CN116855913A - 一种去除光学薄膜节瘤缺陷表面球冠状凸起的抛光方法 - Google Patents
一种去除光学薄膜节瘤缺陷表面球冠状凸起的抛光方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN116855913A CN116855913A CN202210329698.6A CN202210329698A CN116855913A CN 116855913 A CN116855913 A CN 116855913A CN 202210329698 A CN202210329698 A CN 202210329698A CN 116855913 A CN116855913 A CN 116855913A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- film
- polishing
- liquid
- spherical crown
- defect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000007547 defect Effects 0.000 title claims abstract description 57
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 53
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000012788 optical film Substances 0.000 title claims abstract description 23
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 84
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims abstract description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 16
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 9
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000000428 dust Substances 0.000 claims description 6
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 3
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 claims description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 3
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 abstract description 22
- 230000005684 electric field Effects 0.000 abstract description 7
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 11
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical group CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 235000019441 ethanol Nutrition 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007735 ion beam assisted deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004005 microsphere Substances 0.000 description 1
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000009528 severe injury Effects 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
- C23C14/5873—Removal of material
- C23C14/588—Removal of material by mechanical treatment
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B13/00—Machines or devices designed for grinding or polishing optical surfaces on lenses or surfaces of similar shape on other work; Accessories therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/58—After-treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Grinding And Polishing Of Tertiary Curved Surfaces And Surfaces With Complex Shapes (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及光学薄膜领域,主要针对降低光学薄膜损伤阈值的节瘤缺陷,具体涉及一种基于去除节瘤缺陷表面球冠状凸起提高薄膜激光损伤阈值的方法。本发明提供的方法包括:使用粗糙度小于薄膜元件的光滑表面作为抛光面;利用润湿性良好的液体在抛光面和薄膜表面间形成液膜,液膜产生的毛细力作为作用在薄膜表面的正压力;膜面的节瘤凸起在抛光面和膜面的相对滑动过程中由摩擦力去除。本发明利用光滑表面和润湿性良好的液体去除薄膜表面的节瘤凸起,降低了节瘤缺陷引起的电场增强,在不影响薄膜光谱性能的前提下提升了薄膜元件的激光损伤阈值。与现有的提高光学薄膜激光损伤阈值的方法相比,本发明具有操作简单、成本低和适用范围广等特点。
