CN116707461A - 一种基于耦合线结构的Doherty功率放大器 - Google Patents

一种基于耦合线结构的Doherty功率放大器 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种基于耦合线结构的Doherty功率放大器，包括：功分器、载波功率放大器、峰值功率放大器、第一及第二相位补偿线以及后匹配网络；载波功率放大器包括第一输入匹配电路、载波放大器晶体管和第一输出匹配电路；峰值功率放大器包括第二输入匹配电路、峰值放大器晶体管和第二输出匹配电路；本发明通过将宽带耦合线等效的T型结构应用于阻抗逆变换器中，采用两点匹配的模式完成阻抗的负载调制，同时后匹配电路采用准椭圆低通滤波结构，相比于传统输出匹配结构，在不影响回退效率的同时拓宽了功率放大器的带宽。

Description

一种基于耦合线结构的Doherty功率放大器
技术领域
本发明涉及通信设备领域，特别涉及一种基于耦合线结构的Doherty功率放大器。
背景技术
随着新一代无线移动通信技术的快速发展，为了满足信息时代对于更高数据速率、更低延迟和更低成本不断增长的需求，频谱资源的分配以及通信网络的带宽显得尤为重要。由于在无线通信系统中采用多输入多输出和载波聚合技术可以大幅提高数据速率并拥有更低的延迟，而数据的高速传输以及高质量传输让人们不得不应用更复杂的调制信号，信号的峰均比(PAPR)被不断地提高，因此仅仅满足高饱和效率是远远不够的，还需要保证功率放大器具有高的回退效率。Doherty功率放大器作为高效率功率放大器的典型代表，由于受到负载调制的作用让电路在6dB回退处的效率得以提升，因此这个特点让Doherty功率放大器更加适应如今复杂的调制信号。
由于传统的Doherty放大器自身窄带特性的限制，使得其不能应用于宽带调制信号系统中，因此近年来宽带高回退效率的Doherty功率放大器得到学者们研究的青睐。在众多宽带Doherty功率放大器的结构中，后匹配结构是如今普遍使用的技术，但是已经提出的经典结构仍然有损耗高、相位一致性较差、带宽不够的缺点，因此针对这种现状，本发明提出了一种基于耦合线结构的Doherty功率放大器。
发明内容
为了克服现有技术的上述缺点与不足，本发明的目的在于提供一种基于耦合线结构的Doherty功率放大器。
本发明的目的通过以下技术方案实现：
一种基于耦合线结构的Doherty功率放大器，包括功分器、载波功率放大器、峰值功率放大器及后匹配电路，所述射频信号通过功分器等分输入到载波功率放大器和峰值功率放大器，所述功分器与载波功率放大器之间设置第一相位补偿线，所述载波功率放大器和峰值功率放大器的输出信号至后匹配电路，所述峰值功率放大器与后匹配电路之间设置第二相位补偿线，所述后匹配电路与50欧姆负载连接；
所述载波功率放大器包括第一输入匹配电路、载波放大器晶体管及第一输出匹配电路；
所述峰值功率放大器包括第二输入匹配电路、峰值放大器晶体管及第二输出匹配电路；
所述第一输出匹配电路及第二输出匹配电路均采用基于平行耦合线结构。
进一步，所述第一输出匹配电路及第二输出匹配电路的结构相同，均包括第一阻抗调谐线、第二阻抗调谐线、第三阻抗调谐线、第一平行耦合线、第四阻抗调谐线以及第五阻抗调谐线；所述第一阻抗调谐线的一端连接放大器晶体管的漏极，另一端分别连接第二阻抗调谐线和第三阻抗调谐线的一端，第二阻抗调谐线的另一端连接漏极直流电源，第三阻抗调谐线的另一端连接第一平行耦合线的一端口，第一平行耦合线的二端口连接第四阻抗调谐线的一端，第四阻抗调谐线的另一端开路，第一平行耦合线的三端口与第五阻抗调谐线的一端连接，第五阻抗调谐线的另一端连接后匹配电路的输入端。
