CN116779404A - 基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法 - Google Patents

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边见笃
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Abstract

本公开提供一种抑制基板处理在与升降销相对应的位置处变得不均匀的基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法。一种基板载置台，其具有载置基板的载置面，其中，该基板载置台具备：基材，其位于所述载置面的下方，由导体构成；升降销，其由导体构成，相对于所述载置面升降；以及销孔，其具有在所述载置面开口的开口部，该销孔形成于所述基材的内部，供所述升降销突出没入，所述升降销包括能够与所述基板接触的上部和与所述上部的下侧连接的下部，在所述上部具有空腔部。

Description

基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法
技术领域
本公开涉及基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法。
背景技术
在专利文献1中公开有一种基板载置台，其中，在对基板进行等离子体处理时，抑制了载置台主体的与升降销的贯穿孔相对应的位置处的处理的不均匀性。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2007-273685号公报
发明内容
发明要解决的问题
本公开提供一种抑制基板处理在与升降销相对应的位置处变得不均匀的基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法。
用于解决问题的方案
根据本公开的一技术方案，提供一种基板载置台，其具有载置基板的载置面，其中，该基板载置台具备：基材，其位于所述载置面的下方，由导体构成；升降销，其由导体构成，相对于所述载置面升降；以及销孔，其具有在所述载置面开口的开口部，该销孔形成于所述基材的内部，供所述升降销突出没入，所述升降销包括能够与所述基板接触的上部和与所述上部的下侧连接的下部，在所述上部具有空腔部。
发明的效果
本公开提供一种抑制基板处理在与升降销相对应的位置处变得不均匀的基板载置台、基板处理装置和基板处理方法。
附图说明
图1是表示具备本实施方式的基板载置台的基板处理装置的剖视图。
图2是本实施方式的基板载置台的放大剖视图。
图3是本实施方式的基板载置台的放大剖视图。
图4是本实施方式的基板载置台所具备的升降销的局部侧视图。
图5是说明导热率相对于压力的特性的图。
图6是说明本实施方式的基板载置台的导热率的图。
图7是说明使用了具备本实施方式的基板载置台的基板处理装置的基板处理方法的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图而对用于实施本公开的方式进行说明。此外，在本说明书和附图中，对于实质上相同的结构，标注相同的附图标记，从而省略重复的说明。
对于平行、直角、正交、水平、垂直、上下、左右等方向，容许不损害实施方式的效果的程度的偏离。角部的形状并不限于直角，也可以呈弓状地带有圆角。对于平行、直角、正交、水平、垂直，也可以包括大致平行、大致直角、大致正交、大致水平、大致垂直。
图1是表示具备本实施方式的基板载置台20的基板处理装置1的剖视图。基板处理装置1例如是等离子体蚀刻装置。基板处理装置1例如是电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置。
基板处理装置1例如是对平板显示器(FPD：Flat Panel Display)用的玻璃基板G进行蚀刻处理的装置。作为平板显示器，例如是液晶显示器、发光二极管显示器、电致发光显示器、荧光显示管、等离子体显示器等。
基板处理装置1具备处理容器10、基板载置台20、供电部30、气体供给部40、以及排气部50。
