CN116686413A - 发光元件、发光装置、显示装置、方法 - Google Patents

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Abstract

发光元件(6R、6G、6B)具备作为阳极的第一电极(8)、作为阴极的第二电极(18)、发光层(14)、第一绝缘体(20)和第三电极(28)。发光层位于第一电极以及第二电极之间，第一绝缘体相对于发光层位于发光层的靠第一侧面(14SA)的一侧。第三电极以在与发光层的第一侧面之间夹着第一绝缘体的第一部分(22)的方式位于第一绝缘体内。

Description

发光元件、发光装置、显示装置、方法
技术领域
本发明涉及电场注入型的发光元件、具备该发光元件的发光装置和显示装置、以及用于形成该发光装置和该显示装置所具备的一部分构件的方法。
背景技术
非专利文献1中记载了电场注入型的发光元件、特别是层叠型的发光元件。
现有技术文献
专利文献
非专利文献1：Cadmium-free quantum dots based violet light-emittingdiodes:High-efficiency and brightness via optimization of organic holetransport layers(Organic Electronics Volume 25,October 2015,Pages 178-183,Qingli Lin et al.)
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在包含非专利文献1所记载的发光元件的层叠型发光元件中，在发光元件所包含的发光层及载流子输送层等的界面，存在在界面态中载流子被捕获，且载流子向发光层注入的效率降低的情况。
用于解决技术问题的技术方案
根据本公开的实施方式的发光元件具备：第一电极，其作为阳极；第二电极，其作为阴极；发光层，其位于所述第一电极和所述第二电极之间；第一绝缘体，其相对于所述发光层位于所述发光层的靠第一侧面的一侧；以及第三电极，其以在与所述发光层的所述第一侧面之间夹着所述第一绝缘体的第一部分的方式位于所述第一绝缘体内。
另外，本公开的一实施方式的方法是用于在基板上形成绝缘体和位于所述绝缘体内的电极的方法，所述方法包括：第一突起形成工序，形成第一突起；第二突起形成工序，在所述第一突起的上表面之上形成第二突起；电极形成工序，在所述第二突起的一个或者两个侧面上形成所述电极；以及覆盖层形成工序，形成覆盖层以覆盖所述第二突起以及所述电极，所述绝缘体包含所述第一突起、所述第二突起以及所述覆盖层。
有益效果
将在发光元件的各功能层的界面产生的界面态被捕获的载流子释放，提高载流子向发光层的注入效率。
附图说明
图1是第一实施方式的显示装置的概略截面图。
图2是第一实施方式的显示装置的概略平面图。
图3是第一实施方式的显示装置的显示区域的放大平面图。
图4是第一实施方式的显示装置的截面的放大图。
图5是第一实施方式的显示装置的截面的另一放大图。
图6是对第一实施方式的发光元件的驱动信号施加、以及对该发光元件的第三电极～第四电极间施加电压的时序图。
图7是第一实施方式的显示装置的另一概略截面图。
图8是表示第一实施方式的显示装置的制造方法的流程图。
图9是表示第一实施方式的堤岸的形成方法的流程图。
图10是表示第一实施方式的堤岸的形成方法的工序截面图。
图11是表示第一实施方式的堤岸的形成方法的另一工序截面图。
图12是第一实施方式的变形例的显示装置的显示区域的放大平面图。
图13是第一实施方式的变形例的显示装置的概略截面图。
图14是第二实施方式的显示装置的概略平面图。
图15是第二实施方式的显示装置的概略截面图。
图16是第三实施方式的显示装置的概略平面图。
图17是第三实施方式的显示装置的概略截面图。
图18是第三实施方式的显示装置的另一概略截面图。
图19是第四实施方式的显示装置的概略平面图。
图20是第四实施方式的显示装置的概略截面图。
图21是第四实施方式的显示装置的另一概略截面图。
图22是第五实施方式的显示装置的概略平面图。
图23是第五实施方式的显示装置的概略截面图。
具体实施方式
[第一实施方式]
<显示装置的概述>
图2是本实施方式的显示装置2的概略平面图。图3是本实施方式的显示装置2的后述的显示区域中的平面的放大图。图1是本实施方式的显示装置2的概略截面图，是图3中的按A-B线向视截面图。
另外，在本说明书中，显示装置的显示区域中的平面的放大图将后面详述的子像素和形成于该子像素之间的作为绝缘体的堤岸的一部分抽出来表示。进而，在本说明书中，该放大图透过后文详细说明的、形成于堤岸的内部的第三电极以及第四电极而示出。
如图2所示，本实施方式的显示装置2具备：显示区域DA，通过取出来自后述的各发光元件的发光来进行显示；以及边框区域NA，其包围该显示区域DA的周围。在边框区域NA中，形成有被输入用于驱动显示装置2的各发光元件的信号的端子T。
如图3所示，在俯视下与显示区域DA重叠的位置，本实施方式的显示装置2具备多个像素，该多个像素包括第一像素P1和第二像素P2。各像素分别具有多个子像素。特别是，在本实施方式中，第一像素P1具备第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3。此外，第二像素P2具备第一子像素SPl’、第二子像素SP2’和第三子像素SP3’。
在俯视时与显示区域DA重叠的位置，如图1所示，本实施方式的显示装置2具备阵列基板4和该阵列基板4上的发光元件层6。特别是，显示装置2具有在形成有未图示的TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)的阵列基板4上层叠有发光元件层6的各层的结构。另外，在本说明书中，将在后面详细说明的、发光元件层6的从发光层14向阳极8的方向记载为“下方向”，将从发光层14向阴极18的方向记载为“上方向”。
<发光元件的概要>
发光元件层6在作为第一电极的阳极8上，从下层起依次层叠并具备空穴注入层10、空穴输送层12、发光层14、电子输送层16、作为第二电极的阴极18。换言之，发光元件层6具有在阳极8与阴极18的两电极间具备功能层的结构，所述功能层包含空穴注入层10、空穴输送层12、发光层14以及电子输送层16。形成在阵列基板4的上层的发光元件层6的阳极8与阵列基板4的TFT电连接。另外，在显示装置2中，设置有密封发光元件层6的未图示的密封层。
在本实施方式中，发光元件层6具备多个发光元件，尤其是每个子像素分别具备一个发光元件。在本实施方式中，例如，发光元件层6作为发光元件，在第一子像素SP1具备发光元件6R，在第二子像素SP2具备发光元件6G，在第三子像素SP3具备发光元件6B。发光元件6R、发光元件6G、发光元件6B也可以是在发光层14具备有机荧光材料或有机磷光材料的有机EL元件，即OLED元件。此外，除此之外，发光元件6R、发光元件6G、发光元件6B也可以是在发光层14中具备半导体纳米粒子材料、即量子点材料的QLED元件。但是，在本实施方式中，发光元件6R、发光元件6G、发光元件6B并不限定于OLED元件或QLED元件，能够采用各种发光元件。
以下，在本说明书中，只要没有特别的说明，所谓“发光元件”是指发光元件层6所包含的发光元件6R、发光元件6G以及发光元件6B中的任一个。
在此，阳极8、空穴注入层10、空穴输送层12、发光层14以及电子输送层16分别通过后面详细说明的堤岸20分离。特别是，在本实施方式中，阳极8通过堤岸20被分离为发光元件6R用的阳极8R、发光元件6G用的阳极8G以及发光元件6B用的阳极8B。空穴注入层10通过堤岸20被分离为发光元件6R用的空穴注入层10R、发光元件6G用的空穴注入层10G和发光元件6B用的空穴注入层10B。空穴输送层12通过堤岸20被分离为发光元件6R用的空穴输送层12R、发光元件6G用的空穴输送层12G以及发光元件6B用的空穴输送层12B。发光层14通过堤岸20被分离成发光层14R、发光层14G及发光层14B。电子输送层16通过堤岸20被分离为发光元件6R用的电子输送层16R、发光元件6G用的电子输送层16G以及发光元件6B用的电子输送层16B。
另外，阴极18不被堤岸20分离，而由包含第一子像素SPl、第二子像素SP2以及第三子像素SP3的多个子像素共用地形成。