进一步，所述第二阻抗调谐线为漏极偏置电路的偏置线，参与输出匹配，其电长度小于四分之一波长。
进一步，所述第三阻抗调谐线和第五阻抗调谐线的特征阻抗和电长度相同。
进一步，所述后匹配电路采用准椭圆低通滤波结构，在进行基波匹配的同时对二次谐波阻抗进行抑制。
进一步，所述后匹配电路包括第一电感、第一电容、第二电感、第二电容及第三电感；
所述第一电感的一端连接载波放大器晶体管的输出端和第二相位补偿线的一端，第一电感的另一端同时连接第一电容和第二电感的一端，第一电容的另一端与第三电感的一端相连接，第三电感的另一端接地，第二电感的另一端同时连接第二电容和50欧姆负载，第二电容的另一端接地。
进一步，所述第一相位补偿线的特征阻抗为50欧姆，电长度为90°，第二相位补偿线的特征阻抗为56欧姆，电长度为85°。
进一步，所述平行耦合线结构等效为由两个耦合电感和一个接地电容构成的T型网络，两个耦合电感之间存在互耦电感。
进一步，所述后匹配电路的基波阻抗匹配分别由第一电感、第一电容、第二电感以及第二电容决定，第三电感负责为该电路提供额外的传输零点，二次谐波的抑制由第一电容和第三电感的串联谐振完成。
进一步，合路点阻抗RL为28欧姆，因此载波功率放大器的输出匹配电路需要在回退点将载波功放的负载阻抗匹配到56欧姆，在饱和点需要将载波功放的负载阻抗匹配到56欧姆，峰值功率放大器的输出匹配电路需要在回退点将峰值功放的阻抗匹配到无穷大，需要在饱和点将峰值功放的阻抗匹配到56欧姆，在进行合路之后，需要将28欧姆匹配到50欧姆负载。
与现有技术相比，本发明具有以下优点和有益效果：
本发明提出了一种基于耦合线的新型负载调制网络，通过将宽带耦合线等效的T型结构应用于阻抗逆变换器中，可以较好地进行阻抗的两点匹配，在减少损耗的同时也拓宽了工作频带；
本发明的后匹配电路采用准椭圆低通滤波结构，相比于传统的LC低通滤波结构拥有更好的滚降特性，同时在电路中同时进行基波阻抗匹配和二次谐波抑制，使得电路在合路点处的相位一致性更好，整体电路的回退效率得以提升，同时频带内在6dB回退点处的效率差值更小。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图2为本发明的输出匹配结构示意图；
图3(a)及图3(b)分别是本发明的平行耦合线版图结构及其等效电路图；
图4(a)及图4(b)是本发明的载波功率放大器输出匹配输入阻抗Smith圆图；
图5是本发明的后匹配电路示意图；
图6(a)及图6(b)是本发明的后匹配电路的小信号仿真结果示意图；
图7是本发明的小信号仿真结果示意图；
图8是本发明的大信号PAE随输出功率变化的仿真结果示意图。
具体实施方式
下面结合实施例，对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
实施例
如图1所示，一种基于耦合线结构的Doherty功率放大器，其结构包括：功分器、第一相位补偿线、载波功率放大器、峰值功率放大器、第二相位补偿线以及后匹配电路；所述载波功率放大器包括第一输入匹配电路、载波放大器晶体管以及第一输出匹配电路；所述峰值功率放大器包括第二输入匹配电路、峰值放大器晶体管以及第二输出匹配电路。