Description
技术领域
本发明涉及光学薄膜,尤其是一种去除光学薄膜节瘤缺陷表面球冠状凸起的抛光方法。
背景技术
随着激光技术的不断发展,光学薄膜在激光系统中有着越来越广泛和重要的应用。然而,光学薄膜是激光系统中最容易损伤的薄弱环节,是限制激光系统功率提高的关键因素。国内神光系列激光装置及美国国家点火装置(NIF)等高功率激光系统不断对光学薄膜的抗激光损伤性能提出更高要求。国内外研究人员开展的大量理论和实验研究表明,节瘤缺陷是降低纳秒激光系统高反射薄膜等薄膜元件激光损伤阈值的主要因素之一(LightSci.Appl.2013,2,e80)。节瘤缺陷是由颗粒生长而成的具有球冠状凸起的倒置锥形缺陷,凸出于薄膜表面的球冠会改变局部入射光的入射角从而引起透射率的变化,进而引起节瘤缺陷及其附近膜层的电场分布发生变化,导致局部电场强度增强。激光辐照区域局部位置出现更高的电场强度会更易诱发薄膜损伤,从而降低薄膜元件的激光损伤阈值。目前,针对节瘤缺陷对薄膜抗损伤性能的降低,主要采用以下两类方法来提升薄膜的激光损伤阈值:
一是通过优化镀膜工艺减少节瘤缺陷的生成或抑制节瘤缺陷的喷发。例如,以金属铪代替氧化铪作为初始镀膜材料可以降低膜层内节瘤缺陷的密度,但该方法只能在一定程度上减少缺陷的种子源,节瘤缺陷对薄膜阈值的限制仍存在。采用离子束薄膜平滑技术,通过沉积-刻蚀多次循环的方法可以有效平滑基底的凸缺陷实现抑制节瘤缺陷的生成,但该方法工艺复杂、耗时较长且大口径元件不易实现均匀刻蚀。此外,通过膜系设计优化节瘤缺陷处的电场分布和通过离子束辅助沉积改善节瘤缺陷边界连续性等工艺也可以抑制节瘤缺陷的喷发,但节瘤缺陷仍是限制薄膜元件损伤阈值进一步提升的关键。
二是采用纳秒激光预处理技术可以降低节瘤缺陷诱发薄膜损伤的几率。一方面,边界结合力较差的节瘤缺陷会在激光预处理过程中自发喷发,留下较稳定的节瘤坑,降低了使用过程中节瘤缺陷诱发薄膜严重损伤的可能;另一方面,纳秒激光辐照的热效应可能在一定程度上改善节瘤缺陷连续性较差的边界状况,节瘤缺陷被热加固,因而其喷发受到抑制。但是,激光预处理存在着低阈值缺陷去除不完全、不同薄膜预处理工艺不同、预处理效果差异较大且预处理过程耗时较长等问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于克服上述现有技术的不足,提供一种基于去除节瘤缺陷表面球冠状凸起提高光学薄膜损伤阈值的方法。本发明提供的方法包括:使用粗糙度小于薄膜元件的光滑表面作为抛光面;利用润湿性良好的液体在抛光面和薄膜表面间形成液膜,液膜产生的毛细力作为作用在薄膜表面的正压力;膜面的节瘤凸起在抛光面和膜面的相对滑动过程中由摩擦力去除。本发明利用光滑表面和润湿性良好的液体去除薄膜表面的节瘤凸起,降低了节瘤缺陷引起的电场增强,在不影响薄膜光谱性能的前提下提升了薄膜元件的激光损伤阈值。与现有的提高光学薄膜激光损伤阈值的方法相比,本发明具有操作简单、成本低和适用范围广等特点。
本发明的技术解决方案如下:
一种去除光学薄膜节瘤缺陷表面球冠状凸起的抛光方法,其特点在于:使用粗糙度小于薄膜元件的光滑表面作为抛光面;利用润湿性良好的液体在抛光面和薄膜表面间形成液膜,液膜产生的毛细力作为作用在薄膜表面的正压力;膜面的节瘤凸起在抛光面和膜面的相对滑动过程中由摩擦力去除。
根据上述去除节瘤缺陷表面球冠状凸起的方法,所述光滑表面是晶体或玻璃的光滑表面。
根据上述去除节瘤缺陷表面球冠状凸起的方法,所述润湿性良好的液体与薄膜表面及抛光面间的接触角都小于90°,且不与薄膜表面和抛光面发生化学反应。
根据上述去除节瘤缺陷表面球冠状凸起的方法,所述毛细力来源于液膜内外的压强差(附加压强),且随液膜厚度变薄而增大。
根据上述去除节瘤缺陷表面球冠状凸起的方法,该制备方法包括以下步骤:
①清洗:在去离子水中超声清洗抛光面,去除抛光面上吸附的杂质颗粒;
②润湿:向抛光面滴加润湿性良好的液体,液体在抛光面上迅速扩散;
③主抛光:将薄膜表面置于抛光面上,薄膜表面和抛光面间形成均匀的液膜,推动薄膜元件在抛光面上匀速转动,转动过程中液膜逐渐变薄,薄膜表面和抛光面间的毛细力逐渐增大,薄膜表面的节瘤凸起在转动过程中逐渐由摩擦力去除;
④清洗:在去离子水中超声清洗抛光面,用去离子水冲洗薄膜表面,去除主抛光过程中产生的大部分磨屑颗粒;
⑤精抛光:在水流下将薄膜表面置于抛光面上,推动薄膜元件在抛光面上匀速转动,主抛光过程中吸附在薄膜表面的磨屑颗粒在转动过程中被逐渐去除;
⑥干燥:将薄膜元件置于高温烘烤灯下烤干。
本发明的技术效果:
1.本发明利用光滑表面和润湿性良好的液体去除薄膜表面的节瘤凸起,降低了节瘤缺陷引起的电场增强,显著提升了薄膜元件的激光损伤阈值。
2.本发明在去除节瘤凸起的过程中未引入磨料颗粒且无化学反应发生,仅节瘤凸起被有效去除,不会对薄膜元件的光谱性能等造成影响。
3.本发明方法经济易行,操作简单,适用于不同尺寸、不同沉积工艺制备的光学薄膜元件。
4.本发明适用范围广,不仅适用于阈值受节瘤缺陷影响较大的高反射薄膜,还适用于损伤阈值受节瘤缺陷影响的其它光学薄膜元件。
附图说明
图1是节瘤缺陷和去除球冠状凸起的节瘤缺陷的电子显微形貌图。图1(a)是节瘤缺陷的电子显微形貌图;图1(b)是去除球冠状凸起的节瘤缺陷电子显微形貌图。
图2是采用本发明方法去除节瘤缺陷球冠状凸起的薄膜样品和未处理样品的激光损伤几率曲线,激光波长为355nm。
图3是节瘤缺陷剖面图和去除球冠状凸起的节瘤缺陷剖面图。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明作进一步说明。
实施例
以45度角入射,355nm处s偏振分量反射率>99.5%,预植节瘤缺陷种子源为粒径550nm二氧化硅微球的紫外反射薄膜(粗糙度约2nm)为例,说明本发明基于去除节瘤缺陷表面球冠状凸起提高薄膜激光损伤阈值的方法。光滑表面选用直径为8英寸的硅片抛光面(粗糙度小于0.5nm),润湿性良好的液体选用无水乙醇。图1是节瘤缺陷和去除球冠状凸起的节瘤缺陷的电子显微形貌图。该方法包括下列步骤:
①清洗:在去离子水中超声清洗硅片5min,去除硅片上吸附的杂质颗粒;
②润湿:向硅片抛光面滴加无水乙醇,乙醇在抛光面上迅速扩散;
③主抛光:将薄膜表面置于硅片抛光面上,薄膜表面和硅片抛光面间形成均匀的乙醇液膜,推动薄膜元件在硅片抛光面上匀速转动,转动过程中乙醇液膜逐渐变薄,薄膜表面和硅片抛光面间的毛细力逐渐增大,薄膜表面的节瘤凸起在转动过程中逐渐由摩擦力去除;
④清洗:在去离子水中超声清洗硅片5min,用去离子水冲洗薄膜表面5min,去除主抛光过程中产生的大部分磨屑颗粒;
⑤精抛光:在水流下将薄膜表面置于硅片抛光面上,推动薄膜元件在硅片抛光面上匀速转动,主抛光过程中吸附在薄膜表面的磨屑颗粒在转动过程中被逐渐去除;
⑥干燥:将薄膜元件置于高温烘烤灯下烘烤约5min。
⑦光谱性能测量:
采用Lambda 1050分光光度计分别对经过本发明方法处理和未处理的光学薄膜进行光谱测量。入射角度为45°,s偏振分量,测量波长:300nm~1200nm,测试量:透射率值。反射率值由100%减去透射率值而得。
测试结果表明,薄膜元件经本发明方法处理后光谱性能不变。
⑧激光损伤阈值测量:
根据ISO21254测试标准,采用1-on-1的测试方法分别对经过本发明方法处理和未处理的光学薄膜进行测试。脉冲宽度:8ns,入射角度:45°,光斑面积:0.30mm2,偏振态:s分量。
测试结果表明:本发明方法处理后的光学薄膜损伤阈值显著提升。图2是采用本发明方法去除节瘤缺陷球冠状凸起的薄膜样品和未处理样品的激光损伤几率曲线,激光波长为355nm。
Claims (5)
1.一种去除光学薄膜节瘤缺陷表面球冠状凸起的抛光方法,其特征在于:使用粗糙度小于薄膜元件的光滑表面作为抛光面;利用润湿性良好的液体在抛光面和薄膜表面间形成液膜,液膜产生的毛细力作为作用在薄膜表面的正压力;膜面的节瘤凸起在抛光面和膜面的相对滑动过程中由摩擦力去除。
2.根据权利要求1所述的去除光学薄膜节瘤缺陷表面球冠状凸起的抛光方法,其特征在于,所述抛光面是晶体或玻璃的光滑表面。
3.根据权利要求1所述的去除光学薄膜节瘤缺陷表面球冠状凸起的抛光方法,其特征在于,所述润湿性良好的液体与薄膜表面及抛光面间的接触角都小于90°,且不与薄膜表面和抛光面发生化学反应。
4.根据权利要求3所述的去除光学薄膜节瘤缺陷表面球冠状凸起的抛光方法,其特征在于,所述毛细力来源于液膜内外的压强差(附加压强),且随液膜厚度变薄而增大。
5.根据权利要求1-4任一所述的去除光学薄膜节瘤缺陷表面球冠状凸起的抛光方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:
①清洗:在去离子水中超声清洗抛光面,去除抛光面上吸附的杂质颗粒;
②润湿:向抛光面滴加润湿性良好的液体,液体在抛光面上迅速扩散;
③主抛光:将薄膜表面置于抛光面上,薄膜表面和抛光面间形成均匀的液膜,推动薄膜元件在抛光面上匀速转动,转动过程中液膜逐渐变薄,薄膜表面和抛光面间的毛细力逐渐增大,薄膜表面的节瘤凸起在转动过程中逐渐由摩擦力去除;
④清洗:在去离子水中超声清洗抛光面,用去离子水冲洗薄膜表面,去除主抛光过程中产生的大部分磨屑颗粒;
⑤精抛光:在水流下将薄膜表面置于抛光面上,推动薄膜元件在抛光面上匀速转动,主抛光过程中吸附在薄膜表面的磨屑颗粒在转动过程中被逐渐去除;
⑥干燥:将薄膜元件置于高温烘烤灯下烤干。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210329698.6A CN116855913A (zh) | 2022-03-28 | 2022-03-28 | 一种去除光学薄膜节瘤缺陷表面球冠状凸起的抛光方法 |
PCT/CN2022/089449 WO2023184634A1 (zh) | 2022-03-28 | 2022-04-27 | 一种去除光学薄膜节瘤缺陷表面球冠状凸起的抛光方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN202210329698.6A CN116855913A (zh) | 2022-03-28 | 2022-03-28 | 一种去除光学薄膜节瘤缺陷表面球冠状凸起的抛光方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN116855913A true CN116855913A (zh) | 2023-10-10 |
Family
ID=88198728
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202210329698.6A Pending CN116855913A (zh) | 2022-03-28 | 2022-03-28 | 一种去除光学薄膜节瘤缺陷表面球冠状凸起的抛光方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN116855913A (zh) |
WO (1) | WO2023184634A1 (zh) |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100335581C (zh) * | 2004-11-24 | 2007-09-05 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 硫系相变材料化学机械抛光的无磨料抛光液及其应用 |
CN101310922A (zh) * | 2008-02-29 | 2008-11-26 | 哈尔滨工业大学 | 磷酸二氢钾晶体潮解抛光方法 |
WO2014058452A1 (en) * | 2012-10-12 | 2014-04-17 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Planarization of optical substrates |
CN104498887A (zh) * | 2014-12-02 | 2015-04-08 | 中国航天科工集团第三研究院第八三五八研究所 | 一种超低损耗反射镜镀膜基板节瘤缺陷预处理方法 |
