CN116812963A - 一种硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法 - Google Patents
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- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 80
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 80
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 51
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 39
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 39
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 38
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 62
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 60
- 238000001354 calcination Methods 0.000 claims abstract description 50
- 150000000703 Cerium Chemical class 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 38
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims abstract description 28
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims abstract description 23
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims abstract description 23
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 22
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 claims abstract description 22
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 45
- VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K cerium trichloride Chemical compound Cl[Ce](Cl)Cl VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 claims description 41
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 35
- 235000002639 sodium chloride Nutrition 0.000 claims description 33
- 239000008213 purified water Substances 0.000 claims description 30
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 29
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 28
- HSJPMRKMPBAUAU-UHFFFAOYSA-N cerium(3+);trinitrate Chemical compound [Ce+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O HSJPMRKMPBAUAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 22
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 15
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 15
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 15
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 claims description 15
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 claims description 15
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 13
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 claims description 12
- 239000012065 filter cake Substances 0.000 claims description 11
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 10
- NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N Ammonia chloride Chemical compound [NH4+].[Cl-] NLXLAEXVIDQMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 claims description 6
- 238000000967 suction filtration Methods 0.000 claims description 6
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N iron Substances [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 235000019270 ammonium chloride Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 11
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 22
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 21
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000000047 product Substances 0.000 description 11
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 10
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 8
- 238000004321 preservation Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 7
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 6
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 6
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 238000001493 electron microscopy Methods 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 2
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 2
- 238000000498 ball milling Methods 0.000 description 2
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GHLITDDQOMIBFS-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);tricarbonate Chemical compound [Ce+3].[Ce+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O GHLITDDQOMIBFS-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 2
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000010865 sewage Substances 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 238000010532 solid phase synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001694 spray drying Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 description 1
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N ammonia nh3 Chemical compound N.N XKMRRTOUMJRJIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 description 1
