CN116848439A - 制造用于微光刻的投射照明系统的多部件反射镜的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种用于制造用于微光刻的投射曝光设备(1)的反射镜(26)的方法，其中，提供至少一个坯料(34)，该坯料由具有非常低的热膨胀系数的材料构成并且具有断裂带(33)，在该断裂带内，至少一个材料参数与指定值的偏差超过最小偏差。具有第一连接表面(29)的第一反射镜部件(27)由坯料(34)制成。具有第二连接表面(30)的第二反射镜部件(28)由该坯料(34)或另一坯料(34)制成。第一反射镜部件(27)和第二反射镜部件(28)在第一反射镜部件(27)的第一连接表面(29)和第二反射镜部件(28)的第二连接表面(30)的区域中永久地相互连接。制造第一反射镜部件(27)的坯料(34)的体积区域和/或制造第二反射镜部件(28)的该坯料(34)或另一坯料(34)的体积区域基于一个或多个坯料(34)中的断裂带(33)的空间构造来确定。

Description

制造用于微光刻的投射照明系统的多部件反射镜的方法
技术领域
本发明涉及制造用于微光刻的投射曝光设备的多部件反射镜的方法。本发明还涉及用于微光刻的投射曝光设备的多部件反射镜、照明光学单元、投射光学单元以及用于微光刻的投射曝光设备。
背景技术
用于微光刻的投射曝光设备特别用于半导体的制造，并且通常具有照明光学单元和投射光学单元。照明光学单元由光源的光生成用于掩模母版照明的期望的光分布，掩模母版通常也称为掩模。在这种情况下，光应该被理解为电磁辐射的一般意义，也就是说，对具体波长没有限制。因此，在下文中，术语“光”和“辐射”被同义地使用，也就是说，光源也可以被称为辐射源，光分布也可以被称为辐射分布等等。利用投射光学单元，掩模母版被成像到光敏材料上，该光敏材料例如被施加到特别是半导体材料的晶片或一些其它衬底上。以这种方式，光敏材料以结构化的方式暴露于由掩模母版预先限定的图案。由于掩模母版具有微小的结构元件并且这些结构元件旨在以高精度被转印到衬底上，所以要求照明光学单元以精确且可再现的方式生成期望的光分布，并且要求投射光学单元的成像以精确且可再现的方式发生。
除了其他光学元件外，照明光学单元和投射光学单元可以在光路中具有至少一个反射镜，该反射镜通过在其光学表面上的反射以预定的方式偏转光。光偏转具体如何发生取决于光学表面的形状。光学表面可以例如形成为金属层或者具有交替折射率的一系列层。
例如，如果反射镜旨在具有冷却通道，或者如果反射镜旨在大于可用于制造反射镜的坯料(material blank)，则由一个以上的部件形成反射镜可能是有利的或者甚至是必要的。
从DE 102020208648.6中已知一种具有冷却通道的多部件反射镜，该文献不是在先出版物。
反射镜的多部件实施例可能对反射镜的光学特性有负面影响，尤其是如果反射镜部件不具有完全相同的材料特性。
如果反射镜是照明光学单元的组成部分，这可能导致偏离由照明光学单元生成的光分布的规格。如果反射镜是投射光学单元的组成部分，则在使用投射光学单元成像期间可能会出现成像像差。
随着半导体制造的日益小型化，掩模母版的照明和成像必须以越来越高的精度进行。这导致对照明光学单元或投射光学单元中使用的光学元件(例如反射镜)的光学特性提出了更严格的要求。
发明内容
本发明基于开发用于微光刻的投射曝光设备的多部件反射镜的目的，使得其光学特性满足非常严格的要求。特别地，该反射镜应具有良好的光学特性，并且即使在热负荷下也能可靠地使用。
这个目的通过权利要求1的特征的组合来实现。
在根据本发明的用于制造用于微光刻的投射曝光设备的反射镜的方法的第一变型中，提供至少一个坯料，该坯料由具有非常低的热膨胀系数的材料构成，并且具有断裂带，在该断裂带内，至少一个材料参数与指定值的偏差超过最小偏差。具有第一连接表面的第一反射镜部件由该坯料制成。具有第二连接表面的第二反射镜部件由该坯料或另一坯料制成。第一反射镜部件和第二反射镜部件在第一反射镜部件的第一连接表面和第二反射镜部件的第二连接表面的区域中永久地相互连接。制造第一反射镜部件的坯料的体积区域和/或制造第二反射镜部件的该坯料或另一坯料的体积区域基于一个或多个坯料中断裂带的空间构造(spatial formation)来确定。在这种情况下，选择用于第一反射镜部件和第二反射镜部件的一个或多个坯料的体积区域，使得在第一反射镜部件连接至第二反射镜部件之后，该断裂带从第一反射镜部件延续至第二反射镜部件中。
根据本发明的方法的优点在于能够制造用于微光刻的投射曝光设备的多部件反射镜，其光学特性满足非常严格的要求。通过考虑坯料内断裂带的空间构造，可以制造一种反射镜，该反射镜表现出非常好的热性能，并且即使在热负荷下也具有良好的光学特性。
断裂带从第一反射镜部件到第二反射镜部件的延续可以被定义为使得断裂带从第一反射镜部件延续至第二反射镜部件中而没有横向偏移或者只有很小的横向偏移。在这种情况下，断裂带的小的横向偏移可以被定义为使得至少50％、优选至少80％的断裂带的横向偏移小于相应断裂带在偏移方向上的尺寸的50％，优选小于30％，特别优选小于10％。在这种情况下，对于每个断裂带，该偏移方向可以分别取为第一反射镜部件和第二反射镜部件之间的横向偏移对于相应断裂带为最大的方向。
特别地，可以选择用于第二反射镜部件的坯料的体积区域，使得其相对于用于第一反射镜部件的坯料的体积部分沿着断裂带移位。以这种方式，可以以有针对性的方式来使用随着断裂带从第一反射镜部件延续至第二反射镜部件中而产生的特性，例如连接表面的区域中的小的机械应力。
举例来说，指定值可以是材料参数的平均值，该平均值通过对相应坯料的整个体积或部分体积取平均来产生。这也适用于下文解释的根据本发明的方法的另一变型。
在根据本发明的用于制造用于微光刻的投射曝光设备的反射镜的方法的另一变型中，提供坯料，该坯料由具有非常低的热膨胀系数的材料构成并且具有断裂带，在该断裂带内，至少一个材料参数与指定值的偏差超过最小偏差。具有第一连接表面的第一反射镜部件由该坯料制成。此外，具有第二连接表面的第二反射镜部件由该坯料制成。第一反射镜部件和第二反射镜部件在第一反射镜部件的第一连接表面和第二反射镜部件的第二连接表面的区域中永久地相互连接。第一反射镜部件和第二反射镜部件由坯料的体积区域制成，这些体积区域通过用于制造第一反射镜部件的增材(material addition)和用于制造第二反射镜部件的增材的总和而相互间隔开。在这种情况下，除了用于加工(例如通过研磨和抛光)相应的反射镜部件的增材之外，用于制造两个反射镜部件的增材还可以分别成比例地包含用于例如通过锯切或切割将反射镜部件从坯料分离的增材。因此，各个单独的增材分别对应于相应加工步骤的材料烧蚀，也就是说例如切割损失、研磨损失或抛光损失。特别地，该距离应保持得尽可能小，使得所需的增材仅能够勉强被观察到。
根据本发明的方法的该另一变型还使得能够制造具有非常好的光学特性和非常好的热性能的、用于微光刻的投射曝光设备的多部件反射镜。该另一变型的另一个优点在于需要相对较少的成本。断裂带的空间构造的知识不是强制性的。然而，其是有帮助的，从而能够估计所制造的反射镜的特性。
这两种变型的优点在于，可以减小在反射镜部件之间的过渡处可能出现的断裂带的横向偏移。这又会对反射镜的耐用性及其热性能产生积极的影响。
在根据本发明的方法的范围内，至少一个坯料尤其可以由熔融石英、掺钛熔融石英或玻璃陶瓷提供。这些材料具有非常好的品质，并且非常适合在用于微光刻的投射曝光设备中使用。例如，由熔融石英或掺钛熔融石英制成的一个或多个坯料可以在直接沉积工艺或烟黑工艺中制得。使用这些工艺可以制造出具有精确定义的规格的高品质坯料。
第一反射镜部件和第二反射镜部件可以由相同的坯料或者由两个分开的坯料制成。由一个坯料制造的优势在于材料参数的变化通常很小，因此两个反射镜部件实际上完全由相同的材料构成。使用两个分开的坯料的优势在于提供了与反射镜部件中的断裂带的布置相关的更多自由度。在两个坯料的情况下，它们应该具有类似的断裂带空间结构。举例来说，这可以通过快速连续地使用相同的制造装置并使用相同的工艺参数来生产坯料来实现。类似形成的断裂带允许两个镜部件之间的连续过渡，并降低了连接的镜部件彼此分离的风险。
材料参数可以是关于材料成分的规格，例如钛含量或OH含量，或者是关于材料特性的规格，例如过零温度或热膨胀系数的梯度。
在根据本发明的方法的实施例中，可以基于断裂带的空间构造来模拟在投射曝光设备的操作期间引起最小图像像差的、用于第一反射镜部件和第二反射镜部件的坯料的体积区域。该模拟可以基于投射曝光设备的某些使用场景。以这种方式，可以获得特别好的光学特性，并降低所制造的反射镜不符合要求的风险。此外，这使得能够最佳地利用可用的坯料。