所述功分器为3dB等分功分器，射频信号通过功分器等分输入到载波功率放大器和峰值功率放大器中，功分器的二端口连接第一相位补偿线的一端，第一相位补偿线的另一端连接载波功率放大器的输入端，第一输入匹配电路的一端连接载波放大器晶体管的栅极，载波放大器晶体管的漏极连接第一输出匹配电路的输入端，功分器的三端口连接峰值功率放大器的输入端，第二输入匹配电路的输出段连接峰值放大器晶体管的栅极，峰值放大器晶体管的漏极连接第二输出匹配电路的输入端，第二输出匹配电路的输出端连接第二相位补偿线的一端，第二相位补偿线的另一端和第一输出匹配电路的输出端经过合路之后连接后匹配电路的输入端，后匹配电路的输出端连接50欧姆负载。
所述载波功率放大器的偏置点设置为深AB类，保证功率放大器在回退点处到达饱和功率，而峰值功率放大器需要偏置在C类，保证在回退点到饱和点期间对载波放大器的负载阻抗起到调制的作用，因此在设计中应该慎重选择静态工作点的偏置电压。所述载波放大器晶体管和峰值放大器晶体管都选择用Cree公司的10W GaN HEMT CGH40010F晶体管，所述载波功率放大器的栅极偏置电压设置为-2.9V，所述峰值功率放大器的栅极偏置电压设置为-6V，而漏极偏置电压均选择为28V。由于在实际设计当中输入到载波功率放大器的功率会大于输入到峰值功率放大器中的功率，而为了使得在合路之后电流的幅值和相位一致，首先需要将峰值功率放大器比载波功率放大器提前开启，其次需要调节相位补偿线来达到相位一致。所述第一相位补偿线的特征阻抗为50欧姆，电长度为90°，第二相位补偿线的特征阻抗为56欧姆，电长度为85°。
如图2所示，所述第一输出匹配电路和第二输出匹配电路均采用基于平行耦合线的结构，包括第一阻抗调谐线TL1、第二阻抗调谐线TL2、第三阻抗调谐线TL3、第一平行耦合线Clin1、第四阻抗调谐线TL4以及第五阻抗调谐线TL5；
进一步，所述第一阻抗调谐线TL1的一端连接功率放大器晶体管的漏极，另一端同时连接第二阻抗调谐线TL2和第三阻抗调谐线TL3的一端，第二阻抗调谐线TL2的另一端连接漏极直流电源，第三阻抗调谐线TL3的另一端连接第一平行耦合线Clin1的一端口，第一平行耦合线Clin1的二端口连接第四阻抗调谐线TL4的一端，第四阻抗调谐线TL4的另一端开路，第一平行耦合线Clin1的三端口与第五阻抗调谐线TL5的一端连接，第五阻抗调谐线TL5的另一端连接后匹配电路的输入端。所述第二阻抗调谐线TL2为漏极偏置电路的偏置线，参与输出匹配，其电长度小于四分之一波长，阻抗调谐线TL3和阻抗调谐线TL5的特征阻抗和电长度都相同。
所述输出匹配电路中所采用的平行耦合线版图结构及其等效电路图如图3所示，图2中平行耦合线Clin1的线宽、线长以及耦合线间距分别通过图3中耦合线的W、L和S来表示，图2中阻抗调谐线TL4的特征阻抗以及电长度分别用图3(a)及图3(b)中的Zt2和θt2来表示，阻抗调谐线TL3和阻抗调谐线TL5的特征阻抗和电长度分别用Zc1和θc1来表示。所述平行耦合线结构可以等效为由两个耦合电感Lm1和一个接地电容Ct2组成的T型网络，两个耦合电感之间的互耦电感为Lm。
在本实施例中基于耦合线结构的输出匹配结构，其具体设计于实现方法包括以下几个步骤(以载波功率放大器举例)：
步骤1、计算输入阻抗：根据图3(b)中给出的等效电路图可以计算出T型结构的互耦电感Ltotal＝2Lm1+2Lm，其中Lm＝kLm1，根据给出的电容电感计算出等效电路的输入阻抗其中/>
步骤2、确定负载调制网络的阻抗变化：载波放大器需要在回退点匹配到RL，在饱和点匹配到2RL；峰值放大器需要在回退点匹配到无穷大阻抗，在饱和点匹配到2RL；
步骤3、得出电感和电容的关系：根据负载调制原理，阻抗从RL变化到2RL时的阻抗实部几乎不变，可以得出关于频率ω0、电感L和电容Ct2之间的关系：最后计算得出电感和电容之间的关系为：L＝1.23Ct2。
