CN116669306A - 玻璃基板的线路层制备方法及其玻璃基板 - Google Patents
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Abstract
本申请涉及一种玻璃基板的线路层制备方法及其玻璃基板。玻璃基板的线路层制备方法包括：对玻璃基板本体的焊盘区域进行图案化处理并形成凹槽图案层；对凹槽图案层的凹槽加工使得凹槽横截面的底部宽度大于顶部宽度；向凹槽图案层填充导电材料，以形成线路层。如此设置，在玻璃基板本体上蚀刻出凹槽图案层，使得线路层能够以镶嵌的方式附着在玻璃基板本体上，有效增大了玻璃基板本体与线路层之间的附着力，且通过对凹槽图案层的凹槽加工使得凹槽横截面的底部宽度大于顶部宽度，使得线路层填充于凹槽图案层上时，线路层内扣于凹槽图案层，进一步增大了玻璃基板本体与线路层之间的附着力，有效避免了线路层与玻璃基板本体之间的脱落风险。
Description
技术领域
本申请涉及玻璃基板技术领域，特别是涉及玻璃基板的线路层制备方法及其玻璃基板。
背景技术
随着玻璃基板本体技术的发展，出现了PMOLED(Passive Matrix OLED)驱动的玻璃基板本体，即被动驱动式OLED玻璃基板，PM驱动的玻璃基板的线路层采用离子溅射的方式附着在玻璃基板本体的表面，然而线路层直接溅射附着在玻璃基板本体表面时线路层与玻璃基板之间的附着力有限，导致线路层在后期使用过程中容易脱落。
发明内容
基于此，有必要针对玻璃基板的线路层容易脱落的问题，提供一种玻璃基板的线路层制备方法及其玻璃基板。
一种玻璃基板的线路层制备方法，包括：
对玻璃基板本体的焊盘区域进行图案化处理并形成凹槽图案层；
对所述凹槽图案层的凹槽加工使得所述凹槽横截面的底部宽度大于顶部宽度；
向所述凹槽图案层填充导电材料，以形成线路层。
通过上述的技术方案，在玻璃基板本体上蚀刻出凹槽图案层，使得线路层能够以镶嵌的方式附着在玻璃基板本体上，有效增大了玻璃基板本体与线路层之间的附着力，且通过对凹槽图案层的凹槽加工使得凹槽横截面的底部宽度大于顶部宽度，使得线路层填充于凹槽图案层上时，线路层内扣于凹槽图案层，进一步增大了玻璃基板本体与线路层之间的附着力，有效避免了线路层与玻璃基板本体之间的脱落风险。
在其中一个实施例中，对所述凹槽图案层的凹槽加工使得所述凹槽横截面的底部宽度大于顶部宽度，包括：
在所述凹槽底部沿所述凹槽边缘向所述玻璃基板本体内部打磨边槽，使得所述凹槽横截面呈倒T型。
通过上述的技术方案，导电材料沉积于横截面为倒T型的凹槽图案层内时所形成的线路层横截面也为倒T型，线路层通过边槽内扣于玻璃基板本体，降低了线路层从玻璃基板本体上的脱落风险。
在其中一个实施例中，所述边槽的深度为1微米，高度为1微米。
通过上述的技术方案，边槽的深度和高度设置为1微米足够使得线路层通过边槽抓紧于玻璃基板本体上，且最大限度地降低了对玻璃基板本体的打磨，以免打磨对玻璃基板本体的性能产生影响。
在其中一个实施例中，对玻璃基板本体的焊盘区域进行图案化处理并形成凹槽图案层，包括：
在所述玻璃基板本体的非焊盘区域涂敷防蚀刻剂；
使用蚀刻剂对所述焊盘区域进行蚀刻，并蚀刻出所述凹槽图案层；
清洗所述玻璃基板本体上涂敷的所述防蚀刻剂和所述蚀刻剂。
通过上述的技术方案，蚀刻剂对玻璃基板本体进行蚀刻时，只对未涂敷防蚀刻剂的焊盘区域有效，对涂敷有防蚀刻剂的非焊盘区域无效，使得蚀刻剂能够准确根据预先设计的焊盘区域的图案蚀刻出相应的凹槽图案层。
在其中一个实施例中，所述防蚀刻剂为石蜡。
在其中一个实施例中，所述蚀刻剂为氢氟酸。
在其中一个实施例中，所述凹槽图案层的凹槽深度为15至20微米。
在其中一个实施例中，所述线路层包括分别位于所述玻璃基板本体的上表面和下表面的上线路层和下线路层，所述玻璃基板的线路层制备方法包括：
在所述焊盘区域上设置多个同时贯穿所述上线路层和所述下线路层的通孔；
在所述通孔的侧壁上设置导电层以电性连接所述上线路层和所述下线路层。
通过上述的技术方案，设置通孔用以将上线路层和下线路层电性连接。
在其中一个实施例中，所述玻璃基板的线路层制备方法还包括：
在所述线路层设置干膜抗蚀剂，设置有干膜抗蚀剂的区域为待蚀刻区域，未设置干膜抗蚀剂的区域被所述待蚀刻区域分隔为正极区域和负极区域；
在所述线路层表面设置防护层；
去除所述干膜抗蚀剂，蚀刻去除所述待蚀刻区域的线路层。