因此，在本实施方式中，发光元件6R由阳极8R、空穴注入层10R、空穴输送层12R、发光层14R、电子输送层16R和阴极18构成。此外，发光元件6G由阳极8G、空穴注入层10G、空穴输送层12G、发光层14G、电子输送层16G和阴极18构成。进而，发光元件6B由阳极8B、空穴注入层10B、空穴输送层12B、发光层14B、电子输送层16B和阴极18构成。
在本实施方式中，发光层14R、发光层14G和发光层14B，分别发出红色光、绿色光和蓝色光。换言之，发光元件6R、发光元件6G、发光元件6B分别是发出红色光、绿色光和蓝色光的发光元件。进一步换言之，第一子像素SP1的显色为红色，第二子像素SP2的显色为绿色，第三子像素SP3的显色为蓝色。
在此，蓝色光例如是在400nm以上且500nm以下的波长范围具有发光中心波长的光。此外，绿色光例如是在超过500nm且600nm以下的波长范围具有发光中心波长的光。此外，红色光例如是在超过600nm且780nm以下的波长范围具有发光中心波长的光。
另外，本实施方式的发光元件层6不限于上述构成，也可以在阳极8和阴极18之间的功能层中还具备追加的层。例如，发光元件层6也可以在电子输送层16与阴极18之间还具备电子注入层。
阳极8和阴极18含有导电性材料，分别与空穴注入层10和电子输送层16电连接。在阳极8和阴极18中，靠近显示装置2的显示面的电极为半透明电极。
阳极8例如具有在Ag-Pd-Cu合金上层叠ITO(Indium Tin Oxide，铟锡氧化物)的构成。具有上述构成的阳极8例如是反射从发光层14发出的光的反射性电极。因此，从发光层14发出的光中的朝向下方向的光被阳极8反射。
与此相对，阴极18例如由半透明的Mg-Ag合金构成。即，阴极18是使从发光层14发出的光透射的透射性电极。因此，从发光层14发出的光中的朝向上方向的光透射阴极18。这样，显示装置2能够将从发光层14发出的光向上方向射出。
如上所述，在显示装置2中，能够使从发光层14向上方向发出的光和向下方向发出的光双方朝向阴极18(上方向)。即，显示装置2构成为顶部发光型的显示装置。
此外，在本实施方式中，作为半透明电极的阴极18反射从发光层14发出的光的一部分。在该情况下，在反射电极即阳极8与半透明电极即阴极18之间，也可以形成从发光层14发出的光的型腔。通过在阳极8和阴极18之间形成型腔，可以改善从发光层14发出的光的色度。
另外，上述的阳极8和阴极18的构成是一个例子，也可以具有其它构成。例如，靠近显示装置2的显示面的电极可以是阳极8。这种情况下，该阳极8可以是半透明电极，阴极18可以是反射电极。由此，显示装置2能够使从发光层14向上方向发出的光和向下方向发出的光这两者朝向阳极8(下方向)。即，显示装置2也可以构成为底部发光型的显示装置。
发光层14是通过发生从阳极8输送的空穴与从阴极18输送的电子的再次结合而发出光的层。空穴注入层10和空穴输送层12是将来自阳极8的空穴向发光层14输送的层。此外，空穴输送层12也可以进一步具有阻碍来自阴极18的电子的输送的功能。电子输送层16是将来自阴极18的电子向发光层14输送的层。此外，电子输送层16也可以进一步具有阻碍从阳极8输送空穴的功能。
另外，本实施方式的显示装置2具备在阵列基板4侧具备阳极8的发光元件，但不限于此。例如，本实施方式的显示装置2所具备的发光元件层6也可以从阵列基板4侧起依次层叠地具备阴极18、电子输送层16、发光层14、空穴输送层12、空穴注入层10和阳极8。在该情况下，阴极18是按每个子像素形成为岛状的像素电极，阳极8是对多个子像素共同形成的共用电极。
<堤岸、第三电极以及第四电极>
显示装置2所具备的各发光元件还具备堤岸20。如上所述，堤岸20是将从阳极8到阴极18的功能层按每个子像素分离的隔壁。换言之，堤岸20是形成于显示装置2所具备的各发光元件之间且将各发光元件分离的隔壁。特别地，发光元件6R、发光元件6G及发光元件6B分别具备堤岸20作为位于发光层14的第一侧面14SA侧的第一绝缘体。进而，发光元件6R、发光元件6G及发光元件6B分别具备其他堤岸20作为位于与发光层14的第一侧面14SA相反的侧面即第二侧面14SB侧的第二绝缘体。
如图1所示，各堤岸20包括第一部分22、第二部分24和小型堤岸26。第一部分22和第二部分24形成在小型堤岸26上，所述小型堤岸26形成在覆盖各阳极8的侧面和上表面的周围端部附近的位置上。另外，第二部分24和小型堤岸26可以是一体的。在此，第二绝缘体包括上述第一部分22作为第三部分，包括上述第二部分24作为第四部分。
第一部分22例如只由具有绝缘性的第一材料构成。第一材料可以含有无机材料。作为第一材料所含有的无机材料，例如可列举SiO2、金刚石、绝缘性DLC、陶瓷材料或A12O3等。此外，第一材料也可以包含有机材料。作为第一材料所含有的有机材料，例如可列举聚酰亚胺、聚乙烯、聚丙烯、氯乙烯树脂、环氧树脂、聚酯、三聚氰胺树脂、尿素树脂、有机硅或聚碳酸酯等。第一材料可以从具有上述绝缘性的材料中选择至少一种。包含上述第一材料的第一部分22的电阻率可以为107Ω/cm以上。第二部分24可以由上述第一材料构成，或者也可以包括第一材料和与该第一材料不同的第二材料。
另外，本说明书中的“绝缘体”具体是指包含电阻率为107Ω/cm以上的材料的部件。此外，“绝缘体”具体地说也可以是包含电阻率为1010Ω/cm以上的材料的部件。特别是，在本说明书中，作为第一绝缘体或第二绝缘体的堤岸20，至少第一部分22由电阻率为107Ω/cm以上的材料构成。此外，在本说明书中，作为第一绝缘体或第二绝缘体的堤岸20，至少第一部分22也可以由电阻率为1010Ω/cm以上的材料构成。
另外，在第二绝缘体中，第三部分例如也可以仅由具有绝缘性的第三材料构成。此外，第四部分可以由上述第三材料构成，或者也可以包括第三材料和与该第三材料不同的第四材料。第三材料可以与上述第一材料相同，第四材料可以与上述第二材料相同。
第一部分22形成在覆盖第二部分24的上表面及侧面的周围。这里，堤岸20在第一部分22和第二部分24之间包括第三电极28和第四电极30。换言之，堤岸20在内部具备第三电极28和第四电极30。
此外，阵列基板4还具有电源32，经由第一配线34与第三电极28电连接，经由第二配线36与第四电极30电连接。因此，显示装置2能够从电源32分别经由第一配线34及第二配线36对第三电极28及第四电极30施加电压。
特别是，电源32经由第一配线34对第三电极28施加第一电压，经由第二配线36对第四电极30施加第二电压。另外，电源32可以是交流电源，在该情况下，第一电压及第二电压也可以是交流电压。
如图1所示，各第三电极28位于与各发光层14的第一侧面14SA之间夹着第一部分的位置。换言之，各第三电极28与各发光层14的第一侧面14SA隔着第一部分22相互相对。此外，各第四电极30位于与各发光层14的第二侧面14SB之间夹着第一部分22的位置。换言之，各第四电极30与各发光层14的第二侧面14SB隔着第一部分22相互相对。
此外，在本实施方式中，各发光元件的功能层的侧面经由第一部分22与第三电极28以及第四电极30相对。换言之，在各发光元件中，空穴注入层10、空穴输送层12、发光层14以及电子输送层16位于第三电极28与第四电极30之间。此外，第一部分22具有绝缘性的第一材料，因此，各发光元件的功能层与第三电极28及第四电极30通过第一部分22而电绝缘。
因此，通过对第三电极28和第四电极30进行电压施加，能够使与其它电极之间产生电位差。例如，在不对阳极8、阴极18及第四电极30施加电压的状态下，通过对第三电极28施加电压，在第三电极28与阳极8、阴极18及第四电极30中的至少一个之间产生电位差。
在第三电极28与另一电极之间以及第四电极30与另一电极之间的至少一方产生电位差，由此在两电极间产生电场。因此，各发光元件能够在与各层的层叠方向不同的方向上生成电场。
<第三电极及第四电极所带来的效果>
通常，在包括发光元件层6所具备的各发光元件的层叠型的发光元件中，形成于阳极8及阴极18之间的功能层是包含半导体的层。因此，功能层彼此的接触成为半导体彼此的接触，因此，在层叠型的发光元件的各功能层之间，有时形成界面态。在该界面态有时捕获从各电极注入的载流子。由此，向发光层注入的载流子的密度降低，有时会导致发光效率的降低。
本实施方式的各发光元件在施加有助于载流子的输送的、沿着该发光元件的层叠方向的电场的基础上，还能够向与该发光元件的层叠方向不同的方向施加电场。
