40与公共电极60之间的耦合存在差异，进而引起面内闪烁，显示均一性差，无法满足产品要求。
金属Al的导电性更适合中大尺寸产品，但Al易氧化，需要Mo金属保护，基于以上，经验证，最终确定栅线40采用沿远离所述基底的方向依次层叠设置的钼金属层，铝金属层和钼金属层，靠近基底的钼金属层在垂直于基底的方向上的厚度为
铝金属层在垂直于基底的方向上的厚度为
远离基底的钼金属层在垂直于基底的方向上的厚度为
所述触控信号线20利用与栅线40相同的膜层结构进行跳线，能够满足大尺寸显示基板中触控信号线20的线电阻要求，即小于0.1Ω/sq。
对于窄边框显示基板，所述显示基板中的扇出线采用所述遮光层制作。所述遮光层包括沿远离所述基底的方向依次层叠设置的钼金属层，铝金属层和钼金属层。示例性的，靠近基底的钼金属层在垂直于所述基底的方向上的厚度为
所述铝金属层在垂直于所述基底的方向上的厚度为
远离基底的钼金属层在垂直于所述基底的方向上的厚度为
利用遮光层跳线的触控信号线20能够满足小尺寸、窄边框显示基板中触控信号线20的线电阻要求，即小于0.3Ω/sq。
上述实施例提供的显示基板中，设置所述第一触控部分201包括沿远离所述基底的方向依次层叠设置的钼金属层，铝金属层和钼金属层，能够满足触控信号线20的线电阻要求，且具有较高的工艺可行性。
在一些实施例中，在同一条触控信号线20中，所述第一触控部分201的长度与所述触控信号线20在所述基底上的正投影的总长度的比值大于50％。
示例性的，所述第一触控部分201的长度即：所述第一触控部分201沿其自身延伸方向上的长度。
示例性的，所述触控信号线20在所述基底上的正投影的总长度即：所述触控信号线20在所述基底上的正投影沿其自身延伸方向上的总长度。
示例性的，在同一条触控信号线20中，所述第一触控部分201的长度与所述触控信号线20在所述基底上的正投影的总长度的比值大于60％。
示例性的，在同一条触控信号线20中，所述第一触控部分201的长度与 所述触控信号线20在所述基底上的正投影的总长度的比值包括63％。
上述设置在同一条触控信号线20中，所述第一触控部分201的长度与所述触控信号线20在所述基底上的正投影的总长度的比值大于50％，
有效缩小了所述触控信号线20与对应的数据线10之间在同一膜层中相邻设置的布线比例，降低了刻蚀工艺中在触控信号线20和相邻的数据线10之间残留导电材料的风险，提升了触控信号线20和相邻的数据线10的制作良率，能够将所述显示基板在显示时出现方格线不良的概率由4％降低至1.48％，能够将所述显示基板的良率提升2.52％。
如图1，图4，图8和图9所示，在一些实施例中，在同一条触控信号线20中，所述第一触控部分201与相邻的第二触控部分202通过过孔耦接。
如图1，图4，图8和图9所示，在一些实施例中，在同一条触控信号线20中，所述第一触控部分201在所述基底上的正投影与所述第二触控部分202在所述基底上的正投影交替设置，所述第一触控部分201在所述基底上的正投影，与相邻的所述第二触控部分202在所述基底上的正投影具有交叠区域，所述第一触控部分201与相邻的第二触控部分202在交叠区域通过过孔耦接。
示例性的，一条触控信号线20包括多个第一触控部分201和多个第二触控部分202，所述第一触控部分201在所述基底上的正投影与所述第二触控部分202在所述基底上的正投影交替设置。
示例性的，所述第二触控部分202和所述数据线10均包括沿远离所述基底的方向依次层叠设置的钛金属层，铝金属层和钛金属层。
示例性的，所述第一触控部分201和所述第二触控部分202之间具有至少一层绝缘层，连接所述第一触控部分201和所述第二触控部分202的过孔贯穿所述至少一层绝缘层。
如图8所示，图8中示意了第一触控部分201(与遮光层同层同材料设置)和第二触控部分202，以及贯穿所述第一触控部分201和所述第二触控部分202之间的绝缘层(包括缓冲层BUF和层间绝缘层ILD)的过孔Via1。