通过上述的技术方案，在线路层表面设置防护层时，设置有干膜抗蚀剂的待蚀刻区域不会镀上防护层，后续去除干膜抗蚀剂后进行蚀刻时，蚀刻剂不会蚀刻已经镀有防护层的线路层，蚀刻剂会去除待蚀刻区域的线路层，使得线路层形成正极区域和负极区域。一方面防护层可起到后期玻璃基板使用过程中防止线路层氧化的作用，另一方面可以在蚀刻待蚀刻区域的线路层时保护无需进行蚀刻的线路层，便于形成线路层的正极区域和负极区域。
本申请还提出一种玻璃基板，包括：
玻璃基板本体；
线路层，所述线路层由上述的玻璃基板的线路层制备方法制作而成。
本申请的技术方案通过在玻璃基板本体上蚀刻出凹槽图案层，使得线路层能够以镶嵌的方式附着在玻璃基板本体上，有效增大了玻璃基板本体与线路层之间的附着力，且通过对凹槽图案层的凹槽加工使得凹槽横截面的底部宽度大于顶部宽度，使得线路层溅射沉积于凹槽图案层上时，线路层内扣于凹槽图案层，进一步增大了玻璃基板本体与线路层之间的附着力，有效避免了线路层与玻璃基板本体之间的脱落风险。
附图说明
图1为本申请中玻璃基板的线路层制备方法一实施例的形成凹槽图案层的步骤示意图。
图2为本申请中玻璃基板的线路层制备方法一实施例的形成线路层的步骤示意图。
图3为本申请中玻璃基板的线路层制备方法一实施例的开设通孔步骤示意图。
图4为本申请中玻璃基板的线路层制备方法一实施例的设置干膜抗蚀剂步骤示意图。
图5为本申请中玻璃基板的线路层制备方法一实施例的正极区域和负极区域的示意图。
图6为本申请中玻璃基板的线路层制备方法一实施例的流程示意图。
附图标号说明：
100、玻璃基板本体；200、焊盘区域；300、非焊盘区域；400、凹槽图案层；410、凹槽；411、边槽；500、线路层；600、通孔；700、负极区域；710、公共负极区域；800、正极区域；810、红光正极区域；820、绿光正极区域；830、蓝光正极区域；900、待蚀刻区域。
具体实施方式
为使本申请的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本申请的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本申请。但是本申请能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本申请内涵的情况下做类似改进，因此本申请不受下面公开的具体实施例的限制。
在本申请的描述中，需要理解的是，若有出现这些术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”、“轴向”、“径向”、“周向”等，这些术语指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
此外，若有出现这些术语“第一”、“第二”，这些术语仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，若有出现术语“多个”，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，若有出现术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等，这些术语应做广义理解。例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中，除非另有明确的规定和限定，若有出现第一特征在第二特征“上”或“下”等类似的描述，其含义可以是第一和第二特征直接接触，或第一和第二特征通过中间媒介间接接触。而且，第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”可是第一特征在第二特征正上方或斜上方，或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”可以是第一特征在第二特征正下方或斜下方，或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
需要说明的是，若元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。若一个元件被认为是“连接”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。如若存在，本申请所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“上”、“下”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的，并不表示是唯一的实施方式。