在此，当对各发光元件的功能层施加电场时，该功能层的费米能级会发生变动。在此，当功能层内的某两层的费米能级低于形成于该两层之间的界面态时，界面态中的载流子的存在概率降低到0附近。在这种情况下，从界面态脱离的载流子的时间常数高于在界面态中被捕获的载流子的时间常数。由此，在界面态中被捕获的载流子能够从界面态释放。
通过将从界面态释放的载流子再次向发光层14输送，能够使该载流子作为有助于发光的载流子发挥作用。因此，本实施方式的各发光元件通过对第三电极28以及第四电极30进行电压施加，能够释放被捕获在各发光元件的功能层间的载流子，提高有助于发光的载流子的浓度。
在施加有电场的层为n型半导体层的情况下，若对于作为基准的其它电极，向第三电极28或第四电极30施加负电压，则该n型半导体层的费米能级降低。因此，在发光层14包含n型杂质的情况下，通过对阳极8或阴极18，向第三电极28或第四电极30施加负电压，使发光层14的费米能级降低，能够有效地释放界面态的载流子。
另一方面，在施加有电场的层为p型半导体层的情况下，若对于作为基准的其它电极，向第三电极28或第四电极30施加正电压，则该p型半导体层的费米能级降低。因此，在发光层14包含p型杂质的情况下，对于阳极8或阴极18，通过向第三电极28或第四电极30施加正电压，使发光层14的费米能级降低，能够有效地释放界面态的载流子。
此外，在电子在界面态被捕获的情况下，如果对各发光元件的功能层施加强的电场，则该功能层中的自由电子被电场加速，成为具有高能量的状态。该自由电子有时引起与在界面态被捕获的电子之间的相互作用。在此，在由于自由电子的加速，该自由电子所具有的能量上升足够大时，与自由电子之间发生相互作用的界面态中的电子可能会脱离界面态。
进而，对功能层施加交流电场，使自由电子所具有的能量以比电子-晶格碰撞时间短的时间反复上升至从界面态使电子脱离的程度。在这种情况下，功能层中的自由电子或从界面态脱离的电子有时还引起与功能层中的其它自由电子或在界面态被捕获的其它电子之间的相互作用。通过产生这样的所谓电子雪崩的现象，存在能够使在界面态被捕获的其它电子更高效地从界面态脱离的情况。在这种情况下，各发光元件能够更有效地使电子从界面态脱离。
另外，通过将施加于功能层的电场设为交流电场，与将直流电场施加于功能层的情况相比，功能层中的自由电子被加速的频率变得非常高，该自由电子引起与在界面态被捕获的电子之间的相互作用的频率也变得非常高。因此，通过对功能层施加交流电场，能够更有效地使电子从界面态脱离。
进而，通过将施加于功能层的电场设为交流电场，也能够高频率地产生功能层中的自由电子间的相互作用以及功能层中的自由电子与在界面态被捕获的电子之间的相互作用。因此，通过对功能层施加交流电场，与对功能层施加直流电场的情况相比，能够更高频率地发生上述的电子雪崩的现象，能够更高效地使在界面态被捕获的电子脱离。
为了使费米能级充分降低、使载流子高效地从界面态脱离，只要使各发光元件的功能层中的、施加电场的层的费米能级变动为带隙能量以上即可。为此，对该层施加具有相当于带隙的能量的电场即可。因此，在对第三电极28或者第四电极30施加交流电压的情况下，该交流电压也可以具有产生具有与施加电场的层的带隙相当的能量的电场的电压的大小的2倍以上的振幅。
各发光元件的功能层位于作为第一绝缘体的、第一侧面14SA侧的堤岸20中包括的第三电极28和作为第二绝缘体的、第二侧面14SB侧的堤岸20中包括的第四电极30之间。因此，通过向第三电极28和第四电极30两者施加电压，从而各发光元件能够更有效地使载流子从界面态脱离。
通过对各发光元件的功能层施加更均匀的电场，各发光元件能够更高效地使载流子从界面态脱离。因此，在对第三电极28施加第一电压且对第四电极30施加第二电压的情况下，优选第一电压的绝对值和第二电压的绝对值相同。而且，从对各发光元件的功能层施加更均匀的电场的观点出发，在第一电压与第二电压为交流电压的情况下，第一电压与第二电压也可以是相互相反相位的交流电压。
另外，第三电极28和第四电极30也可以包含不同的像素且显色相同，针对多个子像素共用地形成。例如，如图3所示，第三电极28和第四电极30对于第一像素P1和第二像素P2的显色相同的子像素共用地形成。换言之，第三电极28和第四电极30也可以不针对每个子像素单独形成。在该情况下，关于电源32、第一配线34以及第二配线36，显示装置2只要针对一组第三电极28以及第四电极30具备一组即可，也可以不在各子像素单独地具备。
<第三电极和第四电极的构成的详述>
关于第三电极28和第四电极30的周围的结构，参照图4和图5更详细地进行说明。图4及图5是本实施方式的显示装置2的截面的放大图。图4是图1所示的区域C的放大图，图5是图1所示的区域D的放大图。
如图4所示，堤岸20具有覆盖发光层14的第一侧面14SA的第一倾斜面20RA。第一倾斜面20RA形成第一部分22以及小型堤岸26的、第一侧面14SA侧的外表面，进而形成堤岸20的、第一侧面14SA侧的外表面。
第一倾斜面20RA在阳极8侧具有边缘20EA，在阴极18侧具有边缘20EB。边缘20EA形成于第一倾斜面20RA与小型堤岸26的下表面的边界，边缘20EB形成于第一倾斜面20RA与第一部分22的上表面的边界。在此，如图4所示，边缘20EA不是与阳极8相接的位置处的第一倾斜面20RA的边缘，而是与阵列基板4接触的位置处的第一倾斜面20RA的边缘。
此外，第三电极28在阳极8侧具有边缘28EA，在阴极18侧具有边缘28EB。在此，如图4所示，边缘28EA形成于第三电极28的、发光层14侧的侧面与小型堤岸26的上表面的边界，边缘28EB形成于第三电极28的、发光层14侧的侧面与第三电极28的上表面的边界。
进而，如图5所示，堤岸20具有覆盖发光层14的第二侧面14SB的第二倾斜面20RB。第二倾斜面20RB形成第一部分22及小型堤岸26的、第二侧面14SB侧的外表面，进而形成堤岸20的、第二侧面14SB侧的外表面。
第二倾斜面20RB在阳极8侧具有边缘20EC，在阴极18侧具有边缘20ED。边缘20EC形成于第二倾斜面20RB与小型堤岸26的下表面的边界，边缘20ED形成于第二倾斜面20RB与第一部分22的上表面的边界。在此，如图5所示，边缘20EC不是与阳极8相接的位置处的第二倾斜面20RB的边缘，而是与阵列基板4接触的位置处的第二倾斜面20RB的边缘。
此外，第四电极30在阳极8侧具有边缘30EA，在阴极18侧具有边缘30EB。在此，如图4所示，边缘30EA形成于第四电极30的、发光层14侧的侧面与小型堤岸26的上表面的边界，边缘30EB形成于第四电极30的、发光层14侧的侧面与第四电极30的上表面的边界。
另外，图4所示的第一倾斜面20RA以及图5所示的第二倾斜面20RB均表示为曲面，但并不限于此。例如，第一倾斜面20RA以及第二倾斜面20RB可以均为平面。此外，图4所示的第三电极28和第四电极30均作为具有弯曲的侧面的电极而示出。如后所述，第三电极28和第四电极30沿着堤岸20的第二部分24的侧面形成，图4和图5所示的第二部分24的侧面弯曲。但是，不限于此，第二部分24的侧面可以是平面，进而，第三电极28和第四电极30也可以是侧面是平面的电极。
如图4所示，将第一平面L1设为通过上述边缘20EA和边缘20EB的平面。此外，将第二平面L2设为与阳极8的上表面平行的平面，将第一平面L1和第二平面L2所成的角度设为第一角度R1。此外，将第三平面L3设为通过上述边缘20EC和边缘20ED的平面，将第三平面L3和第二平面L2所成的角度设为第二角度R2。进而，将第四平面L4设为通过上述边缘28EA和边缘28EB的平面，将第四平面L4和第二平面L2所成的角度设为第三角度R3。进而，将第五平面L5设为通过上述边缘30EA和边缘30EB的平面，将第五平面L5和第二平面L2所成的角度设为第四角度R4。
在本实施方式中，第三角度R3为90度以上且第一角度以下，第四角度R4为90度以上且第二角度以下。或者，第三角度R3以及第四角度R4是90度。根据上述构成，第三电极28以及第四电极30分别与各发光元件的功能层的距离在发光元件层6的各层的层叠方向上更均匀。因此，施加于各发光元件的功能层的电场的大小在发光元件层6的各层的层叠方向上变得更均匀，进而能够更高效地使载流子从界面态脱离。