- QQZMWMKOWKGPQY-UHFFFAOYSA-N cerium(3+);trinitrate;hexahydrate Chemical compound O.O.O.O.O.O.[Ce+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O QQZMWMKOWKGPQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000002360 explosive Substances 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920006316 polyvinylpyrrolidine Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 239000012716 precipitator Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000007670 refining Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- -1 salt potassium chloride Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000001308 synthesis method Methods 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F17/00—Compounds of rare earth metals
- C01F17/10—Preparation or treatment, e.g. separation or purification
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
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- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01F—COMPOUNDS OF THE METALS BERYLLIUM, MAGNESIUM, ALUMINIUM, CALCIUM, STRONTIUM, BARIUM, RADIUM, THORIUM, OR OF THE RARE-EARTH METALS
- C01F17/00—Compounds of rare earth metals
- C01F17/20—Compounds containing only rare earth metals as the metal element
- C01F17/206—Compounds containing only rare earth metals as the metal element oxide or hydroxide being the only anion
- C01F17/224—Oxides or hydroxides of lanthanides
- C01F17/235—Cerium oxides or hydroxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
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- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/30—Particle morphology extending in three dimensions
- C01P2004/32—Spheres
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/60—Particles characterised by their size
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- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
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- Silicon Compounds (AREA)
- Compounds Of Alkaline-Earth Elements, Aluminum Or Rare-Earth Metals (AREA)
Abstract
本发明公开的一种硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法，涉及半导体材料加工技术领域；其制备过程如下：㈠、前驱体合成：⑴、溶液配制：①、铈盐溶液配制；②、碱液配制；⑵、合成：①、添加助熔盐；②、沉淀；㈡、煅烧；㈢、清洗；具有制备工艺简单、操作过程可控、重复性好、且易于实现工业化等特点，其所制备的硅衬底粗抛用纳米级氧化铈可用于硅衬底片的粗抛光。
Description
技术领域
本发明涉及半导体材料加工技术领域，特别是一种硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法。
背景技术
随着超大规模集成电路器件特征尺寸的减少和集成度的提高，要求作为衬底材料的单晶硅片抛光表面可接受的分辨率也越来越高，即要求表面达到超光滑。因此，在硅片的化学机械抛光中，磨料本身的尺寸、形貌、粒度分布、硬度是影响抛光表面质量的关键。
硅衬底片抛光通常由粗抛、细抛、精抛组成。当前硅衬底抛光以氧化硅抛光液为主，但氧化硅抛光液仍有去除率低，材料二氧化硅的硬度较大，易对材料造成划伤，抛光后较难清洗，抛后物料难处理等问题。其中表面损伤是因为抛光时高温高压下或金属离子影响，导致氧化硅凝聚成块或结晶成硬物造成的。
二氧化铈作为抛光料的使用已经有了很多年的历史，其被广泛应用于精密玻璃以及二氧化硅介质层抛光，且表现出很强的抛光能力。氧化铈作为磨料应用于硅衬底的抛光已有大量报道。