第一反射镜部件和第二反射镜部件可以至少在某些区域中沿着弯曲的分离表面与坯料分离。该弯曲的分离表面可以在用于第一反射镜部件的体积区域和用于第二反射镜部件的体积区域之间延伸。特别地，该弯曲的分离表面可以在坯料的一些部分之间延伸，这些部分被提供用于形成第一反射镜部件的第一连接表面和第二反射镜部件的第二连接表面。此外，分离表面的曲率可以基本上对应于第一反射镜部件的第一连接表面或第二反射镜部件的第二连接表面的曲率。这些措施的优点在于，在第一连接表面的区域中制造第一反射镜部件所需的增材和在第二连接表面的区域中制造第二反射镜部件所需的增材可以保持得较小。这又允许在坯料内以彼此之间非常短的距离来提供用于第一反射镜部件和第二反射镜部件的体积区域。因此，以这种方式制造的反射镜部件中的断裂带很可能在第一连接表面的位置和第二连接表面的位置处具有非常相似的构造，并且彼此之间没有明显的横向偏移，也就是说，横向偏移可得以进一步减小。沿着弯曲的分离表面的这种分离可以通过分离式球磨研磨来实现。
可以基于一个或多个坯料中断裂带的空间构造来确定第一反射镜部件和第二反射镜部件彼此连接时的相对取向。举例来说，可选择连接期间的相对取向以使得断裂带从第一反射镜部件延续至第二反射镜部件中而没有明显的横向偏移。同样也可以选择连接期间的相对取向以使得断裂带以明显的横向偏移从第一反射镜部件延续至第二反射镜部件中。特别地，可以选择尽可能大的横向偏移。这两种方法对反射镜部件的连接表面的区域中的局部应力的形成以及反射镜的热行为具有不同的影响，因此，可在这方面实现有针对性的影响。例如，在投射曝光设备的光瞳附近的反射镜的情况下，也就是说，在反射镜被布置在投射曝光设备的光瞳平面附近或与其共轭的平面附近的情况下，较大的横向偏移可能是有利的。特别地，在周期性形成断裂带的情况下，较大的横向偏移可能是有利的。
特别地，第一反射镜部件和第二反射镜部件可以由坯料的横向偏移的体积区域制成。在这种情况下，可以基于坯料内断裂带的空间构造来指定体积区域的横向偏移。以这种方式，例如可以通过体积区域的偏移来再现断裂带的轮廓，因此，可以防止在反射镜部件的加工期间的材料损失，这种材料损失最终导致在完成的反射镜中反射镜部件之间的断裂带的横向偏移。
同样，第一反射镜部件和第二反射镜部件也可以由相对于坯料的外表面或轴线倾斜的、该坯料的体积区域制成。在这种情况下，坯料的体积区域可以相对于坯料的所有外表面倾斜。特别地，体积区域可以以这样的方式倾斜，使得坯料中的断裂带近似平行于坯料的一部分而延伸，该部分被提供用于形成第二反射镜部件的外表面，光学表面形成在该外表面上。其结果是，只有少数断裂带与该外表面相交，并且由于其稍微偏离的材料硬度，促进了波纹状表面的形成，这在加工第二反射镜部件时会对光学表面产生负面影响。
第一反射镜部件和第二反射镜部件可以以与坯料中相同的相对取向彼此连接。以这种方式，可以避免第一和第二反射镜部件之间的断裂带的偏移，例如由反射镜部件的扭曲造成的偏移。可以使用至少一个辅助框架，或者可以将至少一个记号附着在坯料上，以便标记坯料中的取向。由此，可以使用相对简单的手段确保以相同的相对取向进行连接。
可以选择用于第一反射镜部件和第二反射镜部件的一个或多个坯料的体积区域，使得在第一反射镜部件的第一连接表面的位置处和第二反射镜部件的第二连接表面的位置处的断裂带的显现(manifestation)在每种情况下都低于极限值。因此，断裂带的可能负面影响可以被限制在连接表面的区域内，而与断裂带的姿态无关。特别地，每当相应的连接表面中的断裂带的面积比例低于阈值时，断裂带的显现都低于极限值。换句话说，由断裂带总体占据的相应连接表面的区域除以相应连接表面的整个面积的值必须低于阈值。
当改变一个或多个坯料中第一反射镜部件和第二反射镜部件的体积区域的布置时，该阈值可以被定义为是相应连接表面中断裂带的面积比例的最小值和最大值的算术平均值。在这种情况下，还可以分别确定第一反射镜部件和第二反射镜部件的面积比例的相应最小值和相应最大值，并相应地设定第一连接表面和第二连接表面的相应阈值。
此外，可以要求该阈值低于例如断裂带的面积比例的最小值与该阈值之间的差值的至少30％，特别是低于至少60％。
可以为每个坯料选择相应的区域，使得这些区域具有断裂带的相似空间构造，并且第一反射镜部件可以由其中一个区域内的体积区域制成，而第二反射镜部件可以由其中另一区域内的体积区域制成。特别地，用于第一反射镜部件和第二反射镜部件的体积区域可以被布置成使得如果用于第二反射镜部件的体积区域在保持其相对于断裂带的姿态的同时被转移到包含用于第一反射镜部件的体积区域的区域中，则两个体积区域彼此紧邻。在上述转移导致第一连接表面和第二连接表面由体积区域的紧邻部分制成的情况下，体积区域的布置是特别有利的。这些措施的优点在于，尽管在分离和加工反射镜部件时会损失材料，但是反射镜部件之间的断裂带的横向偏移可以保持得较小。
本发明还涉及用于微光刻的投射曝光设备的反射镜。根据本发明的反射镜具有第一反射镜部件和第二反射镜部件，它们由热膨胀系数非常低的材料制成。第一反射镜部件和第二反射镜部件在第一反射镜部件的第一连接表面和第二反射镜部件的第二连接表面的区域中永久地相互连接。第一反射镜部件和第二反射镜部件具有断裂带，在该断裂带内，至少一个材料参数与指定值的偏差超过最小偏差。第一反射镜部件的断裂带与第二反射镜部件的断裂带邻接，并且在第一连接表面的位置处，断裂带占据总面积的至少50％。
根据本发明的反射镜的优点在于，其表现出非常好的热行为，并且其光学特性满足非常高的要求，尤其是在热负荷下。在从第一反射镜部件到第二反射镜部件的过渡期间，由材料参数的跳跃式变化引起的可能问题可以保持得较小。这对于投射曝光设备的反射镜尤其重要，其对这种跳跃式变化的反应特别敏感，例如近场反射镜，也就是说，例如布置在投射曝光设备的物平面附近或与其共轭的平面附近的反射镜。
举例来说，该指定值可以是材料参数的平均值，该平均值是通过对相应反射镜部件的整个体积或部分体积求平均而产生的。
特别地，第一反射镜部件的断裂带可以与第二反射镜部件的断裂带邻接，并且在第一连接表面的位置处，断裂带占据总面积的至少70％，特别优选为至少90％。
第二反射镜部件可以具有光学表面。
同样，第二反射镜部件中的断裂带也可以基本平行于光学表面而延伸。特别地，其上形成有光学表面的该第二反射镜部件的表面可以具有最多10个、优选最多5个、特别优选最多2个断裂带。
这可以限制光学表面的不期望的波纹，其可以追溯到第二反射镜部件的表面硬度的局部变化。
第一反射镜部件和/或第二反射镜部件可以包含钛和/或OH。特别地，第一反射镜部件和/或第二反射镜部件可以由熔融石英、掺钛熔融石英或玻璃陶瓷制成。相对于质量，第一反射镜部件和/或第二反射镜部件可以具有小于400ppm的OH含量。相对于质量，第一反射镜部件和/或第二反射镜部件同样可具有大于600ppm的OH含量。反射镜可以在第一反射镜部件的区域中和/或在第二反射镜部件的区域中具有冷却通道。
定义断裂带的该材料参数可以是例如钛含量、OH含量、过零温度或热膨胀系数的梯度。
在光学表面的横向区域上取平均，第二反射镜部件的过零温度可以与第一反射镜部件的过零温度偏离-0.5K至+3K，优选偏离-0.5K至+1.5K。因此，特别地，第二反射镜部件的平均过零温度可以高于第一反射镜部件。由于在投射曝光设备的操作过程中，第二反射镜部件倾向于具有比第一反射镜部件更高的温度，因此较高的过零温度具有较低的热膨胀。第二反射镜部件可以在体积上具有比第一反射镜部件更均匀的过零温度分布。因为第二反射镜部件具有光学表面，所以与第一反射镜部件的材料特性相比，第二反射镜部件的材料特性对反射镜的光学特性更重要。
第一反射镜部件和第二反射镜部件在第一体积区域和第二体积区域中可以具有相似的钛含量和/或相似的OH含量，第一体积区域延伸至第一反射镜部件中直到距第一连接表面10mm的距离，第二体积区域延伸至第二反射镜部件中直到距第二连接表面10mm的距离。特别地，第二反射镜部件在第二体积区域中的二氧化钛含量与第一体积区域中的二氧化钛含量的偏差小于0.04质量％，优选小于0.02质量％，特别优选小于0.01质量％。此外，第二反射镜部件在第二体积区域中的OH含量与第一体积区域中的OH含量的偏差可以小于第一体积区域中的OH含量的5％，优选小于2％，特别优选小于1％。在OH含量的情况下，关于偏差的百分比规格因此与作为相对值的OH含量相关。各个体积区域中的平均值可以用作二氧化钛含量和OH含量的值。如果第二反射镜部件具有小于10mm的厚度，那么整个第二反射镜部件可以用作第二体积区域。
断裂带可以从第一反射镜部件延续至第二反射镜部件中。特别地，断裂带可以从第一反射镜部件延续至第二反射镜部件中而没有横向偏移或者只有很小的横向偏移。例如，至少50％、优选至少80％的断裂带的横向偏移可以小于相应断裂带在偏移方向上的尺寸的50％，优选小于30％，特别优选小于10％。在这种情况下，对于每个断裂带，偏移方向可以分别取为第一反射镜部件和第二反射镜部件之间的横向偏移对于相应断裂带为最大的方向。