步骤4、确定两点匹配的阻抗：所述两点匹配中RL为28欧姆，因此载波功率放大器的输出匹配电路需要在回退点将ZC匹配到56欧姆，在饱和点需要将ZC匹配到56欧姆，峰值功率放大器的输出匹配电路需要在回退点将ZP匹配到无穷大，需要在饱和点将ZP匹配到56欧姆，在进行合路之后，需要将28欧姆匹配到50欧姆负载；
步骤5、负载牵引：在确定晶体管的静态工作点之后，在该条件下对所选用晶体管进行负载牵引，根据最优输出功率和效率情况下牵引出的阻抗值如下表1所示；
表1载波放大器最优输出阻抗
步骤6、匹配网络设计：首先假设电容Ct2＝1PF，那么总的电感值L就被确定了，根据L＝Lc1+Ltotal/2，需要大致确定Lm1、Lc1和Lm的值，从而阻抗的实部已经确定，接下来需要通过优化Lc1的值来使得输入阻抗和牵引出阻抗的虚部尽量重合，最终使得载波放大器输出匹配的输入阻抗匹配到最佳功率效率区域，其具体仿真得到的Smith圆图如图4(a)及图4(b)所示，可以看到该耦合线结构的输入阻抗轨迹处于等效率圆和等功率圆的中央，因此该实施例的阻抗匹配程度都较为良好。
如图5所示，所述后匹配电路采用准椭圆低通滤波结构，在进行基波匹配的同时对二次谐波阻抗进行了抑制，其集总元件包括第一电感L1、第一电容C1、第二电感L2、第二电容C2以及第三电感L3；所述第一电感L1的一端连接载波功率放大器的输出端和第二相位补偿线的一端，第一电感L1的另一端同时连接第一电容C1和第二电感L2的一端，第一电容C1的另一端与第三电感L3的一端相连接，第三电感L3的另一端接地，第二电感L2的另一端同时连接第二电容C2和50欧姆负载，第二电容C2的另一端接地。
所述后匹配电路的基波阻抗匹配分别由第一电感L1、第一电容C1、第二电感L2以及第二电容C2决定，第三电感负责为该电路提供额外的传输零点，同时二次谐波的抑制主要由第一电容C1和第三电感L3的串联谐振完成，其小信号仿真结果如图6(a)及图6(b)所示，该准椭圆低通滤波结构相比于传统的两阶的低通结构其阻带下降更快，滚降特性有了明显的提升。
在本实施例中，本发明中的一种基于耦合线结构的Doherty功率放大器的工作频带为1.7-2.6GHz，电路的小信号增益都大于13dB，回波损耗S11都小于-8dB，匹配程度较为良好。从大信号仿真结果可以看到电路的饱和功率都大于42dBm，饱和功率下的PAE均大于55％，而回退6dB处的PAE均大于45％。电路整体小信号和大信号仿真结果分别如图7和图8所示。
通过上述描述，本发明一种基于耦合线结构的Doherty功率放大器将宽带耦合线等效的T型结构应用于阻抗逆变换器中，在不影响回退效率的同时，拓宽了整体电路的带宽，可作为当前移动通信中基站设备应用的参考案例。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受所述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种基于耦合线结构的Doherty功率放大器，其特征在于，包括功分器、载波功率放大器、峰值功率放大器及后匹配电路，所述射频信号通过功分器等分输入到载波功率放大器和峰值功率放大器，所述功分器与载波功率放大器之间设置第一相位补偿线，所述载波功率放大器和峰值功率放大器的输出信号至后匹配电路，所述峰值功率放大器与后匹配电路之间设置第二相位补偿线，所述后匹配电路与50欧姆负载连接；
所述载波功率放大器包括第一输入匹配电路、载波放大器晶体管及第一输出匹配电路；