现有技术中，球化或类球化纳米氧化铈的制备方法中主要有以下几种：
一是固相法：现有固相法，通过助熔剂可实现球化或类球化，但受原料影响较大，颗粒均匀性较差，颗粒分布宽；
二是水热合成法：水热合成法无法实现产业化，其过程不可控，且重复性差；
三是合成法：现有合成法，其颗粒容易团聚，表面棱角多；虽然，通过后期添加助熔剂，可改善表面棱角及团聚问题，但颗粒的尺寸变大，均匀性会变差。
中国专利(专利申请号为202211028207.0)公开的“一种纳米氧化铈的制备方法和应用”，该制备方法，包括以下步骤：将铈盐溶液、沉淀剂、表面活性剂并流输入多相界面反应器中，于搅拌状态下反应；然后将反应得到的浆料陈化、离心、洗涤，得到纳米碳酸铈前驱体；再将纳米碳酸铈前驱体焙烧，制得；溶液中Ce3+的摩尔浓度为0.5-1.8mol/L；.铈盐溶液中Ce3+与沉淀剂、表面活性剂的摩尔浓度比为1：(1-2.0)：(0.3％-3％)。
另一中国专利(专利申请号为202210937597.7)公开的“一种类球形纳米氧化铈的制备方法”，包括以下步骤：a、将一定量的助熔盐加水搅拌溶解，再将不溶解的铈盐加到助熔盐与水的溶液中，搅拌均匀，得到均匀分散好的浆料；b、将步骤a所得的浆料一边搅拌一边干燥，得到干燥的、均匀的、细致的粉料；c、将步骤b所得的粉料进行煅烧，即成。
还有中国专利(专利申请号为202210989564.7)公开的“一种高分散类球纳米氧化铈抛光液及其应用”，抛光液包括类球纳米氧化铈粉体；所述类球纳米氧化铈粉体的制备方法，包括如下步骤：(1)将四价铈盐与聚乙烯吡咯烷酮溶液混合配成铈盐溶液，并添加沉淀剂和氧化剂，于70-90℃高速剪切，直至生成沉淀，制得前驱体浆液；(2)将前驱体浆液洗涤至中性，然后进行喷雾干燥，得到氧化铈前驱体，向其中添加助熔盐，并细化物料，再次进行喷雾干燥；(3)将得到的物料进行煅烧，得到纳米氧化铈粉体。
还有中国专利(专利申请号为202010675867.2)公开的“一种10-50nm高纯度纳米氧化铈的制备方法”，包括以下步骤：(1)将高纯度硝酸铈、高纯度甘氨酸和高纯度PEG原料用半导体级超纯水进行溶解，将所得溶液采用密闭式高纯保护气体喷雾干燥器进行干燥，生成微米级的干粉；(2)采用高纯氧气将生成的粉末输运到高温反应炉里，粉末在高温炉里进行爆炸式反应，即可得到粒径为10-50nm、纯度为99.9999wt％以上的纳米氧化铈。
还有中国专利(专利申请号为202110667647.X)公开的“一种低温合成均一球形纳米氧化铈材料的方法”，该发明采用低温水热法，将一定量的六水硝酸铈、尿素、聚乙烯吡咯烷酮-K30在室温下溶于去离子水后，混合搅拌，然后将所得溶液转移到不锈钢高压釜中进行反应。高压釜在80-120℃下保持6-12h。自然冷却至室温后，经离心、洗涤、煅烧即可获得粒径均一的球形纳米二氧化铈。
还有中国专利(专利申请号为201910221796.6)公开的“一种用于硅片抛光的纳米氧化铈的制备方法”，包括以下步骤：a、将一定量的硅酸盐加水搅拌溶解，再将不溶解的铈盐加到硅酸盐与水的溶液中，再经过球磨，得到均匀分散好的浆料；b、将步骤a所得的浆料采用闪蒸的方式进行干燥，得到干燥的、均匀的、细致的粉料；c、将步骤b所得的粉料进行煅烧，即成。
还有中国专利(专利申请号为201510966080.0)公开的“一种平均粒径可调的超细氧化铈抛光粉的制备方法，采用水热-煅烧法制备微纳米氧化铈抛光粉，首先水热合成氧化铈Ce(IV)作为前驱体，然后对前驱体进行煅烧和后处理得到抛光粉产品。通过调节水热反应参数(体系pH值)控制氧化铈前驱体的尺寸和形态，从而实现对成品抛光粉形态和粒度的控制。所制备的氧化铈抛光粉形貌为类球形，中位粒径d50在100nm-1.5μm之间可调，0＜粒度分布R＜0.8。
还有美国专利US20110252714中使用氢氧化钾和硝酸铈反应，灼伤后的氧化铈晶粒在150nm左右，颗粒是类球状，其切削率及表观尚可，但其分散性、均匀性一般。
发明内容
针对现有技术所存在的不足，本发明所要解决的技术问题是提供一种制备工艺简单、操作过程可控、重复性好，且易于实现工业化的类球形纳米级别的氧化铈粉末体的制备方法。
为解决上述技术问题，本发明所采取的技术方案是发明一种硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法，其制备过程如下：
㈠、前驱体合成：
⑴、溶液配制：
①、铈盐溶液配制：将可溶性铈盐加入到纯净水中，调制成0.2-0.8mol/L的可溶性铈盐溶液，备用；
②、碱液配制：将碱加入到纯净水中，调制成含量为2-8％的碱液，备用；
⑵、合成：
①、添加助熔盐：向可溶性铈盐溶液中加入助熔盐，搅拌溶解，其助熔盐的加入量按可溶性铈盐折成REO的2-8％进行，得可溶性铈盐和助熔盐混合溶液，备用；
②、沉淀：在室温下，向可溶性铈盐助熔溶液中缓慢加入碱液，至pH值10-12，得胶体，其后，在70-90℃下搅拌4-6h，待反应完全后，抽滤，并将滤饼在90-120℃下烘干，即得前驱体，备用；
㈡、煅烧：
将前驱体置于马弗炉中，在650-800℃下进行煅烧，其煅烧过程中：先用2-4h升温至煅烧温度，然后，在煅烧温度下保温煅烧0.5-1.5h，得煅烧前驱体，备用；
㈢、清洗：
将煅烧前驱体用纯净水在离心机中反复离心清洗，直至电导率为1ms/cm以下，即得氧化铈。
优化地，所述可溶性铈盐包括氯化铈、硝酸铈中的一种或两种，优选氯化铈。
优化地，所述碱包括氢氧化钾、氢氧化钠、氨水中的一种或二种或三种，优选氢氧化钾。