此外，本发明涉及微光刻投射曝光设备的反射镜，其中该反射镜具有由具有非常低的热膨胀系数的材料制成的第一反射镜部件和第二反射镜部件，并且第一反射镜部件和第二反射镜部件在第一反射镜部件的第一连接表面和第二反射镜部件的第二连接表面的区域中永久地相互连接。第一反射镜部件在从第一连接表面延伸至第一反射镜部件中10mm距离的第一体积区域中具有第一过零温度平均值。第二反射镜部件在从第二连接表面延伸至第二反射镜部件中10mm距离的第二体积区域中具有第二过零温度平均值。第一过零温度平均值与第二过零温度平均值的偏差小于1K。
根据本发明的反射镜的优点在于，其表现出非常好的热行为，并且其光学特性满足非常高的要求，尤其是在热负荷下。特别地，由于连接表面的区域中过零温度平均值的较小差异，降低了当反射镜温度变化时可能导致光学表面变形的机械应力的风险。
特别地，第一过零温度平均值与第二过零温度平均值的偏差小于0.5K，特别优选小于0.1K。
如果第二反射镜部件具有小于10mm的厚度，那么整个第二反射镜部件都可以用作第二体积区域。
在第一体积区域之外，第一反射镜部件可以具有第三过零温度平均值，该第三过零温度平均值与第二过零温度平均值的偏差比第一过零温度平均值与第二过零温度平均值的偏差更明显。
特别地，第三过零温度平均值与第二过零温度平均值的偏差可比第一过零温度平均值与第二过零温度平均值的偏差大至少0.1K，优选大至少1K，特别优选大至少3K。
本发明还涉及具有根据本发明的反射镜的照明光学单元。
此外，本发明涉及具有根据本发明的反射镜的投射光学单元。
最后，本发明涉及用于微光刻的投射曝光设备，其具有根据本发明的照明光学单元和/或根据本发明的投射光学单元。
附图说明
下面基于附图中所示的示例性实施例更详细地解释本发明，其中：
图1以子午截面示意性地示出了用于EUV投射光刻的投射曝光设备的示例性实施例；
图2示出了用于DUV投射光刻的投射曝光设备的示例性实施例的示意图；
图3示出了根据本发明的反射镜的示例性实施例的示意性截面图；
图4示出了根据本发明的方法的第一配置的用于制造反射镜的坯料的示意性截面图；
图5示出了根据本发明的方法的另一配置的用于制造反射镜的坯料的示意性截面图；
图6示出了根据本发明的方法的另一配置的用于制造反射镜的坯料的示意性截面图；
图7示出了根据本发明的方法的另一配置的用于制造反射镜的坯料的示意性截面图，以及
图8示出了根据本发明的方法的另一配置的用于制造反射镜的两个坯料的示意性截面图。
具体实施方式
图1以子午截面示意性地示出了用于EUV投射光刻的投射曝光设备1的示例性实施例。
在下文中，首先参考图1以示例的方式描述微光刻投射曝光设备1的主要组成部分。投射曝光设备1的基本结构及其部件的描述不应被解释为限制于此。
投射曝光设备1的照明系统2的实施例除了光源或辐射源3之外、还具有照明光学单元4，用于照明物平面6中的物场5。在替代实施例中，辐射源3也可以作为与其余照明系统分离的模块来提供。在这种情况下，照明系统不包括辐射源3。
布置在物场5中的掩模母版7被曝光，该掩模母版也被称为掩模。掩模母版7由掩模母版支架8保持。通过掩模母版位移驱动器9，该掩模母版支架8特别在扫描方向上是可移动的。
为了解释的目的，在图1中示出了笛卡尔xyz坐标系。x方向垂直于图纸平面而延伸。y方向水平地延伸，而z方向垂直地延伸。扫描方向在图1中的y方向上延伸。z方向垂直于物平面6延伸。
投射曝光设备1包括投射光学单元10。投射光学单元10用于将物场5成像到像平面12中的像场11中。像平面12平行于物平面6延伸。替代地，物平面6和像平面12之间的角度也可以不为0°。
掩模母版7上的结构被成像到晶片13的光敏层上，或者被成像到布置在像平面12中的像场11的区域中的一些其他衬底的光敏层上。晶片13由晶片支架14保持。通过晶片位移驱动器15，晶片支架14特别在y方向上是可移动的。掩模母版7通过掩模母版位移驱动器9的位移以及晶片13通过晶片位移驱动器15的位移可以彼此同步地实现。
辐射源3是EUV辐射源。辐射源3发射照明辐射16，该照明辐射在下文中也被称为使用辐射或照明光。在所示的实施例中，照明辐射16具有在EUV范围内的波长，特别是在5nm和30nm之间的范围内。辐射源3可以是等离子体源，例如LPP(激光产生的等离子体)源或GDPP(气体放电产生的等离子体)源。其也可以是基于同步加速器的辐射源。类似地，辐射源3可以是自由电子激光器(FEL)。
从辐射源3射出的照明辐射16被集光器17聚焦。集光器17可以是具有一个或多个椭圆形和/或双曲面反射表面的集光器。照明辐射16可以以掠入射(GI)入射到集光器17的至少一个反射表面上，也就是说入射角大于45°，或者以法向入射(NI)入射，也就是说入射角小于45°。集光器17可以被结构化和/或涂覆，首先用于优化其对照明辐射16的反射率，其次用于抑制外来光。
在集光器17的下游，照明辐射16通过中间焦平面18中的中间焦点传播。中间焦平面18可以代表具有辐射源3和集光器17的辐射源模块与照明光学单元4之间的间隔。
照明光学单元4包括偏转镜19以及在光路中布置在其下游的第一分面镜20。偏转镜19可以是平面偏转镜，或者替代地，可以是具有超出纯偏转效果的光束影响效果的反射镜。替代地或附加地，偏转镜19可以是光谱滤波器的形式，该光谱滤波器将具有使用光波长的照明辐射16与波长偏离该使用光波长的外来光分离。如果第一分面镜20被布置在照明光学单元4的作为场平面的与物平面6光学共轭的平面中，则它也被称为场分面镜。第一分面镜20包括多个单独的第一分面21，其在下文中也被称为场分面。作为示例，在图1中仅示出了这些第一分面21中的一些。
第一分面21可以实施为宏观分面，特别是矩形分面或具有弓形边缘轮廓或部分圆形边缘轮廓的分面。第一分面21可以实施为平面分面，或者替代地，实施为凸形或凹形曲面分面。
例如从DE 10 2008 009 600 A1中已知的，第一分面21本身也可以分别由多个单独的反射镜构成，特别是多个微镜。第一分面镜20尤其可以是微机电系统(MEMS系统)的形式。详细情况参见DE 10 2008 009 600 A1。
照明辐射16在集光器17和偏转镜19之间水平传播，也就是说，在y方向上传播。
在照明光学单元4的光路中，第二分面镜22布置在第一分面镜20的下游。如果第二分面镜22被布置在照明光学单元4的光瞳平面中，则其也被称为光瞳分面镜。第二分面镜22也可以布置在距照明光学单元4的光瞳平面一定距离处。在这种情况下，第一分面镜20和第二分面镜22的组合也被称为镜面反射器。从US2006/0132747 A1、EP 1 614 008 B1和US 6，573，978中得知镜面反射器。
第二分面镜22包括多个第二分面23。在光瞳分面镜的情况下，第二分面23也被称为光瞳分面。
第二分面23同样可以是宏观分面，其可以例如具有圆形、矩形或六边形边界，或者替代地可以是由微镜构成的分面。在这方面，同样可以参考DE 10 2008 009 600A1。
第二分面23可以具有平面，或者替代地，可以具有凸形或凹形的曲面反射表面。
照明光学单元4因此形成双分面系统。这个基本原理也被称为蝇眼聚光器(蝇眼积分器)。
将第二分面镜22不精确地布置在与投射光学单元10的光瞳平面光学共轭的平面中可能是有利的。特别地，第二分面镜22可以被布置为相对于投射光学单元10的光瞳平面倾斜，例如在DE 10 2017 220 586 A1中所描述的。
使用第二分面镜22将单独的第一分面21成像到物场5中。第二分面镜22是物场5的光路上游的最后一个光束成形镜，或者实际上是照明辐射16的最后一个反射镜。
在照明光学单元4的另一实施例(未示出)中，转移光学单元可以布置在第二分面镜22和物场5之间的光路中，所述转移光学单元尤其有助于将第一分面21成像到物场5中。转移光学单元可以包括正好一个反射镜，或者替代地，两个或更多个反射镜，它们连续地布置在照明光学单元4的光路中。转移光学单元尤其可以包括一个或两个法向入射镜(NI镜)和/或一个或两个掠入射镜(GI镜)。
在图1所示的实施例中，照明光学单元4在集光器17的下游具有正好三个反射镜，具体地说是偏转镜19、第一分面镜20和第二分面镜22。
在照明光学单元4的另一实施例中，也不需要偏转镜19，因此照明光学单元4可以在集光器17的下游具有正好两个反射镜，具体地说是第一分面镜20和第二分面镜22。
借助于第二分面23或者使用第二分面23和转移光学单元将第一分面21成像到物平面6中，这通常只是近似成像。
投射光学单元10包括多个反射镜Mi，这些反射镜根据它们在投射曝光设备1的光路中的布置而被连续编号。
在图1所示的示例中，投射光学单元10包括从M1到M6的六个反射镜。具有四个、八个、十个、十二个或任何其他数量的反射镜Mi的替代方案同样是可能的。投射光学单元10是双重遮挡的光学单元。倒数第二个反射镜M5和最后一个反射镜M6在不同情况下都具有通孔，在晶片13的曝光期间，有助于曝光的辐射通过该通孔从掩模母版7到达晶片13。投射光学单元10的像侧数值孔径大于0.5，也可以大于0.6，例如可以是0.7或0.75。