请参阅图1、图2和图6，本申请提出一种玻璃基板的线路层制备方法，包括：
对玻璃基板本体100的焊盘区域200进行图案化处理并形成凹槽图案层400；
对凹槽图案层400的凹槽410加工使得凹槽410横截面的底部宽度大于顶部宽度；
向凹槽图案层400填充导电材料，以形成线路层500。
需要说明地是，玻璃基板本体100的材质为耐高温玻璃，可承受温度为1500℃高温。该凹槽图案层400的图案根据具体设计设置，在此不做具体限定。示例性地，凹槽图案层400呈阵列式排布，排布单元由多个矩形图案组合而成。凹槽410横截面可以呈梯形、倒T型等其他形状，在此不做具体限定。该导电材料可以为铜等其他用以形成线路层500的导电材料，在此不做具体限定。
需要说明地是，凹槽410加工方法和导电材料填充方法也可以根据玻璃基板本体100的性能、导电材料的种类设置为行业内其他通用方法，例如凹槽410加工方法可以采用3D打印等凹槽410加工方法，导电材料填充方法可以采用蒸镀、溅射镀膜、离子镀膜等方法，在此不做具体限定。
示例性地，对凹槽图案层400的凹槽410加工，包括：使用金刚石钻头沿着凹槽图案层400对凹槽410进行加工。如此设置，金刚石钻头具有足够大的硬度对玻璃基板本体100进行打磨，具有良好的打磨效果。
示例性地，向凹槽图案层400填充铜导电材料，包括：通过离子溅射方法将铜元素沉积于凹槽410中。如此设置，使用离子溅射镀膜方法可以得到厚度均匀的线路层500，其能够适应具有沟槽、台阶等不规则镀件形状，因而能够充分将导电材料溅射沉积于具有不规则形状的凹槽410中。
如此设置，在玻璃基板本体100上蚀刻出凹槽图案层400，使得线路层500能够以镶嵌的方式附着在玻璃基板本体100上，有效增大了玻璃基板本体100与线路层500之间的附着力，且通过对凹槽图案层400的凹槽410加工使得凹槽410横截面的底部宽度大于顶部宽度，使得线路层500填充于凹槽图案层400上时，线路层500内扣于凹槽图案层400，进一步增大了玻璃基板本体100与线路层500之间的附着力，有效避免了线路层500与玻璃基板本体100之间的脱落风险。
具体地，对凹槽图案层400的凹槽410加工使得凹槽410横截面的底部宽度大于顶部宽度，包括：
在凹槽410底部沿凹槽410边缘向玻璃基板本体100内部打磨边槽411，使得凹槽410横截面呈倒T型。
如此设置，导电材料沉积于横截面为倒T型的凹槽图案层400内时所形成的线路层500横截面也为倒T型，线路层500通过边槽411内扣于玻璃基板本体100，降低了线路层500从玻璃基板本体100上的脱落风险。
进一步地，平行于玻璃基板本体100顶面的方向为边槽411的深度方向，垂直于玻璃基板本体100顶面的方向为边槽411的高度方向。边槽411打磨的深度和高度可以根据实际需求设置，在此不做具体限定。示例性地，边槽411的深度为1微米，高度为1微米。如此设置，边槽411的深度和高度设置为1微米足够使得线路层500通过边槽411抓紧于玻璃基板本体100上，且最大限度地降低了对玻璃基板本体100的打磨，以免打磨对玻璃基板本体100的性能产生影响。
需要说明地是，边槽411横截面可以呈矩形、梯形等其他形状设置，在此不做具体限定。
进一步地，请参阅图1和图6，对玻璃基板本体100的焊盘区域200进行图案化处理并形成凹槽图案层400，包括：
在玻璃基板本体100的非焊盘区域300涂敷防蚀刻剂；
使用蚀刻剂对焊盘区域200进行蚀刻，并蚀刻出凹槽图案层400；
清洗玻璃基板本体100上涂敷的防蚀刻剂和蚀刻剂。
需要说明地是，玻璃基板本体100表面上除焊盘区域200以外的区域为非焊盘区域300。蚀刻剂和防蚀刻剂的选用根据玻璃基板本体100性能和导电材料的种类设置，在此不做具体限定。蚀刻剂可以选用酸蚀刻剂、碱蚀刻剂等蚀刻剂，例如酸性氯化铜、碱性氯化铜、氯化铁、过硫酸铵、硫酸/铬酸、硫酸/双氧水蚀刻液等。防蚀刻剂可以选用防护蜡，例如PE蜡、矿物蜡、石油蜡和微晶蜡等。示例性地，玻璃基板本体100为耐1500℃高温的玻璃基板本体100，导电材料为铜时，防蚀刻剂为石蜡，蚀刻剂为氢氟酸。
如此设置，蚀刻剂对玻璃基板本体100进行蚀刻时，只对未涂敷防蚀刻剂的焊盘区域200有效，对涂敷有防蚀刻剂的非焊盘区域300无效，使得蚀刻剂能够准确根据预先设计的焊盘区域200的图案蚀刻出相应的凹槽图案层400。