如图9所示，图9中示意了第一触控部分201(与栅线同层同材料设置，厚度为413nm)以及贯穿所述第一触控部分201上方的层间绝缘层ILD的过孔Via2。图9中还示意了第一触控部分201中远离基底的Mo金属层的厚度 为47.4nm。
设置所述第一触控部分201包括沿远离所述基底的方向依次层叠设置的第一钼金属层，铝金属层和第二钼金属层。所述第二触控部分202包括沿远离所述基底的方向依次层叠设置的钛金属层，铝金属层和钛金属层。触控信号线20采用上述结构的第一触控部分201和第二触控部分202跳线，很好的满足了跳线线电阻要求，具有很高的工艺可行性，对于提升显示显示基板的良率有显著作用。
如图2和图5所示，在一些实施例中，所述多个子像素划分为多行子像素行；所述显示基板还包括多条栅线40，所述栅线40与对应的一行子像素行中的各子像素分别耦接；
沿所述数据线10的延伸方向，所述栅线40在所述基底上的正投影与所述第一触控部分201在所述基底上的正投影交替排列。
示例性的，所述第一触控部分201在所述基底上的正投影与所述栅线40在所述基底上的正投影不交叠。
示例性的，至少部分所述第一触控部分201在所述基底上的正投影，位于相邻的所述栅线40在所述基底上的正投影之间。
上述实施例提供的显示基板中，通过设置沿所述数据线10的延伸方向，所述栅线40在所述基底上的正投影与所述第一触控部分201在所述基底上的正投影交替排列，降低了所述第一触控部分201与所述栅线40发生短路的风险。
而且，上述设置方式能够实现将所述第一触控部分201与所述栅线40同层同材料设置。
如图1和图4所示，在一些实施例中，设置所述子像素还包括像素电极50，所述第一触控部分201在所述基底上的正投影，与所述像素电极50在所述基底上的正投影不交叠。
示例性的，所述像素电极50上设置有多条狭缝。
示例性的，所述像素电极50包括位于像素开口区的部分。
上述实施例提供的显示基板中，通过设置所述第一触控部分201在所述基底上的正投影，与所述像素电极50在所述基底上的正投影不交叠，降低了 所述第一触控部分201与所述像素电极50发生短路的风险，避免了所述第一触控部分201与所述像素电极50之间形成寄生电容，有效提升了所述显示基板的稳定性。
如图1和图4所示，在一些实施例中，所述子像素还包括公共电极60，所述第一触控部分201在所述基底上的正投影，与所述公共电极60在所述基底上的正投影至少部分交叠。
示例性的，所述第一触控部分201在所述基底上的正投影，被所述公共电极60在所述基底上的正投影覆盖。
示例性的，所述显示基板中的多个子像素划分为多个像素单元，所述像素单元包括沿所述第二方向依次排列的至少两个子像素。示例性的，所述像素单元包括沿所述第二方向依次排列的红色子像素，绿色子像素和蓝色子像素。所述显示基板包括阵列分布的多个公共电极60，所述多个公共电极60与所述多个像素单元一一对应。
示例性的，所述公共电极60在所述基底上的正投影与对应的像素单元包括的像素开口区在所述基底上的正投影至少部分交叠。
示例性的，所述公共电极60在所述基底上的正投影覆盖对应的像素单元包括的各像素开口区在所述基底上的正投影。
如图1和图4所示，在一些实施例中，设置至少部分所述第二触控部分202在所述基底上的正投影，与所述栅线40在所述基底上的正投影部分交叠。
示例性的，所述第二触控部分202和所述数据线10采用所述显示基板中的源漏金属层制作，所述第二触控部分202与所述栅线40之间具有绝缘层。
上述设置方式使得所述触控信号线20能够通过所述第二触控部分202跨过所述栅线40，而不会与所述栅线40发生短路，保证了所述显示基板的良率。
如图1和图3所示，在一些实施例中，所述数据线10与所述子像素列交替设置；所述多条数据线10包括多条第一数据线101和多条第二数据线102，所述多条触控信号线20与所述多条第一数据线101一一对应，所述触控信号线20与对应的所述第一数据线101相邻；至少部分相邻的所述触控信号线20和所述第一数据线101位于相邻的两列子像素列之间；
所述第一数据线101包括第一数据部分1011和第二数据部分1012，沿所述第一数据线101的延伸方向，所述第一数据部分1011与所述第二数据部分1012交替设置，所述第二数据部分1012与对应的子像素中的控制晶体管TFT耦接；