反射镜Mi的反射表面可以是没有旋转对称轴的自由曲面形式。替代地，反射镜Mi的反射表面可以被设计为非球面表面，该非球面表面正好具有反射表面形状的一个旋转对称轴。正如照明光学单元4的反射镜一样，反射镜Mi可以具有用于照明辐射16的高反射涂层。这些涂层可以被设计成多层涂层，特别是具有钼和硅的交替层。
投射光学单元10在物场5的中心的y坐标和像场11的中心的y坐标之间、在y方向上具有大的物像偏移。在y方向上，所述物像偏移可以与物平面6和像平面12之间的z距离的大小大致相同。
投射光学单元10尤其可以具有变形的形式。特别地，其在x和y方向上具有不同的成像比例βx、βy。投射光学单元10的两个成像比例βx、βy优选为(βx，βy)＝(/-0.25，+/-0.125)。正成像比例β意味着成像没有图像反转。成像比例β的负号意味着图像是反转成像的。
投射光学单元10因此使得在x方向上，也就是说在垂直于扫描方向的方向上，尺寸减小的比率为4∶1。
投射光学单元10使得在y方向上，也就是说在扫描方向上，尺寸减小的比率为8∶1。
其他成像比例同样是可能的。在x方向和y方向上具有相同符号和相同绝对值的成像比例也是可能的，例如绝对值为0.125或0.25。
根据投射光学单元10的实施例，物场5和像场11之间的光路中、x方向和y方向上的中间像平面的数量可以相同或者可以不同。从US 2018/0074303A1中得知在x方向和y方向上具有不同数量的这种中间图像的投射光学单元10的示例。
在每种情况下，第二分面23中的一个被分配给正好一个第一分面21，用于分别形成照明该物场5的照明通道。这尤其可以根据克勒原理产生照明。借助于第一分面21，远场被分解成多个物场5。第一分面21在分别被分配给它们的第二分面23上产生多个中间焦点图像。
通过分配的第二分面23，第一分面21在每种情况下都以彼此重叠的方式被成像到掩模母版7上，用于照明该物场5。物场5的照明特别是尽可能均匀的。优选具有小于2％的均匀性误差。可以通过使不同的照明通道重叠来实现场均匀性。
可以通过第二分面23的布置、以几何方式定义投射光学单元10的入射光瞳的照明。可以通过选择照明通道来设定投射光学单元10的入射光瞳中的强度分布，照明通道特别为引导光的第二分面23的子集。这种强度分布也被称为照明设定或照明光瞳填充。
通过照明通道的重新分布，可以实现照明光学单元4的照明光瞳的以定义的方式照明的各部分的区域中同样优选的光瞳均匀性。
下面描述物场5的照明的其他方面和细节，特别是投射光学单元10的入射光瞳的照明。
投射光学单元10尤其可以具有同心的入射光瞳。该入射光瞳是可以接近的。其也可以是无法接近的。
投射光学单元10的入射光瞳经常不能被第二分面镜22精确照明。当对将第二分面镜22的中心以远心方式成像到晶片13上的投射光学单元10成像时，孔径光线通常不相交于单一点。然而，可以找到这样的表面区域，在该表面区域中，以成对的方式确定的孔径光线的间距最小。该表面区域代表入射光瞳或者与其共轭的真实空间中的区域。特别地，该表面区域具有有限的曲率。
对于切向光束路径和矢状光束路径，投射光学单元10可以具有不同的入射光瞳位置。在这种情况下，成像元件、特别是转移光学单元的光学组件部分应该设置在第二分面镜22和掩模母版7之间。借助于该光学元件，可以考虑切向入射光瞳和矢状入射光瞳的不同姿态。
在图1所示的照明光学单元4的部件的布置中，第二分面镜22布置在与投射光学单元10的入射光瞳共轭的区域中。第一分面镜20被布置成相对于物平面6倾斜。第一分面镜20被布置成相对于由偏转镜19限定的布置平面倾斜。
第一分面镜20被布置成相对于由第二分面镜22限定的布置平面倾斜。
图2以示意图示出了用于DUV投射光刻的投射曝光设备1的示例性实施例。在此，DUV表示“深紫外”。特别地，投射曝光设备1可以被设计用于在193nm的波长下工作。
投射曝光设备1具有照明光学单元4和投射光学单元10。照明光学单元4的内部结构和投射光学单元10的内部结构分别可以包括例如没有详细示出的光学部件、传感器、操纵器等。在投射光学单元10的情况下，反射镜M示出为代表其光学部件。反射镜M可以借助于冷却介质来冷却，冷却介质由冷却装置24提供。冷却介质是流体，例如水。附加地或替代地，照明光学单元4可以具有冷却的反射镜M和相关联的冷却装置24。投射光学单元10和/或照明光学单元4也可以具有多个冷却的反射镜M和冷却装置24。在照明光学单元4的情况下，以及在投射光学单元10的情况下，透镜和另外的反射镜(冷却的或未冷却的)可以例如作为另外的光学部件存在。
类似地，在图1所示的投射曝光设备1的示例性实施例中，也可以提供至少一个冷却装置24，该冷却装置24例如可以连接至反射镜M3。
操作该投射曝光设备1所需的辐射由辐射源3生成。辐射源3尤其可以是准分子激光器，例如氟化氩激光器，其生成波长为193nm的照明辐射16。
布置在照明光学单元4和投射光学单元10之间的是掩模母版支架8，掩模母版7固定在掩模母版支架8上。掩模母版支架8具有掩模母版位移驱动器9。从辐射方向看，布置在投射光学单元10下游的晶片支架14承载晶片13或一些其他衬底，并且具有晶片位移驱动器15。
此外，在图2中还示出了控制装置25，其连接至照明光学单元4、投射光学单元10、冷却装置24、辐射源3、掩模母版支架8或掩模母版位移驱动器9以及晶片支架14或晶片位移驱动器15。类似地，图1的投射曝光设备同样可以具有控制装置25，其可以连接至相应的部件。
投射曝光设备1用于以高精度将掩模母版7成像到晶片13上。为此目的，借助于照明光学单元4照明该掩模母版7，并且借助于投射光学单元10将被照明的掩模母版7成像到晶片13上。具体而言，采用以下过程：
照明光学单元4通过其光学部件以精确定义的方式转换由辐射源3生成的照明辐射16，并将其引导到掩模母版7上。根据该实施例，照明光学单元4可以以这样的方式形成：使得其照明整个掩模母版7或仅照明掩模母版7的部分区域。照明光学单元4能够以这样的方式照明掩模母版7：使得在掩模母版7的每个照明点处存在几乎相同的照明条件。特别地，入射的照明辐射16的强度和角度分布对于掩模母版7的每个照明点几乎是相同的。
照明光学单元4能够可选地用具有多种不同角度分布的照明辐射16来照明掩模母版7。照明辐射16的这些角度分布也被称为照明设定。通常根据形成在掩模母版7上的结构元件来选择期望的照明设定。例如，相对经常使用的是二级或四极照明设定，在二级或四极照明设定的情况下，照明辐射16分别从两个不同的方向或从四个不同的方向入射到掩模母版7的每个照明点上。根据照明光学单元4的形式，可以例如通过不同的衍射光学元件结合变焦轴锥光学单元、或者通过反射镜阵列来产生不同的照明设定，在每种情况下，反射镜阵列具有多个彼此相邻布置的小反射镜，并且这些小反射镜可相对于它们的角位置单独设置。
掩模母版7可以例如形成为玻璃板，其对于由照明光学单元4提供的照明辐射16是透明的，并且其上施加有不透明结构，例如铬涂层的形式。
投射曝光设备1可以以这样的方式形成，使得整个掩模母版7同时被照明光学单元4照明，并且在单个曝光步骤中被投射光学单元10完全成像到晶片13上。
替代地，投射曝光设备1也可以以这样的方式形成，使得掩模母版7的仅部分区域同时被照明光学单元4照明，并且控制装置25以这样的方式控制掩模母版位移驱动器9，使得在晶片13的曝光期间，掩模母版7相对于照明光学单元4移动，其结果是，被照明的该部分区域在掩模母版7上整体移动。通过对晶片位移驱动器15的适当适配的控制来同步地移动该晶片13，其中投射光学单元10的成像特性也被考虑在内，因此掩模母版7的相应被照明的部分区域被成像到为其提供的晶片13的部分区域上。掩模母版7和晶片13的这种移动也被称为扫描。
为了能够将在投射曝光设备1的两个实施例中由晶片13的曝光产生的潜像转移到物理结构中，光敏层被施加至晶片13。通过曝光，在该光敏层中形成掩模母版7的图像，并且借助于随后的化学工艺，可以由该图像在晶片13上制造永久结构。
掩模母版7通常不只一次被成像到晶片13上，而是一次接一次地多次被成像。为此，在掩模母版7每次被成像到晶片13上之后，晶片支架14以对应于掩模母版7在晶片13上的图像尺寸的方式横向移动。在不同情况下，掩模母版7的成像可以整体进行或通过扫描按顺序进行。仅在已经在晶片13上执行了掩模母版7的期望数量的成像表示时，才开始对晶片13的化学处理。
图3示出了根据本发明的反射镜26的示例性实施例的示意性截面图。
反射镜26可以用于图1和2所示的其中一个投射曝光设备1，并且具有下部27和上部28。选择术语“下部”和“上部”是因为下部27通常形成得比上部28厚得多，因此可以说是承载着上部28。然而，在反射镜26的安装状态下，这些术语与反射镜26相对于重力方向的取向没有任何关系。在投射曝光设备1的操作过程中，上部28可以相对于重力方向布置在下部27的上方或下方或旁边，或者相对于下部27呈现一些其他相对位置。下部27也被称为第一反射镜部件。上部28也被称为第二反射镜部件。