此外，如图4所示，从第三电极28的发光层14侧的侧面到第一倾斜面20RA的距离为d1，如图5所示，从第四电极30的发光层14侧的侧面到第二倾斜面20RB的距离为d2。在此，距离d1以及距离d2为与阳极8的上表面平行的平面上的、两者的最短距离。换言之，距离d1以及距离d2分别相当于各发光元件的功能层的侧面与第三电极28以及第四电极30各自的距离。
在本实施方式中，如图4及图5所示，距离d1及距离d2各自根据发光元件层6的各层的层叠方向的位置，长度也可以不同。与此相对，距离d1以及距离d2分别也可以根据发光元件层6的各层的层叠方向的位置而长度一定。在该情况下，施加于各发光元件的功能层的电场的大小在发光元件层6的各层的层叠方向上变得更均匀，进而能够更高效地使载流子从界面态脱离。
此外，第一部分22的厚度优选为10nm以上且50nm以下。这里，第一部分22的厚度是指与各发光元件的层叠方向正交的方向上的从第二部分24、第三电极28或者第四电极30的外表面到第一部分22的外表面的距离中的、最长距离与最短距离的平均值。换言之，第一部分22的厚度是指与该第一部分22相邻的发光元件的层叠方向正交的方向上的第二部分24、第三电极28或第四电极30与该发光元件的功能层之间的距离中的、最长距离与最短距离的平均值。
通过使第一部分22的厚度为10nm以上，能够更可靠地确保各发光元件的功能层与第三电极28及第四电极30之间的电绝缘。通过使第一部分22的厚度为50nm以上，能够更有效地对各发光元件的功能层施加足以使载流子从界面态脱离的电场。
<电压施加的时机>
参照图6来说明本实施方式的显示装置2中的各发光元件的驱动方法以及向各发光元件的第三电极28和第四电极30施加电压的方法。图6是向本实施方式的显示装置2的各发光元件施加驱动信号和向该发光元件的第三电极28和第四电极30间施加电压的时序图。
图6所示的时序图601是用于驱动显示装置2所具备的某像素的各发光元件的驱动信号的时序图。在时序图601中，横轴为时间，纵轴为驱动信号的强度。图6所示的时序图602是施加于该发光元件所包含的第三电极28与第四电极30之间的电压V的时序图。在此，若将第三电极28的电位设为E3，将第四电极30的电位设为E4，则电压V为E3-E4。在时序图602中，横轴为时间，纵轴为电压V的强度。在时序图601中，驱动某像素中包含的至少一个发光元件，将取出发光的期间设为ON期间，将某像素中包含的所有发光元件的不实施驱动的期间设为OFF期间。
如时序图601所示，在从发光元件取出发光的ON期间，对发光元件施加驱动信号。例如，发光元件的驱动通过一边对阴极18施加一定电压一边对各阳极8施加驱动信号来执行。另一方面，在不从发光元件取出发光的OFF期间，不执行对发光元件的驱动信号的施加。
在此，在时序图601所示的发光元件的ON期间，如时序图602所示，未执行对第三电极28以及第四电极30的电压施加，换言之，电压V为0。因此，发光元件能够仅产生有助于向发光层14的载流子输送的电场。因此，发光元件由于向第三电极28和第四电极30施加电压而产生的电场，能够降低对发光层14的载流子输送的影响。
此外，在时序图601所示的发光元件的OFF期间，如时序图602所示，执行对第三电极28以及第四电极30的电压施加。特别是，在本实施方式中，例如，电压V是振幅为V1的交流电压。例如，V1是相当于发光元件的发光层14的带隙能量的电场以上的电场在第三电极28与第四电极30之间产生的电压。在电压V是交流电压的情况下，例如，该交流电压的频率也可以是与显示装置2的刷新率相比大一个数量级以上的频率。
在本实施方式中，对第三电极28和第四电极30的电压施加在不执行某像素所包含的全部子像素的发光元件的驱动的定时执行。由此，能够降低对与驱动的发光元件相邻且同一像素中包含的发光元件所具备的第三电极28或第四电极30的电压施加给所驱动的发光元件的载流子输送带来的影响。
此外，在长时间执行某像素所包含的发光元件的驱动的情况下，也可以适当设置停止对该发光元件的驱动的OFF期间，在该OFF期间中执行向第三电极28和第四电极30的电压施加。该OFF期间例如可以设置为人难以识别闪烁的40Hz以上的频率。
<不存在第三电极及第四电极的发光元件的截面>
图7是本实施方式的显示装置2的其它概略截面图，是图3中的按A’-B’线向视截面图。在本实施方式中，在显色相同的相互相邻的子像素间，取代堤岸20而形成有堤岸PB。例如，如图7所示，均具备发光元件6R的第一子像素SP1与第一子像素SP1’在阳极8和阴极18之间具备的功能层被堤岸PB分离。
堤岸PB与堤岸20相比，在小型堤岸26上仅具备第二部分24。进而，堤岸PB与堤岸20相比，不具备第三电极28及第四电极30。
即使在一部分的发光元件具备堤岸PB的情况下，只要各发光元件具有具备第三电极28或第四电极30的堤岸20，能够通过向第三电极28或第四电极30施加电压来执行载流子从各发光元件的界面态的脱离。由于各发光元件具备堤岸PB，因此，无需在各发光元件所具备的所有堤岸内部形成第三电极28及第四电极30。因此，通过上述构成，发光元件的结构简单化，而且发光元件的形成工序简单化。
<显示装置的制造方法的概要>
参照图8对本实施方式的显示装置2的制造方法进行说明。图8是用于说明本实施方式的显示装置2的制造方法的流程图。
在本实施方式的显示装置2的制造方法中，首先，形成阵列基板4(步骤S2)。阵列基板4的形成也可以通过根据各发光元件的形成阳极8的位置，在玻璃基板上形成TFT来执行。此外，在步骤S2中，也可以在阵列基板4内部形成电源32、第一配线34以及第二配线36。
接着，形成阳极8(步骤S4)。阳极8例如可以通过溅射法等使导电性材料成膜，对该导电性材料的薄膜进行蚀刻，对每个子像素进行图案化而形成。
<堤岸形成方法>
接着，形成堤岸20及堤岸PB(步骤S6)。在此，参照图9至图11，对堤岸20的形成方法更详细地进行说明。图9是用于说明本实施方式的堤岸20的形成方法的流程图。图10和图11是用于说明本实施方式的堤岸20的形成方法的工序截面图。另外，图10和图11是对显示装置2所具备的某个子像素进行放大后的截面图，表示形成有堤岸20的位置处的子像素的截面。
在堤岸20的形成工序中，首先，执行形成小型堤岸26作为第一突起的第一突起形成工序(步骤S6-2)。小型堤岸26可以通过涂布聚酰亚胺树脂等树脂材料与感光性材料混合而成的材料，利用光刻执行图案化，并在俯视时与各阳极8重叠的位置设置开口而形成。在小型堤岸26形成工序中，也可以在小型堤岸26形成用于形成第一配线34及第二配线36的接触孔。
接着，执行形成第二部分24作为第二突起的第二突起形成工序(S6-4)。第二部分24的形成除了形成位置以及形状之外，也可以通过与小型堤岸26相同的方法来执行。此外，也可以通过第二部分24的形成来完成堤岸PB的形成工序。
特别是，第二部分24形成在小型堤岸26的上面上。此外，堤岸20所包含的第二部分24在阵列基板4的平面图中，第二部分24以比小型堤岸26小的方式形成。另外，小型堤岸26和第二部分24可以通过使用了半色调掩模的光刻等，在同一工序中一次性形成。
接着，执行第三电极28的形成工序。在第三电极28的形成工序中，首先形成第一抗蚀剂38(步骤S6-6)。第一抗蚀剂38例如通过在涂布形成包含感光性树脂的材料的层后，通过光刻对该层进行图案化而得到。第一抗蚀剂38形成在除了形成第三电极28的第二部分24的一个侧面之外的位置处。特别地，第一抗蚀剂38形成在覆盖小型堤岸26的所有侧面的位置。
接着，将包含第三电极28的材料的导电层40成膜为第二部分24的侧面和第一抗蚀剂38的上表面和侧面(步骤S6-8)。导电层40的成膜例如可以通过导电层40的材料的蒸镀、溅射或CVD法等实施。
第一抗蚀剂38形成在除第二部分24的一个侧面以外的位置，因此导电层40形成在覆盖第二部分24的一个侧面的位置。此外，由于第一抗蚀剂38形成在覆盖小型堤岸26的所有侧面的位置，因此不存在被导电层40直接覆盖的小型堤岸26的侧面。另外，导电层40也可以形成在形成于小型堤岸26上的接触孔的内部。由此，也可以建立第一配线34与导电层40的电连接。
接着，例如通过包含丙酮等的适当的溶剂除去第一抗蚀剂38(步骤S6-10)。随着第一抗蚀剂38的除去，在第一抗蚀剂38的上面和侧面形成的导电层40被除去。由此，仅残存在第二部分24的侧面形成的导电层40，形成第三电极28。由此，第三电极28的形成工序完成。