优化地，所述助熔盐包括氯化钾、氯化钠、氯化铵的一种或二种或三种，优选氯化钾。
优化地，所述可溶性铈盐溶液的浓度为0.4-0.6mol/L的，备用；所述碱液的含量为4-6％。
优化地，所述可溶性铈盐溶液的浓度为0.5mol/L的，备用；所述碱液的含量为5％。
优化地，所述助熔盐的加入量按可溶性铈盐折成REO的4-6％。
优化地，所述助熔盐的加入量按可溶性铈盐折成REO的5％。
优化地，所述胶体的pH值为11，所述胶体的搅拌温度为80℃，所述胶体的搅拌时间为5h。
优化地，所述煅烧温度为700℃，其煅烧过程中：先用3h升温至700℃，然后，在700℃下保温煅烧1h。
优化地，所述滤饼的烘干温度为105℃。
上述经过煅烧所得的氧化铈，通过电镜观察其粉体的形貌、分散性及颗粒大小，可判断其粉体属于类球形纳米级别(详见附图1-5所示)，其后续应用时，可通过球磨加工成类球形纳米氧化铈抛光液。
本发明的硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法，是在前驱体制备开始时就进行控制，即：在合成反应前加入助熔剂，通过助熔剂(即：助熔盐)对前驱体的颗粒大小、均匀性和分散性进行控制，从而，使得其合成的粒径大小可控、形貌均一、分散性优异，且其形状均为球形的纳米级别的氧化铈粉末体。同时，由于其反应过程是在常压加热情况下进行的，对设备要求不高，因而，其制备工艺简单、操作过程可控、重复性好、且易于实现工业化。
附图说明
图1是本发明的实施例1所得产品的电镜照片；
图2是本发明的实施例2所得产品的电镜照片；
图3是本发明的实施例3所得产品的电镜照片；
图4是本发明的实施例4所得产品的电镜照片；
图5是本发明的实施例5所得产品的电镜照片；
图6是对照例1所得产品的电镜照片；
图7是对照例2所得产品的电镜照片；
图8是对照例3所得产品的电镜照片。
具体实施方式
以下结合实施例，对本发明作进一步的说明。下面的说明是采用例举的方式，但本发明的保护范围不应局限于此。
实施例1：
本实施例的硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法，其制备过程如下：
㈠、前驱体合成：
⑴、溶液配制：
①、铈盐溶液配制：将氯化铈加入到纯净水中，调制成0.5mol/L的氯化铈溶液，备用；
②、碱液配制：将氢氧化钾加入到纯净水中，调制成含量为5％的氢氧化钾溶液，备用；
⑵、合成：
①、添加助熔盐：向氯化铈溶液中加入氯化钾(添加的助熔盐氯化钾，其中的氯根离子和钾离子，在后续的沉淀过程中被形成的胶体颗粒所吸附，从而对胶体颗粒的形貌、分散性、颗粒的大小进行调控的，下同)，搅拌溶解，其氯化钾的加入量按氯化铈溶液(折成REO)的5％加入，得氯化铈助熔溶液，备用；
②、沉淀：在室温下，向氯化铈助熔溶液中缓慢加入氢氧化钾溶液，至pH值11，得到紫色胶体，其后，在80℃下搅拌5h(此过程为高温陈化，其目的是让胶体转化为沉淀物，解决氢氧化物胶体无法分离、也很难烘干的问题，下同)，待反应完全后(此时，沉淀物自然沉降，达到固液分离的状态，下同)，抽滤，并将滤饼在105℃下烘干，即得前驱体，备用；
㈡、煅烧：
将前驱体置于马弗炉中，在700℃下进行煅烧，其煅烧过程中：先用3h升温至700℃，然后，在700℃下保温煅烧1h，得煅烧前驱体，备用；
㈢、清洗：
将煅烧前驱体用纯净水在离心机中反复离心清洗(此过程中，大部分的氯根离子和碱性金属离子被洗涤去除，下同)，直至电导率为1ms/cm以下，即得氧化铈。
本实施例所制得的氧化铈，通过电镜检测，其粉体的一次粒径为50nm左右，表面球形度好，分散性好，详见附图1所示，因而，可用于制备硅衬底粗抛用的纳米氧化铈。
实施例2：
本实施例的硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法，其制备过程如下：
㈠、前驱体合成：
⑴、溶液配制：
①、铈盐溶液配制：将氯化铈加入到纯净水中，调制成0.5mol/L的氯化铈溶液，备用；
②、碱液配制：将氢氧化钾加入到纯净水中，调制成含量为5％的氢氧化钾溶液，备用；
⑵、合成：
①、添加助熔盐：向氯化铈溶液中加入氯化钠，搅拌溶解，其氯化钠的加入量按氯化铈溶液折成REO的5％加入，得氯化铈助熔溶液，备用；
②、沉淀：在室温下，向氯化铈助熔溶液中缓慢加入氢氧化钾溶液，至pH值11，得到紫色胶体，其后，在80℃下搅拌5h，待反应完全后，抽滤，并将滤饼在105℃下烘干，即得前驱体，备用；
㈡、煅烧：
将前驱体置于马弗炉中，在700℃下进行煅烧，其煅烧过程中：先用3h升温至700℃，然后，在700℃下保温煅烧1h，得煅烧前驱体，备用；
㈢、清洗：
将煅烧前驱体用纯净水在离心机中反复离心清洗，直至电导率为1ms/cm以下，即得氧化铈。
本实施例所制得的氧化铈，通过电镜检测，其粉体的一次粒径在100nm以内，表面球形度一般，分散性也一般，详见附图2所示，因而，也可用于制备硅衬底粗抛用的纳米氧化铈。
实施例3：
本实施例的硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法，其制备过程如下：
㈠、前驱体合成：
⑴、溶液配制：
①、铈盐溶液配制：将氯化铈加入到纯净水中，调制成0.5mol/L的氯化铈溶液，备用；
②、碱液配制：将氢氧化钠加入到纯净水中，调制成含量为5％的氢氧化钠溶液，备用；
⑵、合成：
①、添加助熔盐：向氯化铈溶液中加入氯化钾，搅拌溶解，其氯化钾的加入量按氯化铈溶液折成REO的5％，得氯化铈助熔溶液，备用；