下部27和上部28在下部27的连接表面29和上部28的连接表面30的区域中彼此刚性连接。在所示的示例性实施例中，下部27的连接表面29以凹形曲面的方式形成。可以以球形方式、非球形方式或根据自由曲面形成曲率。上部28的连接表面30以与下部27的连接表面29互补的方式弯曲，并因此具有凸曲率，可以以球形方式、非球形方式或根据自由曲面形成该凸曲率。因此，上部28的连接表面30和下部27的连接表面29可以彼此紧密接触。作为弯曲构造的替代，下部27的连接表面29和上部28的连接表面30也可以以平面方式形成。
在背离其连接表面29的一侧上并且如图3的底部所示，下部27以平面的方式形成。在背离其连接表面30的一侧并且如图3的顶部所示，上部28以凹形弯曲的方式形成，并且具有曲率相同的反射光学表面31。可以以球形方式、非球形方式或根据自由曲面形成该曲率，该曲率特别地对应于上部28的连接表面30的曲率并且平行于其延伸。作为对此的替代，光学表面31也可以以平面方式形成。如果下部27的连接表面29和上部28的连接表面30以平面方式形成，则尤其如此。
光学表面31具体被实现为施加至上部28的涂层。涂层的构造取决于光学表面31旨在产生其反射效果的波长。在DUV范围内的期望反射的情况下，也就是说在图2中反射镜M的情况下，涂层可以形成为铝层，该铝层通常通过涂层被介电增强并且抗氧化。另一方面，如果旨在在EUV范围内反射，例如在图1的反射镜M3等的情况下，则涂层可以特别地由交替连续的硅和钼的层以及可能的一个或多个不同成分的另外的层形成，这些层例如用作保护层。
下部27具有多个细长的冷却通道32，这些冷却通道32彼此平行延伸并且平行于下部27的连接表面29延伸，并且在光学表面31的区域中横向延伸，并且可能稍微超出光学表面31。因此，在所示的示例性实施例的情况下，冷却通道32以弯曲的方式形成。冷却通道32形成为朝向下部27的连接表面29敞开。冷却通道32的横向尺寸可以是大约0.2mm至10mm，其中冷却通道32的深度，也就是说大约垂直于上部28的连接表面30的尺寸，在图3的示例性实施例中大约与宽度尺寸相同，也就是说大约平行于上部28的连接表面30的尺寸。然而，同样可能的是，冷却通道32的深度明显大于其宽度。例如，冷却通道32的深度可以大于冷却通道32宽度的两倍。
举例来说，使用图3中不可见的另外的通道，冷却通道32可以连接至图2中所示的冷却装置24，该冷却装置24可以用于生成流过冷却通道32的流体流，从而从反射镜26移除热量。进入反射镜26的热流可以例如通过在投射曝光设备1的操作期间被光学表面31反射的辐射来实现。由于光学表面31不完全反射入射辐射，部分辐射被光学表面31吸收，并且根据光学表面31的构造，部分辐射也被上部28吸收并转化为热量。因为光学表面31和上部28具有一定的导热性，所以该热量的一部分被引导至冷却通道32，并且可以在那里被流体带走并送出。这样，与未冷却的反射镜26相比，可以限制由辐射引起的反射镜26的温度升高，并且可以减少由热膨胀效应引起的光学表面31的变形。因此，由变形引起的成像像差也减少了。
为了将即使采取了冷却措施也仍会出现的温度波动的负面影响保持得尽可能低，使用热膨胀系数非常低的材料来制造下部27和上部28。合适的材料例如是熔融石英、掺杂二氧化钛的熔融石英或特殊的玻璃陶瓷。
举例来说，在其体积上取平均，该材料可以具有22℃到25℃之间的过零温度，其中该材料的热膨胀在理想情况下最小并且等于零。在投射曝光设备1的操作期间，考虑到反射镜26的冷却，在此调节该平均过零温度以匹配预期温度。根据生产材料的方法，在22℃下，热膨胀系数的增加优选小于约1.35ppb/K2至1.8ppb/K2。在光学表面31的横向区域中，过零温度的均匀性好于±5K，也就是说，过零温度在该区域中具有小于±5K的空间相关波动。同样可能的是提供明显更高的平均过零温度，特别是如果除了冷却之外、还提供反射镜的局部加热的话。
下部27和上部28在第一体积区域和第二体积区域中可以具有相似的钛含量和/或相似的OH含量，该第一体积区域延伸至下部27中与第一连接表面29相距10mm处，第二体积区域延伸至上部28中与第二连接表面30相距10mm处。特别地，上部28在第二体积区域中的二氧化钛含量与第一体积区域中的二氧化钛含量的偏差小于0.04质量％，优选小于0.02质量％，特别优选小于0.01质量％。此外，上部28在第二体积区域中的OH含量与第一体积区域中的OH含量的偏差小于第一体积区域中的OH含量的5％，优选小于2％，特别优选小于1％。在OH含量的情况下，关于该偏差的百分比规格与作为相对值的OH含量相关。各个体积区域的平均值可以用作二氧化钛含量和OH含量的值。如果上部28具有小于10mm的厚度，那么整个上部28可以用作第二体积区域。
下部27可以在第一体积区域中具有第一过零温度平均值。上部28可以在第二体积区域中具有第二过零温度平均值。第一过零温度平均值与第二过零温度平均值的偏差可以小于1K，特别是小于0.5K，特别优选小于0.1K
如果上部28具有小于10mm的厚度，那么整个上部28可以用作第二体积区域。
在第一体积区域之外，下部27可以具有第三过零温度平均值，该第三平均值比第一过零温度平均值更明显地偏离第二过零温度平均值。特别地，第三过零温度平均值与第二过零温度平均值的偏差可比第一过零温度平均值与第二过零温度平均值的偏差大至少0.1K，优选大至少1K，特别优选大至少3K。
同样可能的是，在光学表面31的横向区域上取平均，上部28与下部27的过零温度的偏差在-0.5K和+3K之间。在反射镜26相对靠近光源的情况下，或者在主动加热反射镜26的情况下，该偏差可以高达+5K。该偏差优选地在-0.5K和+1.5K之间。相对于较低和较高温度的容许偏差的不对称性是基于：在投射曝光设备1的操作期间，上部28通常具有比下部27更高的温度，并且热膨胀在接近过零温度时最小。
反射镜26在下部27的区域中和上部28的区域中都具有断裂带33，在所述断裂带内，至少一个材料参数与指定值的偏差大于最小偏差。举例来说，该指定值可以是材料参数的平均值，其通过分别对下部27和上部28的整个体积或部分体积取平均来产生。材料参数可以是关于材料成分的规格，例如钛含量或OH含量，或者是关于材料特性的规格，例如过零温度或热膨胀系数的梯度。断裂带33可以显现为不同的程度，也就是说，具有与指定值不同的显著偏差。
在图3的实施例中，断裂带33具有条带状的形式，也就是说，它们以近似不变的横截面延伸至附图平面中。断裂带33大致彼此平行延伸，并且相对于图3的视图中的垂线稍微倾斜，因此不垂直于下部27的背离连接表面29的一侧延伸。所示的示例性实施例的区别还在于，断裂带33从下部27延伸至上部28中而没有横向偏移。在从下部27到上部28的过渡过程中，断裂带33同样可能存在横向偏移。在这种情况下，至少50％、优选至少80％的断裂带33的横向偏移可以小于相应断裂带33在偏移方向上的尺寸的50％，优选小于30％，特别优选小于10％。在这种情况下，对于每个断裂带33，偏移方向可以分别取为下部27和上部28之间的横向偏移对于相应断裂带33为最大的方向。
断裂带33也可以具有不同的空间构造。然而，通常，如果下部27的断裂带33与上部28的断裂带33邻接，并且断裂带在连接表面29的位置处占据总面积的至少50％，则是有利的。替代地，也可以选择在下部27的连接表面29和/或上部28的连接表面30的区域中仅提供断裂带33的小的重叠，并且因此在从下部27到上部28的过渡期间提供显著的横向偏移。以这种方式，例如，可以尝试在一定程度上补偿断裂带33的影响。
为了制造反射镜26，将下部27和上部28作为单独的部件制造，然后例如通过热接合工艺将其彼此连接。通常仅在将下部27和上部28连接之后才形成光学表面31，从而实现尽可能高的精度，特别是关于其形状的精度，并且避免在连接过程中损坏光学表面31。
下面将解释制造下部27和上部28并且结合它们以形成反射镜26的几个方面。
图4示出了根据本发明的方法的第一配置的用于制造反射镜26的坯料34的示意性截面图。图4中同样示出了下部27和上部28的轮廓。
例如，坯料34可以由掺钛熔融石英构成，特别是添加了二氧化钛的熔融石英。同样，坯料34也可以包含三元化合物，其除了硅和钛之外还包含另一种金属。此外，可以掺杂氟。由掺钛熔融石英制成的不同批次的坯料34可以在例如钛含量、OH含量、过零温度等方面有所不同。此外，在同一坯料34内的不同位置也可能存在相应的变化，因此在这方面与指定值的偏差不可忽略。举例来说，指定值可以是相应材料参数的平均值，该平均值通过对坯料34的整个体积或部分体积取平均来产生。举例来说，在坯料34中可以形成断裂带33，在该断裂带33内，与该指定值的偏差超过最小值。