接着，执行第四电极30的形成工序。在第四电极30的形成工序中，首先形成第二抗蚀剂42(步骤S6-12)。第二抗蚀剂42例如可通过在涂布形成与第一抗蚀剂38相同材料的层后，利用光刻对该层进行图案化而得到。第二抗蚀剂42形成于除了形成有第三电极28的、与第二部分24的一个侧面不同的侧面以外的位置。特别是，第二抗蚀剂42形成在覆盖小型堤岸26的所有侧面的位置。
接着，包含第四电极30的材料的导电层44成膜在第二部分24的侧面和第二抗蚀剂42的上表面和侧面(步骤S6-14)。导电层44的成膜也可以通过与导电层40的成膜方法相同的方法执行。
第二抗蚀剂42形成在除了形成有第三电极28的、与第二部分24的一个侧面不同的侧面以外的位置，因此导电层44形成在覆盖该侧面的位置。此外，由于第二抗蚀剂42形成在覆盖小型堤岸26的所有侧面的位置，所以不存在被导电层44直接覆盖的小型堤岸26的侧面。另外，导电层44也可以形成在形成于小型堤岸26上的接触孔的内部。由此，也可以建立第二配线36与导电层44的电连接。
接着，例如通过包含丙酮等的适当的溶剂除去第二抗蚀剂42(步骤S6-16)。随着第二抗蚀剂42的除去，在第二抗蚀剂42的上面和侧面形成的导电层44被除去。由此，仅残存形成有第三电极28的、形成在与第二部分24的一个侧面不同的侧面上的导电层44，形成第四电极30。由此，第四电极30的形成工序完成。
最后，执行形成作为覆盖层的第一部分22的覆盖层形成工序(步骤S6-18)。第一部分22的形成除了形成位置以及形状之外，也可以通过与第二部分24以及小型堤岸26相同的方法来执行。特别是，第一部分22形成在覆盖第二部分24、第三电极28以及第四电极30的位置。通过以上，堤岸20的形成完成。
另外，在第三电极28与第四电极30的材料相同的情况下，第三电极28与第四电极30可以通过相同的工序一次性形成。例如，在步骤S6-6中，将第一抗蚀剂38形成在除第二部分24的两侧面以外的位置，接着，通过依次执行步骤S6-8和步骤S6-10，能够一次性形成第三电极28和第四电极30。在该情况下，也可以省略从步骤S6-12到步骤S6-16。
<堤岸形成工序以后的发光元件形成方法>
堤岸20的形成工序接着，依次形成空穴注入层10和空穴输送层12(步骤S8、步骤S10)。空穴注入层10和空穴输送层12例如可以通过空穴注入材料和空穴输送材料的真空蒸镀法、溅射法或者使用了胶体溶液的涂布形成法等形成。
接着，形成发光层14(步骤S12)。在发光层14具备有机发光材料的情况下，例如也可以使用真空蒸镀法等形成发光层14。在显示装置2所具备的子像素的一部分具有相互不同的显色的情况下，发光层14也可以通过按每个子像素的显色反复执行使用了在与一部分的子像素对应的位置具有开口的金属掩模的真空蒸镀而来成。
另外，例如，在发光层14具备量子点发光材料的情况下，可以使用包含该量子点发光材料的胶体溶液的涂布、或者量子点材料的电沉积等来形成。在显示装置2所具备的子像素的一部分具有相互不同的显色的情况下，发光层14也可以通过按每个子像素的显色反复执行发光材料的涂布和利用光致抗蚀剂的该发光材料的提离来形成。
接着，形成电子输送层16(步骤S14)。电子输送层16例如可以通过电子输送材料的真空蒸镀法、溅射法或者使用了胶体溶液的涂布形成法等形成。接着，形成阴极18(步骤S16)。例如，通过溅射法等，遍及多个像素执行导电性材料的成膜，从而形成阴极18。通过以上，制造本实施方式的显示装置2。
<第一实施方式的总结>
本实施方式的显示装置2在各子像素中具备发光元件，通过向第三电极28或第四电极30施加电压，能够使载流子从形成于阳极8和阴极18间的各功能层间的界面态脱离。因此，显示装置2具备多个发光效率得到改善的发光元件，因此进一步改善了省电性或寿命。
本实施方式的显示装置2在第一子像素SP1具备发出红色光的发光元件6R，在第二子像素SP2具备发出绿色光的发光元件6G，在第三子像素SP3具备发出蓝色光的发光元件6B。因此，第一子像素SP1、第二子像素SP2、第三子像素SP3的显色相互不同。因此，本实施方式的显示装置2能够进行三原色显示，特别是能够进行全彩色显示。
此外，在本实施方式中，第一子像素SP1的第三电极28和第二子像素SP2的第四电极30位于第一子像素SP1和第二子像素SP2之间。而且，在本实施方式中，第二子像素SP2的第三电极28和第三子像素SP3的第四电极30位于第二子像素SP2与第三子像素SP3之间。换言之，本实施方式的显示装置2的显色相互不同，并且在相邻的子像素之间具备第三电极28和第四电极30。
在本实施方式中，如图3所示，显示装置2的各子像素的形状也可以在显色相互不同的子像素相邻的方向上的大小小于显色相同的子像素相邻的方向上的大小。在该情况下，同一发光元件所包含的第三电极28与第四电极30之间的距离变得更短，能够对发光元件的功能层施加更高的电场。
[变形例]
<堤岸的变形例>
图12是本实施方式的变形例的显示装置2的显示区域中的平面的放大图。图13是本实施方式的变形例的显示装置2的概略截面图，是图12中的按A”-B”线向视截面图。
本实施方式的变形例的显示装置2与本实施方式的显示装置2相比，显色相同，且在相互相邻的子像素之间，除了仅形成有小型堤岸26来代替堤岸PB这一点以外，具有相同的构成。
因此，本实施方式的变形例的显示装置2，如图13所示，在相互显色相同的子像素之间，共用形成有各发光元件的功能层而成。但是，阳极8在各子像素中形成为岛状，因此通过单独驱动阳极8，能够分别控制各子像素所具备的发光元件。
在本实施方式的变形例中，显色相互不同，并且在相互相邻的子像素之间形成有堤岸20。因此，本实施方式的变形例的各发光元件能够使在功能层间的界面态被捕获的载流子脱离，提高发光效率。此外，在本实施方式的变形例中，在显色相互相同的子像素之间，共通地形成各发光元件的功能层且减少了需要形成第二部分的位置。因此，在本实施方式的变形例中，不仅简化各发光元件的结构，而且简化形成工序。
[第二实施方式]
<电极的共用化>
图14是本实施方式的显示装置2的显示区域中的平面的放大图。图15是本实施方式的显示装置2的概略截面图是，图14中的按E-F线向视截面图。
本实施方式的显示装置2与前实施方式的显示装置2相比，显色相互不同，并且，在相互相邻的子像素之间，形成有堤岸46或堤岸48取代堤岸20。换言之，本实施方式的各发光元件与前实施方式的各发光元件相比，作为第一绝缘体及第二绝缘体，分别具备堤岸46及堤岸48来代替堤岸20。
在此，例如形成于第二子像素SP2的发光元件6G在发光层14G的第一侧面14SA侧具备堤岸46。此外，发光元件6G在发光层14G的第二侧面14SB的一侧具备堤岸48。另一方面，形成于第一子像素SP1的发光元件6R以及形成于第三子像素SP3的发光元件6B分别在发光层14R以及发光层14B的靠第一侧面14SA的一侧具备堤岸48。此外，发光元件6R及发光元件6B分别在发光层14R及发光层14B的靠第二侧面14SB的一侧具备堤岸46。
堤岸46在小型堤岸26之上具备第三电极50和覆盖该第三电极50的侧面和周围的第一部分22。另一方面，堤岸48在小型堤岸26之上具备第四电极52和覆盖该第四电极52的侧面及周围的第一部分22。第三电极50和第四电极52分别经由第一配线34和第二配线36与电源32电连接。
除了上述构成以外，本实施方式的显示装置2也可以具备与前实施方式的显示装置2相同的构成。
本实施方式的显示装置2除了步骤S6之外，能够通过与前实施方式的显示装置2的制造方法相同的制造方法来制造。在本实施方式的步骤S6中，例如省略上述的步骤S6-4，在步骤S6-6中，在仅除去小型堤岸26的上表面的一部分的位置形成第一抗蚀剂38。接着，通过依次执行步骤S6-8和步骤S6-10，在小型堤岸26之上形成第三电极50。第四电极52除形成位置以外，能够通过与第三电极50相同的方法形成。除了以上，本实施方式的步骤S6能够通过与前实施方式的步骤S6相同的方法来执行。
发光元件6G在第一侧面14SA侧隔着堤岸46的第一部分22包括第三电极50，在第二侧面14SB侧隔着堤岸48的第一部分22包括第四电极52。此外，发光元件6R和发光元件6B分别在第一侧面14SA侧隔着堤岸48的第一部分22包含第四电极52，在第二侧面14SB侧隔着堤岸46的第一部分22包含第三电极50。此外，电源32能够经由第一配线34和第二配线36分别向第三电极50和第四电极52施加电压。
因此，本实施方式的各发光元件能够通过对第三电极50和第四电极52中的至少一方的电压施加，使得在与其它电极之间产生电场。因此，本实施方式的各发光元件通过第三电极50及第四电极52，能够使在功能层间的界面态被捕获的载流子脱离，能够提高发光效率。