[处理容器10]
处理容器10是所谓的处理腔室。处理容器10例如由表面进行了铝阳极化处理(阳极氧化处理)的铝或铝合金形成。处理容器10具有方筒状的形状。
处理容器10在上部具备喷头11。喷头11与基板载置台20平行地相对而作为上部电极发挥功能。另外，喷头11向处理容器10的处理空间10S供给气体。
喷头11设置于基板载置台20的上方。喷头11支承于处理容器10的上部。喷头11接地。喷头11与基板载置台20一起构成一对平行平板电极。
喷头11在内部具有内部空间11a。另外，喷头11在与基板载置台20相对的相对面具有喷出处理气体的多个喷出孔11b。
在喷头11的上表面设置有气体导入口11c。在气体导入口11c连接有处理气体供给管40p。在处理气体供给管40p连接有气体供给部40。
处理容器10在底壁10a具备间隔构件12，以载置基板载置台20。间隔构件12由绝缘体形成。间隔构件12以与基板载置台20的外形相对应的方式设置。基板载置台20载置于间隔构件12之上。基板载置台20由主体部21和绝缘构件22构成。
间隔构件12与底壁10a之间、间隔构件12与主体部21以及绝缘构件22之间气密地密封。因而，在基板载置台20所具备的主体部21与底壁10a之间形成有大气气氛的空间10A。并且，利用空间10A进行大气绝缘。
处理容器10具备多个绝缘构件13。绝缘构件13埋设于处理容器10的底壁10a。螺栓14插入于在绝缘构件13的中心铅垂地设置的贯通孔。基板载置台20的主体部21利用螺栓14固定于底壁10a。通过使用多个螺栓14将主体部21固定于底壁10a，从而即使处理容器10内被保持成真空，也能够防止基板载置台20由于真空气氛的处理空间10S与大气气氛的空间10A之间的压差而挠曲。
处理容器10具备与底壁10a连接的排气管15。排气管15与排气部50连接。排气部50对处理容器10的处理空间10S内进行排气。排气部50将处理容器10的处理空间10S内抽真空至预定的减压气氛。
处理容器10在侧壁具备基板送入送出口16和使基板送入送出口16开闭的闸阀17。基板处理装置1在将闸阀17设为开的状态下在与相邻的加载互锁室(未图示)之间输送玻璃基板G。
[基板载置台20]
基板处理装置1在处理容器10的底部具备载置作为被处理基板的玻璃基板G的基板载置台20。基板载置台20在载置面20S之上载置玻璃基板G。即，基板载置台20具有载置面20S。基板载置台20配置于处理容器10的内部。
基板载置台20具备主体部21、绝缘构件22、以及多个基板升降部23。图2和图3是本实施方式的基板载置台20的放大剖视图。具体而言，图2和图3是将基板载置台20中的基板升降部23的部分放大了的剖视图。此外，图2表示将玻璃基板G载置于基板载置台20并使升降销23a退避到基板载置台20的内部的状态。将图2的状态称为退避状态。图3表示利用升降销23a将玻璃基板G从基板载置台20抬起的状态。将图3的状态称为支承状态。
(主体部21)
主体部21通过从供电部30供给高频电力而作为下部电极发挥作用。
主体部21具备基材21a、电介质层21b、多个凸部21c、以及堤部21d。堤部21d从电介质层21b向上部突出而呈框状地形成于主体部21的上表面的周缘部。主体部21具备供基板升降部23所具备的升降销23a突出没入的销孔21h。销孔21h贯通基材21a和电介质层21b地设置。销孔21h在载置面20S开口。在载置面20S还开设有用于供给氦等冷却用的气体(背面冷却气体)的未图示的多个冷却气体孔。氦等冷却用的气体向载置面20S与玻璃基板G的下侧的面(背面)之间供给，与玻璃基板G进行换热而调节玻璃基板G的温度。
基材21a由导电性的构件、即导体构成。基材21a例如由金属形成。具体而言，基材21a例如由铝、铝合金、不锈钢合金、或者铝合金和不锈钢合金的组合形成。基材21a位于载置面20S的下方。在基材21a安装有基板升降部23。
主体部21在基材21a的上部具备电介质层21b。电介质层21b例如由陶瓷等电介质形成。电介质层21b在内部埋设有静电吸附用的电极21b1。电极21b1是静电吸附电极。从未图示的外部的电源对电极21b1施加电压。通过对电极21b1施加电压，从而利用库仑力吸附玻璃基板G。电极21b1例如由钨等形成。
此外，基材21a在内部具备未图示的流路。在基材21a的流路流动有设定成预先确定好的温度的热介质，从而基材21a将温度调整成预先确定好的期望的温度。
主体部21在电介质层21b的上部具备堤部21d和多个凸部21c。凸部21c和堤部21d例如由电介质材料形成。凸部21c呈突起状地形成于电介质层21b的上部，堤部21d设置于电介质层21b的上部的周缘部。对于堤部21d的上表面和凸部21c的上表面，堤部21d的上表面比凸部21c的上表面高、或者成为相同的高度。在将玻璃基板G载置于基板载置台20的情况下，玻璃基板G成为与堤部21d的上表面接触的状态、或者与堤部21d的上表面以及凸部21c的上表面接触的状态。此外，主体部21也可以不具备多个凸部21c，堤部21d的内侧的区域也可以是平坦的。另外，在将堤部21d的内侧的区域设为平坦的面的情况下，也可以进行粗糙化。
(绝缘构件22)
基板载置台20具备以包围基材21a的周缘的方式设置的绝缘构件22。绝缘构件22的上表面比主体部21的堤部21d的上表面稍低，未与玻璃基板G接触，而是形成间隙(例如，0.1毫米～0.3毫米左右)。绝缘构件22也可以分割成上部构件和下部构件等多个构件。
(基板升降部23)
基板升降部23在将玻璃基板G相对于基板载置台20分别进行装载和卸载时，将玻璃基板G支承在自基板载置台20分开的上方。被支承在自基板载置台20分开的上方的玻璃基板G由输送装置送入和送出。
基板升降部23从底壁10a的外侧插入于处理容器10的内部。基板升降部23具备升降销23a、保持件23b、O形圈23d、连接部23e、以及升降部23f。
(升降销23a)
升降销23a支承玻璃基板G。另外，升降销23a使玻璃基板G升降。升降销23a在形成于主体部21的销孔21h突出没入。升降销23a由导电性的构件形成。
图4是本实施方式的基板载置台20所具备的升降销23a的局部侧视图。升降销23a具有上部23a1和下部23a2。下部23a2与上部23a1的下侧连接。升降销23a具有相对于中心轴线AX旋转对称的形状。
升降销23a的上部23a1具有中心轴线AX，具有直径D2的圆柱状的形状。上部23a1的直径D2比销孔21h的直径D1小。因而，即使升降销23a在上下方向上移动，升降销23a也未与销孔21h的内表面接触。因而，能够防止由于升降销23a与销孔21h的内表面接触而产生微粒等。
在本实施方式的基板载置台20中，销孔21h的直径D1与升降销23a的上部23a1的直径D2之差是0.1毫米以下。通过将直径D1与直径D2之差设为0.1毫米以下，从而促进基材21a与升降销23a之间的热传递。在基材21a与升降销23a之间，经由销孔21h的开口填充有供给到载置面20S与玻璃基板G的背面之间的氦等冷却用的气体(背面冷却气体)。通过以冷却用的气体为介质促进基材21a与升降销23a之间的热传递，从而抑制基材21a与升降销23a之间的温度差。通过抑制基材21a与升降销23a之间的温度差，从而能够抑制基材21a的位于升降销23a周边的部位的温度分布的变动。
图5是说明导热率相对于压力的特性的图。图5表示使氦等气体作为热介质介于两个构件之间时的导热率。图5的横轴表示压力。图5的纵轴表示导热率。
图5中的压力P0表示气体的平均自由程与两个构件之间的距离(代表距离)相等时的压力。
气体的热传递以代表距离成为平均自由程时的压力为界而变化。即，气体的热传递不是单纯地依赖于压力，而是根据气体存在的空间是粘性流区域还是分子流区域而不同。
如图5所示，压力比压力P0低的情况、换言之代表距离比气体的平均自由程短的情况成为分子流区域。在分子流区域中，导热率与压力大致成比例地变大。在分子流区域中，即使使距离变化，导热率的变化也较小。因而，在分子流区域中，依赖于压力，若压力变高，则导热率变高。另一方面，只要压力恒定，即使使距离变化，导热率也不会较大程度地变化。
压力比压力P0高的情况、换言之代表距离比气体的平均自由程长的情况成为粘性流区域。在粘性流区域中，不管压力如何，导热率成为恒定(导热率α0)。在粘性流区域中，即使提高压力，导热率也不会变化。因而，在粘性流区域中，依赖于代表距离、即两个构件之间的距离，若代表距离变长，则导热率变小。另一方面，在粘性流区域中，只要代表距离恒定，即使使压力变化，导热率也不会变化。
图6是说明本实施方式的基板载置台20的基材21a与升降销23a之间的导热率的图。图6表示以氦为热介质时的基材21a与升降销23a之间的导热率。
图6的横轴表示基材21a与升降销23a之间的间隔(单位：毫米)。图6的纵轴表示基材21a与升降销23a之间的导热率(单位：瓦每平方米每开尔文)。
在图6中，线Lp1表示氦的压力是66.7帕斯卡(0.5托(Torr))的情况的结果，线Lp2表示氦的压力是200帕斯卡(1.5托(Torr))的情况的结果，线Lp3表示氦的压力是400帕斯卡(3托(Torr))的情况的结果。这些压力的压力范围是使用基板载置台20的条件范围的一个例子。
如图6所示，通过将基材21a与升降销23a之间的间隔设为0.05毫米以下，从而在使用基板载置台20的条件范围内，导热率不依赖于间隔，而是以较高的值成为恒定。因而，通过将间隔设为0.05毫米以下，从而能够以较高的导热率在基材21a与升降销23a之间进行热传递。通过以较高的导热率在基材21a与升降销23a之间进行热传递，从而能够降低基材21a与升降销23a之间的温度差。通过使基材21a与升降销23a之间的温度差降低，从而能够使基材21a与升降销23a之间的温度均匀。
在上部23a1的外周处于相对于销孔21h的内周均匀的位置的情况下，基材21a与升降销23a之间的间隔成为销孔21h的直径D1与上部23a1的直径D2之差的一半的值。因此，为了将基材21a与升降销23a之间的间隔设为0.05毫米以下，期望将销孔21h的直径D1与升降销23a的上部23a1的直径D2之差设为0.1毫米以下。
在升降销23a上升了时，升降销23a利用上部23a1的上表面23aA支承玻璃基板G。换言之，上部23a1的上表面23aA成为支承玻璃基板G的支承面。升降销23a可在上部23a1的上表面23aA处与玻璃基板G接触。
升降销23a的侧面23aB成为与O形圈23d接触的密封面。在升降销23a处于退避状态(参照图2)时，上部23a1的侧面23aB与O形圈23d接触。通过升降销23a的侧面23aB与O形圈23d接触，从而在升降销23a与O形圈23d之间确保气密。换言之，通过升降销23a的侧面23aB与O形圈23d接触，从而能够在升降销23a与保持件23b之间确保气密。
例如，有时在玻璃基板G的下侧的面(背面)与载置面20S之间流通有氦等冷却用的气体(背面冷却气体)。通过在升降销23a与保持件23b之间确保气密，从而能够抑制冷却用的气体向销孔21h的下方泄漏。通过抑制冷却用的气体的泄漏，从而能够提高温度的稳定性。
升降销23a的上部23a1在上侧的内部具有空腔部23as。通过升降销23a具有空腔部23as，从而能够阻挡从基板升降部23的下侧经由下部23a2传递来的热量。在从上下方向观察时，空腔部23as的部分的供热量从基板升降部23的下侧传递的部分的截面积较小，因此，能够使从基板升降部23的下侧传递来的热量减少。另一方面，通过设置空腔部23as，从而能够减小上部23a1的热容量，由此，能够提高上部23a1的上表面23aA相对于基材21a的热响应性。即，能够减小上部23a1的上表面23aA与基材21a之间的温度差。因而，通过设置空腔部23as，从而能够使基材21a与升降销23a之间的温度均匀。
空腔部23as所位于的上部23a1的侧壁的厚度优选考虑来自玻璃基板G的热量输入而设为具有与玻璃基板G同等以上的热容量的厚度。
此外，具有空腔部23as的升降销23a例如也可以通过如下方式制作：利用多个部件构成升降销23a，利用粘接、焊接等将用于形成空腔部23as的具有凹形状的部件接合。另外，空腔部23as的形状期望具有相对于中心轴线AX旋转对称的形状。
此外，空腔部23as的形状并不限于图2、图3以及图4所图示这样的圆筒状的形状，关于形状，也可以考虑热容量和导热等而适当确定。例如，空腔部23as的形状可以是三棱锥状或圆台状，也可以是空腔部23as的上侧呈三棱锥状或圆台状、下侧呈圆筒状这样的组合而成的形状。
升降销23a的下部23a2具有中心轴线AX，具有直径D3的圆柱状的形状。下部23a2的直径D3比O形圈23d的内径小。
(保持件23b)
保持件23b将升降销23a保持为可升降。保持件23b具有相对于中心轴线AX旋转对称的形状。保持件23b具备在内部具有贯通孔23bh的圆筒状的形状。升降销23a贯穿贯通孔23bh地设置。
保持件23b嵌入于在基材21a的下表面设置的凹部21ah。保持件23b由绝缘构件形成。通过保持件23b由绝缘材料形成，从而在保持件23b的部分，基材21a与升降销23a之间成为绝缘状态。此外，升降销23a借助连接部23e而与基材21a导通。
保持件23b在贯通孔23bh的内表面具有保持O形圈23d的环槽23bg。在环槽23bg设置O形圈23d。
(O形圈23d)
O形圈23d确保升降销23a与保持件23b之间的气密。O形圈23d设置于保持件23b的环槽23bg。O形圈23d介于升降销23a的上部23a1与环槽23bg之间。通过O形圈23d介于升降销23a的上部23a1与环槽23bg之间，从而O形圈23d确保升降销23a与保持件23b之间的气密。
(连接部23e)
连接部23e将主体部21与升降部23f之间连接。连接部23e例如由波纹管形成。连接部23e由导电性构件形成。
(升降部23f)
升降部23f使升降销23a在垂直方向上移动。升降部23f例如由马达构成。升降部23f通过驱动马达，从而使升降销23a在垂直方向上移动。
升降部23f能够调整升降销23a的上端的上表面23aA与载置面20S之间的距离。即，升降部23f可调整升降销23a的上表面23aA与载置面20S之间的距离。通过调整升降销23a的上表面23aA与载置面20S之间的距离，从而能够调整电场分布。例如，将升降销23a的上部23a1调整为位于玻璃基板G的附近。具体而言，将升降销23a的上部23a1与载置玻璃基板G的载置面20S之间的间隔调整为0.02毫米以上且0.2毫米以下、例如0.06毫米。
[供电部30]
供电部30向基板载置台20所具备的基材21a供给高频电力。供电部30借助供电线30w而与基材21a连接。供电部30具备高频电源31a和高频电源31b、以及匹配器32a和匹配器32b。供电线30w分支成供电线30wa和供电线30wb。分支出来的供电线30wa与匹配器32a连接。另外，分支出来的供电线30wb与匹配器32b连接。
高频电源31a是等离子体生成用的高频电源。高频电源31a所生成的高频电力的频率例如是13.56兆赫。高频电源31a向匹配器32a输出高频电力。匹配器32a使阻抗匹配，而使高频电力经由供电线30wa和供电线30w向基材21a输出等离子体生成用的高频电力。
高频电源31b是偏压生成用的高频电源。高频电源31b所生成的高频电力的频率例如是3.2兆赫。高频电源31b向匹配器32b输出高频电力。匹配器32b使阻抗匹配，而使高频电力经由供电线30wb和供电线30w向基材21a输出偏压生成用的高频电力。
[气体供给部40]
气体供给部40向处理容器10供给用于处理玻璃基板G的处理气体。气体供给部40具备处理气体供给源41、质量流量控制器42、以及阀43。
处理气体供给源41供给用于处理玻璃基板G的气体。例如，作为用于蚀刻在玻璃基板G上形成的金属膜、氧化硅膜、氮化硅膜等的处理气体，处理气体供给源41供给卤素气体、氧气、氩气等通常在该领域中使用的气体。
质量流量控制器42调整从处理气体供给源41供给的处理气体的流量。由质量流量控制器42进行了流量调整的处理气体经过阀43而经由处理气体供给管40p向喷头11供给。
[排气部50]
排气部50对处理容器10的处理空间10S内进行排气。排气部50具备真空泵51。真空泵51与排气管15连接。真空泵51例如是涡轮分子泵。
此外，有时将供电部30和气体供给部40统称为等离子体生成部。
＜基板处理方法>
说明使用了具备本实施方式的基板载置台20的基板处理装置1的基板处理方法。图7是说明使用了具备本实施方式的基板载置台20的基板处理装置1的基板处理方法的流程图。利用图7说明本实施方式的基板处理方法的工序的详细内容。
(步骤S10)
在开始处理时，将玻璃基板G送入基板处理装置1的处理容器10的内部。具体而言，在将闸阀17设为开的状态下，利用输送装置从基板送入送出口16向处理容器10的内部输送玻璃基板G。
(步骤S20)
接着，使升降销23a上升而从载置面20S突出。然后，将所送入的玻璃基板G载置于突出来的升降销23a的支承面。于是，利用升降销23a支承玻璃基板G。
将玻璃基板G送入后的输送装置从处理容器10退出。然后，将闸阀17设为闭。
(步骤S30)
接着，使升降销23a下降而收纳于销孔21h。在使升降销23a下降而收纳于销孔21h时，玻璃基板G载置于凸部21c和堤部21d之上。通过玻璃基板G载置于凸部21c和堤部21d之上，从而玻璃基板G载置于载置面。
(步骤S40)
接着，调整升降销23a的位置。在将玻璃基板G载置于载置面时，将具有空腔部23as的升降销23a的上部23a1调整为位于玻璃基板G的附近。通过将升降销23a的上部23a1调整为位于玻璃基板G的附近，从而能够将电场调整为均匀。
(步骤S50)
接着，对玻璃基板G进行等离子体处理。换言之，利用等离子体对玻璃基板G实施处理。具体而言，从气体供给部40供给处理气体，从供电部30供给电力，从而进行等离子体处理。在等离子体处理结束之后，利用排气部50对处理气体进行排气。
(步骤S60)
在对玻璃基板G进行的等离子体处理结束之后，使升降销23a上升而从载置面20S突出。于是，利用突出来的升降销23a抬起实施了等离子体处理的玻璃基板G。
(步骤S70)
接着，从基板处理装置1的处理容器10的内部送出玻璃基板G。具体而言，在将闸阀17设为开的状态下，使输送装置从基板送入送出口16进入处理容器10的内部。然后，将玻璃基板G载置于输送装置而从处理容器10的内部送出。
根据本实施方式的基板载置台20，在进行等离子体处理时，能够抑制电场在作为下部电极发挥作用的基板载置台20变得不均匀。另外，根据本实施方式的基板载置台20，能够确保温度的响应性而抑制温度变得不均匀。根据本实施方式的基板载置台20，通过抑制电场变得不均匀或抑制温度变得不均匀，从而能够抑制基板处理在与升降销相对应的位置处变得不均匀。
本实施方式的基板载置台20在基板处理装置1中在进行等离子体处理时作为下部电极发挥作用。兼用作下部电极的基板载置台20具备使作为基板的一个例子的玻璃基板G升降的升降销23a。基板载置台20的基材21a具有销孔21h，以使升降销23a上下运动。
由于基材21a具有销孔21h，因而在使基板载置台20作为下部电极发挥作用的情况下，在销孔21h的部分处存在电场发生不均匀的情况。另外，在销孔21h的部分处，存在由于升降销23a的热响应性降低而基板的温度上升的情况。
根据本实施方式的基板载置台20，使销孔21h与升降销23a之间的间隔变窄，从而能够减小电场的下降范围而抑制电场在销孔21h处变得不均匀。另外，根据本实施方式的基板载置台20，升降销23a具有空腔部23as，从而能够降低热容量而使热响应性提高，并且阻挡来自下方的传热，而抑制温度在销孔21h处变得不均匀。
在利用基板处理装置1进行等离子体处理时，玻璃基板G接受来自等离子体的热量输入。另外，玻璃基板G借助氦等冷却用的气体(背面冷却气体)而与基板载置台20进行换热。在基板处理装置1中，玻璃基板G的位于升降销23a的正上方的部位借助氦等冷却用的气体(背面冷却气体)而与升降销23a的顶端进行换热。
一般而言，处理容器10这样的处理腔室为了抑制反应副产物附着而调温成80℃～110℃左右。因而，升降销23a接受来自基板升降部23的下侧(升降部23f侧)的热量输入。升降销23a的侧面借助氦等冷却用的气体(背面冷却气体)由来自基板载置台20的传热冷却。
综上所述，为了使升降销23a的正上方的温度接近基板载置台20的基材21a的温度，需要实现以下两点。
(a)减小升降销23a中的来自升降部23f侧的热量输入。
(b)提高升降销23a与基板载置台20的基材21a之间的换热效率。
对(a)进行研究。升降销23a中的传递的热量E根据导热的计算式而成为式1这样。其中，A是升降销23a的截面积，B是升降销23a的轴向上的厚度，C是形成升降销23a的材料的导热率，D是温度差。
E＝A/B×C×D...(式1)
为了减小来自升降部23f的热量输入、即热量E，需要减小截面积A或导热率C。在减小了导热率C的情况下，在升降销23a的顶端部，水平方向(与载置面20S平行的方向)上的导热降低。为了使水平方向上的温度均匀性提高，例如，需要使用不锈钢等金属材料，提高导热率C。
因而，在本实施方式的基板载置台20中，减小截面积A的做法较为有效，通过在升降销23a具有空腔部23as，从而减少截面积A。此外，在形成空腔部23as时，侧面壁厚期望考虑来自基板的热量输入而设为与基板同等以上的热容量。
对(b)进行研究。如使用图6说明的这样，通过将基材21a与升降销23a之间的间隔设为0.05毫米以下，从而能够提高升降销23a与基板载置台20的基材21a之间的换热效率。为了将基材21a与升降销23a之间的间隔设为0.05毫米以下，期望将销孔21h的直径D1与升降销23a的上部23a1的直径D2之差设为0.1毫米以下。
此外，在上述的说明中，对处理玻璃基板G的情况进行了说明，但处理的基板并不限于玻璃基板，例如，也可以是由硅、镓或它们的合金等形成的半导体基板等基板。
应该认为，此次所公开的本实施方式的基板载置台、基板处理装置以及基板处理方法在所有方面都是例示，并非限制性的。例如，在上述的说明中，作为基板处理装置，说明了电容耦合型平行平板等离子体蚀刻装置的情况，但也可以是电感耦合型等离子体装置等其他方式的等离子体装置。另外，基板处理并不限于蚀刻处理，也可以是成膜处理、灰化处理等其他基板处理。上述的实施方式能够在不脱离所附的权利要求书及其主旨的情况下以各种各样的形态进行变形和改良。上述多个实施方式所记载的事项也能够在不矛盾的范围内采取其他结构，另外，能够在不矛盾的范围内进行组合。

Claims (5)

1.一种基板载置台，其具有载置基板的载置面，其中，
该基板载置台具备：
基材，其位于所述载置面的下方，由导体构成；
升降销，其由导体构成，相对于所述载置面升降；以及
销孔，其在所述载置面开口，该销孔形成于所述基材的内部，供所述升降销突出没入，
所述升降销包括能够与所述基板接触的上部和与所述上部的下侧连接的下部，
在所述上部具有空腔部。
2.根据权利要求1所述的基板载置台，其中，
所述上部的直径与所述销孔的直径之差是0.1毫米以下。
3.一种基板处理装置，其在处理容器的内部处理基板，其中，
该基板处理装置具备：
基板载置台，其配置于所述处理容器的内部，载置所述基板；以及
等离子体生成部，其在所述处理容器的内部生成用于处理所述基板的等离子体，
所述基板载置台具有载置所述基板的载置面，
所述基板载置台具备：
基材，其位于所述载置面的下方，由导体构成，连接有高频电源；
升降销，其由导体构成，相对于所述载置面升降；以及
销孔，其在所述载置面开口，该销孔形成于所述基材的内部，供所述升降销突出没入，
所述升降销包括能够与所述基板接触的上部和与所述上部的下侧连接的下部，
在所述上部具有空腔部。
4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，
所述上部的直径与所述销孔的直径之差是0.1毫米以下。
5.一种基板处理方法，其是在基板处理装置的处理容器的内部处理基板的基板处理方法，其中，
所述基板处理装置具备：
基板载置台，其配置于所述处理容器的内部，载置所述基板；以及
等离子体生成部，其在所述处理容器的内部生成用于处理所述基板的等离子体，
所述基板载置台具有载置所述基板的载置面，
所述基板载置台具备：
基材，其位于所述载置面的下方，由导体构成，连接有高频电源；
升降销，其由导体构成，相对于所述载置面升降；以及
销孔，其在所述载置面开口，该销孔形成于所述基材的内部，供所述升降销突出没入，
所述升降销包括能够与所述基板接触的上部和与所述上部的下侧连接的下部，
在所述上部具有空腔部，
该基板处理方法具有以下工序：
向所述处理容器的内部送入所述基板；
使多个所述升降销上升而突出至比所述载置面靠上部的位置，支承所述基板；
使所述升降销下降而收纳于所述销孔，将所述基板载置于所述载置面；
将具有所述空腔部的所述上部调整为位于所述基板的附近；以及
利用所述等离子体对所述基板实施处理。
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