为了限制批次变化的负面影响，反射镜26的下部27和上部28可以从相同的坯料34中分离出来。由于在由坯料34制造反射镜26时考虑了断裂带33，可以限制该断裂带33的负面影响。
取决于例如坯料34的制造方法和几何形状，这导致关于从坯料34分离下部27和上部28、以及关于组装下部27和上部28以获得反射镜26的多个过程，将在下文中对其进行详细解释。
图4中示出的坯料34是在直接沉积工艺中产生的。相对于其质量，坯料34具有大于600ppm的OH含量。由钛和OH的浓度与指定值的局部偏差而产生的断裂带33可以形成为由多个彼此平行延伸的条带构成的三维条带图案(如已经关于图3所述)，并且伴随有热膨胀系数和过零温度的梯度与相应指定值的相应偏差。以类似于图3的方式，图4中条带的纵向范围大致垂直于附图平面延伸，因此，图4示出了穿过横向于其纵向范围延伸的条带形断裂带33的截面。与图3一样，条带形断裂带33也相对于图4中的垂线倾斜，因此既不平行也不垂直于坯料34的外表面延伸。
在如此实施的坯料34的情况下，一种可能的过程包括将下部27和上部28从坯料34中分离出并且使上、下部之间的距离尽可能小，同时使下部27的连接表面29和上部28的连接表面30彼此面对。在图4中示出了就此方面而言可能的分离表面35。分离表面35具有平面形式，并且在所示切割平面的区域中沿直线延伸。这允许使用设计相对简单的分离工具。
在分离之后，例如通过铣削、研磨和抛光，将下部27和上部28形成为所需的形状。因此，当分离出下部27和上部28时，除了用于分离工艺的增材之外，在每种情况下都应该提供用于后续加工的附加增材。因此，为了制造下部27，应当提供用于分离过程的成比例的增材以及用于加工下部27的增材，以作为连接表面29的区域中的增材。为了制造上部28，应当提供用于分离过程的成比例的增材以及用于加工上部28的增材，以作为连接表面30的区域中的增材。因此，制造下部27和上部28的坯料34的体积区域之间的最小可能距离对应于用于制造下部27的增材和用于制造上部28的增材的总和，或者换句话说，对应于用于分离下部27和上部28的增材、用于下部27的后续加工的增材、以及用于上部28的后续加工的增材的总和。
下部27的连接表面29可以特别地具有大致对应于光学表面31的预期形状的形状，该光学表面31稍后形成在上部28上。
通过以尽可能小的距离分离出来，可以实现：在下部27的连接表面29的区域中和在上部28的连接表面30的区域中的断裂带33具有非常相似的形状。此外，下部27的连接表面29和上部28的连接表面30之间的断裂带33的横向偏移相对较小，该偏移是由断裂带33相对于垂直方向的倾斜以及随着下部27和上部28的加工而产生的材料烧蚀引起的。因此，可在下部27的连接表面29和上部28的连接表面30的区域中将下部27和上部28彼此连接，使得在反射镜26中，断裂带33几乎不变地从下部27延续至上部28中。
为了实现这一点，下部27和上部28以基本正确的姿态彼此连接，也就是说，具有与坯料34中大致相同的相对位置和取向。举例来说，这种连接可以通过热接合来实现。在这种情况下，连接表面29、30可在坯件状态下直接互连，或者可将增材施加至连接表面29、30。然而，尽可能避免永久保留在连接表面29、30上的增材，因为它们可能具有不同的热膨胀系数。可选地，可在接合之前通过光学接触接合来将下部27和上部28互连。
坯料34中相对位置的微小偏差是由以下原因造成的：下部27和上部28在完成的反射镜26中彼此接触，并且在坯料34中彼此间隔一定距离布置，从而能够沿着平面分离表面35进行分离并且随后进行材料烧蚀的表面加工。如前所述，在从下部27过渡到上部28的过程中，这种位置偏差连同图4中所示的断裂带33的倾斜一起导致断裂带33的微小横向偏移。
当连接下部27和上部28时，下部27和上部28在坯料34内相对于彼此采取的相对取向可以非常精确地得到保持。举例来说，这可以借助于使用辅助框架或在坯料34上形成一个或多个标记来确保。该标记可以形成在与用于制造下部27的坯料34分离的区域内，和/或，形成在与用于制造上部28的坯料34分离的区域内。举例来说，该标记可以形成为钻孔、凹口或凹槽。
这些标记还可以用于在连接期间以高精度相对于彼此定位下部27和上部28，也就是说，不仅保持角度坐标，而且还保持空间坐标。然而，在坯料34中相对定位的再现方面，因以下原因造成限制：一方面，由于下部27和上部28以接触方式相互连接，它们的连接表面29、30的区域中没有间隔，另一方面，它们的连接表面29、30的区域中的材料在其加工过程中被烧蚀，这意味着在连接表面29、30之间的坯料34中必然存在间隔。借助于在下文中更详细描述的根据本发明的方法的配置，可以减少材料损失，并因此减少坯料34中所需的间隔以及随之而来的限制。
与图4的图示不同，坯料34也可以形成为比制造下部27和上部28所需的坯料大得多。特别地，坯料34可大到使得可由其制造多个下部27和/或多个上部28。因此，需要更多的分离表面35来分离出单独的下部27和/或上部28。即使在坯料34仅用于制造一个下部27和一个上部28的情况下，也可以提供另外的分离表面35以用于分离多余的材料，特别是如果坯料34明显大于制造下部27和上部28所需的材料。
图5示出了根据本发明的方法的另一配置的用于制造反射镜26的坯料34的示意性截面图。以类似于图4的方式，下部27和上部28沿着分离表面35从坯料34分离，并且随后在图5所示的配置的情况下通过多个加工步骤形成为期望的形状。关于图4的其余解释也类似地适用于图5。然而，在将下部27和上部28从坯料34分离出来的过程方面以及在分离表面35的形成方面存在差异。
在图5中，分离表面35在下部27的连接表面29和上部28的连接表面30之间的区域中不是平面、而是弯曲的形式。
特别地，分离表面35在该区域中可具有球形形式。分离表面35的曲率大致对应于下部27和上部28的连接表面29、30的曲率。以这种方式，对于坯料34中下部27和上部28之间的距离比图4中配置更小的情况，已经可以获得下部27的连接表面29和上部28的连接表面30二者的加工所需的增材。换句话说，通过沿着弯曲的分离表面35将下部27和上部28从坯料34分离，可以减少连接表面29、30之间的材料损失，并相应地减少坯料34中下部27和上部28之间所需的距离。因此，当连接下部27和上部28时，相对于其在坯料34中情形下的位置偏差也减小了。在完成的反射镜26中，这使得断裂带33从下部27至上部28的延续与根据图4的配置相比的变化甚至更小。如果断裂带33以倾斜的方式布置，这还使得断裂带33在从下部27到上部28的过渡期间的横向偏移比根据图4的配置中更小。
可以借助于也被称为分离式球磨研磨的过程来实现沿着弯曲的分离表面35将下部27和上部28从坯料34中分离。在此过程中，通过弯曲的旋转表面实施的旋转磨削工具逐渐浸入坯料34中，坯料34围绕图5中垂直的轴线旋转，并最终切断坯料34。以这种方式从坯料34中分离的下部27和上部28在用旋转磨削工具加工的区域中均具有曲面。DE10233777A1中详细描述了分离式球磨研磨。
根据本发明的方法的上述两种配置主要基于在尽可能靠近的体积区域内将下部27和上部28从坯料34中分离出来。另一个可能的过程包括将下部27和上部28从坯料34的一些区域中分离出来，在这些区域中，类似的情况普遍存在，并且特别地，在这些区域中，存在类似的断裂带33的空间分布。这将在下文中基于图6进行详细解释。
图6示出了根据本发明的方法的另一配置的用于制造反射镜26的坯料34的示意性截面图。以类似于图4的方式，沿着用虚线示出的分离表面35从坯料34中分离下部27和上部28，并且在图6所示配置的情况下，随后通过多个加工步骤将该上、下部形成为期望的形状。关于图4的其余解释也类似地适用于图6。然而，在从坯料34上分离下部27和上部28的过程和/或上部28的后续加工方面存在差异。
在图6的配置中，上部28的轮廓相对于下部27的轮廓横向偏移，其结果是，上部28的连接表面30不与下部27的连接表面29垂直齐平。为了说明这一点，在图6中(使用虚线)绘制了垂直辅助线。此外，该横向偏移的方向由箭头表示。上部28相对于下部27的横向偏移的绝对值大致对应于断裂带33的横向偏移的绝对值，该横向偏移是由断裂带33在下部27的连接表面29和上部28的连接表面30之间的倾斜引起的。
这使得可将上部28连接至下部27，而不存在断裂带33的横向偏移或者只有很小的横向偏移，尽管加工需要增材。为此，下部27和上部28沿着图6所示的分离表面35与坯料34分离。然后，上部28的侧表面，也就是说在图6的图示中向左和向右界定了上部28的该表面，被铣削和/或研磨，使得在下部27和上部28的连接相对于连接表面29、30齐平的情况下，在连接表面29、30的区域中，在下部27和上部28之间没有偏移或者只有很小的偏移。为此，为了获得断裂带33相对于上部28的外轮廓的横向位移，在上部28的侧表面的不同点处存在不同程度的材料烧蚀。由于断裂带33的倾斜通常具有单轴向形式，断裂带33的最佳横向位移可由该倾斜的角度以及连接表面29和连接表面30上的材料烧蚀的总和来确定，该总和对应于坯料34中连接表面29、30之间的距离。如果在沿着分离表面35从坯料34中分离下部27和上部28时存在明显的材料损失，那么该材料损失可以分别成比例地添加至连接表面29上的材料烧蚀和连接表面30上的材料烧蚀，以便在确定横向位移时进一步略微增加精度。