此外，堤岸46仅具备第三电极50作为电极，堤岸48仅具备第四电极52作为电极。而且，在本实施方式的显示装置2中，某发光元件和与该发光元件相邻的发光元件共用第三电极50或第四电极52。
例如，图15所示的堤岸46的第三电极50作为第二子像素SP2的发光元件6G的第三电极发挥功能，且作为第三子像素SP3的发光元件6B的第四电极发挥功能。此外，图15所示的堤岸48的第四电极52作为第一子像素SP1的发光元件6R的第三电极发挥功能，且作为第二子像素SP2的发光元件6G的第四电极发挥功能。
因此，与具备第三电极28和第四电极30双方的堤岸20相比，堤岸46和堤岸48仅具备第三电极50和第四电极52中的一方作为电极，因此在结构简化的基础上，形成工序简化。此外，在相互相邻的发光元件之间，能够将对某发光元件的第三电极的电压施加视为对与该发光元件相邻的发光元件的第四电极的电压施加。因此，本实施方式的显示装置2能够减少用于对第三电极50和第四电极52施加电压的电源32、第一配线34及第二配线36的个数。
[第三实施方式]
<一部分电极的省略>
图16是本实施方式的显示装置2的显示区域中的平面的放大图。
图17是本实施方式的显示装置2的概略截面图，是图16的按G-H线向视截面图。图18是本实施方式的显示装置2的另一概略截面图，是图16的按I一J线向视截面图。
本实施方式的显示装置2与前实施方式的显示装置2相比较，在相互不同的像素中包含的相互相邻且显色相互不同的子像素之间具备堤岸46或堤岸48。此外，本实施方式的显示装置2与前实施方式的显示装置2相比较，在包含于相同的像素且相互相邻的子像素之间具备堤岸54。
例如，如图16及图17所示，显示装置2具备作为与第一像素P1相邻的像素的第四像素P4。第四像素P4具备第四子像素SP4作为与第一像素P1的第一子像素SP1相邻的子像素，该第四子像素SP4具备发光元件6B。在此，在第一子像素SP1与第四子像素SP4之间形成有堤岸46。因此，第一子像素SP1的发光元件6R的第二侧面14SB和第四子像素SP4的发光元件6B的第一侧面14SA隔着第一部分22与第三电极50相对。
此外，如图16及图18所示，显示装置2具备作为与第一像素P1相邻的其它像素的第五像素P5。第五像素P5包括第五子像素SP5作为与第一像素P1的第三子像素SP3相邻的子像素，该第五子像素SP5具备发光元件6R。在此，在第三子像素SP3与第五子像素SP5之间形成有堤岸48。因此，第三子像素SP3的发光元件6B的第一侧面14SA和第五子像素SP5的发光元件6R的第二侧面14SB隔着第一部分22与第四电极52相对。
另外，在本实施方式中，第三电极50也经由第一配线34与第四电极52电连接，经由第二配线36与省略了图示的电源32电连接。因此，在本实施方式中，电源32也能够经由第一配线34向第三电极50施加第一电压，经由第二配线36向第四电极52施加第二电压。
如图16所示，由于在第一像素P1包括的第一子像素SP1和第二子像素SP2之间以及第二子像素SP2和第三子像素SP3之间形成堤岸54，因此未形成第三电极50和第四电极52。但是，第二子像素SP2的发光元件6G和第三子像素SP3的发光元件6B隔着第一子像素SP1的发光元件6R与第三电极50相对。并且，第一子像素SP1的发光元件6R和第二子像素SP2的发光元件6G隔着第三子像素SP3的发光元件6B与第四电极52相对。
换言之，第一子像素SP1的发光元件6R、第二子像素SP2的发光元件6G、第三子像素SP3的发光元件6B作为第三电极而具备第一子像素SP1与第四子像素SP4之间的第三电极50。进而，第一子像素SP1的发光元件6R、第二子像素SP2的发光元件6G、第三子像素SP3的发光元件6B作为第四电极而具备第三子像素SP3与第五子像素SP5之间的第四电极52。
除了上述构成以外，本实施方式的显示装置2也可以具备与本实施方式的显示装置2相同的构成。
本实施方式的显示装置2除了步骤S6之外，能够通过与前实施方式的显示装置2的制造方法相同的制造方法来制造。在本实施方式的步骤S6中，例如，在步骤S6-6中，在包含于相同像素且相互相邻的发光元件间的小型堤岸26的上表面也形成第一抗蚀剂38。接着，通过依次执行步骤S6-8和步骤S6-10，能够仅在包含于相互不同的像素且相互相邻的发光元件之间的一部分的小型堤岸26上形成第三电极50。第四电极52除形成位置以外，能够通过与第三电极50相同的方法形成。除了以上，本实施方式的步骤S6能够通过与前实施方式的步骤S6相同的方法来执行。
本实施方式的第一子像素SP1的发光元件6R、第二子像素SP2的发光元件6G和第三子像素SP3的发光元件6B分别包括相同的第三电极50和第四电极52。因此，在本实施方式中，通过向第三电极50和第四电极52中的至少一方的电压施加，能够使相同的第一像素P1所包含的发光元件6R、发光元件6G以及发光元件6B分别同时产生电场。
因此，关于本实施方式的各发光元件，通过对第三电极50以及第四电极52中的至少一方的电压施加，也能够在与其它电极之间产生电场。因此，本实施方式的各发光元件通过第三电极50及第四电极52，能够使在功能层间的界面态被捕获的载流子脱离，能够提高发光效率。
此外，本实施方式的显示装置2，通过对同一像素中包含的多个发光元件的每一个，对一组第三电极50和第四电极52中的至少一方的电压施加，能够对各发光元件的功能层施加电场。换言之，包含于同一像素且相互相邻的发光元件之间都不形成第三电极50和第四电极52。因此，本实施方式的显示装置2能够减少第三电极50和第四电极52的个数，简化结构，并且能够简化第三电极50和第四电极52的形成工序。
另外，本实施方式的堤岸46和堤岸48可以具备与堤岸20相同的构成，换言之，也可以具有具备第三电极和第四电极这两者的结构。在该情况下，堤岸46也可以具备第四子像素SP4的发光元件6B的第三电极、以及第一子像素SP1的发光元件6R、第二子像素SP2的发光元件6G、第三子像素SP3的发光元件6B的第四电极。此外，堤岸48也可以具有第一子像素SP1的发光元件6R、第二子像素SP2的发光元件6G、第三子像素SP3的发光元件6B的第三电极、以及第五子像素SP5的发光元件6R的第四电极。
[第四实施方式]
<电极的形成方向的变更>
图19是本实施方式的显示装置2的显示区域中的平面的放大图。图20是本实施方式的显示装置2的概略截面图，是图19的按K-L线向视截面图。图21是本实施方式的显示装置2的另一概略截面图，是图19的按K’-L’线向视截面图。
与第一实施方式的显示装置2相比较，本实施方式的显示装置2在包含于相互不同的像素中的相互相邻且显色相同的子像素之间具备堤岸56来代替堤岸PB。此外，与第一实施方式的显示装置2相比较，本实施方式的显示装置2在显色相互不同的子像素之间具备堤岸54。
例如，如图19以及图20所示，显示装置2具备作为与第一像素P1相邻的像素的第六像素P6。第六像素P6具备第六子像素SP6作为与第一像素P1的第一子像素SP1相邻的子像素，该第六子像素SP6具备发光元件6R。进而，显示装置2具备作为与第六像素P6相邻的像素的第七像素P7。第七像素P7包括第七子像素SP7作为与第六像素P6的第六子像素SP6相邻的子像素，该第七子像素SP7具备发光元件6R。
在此，在第一子像素SP1与第六子像素SP6之间和第六子像素SP6与第七子像素SP7之间形成有堤岸56。堤岸56除了代替第三电极28而具备第三电极58、代替第四电极30而具备第四电极60这一点以外，具备与堤岸20相同的构成。
如图19以及图20所示，分别形成于第一子像素SP1、第六子像素SP6以及第七子像素SP7的、各发光元件6R的发光层14R的第一侧面14SC隔着第一部分22与第三电极58相对。此外，分别形成于第一子像素SP1、第六子像素SP6和第七子像素SP7的、各发光元件6R的发光层14R的第二侧面14SD隔着第一部分22与第四电极60相对。第三电极58和第四电极60分别经由第一配线34和第二配线36与电源32电连接。
第三电极58和第四电极60分别在显色相互不同的子像素相邻的方向上相对于多个子像素共用地形成。例如，如图19所示，第三电极58以及第四电极60分别针对第一像素P1的第一子像素SP1、第二子像素SP2以及第三子像素SP3共用地形成。
除了上述点以外，第三电极58和第四电极60分别具备与第三电极28和第四电极30分别相同的构成。
