CN116736076A - 芯片休眠状态检测方法和系统、电子设备和存储介质 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种芯片休眠状态检测方法、系统、电子设备和存储介质,涉及芯片检测技术领域。芯片休眠状态检测方法包括:在预设的第一时间段内,持续检测待检测芯片的电流和电压;根据待检测芯片的电流和电压,获得待检测芯片的休眠电流和休眠电压;根据休眠电流和休眠电压,计算待检测芯片的休眠时间和休眠功耗。根据本发明实施例的芯片休眠状态检测方法,通过持续检测待检测芯片的电流和电压,再根据检测到电流和电压的情况,获得待检测芯片在休眠状态下的电流和电压,能够进一步计算出待检测芯片的休眠时间和休眠功耗,从而判断出芯片在休眠状态下的功耗以及总的休眠时间等相关数据是否符合设计需求,从而完成对芯片的休眠功能的验证。
Description
技术领域
本发明涉及芯片检测技术领域,尤其是涉及一种芯片休眠状态检测方法和系统、电子设备和存储介质。
背景技术
芯片如果一直处于工作状态,其功耗会较大,因此,在芯片的设计开发过程中,可以设定芯片在某些情况下自动进行休眠状态,在需要的时候再将芯片唤醒,从而降低芯片整体的功耗。为了检测芯片的休眠状态和功耗指标是否达到设计时的期望,需要能够精确地测量芯片在休眠状态下的功耗以及总的休眠时间等相关数据,从而实现对芯片的休眠功能的验证。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一。为此,本发明提出了一种芯片休眠状态检测方法和系统、电子设备和存储介质,能够准确测量出芯片在休眠状态下的功耗以及总的休眠时间,实现对芯片的休眠功能的验证。
一方面,根据本发明实施例的芯片休眠状态检测方法,包括以下步骤:
在预设的第一时间段内,持续检测待检测芯片的电流和电压;
根据所述待检测芯片的电流和电压,获得所述待检测芯片的休眠电流和休眠电压;
根据所述休眠电流和所述休眠电压,计算所述待检测芯片的休眠时间和休眠功耗。
根据本发明的一些实施例,所述持续获取待检测芯片的电流和电压,具体包括:
通过母板上的电流传感器持续检测所述待检测芯片的电流;
通过母板上的电压传感器持续检测所述待检测芯片的电压。
根据本发明的一些实施例,所述根据所述待检测芯片的电流和电压,获得所述待检测芯片的休眠电流和休眠电压的步骤,具体包括:
根据所述待检测芯片的电流和电压,计算所述第一时间段内,所述待检测芯片的第一平均电流;
将所述第一时间段划分为多个第二时间段,计算每个所述第二时间段内,所述待检测芯片的第二平均电流;
当所述第二平均电流小于所述第一平均电流时,所述待检测芯片在对应的所述第二时间段内处于休眠状态,所述待检测芯片在所述休眠状态下的电流为所述休眠电流,所述待测芯片在所述休眠状态下的电压为所述休眠电压。
根据本发明的一些实施例,所述休眠时间的计算公式为:
其中,Iavg表示所述第一平均电流;Ii表示第i个所述第二时间段的所述第二平均电流;i和n为正整数;Ti(Ii<Iavg)表示当Ii<Iavg时,Ii对应的所述第二时间段的长度;表示休眠时间系数,为常量;Tsleep表示所述休眠时间。
根据本发明的一些实施例,所述休眠功耗的计算公式为:
Ps=γs(t);
其中,Ws表示所述休眠功耗,表示功率系数,为常量;/>表示损失系数,为常量;γs(t)表示根据所述待检测芯片的所述休眠电流和所述休眠电压拟合得到的休眠功率函数;Ps表示休眠功率。
根据本发明的一些实施例,所述芯片休眠状态检测方法还包括以下步骤:
根据所述待检测芯片的电流和电压,获得所述待检测芯片的唤醒电流和唤醒电压;
根据所述唤醒电流和所述唤醒电压,计算所述待检测芯片的唤醒时间和唤醒功耗。
根据本发明的一些实施例,当所述第二平均电流大于所述第一平均电流时,所述待检测芯片在对应的所述第二时间段内处于唤醒状态,所述待检测芯片在所述唤醒状态下的电流为所述唤醒电流,所述待测芯片在所述唤醒状态下的电压为所述唤醒电压;
所述唤醒时间的计算公式为:
其中,Tawake表示所述唤醒时间;Ti(Ii>Iavd)表示当Ii>Iavg时,Ii对应的所述第二时间段的长度;表示唤醒时间系数;
所述唤醒功耗的计算公式为:
Pa=γa(t);
其中,Wa表示所述唤醒功耗;γa(t)表示根据所述待检测芯片的所述唤醒电流和所述唤醒电压拟合得到的唤醒功率函数;Pa表示唤醒功率。
另一方面,根据本发明实施例的芯片休眠状态检测系统,包括:
检测模块,用于在预设的第一时间段内,持续检测待检测芯片的电流和电压;
分析模块,用于根据所述待检测芯片的电流和电压,获得所述待检测芯片的休眠电流和休眠电压;
计算模块,用于根据所述休眠电流和所述休眠电压,计算所述待检测芯片的休眠时间和休眠功耗。
另一方面,根据本发明实施例的电子设备,包括:
存储器,用于存储程序指令;
处理器,用于调用所述存储器中存储的程序指令,按照获得的程序指令执行上述实施例的芯片休眠状态检测方法。
另一方面,根据本发明实施例的存储介质,所述存储介质存储有计算机可执行指令,所述计算机可执行指令用于使计算机执行上述实施例所述的芯片休眠状态检测方法。
根据本发明实施例的芯片休眠状态检测方法、系统、电子设备和存储介质,至少具有如下有益效果:通过在一段时间内持续检测待检测芯片的电流和电压,再根据检测到的电流和电压的情况,区分出哪些电流和电压是芯片处于休眠状态下的电流和电压,哪些电流和电压是芯片处于唤醒状态下的电流和电压;再根据获得的待检测芯片在休眠状态下的电流(即休眠电流)和电压(即休眠电压),能够进一步计算出待检测芯片的休眠时间和休眠功耗,通过分析待检测芯片的休眠时间和休眠功耗,就能够判断出芯片在休眠状态下的功耗以及总的休眠时间等相关数据是否符合设计需求,从而完成对芯片的休眠功能的验证。
本发明的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本发明的实践了解到。
附图说明
本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解,其中:
图1为本发明实施例的芯片休眠状态检测方法的步骤流程图;
图2为本发明另一实施例的芯片休眠状态检测方法的步骤流程图;
图3为本发明实施例的芯片休眠状态检测系统的结构示意图;
图4为本发明实施例的电子设备的结构示意图。
具体实施方式
下面详细描述本发明的实施例,所述实施例的示例在附图中示出,其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的,仅用于解释本申请,而不能理解为对本申请的限制。对于以下实施例中的步骤编号,其仅为了便于阐述说明而设置,对步骤之间的顺序不做任何限定,实施例中的各步骤的执行顺序均可根据本领域技术人员的理解来进行适应性调整。
本发明的说明书和权利要求书及所述附图中的术语“第一”、“第二”、“第三”和“第四”等是用于区别不同对象,而不是用于描述特定顺序。此外,术语“包括”和“具有”以及它们任何变形,意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元,而是可选地还包括没有列出的步骤或单元,或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。
在本发明中提及“实施例”意味着,结合实施例描述的特定特征、结构或特性可以包含在本发明的至少一个实施例中。在说明书中的各个位置出现该短语并不一定均是指相同的实施例,也不是与其它实施例互斥的独立的或备选的实施例。本领域技术人员显式地和隐式地理解的是,本文所描述的实施例可以与其它实施例相结合。
对于各种电子产品来说,如手机、平板电脑、计算机等,其内部的芯片并不是一直处于工作状态的,因为如果芯片一直处于工作状态,系统的功耗会较大。因此,在芯片的设计开发过程中,通常会设定芯片在某些情况下自动进行休眠状态,在需要的时候再将芯片唤醒,从而降低整体的功耗。为了检测芯片的休眠状态和功耗指标是否达到设计时的期望,需要能够精确地测量芯片在休眠状态下的功耗以及总的休眠时间等相关数据,从而实现对芯片的休眠功能的验证。
为此,本发明实施例提供了一种芯片休眠状态检测方法,包括以下步骤:
在预设的第一时间段内,持续检测待检测芯片的电流和电压;
根据所述待检测芯片的电流和电压,获得所述待检测芯片的休眠电流和休眠电压;
根据所述休眠电流和所述休眠电压,计算所述待检测芯片的休眠时间和休眠功耗。
根据本发明实施例的芯片休眠状态检测方法,通过在一段时间内持续检测待检测芯片的电流和电压,再根据检测到电流和电压的情况,区分出哪些电流和电压是芯片处于休眠状态下的电流和电压,哪些电流和电压是芯片处于唤醒状态下的电流和电压(通常来说,芯片在休眠状态与唤醒状态下的电流和电压会有较大区别,具有10倍到100倍的差值,因此,较为容易区分);再根据获得的待检测芯片在休眠状态下的电流(即休眠电流)和电压(即休眠电压),能够进一步计算出待检测芯片的休眠时间和休眠功耗,通过分析待检测芯片的休眠时间和休眠功耗,就能够判断出芯片在休眠状态下的功耗以及总的休眠时间等相关数据是否符合设计需求,从而完成对芯片的休眠功能的验证。
下面结合附图1至4,详细描述本发明实施例的芯片休眠状态检测方法、系统、电子设备和存储介质。
一方面,如图1所示,本发明实施例中提出了一种芯片休眠状态检测方法,该方法可应用于终端中,也可应用于服务器中,还可以是运行于终端或服务器中的软件等。终端可以是平板电脑、笔记本电脑、台式计算机、手机等,但并不局限于此。服务器可以是独立的物理服务器,也可以是多个物理服务器构成的服务器集群或者分布式系统,还可以是提供云服务、云数据库、云计算、云函数、云存储、网络服务、云通信、中间件服务、域名服务、安全服务、内容分发网络(CDN)、以及大数据和人工智能平台等基础云计算服务的云服务器。本发明实施例的芯片休眠状态检测方法,包括以下步骤:
步骤S100:在预设的第一时间段内,持续检测待检测芯片的电流和电压;
其中,第一时间段的具体长度可以根据实际需要进行设定;为了能够持续检测待检测芯片的电流和电压,在本示例中,将待检测芯片设置在子板上,而通过母板来对子板上的带检测芯片进行检测,其中,母板上设置有电流传感器和电压传感器,母板上的电流传感器能够持续检测子板上的待检测芯片的电流,母板上的电压传感器能够持续检测子板上的待检测芯片的电压。
步骤S200:根据所述待检测芯片的电流和电压,获得所述待检测芯片的休眠电流和休眠电压;
在获取到待检测芯片在第一时间段内的所有电流和电压后,我们再通过软件自行对检测到的电流和电压进行分析,从而区分出哪些属于休眠电流和休眠电压,哪些属于唤醒电流和唤醒电压;通常来说,芯片在休眠状态与唤醒状态下的电流和电压会有较大区别,具有10倍到100倍的差值,因此,较为容易区分。
步骤S300:根据所述休眠电流和所述休眠电压,计算所述待检测芯片的休眠时间和休眠功耗。
在分析得到待检测芯片在第一时间段内的休眠电流和休眠电压后,我们能够知道待检测芯片在哪些时间段内处于休眠状态,在哪些时间段内处于唤醒状态,从而得到待检测芯片的休眠时间;同时,根据得到的休眠电流和休眠电压,我们还能够计算出待检测芯片的休眠功耗。
由此可见,根据本发明实施例的芯片休眠状态检测方法,通过在第一时间段内持续检测待检测芯片的电流和电压,再根据检测到电流和电压的情况,区分出哪些电流和电压是芯片处于休眠状态下的电流和电压,哪些电流和电压是芯片处于唤醒状态下的电流和电压;再根据获得的待检测芯片在休眠状态下的电流和电压,能够进一步计算出待检测芯片的休眠时间和休眠功耗,通过分析待检测芯片的休眠时间和休眠功耗,就能够判断出芯片在休眠状态下的功耗以及总的休眠时间等相关数据是否符合设计需求,从而完成对芯片的休眠功能的验证。
进一步地,在本发明的一些实施例中,为了能够根据待检测芯片的电流和电压,获得待检测芯片的休眠电流和休眠电压,上述的步骤S200,具体还包括以下步骤:
步骤S210:根据所述待检测芯片的电流和电压,计算所述第一时间段内,所述待检测芯片的第一平均电流;
步骤S220:将所述第一时间段划分为多个第二时间段,计算每个所述第二时间段内,所述待检测芯片的第二平均电流;
步骤S230:当所述第二平均电流小于所述第一平均电流时,所述待检测芯片在对应的所述第二时间段内处于休眠状态,所述待检测芯片在所述休眠状态下的电流为所述休眠电流,所述待测芯片在所述休眠状态下的电压为所述休眠电压。
具体地,首先,根据在第一时间段内所检测到的待检测芯片的所有电流和电压,对这些电流和电压取平均值,得到第一时间段内待检测芯片的平均电流(即第一平均电流)和平均电压(即第一平均电压);然后,将第一时间段划分为多个第二时间段,分别计算每个第二时间段内,待检测芯片的平均电流(即第二平均电流)和平均电压(即第二平均电压)。需要说明的是,第二时间段的时间长度通常比较小,通常在微秒的级别,而第一时间段的时间长度相对于第二时间段的时间长度则要比较长,通常在秒的级别。最后,将每个第二时间段的第二平均电流分别与第一平均电流进行比较,若某个第二时间段的第二平均电流小于第一平均电流,则说明在这个第二时间段内,待检测芯片处于休眠状态,而待检测芯片处于休眠状态的这个第二时间段内所检测到的所有电流均为休眠电流,所检测到的所有电压均为休眠电压。需要说明的是,在本示例中,是通过第一平均电流与第二平均电流的比较结果,来判断待检测芯片是否处于休眠状态,但是,也可以通过第一平均电压与第二平均电压的比较结果,来判断待检测芯片是否处于休眠状态,这两种判断方式在原理上基本相同。通过上述的方法,我们能够获得在第一时间段内所检测的电流和电压中,哪些属于待检测芯片的休眠电流和休眠电压。
在获得待检测芯片的休眠电流和休眠电压后,我们能够计算出待检测芯片的休眠时间和休眠功耗。其中,在本发明的一些实施例中,休眠时间的计算公式为:
其中,Iavg表示第一平均电流;Ii表示第i个第二时间段的第二平均电流;i和n为正整数;Ti(Ii<Iavg)表示当Ii<Iavg时,Ii对应的第二时间段的长度;表示休眠时间系数,为常量;Tsleep表示休眠时间。
可以看出,在本示例中,我们先是分别计算了每个第二时间段内的第二平均电流Ii后,再将所有的第二平均电流Ii累加后取平均值,得到第一平均电流Iavg。需要说明的是,第一平均电流Iavg也可以是直接通过对第一时间段内的所有的电流取平均值而获得的。在获得第一平均电流Iavg和第二平均电流Ii后,将每个第二时间段的第二平均电流分别与第一平均电流Iavg进行比较,若Ii<Iavg,说明在这个第二时间段内待检测芯片处于休眠状态,记录这个第二时间段的长度,即Ti,将所有对应待检测芯片处于休眠状态的第二时间段的长度累加后,再乘以休眠时间系数便能够得到待检测芯片的休眠时间Tsleep。
在本发明的一些实施例中,休眠功耗的计算公式为:
Ps=γs(t);
其中,Ws表示休眠功耗,表示功率系数,为常量;/>表示损失系数,为常量;γs(t)表示根据待检测芯片的休眠电流和休眠电压拟合得到的休眠功率函数;Ps表示休眠功率。
其中,γs(t)是通过我们获得的待检测芯片的休眠电流和休眠电压进行拟合而得到的休眠功率函数,其中,功率等于电压和电流的乘积,而具体的拟合方法则采用现有的常见的拟合方法即可。在获得待检测芯片的休眠功率Ps后,将其乘以损失系数然后根据休眠时间Tsleep对休眠功率Ps和损失系数/>的乘积进行积分,并将积分结果乘以功率系数/>即可得到待检测芯片的休眠功耗Ws。
计算出待检测芯片的休眠时间和休眠功耗后,通过分析待检测芯片的休眠时间和休眠功耗,就能够判断出芯片在休眠状态下的功耗以及总的休眠时间等相关数据是否符合设计需求,从而完成对芯片的休眠功能的验证。
如图2所示,在本发明的一些实施例中,本发明实施例的芯片休眠状态检测方法还包括以下步骤:
步骤S400:根据所述待检测芯片的电流和电压,获得所述待检测芯片的唤醒电流和唤醒电压;
步骤S500:根据所述唤醒电流和所述唤醒电压,计算所述待检测芯片的唤醒时间和唤醒功耗。
具体地,为了获得待检测芯片的唤醒电流和唤醒电压,我们采取与获取待检测芯片的休眠电流和休眠电压类似的方法,即将每个第二时间段的第二平均电流分别与第一平均电流进行比较,若某个第二时间段的第二平均电流大于第一平均电流,则说明在这个第二时间段内,待检测芯片处于唤醒状态,而待检测芯片处于唤醒状态的这个第二时间段内所检测到的所有电流均为唤醒电流,所检测到的所有电压均为唤醒电压。通过将每个第二时间段的第二平均电流与第一平均电流逐一进行比较,我们能够获得在第一时间段内所检测的电流和电压中,哪些属于待检测芯片的唤醒电流和唤醒电压。
在本发明的一些实施例中,唤醒时间的计算公式为:
其中,Tawake表示唤醒时间;Ti(Ii>Iavg)表示当Ii>Iavg时,Ii对应的第二时间段的长度;表示唤醒时间系数。
可以看出,在本示例中,我们将每个第二时间段的第二平均电流Ii分别与第一平均电流Iavg进行比较,若Ii>Iavg,说明在这个第二时间段内待检测芯片处于唤醒状态,记录这个第二时间段的长度,即Ti,将所有对应待检测芯片处于唤醒状态的第二时间段的长度累加后,再乘以唤醒时间系数便能够得到待检测芯片的唤醒时间Tawake。
在本发明的一些实施例中,唤醒功耗的计算公式为:
Pa=γa(t);
其中,Wa表示唤醒功耗;γa(t)表示根据待检测芯片的唤醒电流和唤醒电压拟合得到的唤醒功率函数;Pa表示唤醒功率。
其中,γa(t)是通过对我们获得的待检测芯片的唤醒电流和唤醒电压进行拟合而得到的唤醒功率函数,其中,功率等于电压和电流的乘积,而具体的拟合方法则采用现有的常见的拟合方法即可。在获得待检测芯片的唤醒功率Pa后,将其乘以损失系数然后根据唤醒时间Tawake对唤醒功率Pa和损失系数/>的乘积进行积分,并将积分结果乘以功率系数即可得到待检测芯片的唤醒功耗Wa。
计算出待检测芯片的休眠时间、休眠功耗、唤醒时间和唤醒功耗后,我们便能分析出待检测芯片在工作时的具体工作模式,从而判断出芯片的休眠状态和唤醒状态是否满足设计需求,从而完成对芯片的休眠功能的验证。
另一方面,本发明实施例还提出了一种芯片休眠状态检测系统,如图3所示,该芯片休眠状态检测系统包括:
检测模块100,用于在预设的第一时间段内,持续检测待检测芯片的电流和电压;
分析模块200,用于根据所述待检测芯片的电流和电压,获得所述待检测芯片的休眠电流和休眠电压;
计算模块300,用于根据所述休眠电流和所述休眠电压,计算所述待检测芯片的休眠时间和休眠功耗。
需要说明的是,上述方法实施例中的内容均适用于本系统实施例中,本系统实施例所具体实现的功能与上述方法实施例相同,并且达到的有益效果与上述方法实施例所达到的有益效果也相同。
另一方面,本发明实施例还提出了一种电子设备,如图4所示,电子设备包括:
存储器400,用于存储程序指令;
处理器500,用于调用所述存储器中存储的程序指令,按照获得的程序指令执行上述的芯片休眠状态检测方法。
需要说明的是,上述方法实施例中的内容均适用于本电子设备实施例中,本电子设备实施例所具体实现的功能与上述方法实施例相同,并且达到的有益效果与上述方法实施例所达到的有益效果也相同。
尽管本文描述了具体实施方案,但是本领域中的普通技术人员将认识到,许多其它修改或另选的实施方案同样处于本公开的范围内。例如,结合特定设备或组件描述的功能和/或处理能力中的任一项可以由任何其它设备或部件来执行。另外,虽然已根据本公开的实施方案描述了各种示例性具体实施和架构,但是本领域中的普通技术人员将认识到,对本文所述的示例性具体实施和架构的许多其它修改也处于本公开的范围内。
上文参考根据示例性实施方案所述的系统、方法、系统和/或计算机程序产品的框图和流程图描述了本公开的某些方面。应当理解,框图和流程图中的一个或多个块以及框图和流程图中的块的组合可分别通过执行计算机可执行程序指令来实现。同样,根据一些实施方案,框图和流程图中的一些块可能无需按示出的顺序执行,或者可以无需全部执行。另外,超出框图和流程图中的块所示的那些部件和/或操作以外的附加部件和/或操作可存在于某些实施方案中。
因此,框图和流程图中的块支持用于执行指定功能的装置的组合、用于执行指定功能的元件或步骤的组合以及用于执行指定功能的程序指令装置。还应当理解,框图和流程图中的每个块以及框图和流程图中的块的组合可以由执行特定功能、元件或步骤的专用硬件计算机系统或者专用硬件和计算机指令的组合来实现。
本文所述的程序模块、应用程序等可包括一个或多个软件组件,包括例如软件对象、方法、数据结构等。每个此类软件组件可包括计算机可执行指令,所述计算机可执行指令响应于执行而使本文所述的功能的至少一部分(例如,本文所述的例示性方法的一种或多种操作)被执行。
软件组件可以用各种编程语言中的任一种来编码。一种例示性编程语言可以为低级编程语言,诸如与特定硬件体系结构和/或操作系统平台相关联的汇编语言。包括汇编语言指令的软件组件可能需要在由硬件架构和/或平台执行之前由汇编程序转换为可执行的机器代码。另一种示例性编程语言可以为更高级的编程语言,其可以跨多种架构移植。包括更高级编程语言的软件组件在执行之前可能需要由解释器或编译器转换为中间表示。编程语言的其它示例包括但不限于宏语言、外壳或命令语言、作业控制语言、脚本语言、数据库查询或搜索语言、或报告编写语言。在一个或多个示例性实施方案中,包含上述编程语言示例中的一者的指令的软件组件可直接由操作系统或其它软件组件执行,而无需首先转换成另一种形式。
软件组件可存储为文件或其它数据存储构造。具有相似类型或相关功能的软件组件可一起存储在诸如特定的目录、文件夹或库中。软件组件可为静态的(例如,预设的或固定的)或动态的(例如,在执行时创建或修改的)。
上面结合附图对本发明实施例作了详细说明,但是本发明不限于上述实施例,在所属技术领域普通技术人员所具备的知识范围内,还可以在不脱离本发明宗旨的前提下作出各种变化。
Claims (10)
1.一种芯片休眠状态检测方法,其特征在于,包括以下步骤:
在预设的第一时间段内,持续检测待检测芯片的电流和电压;
根据所述待检测芯片的电流和电压,获得所述待检测芯片的休眠电流和休眠电压;
根据所述休眠电流和所述休眠电压,计算所述待检测芯片的休眠时间和休眠功耗。
2.根据权利要求1所述的芯片休眠状态检测方法,其特征在于,所述持续获取待检测芯片的电流和电压,具体包括:
通过母板上的电流传感器持续检测所述待检测芯片的电流;
通过母板上的电压传感器持续检测所述待检测芯片的电压。
3.根据权利要求1所述的芯片休眠状态检测方法,其特征在于,所述根据所述待检测芯片的电流和电压,获得所述待检测芯片的休眠电流和休眠电压的步骤,具体包括:
根据所述待检测芯片的电流和电压,计算所述第一时间段内,所述待检测芯片的第一平均电流;
将所述第一时间段划分为多个第二时间段,计算每个所述第二时间段内,所述待检测芯片的第二平均电流;
当所述第二平均电流小于所述第一平均电流时,所述待检测芯片在对应的所述第二时间段内处于休眠状态,所述待检测芯片在所述休眠状态下的电流为所述休眠电流,所述待测芯片在所述休眠状态下的电压为所述休眠电压。
4.根据权利要求3所述的芯片休眠状态检测方法,其特征在于,所述休眠时间的计算公式为:
其中,Iavg表示所述第一平均电流;Ii表示第i个所述第二时间段的所述第二平均电流;i和n为正整数;Ti(Ii<Iavg)表示当Ii<Iavg时,Ii对应的所述第二时间段的长度;表示休眠时间系数,为常量;Tsleep表示所述休眠时间。
5.根据权利要求4所述的芯片休眠状态检测方法,其特征在于,所述休眠功耗的计算公式为:
Ps=γs(t);
其中,Ws表示所述休眠功耗,表示功率系数,为常量;/>表示损失系数,为常量;γs(t)表示根据所述待检测芯片的所述休眠电流和所述休眠电压拟合得到的休眠功率函数;Ps表示休眠功率。
6.根据权利要求4所述的芯片休眠状态检测方法,其特征在于,所述芯片休眠状态检测方法还包括以下步骤:
根据所述待检测芯片的电流和电压,获得所述待检测芯片的唤醒电流和唤醒电压;
根据所述唤醒电流和所述唤醒电压,计算所述待检测芯片的唤醒时间和唤醒功耗。
7.根据权利要求6所述的芯片休眠状态检测方法,其特征在于,当所述第二平均电流大于所述第一平均电流时,所述待检测芯片在对应的所述第二时间段内处于唤醒状态,所述待检测芯片在所述唤醒状态下的电流为所述唤醒电流,所述待测芯片在所述唤醒状态下的电压为所述唤醒电压;
所述唤醒时间的计算公式为:
其中,Tawake表示所述唤醒时间;Ti(Ii>Iavg)表示当Ii>Iavg时,Ii对应的所述第二时间段的长度;表示唤醒时间系数;
所述唤醒功耗的计算公式为:
Pa=γa(t);
其中,Wa表示所述唤醒功耗;γa(t)表示根据所述待检测芯片的所述唤醒电流和所述唤醒电压拟合得到的唤醒功率函数;Pa表示唤醒功率。
8.一种芯片休眠状态检测系统,其特征在于,包括:
检测模块,用于在预设的第一时间段内,持续检测待检测芯片的电流和电压;
分析模块,用于根据所述待检测芯片的电流和电压,获得所述待检测芯片的休眠电流和休眠电压;
计算模块,用于根据所述休眠电流和所述休眠电压,计算所述待检测芯片的休眠时间和休眠功耗。
9.一种电子设备,其特征在于,包括:
存储器,用于存储程序指令;
处理器,用于调用所述存储器中存储的程序指令,按照获得的程序指令执行权利要求1-7中任一项所述的芯片休眠状态检测方法。
10.一种存储介质,其特征在于,所述存储介质存储有计算机可执行指令,所述计算机可执行指令用于使计算机执行权利要求1-7中任一项所述的芯片休眠状态检测方法。
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