替代地，也可以确定连接表面29、30的区域中断裂带33的横向分布，并通过自相关确定最佳横向位移。
同样，坯料34中断裂带33的空间构造可以用于模拟在给定操作条件下在投射曝光设备1的操作期间引发最小图像像差的横向位移的绝对值和方向，并且可以相应地加工该上部28。然而，以这种方式确定的位移不一定会引发连接表面29、30之间的断裂带33的最小横向偏移。上部28相对于下部27、围绕图6的视图中垂直的轴线的扭转可以额外用作模拟中的另一变量。可选地，在确定合适的横向位移时，还可以不仅包括图像像差，还包括由连接表面29、30的区域中的断裂带33的横向偏移引起的局部应力，因为这些可能对下部27和上部28之间的连接的耐久性具有负面影响。
在上部28的侧表面已经被加工之后，可以以类似于上面已经描述的根据本发明的方法的配置的方式实施下部27和上部28的进一步加工，以及下部27和上部28的连接。
也可以通过铣削或研磨图5所示配置中上部28的侧表面来至少部分地补偿断裂带33的横向偏移，其中下部27和上部28通过分离式球磨研磨与坯料34分离。
除了到目前为止描述的断裂带33之外或作为其替代，坯料34可以具有另外的断裂带33，当从坯料34中分离下部27和上部28时，需要考虑这些断裂带。这将基于图7进行解释。
图7示出了根据本发明的方法的另一配置的用于制造反射镜26的坯料34的示意性截面图。坯料34以类似于图4所示配置的方式在直接沉积工艺中制成。制造过程中，材料逐层沉积，因此在图7中垂直延伸的方向上，钛含量和OH含量可能存在周期性变化。由此，出现了层状断裂带33，其中每毫米具有大约2-30层。除了图4所示的断裂带33之外，这些断裂带33也可能出现。下面的解释集中在层状断裂带33上。
为了清楚起见，在图7中仅示出了几个断裂带33。从图7可以明显看出，断裂带33不是形成为平坦状，而是形成为弯曲的层。如果下部27和上部28以平行于水平面的方式与坯料34分离，那么许多断裂带33将与上部28的形成有光学表面31的区域相交。首先由于该区域是通过研磨和抛光进行加工的，并且其次由于断裂带33具有稍微偏离的材料成分并由此也具有偏离的硬度，因此在该区域中将会制备由烧蚀率随硬度变化而导致的对应于层图案的不均匀分布。
为了避免这种情况，下部27和上部28可以由坯料34的体积区域制成，该体积区域具有适于形成断裂带33的取向，也就是说，图7中绘出的下部27和上部28的轮廓相对于坯料34的外表面或轴线倾斜。因此，也可以沿着以相同方式倾斜的分离表面35实现下部27和上部28从坯料34的分离。如图7所示，这可以例如通过分离表面35相对于水平面以取决于断裂带33的局部轮廓的方式倾斜来实现，因此，分离表面35近似平行于断裂带33延伸。替代地，由于在下部27和上部28之间具有楔形切割间隙，仅当将上部28从坯料34分离时，才可以考虑断裂带33的轮廓。在图7的图示中，这将意味着上部28的取向将保持不变，而下部27将水平取向。在这两种情况下，上部28都被进一步加工，使得上部28的随后形成有光学表面31的表面大致平行于断裂带33延伸，从而使得尽可能少的断裂带33与该表面相交。特别地，上部28的形成有光学表面33的该表面可以具有最多10个、优选最多5个、特别优选最多2个断裂带33。否则，下部27和上部28的加工可以以类似于上面已经描述的方式实施。
下部27和上部28也可以从不是通过直接沉积、而是通过其他方式制成的坯料34上分离。举例来说，坯料34可以在烟黑工艺中制成，其中圆柱体形式的棒在燃烧器阵列上方旋转，并且气相材料连续沉积在圆柱体上。由于材料在各个燃烧器的区域中的沉积速率略有不同，可能会形成断裂带33。各断裂带33可以分别在圆柱体的整个横截面上延伸并且垂直于圆柱体轴线延伸，同时多个断裂带33沿着圆柱体轴线一个接着一个。通过允许被加热至变软的圆柱体流入模具中，以这种方式制成的圆柱体可以被重新成形为坯料34。以这种方式制成的两个坯料34在图8中示出。
图8示出了根据本发明的方法的另一配置的用于制造反射镜26的两个坯料34的示意性截面图。相对于质量，坯料34的OH浓度最大为400ppm。每个坯料34都通过烟炱工艺制成，并通过流入模具中而重新成形。作为重新成形过程的结果，弯曲的断裂带33从垂直于圆柱体轴线取向的平面断裂带33中显现，从而使坯料34分别具有多个连续的弯曲断裂带33。
举例来说，如果下部27和上部28沿着相同的分离表面35从图8左侧所示的坯料34中分离出来，那么当下部27和上部28在加工之后被组装以形成反射镜26时，在弯曲的断裂带33中会有间隙，该间隙是由于下部27和上部28的后续加工造成的材料损失而产生的。通过不同的措施，可以避免或至少减少这种间隙。
一种措施包括将下部27和上部28从不同的坯料34中分离，这些坯料在断裂带33的空间分布方面具有非常相似的实施例。特别地，借助于用于制造坯料34的相同的制造装置以及使用相同的工艺参数快速连续地制成的坯料34，可以获得类似形式的断裂带33。图8中示出的两个坯料34是以这种方式制成的类似实施的坯料34。相应地，两个坯料34的断裂带33具有非常相似或相同的构造，其中在图8左侧示出的坯料34用于制造下部27，而在图8右侧示出的坯料34用于制造上部28。具体而言，采用以下过程：
下部27沿着分离表面35与图8左侧所示的坯料34分离。然后，以上面已经描述的方式加工下部27，直到其具有图8中左侧所示的轮廓。
在图8右侧所示的坯料34中，在一位置处用虚线示出下部27的轮廓，该位置关于断裂带33的相对布置相当于下部27在图8左侧所示的坯料34中的轮廓位置。在右侧示出的坯料34的情况下，下部27的所示轮廓的取向也对应于在左侧示出的坯料34的情况下该下部27的轮廓的取向。上部28的轮廓同样在右侧所示的坯料34中示出，并且紧邻下部27的轮廓，使得下部27的连接表面29和上部28的连接表面30彼此紧邻。然而，下部27没有与右侧所示的坯料34分离。取而代之的是，只有上部28与右侧所示的坯料34分离，并且与左侧所示的坯料34相比，分离表面35朝向下部27偏移。用于分离出下部27和用于分离出上部28的分离表面35之间的偏移对应于在连接表面29、30的区域中下部27和上部28的增材的总和。与下部27一样，上部28在分离后也以上述方式进行加工。
然后，下部27和上部28被组装以形成反射镜26。反射镜26在连接表面29、30的区域中的断裂带33中没有或只有很小的间隙。这是基于下部27和上部28从两个相似的坯料34中的偏移分离，其允许抵消在分离和加工期间发生的材料损失，因此这最终导致相同的结果，就好像下部27和上部28是在没有材料损失的情况下由相同的坯料34的紧邻的体积区域制成的一样。换句话说，如果在图8中由下部27的轮廓示出的下部27的体积区域从左侧示出的坯料34转移到右侧示出的具有类似实施例的坯料34，并且同时保持其相对于断裂带33的姿态，则该体积区域紧邻上部28的体积区域(由上部28的轮廓示出)。这导致完全加工的下部27的连接表面29和完全加工的上部28的连接表面30相对于断裂带33的空间分布以相同的方式布置。因此，通过从下部27到上部28的过渡，断裂带33在完成的反射镜26中无缝地延续，并且就断裂带33所基于的材料参数而言，在下部27的连接表面29和上部28的连接表面30之间没有跳跃。
因此，在结合下部27和上部28时出现的断裂带33中的间隙的大小取决于在图8左侧示出的坯料34的体积区域，其中下部27由该体积区域制成，并且取决于在图8右侧示出的坯料34的体积区域，其中上部28由该体积区域制成。
基于图8描述的该过程也可以应用于单个坯料34的情况，只要该单个坯料具有足够大的空间尺寸。
进一步的措施包括在分离以及加工下部27和上部28时减少材料损失，以使得产生相对小的间隙。为此，下部27和上部28可以沿着弯曲的分离表面35与坯料34分离，例如通过已经提到的分离式球磨研磨。为了将材料损失保持得尽可能小，分离表面35的曲率可以适应于连接表面29、30的曲率。
尽管沿着弯曲的分离表面35的分离相对于沿着平坦的分离表面35的分离有所改善，但是当组装下部27和上部28以形成反射镜26时，在连接表面29、30的区域中仍然会出现在坯料34中不存在的、断裂带33中的间隙。