此外，如图19和图21所示，显示装置2在第一子像素SP1与第二子像素SP2之间以及第二子像素SP2与第三子像素SP3之间分别具备堤岸54。本实施方式中的堤岸54除了形成位置以外，具备与上述的堤岸54相同的构成。
除了上述构成以外，本实施方式的显示装置2也可以具有与第一实施方式的显示装置2相同的构成。
本实施方式的显示装置2除了步骤S6之外，能够通过与第一实施方式的显示装置2的制造方法相同的制造方法来制造。此外，堤岸56除了形成位置以外，能够通过与堤岸20相同的方法、换言之与第一实施方式的步骤S6相同的工序形成。
关于本实施方式的各发光元件，通过对第三电极58以及第四电极60中的至少一方施加电压，也能够在与其它电极之间产生电场。因此，本实施方式的各发光元件通过第三电极58以及第四电极60，能够使在功能层间的界面态被捕获的载流子脱离，能够提高发光效率。
此外，在本实施方式中，第一子像素SP1的第三电极58与第六子像素SP6的第四电极60位于第一子像素SP1与第六子像素SP6之间。而且，在本实施方式中，第六子像素SP6的第三电极58和第七子像素SP7的第四电极60位于第六子像素SP6与第七子像素SP7之间。换言之，本实施方式的显示装置2在显色相同且相互相邻的子像素之间具备第三电极58和第四电极60。
在本实施方式中，显示装置2的各子像素的形状也可以在显色相互不同的子像素相邻的方向上的大小大于显色相同的子像素相邻的方向上的大小。在该情况下，同一发光元件所包含的第三电极58与第四电极60的距离变得更短，能够对发光元件的功能层施加更高的电场。
[第五实施方式]
<电极的形成方向的改变和电极共用化>
图22是本实施方式的显示装置2的显示区域中的平面的放大图。图23是本实施方式的显示装置2的概略截面图，是图22的按M-N线向视截面图。
本实施方式的显示装置2与前实施方式的显示装置2相比，在显色相同且相互相邻的子像素之间形成有堤岸62或堤岸64代替堤岸56。换言之，本实施方式的各发光元件与前实施方式的各发光元件相比，作为第一绝缘体及第二绝缘体分别具备堤岸62及堤岸64代替堤岸56。
在此，例如，形成于第六子像素SP6的发光元件6R在发光层14R的第一侧面14SC侧具备堤岸62。此外，形成于第六子像素SP6的发光元件6R在发光层14R的第二侧面14SD的一侧具备堤岸64。另一方面，形成于第一子像素SP1以及第七子像素SP7的发光元件6R分别在发光层14R的第一侧面14SC的一侧具备堤岸64。此外，形成于第一子像素SP1以及第七子像素SP7的发光元件6R分别在发光层14R的第二侧面14SD的一侧具备堤岸62。
堤岸62在小型堤岸26之上具备第三电极66和覆盖该第三电极66的侧面和周围的第一部分22。另一方面，堤岸64在小型堤岸26之上具备第四电极68、以及覆盖该第四电极68的侧面及周围的第一部分22。第三电极66和第四电极68分别经由第一配线34和第二配线36与电源32电连接。特别是，第三电极66和第四电极68可以分别具备除了形成位置以外与第三电极50和第四电极52各自相同的构成。
本实施方式的显示装置2除了步骤S6之外，能够通过与前实施方式的显示装置2的制造方法相同的制造方法来制造。本实施方式的步骤S6例如通过利用与堤岸46和堤岸48的形成方法相同的形成方法来形成堤岸62和堤岸64来实施。
第六子像素SP6的发光元件6R在第一侧面14SC侧隔着堤岸62的第一部分22包含第三电极66，在第二侧面14SD侧隔着堤岸64的第一部分22包含第四电极68。此外，形成于第一子像素SP1以及第七子像素SP7的发光元件6R分别在第一侧面14SC侧隔着堤岸64的第一部分22包含第四电极68，在第二侧面14SD侧隔着堤岸62的第一部分22包含第三电极66。此外，电源32能够经由第一配线34和第二配线36分别向第三电极66及第四电极68施加电压。
因此，本实施方式的各发光元件通过对第三电极66以及第四电极68的至少一方施加电压，能够在与其它电极之间产生电场。因此，本实施方式的各发光元件通过第三电极66及第四电极68，能够使在功能层间的界面态被捕获的载流子脱离，能够提高发光效率。
此外，堤岸62仅具备第三电极66作为电极，堤岸64仅具备第四电极68作为电极。而且，在本实施方式的显示装置2中，某发光元件和与该发光元件相邻的发光元件共用第三电极66或第四电极68。
例如，图23所示的、堤岸62的第三电极66作为第六子像素SP6的发光元件6R的第三电极发挥功能，且作为第七子像素SP7的发光元件6R的第四电极发挥功能。此外，图23所示的、堤岸64的第四电极68作为第一子像素SP1的发光元件6R的第三电极发挥功能，且作为第六子像素SP6的发光元件6R的第四电极发挥功能。
因此，与具备第三电极58和第四电极60双方的堤岸56相比，堤岸62和堤岸64的结构简化，而且形成工序简化。此外，在相互相邻的发光元件之间，能够将对某发光元件的第三电极的电压施加视为对与该发光元件相邻的发光元件的第四电极的电压施加。因此，本实施方式的显示装置2能够减少用于对第三电极66以及第四电极68施加电压的电源32、第一配线34及第二配线36的个数。
至此，在各实施方式中，，对显示区域DA中具有多个包括多个子像素的像素的显示装置2进行了说明。但是，不限于此，在本公开中也包括仅具备一个各实施方式的发光元件的发光装置。该发光装置所具备的发光元件也可以是各实施方式的发光元件6R、发光元件6G或发光元件6B中的任一个。
本发明不限于上述的各实施方式，能够在权利要求所示的范围内进行各种变更，对于适当组合在不同的实施方式中分别公开的技术手段而得到的实施方式也包含在本发明的技术范围内。而且，通过组合各实施方式分别公开的技术手段，能够形成新的技术特征。
附图标记说明
2：显示装置
6：发光元件层
8：阳极(第一电极)
10：空穴注入层
12：空穴输送层
14：发光层
14SA：第一侧面
14SB：第二侧面
16：电子输送层
18：阴极(第二电极)
20：堤岸(第一绝缘体、第二绝缘体)
22：第一部分(覆盖层)
24：第二部分(第二突起)
26：小型堤岸(第一突起)
28：第三电极
30：第四电极
32：电源
34：第一配线
36：第二配线

Claims (35)

1.一种发光元件，其特征在于，其包括：
第一电极，其作为阳极；
第二电极，其作为阴极；
发光层，其位于所述第一电极和所述第二电极之间；
第一绝缘体，其相对于所述发光层位于所述发光层的靠第一侧面的一侧；以及
第三电极，其以在与所述发光层的所述第一侧面之间夹着所述第一绝缘体的第一部分的方式位于所述第一绝缘体内。
2.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述第一绝缘体仅由第一材料构成。
3.根据权利要求1所述的发光元件，其特征在于，
所述第一绝缘体由第一材料和不同于所述第一材料的第二材料构成，
所述第一绝缘体包含仅由所述第一材料构成的所述第一部分和至少包含所述第二材料的第二部分。
4.根据权利要求1～3的任一项所述的发光元件，其特征在于，
所述第一绝缘体的所述第一部分的厚度为10nm以上且50nm以下。
5.根据权利要求2或3所述的发光元件，其特征在于，
所述第一材料选自由SiO2、金刚石、绝缘性DLC、陶瓷材料、Al2O3、聚酰亚胺、聚乙烯、聚丙烯、氯乙烯树脂、环氧树脂、聚酯、三聚氰胺树脂、尿素树脂、有机硅和聚碳酸酯构成的组和由电阻率为107Ω/cm以上的材料构成的组中的至少一方的至少一种。
6.根据权利要求1～5中任一项所述的发光元件，其特征在于，所述发光元件还包括：
第二绝缘体，其相对于所述发光层位于所述发光层的与所述第一侧面相反的第二侧面的一侧；以及
第四电极，其以与所述发光层的所述第二侧面之间夹着所述第二绝缘体的第三部分的方式位于所述第二绝缘体内。
7.根据权利要求6所述的发光元件，其特征在于，
所述第二绝缘体仅由第三材料构成。
8.根据权利要求6所述的发光元件，其特征在于，
所述第二绝缘体由第三材料和不同于所述第三材料的第四材料构成，
所述第二绝缘体包含仅由所述第三材料构成的所述第三部分和至少含有所述第四材料的第四部分。
9.根据权利要求6～8中任一项所述的发光元件，其特征在于，
所述第二绝缘体的所述第三部分的厚度为10nm以上且50nm以下。
10.根据权利要求7或8所述的发光元件，其特征在于，