所述第二数据线102包括依次循环设置的第三数据部分1021，第四数据部分1022和第五数据部分1023，所述第四数据部分1022与对应的子像素中的控制晶体管TFT耦接，所述第五数据部分1023在所述基底上的正投影与所述栅线40在所述基底上的正投影至少部分交叠；
所述第三数据部分1021在垂直于其自身延伸方向上的宽度d1，大于所述第一数据部分1011在垂直于其自身延伸方向上的宽度d2，且大于所述第一触控部分201在垂直于其自身延伸方向上的宽度。
示例性的，所述数据线与所述子像素列沿所述第二方向交替设置。
示例性的，所述第一数据线101与其对应的一列子像素列中的各子像素分别耦接。所述第二数据线102与其对应的一列子像素列中的各子像素分别耦接。
示例性的，所述第一数据部分1011和所述第二数据部分1012形成为一体结构。第三数据部分1021，第四数据部分1022和第五数据部分1023形成为一体结构。所述第一数据线101和所述第二数据线102均采用源漏金属层制作。
示例性的，所述第一数据部分1011在所述基底上的正投影与所述栅线40在所述基底上的正投影至少部分交叠。
示例性的，所述第一数据部分1011在垂直于其自身延伸方向上的宽度等于所述第一触控部分201在垂直于其自身延伸方向上的宽度。
示例性的，所述第一数据部分1011在垂直于其自身延伸方向上的宽度为2.4微米。所述第一触控部分201在垂直于其自身延伸方向上的宽度为2.4微米。所述第一数据部分1011在所述基底上的正投影与相邻的所述第一触控部分201在所述基底上的正投影之间的距离为2.6微米。
上述实施例提供的显示基板中，通过设置所述第三数据部分1021在垂直于其自身延伸方向上的宽度，大于所述第一数据部分1011在垂直于其自身延 伸方向上的宽度，且大于所述第一触控部分201在垂直于其自身延伸方向上的宽度；在保证相邻的子像素列之间距离的均一性的同时，有效降低了所述第二数据线102的负载，保证了所述触控信号线20和所述第一数据线101的传输性能。
如图1和图4所示，在一些实施例中，所述多列子像素列划分为多列像素单元列，每列像素单元列包括相邻的至少两列子像素列；所述触控信号线20与所述像素单元列交替设置。
示例性的，每列像素单元列包括红色子像素列，绿色子像素和蓝色子像素列。所述红色子像素列包括多个红色子像素，所述绿色子像素列包括多个绿色子像素，所述蓝色子像素列包括多个蓝色子像素。
示例性的，所述触控信号线20与所述像素单元列交替设置，所述第一数据线101与所述像素单元列交替设置。
如图1至图5所示，在一些实施例中，所述子像素包括控制晶体管TFT和像素电极50，所述控制晶体管TFT的栅极与对应的栅线40耦接，所述控制晶体管TFT的第一极与对应的数据线耦接，所述控制晶体管TFT的第二极与所述像素电极50耦接；
所述显示基板还包括遮光层，所述遮光层包括多个遮光图形LS，所述遮光图形LS在所述基底上的正投影，与对应的所述控制晶体管TFT的沟道部分在所述基底上的正投影至少部分交叠。
示例性的，所述像素电极上设置有狭缝。
示例性的，所述控制晶体管TFT的第二极通过导电连接部70与所述像素电极50耦接。
示例性的，所述栅线40与对应的一行子像素行中的各控制晶体管TFT的栅极分别耦接，所述数据线与对应的一列子像素列中的各控制晶体管TFT的第一极分别耦接。
示例性的，所述控制晶体管TFT包括开关晶体管，所述控制晶体管TFT能够在其耦接的栅线40的控制下导通或截止。所述控制晶体管TFT能够将其耦接的数据线上传输的数据电压传输至其所属子像素中的像素电极50上。
示例性的，所述多个遮光图形LS相互独立，所述多个遮光图形LS与所 述多个子像素一一对应，所述遮光图形LS在所述基底上的正投影，与其对应的子像素中的控制晶体管TFT的沟道部分在所述基底上的正投影至少部分交叠。示例性的，所述遮光图形LS在所述基底上的正投影，覆盖与其对应的子像素中的控制晶体管TFT的沟道部分在所述基底上的正投影。