作为进一步的措施，还可以表征坯料34，并且分别将用于分离出下部27和上部28的分离表面35放置在坯料34的没有明显断裂带33的区域中。如果单个坯料34具有足够的尺寸，则这种措施也适用于这种情况。此外，该过程也可以用于以不同方式形成的断裂带33和/或以不同方式制成的坯料34。特别地，可以选择用于下部27和上部28的一个或多个坯料34的体积区域，使得在下部27的第一连接表面29的位置处和上部28的第二连接表面30的位置处的断裂带33的显现在每种情况下都低于极限值。特别地，只要连接表面29或连接表面30中的断裂带33的面积比例低于阈值，断裂带33的显现就低于极限值。当改变一个或多个坯料34中下部27和上部28的体积区域的布置时，该阈值可以被定义为是连接表面29或连接表面30中的断裂带33的面积比例的最小值和最大值的算术平均值。在这种情况下，还可以分别确定下部27和上部28的面积比例的相应最小值和相应最大值，并相应地设定连接表面29和连接表面30的相应阈值。此外，可以要求该阈值低于例如断裂带33的面积比例的最小值与该阈值之间的差值的至少30％，特别是至少60％。
作为进一步的措施，可以尝试使相应的坯料34均匀化。这方面的选择和过程取决于材料和生产工艺。
在根据本发明的方法的所有描述的配置中，当连接下部27和上部28时，作为保持坯料34的断裂带33的轮廓的替代方案，也可以故意偏离断裂带33的原始轮廓。举例来说，下部27和上部28可以在连接期间以这样的方式相对于彼此定位和取向，使得在从下部27到上部28的过渡处存在的断裂带33的横向偏移尽可能大。其结果是，在下部27的连接表面29和上部28的连接表面30的区域中的断裂带33在某种意义上可以被布置成彼此相位相反，并且随断裂带33产生的材料成分或材料特性的偏差可以在连接表面29、30的区域中得到部分补偿。
作为使用与坯料34分离的上部28的替代方案，也可以通过在熔融金属(浮法玻璃)上流出、通过在长的脱离边缘上浇注、通过压制和烧结玻璃烟灰或者间接地通过灰体来制成上部28。使用这些方法，可以制造几毫米厚且具有良好均匀性的板坯。
参考标记
1 投射曝光设备
2 照明系统
3 辐射源
4 照明光学单元
5 物场
6 物平面
7 掩模母版
8 掩模母版支架
9 掩模母版位移驱动器
10 投射光学单元
11 像场
12 像平面
13 晶片
14 晶片支架
15 晶片位移驱动器
16 照明辐射
17 集光器
18 中间焦平面
19 偏转镜
20 第一分面镜
21 第一分面
22 第二分面镜
23 第二分面
24 冷却装置
25 控制装置
26 反射镜
27 下部
28 上部
29 连接表面
30 连接表面
31 光学表面
32 冷却通道
33 断裂带
34 坯料
35 分离表面
M 反射镜
M1反射镜
M2反射镜
M3反射镜
M4 反射镜
M5 反射镜
M6 反射镜

Claims (15)

1.一种用于制造用于微光刻的投射曝光设备(1)的反射镜(26)的方法，其中
提供至少一个坯料(34)，所述坯料由具有非常低的热膨胀系数的材料构成并且具有断裂带(33)，在所述断裂带内，至少一个材料参数与指定值的偏差超过最小偏差，
由所述坯料(34)制造具有第一连接表面(29)的第一反射镜部件(27)，
由所述坯料(34)或另一坯料(34)制造具有第二连接表面(30)的第二反射镜部件(28)，
所述第一反射镜部件(27)和所述第二反射镜部件(28)在所述第一反射镜部件(27)的第一连接表面(29)和所述第二反射镜部件(28)的第二连接表面(30)的区域中永久地相互连接，
基于一个或多个坯料(34)中所述断裂带(33)的空间构造来确定制造所述第一反射镜部件(27)的所述坯料(34)的体积区域和/或制造所述第二反射镜部件(28)的所述坯料(34)或另一坯料(34)的体积区域，
其中，用于所述第一反射镜部件(27)和所述第二反射镜部件(28)的所述一个或多个坯料(34)的体积区域被选择为使得在所述第一反射镜部件(27)与所述第二反射镜部件(28)连接之后，所述断裂带(33)从所述第一反射镜部件(27)延续至所述第二反射镜部件(28)。
2.一种用于制造用于微光刻的投射曝光设备(1)的反射镜(26)的方法，其中
提供坯料(34)，所述坯料由具有非常低的热膨胀系数的材料构成并且具有断裂带(33)，在所述断裂带内，至少一个材料参数与指定值的偏差超过最小偏差，
由所述坯料(34)制造具有第一连接表面(29)的第一反射镜部件(27)，
由所述坯料(34)制造具有第二连接表面(30)的第二反射镜部件(28)，
所述第一反射镜部件(27)和所述第二反射镜部件(28)在所述第一反射镜部件(27)的第一连接表面(29)和所述第二反射镜部件(28)的第二连接表面(30)的区域中永久地相互连接，
所述第一反射镜部件(27)和所述第二反射镜部件(28)由所述坯料(34)的体积区域制成，所述体积区域通过用于制造所述第一反射镜部件(27)的增材和用于制造所述第二反射镜部件(28)的增材的总和而相互间隔开。
3.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一反射镜部件(27)和所述第二反射镜部件(28)至少在某些区域中沿着弯曲的分离表面(35)与所述坯料(34)分离。
4.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，基于一个或多个坯料(34)中所述断裂带(33)的空间构造来确定所述第一反射镜部件(27)和所述第二反射镜部件(28)相互连接时的相对取向。
5.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一反射镜部件(27)和所述第二反射镜部件(28)由所述坯料(34)的横向偏移的体积区域制成。
6.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一反射镜部件(27)和所述第二反射镜部件(28)由所述坯料(34)的相对于所述坯料(34)的外表面或轴线倾斜的体积区域制成。
7.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，所述第一反射镜部件(27)和所述第二反射镜部件(28)以与所述坯料(34)中相同的相对取向相互连接。
8.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，选择用于所述第一反射镜部件(27)和所述第二反射镜部件(28)的一个或多个坯料(34)的体积区域，使得在所述第一反射镜部件(27)的第一连接表面(29)的位置处和所述第二反射镜部件(28)的第二连接表面(30)的位置处的所述断裂带(33)的显现在每种情况下都低于极限值。
9.根据前述权利要求中任一项所述的方法，其中，为每个坯料(34)选择相应的区域，使得所述区域具有断裂带(33)的相似空间构造，并且所述第一反射镜部件(27)由所述区域中一个区域内的体积区域制成，所述第二反射镜部件(28)由另一区域内的体积区域制成。
10.一种用于微光刻的投射曝光设备(1)的反射镜，其中
所述反射镜(26)具有由热膨胀系数非常低的材料制成的第一反射镜部件(27)和第二反射镜部件(28)，
所述第一反射镜部件(27)和所述第二反射镜部件(28)在所述第一反射镜部件(27)的第一连接表面(29)和所述第二反射镜部件(28)的第二连接表面(30)的区域中永久地相互连接，
所述第一反射镜部件(27)和所述第二反射镜部件(28)具有断裂带(33)，在所述断裂带内，至少一个材料参数与指定值的偏差超过最小偏差，
所述第一反射镜部件(27)的断裂带(33)与所述第二反射镜部件(28)的断裂带(33)邻接，并且在所述第一连接表面(29)的位置处，所述断裂带占据总面积的至少50％。
11.根据权利要求10所述的反射镜，其中，所述断裂带(33)从所述第一反射镜部件(27)延续至所述第二反射镜部件(28)。
12.一种用于微光刻的投射曝光设备(1)的反射镜，其中
所述反射镜(26)具有由热膨胀系数非常低的材料构成的第一反射镜部件(27)和第二反射镜部件(28)，
所述第一反射镜部件(27)和所述第二反射镜部件(28)在所述第一反射镜部件(27)的第一连接表面(29)和所述第二反射镜部件(28)的第二连接表面(30)的区域中永久地相互连接，
所述第一反射镜部件(27)在从所述第一连接表面(29)延伸至所述第一反射镜部件(27)中10mm距离的第一体积区域中具有第一过零温度平均值，
所述第二反射镜部件(28)在从所述第二连接表面(30)延伸至所述第二反射镜部件(28)中10mm距离的第二体积区域中具有第二过零温度平均值，
所述第一过零温度平均值与所述第二过零温度平均值的偏差小于1K。
13.一种照明光学单元，具有根据权利要求10至12中任一项所述的反射镜(26)。
14.一种投射光学单元，具有根据权利要求10至12中任一项所述的反射镜(26)。
15.一种微光刻投射曝光设备，具有根据权利要求13所述的照明光学单元(4)和/或根据权利要求14所述的投射光学单元(10)。
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