具体地，使用蚀刻剂对焊盘区域200进行蚀刻，包括：控制蚀刻剂的蚀刻时间以控制对焊盘区域200的蚀刻深度。
焊盘区域200的蚀刻深度根据线路层500厚度需求设置，在此不做具体限定。示例性地，凹槽图案层400的凹槽410深度为15至20微米。
进一步地，请参阅图3和图6，线路层500包括分别位于玻璃基板本体100的上表面和下表面的上线路层500和下线路层500，玻璃基板的线路层制备方法包括：
在焊盘区域200上设置多个同时贯穿上线路层500和下线路层500的通孔600；
在通孔600的侧壁上设置导电层以电性连接上线路层500和下线路层500；
对通孔600进行塞油处理。
导电层的材质可以和线路层500相同，也可以和线路层500不同，在此不做具体限定。优选地，导电层的材质和线路层500相同，线路层500为铜层，导电层也为铜层。在通孔600的侧壁上设置导电层的方法可以根据需求选择行业内通用方法。例如蒸镀、溅射镀膜、离子镀膜、电镀等方法，在此不做具体限定。示例性地，在通孔600的侧壁上设置导电层，包括：通过电镀镀铜法在通孔600的侧壁上设置导电层。
需要说明地是，请参阅图5和图6，通孔600设置位置和通孔600设置个数根据线路层500的正极区域800和负极区域700的设置确定，在此不做具体限定。示例性地，线路层500呈阵列式排布，每个排布单元的正极区域800分为三个正极子区域时，每个正极子区域设置有一个通孔600，每个排布单元的负极区域700为公共负极区域710时，公共负极区域710设置有一个通孔600。线路层500呈阵列式排布，每个排布单元的正极区域800为公共正极区域800时，每个公共正极区域800设置有一个通孔600，每个排布单元的负极区域700为三个负极子区域时，每个负极子区域设置有一个通孔600。
需要说明地是，请参阅图5和图6，正极区域800和负极区域700具体设置根据线路层500的实际设计确认，在此不做具体限定。示例性地，正极区域800包括红光正极区域810、绿光正极区域820和蓝光正极区域830，负极区域700为公共负极区域710。或者，正极区域800包括公共正极区域，负极区域700包括红光负极区域、绿光负极区域和蓝光负极区域。
进一步地，请参阅图4和图6，玻璃基板的线路层制备方法还包括：
在线路层500设置干膜抗蚀剂，设置有干膜抗蚀剂的区域为待蚀刻区域900，未设置干膜抗蚀剂的区域被待蚀刻区域900分隔为正极区域800和负极区域700；
在线路层500表面设置防护层；
去除干膜抗蚀剂，蚀刻去除待蚀刻区域900的线路层500。
需要说明地是，干膜抗蚀剂的种类根据形成线路层500的导电材料的种类设置，在此不做具体限定。干膜抗蚀剂可以为溶剂型干膜、半水溶性干膜和全水溶性干膜等其他种类的干膜抗蚀剂。
需要说明地是，防护层材质根据形成线路层500的导电材料的种类设置，在此不做具体限定。示例性地，线路层500为铜层时，在线路层500表面设置防护层，包括：防护层为依次设置于线路层500之上的镍层和金层，通过电镀法将镍层镀于线路层500上，通过沉金法将金层沉积于镍层上。
需要说明地是，蚀刻方法根据形成线路层500的导电材料的种类设置，在此不做具体限定。示例性地，线路层500为铜层时，蚀刻去除待蚀刻区域900的线路层500，包括：通过碱蚀刻法蚀刻去除待蚀刻区域900的线路层500。
如此设置，在线路层500表面设置防护层时，设置有干膜抗蚀剂的待蚀刻区域900不会镀上防护层，后续去除干膜抗蚀剂后进行蚀刻时，蚀刻剂不会蚀刻已经镀有防护层的线路层500，蚀刻剂会去除待蚀刻区域900的线路层500，使得线路层500形成正极区域800和负极区域700。一方面防护层可起到后期玻璃基板使用过程中防止线路层500氧化的作用，另一方面可以在蚀刻待蚀刻区域900的线路层500时保护无需进行蚀刻的线路层500，便于形成线路层500的正极区域800和负极区域700。
进一步地，玻璃基板的线路层制备方法还包括：
对玻璃基板本体100进行酸洗；
对酸洗后的玻璃基板本体100进行超纯水清洗。
本申请还提出一种玻璃基板，包括：
玻璃基板本体100；
线路层500，线路层500由上述的玻璃基板的线路层制备方法制作而成。