所述第三材料选自由SiO2、金刚石、绝缘性DLC、陶瓷材料、Al2O3、聚酰亚胺、聚乙烯、聚丙烯、氯乙烯树脂、环氧树脂、聚酯、三聚氰胺树脂、尿素树脂、有机硅和聚碳酸酯构成的组和由电阻率为107Ω/cm以上的材料构成的组中的至少一方的至少一种。
11.根据权利要求6～10中任一项所述的发光元件，其特征在于，
所述发光层位于所述第三电极与所述第四电极之间。
12.根据权利要求6～11中任一项所述的发光元件，其特征在于，
所述发光元件还具备空穴输送层，所述空穴输送层位于所述第一电极和所述发光层之间，
所述空穴输送层位于所述第三电极与所述第四电极之间。
13.根据权利要求6～12中任一项所述的发光元件，其特征在于，
所述发光元件还具备电子输送层，所述电子输送层位于所述第二电极及所述发光层之间，
所述电子输送层位于所述第三电极和所述第四电极之间。
14.根据权利要求6～13中任一项所述的发光元件，其特征在于，
所述第一电极和所述第二电极的靠所述发光层的一侧的表面分别位于所述第三电极与所述第四电极之间。
15.根据权利要求6～14中任一项所述的发光元件，其特征在于，
所述第一绝缘体具有覆盖所述发光层的所述第一侧面的第一倾斜面，包含所述第一倾斜面的靠所述第一电极侧的边缘和靠所述第二电极侧的边缘的第一平面，与平行于所述第一电极的第二平面之间形成第一角度，
所述第二绝缘体具有覆盖所述发光层的所述第二侧面的第二倾斜面，包含所述第二倾斜面的靠所述第一电极侧的边缘和靠所述第二电极侧的边缘的第三平面与所述第二平面之间形成第二角度，
包括所述第三电极的靠所述第一电极侧的边缘和靠所述第二电极侧的边缘的第四平面与所述第二平面之间形成的第三角度为90度以上且所述第一角度以下，
包括所述第四电极的靠所述第一电极侧的边缘和靠所述第二电极侧的边缘的第五平面与所述第二平面之间形成的第四角度为90度以上且所述第二角度以下。
16.根据权利要求15所述的发光元件，其特征在于，
所述第三角度和所述第四角度分别为90度。
17.根据权利要求15所述的发光元件，其特征在于，
所述第三电极与所述第一倾斜面之间的距离恒定，
所述第四电极和所述第二倾斜面之间的距离恒定。
18.一种发光装置，其特征在于，其包括：
权利要求1～17中任一项所述的发光元件；以及
第一配线，其能够将第一电压施加到所述第三电极。
19.一种发光装置，其特征在于，其包括：
权利要求6～17中任一项所述的发光元件；
第一配线，其能够对所述第三电极施加第一电压；以及
第二配线，其能够对所述第四电极施加第二电压。
20.根据权利要求19所述的发光装置，其特征在于，
所述第一电压与所述第二电压相同。
21.根据权利要求18～20中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述发光装置还包括电源，所述电源向所述第一配线供给所述第一电压，
所述第一电压是交流电压。
22.根据权利要求21所述的发光装置，其特征在于，
所述交流电压的振幅的大小为，与所述发光层的带隙能量对应的电场是从所述第一电极到所述第二电极的任意层产生的电压的大小的2倍以上。
23.根据权利要求21或22所述的发光装置，其特征在于，
所述发光层包含n型杂质，
所述电源对所述第一配线供给所述第一电压，使所述第三电极的电位相对于所述第一电极的电位为负。
24.根据权利要求21或22所述的发光装置，其特征在于，
所述发光层包含p型杂质，
所述电源对所述第一配线供给所述第一电压，使所述第三电极的电位相对于所述第一电极的电位为正。
25.一种发光装置，其特征在于，其包括：
多个权利要求1～17中任一项所述的发光元件，
所述第一绝缘体是形成在所述多个发光元件之间，并将所述发光元件各自分离的堤岸。
26.一种发光装置，其特征在于，其包括：
多个权利要求6～17中任一项所述的发光元件，
所述第二绝缘体是形成在所述多个发光元件之间，并将所述发光元件各自分离的堤岸。
27.一种显示装置，其特征在于，
包含权利要求15～17中任一项所述的发光元件作为第一子像素，
包含权利要求15～17中任一项所述的发光元件作为与所述第一子像素相邻的第二子像素，
包含权利要求15～17中任一项所述的发光元件作为与所述第二子像素相邻的第三子像素，
所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的显色相互不同。
28.根据权利要求27所述的显示装置，其特征在于，
所述第一子像素的所述第三电极和所述第二子像素的所述第四电极位于所述第一子像素和所述第二子像素之间，
所述第二子像素的所述第三电极和所述第三子像素的所述第四电极位于所述第二子像素和所述第三子像素之间。
29.根据权利要求27所述的显示装置，其特征在于，
所述第一子像素和所述第二子像素的所述第四电极位于所述第一子像素和所述第二子像素之间，
所述第二子像素和所述第三子像素的所述第三电极位于所述第二子像素和所述第三子像素之间。
30.根据权利要求27所述的显示装置，其特征在于，
还包含权利要求15～17中任一项所述的发光元件作为与所述第一子像素相邻的第四子像素，
还包含权利要求15～17中任一项所述的发光元件作为与所述第三子像素相邻的第五子像素，
所述第一子像素和所述第五子像素的显色相互相同，
所述第三子像素和所述第四子像素的显色相互相同，
所述第四子像素的所述第四电极、所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的所述第三电极，位于所述第四子像素和所述第一子像素之间，
所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的所述第四电极和所述第五子像素的所述第三电极，位于所述第三子像素和所述第五子像素之间。
31.根据权利要求27所述的显示装置，其特征在于，
还包含权利要求15～17中任一项所述的发光元件作为与所述第一子像素相邻的第四子像素，
还包含权利要求15～17中任一项所述的发光元件作为与所述第三子像素相邻的第五子像素，
所述第一子像素和所述第五子像素的显色相互相同，
所述第三子像素和所述第四子像素的显色相互相同，
所述第四子像素、所述第一子像素、所述第二子像素和所述第三子像素的所述第三电极位于所述第四子像素和所述第一子像素之间，
所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素和所述第五子像素的所述第四电极，位于所述第三子像素和所述第五子像素之间。
32.根据权利要求27所述的显示装置，其特征在于，
还包含权利要求15～17中任一项所述的发光元件作为与所述第一子像素相邻的第六子像素，
还包含权利要求15～17中任一项所述的发光元件作为与所述第六子像素相邻的第七子像素，
所述第一子像素、所述第六子像素和第七子像素的显色相互相同，
所述第一子像素的所述第三电极和所述第六子像素的所述第四电极位于所述第一子像素和所述第六子像素之间，
所述第六子像素的所述第三电极和所述第七子像素的所述第四电极位于所述第六子像素和所述第七子像素之间。
33.根据权利要求27所述的显示装置，其特征在于，
还包含权利要求15～17中任一项所述的发光元件作为与所述第一子像素相邻的第六子像素，
还包含权利要求15～17中任一项所述的发光元件作为与所述第六子像素相邻的第七子像素，
所述第一子像素、所述第六子像素和第七子像素的显色相互相同，
所述第一子像素和所述第六子像素的所述第四电极位于所述第一子像素和所述第六子像素之间，
所述第六子像素和所述第七子像素的所述第三电极，位于所述第六子像素和所述第七子像素之间。
34.一种方法，其用于在基板上形成绝缘体和位于所述绝缘体内的电极的方法，其特征在于，所述方法包括：
第一突起形成工序，形成第一突起；
第二突起形成工序，在所述第一突起的上表面之上形成第二突起；
电极形成工序，在所述第二突起的一个或者两个侧面上形成所述电极；以及
覆盖层形成工序，形成覆盖层以覆盖所述第二突起以及所述电极，所述绝缘体包含所述第一突起、所述第二突起以及所述覆盖层。
35.根据权利要求34所述的方法，其特征在于，
在所述第二突起形成工序中，以在所述基板的俯视时所述第二突起比所述第一突起小的方式形成所述第二突起，
在所述电极形成工序中，通过将导电层(i)形成为所述导电层不覆盖所述第一突起的侧面双方、且(ii)形成为覆盖所述第二突起的所述一个或两个侧面，从而形成所述电极。
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