②、沉淀：在室温下，向氯化铈助熔溶液中缓慢加入氢氧化钠溶液，至pH值11，得到紫色胶体，其后，在80℃下搅拌5h，待反应完全后，抽滤，并将滤饼在105℃下烘干，即得前驱体，备用；
㈡、煅烧：
将前驱体置于马弗炉中，在700℃下进行煅烧，其煅烧过程中：先用3h升温至700℃，然后，在700℃下保温煅烧1h，得煅烧前驱体，备用；
㈢、清洗：
将煅烧前驱体用纯净水在离心机中反复离心清洗，直至电导率为1ms/cm以下，即得氧化铈。
本实施例所制得的氧化铈，通过电镜检测，其粉体的一次粒径为50nm左右，表面球形度一般，不规则颗粒较多，分散性也一般，详见附图3所示，因而，也可用于制备硅衬底粗抛用的纳米氧化铈。
实施例4：
本实施例的硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法，其制备过程如下：
㈠、前驱体合成：
⑴、溶液配制：
①、铈盐溶液配制：将氯化铈加入到纯净水中，调制成0.5mol/L的氯化铈溶液，备用；
②、碱液配制：将氨水加入到纯净水中，调制成含量为5％的氨水溶液，备用；
⑵、合成：
①、添加助熔盐：向氯化铈溶液中加入氯化氨，搅拌溶解，其氯化氨的加入量按氯化铈溶液折成REO的5％，得氯化铈助熔溶液，备用；
②、沉淀：在室温下，向氯化铈助熔溶液中缓慢加入氨水溶液，至pH值11，得到白色胶体，其后，在80℃下搅拌5h，待反应完全后，抽滤，并将滤饼在105℃下烘干，即得前驱体，备用；
㈡、煅烧：
将前驱体置于马弗炉中，在700℃下进行煅烧，其煅烧过程中：先用3h升温至700℃，然后，在700℃下保温煅烧1h，得煅烧前驱体，备用；
㈢、清洗：
将煅烧前驱体用纯净水在离心机中反复离心清洗，直至电导率为1ms/cm以下，即得氧化铈。
本实施例所制得的氧化铈，通过电镜检测，其粉体的一次粒径为50-100nm，表面球形度差，棱角多，但分散性较好，详见附图4所示，因而，也可用于制备硅衬底粗抛用的纳米氧化铈。
实施例5：
本实施例的硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法，其制备过程如下：
㈠、前驱体合成：
⑴、溶液配制：
①、铈盐溶液配制：将硝酸铈加入到纯净水中，调制成0.5mol/L的氯化铈溶液，备用；
②、碱液配制：将氢氧化钾加入到纯净水中，调制成含量为5％的氢氧化钾溶液，备用；
⑵、合成：
①、添加助熔盐：向硝酸铈溶液中加入氯化钾，搅拌溶解，其氯化钾的加入量按硝酸铈溶液折成REO的5％加入，得硝酸铈助熔溶液，备用；
②、沉淀：在室温下，向硝酸铈助熔溶液中缓慢加入氢氧化钾溶液，至pH值11，得到紫色胶体，其后，在80℃下搅拌5h，待反应完全后，抽滤，并将滤饼在105℃下烘干，即得前驱体，备用；
㈡、煅烧：
将前驱体置于马弗炉中，在700℃下进行煅烧，其煅烧过程中：先用3h升温至700℃，然后，在700℃下保温煅烧1h，得煅烧前驱体，备用；
㈢、清洗：
将煅烧前驱体用纯净水在离心机中反复离心清洗，直至电导率为1ms/cm以下，即得氧化铈。
本实施例所制得的氧化铈，通过电镜检测，其粉体的一次粒径为50-100nm，表面球形度好，棱角好，分散性较好，详见附图5所示，因而，也可用于制备硅衬底粗抛用的纳米氧化铈。
从上述五个实施例的检测结果来看，采用氯化钠作为助熔剂更加容易让颗粒变大和不均匀。因而，整体而言，钾离子能较好地控制颗粒形貌、分散性和大小。
此外，当采用硝酸铈作为可溶性铈盐或采用氨水作为沉淀剂时，其后续需要设置污水处理工序，否则会造成污水中氨氮超标。
对照例1：
本对照例的氧化铈的制备方法，与本发明的硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法类似，只是没有添加助熔盐，其制备过程如下：
㈠、前驱体合成：
⑴、溶液配制：
①、铈盐溶液配制：将氯化铈加入到纯净水中，调制成0.5mol/L的氯化铈溶液，备用；
②、碱液配制：将氢氧化钾加入到纯净水中，调制成含量为5％的氢氧化钾溶液，备用；
⑵、合成(即：沉淀)：
在室温下，向氯化铈溶液中缓慢加入氢氧化钾溶液，至pH值11，得到紫色胶体，其后，在80℃下搅拌5h，待反应完全后，抽滤，并将滤饼在105℃下烘干，即得前驱体，备用；
㈡、煅烧：
将前驱体置于马弗炉中，在700℃下进行煅烧，其煅烧过程中：先用3h升温至700℃，然后，在700℃下保温煅烧1h，得煅烧前驱体，备用；
㈢、清洗：
将煅烧前驱体用纯净水在离心机中反复离心清洗(同样，此过程中，大部分的氯根离子和碱性金属离子被洗涤去除)，直至电导率为1ms/cm以下，即得氧化铈。
本对照例所制得的氧化铈，通过电镜检测，其粉体的一次粒径为50-200nm，大小分布不均，跨度大，部分粉体的一次粒径超过100nm，超出纳米材料范畴，表面球形度一般，但分散性较好，详见附图6所示。
对照例2：
本对照例的氧化铈的制备方法，与本发明的硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法类似，只是在沉淀过程的陈化后加入助熔盐，其制备过程如下：
㈠、前驱体合成：
⑴、溶液配制：
①、铈盐溶液配制：将氯化铈加入到纯净水中，调制成0.5mol/L的氯化铈溶液，备用；
②、碱液配制：将氢氧化钾加入到纯净水中，调制成含量为5％的氢氧化钾溶液，备用；
⑵、合成：
①、沉淀：在室温下，向氯化铈溶液中缓慢加入氢氧化钾溶液，至pH值11，得到紫色胶体，其后，在80℃下搅拌5h，得陈化胶体，备用；
②、添加助熔盐：向陈化胶体中加入氯化钾，搅拌溶解，其氯化钾的加入量按氯化铈溶液折成REO的5％，待反应完全后，抽滤，并将滤饼在105℃下烘干，即得前驱体，备用；