本公开实施例还提供了一种显示装置，包括上述实施例提供的显示基板。
需要说明的是，所述显示装置可以为：电视、显示器、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件，所述显示装置还包括柔性电路板、印刷电路板和背板等。
示例性的，所述显示装置包括触控与显示驱动器集成(英文：Touch and Display Driver Integration，简称TDDI)的显示装置。所述显示装置包括大尺寸TDDI显示装置，小尺寸TDDI显示装置，窄边框TDDI显示装置。
示例性的，所述显示装置包括液晶触控显示装置。
上述实施例提供的显示基板中，通过设置触控信号线包括相耦接的第一触控部分和第二触控部分，所述第一触控部分与所述第二触控部分异层设置，所述第二触控部分与所述数据线同层同材料设置；使得每条触控信号线中的所述第一触控部分均能够与所述数据线异层设置，从而使得所述第一触控部分能够与所述数据线在不同的构图工艺中形成，缩小了所述触控信号线与对应的数据线之间在同一膜层中相邻设置的布线比例，从而降低了刻蚀工艺中在触控信号线和相邻的数据线之间残留导电材料的风险，提升了触控信号线和相邻的数据线的制作良率，有效降低了显示基板在显示时出现方格线不良的概率。
本公开实施例提供的显示装置在包括上述显示基板时，同样具有上述有益效果，此处不再赘述。
需要说明，本公开实施例中，信号线沿X方向延伸是指：信号线包括主要部分和与所述主要部分连接的次要部分，所述主要部分是线、线段或条形状体，所述主要部分沿X方向延展，且所述主要部分沿X方向延展的长度大于次要部分沿其它方向伸展的长度。
需要说明的是，本公开实施例的“同层”可以指的是处于相同结构层上的膜层。或者例如，处于同层的膜层可以是采用同一成膜工艺形成用于形成 特定图形的膜层，然后利用同一掩模板通过一次构图工艺对该膜层图案化所形成的层结构。根据特定图形的不同，一次构图工艺可能包括多次曝光、显影或刻蚀工艺，而形成的层结构中的特定图形可以是连续的也可以是不连续的。这些特定图形还可能处于不同的高度或者具有不同的厚度。
在本公开各方法实施例中，所述各步骤的序号并不能用于限定各步骤的先后顺序，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，对各步骤的先后变化也在本公开的保护范围之内。
需要说明，本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于方法实施例而言，由于其基本相似于产品实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见产品实施例的部分说明即可。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”、“耦接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。
可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本公开的具体实施方式，但本公开的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此，本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (15)
- 一种显示基板，包括：基底和设置于所述基底上的多个子像素，所述多个子像素呈阵列分布，所述多个子像素划分为多列子像素列；所述显示基板还包括：多条数据线，所述数据线与对应的一列子像素列中的各子像素分别耦接；多个触控电极和多条触控信号线，所述触控信号线与对应的触控电极耦接；所述触控信号线在所述基底上的正投影与对应的数据线在所述基底上的正投影相邻；所述触控信号线包括相耦接的第一触控部分和第二触控部分，所述第一触控部分与所述第二触控部分异层设置，所述第二触控部分与所述数据线同层同材料设置。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一触控部分的一部分位于所述第二触控部分与所述基底之间。