所述峰值功率放大器包括第二输入匹配电路、峰值放大器晶体管及第二输出匹配电路；
所述第一输出匹配电路及第二输出匹配电路均采用基于平行耦合线结构。
2.根据权利要求1所述的Doherty功率放大器，其特征在于，所述第一输出匹配电路及第二输出匹配电路的结构相同，均包括第一阻抗调谐线、第二阻抗调谐线、第三阻抗调谐线、第一平行耦合线、第四阻抗调谐线以及第五阻抗调谐线；所述第一阻抗调谐线的一端连接放大器晶体管的漏极，另一端分别连接第二阻抗调谐线和第三阻抗调谐线的一端，第二阻抗调谐线的另一端连接漏极直流电源，第三阻抗调谐线的另一端连接第一平行耦合线的一端口，第一平行耦合线的二端口连接第四阻抗调谐线的一端，第四阻抗调谐线的另一端开路，第一平行耦合线的三端口与第五阻抗调谐线的一端连接，第五阻抗调谐线的另一端连接后匹配电路的输入端。
3.根据权利要求2所述的Doherty功率放大器，其特征在于，所述第二阻抗调谐线为漏极偏置电路的偏置线，参与输出匹配，其电长度小于四分之一波长。
4.根据权利要求2所述的Doherty功率放大器，其特征在于，所述第三阻抗调谐线和第五阻抗调谐线的特征阻抗和电长度相同。
5.根据权利要求1-4任一项所述的Doherty功率放大器，其特征在于，所述后匹配电路采用准椭圆低通滤波结构，在进行基波匹配的同时对二次谐波阻抗进行抑制。
6.根据权利要求5所述的Doherty功率放大器，其特征在于，所述后匹配电路包括第一电感、第一电容、第二电感、第二电容及第三电感；
所述第一电感的一端连接载波放大器晶体管的输出端和第二相位补偿线的一端，第一电感的另一端同时连接第一电容和第二电感的一端，第一电容的另一端与第三电感的一端相连接，第三电感的另一端接地，第二电感的另一端同时连接第二电容和50欧姆负载，第二电容的另一端接地。
7.根据权利要求1所述的Doherty功率放大器，其特征在于，所述第一相位补偿线的特征阻抗为50欧姆，电长度为90°，第二相位补偿线的特征阻抗为56欧姆，电长度为85°。
8.根据权利要求1所述的Doherty功率放大器，其特征在于，所述平行耦合线结构等效为由两个耦合电感和一个接地电容构成的T型网络，两个耦合电感之间存在互耦电感。
9.根据权利要求6所述的Doherty功率放大器，其特征在于，所述后匹配电路的基波阻抗匹配分别由第一电感、第一电容、第二电感以及第二电容决定，第三电感负责为该电路提供额外的传输零点，二次谐波的抑制由第一电容和第三电感的串联谐振完成。
10.根据权利要求1所述的Doherty功率放大器，其特征在于，合路点阻抗RL为28欧姆，因此载波功率放大器的输出匹配电路需要在回退点将载波功放的负载阻抗匹配到56欧姆，在饱和点需要将载波功放的负载阻抗匹配到56欧姆，峰值功率放大器的输出匹配电路需要在回退点将峰值功放的阻抗匹配到无穷大，需要在饱和点将峰值功放的阻抗匹配到56欧姆，在进行合路之后，需要将28欧姆匹配到50欧姆负载。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN117526863A (zh) * 2023-11-03 2024-02-06 佛山臻智微芯科技有限公司 一种基于Doherty结构的功率放大电路
CN117526863B (zh) * 2023-11-03 2024-04-09 佛山臻智微芯科技有限公司 一种基于Doherty结构的功率放大电路

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