㈡、煅烧：
将前驱体置于马弗炉中，在700℃下进行煅烧，其煅烧过程中：先用3h升温至700℃，然后，在700℃下保温煅烧1h，得煅烧前驱体，备用；
㈢、清洗：
将煅烧前驱体用纯净水在离心机中反复离心清洗，直至电导率为1ms/cm以下，即得氧化铈。
本对照例所制得的氧化铈，通过电镜检测，其粉体的一次粒径为60-200nm，粒度分布宽，部分粉体的一次粒径超过100nm，超出纳米材料范畴，表面球形度和分散性一般，详见附图7所示。
对照例3：
本对照例的氧化铈的制备方法，与本发明的硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法类似，只是在清洗降低电导率后，再抽滤；其制备过程如下：
㈠、前驱体合成：
⑴、溶液配制：
①、铈盐溶液配制：将氯化铈加入到纯净水中，调制成0.5mol/L的氯化铈溶液，备用；
②、碱液配制：将氢氧化钾加入到纯净水中，调制成含量为5％的氢氧化钾溶液，备用；
⑵、合成：
①、添加助熔盐：向氯化铈溶液中加入氯化钾，搅拌溶解，其氯化钾的加入量按氯化铈溶液折成REO的5％，得氯化铈助熔溶液，备用；
②、沉淀：在室温下，向氯化铈助熔溶液中缓慢加入氢氧化钾溶液，至pH值11，得到紫色胶体，其后，在80℃下搅拌5h，待反应完全后，得前驱体，备用；
③、清洗：将煅烧前驱体用纯净水在离心机中反复离心清洗，直至电导率为1ms/cm以下。
④、滤干：将清洗沉淀物抽滤，并将滤饼在105℃下烘干，即得前驱体，备用；
㈡、煅烧：
将前驱体置于马弗炉中，在700℃下进行煅烧，其煅烧过程中：先用3h升温至700℃，然后，在700℃下保温煅烧1h，即得氧化铈。
本对照例所制得的氧化铈，通过电镜检测，其粉体的一次粒径为100nm以内，颗粒分布相对均匀，但表面球形度差，棱角多，分散差，详见附图8所示。
本发明的硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法，其所制备的硅衬底粗抛用纳米级氧化铈可用于硅衬底片的粗抛光。
Claims (10)
1.一种硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法，其特征在于，其制备过程如下：
㈠、前驱体合成：
⑴、溶液配制：
①、铈盐溶液配制：将可溶性铈盐加入到纯净水中，调制成0.2-0.8mol/L的可溶性铈盐溶液，备用；
②、碱液配制：将碱加入到纯净水中，调制成含量为2-8％的碱液，备用；
⑵、合成：
①、添加助熔盐：向可溶性铈盐溶液中加入助熔盐，搅拌溶解，其助熔盐的加入量按可溶性铈盐折成REO的2-8％进行，得可溶性铈盐和助熔盐混合溶液，备用；
②、沉淀：在室温下，向可溶性铈盐助熔溶液中缓慢加入碱液，至pH值10-12，得胶体，其后，在70-90℃下搅拌4-6h，待反应完全后，抽滤，并将滤饼在90-120℃下烘干，即得前驱体，备用；
㈡、煅烧：
将前驱体置于马弗炉中，在650-800℃下进行煅烧，其煅烧过程中：先用2-4h升温至煅烧温度，然后，在煅烧温度下保温煅烧0.5-1.5h，得煅烧前驱体，备用；
㈢、清洗：
将煅烧前驱体用纯净水在离心机中反复离心清洗，直至电导率为1ms/cm以下，即得氧化铈。
2.根据权利要求1所述硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法，其特征在于：所述可溶性铈盐包括氯化铈、硝酸铈中的一种或两种，优选氯化铈。
3.根据权利要求1所述硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法，其特征在于：所述碱包括氢氧化钾、氢氧化钠、氨水中的一种或二种或三种，优选氢氧化钾。
4.根据权利要求1所述硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法，其特征在于：所述助熔盐包括氯化钾、氯化钠、氯化铵的一种或二种或三种，优选氯化钾。
5.根据权利要求1所述硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法，其特征在于：所述可溶性铈盐溶液的浓度为0.4-0.6mol/L的，备用；所述碱液的含量为4-6％。
6.根据权利要求5所述硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法，其特征在于：所述可溶性铈盐溶液的浓度为0.5mol/L的，备用；所述碱液的含量为5％。
7.根据权利要求1所述硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法，其特征在于：所述助熔盐的加入量按可溶性铈盐折成REO的4-6％。
8.根据权利要求7所述硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法，其特征在于：所述助熔盐的加入量按可溶性铈盐折成REO的5％。
9.根据权利要求1所述硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法，其特征在于：所述胶体的pH值为11，所述胶体的搅拌温度为80℃，所述胶体的搅拌时间为5h。
10.根据权利要求1所述硅衬底粗抛用纳米级氧化铈的制备方法，其特征在于：所述煅烧温度为700℃，其煅烧过程中：先用3h升温至700℃，然后，在700℃下保温煅烧1h。
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