- 根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述显示基板还包括遮光层，所述第一触控部分与所述遮光层同层同材料设置。
- 根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述多个子像素划分为多行子像素行；所述显示基板还包括多条栅线，所述栅线与对应的一行子像素行中的各子像素分别耦接；所述第一触控部分与所述栅线同层同材料设置。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述第一触控部分包括沿远离所述基底的方向依次层叠设置的钼金属层，铝金属层和钼金属层。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，在同一条触控信号线中，所述第一触控部分的长度与所述触控信号线在所述基底上的正投影的总长度的比值大于50％。
- 根据权利要求1所述的显示基板，其中，在同一条触控信号线中，所述第一触控部分与相邻的第二触控部分通过过孔耦接。
- 根据权利要求1～7中任一项所述的显示基板，其中，所述多个子像素划分为多行子像素行；所述显示基板还包括多条栅线，所述栅线与对应的一行子像素行中的各子像素分别耦接；沿所述数据线的延伸方向，所述栅线在所述基底上的正投影与所述第一触控部分在所述基底上的正投影交替排列。
- 根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述子像素还包括像素电极，所述第一触控部分在所述基底上的正投影，与所述像素电极在所述基底上的正投影不交叠。
- 根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述子像素还包括公共电极，所述第一触控部分在所述基底上的正投影，与所述公共电极在所述基底上的正投影至少部分交叠。
- 根据权利要求8所述的显示基板，其中，至少部分所述第二触控部分在所述基底上的正投影，与所述栅线在所述基底上的正投影部分交叠。
- 根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述数据线与所述子像素列交替设置；所述多条数据线包括多条第一数据线和多条第二数据线，所述多条触控信号线与所述多条第一数据线一一对应，所述触控信号线与对应的所述第一数据线相邻；至少部分相邻的所述触控信号线和所述第一数据线位于相邻的两列子像素列之间；所述第一数据线包括第一数据部分和第二数据部分，沿所述第一数据线的延伸方向，所述第一数据部分与所述第二数据部分交替设置，所述第二数据部分与对应的子像素中的控制晶体管耦接；所述第二数据线包括依次循环设置的第三数据部分，第四数据部分和第五数据部分，所述第四数据部分与对应的子像素中的控制晶体管耦接，所述第五数据部分在所述基底上的正投影与所述栅线在所述基底上的正投影至少部分交叠；所述第三数据部分在垂直于其自身延伸方向上的宽度，大于所述第一数据部分在垂直于其自身延伸方向上的宽度，且大于所述第一触控部分在垂直于其自身延伸方向上的宽度。
- 根据权利要求12所述的显示基板，其中，所述多列子像素列划分为多列像素单元列，每列像素单元列包括相邻的至少两列子像素列；所述触控信号线与所述像素单元列交替设置。
- 根据权利要求8所述的显示基板，其中，所述子像素包括控制晶体 管和像素电极，所述控制晶体管的栅极与对应的栅线耦接，所述控制晶体管的第一极与对应的数据线耦接，所述控制晶体管的第二极与所述像素电极耦接；所述显示基板还包括遮光层，所述遮光层包括多个遮光图形，所述遮光图形在所述基底上的正投影，与对应的所述控制晶体管的沟道部分在所述基底上的正投影至少部分交叠。
- 一种显示装置，包括如权利要求1～14中任一项所述的显示基板。
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