CN105200389B (zh) * | 2015-10-30 | 2018-11-16 | 西安工业大学 | 一种提高氧化物薄膜激光损伤阈值的热处理设备与方法 |
CN106903424B (zh) * | 2017-02-20 | 2018-05-29 | 温州大学激光与光电智能制造研究院 | 一种基于激光冲击波提高光学元件力学性能的后处理方法 |
CN111379009B (zh) * | 2020-04-30 | 2022-04-29 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 一种薄膜铌酸锂光波导芯片抛光装置的抛光方法 |
-
2022
- 2022-03-28 CN CN202210329698.6A patent/CN116855913A/zh active Pending
- 2022-04-27 WO PCT/CN2022/089449 patent/WO2023184634A1/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2023184634A1 (zh) | 2023-10-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8877539B2 (en) | Method for producing a photovoltaic cell including the preparation of the surface of a crystalline silicon substrate | |
US7563722B2 (en) | Method of making a textured surface | |
Owen et al. | Novel etch process to tune crater size on magnetron sputtered ZnO: Al | |
KR101510578B1 (ko) | 태양전지용 표면처리 도전성 유리 제조 방법 | |
KR20030081662A (ko) | 이중층 반사방지막이 형성된 태양전지 | |
KR20150067057A (ko) | 반사 방지 기능을 갖는 부재 및 그 제조 방법 | |
Jia et al. | Preparation and properties of five-layer graded-refractive-index antireflection coating nanostructured by solid and hollow silica particles | |
JP4430488B2 (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
Addie et al. | Amorphous carbon nitride dual-function anti-reflection coating for crystalline silicon solar cells | |
JP4863409B2 (ja) | エッチングによって半導体ウェハを処理するための方法および装置 | |
Druzhinin et al. | Texturing of the silicon substrate with nanopores and Si nanowires for anti-reflecting surfaces of solar cells | |
WO2006098185A1 (ja) | 薄膜光電変換装置用基板の製造方法、及び薄膜光電変換装置 | |
CN116855913A (zh) | 一种去除光学薄膜节瘤缺陷表面球冠状凸起的抛光方法 | |
CN110112227A (zh) | 一种用于硅太阳能电池的双层减反射膜的制备方法 | |
Kolesar Jr et al. | Optical reflectance reduction of textured silicon surfaces coated with an antireflective thin film | |
JPS5914682A (ja) | アモルフアスシリコン太陽電池 | |
Ou et al. | Optical and electrical properties of porous silicon layer formed on the textured surface by electrochemical etching | |
JP2000277763A (ja) | 太陽電池及びその製造方法 | |
TW201813118A (zh) | 太陽能電池之製造方法 | |
Zhang et al. | Electrochemical oxidation pre-treatment for wet texturing of monocrystalline silicon solar cells | |
Treideris et al. | Minimization of optical reflectance by copper assisted etching of crystalline silicon surface | |
Hylton | Light coupling and light trapping in alkaline etched multicrystalline silicon wafers for solar cells | |
CN114107890A (zh) | 一种用于红外光学窗口表面的高硬度SiCN增透保护薄膜及其制备方法 | |
Ayvazyan et al. | Enhanced light-trapping with conformal ALD coating of black silicon by high-k metal oxides | |
Adama et al. | Experimental Analysis of Anisotropic Surface Texturing Process of Crystalline Silicon Wafers |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination |