CN116711214A - 滤波器装置 - Google Patents

Abstract

提供一种滤波器装置，难以产生比通带靠高频侧的衰减量的劣化。滤波器装置(11)具备：第一串联臂谐振器(S11)，其设置于连结输入端子(11a)与输出端子(11b)的串联臂；以及第一并联臂谐振器(P11)，其设置于包括串联臂和接地电位的并联臂，第一串联臂谐振器(S11)及第一并联臂谐振器(P11)包括弹性波谐振器，该弹性波谐振器分别具有包括铌酸锂或钽酸锂的压电层以及设置在压电层上的至少一对第一电极及第二电极，在将压电层的膜厚设为d且将相邻的第一电极及第二电极的中心间距离设为p的情况下，d/p为0.5以下，在第一串联臂谐振器(S11)与第一并联臂谐振器(P11)之间还具有与第一串联臂谐振器(S11)串联连接的电感器(12)。

Description

滤波器装置

技术领域

本发明涉及包括使用了铌酸锂或钽酸锂的弹性波谐振器的滤波器装置。

背景技术

以往，广泛使用了具有多个弹性波谐振器的带通型的滤波器装置。例如，在下述的专利文献1所记载的滤波器装置中，公开了一种具有包括铌酸锂、钽酸锂的压电层的弹性波谐振器。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2021-093710号公报

发明内容

发明要解决的问题

在专利文献1所记载的滤波器装置中，存在比通带靠高频侧的衰减区域内的衰减量容易劣化这样的问题。

本发明的目的在于，提供一种难以产生比通带靠高频侧的衰减量的劣化的滤波器装置。

用于解决问题的手段

本发明是一种滤波器装置，其中，所述滤波器装置具备：第一串联臂谐振器，其设置于连结输入端子与输出端子的串联臂；以及第一并联臂谐振器，其设置于连结所述串联臂与接地电位的并联臂，所述第一串联臂谐振器及所述第一并联臂谐振器包括弹性波谐振器，该弹性波谐振器分别具有包括铌酸锂或钽酸锂的压电层以及设置在所述压电层上的至少一对第一电极及第二电极，在将所述压电层的膜厚设为d且将相邻的所述第一电极及所述第二电极的中心间距离设为p的情况下，d/p为0.5以下，所述滤波器装置在所述第一串联臂谐振器与所述第一并联臂谐振器之间还具备电感器，该电感器与所述第一串联臂谐振器串联地连接。

发明效果

根据本发明，能够提供难以产生比通带靠高频侧的衰减量的劣化的滤波器装置。

附图说明

图1是本发明的第一实施方式的滤波器装置的电路图。

图2是示出本发明的第一实施方式的滤波器装置的衰减量-频率特性的图。

图3是示出分数带宽(％)与WLAN频带的衰减量之间的关系的图。

图4是示出比较例的滤波器装置中的S21通过特性的图。

图5是示出比较例的滤波器装置中的各谐振器的阻抗特性的图。

图6是示出本发明的第一实施方式的滤波器装置中的S21通过特性的图。

图7是示出在本发明的第一实施方式的滤波器装置中使用的多个弹性波谐振器的阻抗特性的图。

图8是本发明的第一实施方式的滤波器装置的概要结构图。

图9是本发明的第一实施方式的滤波器装置的变形例的概要结构图。

图10是示出由形成宽频带带通滤波器的弹性波谐振器以外的多个弹性波谐振器构成的滤波器的衰减量-频率特性的图。

图11是示出宽频带带通滤波器的衰减量-频率特性的图。

图12是本发明的第二实施方式的滤波器装置的电路图。

图13的(a)及图13的(b)是示出利用了厚度剪切模式的弹性波装置的外观的简图的立体图及示出压电层上的电极构造的俯视图。

图14是沿着图13的(a)中的A-A线的部分的剖视图。

图15的(a)是用于说明在以往的弹性波装置的压电膜传播的兰姆波的示意性主视剖视图，图15的(b)是用于说明利用了厚度剪切模式的弹性波装置的振动的示意性主视剖视图。

图16是用于说明厚度剪切模式的体波的振幅方向的图。

图17是示出利用了厚度剪切模式的弹性波装置的谐振特性的图。

图18是示出将相邻的电极指的中心间距离设为p且将压电层的厚度设为d的情况下的d/2p与作为谐振器的分数带宽之间的关系的图。

图19是示出利用厚度剪切模式的体波的弹性波装置的俯视图。

图20是示出使d/p无限接近0的情况下的分数带宽相对于LiNbO₃的欧拉角(0°，θ，ψ)的映射的图。

图21是示出d/2p、金属化率MR以及分数带宽之间的关系的图。

具体实施方式

图1是本发明的第一实施方式的滤波器装置的电路图。

滤波器装置11具有将输入端子11a与输出端子11b连结的串联臂、以及连接在串联臂与接地电位之间的多个并联臂。在串联臂中，多个串联臂谐振器S1、S2、S3与第一串联臂谐振器S11串联连接。

在将串联臂谐振器S1和串联臂谐振器S2之间的连接点与接地电位连结的并联臂设置有并联臂谐振器P1。在将串联臂谐振器S2和串联臂谐振器S3之间的连接点与接地电位连结的并联臂设置有并联臂谐振器P2。在将串联臂谐振器S3和第一串联臂谐振器S11之间的连接点与接地电位连结的并联臂设置有并联臂谐振器P3。由串联臂谐振器S1～S3和并联臂谐振器P1～P3构成具有梯型电路L的滤波器。

此外，在具有该梯型电路L的滤波器与输出端子11b之间串联地连接有电感器12和第一串联臂谐振器S11。第一并联臂谐振器P11被设置为将串联臂谐振器S3和电感器12之间的连接点与接地电位连结。

需要说明的是，多个串联臂谐振器S1～S3、多个并联臂谐振器P1～P3、第一串联臂谐振器S11及第一并联臂谐振器P11包括弹性波谐振器。作为该弹性波谐振器，使用后述的弹性波装置1。在包括弹性波装置1的弹性波谐振器中，如后所述，得到利用了厚度剪切模式的体波的良好的谐振特性。即，能够得到高耦合系数，能够扩大分数带宽。另外，能够提高Q值。之后参照图13～图21来详细地说明该特定的弹性波装置1的特征。

滤波器装置11的特征在于，使用包括上述弹性波装置1的多个弹性波谐振器，以及具备上述第一串联臂谐振器S11、第一并联臂谐振器P11及电感器12。由此，能够充分地增大比通带靠高频侧的衰减区域的衰减量，能够改善衰减特性。

本实施方式的滤波器装置11是智能手机的5G所使用的N77频带的带通型滤波器。在N77频带中，通带是3300MHz～4200MHz。在N77频带中，带宽(通带的高频侧端部-通带的低频侧端部/谐振频率的值)为24％而非常大。

图2是示出第一实施方式的滤波器装置11的衰减量-频率特性的图。由图2可知，在N77频带的通带中，衰减量几乎为0。需要说明的是，在N77频带的附近，在高频侧存在N79频带的通带和5GHz Wifi的通带。N79频带的通带是4.4～4.9GHz。5GHz Wifi的通带是5170～5835MHz。

因此，在N77频带的滤波器装置11中，要求N79频带的通带、5G Wifi的通带中的衰减量充分大。

因此，在N77频带的带通型滤波器中，在比通带靠高频率侧，要求较大的衰减量。具体而言，在将中心频率设为Fc的情况下，在1.17Fc～1.6Fc的宽频率范围内，需要确保充分大的衰减量。这在N79频带用的带通型滤波器中也是同样的。

图4是示出作为以往例的比较例的滤波器装置中的S21通过特性的图，图5是示出其各谐振器的阻抗特性的图。在使用了多个以往的弹性波谐器的通带型滤波器的情况下，各弹性波谐振器的分数带宽为3～6％程度而较窄。因此，在构成N77这样的宽分数带宽的滤波器装置时，需要在连结并联臂谐振器与串联臂谐振器的路径中插入具有大电感的电感器。

在该情况下，如图5所示，通过电感器的插入而出现的谐振点F1接近构成通带的串联臂谐振器的反谐振点。因此，在比通带靠高频侧的衰减区域附近，即例如在5GHz Wifi的频带附近，可能会形成带通型滤波器。因此，在比通带靠高频侧，衰减量变小，N79频带、5GHzWifi的通带中的衰减量有时会发生恶化。

与此相对，在滤波器装置11中，如图2所示，比通带靠高频侧的衰减区域中的衰减量变得充分大。参照图6～图11对此进行说明。

图6是示出本发明的第一实施方式的滤波器装置11中的S21通过特性的图，图7是示出滤波器装置11所使用的多个弹性波谐振器的阻抗特性的图。

在滤波器装置11中，使用利用了厚度剪切模式的弹性波装置1。在该情况下，带宽约为20％而较大。因此，在使用多个弹性波装置1而构成的滤波器装置11中，在连结第一串联臂谐振器S11与第一并联臂谐振器P11的路径中串联插入的电感器12的电感可以较小。因此，如图7所示，通过插入电感器12而产生的谐振点F1与第一串联臂谐振器S11的反谐振点fa相比，充分位于高频侧。因此，在滤波器装置11中，难以对比通带靠高频侧的衰减区域的衰减量造成不良影响。因此，如图2所示，比通带靠高频侧的衰减量变得充分大。

图8及图9是本发明的第一实施方式的滤波器装置11的概要结构图及第一实施方式的滤波器装置11的变形例的概要结构图。如图8所示，在滤波器装置11中，在输入端子11a与输出端子11b之间连接有具有多个弹性波谐振器的梯型电路L。在该梯型电路L与输出端子11b之间，在串联臂中连接有电感器12及第一串联臂谐振器S11。而且，在连结第一串联臂谐振器S11与第一并联臂谐振器P11的路径中串联地连接有电感器12。换言之，如图9所示的变形例那样，第一并联臂谐振器P11也可以是梯型电路L的最靠近输出端子11b的一侧的并联臂谐振器。在该情况下，也在连结第一并联臂谐振器P11与第一串联臂臂谐振器S11的路径中串联地连接电感器12即可。

无论为哪种情况，在滤波器装置11中，多个弹性波谐振器都包括后述的弹性波装置1，因此，如上所述，弹性波谐振器的比被扩大。因此，如上所述，电感器12的电感可以较小，因此，能够充分增大比通带靠高频侧的衰减区域中的衰减量。

图10是示出由形成宽频带的带通滤波器的弹性波谐振器以外的多个弹性波谐振器构成的滤波器的衰减量-频率特性的图。即，是仅示出包括上述的梯型滤波器的部分的衰减量-频率特性的图。在该滤波器特性中，与图11所示的带通滤波器的衰减量-频率特性相加而得到的衰减量-频率特性相当于图2所示的滤波器装置11的衰减量-频率特性。即，图11是由上述第一串联臂谐振器S11及第一并联臂谐振器P11及电感器12构成的带通滤波器的衰减量-频率特性。

为了增大5GHz的Wifi频带中的衰减量，串联臂谐振器的分数带宽优选为6％以上，更优选为8％以上。如图3所示，如果分数带宽为6％以上，则能够充分增大5GHz的Wifi频带的衰减量，进而如果分数带宽为8％以上，则能够进一步增大衰减量。

需要说明的是，5GHz的Wifi的频带将Ch32：5150～5170MHz设为下限，将Ch173：5855～5875MHz设为上限。

图12是本发明的第二实施方式的滤波器装置的电路图。在滤波器装置21中，在连结输入端子11a与输出端子11b的串联臂，相互串联地连接有多个串联臂谐振器S1～S3、第一串联臂谐振器S11、电感器12。另外，与滤波器装置11同样地设置有并联臂谐振器P1～P3。与滤波器装置11的不同之处在于，在构成梯型滤波器的部分的输出端子11b侧，依次串联连接有第一串联臂谐振器S11及电感器12。而且，第一并联臂谐振器P11连接到电感器12与输出端子11b之间的连接点和接地电位。这样，第一串联臂谐振器S11和第一并联臂谐振器P11的连接顺序也可以与滤波器装置11的情况相反。

在滤波器装置11中，分数带宽优选为10％以上。因此，适合用作BandN77、BandN79用的带通型滤波器。

另外，在本发明中，具备上述第一串联臂谐振器、上述第一并联臂谐振器及电感器即可，但优选的是，在连结串联臂与接地电位的多个并联臂设置有多个并联臂谐振器。在该情况下，在一个并联臂设置有上述第一并联臂谐振器。更优选的是，第一并联臂谐振器是多个并联臂谐振器中的最靠近第一串联臂谐振器的并联臂谐振器。

另外，在本发明中，在串联臂中设置有包括上述第一串联臂谐振器的多个串联臂谐振器。在该情况下，第一串联臂谐振器优选为多个串联臂谐振器中的最靠近输入端子11a或输出端子11b的串联臂谐振器。

此外，第一串联臂谐振器S11的反谐振频率优选比剩余的串联臂谐振器S1～S3的反谐振频率高。由此，能够充分增大比通带靠高频侧的衰减量。

如上所述，本发明的滤波器装置具有第一串联臂谐振器、第一并联臂谐振器及根据需要具备的其他的串联臂谐振器及并联臂谐振器，但这些谐振器优选构成在同一基板上。不过，第一串联臂谐振器也可以与多个串联臂谐振器中的除了第一串联臂谐振器之外的剩余的串联臂谐振器形成在不同的基板上。在该情况下，成为两个以上的芯片，因此，膜结构的变更变得容易。因此，能够扩大分数带宽、TCF等特性的调整宽度。在滤波器装置11中，通过多个串联臂谐振器S1～S3及第一串联臂谐振器S11中的除了第一串联臂谐振器S11之外的剩余的串联臂谐振器S1～S3和多个并联臂谐振器P1～P3，来构成梯型电路，该梯型电路构成通带。而且，通过第一串联臂谐振器S11、第一并联臂谐振器P11以及电感器12，来构成带通滤波器。

以下，对适合使用本发明的弹性波装置的利用了厚度剪切模式的体波的弹性波装置进行说明。以下的例子中的支承构件相当于本发明中的支承基板。

图13的(a)是示出利用厚度剪切模式的体波的弹性波装置的外观的简图的立体图，图13的(b)是示出压电层上的电极构造的俯视图，图14是沿着图13的(a)中的A-A线的部分的剖视图。

弹性波装置1具有包括LiNbO₃的压电层2。压电层2也可以包括LiTaO₃。LiNbO₃、LiTaO₃的切割角是Z切割，但也可以是旋转Y切割、X切割。压电层2的厚度没有特别限定，但为了有效地激励厚度剪切模式，优选为40nm以上且1000nm以下，更优选为50nm以上且1000nm以下。压电层2具有相对置的第一主面2a、第二主面2b。在第一主面2a上设置有电极指3及电极指4。在图13的(a)及图13的(b)中，多个电极指3与第一汇流条5连接。多个电极指4与第二汇流条6连接。多个电极指3及多个电极指4相互交错对插。电极指3及电极指4具有矩形形状，且具有长度方向。在与该长度方向正交的方向上，电极指3与相邻的电极指4对置。电极指3、4的长度方向及与电极指3、4的长度方向正交的方向均是与压电层2的厚度方向交叉的方向。因此，也可以说电极指3与相邻的电极指4在与压电层2的厚度方向交叉的方向上对置。另外，电极指3、4的长度方向也可以更改为与图13的(a)及图13的(b)所示的电极指3、4的长度方向正交的方向。即，在图13的(a)及图13的(b)中，也可以使电极指3、4沿着第一汇流条5及第二汇流条6延伸的方向延伸。在该情况下，第一汇流条5及第二汇流条6在图13的(a)及图13的(b)中沿着电极指3、4延伸的方向延伸。而且，连接到一个电位的电极指3与连接到另一个电位的电极指4相邻的一对构造在与上述电极指3、4的长度方向正交的方向上设置有多对。这里，电极指3与电极指4相邻并不是指电极指3与电极指4配置为直接接触的情况，而是指电极指3与电极指4隔着间隔而配置的情况。另外，在电极指3与电极指4相邻的情况下，在电极指3与电极指4之间不配置包括其他电极指3、4的与信号电极、接地电极连接的电极。该对数无需是整数对，也可以是1.5对、2.5对等。电极指3、4之间的中心间距离即间距优选为1μm以上且10μm以下的范围。另外，电极指3、4的宽度即电极指3、4的对置方向的尺寸优选为50nm以上且1000nm以下的范围，更优选为150nm以上且1000nm以下的范围。需要说明的是，电极指3、4之间的中心间距离成为将正交于电极指3的长度方向的方向上的电极指3的尺寸(宽度尺寸)的中心与正交于电极指4的长度方向的方向上的电极指4的尺寸(宽度尺寸)的中心连结而得到的距离。

另外，在弹性波装置1中，使用Z切割的压电层，因此，与电极指3、4的长度方向正交的方向成为与压电层2的极化方向正交的方向。在将其他切割角的压电体用作压电层2的情况下，不限于此。这里，“正交”不仅仅限定于严格上正交的情况，也可以是大致正交(正交于电极指3、4的长度方向的方向与极化方向所成的角度例如为90°±10°的范围内)。

在压电层2的第二主面2b侧，隔着绝缘层7而层叠有支承构件8。绝缘层7及支承构件8具有框状的形状，如图13所示，具有开口部7a、8a。由此，为了不妨碍压电层2的激励区域C的振动而设置有气隙部9。因此，上述支承构件8在与设置有至少一对电极指3、4的部分不重叠的位置隔着绝缘层7层叠于第二主面2b。需要说明的是，也可以不设置绝缘层7。因此，支承构件8可以直接或间接地层叠于压电层2的第二主面2b。

绝缘层7包括氧化硅。不过，除了氧化硅之外，还能够使用氮氧化硅、矾土等适当的绝缘性材料。支承构件8包括Si。Si的压电层2侧的面上的面方位可以为(100)、(110)，也可以为(111)。构成支承构件8的Si期望是电阻率4kΩ以上的高电阻。不过，也能够使用适当的绝缘性材料、半导体材料而构成支承构件8。

作为支承构件8的材料，例如能够使用氧化铝、钽酸锂、铌酸锂、石英等压电体、矾土、氧化镁、蓝宝石、氮化硅、氮化铝、碳化硅、氧化锆、堇青石、莫来石、块滑石、镁橄榄石等各种陶瓷、金刚石、玻璃等电介质、氮化镓等半导体等。

上述多个电极指3、4及第一汇流条5、第二汇流条6包括Al、AlCu合金等适当的金属或合金。在本实施方式中，电极指3、4及第一汇流条5、第二汇流条6具有在Ti膜上层叠有Al膜的构造。需要说明的是，也可以使用Ti膜以外的紧贴层。

在驱动时，向多个电极指3与多个电极指4之间施加交流电压。更具体而言，向第一汇流条5与第二汇流条6之间施加交流电压。由此，能够得到利用了在压电层2中被激励的厚度剪切模式的体波的谐振特性。另外，在弹性波装置1中，在将压电层2的厚度设为d且将多对电极指3、4中的任意的相邻的电极指3、4的中心间距离设为p的情况下，d/p为0.5以下。因此，能够得到有效地激励了上述厚度剪切模式的体波的良好的谐振特性。更优选的是，d/p为0.24以下，在该情况下，能够得到更加良好的谐振特性。

在弹性波装置1中，由于具备上述结构，因此，即便为了实现小型化而减小了电极指3、4的对数，也难以产生Q值的下降。这是因为，即便减少两侧的反射器中的电极指的根数，传播损耗也较少。另外，能够减少上述电极指的根数是基于利用厚度剪切模式的体波而实现的。参照图15的(a)及图15的(b)来说明在弹性波装置中利用的兰姆(Lamb)波与上述厚度剪切模式的体波的不同。

图15的(a)是用于说明在专利文献1所记载的弹性波装置的压电膜传播的兰姆波的示意性主视剖视图。这里，波如箭头所示那样在压电膜201中传播。这里，在压电膜201中，第一主面201a与第二主面201b对置，连结第一主面201a与第二主面201b的厚度方向是Z方向。X方向是IDT电极的电极指排列的方向。如图15的(a)所示，对于兰姆波，波如图示那样沿X方向传播下去。因为是板波，虽然压电膜201在整体上振动，但波沿X方向传播，因此，在两侧配置反射器而得到谐振特性。因此，产生波的传播损耗，在实现了小型化的情况下，即在减少了电极指的对数的情况下，Q值下降。

与此相对，如图15的(b)所示，在弹性波装置1中，振动位移是厚度剪切方向，因此，波大致沿着连结压电层2的第一主面2a与第二主面2b的方向即Z方向传播并进行谐振。即，波的X方向分量显著小于Z方向分量。而且，通过该Z方向的波的传播得到谐振特性，因此，即便减小反射器的电极指的根数，也难以产生传播损耗。此外，即便为了促进小型化而减少了包括电极指3、4的电极指的对数，也难以产生Q值的下降。

需要说明的是，如图16所示，厚度剪切模式的体波的振幅方向在压电层2的激励区域C所包含的第一区域451和激励区域C所包含的第二区域452中相反。在图16中，示意性示出在电极指3与电极指4之间施加了电极指4与电极指3相比成为高电位的电压的情况下的体波。第一区域451是激励区域C中的假想平面VP1与第一主面2a之间的区域，该假想平面VP1与压电层2的厚度方向正交且将压电层2分为两部分。第二区域452是激励区域C中的假想平面VP1与第二主面2b之间的区域。

如上所述，在弹性波装置1中，配置有包括电极指3和电极指4的至少一对电极，但没有使波沿X方向传播，因此，包括该电极指3、4的电极指的对数无需具有多对。即，只要设置至少一对电极即可。

例如，上述电极指3是与信号电位连接的电极，电极指4是与接地电位连接的电极。不过，也可以是，电极指3与接地电位连接，电极指4与信号电位连接。在本实施方式中，如上所述，至少一对电极是与信号电位连接的电极或与接地电位连接的电极，未设置浮置电极。

图17是示出图14所示的弹性波装置的谐振特性的图。需要说明的是，得到该谐振特性的弹性波装置1的设计参数如以下所述。

压电层2：欧拉角(0°，0°，90°)的LiNbO₃，厚度＝400nm。

在沿正交于电极指3与电极指4的长度方向的方向观察时，电极指3与电极指4重叠的区域即激励区域C的长度＝40μm，包括电极指3、4的电极指的对数＝21对，电极指间中心距离＝3μm，电极指3、4的宽度＝500nm，d/p＝0.133。

绝缘层7：1μm的厚度的氧化硅膜。

支承构件8：Si。

需要说明的是，激励区域C的长度是指激励区域C的沿着电极指3、4的长度方向的尺寸。

在本实施方式中，包括电极指3、4的电极指对的电极指间距离在多对中全部相等。即，以等间距配置了电极指3和电极指4。

由图17可知，尽管不具有反射器，也得到分数带宽为12.5％的良好的谐振特性。

然而，在将上述压电层2的厚度设为d且将电极指3与电极指4的电极的中心间距离设为p的情况下，如上所述，在本实施方式中，d/p为0.5以下，更优选为0.24以下。参照图18对此进行说明。

与得到图17所示的谐振特性的弹性波装置同样地，但是使d/2p变化而得到多个弹性波装置。图18是示出该d/2p与作为弹性波装置的谐振器的分数带宽之间的关系的图。

由图18可知，当d/2p超过0.25时，即在d/p>0.5时，即便调整d/p，分数带宽也小于5％。与此相对，在d/2p≤0.25即d/p≤0.5的情况下，如果使d/p在该范围内变化，则能够使分数带宽成为5％以上，即能够构成具有高耦合系数的谐振器。另外，在d/2p为0.12以下的情况下，即在d/p为0.24以下的情况下，能够使分数带宽高至7％以上。此外，如果在该范围内调整d/p，则能够得到分数带宽更加宽的谐振器，能够实现具有更加高的耦合系数的谐振器。因此，可知通过将d/p设为0.5以下，可以构成利用了上述厚度剪切模式的体波的具有高耦合系数的谐振器。

图19是利用厚度剪切模式的体波的弹性波装置的俯视图。在弹性波装置80中，在压电层2的第一主面2a上设置有具有电极指3和电极指4的一对电极。需要说明的是，图18中的K成为交叉宽度。如上所述，电极指的对数也可以为一对。在该情况下，如果上述d/p为0.5以下，则也能够有效地激励厚度剪切模式的体波。

图20是示出使d/p无限接近0的情况下的分数带宽相对于LiNbO₃的欧拉角(0°，θ，ψ)的映射的图。标注图20的阴影线而示出的部分是得到至少5％以上的分数带宽的区域，如果对该区域的范围进行近似，则成为由下述的式(1)、式(2)及式(3)表示的范围。

(0°±10°，0°～20°，任意的ψ)…式(1)

(0°±10°，20°～80°，0°～60°(1-(θ-50)²/900)^1/2)或(0°±10°，20°～80°，[180°-60°(1-(θ-50)²/900)^1/2]～180°)…式(2)

(0°±10°，[180°-30°(1-(ψ-90)²/8100)^1/2]～180°，任意的ψ)…式(3)

因此，在上述式(1)、式(2)或式(3)的欧拉角范围的情况下，能够充分地扩大分数带宽，是优选的。在压电层2为钽酸锂层的情况下也是同样的。

图21是示出d/2p、金属化率MR以及分数带宽之间的关系的图。在上述弹性波装置中，构成d/2p与MR不同的各种弹性波装置，测定出分数带宽。图21的虚线E的右侧的标注阴影线而示出的部分是分数带宽为17％以下的区域。在分数带宽为17％以下的情况下，通过调整压电层2的膜厚、电极指3、4的尺寸等，能够适当地减小杂散。标注有阴影线的区域与未标注阴影线的边界由MR＝3.5(d/2p)+0.075表示。即，是MR＝1.75(d/p)+0.075。因此，优选为MR≤1.75(d/p)+0.075。在该情况下，容易使分数带宽成为17％以下。更优选的是，是图21中的单点划线E1所示的MR＝3.5(d/2p)+0.05的右侧的区域。即，如果MR≤1.75(d/p)+0.05，则能够使分数带宽可靠地成为17％以下。

附图标记说明

1、80…弹性波装置；

2…压电层；

2a…第一主面；

2b…第二主面；

3、4…电极指；

5、6…第一汇流条、第二汇流条；

7…绝缘层；

7a…开口部；

8…支承构件；

8a…开口部；

9…气隙部；

11…滤波器装置；

11a…输入端子；

11b…输出端子；

12…电感器；

201…压电膜；

201a、201b…第一主面、第二主面；

451、452…第一区域、第二区域；

C…激励区域；

L…梯型电路；

S1～S3…串联臂谐振器；

S11…第一串联臂谐振器；

P1～P3…并联臂谐振器；

P11…第一并联臂谐振器；

VP1…假想平面。

Claims (14)

1.一种滤波器装置，具备：

第一串联臂谐振器，其设置于连结输入端子与输出端子的串联臂；以及

第一并联臂谐振器，其设置于连结所述串联臂与接地电位的并联臂，

所述第一串联臂谐振器及所述第一并联臂谐振器包括弹性波谐振器，该弹性波谐振器分别具有包括铌酸锂或钽酸锂的压电层以及设置在所述压电层上的至少一对第一电极及第二电极，在将所述压电层的膜厚设为d且将相邻的所述第一电极及所述第二电极的中心间距离设为p的情况下，d/p为0.5以下，

所述滤波器装置在所述第一串联臂谐振器与所述第一并联臂谐振器之间还具备电感器，该电感器与所述第一串联臂谐振器串联地连接。

2.根据权利要求1所述的滤波器装置，其中，

在连结所述串联臂与接地电位的并联臂具有包括所述第一并联臂谐振器的多个并联臂谐振器，

所述第一并联臂谐振器是所述多个并联臂谐振器中的最靠近所述第-串联臂谐振器的并联臂谐振器。

3.根据权利要求1或2所述的滤波器装置，其中，

在连结所述输入端子与所述输出端子的串联臂具有包括所述第一串联臂谐振器的多个串联臂谐振器，

所述第-串联臂谐振器是所述多个串联臂谐振器中的最靠近所述输入端子或所述输出端子的串联臂谐振器。

4.根据权利要求3所述的滤波器装置，其中，

所述第一串联臂谐振器的反谐振频率比剩余的串联臂谐振器的反谐振频率高。

5.根据权利要求3或4所述的滤波器装置，其中，

所述第一串联臂谐振器的分数带宽为6％以上。

6.根据权利要求1至5中任一项所述的滤波器装置，其中，

在连结所述输入端子与所述输出端子的串联臂具有包括所述第一串联臂谐振器的多个串联臂谐振器，

所述第一串联臂谐振器与所述多个串联臂谐振器中的除了所述第一串联臂谐振器之外的剩余的串联臂谐振器形成在不同的基板上。

7.根据权利要求2所述的滤波器装置，其中，

在连结所述输入端子与所述输出端子的串联臂具有包括所述第一串联臂谐振器的多个串联臂谐振器，

在连结所述串联臂与接地电位的并联臂具有包括所述第一并联臂谐振器的多个并联臂谐振器，

通过所述多个串联臂谐振器中的除了所述第一串联臂谐振器之外的剩余的串联臂谐振器和所述所述多个并联臂谐振器中的除了所述第一并联臂谐振器之外的剩余的并联臂谐振器，来构成梯型电路，该梯型电路构成通带，通过所述第一串联臂谐振器、所述第一并联臂谐振器以及所述电感器，来构成带通滤波器。

8.根据权利要求1至7中任一项所述的滤波器装置，其中，

所述滤波器装置的带宽为10％以上。

9.根据权利要求1至7中任一项所述的滤波器装置，其中，

所述滤波器装置是BandN77或BandN79用的带通型滤波器。

10.根据权利要求1至9中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述滤波器装置构成为能够利用厚度剪切模式的体波。

11.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，

d/p为0.24以下。

12.根据权利要求1所述的弹性波装置，其中，

在相邻的所述电极指对置的方向上观察时重叠的区域是激励区域，在将多个所述电极指相对于所述激励区域的金属化率设为MR时，满足MR≤1.75(d/p)+0.075。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述压电层是钽酸锂层或铌酸锂层。

14.根据权利要求1至13中任一项所述的弹性波装置，其中，

所述铌酸锂或钽酸锂的欧拉角处于以下的式(1)、式(2)或式(3)的范围，

(0°±10°，0°～20°，任意的ψ)…式(1)

(0°±10°，20°～80°，0°～60°(1-(θ-50)²/900)^1/2)或(0°±10°，20°～80°，[180°-60°(1-(θ-50)²/900)^1/2]～180°)…式(2)

(0°±10°，[180°-30°(1-(ψ-90)²/8100)^1/2]～180°，任意的ψ)…式(3)。