如此设置，线路层500能够以镶嵌的方式附着在玻璃基板本体100上，有效增大了玻璃基板本体100与线路层500之间的附着力，且线路层500填充于凹槽图案层400上时，线路层500内扣于凹槽图案层400，进一步增大了玻璃基板本体100与线路层500之间的附着力，有效避免了线路层500与玻璃基板本体100之间的脱落风险。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。
Claims (10)
1.一种玻璃基板的线路层制备方法，其特征在于，所述玻璃基板的线路层制备方法包括：
对玻璃基板本体的焊盘区域进行图案化处理并形成凹槽图案层；
对所述凹槽图案层的凹槽加工使得所述凹槽横截面的底部宽度大于顶部宽度；
向所述凹槽图案层填充导电材料，以形成线路层。
2.根据权利要求1所述的玻璃基板的线路层制备方法，其特征在于，对所述凹槽图案层的凹槽加工使得所述凹槽横截面的底部宽度大于顶部宽度，包括：
在所述凹槽底部沿所述凹槽边缘向所述玻璃基板本体内部打磨边槽，使得所述凹槽横截面呈倒T型。
3.根据权利要求2所述的玻璃基板的线路层制备方法，其特征在于，所述边槽的深度为1微米，高度为1微米。
4.根据权利要求1所述的玻璃基板的线路层制备方法，其特征在于，对玻璃基板本体的焊盘区域进行图案化处理并形成凹槽图案层，包括：
在所述玻璃基板本体的非焊盘区域涂敷防蚀刻剂；
使用蚀刻剂对所述焊盘区域进行蚀刻，并蚀刻出所述凹槽图案层；
清洗所述玻璃基板本体上涂敷的所述防蚀刻剂和所述蚀刻剂。
5.根据权利要求4所述的玻璃基板的线路层制备方法，其特征在于，所述防蚀刻剂为石蜡。
6.根据权利要求4所述的玻璃基板的线路层制备方法，其特征在于，所述蚀刻剂为氢氟酸。
7.根据权利要求1所述的玻璃基板的线路层制备方法，其特征在于，所述凹槽图案层的凹槽深度为15至20微米。
8.根据权利要求1所述的玻璃基板的线路层制备方法，其特征在于，所述线路层包括分别位于所述玻璃基板本体的上表面和下表面的上线路层和下线路层，所述玻璃基板的线路层制备方法包括：
在所述焊盘区域上设置多个同时贯穿所述上线路层和所述下线路层的通孔；
在所述通孔的侧壁上设置导电层以电性连接所述上线路层和所述下线路层。
9.根据权利要求1所述的玻璃基板的线路层制备方法，其特征在于，所述玻璃基板的线路层制备方法还包括：
在所述线路层设置干膜抗蚀剂，设置有干膜抗蚀剂的区域为待蚀刻区域，未设置干膜抗蚀剂的区域被所述待蚀刻区域分隔为正极区域和负极区域；
在所述线路层表面设置防护层；
去除所述干膜抗蚀剂，蚀刻去除所述待蚀刻区域的线路层。
10.一种玻璃基板，其特征在于，包括：
玻璃基板本体；
线路层，所述线路层由权利要求1-9任意一项所述的玻璃基板的线路层制备方法制作而成。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310585607.XA CN116669306A (zh) | 2023-05-23 | 2023-05-23 | 玻璃基板的线路层制备方法及其玻璃基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202310585607.XA CN116669306A (zh) | 2023-05-23 | 2023-05-23 | 玻璃基板的线路层制备方法及其玻璃基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN116669306A true CN116669306A (zh) | 2023-08-29 |
Family
ID=87727221
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN202310585607.XA Pending CN116669306A (zh) | 2023-05-23 | 2023-05-23 | 玻璃基板的线路层制备方法及其玻璃基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN116669306A (zh) |
-
2023
- 2023-05-23 CN CN202310585607.XA patent/CN116669306A/zh active Pending
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Legal Events
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